JP2013196164A - 不揮発性記憶装置、情報処理装置の制御方法、及び情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ホスト装置にとって無効なデータであって、不揮発性メモリで消去されずに保持されているデータである無効データの論物変換情報を管理し、ホスト装置から無効な論理アドレスのデータを完全削除する命令を受信すると、受信した命令に含まれる論理アドレスに対応する物理アドレスを管理している無効データの論物変換情報から抽出し、抽出した不揮発性メモリ上の物理アドレスのデータを消去または上書きする。
【選択図】図4
Description
まず、不揮発性記憶装置としてのSSD(Solid State Drive)2を用いた情報処理装置の全体構成について説明する。図1に情報処理装置の一例としてのコンピュータシステム1の構成を示す。本コンピュータシステム1は、不揮発性記憶装置としてのSSD2と、ホスト装置(以下、単にホストという)3と、SSD2とホスト3とを結ぶメモリインタフェース19とから構成されている。SSD2はインターフェース19を介してホスト3に接続されている。本実施の形態では、インターフェース19として、ATA(Advanced Technology Attachment)インターフェースを用いるが、USB(Universal Serial Bus)など他のインターフェースであってもよい。CPU(制御回路)4がホスト3における中央演算処理装置であり、ホスト3における種々の演算及び制御はCPU4によって行われる。CPU4はサウスブリッジ7を介してSSD2や、DVD−ROMなどの光学ドライブ10の制御を行う。CPU4は、ノースブリッジ5を介して、メインメモリ6の制御を行う。メインメモリ6は、例えば、DRAMで構成されている。
NANDメモリ24は、1以上の個数のNANDメモリチップ27よりなる。NANDメモリ24は、ホスト3によって指定されたユーザデータを記憶したり、RAM25で管理される管理情報をバックアップ用に記憶したりする。NANDメモリ24は、複数のメモリセルがマトリクス状に配列されたメモリセルアレイを有する。NANDメモリ24のメモリセルアレイを構成するメモリセルトランジスタは、半導体基板上に形成された積層ゲート構造を備えたMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)から構成される。
図4を用いてSSDの動作について説明する。SSD2はホスト3から命令を受信すると、IFC30がその命令を受信し、受信した命令をSSDC26に送信する。SSDC26は受信した命令を処理する。命令にはたとえば論理アドレスとしてのLBAが含まる。SSDC26は適宜ホスト3より受信したLBAを、管理情報31を参照することで、物理アドレスに変換する。物理アドレスビットの一部をNANDメモリチップ27の制御信号入力端子38(図5参照)に入力することで、NANDメモリチップ内のページが特定される。
つぎに、図12を用いてSSD2においてLBAから物理アドレスを特定する手順(アドレス正引き手順)について説明する。以下の、手順は、SSDC26によって実行される。ホスト3は、ライト命令やリード命令をSSD2に実行させる際、LBA(先頭LBA)および論理セクタ長を含むコマンドをSSD2に出力する。LBA(先頭LBA)および論理セクタ長が指定されたとき、それが示すLBA領域AREAinitは始端がコマンドよって指定されたLBAであり、末端が(指定LBA+論理セクタ長−1)の連続したLBA領域となる。
図13にRAM25で管理される無効データログ60の詳細を示す。無効データログ60は、トラックテーブル52およびクラスタテーブル53でLBA領域に関連付けられていない物理アドレスのうち、ホスト3にとっては無効であるが、ユーザデータ実体がNANDメモリ24上にまだ消去されずに保持されているデータである無効データの物理アドレスを管理する。無効データは、たとえばフリーブロックに保持されているデータであり、またトラックテーブル52において無効フラグがtrueになっているデータや、クラスタ管理であるにも関わらずクラスタテーブル53に含まれないデータである。無効データログ60により無効データを管理することにより、データが無効データになった後であっても、ホスト3が任意にデータ実体の消去が可能になり、ユーザデータのセキュリティが向上する。
つぎに、図14、図15を用いてSSD2における読み出し動作を説明する。図14に示すように、SSD2がホスト3から読み出し命令を受信した場合は(ステップS1301)、SSDC26がこの読み出し命令をRAM25上の読み出し命令待ち行列に追加し(ステップS1302)、読み出し命令を受理した旨をホスト3に返信する。なお、SSD2は、ホスト3に応答を返信しなくてもよい。読み出し命令待ち行列にはホスト3から受信したLBAおよび論理セクタ長も含まれており、それが示すLBA領域AREAinitは、始端が指定されたLBAであり、末端が(指定されたLBA+論理セクタ長−1)の連続したLBA領域となる。
つぎに、図16、図17を用いてSSD2における書き込み動作を説明する。図16に示すように、SSD2がホスト3から書き込み命令を受信した場合は(ステップS1501)、SSDC26がこの書き込み命令をRAM25上の読み出し命令待ち行列に追加し(ステップS1502)、書き込み命令を受理した旨をホスト3に返信する。なお、SSD2は、ホスト3に応答を返信しなくてもよい。書き込み命令待ち行列にはホスト3から受信したLBAおよび論理セクタ長も含まれており、それが示すLBA領域AREAinitは、始端が指定されたLBAであり、末端が(指定されたLBA+論理セクタ長−1)の連続したLBA領域となる。
図19にトラック管理領域へトラック書き込みを行う場合の概略を示す。トラックアドレスAREAwsを持つトラックが、最初は、ブロック(ブロックID=ID18physold)に書き込まれてトラック管理されている。このトラックAREAwsが更新され新たなトラックデータが書き込まれたとする。SSDC26は、フリーブロック(ブロックID=ID18free)を取得し、このフリーブロックに新たなトラックデータを書き込み、このブロックをアクティブブロックとする。旧トラックデータが書き込まれていたブロック(ブロックID=ID18physold)は、フリーブロックとされ、ブロックID=ID18physoldおよびトラックアドレスAREAwsがトラック単位無効データログ61に追加される。
図21にクラスタ管理領域へトラック書き込みを行う場合の概略を示す。トラックAREAws内の各クラスタ(クラスタアドレス=A19CL)が、最初は、複数のブロック(ブロックID=ID19physold)に分散記憶されて、クラスタ管理されている。このトラックAREAwsが更新され新たなトラックデータが書き込まれたとする。SSDC26は、フリーブロック(ブロックID=ID19free)を取得し、このフリーブロックに新たなトラックデータを書き込み、このブロックをアクティブブロックとする。旧クラスタデータ(クラスタアドレス=A19CL)が無効となり、新トラックデータ(トラックアドレス=AREAws)が有効となるよう管理テーブルが書き換えられる。ブロックID=ID19physoldおよびクラスタアドレスA19CLがクラスタ単位無効データログ62に追加される。
図23にトラック管理領域へクラスタ書き込みを行う場合の概略を示す。トラックアドレスAREAwsを持つトラックが、最初は、ブロック(ブロックID=ID20physold)に書き込まれてトラック管理されている。このトラックAREAws中のクラスタ(クラスタアドレス=AREAwscl)が更新され新たなクラスタデータが書き込まれたとする。SSDC26は、フリーブロック(ブロックID=ID20free)または追記可能ブロック(ブロックID=ID20ad)を取得し、取得したブロックに新たなクラスタデータを書き込む。トラックデータ(トラックアドレス=AREAws)が書き込まれていたブロック(ブロックID=ID20physold)内の全てのクラスタは、この後トラック管理からクラスタ管理に移行され、ブロックID=ID20physold、ブロック内アドレスおよびクラスタアドレス(=AREAwscl)がクラスタ単位無効データログ62に追加される。
図25にクラスタ管理領域へクラスタ書き込みを行う場合の概略を示す。トラックAREAws内の各クラスタは、最初は、複数のブロックに分散記憶されて、クラスタ管理されている。トラックAREAws内のクラスタAREAwsclは、最初は、ブロック(ブロックID=ID21physold)に書き込まれている。このクラスタAREAwsclが更新され新たなクラスタデータが書き込まれたとする。SSDC26は、フリーブロック(ブロックID=ID21free)または追記可能ブロック(ブロックID=21ad)を取得し、取得したブロックに新たなクラスタデータを書き込む。ブロック(ブロックID=ID18physold)内の旧クラスタデータが無効となり、ブロック(ブロックID=ID21freeまたは21ad)内の新クラスタデータが有効となるよう管理テーブルが書き換えられる。ブロックID=ID21physoldおよびクラスタアドレスAREAwsclがクラスタ単位無効データログ62に追加される。
SSDの全LBAの容量は、NANDメモリ24の全容量よりも小さく設計されているため、書き込み動作がトラック単位で書き込まれ続ける限りはフリーブロックが枯渇することはない。一方、クラスタ単位の書き込みが多数発生した場合、クラスタデータが書き込まれていたNANDメモリのページが無効データとなり、無効データが蓄積していくにつれてフリーブロックサイズ(=NANDメモリ容量−無効データ−管理情報)が枯渇する。NAND整理を行えば、無効データを削減することでフリーブロックを新たに確保することができる。
次に削除通知について説明する。削除通知は、ホスト3のOS16でデータの削除が行われた場合に、ホスト3から不揮発性記憶装置2に対して送信される命令である。削除通知の例として、たとえば、INCITS ATA/ATAPI Command Set-2(ACS−2)で記述されているData Set Management Command(通称トリム(TRIM)コマンド)があげられる(文献1参照)。これは、OS16上でデータが削除された場合、LBAおよび論理セクタ数に関するデータ(LBA Range Entry)をメモリシステムに通知することにより、以後不揮発性記憶装置2上で、指定されたLBAから論理セクタ数分のLBA領域を空き領域として扱うことができる方式である。削除通知により、SSD2はフリーブロックを新たに確保することができる。なお、トリムコマンドの機能は、Data Set Management Commandだけでなく、たとえばベンダー独自のコマンドなどその他コマンドによって実現してもよい。
・削除通知コマンドを受信した直後、
・削除通知コマンドバッファ41が満杯になった場合、または削除通知コマンドバッファ41の使用容量が所定値を上回った場合、
・ホスト3から最後にコマンドを受信してから一定時間以上経過した場合
・スタンバイ状態やアイドル状態に移行するためのコマンドをホスト3から受信した場合
・削除通知コマンドバッファを整理するためのコマンドをホスト3から受信した場合
などがあげられる。
・テーブル42〜47が満杯になった場合、またはテーブル42〜47の使用容量が所定値を上回った場合、
・ホスト3から最後にコマンドを受信してから一定時間以上経過した場合、
・スタンバイ状態やアイドル状態に移行するためのコマンドをホスト3から受信した場合、
・テーブル42〜44を整理するためのコマンドをホスト3から受信した場合、
・テーブル45〜47を整理するためのコマンドをホスト3から受信した場合(この場合については後で詳述する)
などがあげられる。
図35にデータ無効化用トラック管理テーブル42の処理手順(トラック単位データ無効化処理手順)を示す。SSDC26はテーブル42が空である時、処理を終了する。SSDC26は、テーブル42の現在行(エントリ)を管理する変数であるX1Colを1にセットする(ステップS2802)。SSDC26は、変数X1Colがテーブル42の行数を超過するまで(ステップS2810)、変数X1Colをインクリメントしながら(ステップS2809)、テーブル42の各行について以下のように該当トラックの無効化処理を行う。
図36にデータ無効化用クラスタ管理テーブル43の処理手順(クラスタ単位データ無効化処理手順)を示す。SSDC26はテーブル43が空である時、処理を終了する。SSDC26はテーブル43の現在行(エントリ)を、変数X2Colを1にセットする(ステップS2901)。SSDC26は、変数X2Colがテーブル43の行数を超過するまで(ステップS2909)、変数X2Colをインクリメントしながら(ステップS2908)、テーブル43の各行について以下のように該当クラスタの無効化処理を行う。
図37に完全消去用トラック管理テーブル45に関する処理手順(トラック単位完全消去処理手順)を示す。SSDC26はテーブル45が空である時、処理を終了する。SSDC26は、テーブル45の現在行を管理する変数であるX4Colを1にセットする(ステップS3002)。SSDC26は、変数X4Colがテーブル45の行数を超過するまで(ステップS3013)、変数X4Colをインクリメントしながら(ステップS3012)、テーブル45の各行について以下のように該当トラックの無効化処理を行う。
図38に完全消去用クラスタ管理テーブル46に関する処理手順(クラスタ単位完全消去処理手順)を示す。SSDC26はテーブル46の現在行を管理する変数であるX5Colを1にセットする(ステップS3101)。SSDC26は、変数X5Colが末尾に到達するまで(ステップS3127)、変数X5Colをインクリメントしながら(ステップS3103)、テーブル46の各行について以下のように該当クラスタの無効化処理を行う。
図40に、完全消去用セクタ管理テーブル47の処理手順(セクタ単位完全消去処理手順)を示す。SSDC26はテーブル47が空である時は(ステップS3201:Yes)、処理を終了する。SSDC26はテーブル47の現在行を管理する変数であるX6Colを1にセットする(ステップS3202)。SSDC26は、変数X6Colが末尾に到達するまで(ステップS3215)、変数X6Colをインクリメントしながら(ステップS3204)、テーブル47の各行について以下のように該当セクタの消去処理を行う。
第2の実施の形態では、削除処理Bを行うとき、ブロック消去を行うのではなく、図7に示すように、消去状態を示す閾値電圧分布Eよりも高いベリファイ電圧をブロック全体に印加することで、ブロック全体を閾値電圧分布Aまたは閾値電圧分布Bまたは閾値電圧分布Cに書き込むことで、ブロック全体を上書きしてデータを破壊するようにしてもよい。この上書き破壊の際の閾値電圧分布としては、図47に示すように、最も高い閾値電圧分布CまたはCレベルよりも高い閾値電圧分布を選択した方が、より難読性を向上させることが可能である。
OS16上において、各ファイルのプロパティの属性に、オプションとして「保護データ」という項目をつけるようにしてもよい。この「保護データ」という項目にチェックが入っているファイルを削除した場合は、削除処理B用のトリムコマンドが送信され、ここにチェックが入っていないファイルを削除した場合は削除処理A用のトリムコマンドが送信される。OS16のファイルなどユーザ独自のデータでないファイルは削除処理Bを行っても、SSD2の性能と書き込み効率が犠牲になるだけで利点が少ないので、この第3の実施形態の処理を行うことで、削除処理Bの対象ファイルを限定することができる。また、ファイルを右クリックした際に表示されるポップアップメニューに、「削除」の他に「安全な削除」のメニューを追加し、「削除」を選んだ場合は通常のデータ無効化による削除、「安全な削除」を選んだ場合は、データ消去を伴うようにOS16を設定するようにしてもよい。
Claims (16)
- ホスト装置の外部記憶装置として機能する不揮発性記憶装置であって、
リード及びライト可能な不揮発性メモリと、
ホスト装置が指定する論理アドレスと前記不揮発性メモリの物理アドレスとの対応を示す論物変換情報を管理するための論物変換テーブルと、
ホスト装置にとって無効なデータであって、前記不揮発性メモリで消去されずに保持されているデータである無効データの論物変換情報を管理する無効データ管理ログと、
ホスト装置から無効な論理アドレスのデータを完全削除する命令を受信すると、前記受信した命令に含まれる論理アドレスに対応する物理アドレスを前記無効データ管理ログから抽出し、抽出した前記不揮発性メモリ上の物理アドレスのデータを消去または上書きし、この命令に含まれる論理アドレスと物理アドレスとの対応関係を無効にするよう前記論物変換テーブルを書き換える制御部と、
を備えることを特徴とする不揮発性記憶装置。 - 前記無効データ管理ログは、使用中ブロックであるアクティブブロック中の無効データ、未使用ブロックであるフリーブロック中の無効データを含む無効データを管理することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記不揮発性メモリは、データが消去された消去状態を示す閾値電圧分布と、前記消去状態を示す閾値電圧分布よりも高い閾値電圧分布であってデータが書き込まれた書き込み状態を示す1以上の閾値電圧分布とにより1以上の数のビットのデータを記憶するメモリセルを複数配列してなり、物理アドレスを指定することによりリードおよびライトが行われ、
前記制御部は、前記消去動作において、前記消去状態を示す閾値電圧分布に対応する第1の閾値電圧に書き換えることと、前記消去状態を示す閾値電圧分布よりも高い第2の閾値電圧に書き換えることとを少なくとも1回行うことを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記不揮発性メモリは、データが消去された消去状態を示す閾値電圧分布と、前記消去状態を示す閾値電圧分布よりも高い閾値電圧分布であってデータが書き込まれた書き込み状態を示す1以上の閾値電圧分布とにより1以上の数のビットのデータを記憶するメモリセルを複数配列してなり、物理アドレスを指定することによりリードおよびライトが行われ、
前記制御部は、前記上書き動作において、前記消去状態を示す閾値電圧分布よりも高い第3の閾値電圧に書き換えることを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記第3の閾値電圧は、メモリセルの書き込み状態のうち最も高い閾値電圧分布に対応することを特徴とする請求項4に記載の不揮発性記憶装置。
- 不揮発性メモリは、データ消去の単位である物理ブロックを複数個有し、物理ブロックより小さな単位で管理される物理アドレスを指定することによりリードおよびライトが行われ、
前記制御部は、前記消去動作において、ホストから受信した命令に含まれる論理アドレスに対応する物理アドレスが属する物理ブロック中で、前記物理アドレス以外のデータを前記不揮発性メモリでバックアップした後、前記物理ブロックを消去することを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性記憶装置。 - ホスト装置と、
リード及びライト可能な不揮発性メモリと、ホスト装置が指定する論理アドレスと前記不揮発性メモリの物理アドレスとの対応を示す論物変換情報を管理するための論物変換テーブルと、ホスト装置にとって無効なデータであって、前記不揮発性メモリで消去されずに保持されているデータである無効データの論物変換情報を管理する無効データ管理ログとを有する外部記憶装置と、
を備える情報処理装置の制御方法において、
ホスト装置は、無効な論理アドレスのデータを完全削除する命令を前記外部記憶装置に送信することにより、前記命令に含まれる論理アドレスに対応する物理アドレスを前記無効データ管理ログから抽出し、抽出した前記不揮発性メモリ上の物理アドレスのデータを消去または上書きし、この命令に含まれる論理アドレスと物理アドレスとの対応関係を無効にするよう前記論物変換テーブルを書き換える処理を前記外部記憶装置に実行させることを特徴とする情報処理装置の制御方法。 - 前記ホストは、前記命令に、上書きと消去と上書きおよび消去との何れを実行するかを指定可能であることを特徴とする請求項7に記載の情報処理装置の制御方法。
- 前記命令に、上書き回数、消去回数、上書きおよび消去の繰り返し回数を指定可能であることを特徴とする請求項8に記載の情報処理装置の制御方法。
- 前記命令に、消去ベリファイの有無、ソフトプログラムの有無を指定可能であることを特徴とする請求項8に記載の情報処理装置の制御方法。
- ホスト装置と、リード及びライト可能な不揮発性メモリを備える情報処理装置において、
情報処理装置は、
無効な論理アドレスのデータを完全削除する命令を前記不揮発性メモリに送信する第1の制御部を備え、
前記不揮発性メモリは、
ホスト装置が指定する論理アドレスと前記不揮発性メモリの物理アドレスとの対応を示す論物変換情報を管理するための論物変換テーブルと、
ホスト装置にとって無効なデータであって、前記不揮発性メモリで消去されずに保持されているデータである無効データの論物変換情報を管理する無効データ管理ログと、
前記命令をホスト装置から受信すると、前記受信した命令に含まれる論理アドレスに対応する物理アドレスを前記無効データ管理ログから抽出し、抽出した前記不揮発性メモリ上の物理アドレスのデータを消去または上書きし、この命令に含まれる論理アドレスと物理アドレスとの対応関係を無効にするよう前記論物変換テーブルを書き換える第2の制御部と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。 - 前記無効データ管理ログは、使用中ブロックであるアクティブブロック中の無効データ、未使用ブロックであるフリーブロック中の無効データを含む無効データを管理することを特徴とする請求項11に記載の情報処理装置。
- 前記不揮発性メモリは、データが消去された消去状態を示す閾値電圧分布と、前記消去状態を示す閾値電圧分布よりも高い閾値電圧分布であってデータが書き込まれた書き込み状態を示す1以上の閾値電圧分布とにより1以上の数のビットのデータを記憶するメモリセルを複数配列してなり、物理アドレスを指定することによりリードおよびライトが行われ、
前記第2の制御部は、前記消去動作において、前記消去状態を示す閾値電圧分布に対応する第1の閾値電圧に書き換えることと、前記消去状態を示す閾値電圧分布よりも高い第2の閾値電圧に書き換えることとを少なくとも1回行うことを特徴とする請求項11または12に記載の情報処理装置。 - 前記不揮発性メモリは、データが消去された消去状態を示す閾値電圧分布と、前記消去状態を示す閾値電圧分布よりも高い閾値電圧分布であってデータが書き込まれた書き込み状態を示す1以上の閾値電圧分布とにより1以上の数のビットのデータを記憶するメモリセルを複数配列してなり、物理アドレスを指定することによりリードおよびライトが行われ、
前記第2の制御部は、前記上書き動作において、前記消去状態を示す閾値電圧分布よりも高い第3の閾値電圧に書き換えることを特徴とする請求項11または12に記載の情報処理装置。 - 前記第3の閾値電圧は、メモリセルの書き込み状態のうち最も高い閾値電圧分布に対応することを特徴とする請求項14に記載の情報処理装置。
- 不揮発性メモリは、データ消去の単位である物理ブロックを複数個有し、物理ブロックより小さな単位で管理される物理アドレスを指定することによりリードおよびライトが行われ、
前記第2の制御部は、前記消去動作において、ホストから受信した命令に含まれる論理アドレスに対応する物理アドレスが属する物理ブロック中で、前記物理アドレス以外のデータを前記不揮発性メモリでバックアップした後、前記物理ブロックを消去することを特徴とする請求項11または12に記載の情報処理装置。
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