JP2013179135A - ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 - Google Patents

ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013179135A
JP2013179135A JP2012041499A JP2012041499A JP2013179135A JP 2013179135 A JP2013179135 A JP 2013179135A JP 2012041499 A JP2012041499 A JP 2012041499A JP 2012041499 A JP2012041499 A JP 2012041499A JP 2013179135 A JP2013179135 A JP 2013179135A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
represented
wafer
carbon atoms
groups
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012041499A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5687230B2 (ja
Inventor
Shohei Tagami
昭平 田上
Michihiro Sugao
道博 菅生
Hiroyuki Yasuda
浩之 安田
Masahiro Furuya
昌浩 古屋
Hideto Kato
英人 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2012041499A priority Critical patent/JP5687230B2/ja
Priority to US13/770,513 priority patent/US8999817B2/en
Priority to TW102106040A priority patent/TWI545171B/zh
Priority to EP13000966.5A priority patent/EP2634794B1/en
Priority to KR1020130021057A priority patent/KR101907010B1/ko
Publication of JP2013179135A publication Critical patent/JP2013179135A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5687230B2 publication Critical patent/JP5687230B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

【課題】 ウェハと支持体との仮接着が容易であり、かつ、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、剥離も容易で、生産性を高めることができるウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及びこれを使用する薄型ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 支持体上に仮接着材層が形成され、該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層を備えたウエハ加工体。
【選択図】図１

Description

本発明は、薄型ウエハを効果的に得ることを可能にするウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法に関する。
３次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化、高速化、低消費電力化を実現するために必須となってきている。３次元半導体実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面（「裏面」ともいう）研削によって薄型化し、更に裏面にＴＳＶを含む電極形成を行う工程が必要である。
従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、ＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。
そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、ＴＳＶや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着材層と呼ぶことにする。
これまでに公知の仮接着材層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着材に高強度の光を照射し、接着材層を分解することによって支持体から接着材層を剥離する技術（特許文献１）、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着材に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術（特許文献２）が提案されている。前者の技術はレーザ等の高価な装置が必要であり、さらには、支持体にレーザー光を透過するガラス基板のような特定の基板を使用する必要もあり、かつ基板１枚あたりの処理時間が長くなるなどの問題があった。また後者の技術は加熱だけで制御するため簡便である反面、２００℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。更にこれらの仮接着材層では、高段差基板の均一な膜厚形成と、支持体への完全接着にも適さなかった。
また、シリコーン粘着剤を仮接着材層に用いる技術が提案されている（特許文献３）。これは基板を支持体に付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解、あるいは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである。そのため剥離に非常に長時間を要し、実際の製造プロセスへの適用は困難である。
特開２００４−６４０４０号公報 特開２００６−３２８１０４号公報 米国特許第７５４１２６４号公報
上記のような問題を解決する手法として、仮接着材層として熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層を積層する方法や、非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの高重合体を単層で用いる方法が提案されている。しかし、前者は熱可塑性樹脂の常温での弾性率が低く流動性を持つため、積層体基板の構成によってはプロセス中で樹脂変形や装置汚染を起こす可能性があり、後者は剥離方法として加熱しての水平スライド方式には好適に用いられるものの、積層体基板の片面を水平に固定して他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方式に関しては、支持体やウエハとの密着性が強くかつ硬いため剥がしにくく、実際の製造プロセスには適用しにくいという問題点があった。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ウェハと支持体との仮接着が容易であり、かつ、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、剥離も容易で、生産性を高めることができるウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及びこれを使用する薄型ウエハの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明によれば、支持体上に仮接着材層が形成され、該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、
前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層を備えたウエハ加工体を提供する。
また本発明では、支持体上に仮接着材層が形成され、該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが仮接着されるウエハ加工用部材であって、
前記仮接着材層が、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層上に積層され、前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層を備えたウエハ加工用部材を提供する。
また本発明では、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、前記ウエハの表面に接着かつ剥離可能な非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層され、前記支持体に接着かつ剥離可能な熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層とを有するウエハ加工用仮接着材を提供する。
このような、ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材を用いれば、ウェハと支持体との仮接着が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、ＴＳＶ形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、剥離も容易で、生産性を高めることができる。
またこの場合、前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの重合体層であることが好ましい。
（Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
（ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
（ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
（前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
Figure 2013179135
 さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
このように、前記重合体層（Ａ）が、上記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンから形成される層であれば、接着性、耐熱性に優れる。更に、非極性の有機溶剤には可溶であるため、支持体より剥離されたウエハの回路形成面に残存する非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）を容易に除去することができる。一方で、接合基板（ウェハ加工体）の半導体（ウェハ）側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性の有機溶剤には難溶の層となるため好ましい。
またこの場合、前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
（Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
（ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
（ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
（前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
Figure 2013179135
 さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜３０モル％が炭素数２〜７のアルケニル基であるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）と、
下記平均組成式（１）
Ｒ７ ａＲ８ ｂＨｃＳｉＯ（４−ａ−ｂ―ｃ）／２ （１）
（式中Ｒ７はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ８は２価の有機基である。ａ、ｂ、及びｃは０＜ａ≦２．５、０≦ｂ≦１、０．７５≦ａ＋ｂ≦２．５、０．００５≦ｃ≦１、かつ０．８≦ａ＋ｂ＋ｃ≦４を満たす正数である。）
で示され、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を有するヒドロシリル基含有化合物であって、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）の総アルケニル基に対して総ＳｉＨ基が０．４〜１．０倍となる量の前記ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させて得たオルガノポリシロキサンの重合体層であることが好ましい。
このような、高分子量化したオルガノポリシロキサンの層であれば、非極性の有機溶剤には可溶で、一方で、接合基板（ウェハ加工体）の半導体（ウェハ）側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性の有機溶剤には難溶である上、接着性、耐熱性に一層優れるオルガノポリシロキサン層となるために好ましい。
またこの場合、前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
（Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
（ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
（ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
（前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
Figure 2013179135
 さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜２０モル％が水素原子であるヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）と、
下記平均組成式（２）
Ｒ９ ｄＲ１０ ｅＲ１１ ｆＳｉＯ（４−ｄ−ｅ―ｆ）／２ （２）
（但し、式中Ｒ９はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ１０は２価の有機基である。Ｒ１１は炭素数２〜６のアルケニル基である。ｄ、ｅ、ｆは０＜ｄ≦２、０≦ｅ≦１、０．７５≦ｄ＋ｅ≦３、０．０１≦ｆ≦１、かつ０．８≦ｄ＋ｅ＋ｆ≦４を満たす正数である。）
で示され、１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するアルケニル基含有化合物であって、前記ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）の総ＳｉＨ基に対して総アルケニル基が１．０〜２．５倍となる量の前記アルケニル基含有化合物（Ａ４）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させて得たオルガノポリシロキサンの重合体層であることが好ましい。
このような、高分子量化したオルガノポリシロキサンの層であれば、非極性の有機溶剤には可溶で、一方で、接合基板（ウェハ加工体）の半導体（ウェハ）側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性の有機溶剤には難溶である上、接着性、耐熱性に一層優れるオルガノポリシロキサン層となるために好ましい。
またこの場合、前記ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）が、下記構造式（３）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、又は下記構造式（４）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するビスシリル化合物であることが好ましい。
Figure 2013179135
 （式中、ｎは０〜４００の正数、Ｒ１２〜Ｒ１４は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。）
Figure 2013179135
 （式中、Ｒ１５〜Ｒ１７は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。Ｗは２価の有機基である。）
このような、ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）であれば、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）のアルケニル基とのヒドロシリル化反応が進みやすく、またアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）と相溶性のよいヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）となるためヒドロシリル化反応の観点から好ましい。
またこの場合、前記重合体層（Ｂ）が、下記一般式（５）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシルフェニレン含有高分子化合物、又は下記一般式（６）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる熱硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることが好ましい。
Figure 2013179135
 ［式中、Ｒ1８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ａは正数、Ｂは０又は正数である。Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基である。
Figure 2013179135
 （式中、Ｚは
Figure 2013179135
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
Figure 2013179135
 ［式中、Ｒ１８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ｇ、ｈ、ｉ、ｊは０又は正数であり、但し、ｉ及びｊが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｉ＋ｊ）／（ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（８）で示される２価の有機基である。
Figure 2013179135
 （式中、Ｚは
Figure 2013179135
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
Figure 2013179135
 （式中、Ｖは
Figure 2013179135
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ２４、Ｒ２５はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｑは０、１、２のいずれかである。）］
このような重合体層（Ｂ）は、耐熱性により一層優れるものとなり、また、膜厚均一性の良い仮接着層となるために好ましい。
また、本発明では、
（ａ）前記ウェーハ加工体に対し、前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、
（ｂ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程、
（ｃ）前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
このような薄型ウェハの製造方法であれば、本発明における２層系からなる仮接着材層を、ウエハと支持体の接合に使用することで、貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、容易に製造することができる。
またこの場合、前記（ｃ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程は、
加工を施したウエハの加工面にダイシングテープを接着し、該ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着し、前記吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を前記加工を施したウエハからピールオフにて剥離することにより行うことが好ましい。
このような剥離工程によれば、支持体を加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
またこの場合、前記（ｃ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程後に、
（ｄ）前記剥離したウエハの回路形成面に残存する非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）を除去する工程を行うことが好ましい。
工程（ｃ）により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）が一部残存している場合があり、この非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体（Ａ）の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
本発明における仮接着材層は、耐熱性が高いために、幅広い半導体成膜プロセスに適用でき、段差を有するウエハに対しても、膜厚均一性の高い接着材層を形成でき、この膜厚均一性のため容易に５０μｍ以下の均一な薄型ウエハを得ることが可能となり、更には、薄型ウエハ作製後、このウエハを支持体から室温で、容易に剥離することができるため、割れ易い薄型ウエハを容易に製造することができる。
本発明のウエハ加工体の一例を示す断面図である。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、
（Ａ）の非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（第一仮接着層）と、
（Ｂ）の熱硬化性変性シロキサン重合体層（第二仮接着層）
との２層系からなる仮接着材層を、ウエハと支持体の接合に使用することで、この仮接着材層を使用して貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、簡単に製造する方法を見出した。
図１に示したように、本発明のウエハ加工体１０は、加工すべきウエハ１と、ウエハ１の加工時にウエハ１を支持する支持体２と、これらウエハ１と支持体２との間に介在する仮接着材層３を備え、この仮接着材層３が、非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）（第一仮接着層）と熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）（第二仮接着層）からなり、第一仮接着層が表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハの表面に剥離可能に接着され、第二仮接着層が支持体に剥離可能に接着されているものである。
また、本発明のウエハ加工用部材は、上記支持体２と、その上に積層された熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）と、その上に積層された非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）とを有するものであり、本発明のウエハ加工用仮接着材は、上記層（Ａ）、（Ｂ）の積層体からなるものである。
以下、本発明をより詳細に説明する。
＜仮接着材層＞
−仮接着層（Ａ）／非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層−
非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）としては、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの層が挙げられる。
（Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
（ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
（ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
（前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
Figure 2013179135
 さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子である。さらに、Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上、好ましくは６０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは６０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の上記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基である。その上、Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。
上記オルガノポリシロキサンのように、有機基を非芳香族飽和炭化水素基とすることで、接合基板の半導体側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性の有機溶剤には難溶で、かつ、非極性の有機溶剤には可溶となる。即ちＴ、Ｄ、Ｍ単位のＲ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上を炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基とすることで、上述した極性有機溶剤には難溶で、かつヘキサン、オクタン、イソドデカン等の非極性の炭化水素溶剤には可溶であり、耐熱性にも優れるオルガノポリシロキサンとなる。また、非芳香族飽和炭化水素基、特に炭素数５〜７の上記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基の含有量を増やすことで、より耐熱性に優れたオルガノポリシロキサンとなる。
非芳香族飽和炭化水素基の具体例としては、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ノルボルニル基、ノルボルニルエチル基、アダマンチル基が挙げられるが、より好ましくはｎ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基が良い。特に高い耐熱性を有する上で環状炭化水素基（環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基）の含有量は重要である。非芳香族飽和炭化水素基としての環状炭化水素基含有量が、Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子のうち４０モル％以上の場合には、２６０℃以上の高温での耐久性に優れ、より耐熱性に優れるオルガノポリシロキサンとなる。これら環状炭化水素基としては、下記図示した、１価及び／又は２価のシクロペンチル骨格、シクロヘキシル骨格、ビシクロ［２．２．１］骨格、ビシクロ［３．１．１］骨格を含む構造が好ましい。
Figure 2013179135
上記非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンは（Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）を４０〜９９モル％、（ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を５９モル％以下、（ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）を１〜３０モル％含む。上記構造のオルガノポリシロキサンは、原料となる加水分解性シランの加水分解、及び縮合反応を制御しながら行うことにより製造できる。また、本発明における非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンとしては、４０℃を越えない温度で固体形状を有するものが取り扱い上好ましい。
原料として用いることができる加水分解性シランとしては、メチルトリクロルシラン、フェニルトリクロルシラン、ｎ−プロピルトリクロルシラン、イソプロピルトリクロルシラン、ｎ−ブチルトリクロルシラン、イソブチルトリクロルシラン、ｎ−ペンチルトリクロルシラン、イソペンチルトリクロルシラン、シクロペンチルトリクロルシラン、ｎ−ヘキシルトリクロルシラン、シクロヘキシルトリクロルシラン、ｎ−オクチルトリクロルシラン、ｎ−デシルトリクロルシラン、ｎ−ドデシルクロルシラン、ビシクロ［２．２．１］ヘプチルトリクロルシラン（Ｃ１）、ビシクロ［２．２．１］ノニルトリクロルシラン（Ｃ２）、ビシクロ［３．１．１］デシルトリクロルシラン（Ｃ３、Ｃ４）、ジメチルジクロルシラン、ｎ−プロピルメチルジクロルシラン、イソプロピルメチルジクロルシラン、ｎ−ブチルメチルジクロルシラン、イソブチルメチルジクロルシラン、ｎ−ヘキシルメチルジクロルシラン、シクロヘキシルメチルジクロルシラン、ジフェニルジクロルシラン、及びこれらの加水分解性基がメトキシ基、エトキシ基であるものが挙げられる。
特に環状構造を複数有する下記（Ｃ１）〜（Ｃ４）は、ｅｎｄｏ体、ｅｘｏ体の立体異性体が存在するが、これらは問わず使用可能である。
Figure 2013179135
Ｔ単位を４０〜９９モル％含むことで、上記非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンは４０℃以下で固体となりやすく、かつ、非極性の有機溶剤には可溶で、一方で、接合基板の半導体側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性の有機溶剤には難溶となる。また、上記非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン中には反応性の末端基、即ちシラノールや加水分解性残基が残存しないことが、後述する熱安定性の観点から好ましい。従って末端にＭ単位を導入する構造が好ましく、Ｍ単位の含有量としては１モル％以上含むことが好ましい。
Ｄ単位を５９モル％以下含むことで、本発明の非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンは４０℃以下で固体となりやすく、かつ、仮接着材組成物に用いた場合にウエハと支持基板を十分に接合できる。即ち、流動性のある粘ちょう物質、或いは液状物になる恐れがなく、従って支持基板と半導体回路を有するウエハとの接合が十分となり、裏面研削、或いはその後の加工で積層ウエハがずれる等の不具合が生じる恐れがないために好ましい。
Ｍ単位を１〜３０モル％含むことで、上記非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンは、接合基板の半導体側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性の有機溶剤には難溶となり、反応性末端基を十分低減した構造となる。また、３０モル％以下の場合、末端基が多くなり相対的に分子量が小さくなる恐れが無いために好ましい。
Ｍ単位にて封止されていない分子末端基、即ちシラノール基、又はアルコキシシリル基等の加水分解性残基が存在する場合、これら反応性末端基の含有量は可能な限り少ない方が好ましい。シラノール基、及びアルコキシシリル基の末端残基が分子内に少量であれば、熱がかかった際に縮合反応による架橋が生成し、基板の剥離性が大きく変化してしまうことを抑制できるので好ましい。また、シラノール基のＯＨ基、及びアルコキシシリル基（Ｓｉ−ＯＲ：Ｒは原料として用いたアルコキシシランのアルコキシ基残基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基等）のＯＲ基の総量が、全樹脂固形分中の５質量％以下、より好ましくは３質量％以下であることが好ましい。Ｍ単位の導入により、このような反応性末端基を所望の量まで減じることができる。
本発明における非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの分子量の分布は大切である。即ちＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）にて、ポリスチレン標準物質によって作製した検量線にそって得られる重量平均分子量の値で、２，０００以上であることが好ましい。非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの重量平均分子量が２，０００以上であれば、耐熱性に優れるため好ましい。より好ましい非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの重量平均分子量の範囲としては、３，０００〜２００，０００程度、さらに好ましくは５，０００〜１５０，０００程度が好ましい。
