JP2013174477A - 検査装置および検査方法 - Google Patents
検査装置および検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013174477A JP2013174477A JP2012038272A JP2012038272A JP2013174477A JP 2013174477 A JP2013174477 A JP 2013174477A JP 2012038272 A JP2012038272 A JP 2012038272A JP 2012038272 A JP2012038272 A JP 2012038272A JP 2013174477 A JP2013174477 A JP 2013174477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- solar cell
- irradiation
- cell panel
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000010998 test method Methods 0.000 title 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 114
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 53
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 24
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】検査装置100は、フォトデバイスの一種である太陽電池パネル90を検査する。検査装置100は、フェムト秒レーザー121から出射されるパルス光(ポンプ光LP11)を太陽電池パネル90に照射する照射部12と、ポンプ光LP11の照射に応じて太陽電池パネル90から発生する電磁波パルスLT1を検出する検出部13と、太陽電池パネル90におけるポンプ光LP11が照射されている部分に対して、連続光CWを照射する連続光照射部14とを備えている。
【選択図】図1
Description
<1.1. 構成および機能>
図1は、第1実施形態に係る検査装置100の概略構成図である。また、図2は、第1実施形態に係る照射部12および検出部13の概略構成図である。
次に、フォトデバイスである太陽電池パネル90の検査の流れについて説明する。本実施形態に係る検査装置100は、大きく分けて2種類の検査(第1検査および第2検査)を行うことができるように構成されている。
図6は、第1検査の流れ図である。なお、図6に示される第1検査の流れは一例である。したがって、いくつかの工程が並列的に実行され、または、いくつかの工程の実行順序が適宜変更されることも考えられる。
次に、第2検査について説明する。図10は、第2検査の流れ図である。第2検査においては、まず、太陽電池パネル90がステージ11に固定される(ステップS21)。この工程は、図6に示される第1検査のステップS11と同様である。次に、太陽電池パネル90の裏面電極92と受光面電極96との間に、逆バイアス電圧が印加される(ステップS22)。なお、この逆バイアス電圧の印加は必ずしも行われる必要はなく、無バイアス状態で第2検査が行われることも考えられる。
図12は、第2実施形態に係る検査装置100Aの照射部12Aと検出部13Aの概略構成図である。なお、以下の説明において、第1実施形態に係る検査装置100の構成要素と同様の機能を有する要素については同一符号を付してその説明を省略する。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
11 ステージ
12,12A,12B 照射部
121 フェムト秒レーザー
13,13A,13B 検出部
131 遅延部
132 検出器
14 連続光照射部
141 照射条件変更部
16 制御部
21 時間波形構築部
23 スペクトル解析部
25 画像生成部
41,61〜64 時間波形
51 スペクトル分布
71 電界強度分布画像
90 太陽電池パネル
91S 受光面
92 裏面電極
93 p型シリコン層
94 n型シリコン層
96 受光面電極
97 pn接合部
99 逆バイアス電圧印加回路
CW 連続光
LP11 ポンプ光(パルス光)
LT1 電磁波パルス
Claims (7)
- フォトデバイスを検査する検査装置であって、
フェムト秒レーザーから出射されるパルス光を前記フォトデバイスに照射する照射部と、
前記パルス光の照射に応じて前記フォトデバイスから発生する電磁波を検出する検出部と、
前記フォトデバイスにおける前記パルス光が照射されている部分に対して、連続光を照射する連続光照射部と、
を備えている検査装置。 - 請求項1に記載の検査装置において、
前記連続光の照射径または強度を変更する照射条件変更部、をさらに備えている検査装置。 - 請求項1または2に記載の検査装置において、
前記連続光は、相互に異なる複数の波長を持つ光を含む検査装置。 - 請求項3に記載の検査装置において、
前記フォトデバイスが太陽電池であり、かつ、前記連続光が疑似太陽光を含む検査装置。 - 請求項1または2に記載の検査装置において、
前記連続光は、単一波長のレーザー光である検査装置。 - 請求項1から5までのいずれか1項に記載の検査装置において、
前記フォトデバイスを逆バイアス状態とする電圧を印加する逆バイアス電圧印加部、
をさらに備えている検査装置。 - フォトデバイスを検査する検査方法であって、
(a) フェムト秒レーザーから出射されたパルス光を前記フォトデバイスに照射する工程と、
(b) 前記パルス光の照射に応じて前記フォトデバイスから発生する電磁波を検出する工程と、
(c) 前記フォトデバイスにおける、前記パルス光が照射されている部分に対して、連続光を照射する工程と、
を有している検査方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012038272A JP5892597B2 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 検査装置および検査方法 |
US13/744,987 US9103870B2 (en) | 2012-02-24 | 2013-01-18 | Inspection apparatus and inspection method |
EP13153055.2A EP2631635B1 (en) | 2012-02-24 | 2013-01-29 | Inspection apparatus and inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012038272A JP5892597B2 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 検査装置および検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013174477A true JP2013174477A (ja) | 2013-09-05 |
JP5892597B2 JP5892597B2 (ja) | 2016-03-23 |
Family
ID=47715857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012038272A Expired - Fee Related JP5892597B2 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 検査装置および検査方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9103870B2 (ja) |
EP (1) | EP2631635B1 (ja) |
JP (1) | JP5892597B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016007105A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP2016133344A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 株式会社Screenホールディングス | 光強度設定方法、検査方法および検査装置 |
JP2016157780A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 横河電機株式会社 | 光電変換素子評価装置 |
JP2018500568A (ja) * | 2014-12-23 | 2018-01-11 | マツクス−プランク−ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウMAX−PLANCK−GESELLSCHAFT ZUR FOeRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. | 試料スペクトル応答を測定するための方法および装置 |
CN108667426A (zh) * | 2018-07-10 | 2018-10-16 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 应用于光伏器件的载流子动力学过程测量装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG166089A1 (en) | 2009-05-01 | 2010-11-29 | Dcg Systems Inc | Systems and method for laser voltage imaging state mapping |
DE202011109424U1 (de) * | 2011-12-23 | 2012-01-20 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Vorrichtung zur industriellen Verdrahtung und Endprüfung von photovoltaischen Konzentratormodulen |
KR20140122943A (ko) * | 2013-04-11 | 2014-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 결정화 시료 검사 장치 |
CN104184413A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 新科实业有限公司 | 太阳能电池板的测试方法及测试装置 |
JP6923344B2 (ja) * | 2017-04-13 | 2021-08-18 | 株式会社Screenホールディングス | 周縁処理装置および周縁処理方法 |
KR20230117006A (ko) * | 2022-01-28 | 2023-08-07 | 연세대학교 산학협력단 | 반도체 구조체 결함 모니터링 방법 및 장치 |
