JP2013172013A - 基板処理装置、基板処理方法及び基板温度の設定可能帯域の変更方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は、処理容器12、基台14、静電チャック50、チラー99、第1流路94、第2流路95、バイパス流路96及び流量調整バルブ98を備える。第1流路94は、チラー99と基台14の冷媒入口とを接続する。第2流路95は、チラー99と基台14の冷媒出口とを接続する。バイパス流路96は、第1流路94の中間から分岐して第2流路95の中間に接続する。流量調整バルブ98は、バイパス流路96へ流入させる冷媒の流量を制御する。
【選択図】図5
Description
Claims (9)
- 処理空間を画成する処理容器と、
前記処理空間内に配置され、入口及び出口まで延在する冷媒用の流路がその内部に設けられた基台、及び、前記基台の上面に接着剤を介して設けられ、その内部又は下面にヒータが設けられた静電チャックを有する載置台と、
冷却能力が飽和する温度より小さい温度に前記冷媒の温度を制御する本体部及び前記冷媒を搬送するポンプを有するチラーと、
前記チラーと前記入口とを接続する第1流路と、
前記チラーと前記出口とを接続する第2流路と、
前記第1流路の中間から分岐して前記第2流路の中間に接続するバイパス流路と、
前記バイパス流路へ流入させる前記冷媒の流量を制御する流量調整バルブと、
を備える基板処理装置。 - 前記ポンプは、一定流量である第1流量で前記冷媒を搬送し、
前記流量調整バルブは、前記バイパス流路へ前記冷媒を流入させることで、第1流量よりも小さい第2流量の前記冷媒を前記冷媒用の流路へ流入させる請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理空間に設けられた第1電極と、
前記第1電極及び前記基台に電圧を印加する電源と、
前記流量調整バルブを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、プロセス処理中の冷媒温度、前記電源の印加電力及び基板温度の目標温度に基づいて、前記バイパス流路へ流入させる前記冷媒の流量を制御する請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記ヒータに接続され、前記バイパス流路へ流入させる前記冷媒の流量及び前記目標温度に基づいて前記ヒータの発熱量を制御する請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記静電チャックは、基板を支持する基板支持面と、前記基板支持面の周囲に形成されたフォーカスリング支持面とを有し、
前記ヒータ及び前記冷媒による温度制御可能な領域が、前記基板支持面及び前記フォーカスリング支持面である請求項1〜4の何れか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ヒータは、前記基板支持面及び前記フォーカスリング支持面の下方にそれぞれ配置される請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記基板支持面の下方に配置された前記ヒータから前記基台までの厚さ方向の構造と、前記フォーカスリング支持面の下方に配置された前記ヒータから前記基台までの厚さ方向の構造とが同一である請求項6に記載の基板処理装置。
- 基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
処理空間を画成する処理容器と、
前記処理空間内に配置され、入口及び出口まで延在する冷媒用の流路がその内部に設けられた基台、及び、前記基台の上面に接着剤を介して設けられ、その内部又は下面にヒータが設けられた静電チャックを有する載置台と、
冷却能力が飽和する温度より小さい温度に前記冷媒の温度を制御する本体部及び前記冷媒を搬送するポンプを有するチラーと、
前記チラーと前記入口とを接続する第1流路と、
前記チラーと前記出口とを接続する第2流路と、
前記第1流路の中間から分岐して前記第2流路の中間に接続するバイパス流路と、
前記バイパス流路へ流入する流量を制御する流量調整バルブと、
を含み、
該基板処理方法は、
基板温度を上昇させる際には、前記流量調整バルブを制御して前記基台へ流入する前記冷媒の流量を第1流量よりも小さい第2流量へ変更するステップを備える基板処理方法。 - 基板処理装置の基板温度の設定可能帯域の変更方法であって、
前記基板処理装置は、
処理空間を画成する処理容器と、
前記処理空間内に配置され、入口及び出口まで延在する冷媒用の流路がその内部に設けられた基台、及び、前記基台の上面に接着剤を介して設けられ、その内部又は下面にヒータが設けられた静電チャックを有する載置台と、
冷却能力が飽和する温度より小さい温度に前記冷媒の温度を制御する本体部及び前記冷媒を搬送するポンプを有するチラーと、
を含み、
該変更方法は、
前記基台へ流入する前記冷媒の流量を第1流量よりも小さい第2流量へ変更させることで、前記載置台の熱伝達率を第1熱伝達率よりも低い第2熱伝達率へ変更し、前記接着剤の材料に起因する耐熱温度以下での前記ヒータによる基板温度の設定可能帯域を拡大させるステップを備える基板温度の設定可能帯域の変更方法。
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