このような分析、解析が可能なＧＰＣ装置としては、東ソー製のＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ、ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ、ＨＬＣ−８２３０ＧＰＣが使用できる。
このような非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンは公知の方法で製造できる。例えば、加水分解縮合反応により、上記のシロキサン単位（Ｔ、Ｄ、Ｍ単位）を形成し得るオルガノクロロシラン及び／又はオルガノアルコキシシラン、あるいはその部分加水分解縮合物を得ることができる。例えば、すべての加水分解性基（クロル基、アルコキシ基等）を加水分解するのに過剰量の水と原料シラン化合物及び生成するオルガノポリシロキサンを溶解可能な有機溶剤との混合溶液中へ混合し、加水分解縮合反応させることで得られる。所望の重量平均分子量のオルガノポリシロキサンは、反応温度及び時間、水、有機溶剤の配合量を調節することで得ることができる。このようにして製造されたオルガノポリシロキサンは、例えば仮接着材として使用する際、不要な有機溶剤成分を除去し、一度固形化してから使用してもよい。
また、本発明における重合体層（Ａ）は、上記非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンを原料として、高分子量化したオルガノポリシロキサンの層とすることもできる。以下、このような高分子量化したオルガノポリシロキサンについて説明する。
このような高分子量化したオルガノポリシロキサンとしては、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
（Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
（ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
（ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
（前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
Figure 2013179135
 さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜３０モル％が炭素数２〜７のアルケニル基であるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）と、
下記平均組成式（１）
Ｒ７ ａＲ８ ｂＨｃＳｉＯ（４−ａ−ｂ―ｃ）／２ （１）
（式中Ｒ７はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ８は２価の有機基である。ａ、ｂ、及びｃは０＜ａ≦２．５、０≦ｂ≦１、０．７５≦ａ＋ｂ≦２．５、０．００５≦ｃ≦１、かつ０．８≦ａ＋ｂ＋ｃ≦４を満たす正数である。）
で示され、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を有するヒドロシリル基含有化合物であって、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）の総アルケニル基に対して総ＳｉＨ基が０．４〜１．０倍となる量の前記ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させた高分子量化したオルガノポリシロキサンが挙げられる。
この際、アルケニル基の含有量は、少なくともＲ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子の２モル％〜３０％である。アルケニル基の含有量が２モル％以上であれば、ヒドロシリル化反応による分子量増加が大きくなり、耐熱性等の物性に優れるオルガノポリシロキサンとなるため好ましい。また３０モル％以下であれば、接合基板の半導体側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性有機溶剤への溶解性が更に低くなり好ましい。
このようなアルケニル基の例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基が挙げられるが、反応性の観点から、ビニル基が好ましい。
また、上記平均組成式（１）中、前記Ｒ７はアルケニル基を除く１価の有機基であり、前記Ｒ８は２価の有機基である。Ｒ７は１価の有機基であれば特に限定されないが、メチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基が例示される。また、Ｒ８は２価の有機基であれば特に限定されないが、メチレン基、エチレン基、ブタニレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、フェニレン基が例示される。
さらに、上記平均組成式（１）中、ａ、ｂは分子中の有機基の含有量を示し、ａ、ｂ、及びｃは０＜ａ≦２．５、０≦ｂ≦１、０．７５≦ａ＋ｂ≦２．５、０．００５≦ｃ≦１、かつ０．８≦ａ＋ｂ＋ｃ≦４を満たす正数である。ａ＋ｂが０．７５より小さい場合、相対的にｃの値、即ちＳｉＨ基の含有量が多くなる。アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）のアルケニル基とヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）のＳｉＨ基とのヒドロシリル化反応を考えた場合、ＳｉＨ量が多いと架橋度が高すぎて高分子量化したオルガノポリシロキサンがゲル化する傾向にある。また、ＳｉＨ基が多量に残存する場合、熱劣化による発ガスの可能性が高くなる。また、ａ＋ｂが２．５以下であれば、ＳｉＨ基量は適切で、反応による高分子量化が適切に進行する。さらに、ａが２．５以下であれば、架橋に関与するＳｉＨ基量は適切で分子量が目標とする値まで上昇し、耐熱性に優れる。そのため、ａ、ｂ、及びｃは上記範囲であることが好ましい。さらに、ｃの値は、さらにケイ素原料の入手し易さから１．０以下が好ましく、また架橋反応を十分進行させるためには０．００５以上が好ましい。
また、（Ａ１）成分の総アルケニル基に対する（Ａ２）成分の総ＳｉＨ量は、０．４〜１．０が好ましい。０．４以上であれば、分子量の増加は十分であり、所望の耐熱性、接着性が得られる。また、１．０以下であれば、樹脂の架橋が適度となりゲル化しにくく、また樹脂内に残存するＳｉＨ基も低減でき、接合後の耐熱試験の際に発泡も抑制できるため好ましい。
より具体的なヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）の例としては、両末端にＳｉＨ基を有する直鎖ポリシロキサン、ポリシリルアルキレン、ポリシリルアリーレンが使用できる。特に、下記構造式（３）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、又は下記構造式（４）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するビスシリル化合物であることが好ましい。
Figure 2013179135
 （式中、ｎは０〜４００の正数、Ｒ１２〜Ｒ１４は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。）
Figure 2013179135
 （式中、Ｒ１５〜Ｒ１７は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。Ｗは２価の有機基である。）
前記Ｒ１２〜Ｒ１７は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。Ｒ１２〜Ｒ１７としては、特に限定されないが、炭素数１〜８の１価の炭化水素基、具体的にはメチル基、プロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基が例示される。特に好ましくはメチル基、シクロヘキシル基、フェニル基が例示される。
上記構造式（３）で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンの重合度ｎは０〜４００である。このｎの範囲内で重合度ｎが２００以上の大きいものは、（Ａ１）のアルケニル基とのヒドロシリル化反応が進み難いため、重合度０〜４０のシロキサンと併用することが好ましい。なお、ｎが２００以下であれば、オルガノハイドロジェンポリシロキサンとアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）との相溶性がよく、また末端ＳｉＨ基の反応性も低下しないため好ましい。
上記構造式（４）で示されるビスシリル化合物の連結基Ｗは、２価の有機基である。Ｗとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１０の２価炭化水素基、及びフェニレン基が例示される。特に高分子量化されたオルガノポリシロキサンの耐熱性の観点から、フェニレン基が好ましい。
このような、高分子量化したオルガノポリシロキサンであれば、非極性の有機溶剤には可溶で、一方で、接合基板の半導体側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性の有機溶剤には難溶である上、接着性、耐熱性に一層優れるオルガノポリシロキサンとなる。
さらに、本発明における重合体層（Ａ）は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）とヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）との付加反応生成物の他、反応性基を交換した化合物の組み合わせ、即ちヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）とアルケニル基含有化合物（Ａ４）とを付加反応して高分子量化したオルガノポリシロキサンの層とすることもできる。
このようなオルガノポリシロキサンとしては、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
（Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
（ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
（ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
（前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
Figure 2013179135
 さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜２０モル％が水素原子であるヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）と、
下記平均組成式（２）
Ｒ９ ｄＲ１０ ｅＲ１１ ｆＳｉＯ（４−ｄ−ｅ―ｆ）／２ （２）
（但し、式中Ｒ９はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ１０は２価の有機基である。Ｒ１１は炭素数２〜６のアルケニル基である。ｄ、ｅ、ｆは０＜ｄ≦２、０≦ｅ≦１、０．７５≦ｄ＋ｅ≦３、０．０１≦ｆ≦１、かつ０．８≦ｄ＋ｅ＋ｆ≦４を満たす正数である。）
で示され、１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するアルケニル基含有化合物であって、前記ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）の総ＳｉＨ基に対して総アルケニル基が１．０〜２．５倍となる量の前記アルケニル基含有化合物（Ａ４）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させて高分子量化したオルガノポリシロキサンが挙げられる。
この際、水素原子の含有量は、少なくともＲ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子の２モル％〜２０％である。水素原子の含有量が２モル％以上であれば、ヒドロシリル化反応による分子量増加が大きくなり、耐熱性等の物性に優れるオルガノポリシロキサンとなるため好ましい。また２０モル％以下であれば、接合基板の半導体側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性有機溶剤への溶解性が更に低くなり好ましい。
上記平均組成式（２）中のＲ９はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ１０は２価の有機基である。Ｒ１１は炭素数２〜６のアルケニル基である。ここでＲ９はアルケニル基を除く１価の有機基であれば特に限定されないが、メチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基が例示される。また、Ｒ１０は２価の有機基であり、特に限定されないが、メチレン基、エチレン基、ブタニレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、フェニレン基が例示される。さらに、Ｒ１１は炭素数２〜６のアルケニル基であり、特に限定されないが、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基が挙げられるが、反応性の観点から、ビニル基が好ましい。
上記平均組成式（２）中のｄ、ｅ、ｆは分子中の有機基の含有量を示し、ｄ、ｅ、ｆは０＜ｄ≦２、０≦ｅ≦１、０．７５≦ｄ＋ｅ≦３、０．０１≦ｆ≦１、かつ０．８≦ｄ＋ｅ＋ｆ≦４を満たす正数である。
（Ａ３）成分の総ＳｉＨ量に対する（Ａ４）成分の総アルケニル基は、１．０〜２．５倍となる量が好ましい。１．０倍以上であれば、分子量の増加は十分であり、所望の耐熱性、接着性が得られる。また、２．５倍以下であれば、樹脂の架橋が適度となりゲル化しにくく、また樹脂内に残存するＳｉＨ基も低減でき、接合後の耐熱試験の際に発泡も抑制できるため好ましい。
このような、高分子量化したオルガノポリシロキサンであれば、非極性の有機溶剤には可溶で、一方で、接合基板の半導体側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性の有機溶剤には難溶である上、接着性、耐熱性に一層優れるオルガノポリシロキサンとなる。
アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）とヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）との反応は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）を有機溶剤に溶解させ、ヒドロシリル化触媒である白金系の金属触媒を添加後、５０〜１５０℃に加熱しながら、ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）を滴下することで、高分子量化したオルガノポリシロキサンを得ることができる。白金系の金属触媒はＳｉＨ基とのヒドロシリル化付加反応を促進するための触媒であり、この付加反応触媒としては、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。なお、この付加反応触媒の配合量は触媒量とすることができるが、通常、白金族金属として（Ａ１）成分の重量に対して１〜８００ｐｐｍ、特に２〜３００ｐｐｍ程度配合することが好ましい。
また、ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）とアルケニル基含有化合物（Ａ４）との反応も上記同様に、両者を付加反応触媒存在下で加熱混合することで行うことができ、これにより高分子量化したオルガノポリシロキサンを得ることができる。
これらヒドロシリル化付加反応後のオルガノポリシロキサンの分子量は、仮接着材の特性、特に加熱時の熱変形、接着界面でのボイド発生等に影響する。
付加反応後の高分子量化したポリオルガノシロキサンの重量平均分子量Ｍｗは、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を用いてポリスチレン標準物質によって作製した検量線に則って得られる重量平均分子量の値で、１５，０００以上であることが好ましい。重量平均分子量が１５，０００以上であれば、耐熱性に優れるオルガノポリシロキサンとなる。より好ましい重量平均分子量の範囲としては、２０，０００〜２００，０００程度、さらに好ましくは３０，０００〜１５０，０００程度が好ましい。
この非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンは、予めフィルムとし、該フィルムをロールラミネータ等を使用してウエハに貼り合わせて使用しても、非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの溶液をスピンコート、ロールコータなどの方法によってウエハ上に形成して使用してもよい。スピンコートなどの方法によってウエハ上にこの（Ａ）層を形成する場合には、樹脂を溶液としてコートし、その後加熱乾燥することが好ましいが、この溶液としては、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソドデカン、リモネンなどの炭化水素系溶剤が好適に使用される。
また、この（Ａ）層は、膜厚０．１〜３０μｍ、好ましくは０．５〜１０μｍの間で形成されて使用される。０．１μｍ以上であれば、デバイスウエハの段差を十分にカバーすることができ、一方、３０μｍ以下であれば、膜にクラックが生じる恐れがないために好ましい。なお、この非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンには、耐熱性を更に高めるため、シリカ等のフィラーを５０質量部以下添加してもよい。
−第二仮接着層（Ｂ）／熱硬化性変性シロキサン重合体層−
下記一般式（５）あるいは（６）のいずれかで示される熱硬化性変性シロキサン重合体を主成分とする熱硬化性組成物の硬化物の層を、仮接着層（Ｂ）として使用することができる。
一般式（５）の重合体：
下記一般式（５）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシルフェニレン含有高分子化合物。
Figure 2013179135
 ［式中、Ｒ1８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８のアルキル基等の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ａは正数、Ｂは０又は正数である。Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基である。
Figure 2013179135
 （式中、Ｚは
Figure 2013179135
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
この場合、Ｒ1８〜Ｒ２１の具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基等が挙げられ、ｍは、好ましくは３〜６０、より好ましくは８〜４０の整数である。また、Ｂ／Ａは０〜２０、特に０．５〜５である。
一般式（６）の重合体：
下記一般式（６）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物。
Figure 2013179135
 ［式中、Ｒ1８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８のアルキル基等の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ｇ、ｈ、ｉ、ｊは０又は正数であり、但し、ｉ及びｊが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｉ＋ｊ）／（ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ）≦１．０、好ましくは０．１≦（ｉ＋ｊ）／（ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ）≦０．８である。更に、Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（８）で示される２価の有機基である。
Figure 2013179135
（式中、Ｚは
Figure 2013179135
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
Figure 2013179135
 （式中、Ｖは
Figure 2013179135
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ２４、Ｒ２５はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｑは０、１、２のいずれかである。）］
この場合、Ｒ1８〜Ｒ２１、ｍの具体例は上記と同様である。
これらの式（５）又は（６）の熱硬化性変性シロキサン重合体を主成分とする熱硬化性組成物は、その熱硬化のために、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上の架橋剤を含有する。
特に、２官能、３官能、４官能以上の多官能架橋剤、とりわけエポキシ樹脂、例えば、日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２０、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＸＤ−１０００、ＮＣ−２０００−Ｌ、ＥＰＰＮ−２０１、ＧＡＮ、ＮＣ６０００や下記式のような架橋剤を含有することができる。
Figure 2013179135
架橋剤の配合量は、上記熱硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して０．１〜５０質量部、好ましくは０．１〜３０質量部、更に好ましくは１〜２０質量部であり、２種類又は３種類以上を混合して配合してもよい。
また、この組成物には、酸無水物のような、硬化触媒を含有することが５質量部以下可能である。
一方、この組成物は、フィルムとして、ウエハに形成された（Ａ）層に形成しても、あるいは、薄型ウエハを作製するための支持体側に形成してもよい。また、この組成物を溶液に溶解し、塗布、具体的にはスピンコート、ロールコータ、ダイコータなどの方法によって（Ａ）層、あるいは、支持体に形成してもよい。その場合に用いることができる溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類；３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコールモノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を併用することができる。
なお、組成物には、耐熱性を更に高めるため、公知の酸化防止剤、シリカ等のフィラーを５０質量部以下添加してもよい。
重合体層（Ｂ）は、硬化時の膜厚１０〜２００μｍ、好ましくは２０〜１２０μｍで成膜することが好ましい。膜厚が１０μｍ以上であれば、ウエハ薄型化の研削工程に十分耐えることが可能であり、２００μｍ以下であれば、ＴＳＶ形成工程などの熱処理工程で樹脂変形を生じる恐れが無く、実用に十分に耐えることができる。
＜薄型ウエハの製造方法＞
本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との接着層として、前述の（Ａ）層と（Ｂ）層の２層とからなる仮接着材層を用いることを特徴とする。本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には５〜３００μｍ、より典型的には１０〜１００μｍである。
本発明の薄型ウエハの製造方法は以下（ａ）〜（ｃ）の工程を有する。
（ａ）前述のウェーハ加工体に対し、前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、
（ｂ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程、
（ｃ）前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程。
また、前記（ｃ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程後に、
（ｄ）前記剥離したウエハの回路形成面に残存する非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）を除去する工程を行うことが好ましい。
［ウェーハ加工体製造方法］
ウェーハ加工体は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの回路形成面を、上述した第一仮接着層（Ａ）と第二仮接着層（Ｂ）の２層からなる仮接着材層を介して支持体と接合することで得ることができる。
回路形成面及び回路非形成面を有するウエハは、一方の面が回路形成面であり、他方の面が回路非形成面であるウエハである。本発明が適用できるウエハは、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ等が挙げられる。該ウエハの厚さは、特に制限はないが、典型的には６００〜８００μｍ、より典型的には６２５〜７７５μｍである。
支持体としては、シリコンウエハやガラス、石英ウエハ等の基板が使用可能である。本発明においては、支持体を通して仮接着材層に放射エネルギー線を照射する必要はなく、支持体の光線透過性は不要である。
仮接着層（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれフィルムで、ウエハや支持体に形成することもでき、あるいは、それぞれの溶液をスピンコートなどの方法によりウエハや支持体に形成することができる。この場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じ、８０〜１９０℃の温度で、予めプリベークを行ったのち、使用に供される。更に、第一仮接着層（Ａ）と第二仮接着層（Ｂ）は、予めそのフィルム同士を貼り合わせた後、第一仮接着層（Ａ）をウエハ側に、第二仮接着層（Ｂ）を支持体側にして接合に供することも可能である。
仮接着層（Ａ）、（Ｂ）が形成されたウエハ及び支持体は、仮接着層（Ａ）、（Ｂ）を介して、接合された基板として形成される。このとき、好ましくは４０〜２３０℃、より好ましくは４０〜２００℃の温度領域で、この温度にて減圧下、この基板を均一に圧着することで、ウエハが支持体と接合した積層体基板が形成される。
ウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ社のＸＢＣ３００等が挙げられる。
その後、１００〜２６０℃、好ましくは１４０〜２２０℃で１０分〜５時間、好ましくは３０分〜２時間加熱することによって、熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）の硬化を行ってウェーハ加工体とすることが好ましい。
［工程（ａ）］
工程（ａ）は、支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、即ち、上記のように貼り合わせて得られたウエハ加工体のウエハ裏面側を研削又は研磨して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば（株）ディスコ製ＤＡＧ−８１０（商品名）等が挙げられる。
［工程（ｂ）］
工程（ｂ）は、回路非形成面を研削したウエハ加工体、即ち、裏面研削によって薄型化されたウエハ加工体の回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。
［工程（ｃ）］
工程（ｃ）は、工程（ｂ）で加工を施したウエハをウエハ加工体から剥離する工程、即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前にウエハ加工体から剥離する工程である。剥離方法としては、主にウエハと支持体を加熱（好ましくは２００〜２５０℃）しながら、水平方向に沿って反対方向にスライドさせることにより両者を分離する方法、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、加工を施したウエハの加工面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式でウエハ加工体から剥離する方法等が挙げられるが、特に制限なく採用することができる。
本発明には、これらの剥離方法すべてに適用可能であるが、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、加工を施したウエハの加工面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式で剥離する方法等がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。
また、加工を施したウエハの加工面にダイシングテープを接着し、該ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着し、前記吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を前記加工を施したウエハからピールオフにて剥離することで、支持体を加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
［工程（ｄ）］
工程（ｄ）は、剥離したウエハの回路形成面に仮接着層（Ａ）が一部残存した場合に、これを除去する工程である。工程（ｃ）により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、第一仮接着層（Ａ）が一部残存している場合があり、この第一仮接着層（Ａ）の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
工程（ｄ）の洗浄には、仮接着材層中の（Ａ）層である非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンを溶解するような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソドデカン、リモネンなどの洗浄液が挙げられる。これらの溶剤は、１種単独でも２種以上組み合わせて用いてもよい。また、除去しにくい場合は、上記溶剤に、塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１〜１０質量％、好ましくは０．１〜５質量％である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。洗浄方法としては、上記液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が可能である。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、必要があれば、これらの溶解液で（Ａ）層を溶解したのち、最終的に水洗又はアルコールによるリンスを行い、乾燥処理させて、薄型ウエハを得ることも可能である。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
（合成例１）
攪拌装置、冷却装置、温度計を取り付けた１Ｌフラスコに、水２３４ｇ（１３モル）、トルエン３５ｇを仕込み、オイルバスにて８０℃に加熱した。滴下ロートにノルボルニルトリクロルシラン１８３．６ｇ（０．８モル）、ジメチルジクロルシラン１２．９ｇ（０．１モル）、トリメチルクロルシラン１０．９ｇ（０．１モル）を仕込み、フラスコ内に攪拌しながら１時間で滴下し、滴下終了後、さらに８０℃で１時間攪拌熟成を行った。室温まで冷却しながら静置して、分離してきた水相を除去し、引き続き１０％硫酸ナトリウム水溶液を混合して１０分間撹拌後、３０分間静置し、分離してきた水相を除去する水洗浄操作をトルエン相が中性になるまで繰り返して反応を停止した。エステルアダプターを取り付け、オルガノポリシロキサンを含むトルエン相を加熱還流してトルエン相から水を除去し、内温が１１０℃に達してから更に１時間続けた後、室温まで冷却した。得られたオルガノポリシロキサン溶液を濾過して不溶物を除去し、引き続き減圧蒸留によりトルエンを除去して、固体のオルガノポリシロキサン（樹脂１）１３４ｇを得た。
得られたオルガノポリシロキサン（樹脂１）は、Ｔ単位８０モル％とＤ単位１０モル％とＭ単位１０モル％とを含み、末端はオルガノポリシロキサン（樹脂１）１００ｇあたりシラノール基を０．１モル含有し、外観は無色透明固体で重量平均分子量は７，１００であった。全有機基及び水素原子中のノルボルニル基含有量は６１％であった。また、Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の８０％がノルボルニル基であった。このオルガノポリシロキサン（樹脂１）をイソドデカン溶液に固形分濃度２０％で溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ａ−１）を得た。
（合成例２）
合成例１と同様に、１Ｌフラスコに、水２３４ｇ（１３モル）、トルエン３５ｇを仕込み、オイルバスにて８０℃に加熱した。滴下ロートにノルボルニルトリクロルシラン２０６．６ｇ（０．９モル）、メチルビニルジクロルシラン７．１ｇ（０．０５モル）、トリメチルクロルシラン５．４ｇ（０．０５モル）を仕込んだ以外は合成例１と同様に調製して、固体のオルガノポリシロキサン（樹脂２）１４０ｇを得た。
得られたオルガノポリシロキサンは、Ｔ単位９０モル％とＤ単位５モル％とＭ単位５モル％とを含み、末端はオルガノポリシロキサン１００ｇあたりシラノール基を０．１モル、ビニル基を０．０３４モル含有する。外観は無色透明固体で重量平均分子量は５，９００であった。全有機基及び水素原子中のノルボルニル基含有量は７８モル％、ビニル基は４．３モル％であった。また、Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の９０％がノルボルニル基であった。
（合成例３）
アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、合成例２で得た固形のオルガノポリシロキサン（樹脂２）１００ｇをトルエン１００ｇに溶解し、固形分濃度５０％の溶液を調製した。この溶液に、白金触媒を樹脂に対して白金原子で２０ｐｐｍ添加し、６０℃に加温した状態で、ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）として、下記式（９）で示される化合物（ＳｉＨ当量 １４７３ｇ／ｍｏｌ）２７．５ｇを滴下したところ、反応による発熱を観測した。この量は、Ｈ／Ｖｉ比（総アルケニル基に対するＳｉＨ基の比率）で０．５５に相当する。１００℃で２時間反応を行い、反応を完結させた。その後、減圧留去にて濃縮し、トルエンを留去して反応生成物を固形化した後、イソドデカンにて再溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、固形分濃度２０％の樹脂溶液（Ａ−２）を得た。また、固形分濃度６５％のイソドデカン溶液を、１．０μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ａ−３）を得た。また、この樹脂をＧＰＣにて重量平均分子量Ｍｗを測定したところ３０，０００であった。
Figure 2013179135
 （式中、Ｍｅはメチル基を示す。）
（合成例４）
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコ内に９，９’−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（Ｍ−１）４３．１ｇ、平均構造式（Ｍ−３）で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン２９．５ｇ、トルエン１３５ｇ、塩化白金酸０．０４ｇを仕込み、８０℃に昇温した。その後、１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン（Ｍ−５）１７．５ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、８５℃まで上昇した。滴下終了後、更に８０℃で２時間熟成した後、トルエンを留去すると共に、シクロヘキサノンを４３ｇ添加して、樹脂固形分濃度６５質量％のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この溶液の樹脂分の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量４５，０００であった。更に、この樹脂溶液５０ｇに、ヘキサメトキシメチロールメラミン（（株）三和ケミカル製、ニカラックＭＷ−３９０）を５ｇ、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン（和光純薬工業（株）製、ＢＳＤＭ）を０．２ｇ添加し、１．０μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ｂ−１）を得た。
（合成例５）
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した５Ｌフラスコ内に化合物（Ｍ−１）３９６．９ｇ、化合物（Ｍ−２）４５．０ｇをトルエン１，８７５ｇに溶解後、化合物（Ｍ−３）９４９．６ｇ、化合物（Ｍ−４）６．１ｇを加え、６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、内部反応温度が６５〜６７℃に昇温するのを確認後、更に、３時間９０℃まで加温後、再び６０℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、化合物（Ｍ−５）１０７．３ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、７８℃まで上昇した。滴下終了後、更に、９０℃で３時間熟成し、次いで室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１，７００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られた高分子化合物溶液に純水７６０ｇを加えて撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を６回繰り返し、高分子化合物溶液中の微量酸成分を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを７６７ｇ添加して、固形分濃度６０質量％のシクロペンタノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量６２，０００であり、式（６）における（ｉ＋ｊ）／（ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ）は０．１０である。更にこの樹脂溶液１００ｇにクレゾールノボラックのエポキシ体（日本化薬（株）製、ＥＯＣＮ１０２０−５５）を１６ｇ、テトラヒドロ無水フタル酸（新日本理化（株）製、リカシッドＨＨ−Ａ）０．２ｇを添加して、１．０μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ｂ−２）を得た。
Figure 2013179135
（実施例１〜３及び比較例１，２）
表面に高さ５０μｍ、直径６０μｍの銅ポストが全面に形成された２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）にスピンコートにて（Ａ−１）及び（Ａ−２）を表１に示す膜厚で、ウエハバンプ形成面に成膜した。このとき、樹脂をコート後、１５０℃で２分間ホットプレート上で加熱処理した。一方、直径２００ｍｍ（厚さ：７００μｍ）のガラス板を支持体とし、この支持体に（Ｂ−１）、（Ｂ−２）はスピンコートにて、表１の膜厚のフィルムを成型した。このとき、樹脂をコート後、１２０℃で２分間ホットプレート上で加熱処理した。この両方あるいは片方に樹脂層を有するシリコンウエハ及びガラス板をそれぞれ、樹脂面が合わされるように、真空貼り合わせ装置内で接合し、積層体基板を作製した（圧着条件）。２００ｍｍのウエハ接合は、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて行った。接合温度は表１に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は１０-3ｍｂａｒ以下、荷重は５ｋＮで実施した。
その後、下記試験を行った。結果を表１に示す。
−接着性試験−
接合後、一旦、１８０℃で１時間オーブンを用いて基板を加熱し、第二仮接着層（Ｂ）の硬化を実施したのち、室温まで冷却した後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−裏面研削耐性試験−
グラインダー（ＤＩＳＣＯ製、ＤＡＧ８１０）でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚５０μｍまでグラインドした後、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−耐熱性試験−
シリコンウエハを裏面研削した後の積層体を窒素雰囲気下の２５０℃オーブンに２時間入れた後、２７０℃のホットプレート上で１０分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−剥離性試験−
基板の剥離性は、５０μｍまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着版にセットした。その後、室温にて、ガラスの１点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。ガラス支持体及び５０μｍのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−洗浄除去性試験−
上記剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された２００ｍｍウエハ（耐熱性試験条件に晒されたもの）を、接着層を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてイソドデカンを３分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
Figure 2013179135
比較例１のように（Ｂ）層が存在しない場合、貼り合わせ時にウエハにダメージを与える可能性のある２６０℃という高い温度が必要なことに加え、（Ａ）層とガラス支持体及びウエハとの密着力が強く引き剥がし時にガラス支持体が割れてしまった。また比較例（２）のように（Ａ）層が存在しない場合、引き剥がし自体が出来ず、ウエハが真空吸着台から外れてしまった。一方実施例１〜３では、ウエハにダメージの無い低い温度で貼り合わせ可能で、かつ剥離も（Ａ）層と（Ｂ）層の界面から綺麗に剥離することができた。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に含有される。
１…ウェハ、 ２…支持体、 ３…仮接着材層、 （Ａ）…非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層、 （Ｂ）…熱硬化性変性シロキサン重合体層、 １０…ウェハ加工体。

Claims (21)

  1. 支持体上に仮接着材層が形成され、該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、
    前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層を備えたウエハ加工体。
  2. 前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの重合体層であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工体。
    （Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
    （ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
    （ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
    （前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
    Figure 2013179135
     さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
  3. 前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
    （Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
    （ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
    （ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
    （前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
    Figure 2013179135
     さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
    前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜３０モル％が炭素数２〜７のアルケニル基であるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）と、
    下記平均組成式（１）
    Ｒ７ ａＲ８ ｂＨｃＳｉＯ（４−ａ−ｂ―ｃ）／２ （１）
    （式中Ｒ７はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ８は２価の有機基である。ａ、ｂ、及びｃは０＜ａ≦２．５、０≦ｂ≦１、０．７５≦ａ＋ｂ≦２．５、０．００５≦ｃ≦１、かつ０．８≦ａ＋ｂ＋ｃ≦４を満たす正数である。）
    で示され、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を有するヒドロシリル基含有化合物であって、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）の総アルケニル基に対して総ＳｉＨ基が０．４〜１．０倍となる量の前記ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させて得たオルガノポリシロキサンの重合体層であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工体。
  4. 前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
    （Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
    （ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
    （ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
    （前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
    Figure 2013179135
     さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
    前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜２０モル％が水素原子であるヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）と、
    下記平均組成式（２）
    Ｒ９ ｄＲ１０ ｅＲ１１ ｆＳｉＯ（４−ｄ−ｅ―ｆ）／２ （２）
    （但し、式中Ｒ９はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ１０は２価の有機基である。Ｒ１１は炭素数２〜６のアルケニル基である。ｄ、ｅ、ｆは０＜ｄ≦２、０≦ｅ≦１、０．７５≦ｄ＋ｅ≦３、０．０１≦ｆ≦１、かつ０．８≦ｄ＋ｅ＋ｆ≦４を満たす正数である。）
    で示され、１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するアルケニル基含有化合物であって、前記ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）の総ＳｉＨ基に対して総アルケニル基が１．０〜２．５倍となる量の前記アルケニル基含有化合物（Ａ４）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させて得たオルガノポリシロキサンの重合体層であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工体。
  5. 前記ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）が、下記構造式（３）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、又は下記構造式（４）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するビスシリル化合物であることを特徴とする請求項３に記載のウエハ加工体。
    Figure 2013179135
     （式中、ｎは０〜４００の正数、Ｒ１２〜Ｒ１４は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。）
    Figure 2013179135
     （式中、Ｒ１５〜Ｒ１７は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。Ｗは２価の有機基である。）
  6. 前記重合体層（Ｂ）が、下記一般式（５）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシルフェニレン含有高分子化合物、又は下記一般式（６）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる熱硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のウエハ加工体。
    Figure 2013179135
     ［式中、Ｒ1８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ａは正数、Ｂは０又は正数である。Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基である。
    Figure 2013179135
     （式中、Ｚは
    Figure 2013179135
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
    Figure 2013179135
     ［式中、Ｒ１８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ｇ、ｈ、ｉ、ｊは０又は正数であり、但し、ｉ及びｊが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｉ＋ｊ）／（ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（８）で示される２価の有機基である。
    Figure 2013179135
     （式中、Ｚは
    Figure 2013179135
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
    Figure 2013179135
     （式中、Ｖは
    Figure 2013179135
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ２４、Ｒ２５はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｑは０、１、２のいずれかである。）］
  7. （ａ）請求項１乃至６のいずれか１項に記載のウェーハ加工体に対し、前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、
    （ｂ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程、
    （ｃ）前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程
    を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。
  8. 前記（ｃ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程は、
    加工を施したウエハの加工面にダイシングテープを接着し、該ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着し、前記吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を前記加工を施したウエハからピールオフにて剥離することにより行うことを特徴とする請求項７に記載の薄型ウエハの製造方法。
  9. 前記（ｃ）加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程後に、
    （ｄ）前記剥離したウエハの回路形成面に残存する非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）を除去する工程
    を行うことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の薄型ウエハの製造方法。
  10. 支持体上に仮接着材層が形成され、該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが仮接着されるウエハ加工用部材であって、
    前記仮接着材層が、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層上に積層され、前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層を備えたウエハ加工用部材。
  11. 前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの重合体層であることを特徴とする請求項１０に記載のウエハ加工用部材。
    （Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
    （ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
    （ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
    （前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
    Figure 2013179135
     さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
  12. 前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
    （Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
    （ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
    （ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
    （前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
    Figure 2013179135
     さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
    前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜３０モル％が炭素数２〜７のアルケニル基であるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）と、
    下記平均組成式（１）
    Ｒ７ ａＲ８ ｂＨｃＳｉＯ（４−ａ−ｂ―ｃ）／２ （１）
    （式中Ｒ７はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ８は２価の有機基である。ａ、ｂ、及びｃは０＜ａ≦２．５、０≦ｂ≦１、０．７５≦ａ＋ｂ≦２．５、０．００５≦ｃ≦１、かつ０．８≦ａ＋ｂ＋ｃ≦４を満たす正数である。）
    で示され、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を有するヒドロシリル基含有化合物であって、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）の総アルケニル基に対して総ＳｉＨ基が０．４〜１．０倍となる量の前記ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させて得たオルガノポリシロキサンの重合体層であることを特徴とする請求項１０に記載のウエハ加工用部材。
  13. 前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
    （Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
    （ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
    （ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
    （前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
    Figure 2013179135
     さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
    前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜２０モル％が水素原子であるヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）と、
    下記平均組成式（２）
    Ｒ９ ｄＲ１０ ｅＲ１１ ｆＳｉＯ（４−ｄ−ｅ―ｆ）／２ （２）
    （但し、式中Ｒ９はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ１０は２価の有機基である。Ｒ１１は炭素数２〜６のアルケニル基である。ｄ、ｅ、ｆは０＜ｄ≦２、０≦ｅ≦１、０．７５≦ｄ＋ｅ≦３、０．０１≦ｆ≦１、かつ０．８≦ｄ＋ｅ＋ｆ≦４を満たす正数である。）
    で示され、１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するアルケニル基含有化合物であって、前記ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）の総ＳｉＨ基に対して総アルケニル基が１．０〜２．５倍となる量の前記アルケニル基含有化合物（Ａ４）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させて得たオルガノポリシロキサンの重合体層であることを特徴とする請求項１０に記載のウエハ加工用部材。
  14. 前記ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）が、下記構造式（３）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、又は下記構造式（４）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するビスシリル化合物であることを特徴とする請求項１２に記載のウエハ加工用部材。
    Figure 2013179135
     （式中、ｎは０〜４００の正数、Ｒ１２〜Ｒ１４は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。）
    Figure 2013179135
     （式中、Ｒ１５〜Ｒ１７は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。Ｗは２価の有機基である。）
  15. 重合体層（Ｂ）が、下記一般式（５）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシルフェニレン含有高分子化合物、又は下記一般式（６）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる熱硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項に記載のウエハ加工用部材。
    Figure 2013179135
     ［式中、Ｒ1８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ａは正数、Ｂは０又は正数である。Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基である。
    Figure 2013179135
     （式中、Ｚは
    Figure 2013179135
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
    Figure 2013179135
     ［式中、Ｒ１８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ｇ、ｈ、ｉ、ｊは０又は正数であり、但し、ｉ及びｊが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｉ＋ｊ）／（ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（８）で示される２価の有機基である。
    Figure 2013179135
     （式中、Ｚは
    Figure 2013179135
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
    Figure 2013179135
     （式中、Ｖは
    Figure 2013179135
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ２４、Ｒ２５はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｑは０、１、２のいずれかである。）］
  16. 表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、前記ウエハの表面に接着かつ剥離可能な非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層され、前記支持体に接着かつ剥離可能な熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層とを有するウエハ加工用仮接着材。
  17. 前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンの重合体層であることを特徴とする請求項１６に記載のウエハ加工用仮接着材。
    （Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
    （ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
    （ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
    （前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
    Figure 2013179135
     さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
  18. 前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
    （Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
    （ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
    （ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
    （前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
    Figure 2013179135
     さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
    前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜３０モル％が炭素数２〜７のアルケニル基であるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）と、
    下記平均組成式（１）
    Ｒ７ ａＲ８ ｂＨｃＳｉＯ（４−ａ−ｂ―ｃ）／２ （１）
    （式中Ｒ７はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ８は２価の有機基である。ａ、ｂ、及びｃは０＜ａ≦２．５、０≦ｂ≦１、０．７５≦ａ＋ｂ≦２．５、０．００５≦ｃ≦１、かつ０．８≦ａ＋ｂ＋ｃ≦４を満たす正数である。）
    で示され、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を有するヒドロシリル基含有化合物であって、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ１）の総アルケニル基に対して総ＳｉＨ基が０．４〜１．０倍となる量の前記ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させて得たオルガノポリシロキサンの重合体層であることを特徴とする請求項１６に記載のウエハ加工用仮接着材。
  19. 前記重合体層（Ａ）が、下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される単位を含む非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサンのうち、
    （Ｉ）Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）：４０〜９９モル％
    （ＩＩ）Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）：５９モル％以下
    （ＩＩＩ）Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）：１〜３０モル％
    （前記Ｒ１〜Ｒ６は一価の有機基又は水素原子であり、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の５０モル％以上は炭素数３〜２０の非芳香族飽和炭化水素基であり、且つ、前記Ｒ１〜Ｒ３で示される全有機基及び水素原子中の４０モル％以上は、同一又は異なる、炭素数５〜７の下記環状構造を含む非芳香族飽和炭化水素基であり、
    Figure 2013179135
     さらに、前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の非芳香族飽和炭化水素基以外は、同一又は異なる、水素原子又は炭素数１〜７の置換又は非置換の１価炭化水素基である。）
    前記Ｒ１〜Ｒ６で示される全有機基及び水素原子中の２〜２０モル％が水素原子であるヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）と、
    下記平均組成式（２）
    Ｒ９ ｄＲ１０ ｅＲ１１ ｆＳｉＯ（４−ｄ−ｅ―ｆ）／２ （２）
    （但し、式中Ｒ９はアルケニル基を除く１価の有機基であり、Ｒ１０は２価の有機基である。Ｒ１１は炭素数２〜６のアルケニル基である。ｄ、ｅ、ｆは０＜ｄ≦２、０≦ｅ≦１、０．７５≦ｄ＋ｅ≦３、０．０１≦ｆ≦１、かつ０．８≦ｄ＋ｅ＋ｆ≦４を満たす正数である。）
    で示され、１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するアルケニル基含有化合物であって、前記ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ３）の総ＳｉＨ基に対して総アルケニル基が１．０〜２．５倍となる量の前記アルケニル基含有化合物（Ａ４）とを、白金族金属系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させて得たオルガノポリシロキサンの重合体層であることを特徴とする請求項１６に記載のウエハ加工用仮接着材。
  20. 前記ヒドロシリル基含有化合物（Ａ２）が、下記構造式（３）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、又は下記構造式（４）で示される両末端にＳｉＨ基を含有するビスシリル化合物であることを特徴とする請求項１８に記載のウエハ加工用仮接着材。
    Figure 2013179135
     （式中、ｎは０〜４００の正数、Ｒ１２〜Ｒ１４は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。）
    Figure 2013179135
     （式中、Ｒ１５〜Ｒ１７は、同一又は異なる、置換又は非置換の１価の有機基である。Ｗは２価の有機基である。）
  21. 前記重合体層（Ｂ）が、下記一般式（５）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシルフェニレン含有高分子化合物、又は下記一般式（６）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる熱硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項１６乃至請求項２０のいずれか一項に記載のウエハ加工用仮接着材。
    Figure 2013179135
     ［式中、Ｒ1８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ａは正数、Ｂは０又は正数である。Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基である。
    Figure 2013179135
     （式中、Ｚは
    Figure 2013179135
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
    Figure 2013179135
     ［式中、Ｒ１８〜Ｒ２１は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ｇ、ｈ、ｉ、ｊは０又は正数であり、但し、ｉ及びｊが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｉ＋ｊ）／（ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（７）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（８）で示される２価の有機基である。
    Figure 2013179135
     （式中、Ｚは
    Figure 2013179135
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ２２、Ｒ２３はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
    Figure 2013179135
     （式中、Ｖは
    Figure 2013179135
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ２４、Ｒ２５はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｑは０、１、２のいずれかである。）］
JP2012041499A 2012-02-28 2012-02-28 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 Active JP5687230B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012041499A JP5687230B2 (ja) 2012-02-28 2012-02-28 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US13/770,513 US8999817B2 (en) 2012-02-28 2013-02-19 Wafer process body, wafer processing member, wafer processing temporary adhesive material, and method for manufacturing thin wafer
TW102106040A TWI545171B (zh) 2012-02-28 2013-02-21 Wafer processing body, wafer processing member, temporary adhesive material for wafer processing, and manufacturing method of thin wafer
EP13000966.5A EP2634794B1 (en) 2012-02-28 2013-02-26 Adhesive layer for use in temporarily supporting a wafer during processing, wafer support with adhesive layer for processing wafer, wafer-adhesive-support composite and method of manufacturing a thin wafer
KR1020130021057A KR101907010B1 (ko) 2012-02-28 2013-02-27 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012041499A JP5687230B2 (ja) 2012-02-28 2012-02-28 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013179135A true JP2013179135A (ja) 2013-09-09
JP5687230B2 JP5687230B2 (ja) 2015-03-18

Family

ID=49270528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012041499A Active JP5687230B2 (ja) 2012-02-28 2012-02-28 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5687230B2 (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015053132A1 (ja) * 2013-10-07 2015-04-16 東レ株式会社 素子加工用積層体、素子加工用積層体の製造方法、およびこれを用いた薄型素子の製造方法
WO2015072418A1 (ja) * 2013-11-12 2015-05-21 信越化学工業株式会社 シリコーン接着剤組成物及び固体撮像デバイス
JP2015154063A (ja) * 2014-02-19 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2015190438A1 (ja) * 2014-06-10 2015-12-17 日産化学工業株式会社 仮接着剤を用いた積層体
KR20160020349A (ko) 2014-08-13 2016-02-23 제이에스알 가부시끼가이샤 적층체, 기재의 처리 방법, 가고정용 조성물 및 반도체 장치
JP2016122730A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
KR20160090819A (ko) 2013-11-26 2016-08-01 제이에스알 가부시끼가이샤 적층체, 기재의 처리 방법, 가고정용 조성물 및 반도체 장치
JP2017013311A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
JP2017050322A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Jsr株式会社 基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法
JP2017112298A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 日本特殊陶業株式会社 静電チャックの製造方法
WO2018216732A1 (ja) 2017-05-24 2018-11-29 日産化学株式会社 エポキシ変性ポリシロキサンを含有する仮接着剤
KR20180133213A (ko) * 2017-06-05 2018-12-13 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 기판 가공용 가접착 필름 롤, 박형 기판의 제조 방법
WO2019009365A1 (ja) 2017-07-06 2019-01-10 日産化学株式会社 フェニル基含有ポリシロキサンを含有する仮接着剤
KR20190019932A (ko) 2016-06-22 2019-02-27 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 폴리디메틸실록산을 함유하는 접착제
WO2019212008A1 (ja) 2018-05-01 2019-11-07 日産化学株式会社 耐熱性重合禁止剤を含むポリシロキサンを含有する仮接着剤
WO2020100966A1 (ja) 2018-11-16 2020-05-22 日産化学株式会社 赤外線剥離用接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法及び剥離方法
WO2020100965A1 (ja) 2018-11-16 2020-05-22 日産化学株式会社 積層体の剥離方法、積層体及び積層体の製造方法
WO2020111069A1 (ja) 2018-11-28 2020-06-04 日産化学株式会社 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法
CN114096633A (zh) * 2019-07-11 2022-02-25 信越化学工业株式会社 基板加工用临时粘合材料及层叠体的制造方法
WO2022045026A1 (ja) 2020-08-27 2022-03-03 日産化学株式会社 積層体及び剥離剤組成物
TWI797062B (zh) * 2015-08-18 2023-04-01 日商信越化學工業股份有限公司 晶圓加工用接著材、晶圓層合體及薄型晶圓之製造方法
CN113840670B (zh) * 2019-05-22 2024-05-10 信越化学工业株式会社 清洗剂组合物、基板的清洗方法和支承体或基板的清洗方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142401A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Tomoegawa Paper Co Ltd 半導体装置製造用接着シート、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP2006104293A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Dow Corning Toray Co Ltd ポリオルガノシロキサン及びそれを含む硬化性シリコーン組成物並びにその用途
JP2007138149A (ja) * 2005-10-20 2007-06-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物及び該接着剤からなる接着層を備えたシート
JP2007150065A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着テープ
JP2008034623A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
JP2008184571A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Shin Etsu Chem Co Ltd シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜
JP2008532313A (ja) * 2005-03-01 2008-08-14 ダウ・コーニング・コーポレイション 半導体加工のための一時的なウェハ結合法
JP2011094115A (ja) * 2009-09-30 2011-05-12 Shin-Etsu Chemical Co Ltd エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
JP2011155065A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウェハ加工用接着フィルム及びその製造方法
JP2012012573A (ja) * 2010-06-04 2012-01-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法
JP2012033737A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハの取り扱い方法
JP2013048215A (ja) * 2011-07-27 2013-03-07 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142401A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Tomoegawa Paper Co Ltd 半導体装置製造用接着シート、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP2006104293A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Dow Corning Toray Co Ltd ポリオルガノシロキサン及びそれを含む硬化性シリコーン組成物並びにその用途
JP2008532313A (ja) * 2005-03-01 2008-08-14 ダウ・コーニング・コーポレイション 半導体加工のための一時的なウェハ結合法
JP2007138149A (ja) * 2005-10-20 2007-06-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物及び該接着剤からなる接着層を備えたシート
JP2007150065A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着テープ
JP2008034623A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
JP2008184571A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Shin Etsu Chem Co Ltd シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜
JP2011094115A (ja) * 2009-09-30 2011-05-12 Shin-Etsu Chemical Co Ltd エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
JP2011155065A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウェハ加工用接着フィルム及びその製造方法
JP2012012573A (ja) * 2010-06-04 2012-01-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法
JP2012033737A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハの取り扱い方法
JP2013048215A (ja) * 2011-07-27 2013-03-07 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015053132A1 (ja) * 2013-10-07 2017-03-09 東レ株式会社 素子加工用積層体、素子加工用積層体の製造方法、およびこれを用いた薄型素子の製造方法
WO2015053132A1 (ja) * 2013-10-07 2015-04-16 東レ株式会社 素子加工用積層体、素子加工用積層体の製造方法、およびこれを用いた薄型素子の製造方法
WO2015072418A1 (ja) * 2013-11-12 2015-05-21 信越化学工業株式会社 シリコーン接着剤組成物及び固体撮像デバイス
TWI635152B (zh) * 2013-11-12 2018-09-11 信越化學工業股份有限公司 聚矽氧接著劑組成物及固體攝影裝置
US9796892B2 (en) 2013-11-12 2017-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone adhesive composition and solid-state imaging device
JPWO2015072418A1 (ja) * 2013-11-12 2017-03-16 信越化学工業株式会社 シリコーン接着剤組成物及び固体撮像デバイス
US10086583B2 (en) 2013-11-26 2018-10-02 Jsr Corporation Stack, method for treating substrate material, temporary fixing composition, and semiconductor device
KR20160090819A (ko) 2013-11-26 2016-08-01 제이에스알 가부시끼가이샤 적층체, 기재의 처리 방법, 가고정용 조성물 및 반도체 장치
JP2015154063A (ja) * 2014-02-19 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20170016331A (ko) 2014-06-10 2017-02-13 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 가접착제를 이용한 적층체
WO2015190438A1 (ja) * 2014-06-10 2015-12-17 日産化学工業株式会社 仮接着剤を用いた積層体
KR102316850B1 (ko) * 2014-06-10 2021-10-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 가접착제를 이용한 적층체
JPWO2015190438A1 (ja) * 2014-06-10 2017-04-20 日産化学工業株式会社 仮接着剤を用いた積層体
US10903106B2 (en) 2014-06-10 2021-01-26 Nissan Chemical Industries, Ltd. Layered body of temporary adhesive
KR20160020349A (ko) 2014-08-13 2016-02-23 제이에스알 가부시끼가이샤 적층체, 기재의 처리 방법, 가고정용 조성물 및 반도체 장치
JP2016122730A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2017013311A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
TWI797062B (zh) * 2015-08-18 2023-04-01 日商信越化學工業股份有限公司 晶圓加工用接著材、晶圓層合體及薄型晶圓之製造方法
JP2017050322A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Jsr株式会社 基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法
JP2017112298A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 日本特殊陶業株式会社 静電チャックの製造方法
US11183415B2 (en) 2016-06-22 2021-11-23 Nissan Chemical Corporation Adhesive containing polydimethyl siloxane
KR20190019932A (ko) 2016-06-22 2019-02-27 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 폴리디메틸실록산을 함유하는 접착제
KR20230074835A (ko) 2017-05-24 2023-05-31 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 에폭시변성 폴리실록산을 함유하는 가접착제
KR20200010207A (ko) 2017-05-24 2020-01-30 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 에폭시변성 폴리실록산을 함유하는 가접착제
WO2018216732A1 (ja) 2017-05-24 2018-11-29 日産化学株式会社 エポキシ変性ポリシロキサンを含有する仮接着剤
JP2018203880A (ja) * 2017-06-05 2018-12-27 信越化学工業株式会社 基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法
KR102440639B1 (ko) 2017-06-05 2022-09-06 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 기판 가공용 가접착 필름 롤, 박형 기판의 제조 방법
US10796939B2 (en) 2017-06-05 2020-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Temporary adhesive film roll for substrate processing, method for manufacturing thin wafer
KR20180133213A (ko) * 2017-06-05 2018-12-13 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 기판 가공용 가접착 필름 롤, 박형 기판의 제조 방법
KR20200026895A (ko) 2017-07-06 2020-03-11 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 페닐기함유 폴리실록산을 함유하는 가접착제
WO2019009365A1 (ja) 2017-07-06 2019-01-10 日産化学株式会社 フェニル基含有ポリシロキサンを含有する仮接着剤
US11345837B2 (en) 2017-07-06 2022-05-31 Nissan Chemical Corporation Temporary adhesive containing phenyl group-containing polysiloxane
WO2019212008A1 (ja) 2018-05-01 2019-11-07 日産化学株式会社 耐熱性重合禁止剤を含むポリシロキサンを含有する仮接着剤
KR20210005028A (ko) 2018-05-01 2021-01-13 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 내열성 중합금지제를 포함하는 폴리실록산을 함유하는 가접착제
KR20210092776A (ko) 2018-11-16 2021-07-26 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 적층체의 박리 방법, 적층체 및 적층체의 제조 방법
KR20210090693A (ko) 2018-11-16 2021-07-20 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 적외선 박리용 접착제 조성물, 적층체, 적층체의 제조 방법 및 박리 방법
WO2020100965A1 (ja) 2018-11-16 2020-05-22 日産化学株式会社 積層体の剥離方法、積層体及び積層体の製造方法
WO2020100966A1 (ja) 2018-11-16 2020-05-22 日産化学株式会社 赤外線剥離用接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法及び剥離方法
KR20210096144A (ko) 2018-11-28 2021-08-04 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 접착제 조성물, 적층체 및 적층체의 제조 방법, 그리고 반도체 형성 기판을 박화하는 방법
WO2020111069A1 (ja) 2018-11-28 2020-06-04 日産化学株式会社 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法
US11776837B2 (en) 2018-11-28 2023-10-03 Nissan Chemical Corporation Adhesive agent composition, layered product and production method for layered product, and method for reducing thickness of semiconductor forming substrate
CN113840670B (zh) * 2019-05-22 2024-05-10 信越化学工业株式会社 清洗剂组合物、基板的清洗方法和支承体或基板的清洗方法
CN114096633A (zh) * 2019-07-11 2022-02-25 信越化学工业株式会社 基板加工用临时粘合材料及层叠体的制造方法
WO2022045026A1 (ja) 2020-08-27 2022-03-03 日産化学株式会社 積層体及び剥離剤組成物
KR20230058653A (ko) 2020-08-27 2023-05-03 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 적층체 및 박리제 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JP5687230B2 (ja) 2015-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5687230B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5767159B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
KR101907010B1 (ko) 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
JP6130522B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5983519B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5846060B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5958262B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6589766B2 (ja) ウエハ加工用接着材、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法
JP6023737B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
KR101924403B1 (ko) 웨이퍼 가공용 가접착재, 이를 이용한 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공체, 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
JP6225894B2 (ja) ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP5409695B2 (ja) オルガノポリシロキサン、オルガノポリシロキサンを含む仮接着剤組成物、及びそれを用いた薄型ウエハの製造方法
JP2014241399A (ja) ウエハ用仮接着材料、それらを用いた仮接着用フィルム、及びウエハ加工体並びにそれらを使用した薄型ウエハの製造方法
JP5767155B2 (ja) ウエハ加工体、支持体の再生方法及びウエハ加工用仮接着材
JP7045765B2 (ja) 回路付基板加工体及び回路付基板加工方法
JP7454922B2 (ja) 基板加工用仮接着材料及び積層体の製造方法
JP2020097217A (ja) 積層体の製造方法、及び基板の製造方法
JP7351260B2 (ja) デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140415

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140417

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140606

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150121

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5687230

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150