US20240151770A1 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-09 | Kla Corporation | Methods And Systems For Measurement Of Semiconductor Structures Based On Derivative Measurement Signals |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06194430A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 太陽電池の評価方法 |
JPH11340293A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-12-10 | Siemens Ag | 半導体デバイス中のド―パント不純物濃度の非破壊測定方法 |
JP2010060317A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体検査装置及び検査方法 |
JP2010182969A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池のi−v特性の測定方法及び太陽電池 |
JP2010266242A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Sharp Corp | 検査装置、および検査方法 |
JP2013511861A (ja) * | 2009-11-19 | 2013-04-04 | ファーウェイ デバイス カンパニー リミテッド | プラグを有する電子装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4389085A (en) * | 1978-02-22 | 1983-06-21 | Kei Mori | Lighting system utilizing the sunlight |
JPH05226431A (ja) | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Nippon Steel Corp | 電気信号測定装置 |
JP4001373B2 (ja) | 2003-01-21 | 2007-10-31 | 独立行政法人理化学研究所 | 集積回路断線検査方法と装置 |
JP4683869B2 (ja) | 2004-07-08 | 2011-05-18 | 独立行政法人理化学研究所 | 半導体デバイスの故障診断方法と装置 |
JP5196779B2 (ja) | 2006-03-17 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 光伝導素子及びセンサ装置 |
JP4975001B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 波形情報取得装置及び波形情報取得方法 |
US8803537B2 (en) * | 2010-02-22 | 2014-08-12 | First Solar, Inc. | Solar module test control |
JP5216114B2 (ja) | 2011-03-01 | 2013-06-19 | 日本電信電話株式会社 | 通話区間検出装置、その方法、及びプログラム |
-
2012
- 2012-02-24 JP JP2012038272A patent/JP5892597B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-18 US US13/744,987 patent/US9103870B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-29 EP EP13153055.2A patent/EP2631635B1/en not_active Not-in-force
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06194430A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 太陽電池の評価方法 |
JPH11340293A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-12-10 | Siemens Ag | 半導体デバイス中のド―パント不純物濃度の非破壊測定方法 |
JP2010060317A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体検査装置及び検査方法 |
JP2010182969A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池のi−v特性の測定方法及び太陽電池 |
JP2010266242A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Sharp Corp | 検査装置、および検査方法 |
JP2013511861A (ja) * | 2009-11-19 | 2013-04-04 | ファーウェイ デバイス カンパニー リミテッド | プラグを有する電子装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016007105A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP2018500568A (ja) * | 2014-12-23 | 2018-01-11 | マツクス−プランク−ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウMAX−PLANCK−GESELLSCHAFT ZUR FOeRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. | 試料スペクトル応答を測定するための方法および装置 |
JP2016133344A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 株式会社Screenホールディングス | 光強度設定方法、検査方法および検査装置 |
JP2016157780A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 横河電機株式会社 | 光電変換素子評価装置 |
KR101757104B1 (ko) * | 2015-02-24 | 2017-07-11 | 요코가와 덴키 가부시키가이샤 | 광전 변환 소자 평가 장치 |
US10298174B2 (en) | 2015-02-24 | 2019-05-21 | Yokogawa Electric Corporation | Photoelectric conversion element evaluation apparatus |
CN108667426A (zh) * | 2018-07-10 | 2018-10-16 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 应用于光伏器件的载流子动力学过程测量装置 |
CN108667426B (zh) * | 2018-07-10 | 2023-12-22 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 应用于光伏器件的载流子动力学过程测量装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9103870B2 (en) | 2015-08-11 |
EP2631635B1 (en) | 2016-10-19 |
JP5892597B2 (ja) | 2016-03-23 |
US20130222004A1 (en) | 2013-08-29 |
EP2631635A1 (en) | 2013-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5892597B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP5804362B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6078870B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6395205B2 (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
JP6044893B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP5835795B2 (ja) | 検査方法および検査装置 | |
JP6406656B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6342622B2 (ja) | フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 | |
JP6395206B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2014192444A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6078869B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6352715B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2021048351A (ja) | 検査方法および検査装置 | |
JP2013170864A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2016133344A (ja) | 光強度設定方法、検査方法および検査装置 | |
JP2016029345A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6099131B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6355100B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2019058042A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2016151536A (ja) | 検査装置および検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5892597 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |