JP2013187338A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】マークが設けられている部分における導電層の崩落を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、複数の導電層と、複数の絶縁層と、がそれぞれ交互に積層された積層体を有する半導体装置であって、前記積層体の表面に開口したマークと、前記マークの周辺に設けられ、前記積層体の積層方向に延びる支持部と、を備えている。そして、前記支持部は、少なくとも前記複数の導電層と接し、前記マークを囲むように設けられている。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、複数の導電層と、複数の絶縁層と、がそれぞれ交互に積層された積層体を有する半導体装置であって、前記積層体の表面に開口したマークと、前記マークの周辺に設けられ、前記積層体の積層方向に延びる支持部と、を備えている。そして、前記支持部は、少なくとも前記複数の導電層と接し、前記マークを囲むように設けられている。
【選択図】図1
Description
後述する実施形態は、概ね、半導体装置及びその製造方法に関する。
複数の導電層と複数の絶縁層とをそれぞれ交互に積層した積層体を有する半導体装置がある。
この様な積層体を有する半導体装置としては、例えば、3次元積層メモリがある。
3次元積層メモリの製造方法においては、積層体を積層方向に貫通する貫通孔を形成する必要があるが、複数の導電層と複数の絶縁層とがそれぞれ交互に積層しているためエッチングによる貫通孔の形成が困難となる。そのため、複数の導電層と複数の犠牲層とをそれぞれ交互に積層し、これを積層方向に貫通する貫通孔を形成し、貫通孔を介して犠牲層を除去した後、貫通孔を介して犠牲層が除去された部分に絶縁層を形成するという置換プロセスが用いられている。
ここで、アライメントマークや検査マーク(合わせ計測マーク)などのリソグラフィマークが積層体に設けられる。また、フォトマスクの検査用のマークが積層体に転写される場合もある。
この場合、置換プロセスにより犠牲層が除去されると、この様なマークが設けられている部分においては導電層を支えるものがなく、積層された導電層が部分的に崩落するおそれがある。
この様な積層体を有する半導体装置としては、例えば、3次元積層メモリがある。
3次元積層メモリの製造方法においては、積層体を積層方向に貫通する貫通孔を形成する必要があるが、複数の導電層と複数の絶縁層とがそれぞれ交互に積層しているためエッチングによる貫通孔の形成が困難となる。そのため、複数の導電層と複数の犠牲層とをそれぞれ交互に積層し、これを積層方向に貫通する貫通孔を形成し、貫通孔を介して犠牲層を除去した後、貫通孔を介して犠牲層が除去された部分に絶縁層を形成するという置換プロセスが用いられている。
ここで、アライメントマークや検査マーク(合わせ計測マーク)などのリソグラフィマークが積層体に設けられる。また、フォトマスクの検査用のマークが積層体に転写される場合もある。
この場合、置換プロセスにより犠牲層が除去されると、この様なマークが設けられている部分においては導電層を支えるものがなく、積層された導電層が部分的に崩落するおそれがある。
本発明が解決しようとする課題は、マークが設けられている部分における導電層の崩落を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
実施形態に係る半導体装置は、複数の導電層と、複数の絶縁層と、がそれぞれ交互に積層された積層体を有する半導体装置であって、前記積層体の表面に開口したマークと、前記マークの周辺に設けられ、前記積層体の積層方向に延びる支持部と、を備えている。そして、前記支持部は、少なくとも前記複数の導電層と接し、前記マークを囲むように設けられている。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、以下においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を導入する。この座標系においては、基板10の主面に対して平行な方向であって相互に直交する2方向をX方向及びY方向とし、これらX方向及びY方向の双方に対して直交する方向をZ方向とする。
また、以下の実施形態では半導体としてシリコンを例示するが、シリコン以外の半導体を用いてもよい。
また、以下においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を導入する。この座標系においては、基板10の主面に対して平行な方向であって相互に直交する2方向をX方向及びY方向とし、これらX方向及びY方向の双方に対して直交する方向をZ方向とする。
また、以下の実施形態では半導体としてシリコンを例示するが、シリコン以外の半導体を用いてもよい。
[第1の実施形態]
まず、第1の実施形態に係る半導体装置1について例示する。
なお、半導体装置1には、導電層を上層配線と接続するためのコンタクト電極が設けられるコンタクト領域、素子領域1aに設けられる半導体素子(メモリセル)を駆動するための周辺回路が設けられる周辺回路領域、上層配線などが設けられるが、これらには既知の技術を適用することができるので説明を省略する。
そのためここでは、半導体素子が設けられる素子領域1aの構成について例示する。
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置1に設けられる素子領域1aの構成を例示するための模式斜視図である。
図1は、一例として、素子領域1aに設けられるメモリセルアレイの構成を例示するものである。
なお、図1においては、図を見易くするために、メモリホール内に形成された絶縁膜以外の絶縁部分については図示を省略している。
まず、第1の実施形態に係る半導体装置1について例示する。
なお、半導体装置1には、導電層を上層配線と接続するためのコンタクト電極が設けられるコンタクト領域、素子領域1aに設けられる半導体素子(メモリセル)を駆動するための周辺回路が設けられる周辺回路領域、上層配線などが設けられるが、これらには既知の技術を適用することができるので説明を省略する。
そのためここでは、半導体素子が設けられる素子領域1aの構成について例示する。
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置1に設けられる素子領域1aの構成を例示するための模式斜視図である。
図1は、一例として、素子領域1aに設けられるメモリセルアレイの構成を例示するものである。
なお、図1においては、図を見易くするために、メモリホール内に形成された絶縁膜以外の絶縁部分については図示を省略している。
図1に示すように、基板10上には図示しない絶縁層を介してバックゲートBGが設けられている。バックゲートBGは、例えば、不純物が添加され導電性を有するシリコン層である。バックゲートBG上には、複数の導電層WL1〜WL4と、図示しない絶縁層とが交互に積層されている。導電層WL1〜WL4の層数は任意であり、本実施形態においては、例えば、4層の場合を例示する。導電層WL1〜WL4は、例えば、不純物が添加され導電性を有するシリコン層である。
導電層WL1〜WL4は、X方向に延びる溝ST3によって複数のブロックに分断されている。あるブロックにおける最上層の導電層WL1上には図示しない絶縁層を介してドレイン側選択ゲートDSGが設けられている。ドレイン側選択ゲートDSGは、例えば、不純物が添加され導電性を有するシリコン層である。そのブロックに隣接する別のブロックにおける最上層の導電層WL1上には図示しない絶縁層を介してソース側選択ゲートSSGが設けられている。ソース側選択ゲートSSGは、例えば、不純物が添加され導電性を有するシリコン層である。
ソース側選択ゲートSSG上には図示しない絶縁層を介してソース線SLが設けられている。ソース線SLは、例えば、不純物が添加され導電性を有するシリコン層である。あるいは、ソース線SLは金属材料を用いたものとしてもよい。ソース線SL及びドレイン側選択ゲートDSG上には、図示しない絶縁層を介して複数のビット線BLが設けられている。各ビット線BLは、Y方向に延びている。
基板10上の前述した積層体には、U字状のメモリホールが複数形成されている。ドレイン側選択ゲートDSGを含むブロックには、ドレイン側選択ゲートDSG及びその下の導電層WL1〜WL4を貫通しZ方向に延びるメモリホールが形成されている。そして、ソース側選択ゲートSSGを含むブロックには、ソース側選択ゲートSSG及びその下の導電層WL1〜WL4を貫通しZ方向に延びるメモリホールが形成されている。それら両メモリホールは、バックゲートBG内に形成されY方向に延びるメモリホールを介してつながっている。
メモリホールの内部には、U字状の半導体層としてシリコンボディ20が設けられている。ドレイン側選択ゲートDSGとシリコンボディ20との間のメモリホールの内壁には、ゲート絶縁膜35が形成されている。ソース側選択ゲートSSGとシリコンボディ20との間のメモリホールの内壁には、ゲート絶縁膜36が形成されている。各導電層WL1〜WL4とシリコンボディ20との間のメモリホールの内壁には、絶縁膜30が形成されている。バックゲートBGとシリコンボディ20との間のメモリホールの内壁にも、絶縁膜30が形成されている。
絶縁膜30、ゲート絶縁膜35、ゲート絶縁膜36は、例えば、一対のシリコン酸化膜でシリコン窒化膜を挟んだONO(Oxide-Nitride-Oxide)構造を有する。
絶縁膜30、ゲート絶縁膜35、ゲート絶縁膜36は、例えば、一対のシリコン酸化膜でシリコン窒化膜を挟んだONO(Oxide-Nitride-Oxide)構造を有する。
図2は、メモリセル部分の断面を例示するための模式図である。
なお、図2においては、図1において省略したバックゲートBGと導電層WL4との間の絶縁層24を表している。また、導電層WL1と、ドレイン側選択ゲートおよびDSGソース側選択ゲートSSGとの間の絶縁層25も表している。絶縁層24、絶縁層25は、例えば、シリコン酸化膜からなる。
なお、図2においては、図1において省略したバックゲートBGと導電層WL4との間の絶縁層24を表している。また、導電層WL1と、ドレイン側選択ゲートおよびDSGソース側選択ゲートSSGとの間の絶縁層25も表している。絶縁層24、絶縁層25は、例えば、シリコン酸化膜からなる。
導電層WL1〜WL4とシリコンボディ20との間には、導電層WL1〜WL4側から順に第1の絶縁膜31、電荷蓄積層32及び第2の絶縁膜33が設けられている。第1の絶縁膜31は導電層WL1〜WL4に接し、第2の絶縁膜33はシリコンボディ20に接し、第1の絶縁膜31と第2の絶縁膜33との間に電荷蓄積層32が設けられている。
シリコンボディ20はチャネルとして機能し、導電層WL1〜WL4はコントロールゲートとして機能し、電荷蓄積層32はシリコンボディ20から注入される電荷を蓄積するデータ記憶層として機能する。すなわち、シリコンボディ20と各導電層WL1〜WL4との交差部分に、チャネルの周囲をコントロールゲートが囲んだ構造のメモリセルが形成されている。
半導体装置1は、データの消去・書き込みを電気的に自由に行うことができ、電源を切っても記憶内容を保持することができる不揮発性半導体記憶装置である。例えば、メモリセルはチャージトラップ構造のメモリセルである。電荷蓄積層32は、電荷(電子)を閉じこめるトラップを多数有し、例えば、シリコン窒化膜からなる。第2の絶縁膜33は、例えば、シリコン酸化膜からなり、電荷蓄積層32にシリコンボディ20から電荷が注入される際、または電荷蓄積層32に蓄積された電荷がシリコンボディ20へ拡散する際に電位障壁となる。第1の絶縁膜31は、例えば、シリコン酸化膜からなり、電荷蓄積層32に蓄積された電荷が、導電層WL1〜WL4へ拡散するのを防止する。
導電層WL1〜WL4同士の間に設けられる絶縁層30aは、ONO構造を有する絶縁膜30が対向し、2層になったものである。
また、Y方向において導電層WL1〜WL4を分断する溝ST3の内部には、支持部65が設けられている。支持部65は、例えば、シリコン窒化膜からなる。なお、支持部65の形成などについては後述する。
また、Y方向において導電層WL1〜WL4を分断する溝ST3の内部には、支持部65が設けられている。支持部65は、例えば、シリコン窒化膜からなる。なお、支持部65の形成などについては後述する。
再び図1を参照すると、ドレイン側選択ゲートDSGを貫通するシリコンボディ20とドレイン側選択ゲートDSGとの間にはゲート絶縁膜35が設けられ、これらはドレイン側選択トランジスタDSTを構成する。シリコンボディ20におけるドレイン側選択ゲートDSGより上方に突出する上端部は、対応する各ビット線BLに接続されている。
ソース側選択ゲートSSGを貫通するシリコンボディ20とソース側選択ゲートSSGとの間にはゲート絶縁膜36が設けられ、これらはソース側選択トランジスタSSTを構成する。シリコンボディ20におけるソース側選択ゲートSSGより上方に突出する上端部は、ソース線SLに接続されている。
バックゲートBG、このバックゲートBG内に設けられたシリコンボディ20及びバックゲートBGとシリコンボディ20との間の絶縁膜30は、バックゲートトランジスタBGTを構成する。
バックゲートBG、このバックゲートBG内に設けられたシリコンボディ20及びバックゲートBGとシリコンボディ20との間の絶縁膜30は、バックゲートトランジスタBGTを構成する。
ドレイン側選択トランジスタDSTとバックゲートトランジスタBGTとの間には、導電層WL1をコントロールゲートとするメモリセルMC1と、導電層WL2をコントロールゲートとするメモリセルMC2と、導電層WL3をコントロールゲートとするメモリセルMC3と、導電層WL4をコントロールゲートとするメモリセルMC4が設けられている。
バックゲートトランジスタBGTとソース側選択トランジスタSSTの間には、導電層WL4をコントロールゲートとするメモリセルMC5と、導電層WL3をコントロールゲートとするメモリセルMC6と、導電層WL2をコントロールゲートとするメモリセルMC7と、導電層WL1をコントロールゲートとするメモリセルMC8が設けられている。
ドレイン側選択トランジスタDST、メモリセルMC1〜MC4、バックゲートトランジスタBGT、メモリセルMC5〜MC8およびソース側選択トランジスタSSTは、直列接続され、1つのメモリストリングを構成する。このようなメモリストリングがX方向及びY方向に複数配列されていることにより、複数のメモリセルMC1〜MC8がX方向、Y方向及びZ方向に3次元的に設けられている。
ここで、複数の導電層WL1〜WL4と、絶縁層30aとが交互に積層された積層体には、アライメントマークや検査マークなどのリソグラフィマークが設けられている。また、複数の導電層WL1〜WL4と、絶縁層30aとが交互に積層された積層体には、フォトマスクの検査用のマークが転写される場合もある。以下、リソグラフィマークと、フォトマスクの検査用のマークとを単にマークと称する。
この場合、後述する置換プロセスにより犠牲層60が除去されると、マークが設けられている部分においては導電層WL1〜WL4を支えるものがなくなる。そのため、積層された導電層WL1〜WL4が部分的に崩落するおそれがある。
この場合、後述する置換プロセスにより犠牲層60が除去されると、マークが設けられている部分においては導電層WL1〜WL4を支えるものがなくなる。そのため、積層された導電層WL1〜WL4が部分的に崩落するおそれがある。
積層された導電層WL1〜WL4の崩落を抑制するために、マークの内壁に露出した犠牲層60の端部にホウ素(B)などの不純物を添加して、犠牲層60の端部が除去されないようにすることもできる。しかしながら、アスペクト比の高いマークの場合には、マークの下部に不純物を添加することが難しい。そのため、不純物の添加量が不充分となり、積層された導電層WL1〜WL4の崩落を抑制することができなくなるおそれがある。
そこで、本実施形態に係る半導体装置1においては、積層体の表面に開口したマークの周辺に設けられ、積層体の積層方向に延びる支持部を設けるようにしている。
図3〜図5は、マーク70a〜70cの周辺に設けられる支持部50a〜50cを例示するための模式図である。
なお、図3(b)は図3(a)におけるA−A矢視断面を表し、図4(b)は図4(a)におけるB−B矢視断面を表し、図5(b)は図5(a)におけるC−C矢視断面を表している。
また、図3〜図5は、一例として、マークを形成する領域(マーク形成領域1c)に設けられるマーク70a〜70cと支持部50a〜50cとを例示するものである。
なお、マーク形成領域1cとは、図7〜図13において例示をするように、例えば、素子領域1aやコンタクト領域1bに隣接し、スクライブラインなどとなる領域である。
図3〜図5は、マーク70a〜70cの周辺に設けられる支持部50a〜50cを例示するための模式図である。
なお、図3(b)は図3(a)におけるA−A矢視断面を表し、図4(b)は図4(a)におけるB−B矢視断面を表し、図5(b)は図5(a)におけるC−C矢視断面を表している。
また、図3〜図5は、一例として、マークを形成する領域(マーク形成領域1c)に設けられるマーク70a〜70cと支持部50a〜50cとを例示するものである。
なお、マーク形成領域1cとは、図7〜図13において例示をするように、例えば、素子領域1aやコンタクト領域1bに隣接し、スクライブラインなどとなる領域である。
図3に示すマーク70aは、アライメントマークを例示するものである。
図4に示すマーク70bは、検査マークを例示するものである。
図5に示すマーク70cは、フォトマスクの検査用のマークを例示するものである。
また、導電層WL1〜WL4同士の間に設けられている絶縁層60aは、除去が行われずに残された犠牲層60である。なお、絶縁層60aの形成については後述する。
図4に示すマーク70bは、検査マークを例示するものである。
図5に示すマーク70cは、フォトマスクの検査用のマークを例示するものである。
また、導電層WL1〜WL4同士の間に設けられている絶縁層60aは、除去が行われずに残された犠牲層60である。なお、絶縁層60aの形成については後述する。
図3〜図5に示すように、積層体の表面に開口したマーク70a〜70cの周辺に、マーク70a〜70cを囲むようにして枠状の支持部50a〜50cを設けることができる。
支持部50a〜50cは、最上層の導電層WL1の上面から、最下層の導電層WL4の下面までの間を積層方向(Z方向)に延びるようにして設けられている。
すなわち、積層された導電層WL1〜WL4の崩落を抑制するために、支持部50a〜50cは少なくとも導電層WL1〜WL4と接している。
支持部50a〜50cは、最上層の導電層WL1の上面から、最下層の導電層WL4の下面までの間を積層方向(Z方向)に延びるようにして設けられている。
すなわち、積層された導電層WL1〜WL4の崩落を抑制するために、支持部50a〜50cは少なくとも導電層WL1〜WL4と接している。
支持部50a〜50cの材料には特に限定はないが、後述する置換プロセスにおいて除去されにくい材料から形成することが好ましい。すなわち、犠牲層60の材料のエッチングレートよりも低いエッチングレートを有する材料を用いて、支持部50a〜50cを形成することが好ましい。例えば、犠牲層60を不純物が添加されていないシリコンから形成し、支持部50a〜50cをシリコン窒化物から形成することができる。
また、マーク70a、70bは、CCD(Charge Coupled Device)カメラなどの撮像装置により撮像され、撮像された画像データに基づいて所定の処理が行われる。そのため、支持部50a〜50cが撮像装置により撮像されないようにすることが好ましい。例えば、支持部50a〜50cの幅寸法Wを撮像装置の解像検出限界以下とすれば、支持部50a〜50cが撮像装置により撮像されないようにすることができる。この場合、撮像装置によりマーク70a〜70cが撮像され、支持部50a〜50cが撮像されないようにするためには、支持部50a〜50cの幅寸法Wを100nm以下とすることが好ましい。
なお、画像処理を行うことで、支持部50a〜50cの画像データを除去するようにすることもできる。例えば、支持部50a〜50cと同形状のパターンを予め撮像しておき、マーク70a〜70cと支持部50a〜50cの画像データから支持部50a〜50cと同形状のパターンの画像データを差し引くようにすることもできる。
なお、画像処理を行うことで、支持部50a〜50cの画像データを除去するようにすることもできる。例えば、支持部50a〜50cと同形状のパターンを予め撮像しておき、マーク70a〜70cと支持部50a〜50cの画像データから支持部50a〜50cと同形状のパターンの画像データを差し引くようにすることもできる。
ここで、後述する置換プロセスにおいては、導電層WL1〜WL4同士の間に設けられた犠牲層60が除去され、犠牲層60が除去された部分に絶縁層30aが形成される。
マーク70a〜70cの部分においては、マーク70a〜70cの内壁側から犠牲層60が除去され、犠牲層60が除去された部分に絶縁層30aが形成される。そのため、マーク70a〜70cの内壁側から犠牲層60が除去された際に、積層された導電層WL1〜WL4を支えるものがないと、積層された導電層WL1〜WL4が部分的に崩落するおそれがある。
マーク70a〜70cの部分においては、マーク70a〜70cの内壁側から犠牲層60が除去され、犠牲層60が除去された部分に絶縁層30aが形成される。そのため、マーク70a〜70cの内壁側から犠牲層60が除去された際に、積層された導電層WL1〜WL4を支えるものがないと、積層された導電層WL1〜WL4が部分的に崩落するおそれがある。
本実施形態においては、マーク70a〜70cの周辺に、積層体の積層方向に延びる支持部50a〜50cを設けているので、マーク70a〜70cの内壁側から犠牲層60が除去されたとしても、積層された導電層WL1〜WL4を支えることができる。
また、支持部50a〜50cは、マーク70a〜70cを囲むようにして設けられているので、支持部50a〜50cの外側にある犠牲層60が除去されることを防止することができる。そのため、積層された導電層WL1〜WL4の崩落をより確実に抑制することができる。
また、支持部50a〜50cの幅寸法Wを100nm以下とすれば、撮像装置により撮像されないようにすることができる。
また、支持部50a〜50cは、マーク70a〜70cを囲むようにして設けられているので、支持部50a〜50cの外側にある犠牲層60が除去されることを防止することができる。そのため、積層された導電層WL1〜WL4の崩落をより確実に抑制することができる。
また、支持部50a〜50cの幅寸法Wを100nm以下とすれば、撮像装置により撮像されないようにすることができる。
図6は、他の実施形態に係る支持部50dを例示するための模式図である。
図6(a)はアライメントマークであるマーク70aに対して支持部50dを設ける場合、図6(b)は検査マークであるマーク70bに対して支持部50dを設ける場合、図6(c)はフォトマスクの検査用のマークであるマーク70cに対して支持部50dを設ける場合である。
図6(a)はアライメントマークであるマーク70aに対して支持部50dを設ける場合、図6(b)は検査マークであるマーク70bに対して支持部50dを設ける場合、図6(c)はフォトマスクの検査用のマークであるマーク70cに対して支持部50dを設ける場合である。
図6(a)〜(c)に示すように、ドット状の支持部50dを設けるようにすることができる。支持部50dの数には特に限定がなく、マーク70a〜70cの周辺に少なくとも1つ以上の支持部50dが設けられていれば、積層された導電層WL1〜WL4の崩落を抑制することができる。
ただし、マーク70a〜70cの周辺に、マーク70a〜70cを囲むようにしてドット状の支持部50dを複数設けるようにすれば、積層された導電層WL1〜WL4の崩落をより確実に抑制することができる。
この場合、図6(a)〜(c)に示すように複数の支持部50dを規則的に配置することもできるし、複数の支持部50dを任意の位置に配置することもできる。
この場合、図6(a)〜(c)に示すように複数の支持部50dを規則的に配置することもできるし、複数の支持部50dを任意の位置に配置することもできる。
支持部50dは、支持部50a〜50cと同様に、最上層の導電層WL1の上面から、最下層の導電層WL4の下面までの間を積層方向(Z方向)に延びるようにして設けられている。
支持部50dの材料は、前述した支持部50a〜50cの材料と同様とすることができる。
支持部50dの材料は、前述した支持部50a〜50cの材料と同様とすることができる。
また、支持部50a〜50cの場合と同様に支持部50dの幅寸法Wを100nm以下とすることが好ましい。その様にすれば、支持部50dが撮像装置により撮像されないようにすることができる。また、支持部50a〜50cの場合と同様に画像処理を行うことで、支持部50dの画像データを除去するようにすることもできる。
積層体の積層方向に延びるドット状の支持部50dを設けるようにすれば、積層された導電層WL1〜WL4を支えることができる。そのため、積層された導電層WL1〜WL4の崩落を抑制することができる。
ドット状の支持部50dは、前述した枠状の支持部50a〜50cと比べて、積層された導電層WL1〜WL4を支える効果は低いものの、撮像装置に撮像され難くする効果は高くすることができる。
そのため、マークの形状、寸法、配設位置などに応じて、枠状の支持部50a〜50cとドット状の支持部50dとを使い分けることができる。
ドット状の支持部50dは、前述した枠状の支持部50a〜50cと比べて、積層された導電層WL1〜WL4を支える効果は低いものの、撮像装置に撮像され難くする効果は高くすることができる。
そのため、マークの形状、寸法、配設位置などに応じて、枠状の支持部50a〜50cとドット状の支持部50dとを使い分けることができる。
以上は、素子領域1aに設けられるマーク70a〜70cと支持部50a〜50dの場合であるが、半導体装置1の他の領域(例えば、コンタクト領域、周辺回路領域など)に設けられるマークと支持部についても同様とすることができる。
また、マークと支持部の形状、配設位置などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、マークと支持部の形状、配設位置などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
[第2の実施形態]
次に、第2の実施形態に係る半導体装置1の製造方法について例示する。
まず、コンタクト領域1bに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70の形成について例示する。
コンタクト領域1bは、導電層WLを上層配線と接続するためのコンタクト電極が設けられる領域である。
マーク形成領域1cは、例えば、コンタクト領域1bに隣接し、スクライブラインなどとなる領域である。
図7〜図9は、コンタクト領域1bに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70の形成について例示するための模式工程断面図である。
次に、第2の実施形態に係る半導体装置1の製造方法について例示する。
まず、コンタクト領域1bに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70の形成について例示する。
コンタクト領域1bは、導電層WLを上層配線と接続するためのコンタクト電極が設けられる領域である。
マーク形成領域1cは、例えば、コンタクト領域1bに隣接し、スクライブラインなどとなる領域である。
図7〜図9は、コンタクト領域1bに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70の形成について例示するための模式工程断面図である。
まず、図7(a)に示すように、基板10上に絶縁層26を形成し、絶縁層26上にバックゲートBGを形成する。
絶縁層26とバックゲートBGの形成は、例えば、CVD(chemical vapor deposition)法などを用いて行うことができる。この場合、絶縁層26は、例えば、シリコン酸化物から形成することができる。バックゲートBGは、例えば、ホウ素などの不純物が添加され導電性を有するシリコンから形成することができる。
絶縁層26とバックゲートBGの形成は、例えば、CVD(chemical vapor deposition)法などを用いて行うことができる。この場合、絶縁層26は、例えば、シリコン酸化物から形成することができる。バックゲートBGは、例えば、ホウ素などの不純物が添加され導電性を有するシリコンから形成することができる。
次に、図7(b)に示すように、バックゲートBG上に絶縁層24を形成し、絶縁層24上に導電層WLと犠牲層60とを交互に複数積層して積層体64を形成する。導電層WLの積層数には特に限定はないが、図7(a)においては導電層WLが11層積層されている。
なお、絶縁層24、積層体64の形成は、素子領域1a、コンタクト領域1b、マーク形成領域1cにおいて併せて行うことができる。
なお、絶縁層24、積層体64の形成は、素子領域1a、コンタクト領域1b、マーク形成領域1cにおいて併せて行うことができる。
絶縁層24と導電層WLと犠牲層60の形成は、例えば、CVD法などを用いて行うことができる。この場合、絶縁層24は、例えば、シリコン酸化物から形成することができる。導電層WLは、例えば、ホウ素などの不純物が添加され導電性を有するシリコンから形成することができる。犠牲層60は、例えば、不純物が添加されていないシリコンから形成することができる。
次に、図8(a)に示すように、マーク形成領域1cの所定の位置に積層体の積層方向に延びる支持部50を形成する。また、コンタクト領域1bの所定の位置に積層体の積層方向に延びる支持部55を形成する。
例えば、最上層の導電層WLの上面から、最下層の導電層WLの下面までの間を積層方向(Z方向)に延びる溝ST1、ST2を形成し、溝ST1、ST2の内部に所定の材料からなる膜を形成し、溝ST1、ST2の内部以外に形成された膜をエッチバックして除去することで支持部50、支持部55を形成する。
例えば、最上層の導電層WLの上面から、最下層の導電層WLの下面までの間を積層方向(Z方向)に延びる溝ST1、ST2を形成し、溝ST1、ST2の内部に所定の材料からなる膜を形成し、溝ST1、ST2の内部以外に形成された膜をエッチバックして除去することで支持部50、支持部55を形成する。
この場合、支持部50を、マーク70となる孔71が形成される部分を囲むように設けることができる。
その後、積層体64の上に絶縁層25を形成する。
溝ST1、ST2の形成は、例えば、フォトリソグラフィ法とRIE(Reactive Ion Etching)法とを用いて行うことができる。
支持部50、支持部55、絶縁層25の形成は、例えば、CVD法などを用いて行うことができる。
その後、積層体64の上に絶縁層25を形成する。
溝ST1、ST2の形成は、例えば、フォトリソグラフィ法とRIE(Reactive Ion Etching)法とを用いて行うことができる。
支持部50、支持部55、絶縁層25の形成は、例えば、CVD法などを用いて行うことができる。
支持部50はマーク70の周辺の導電層WLを支えるために設けられるものであり、支持部55はコンタクト電極が設けられる部分の導電層WLを支えるために設けられるものである。
支持部50を形成するための溝ST1は、マーク70を形成する部分の周辺に形成する。例えば、前述した支持部50a〜50dを形成するための溝ST1をマーク70a〜70cが形成される部分の周辺に形成する。
支持部50を形成するための溝ST1は、マーク70を形成する部分の周辺に形成する。例えば、前述した支持部50a〜50dを形成するための溝ST1をマーク70a〜70cが形成される部分の周辺に形成する。
支持部55を形成するための溝ST2の形成位置には特に限定がなく、後述する置換プロセスを行う際に積層された導電層WLの崩落を抑制することができる位置に形成すればよい。また、溝ST2の形状にも特に限定がなく適宜設定することができる。例えば、溝ST2の形状を平坦な膜状などとすることができる。
支持部50、支持部55の材料には特に限定がないが、後述する置換プロセスにおいて除去されにくい材料から形成することが好ましい。すなわち、犠牲層60の材料のエッチングレートよりも低いエッチングレートを有する材料を用いて、支持部50、支持部55を形成することが好ましい。例えば、犠牲層60を不純物が添加されていないシリコンから形成し、支持部50、支持部55をシリコン窒化物から形成することができる。
支持部50、支持部55の幅寸法Wは、100nm以下とすることが好ましい。その様にすれば、支持部50、支持部55が撮像装置により撮像されないようにすることができる。
絶縁層25は、例えば、シリコン酸化物から形成することができる。
絶縁層25は、例えば、シリコン酸化物から形成することができる。
次に、図8(b)に示すように、支持部50の周辺に積層体64の表面に開口するマーク70となる孔71(第2の孔の一例に相当する)を形成する。また、所定の位置に、積層体64を積層方向に貫通する孔72(第1の孔の一例に相当する)を形成する。
孔71、72の形成は、例えば、フォトリソグラフィ法とRIE法とを用いて行うことができる。
孔71は、マーク70を形成するためのものであり、孔72は置換プロセスを行う際に用いるためのものである。
孔71、72の形成は、例えば、フォトリソグラフィ法とRIE法とを用いて行うことができる。
孔71は、マーク70を形成するためのものであり、孔72は置換プロセスを行う際に用いるためのものである。
次に、図9に示すように、置換プロセスを行う。
置換プロセスにおいては、まず、図9(a)に示すように、孔72を介して犠牲層60を除去する。この際、支持部55により積層された導電層WLを支えることができるので、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
また、孔71の内壁側から犠牲層60が除去されるが、支持部50により積層された導電層WLを支えることができるので、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
犠牲層60の除去には、例えば、コリン水溶液(TMY)などを用いたウェットエッチング法などを用いることができる。
なお、犠牲層60は必要な部分のみ除去するようにすることができる。そのため、除去されなかった部分が絶縁層60aとなる。
置換プロセスにおいては、まず、図9(a)に示すように、孔72を介して犠牲層60を除去する。この際、支持部55により積層された導電層WLを支えることができるので、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
また、孔71の内壁側から犠牲層60が除去されるが、支持部50により積層された導電層WLを支えることができるので、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
犠牲層60の除去には、例えば、コリン水溶液(TMY)などを用いたウェットエッチング法などを用いることができる。
なお、犠牲層60は必要な部分のみ除去するようにすることができる。そのため、除去されなかった部分が絶縁層60aとなる。
次に、図9(b)に示すように、孔72を介して、導電層WL同士の間に絶縁層27を形成する。
この際、絶縁膜25の上、孔71の内壁、孔72の内部などにも絶縁層27が形成される。
また、孔71の内壁に絶縁層27が形成されることで、積層体の表面に開口するマーク70が形成される。
この際、絶縁膜25の上、孔71の内壁、孔72の内部などにも絶縁層27が形成される。
また、孔71の内壁に絶縁層27が形成されることで、積層体の表面に開口するマーク70が形成される。
絶縁層27の形成には、例えば、原子層堆積法(ALD(Atomic Layer Deposition)法)などを用いることができる。
絶縁層27は、例えば、シリコン酸化物から形成することができる。絶縁層25と絶縁層27とがシリコン酸化物から形成される場合には、絶縁層25と絶縁層27とが一体化される。
絶縁層27は、例えば、シリコン酸化物から形成することができる。絶縁層25と絶縁層27とがシリコン酸化物から形成される場合には、絶縁層25と絶縁層27とが一体化される。
その後、コンタクト領域1bにおいて、積層体の積層方向に延び、それぞれが対応する導電層WL、バックゲートBGに達する図示しないコンタクト電極を形成する。
以上のようにして、コンタクト領域1bに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70を形成することができる。
以上のようにして、コンタクト領域1bに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70を形成することができる。
次に、素子領域1aに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70の形成について例示する。
図10〜図13は、素子領域1aに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70の形成について例示するための模式工程断面図である。
素子領域1aは、半導体素子が設けられる領域である。
マーク形成領域1cは、例えば、素子領域1aに隣接し、スクライブラインなどとなる領域である。
図10〜図13は、素子領域1aに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70の形成について例示するための模式工程断面図である。
素子領域1aは、半導体素子が設けられる領域である。
マーク形成領域1cは、例えば、素子領域1aに隣接し、スクライブラインなどとなる領域である。
まず、図10(a)に示すように、基板10上に絶縁層26を形成し、絶縁層26上にバックゲートBGを形成する。
なお、絶縁層26、バックゲートBGの形成は、図7(a)に例示をしたコンタクト領域1b、マーク形成領域1cにおける絶縁層26、バックゲートBGの形成と併せて行う。
なお、絶縁層26、バックゲートBGの形成は、図7(a)に例示をしたコンタクト領域1b、マーク形成領域1cにおける絶縁層26、バックゲートBGの形成と併せて行う。
次に、図10(b)に示すように、素子領域1aにおいて、バックゲートBGに、フォトリソグラフィ法とRIE法を用いて、溝34を形成する。溝34の位置は、U字状のメモリホールのうち、バックゲートBG内に形成されY方向に延びる部分に対応している。
続いて、溝34内に絶縁層28を形成し、溝34内に絶縁層28を介して犠牲層29を形成する。犠牲層29は、例えば、不純物が添加されていないシリコンから形成することができる。犠牲層29の余剰部分については、エッチバックにより取り除き、隣り合う犠牲層29の間のバックゲートBGの表面を露出させる。
続いて、犠牲層29とバックゲートBGの上に絶縁層24を形成する。
絶縁層24、絶縁層28、犠牲層29の形成は、例えば、CVD法を用いて行うことができる。
なお、絶縁層24の形成は、素子領域1a、コンタクト領域1b、マーク形成領域1cとにおいて併せて行うことができる。
続いて、犠牲層29とバックゲートBGの上に絶縁層24を形成する。
絶縁層24、絶縁層28、犠牲層29の形成は、例えば、CVD法を用いて行うことができる。
なお、絶縁層24の形成は、素子領域1a、コンタクト領域1b、マーク形成領域1cとにおいて併せて行うことができる。
次に、図11(a)に示すように、絶縁層24上に導電層WLと犠牲層60とを交互に複数積層して積層体64を形成する。
なお、積層体64の形成は、素子領域1a、コンタクト領域1b、マーク形成領域1cにおいて併せて行うことができる。
なお、積層体64の形成は、素子領域1a、コンタクト領域1b、マーク形成領域1cにおいて併せて行うことができる。
次に、図11(b)に示すように、マーク形成領域1cの所定の位置に積層体64の積層方向に延びる支持部50を形成する。また、素子領域1aの所定の位置に積層体64の積層方向に延びる支持部65を形成する。
支持部50、支持部65の形成は、図8(a)において例示をしたものと同様とすることができる。
例えば、最上層の導電層WLの上面から、最下層の導電層WLの下面までの間を積層方向(Z方向)に延びる溝ST1、ST3を形成し、溝ST1、ST3の内部に所定の材料からなる膜を形成し、溝ST1、ST3の内部以外に形成された膜をエッチバックして除去することで支持部50、支持部65を形成する。
支持部50、支持部65の形成は、図8(a)において例示をしたものと同様とすることができる。
例えば、最上層の導電層WLの上面から、最下層の導電層WLの下面までの間を積層方向(Z方向)に延びる溝ST1、ST3を形成し、溝ST1、ST3の内部に所定の材料からなる膜を形成し、溝ST1、ST3の内部以外に形成された膜をエッチバックして除去することで支持部50、支持部65を形成する。
この場合、支持部50を、マーク70となる孔71aが形成される部分を囲むように設けることができる。
その後、積層体64の上に絶縁層25を形成する。
支持部65はシリコンボディ20が設けられる部分の導電層WLを支えるために設けられるものである。
溝ST3は、溝34の上方に形成することができる。
その後、積層体64の上に絶縁層25を形成する。
支持部65はシリコンボディ20が設けられる部分の導電層WLを支えるために設けられるものである。
溝ST3は、溝34の上方に形成することができる。
溝ST3の形成方法は溝ST2と同様とすることができる。
支持部65の形成方法、材料、幅寸法Wなどは、支持部55と同様とすることができる。
なお、溝ST1、溝ST3、支持部50、支持部65、絶縁層25の形成は、素子領域1a、コンタクト領域1b、マーク形成領域1cにおいてそれぞれ併せて行うことができる。
支持部65の形成方法、材料、幅寸法Wなどは、支持部55と同様とすることができる。
なお、溝ST1、溝ST3、支持部50、支持部65、絶縁層25の形成は、素子領域1a、コンタクト領域1b、マーク形成領域1cにおいてそれぞれ併せて行うことができる。
次に、図12(a)に示すように、絶縁層25上に、ドレイン側選択ゲートDSG、ソース側選択ゲートSSGとなる層37を形成し、層37上に絶縁層38を形成する。
層37、絶縁層38の形成は、例えば、CVD法を用いて行うことができる。
層37は、例えば、ホウ素などの不純物が添加され導電性を有するシリコンから形成することができる。
絶縁層38、例えば、シリコン酸化物から形成することができる。
層37、絶縁層38の形成は、例えば、CVD法を用いて行うことができる。
層37は、例えば、ホウ素などの不純物が添加され導電性を有するシリコンから形成することができる。
絶縁層38、例えば、シリコン酸化物から形成することができる。
次に、図12(b)に示すように、フォトリソグラフィ法とRIE法を用いて、マーク形成領域1cの所定の位置に孔71a(第2の孔の一例に相当する)を形成し、素子領域1aの所定の位置にメモリーホール73(第1の孔の一例に相当する)を形成する。
絶縁層38、層37、絶縁層25、積層体64、絶縁層24からなる積層体の表面に開口するマーク70となる孔71aは、支持部50の周辺に形成する。
絶縁層38、層37、絶縁層25、積層体64、絶縁層24からなる積層体を積層方向に貫通するメモリーホール73(第1の孔の一例に相当する)は、所定の位置に形成する。
絶縁層38、層37、絶縁層25、積層体64、絶縁層24からなる積層体の表面に開口するマーク70となる孔71aは、支持部50の周辺に形成する。
絶縁層38、層37、絶縁層25、積層体64、絶縁層24からなる積層体を積層方向に貫通するメモリーホール73(第1の孔の一例に相当する)は、所定の位置に形成する。
孔71aは、前述した孔71と同様にして形成することができる。
メモリーホール73は、1つの犠牲層29に対して一対形成される。メモリーホール73の下端は犠牲層29に達し、メモリーホール73の内側では複数の導電層WLのそれぞれの間に設けられた犠牲層60が露出している。
次に、図13に示すように、置換プロセスを行う。
置換プロセスにおいては、まず、図13(a)に示すように、メモリーホール73を介して犠牲層60を除去する。この際、支持部65により積層された導電層WLを支えることができるので、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
また、孔71aの内壁側から犠牲層60が除去されるが、支持部50により積層された導電層WLを支えることができるので、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
犠牲層60の除去には、例えば、コリン水溶液(TMY)などを用たウェットエッチング法などを用いることができる。
なお、犠牲層60は必要な部分のみ除去するようにすることができる。そのため、除去されなかった部分が絶縁層60aとなる。
置換プロセスにおいては、まず、図13(a)に示すように、メモリーホール73を介して犠牲層60を除去する。この際、支持部65により積層された導電層WLを支えることができるので、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
また、孔71aの内壁側から犠牲層60が除去されるが、支持部50により積層された導電層WLを支えることができるので、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
犠牲層60の除去には、例えば、コリン水溶液(TMY)などを用たウェットエッチング法などを用いることができる。
なお、犠牲層60は必要な部分のみ除去するようにすることができる。そのため、除去されなかった部分が絶縁層60aとなる。
次に、図13(b)に示すように、メモリーホール73を介して、導電層WL同士の間に絶縁膜30aを形成する。
この際、絶縁層38の上、孔71aの内壁、メモリーホール73の内壁などに絶縁膜30が形成される。
前述したように絶縁膜30aは、絶縁膜30が対向し2層になったものである。
絶縁膜30は、ONO構造を有し、第1の絶縁膜31、電荷蓄積層32、第2の絶縁膜33をこの順に積層することで形成することができる。
この際、絶縁層38の上、孔71aの内壁、メモリーホール73の内壁などに絶縁膜30が形成される。
前述したように絶縁膜30aは、絶縁膜30が対向し2層になったものである。
絶縁膜30は、ONO構造を有し、第1の絶縁膜31、電荷蓄積層32、第2の絶縁膜33をこの順に積層することで形成することができる。
続いて、メモリーホール73の内壁に形成された絶縁膜30の内側に、シリコンボディ20を形成する。
第1の絶縁膜31、電荷蓄積層32、第2の絶縁膜33、シリコンボディ20の形成には、例えば、原子層堆積法などを用いることができる。
そして、絶縁層38の上、孔71aの内壁に形成された絶縁膜30などをエッチバックすることで除去する。
孔71aの内壁に形成された絶縁膜30などをエッチバックして除去することで、積層体64の表面に開口するマーク70が形成される。
第1の絶縁膜31、電荷蓄積層32、第2の絶縁膜33、シリコンボディ20の形成には、例えば、原子層堆積法などを用いることができる。
そして、絶縁層38の上、孔71aの内壁に形成された絶縁膜30などをエッチバックすることで除去する。
孔71aの内壁に形成された絶縁膜30などをエッチバックして除去することで、積層体64の表面に開口するマーク70が形成される。
以上のようにして、素子領域1aに設けられる要素、および、マーク形成領域1cに設けられるマーク70を形成することができる。
なお、半導体装置1の他の領域(例えば、周辺回路領域など)に隣接するマーク形成領域1cに設けられるマークと支持部の形成についても同様とすることができる。
また、半導体装置1に設けられる他の要素の形成には、既知の技術を適用することができるので、それらの説明は省略する。
以上のようにして、半導体装置1を製造することができる。
なお、半導体装置1の他の領域(例えば、周辺回路領域など)に隣接するマーク形成領域1cに設けられるマークと支持部の形成についても同様とすることができる。
また、半導体装置1に設けられる他の要素の形成には、既知の技術を適用することができるので、それらの説明は省略する。
以上のようにして、半導体装置1を製造することができる。
本実施形態においては、マーク70を形成する部分の周辺に支持部50を設けているので、犠牲層60が除去されたとしても、積層された導電層WLを支えることができる。
そのため、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
この場合、前述した支持部50a〜50dのように、マーク70を囲むようにして支持部50を形成するようにすれば、支持部50の外側にある犠牲層60が除去されることを防止することができる。そのため、積層された導電層WLの崩落をより確実に抑制することができる。
また、支持部50の幅寸法Wを100nm以下とすれば、撮像装置により撮像されないようにすることができる。
そのため、積層された導電層WLの崩落を抑制することができる。
この場合、前述した支持部50a〜50dのように、マーク70を囲むようにして支持部50を形成するようにすれば、支持部50の外側にある犠牲層60が除去されることを防止することができる。そのため、積層された導電層WLの崩落をより確実に抑制することができる。
また、支持部50の幅寸法Wを100nm以下とすれば、撮像装置により撮像されないようにすることができる。
図14は、第1の実施形態に係る半導体装置1に設けられる素子領域1a1の他の構成を例示するための模式斜視図である。
なお、図14においては、図を見易くするために、絶縁部分の図示は省略し、導電部分のみを表している。
図1においては、U字状のメモリストリングを例示したが、図14に示すようにI字状のメモリストリングとすることもできる。
この構成では、基板10上にソース線SLが設けられ、その上方にソース側選択ゲート(または下部選択ゲート)SSGが設けられ、その上方に導電層WL1〜WL4が設けられ、最上層の導電層WL1とビット線BLとの間にドレイン側選択ゲート(または上部選択ゲート)DSGが設けられている。
この様な構成を有する素子領域1a1の場合にも、マークの周辺に支持部を設けることで、置換プロセスにより犠牲層が除去される際に積層された導電層が部分的に崩落することを抑制することができる。
なお、マークの周辺に設けられる支持部や、その形成方法などは、前述したものと同様とすることができる。そのため、それらの説明は省略する。
なお、図14においては、図を見易くするために、絶縁部分の図示は省略し、導電部分のみを表している。
図1においては、U字状のメモリストリングを例示したが、図14に示すようにI字状のメモリストリングとすることもできる。
この構成では、基板10上にソース線SLが設けられ、その上方にソース側選択ゲート(または下部選択ゲート)SSGが設けられ、その上方に導電層WL1〜WL4が設けられ、最上層の導電層WL1とビット線BLとの間にドレイン側選択ゲート(または上部選択ゲート)DSGが設けられている。
この様な構成を有する素子領域1a1の場合にも、マークの周辺に支持部を設けることで、置換プロセスにより犠牲層が除去される際に積層された導電層が部分的に崩落することを抑制することができる。
なお、マークの周辺に設けられる支持部や、その形成方法などは、前述したものと同様とすることができる。そのため、それらの説明は省略する。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
1 半導体装置、1a 素子領域、1a1 素子領域、1b コンタクト領域、1c マーク形成領域、10 基板、20 シリコンボディ、30 絶縁膜、31 第1の絶縁膜、32 電荷蓄積層、33 第2の絶縁膜、50 支持部、50a〜50d 支持部、64 積層体、70 マーク、70a〜70c マーク、DSG ドレイン側選択ゲート、SSG ソース側選択ゲート、WL 導電層、WL1〜WL4 導電層
Claims (6)
- 複数の導電層と、複数の絶縁層と、がそれぞれ交互に積層された積層体を有する半導体装置であって、
前記積層体の表面に開口したマークと、
前記マークの周辺に設けられ、前記積層体の積層方向に延びる支持部と、
を備え、
前記支持部は、少なくとも前記複数の導電層と接し、前記マークを囲むように設けられている半導体装置。 - 複数の導電層と、複数の絶縁層と、がそれぞれ交互に積層された積層体を有する半導体装置であって、
前記積層体の表面に開口したマークと、
前記マークの周辺に設けられ、前記積層体の積層方向に延びる支持部と、
を備え、
前記支持部は、少なくとも前記複数の導電層と接している半導体装置。 - 前記支持部は、前記マークを囲むように設けられている請求項2記載の半導体装置。
- 前記支持部は、前記マークの周辺に複数設けられている請求項2または3に記載の半導体装置。
- 導電層と犠牲層とを交互に複数積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体の積層方向に延びる支持部を形成する工程と、
前記積層体を積層方向に貫通する第1の孔を形成する工程と、
前記支持部の周辺に、前記積層体の表面に開口するマークとなる第2の孔を形成する工程と、
前記第1の孔を介して前記犠牲層を除去する工程と、
前記第1の孔を介して前記導電層同士の間に絶縁層を形成する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記積層体の積層方向に延びる支持部を形成する工程において、
前記支持部を、前記第2の孔が形成される部分を囲むように設ける請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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