JP2013171233A - 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】トランジスターの特性を補償しつつ、発光素子に電流を精度良く供給する。
【解決手段】初期化期間において、保持容量４４の一端に初期電位Ｖiniを印加するとともに、他端に所定の電位Ｖrefを印加し、補償期間において、初期電位Ｖiniの印加を解除する一方、電位Ｖrefの印加を維持した状態で、トランジスター１２２、１２３をそれぞれオンさせ、初期化期間から補償期間までに至るまでに、デマルチプレクサ３０を制御して、データ信号の電位を保持容量４１に保持させ、書込期間において、電位Ｖrefの印加を解除した状態で、トランスミッションゲート４２をオンさせる。
【選択図】図８

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器に関する。例えば画素回路が微細化したときに有効な電気光学装置に関する。

近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）素子などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。この電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して、上記発光素子やトランジスターなどを含む画素回路が、表示すべき画像の画素に対応して設けられる構成が一般的である。このような構成において、画素の階調レベルに応じた電位のデータ信号が当該トランジスターのゲートに印加されると、当該トランジスターは、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を発光素子に供給する。これにより、当該発光素子は、階調レベルに応じた輝度で発光する。このとき、トランジスターの閾値電圧などの特性が画素回路毎にばらついていると、表示画面の一様性を損なうような表示ムラが発生する。

一方で、表示サイズの小型化・高精細化が進行すると、データ線の配列ピッチが異方性導電接着材で接続が可能なピッチの下限値を下回ってしまい、各データ線と、当該データ線を駆動するドライバー（データ線駆動回路）とを接続することができなくなる。このため、複数のデータ線を例えば複数のａ列毎にグループ化し、各ブロックに属するデータ信号を時分割で供給する一方で、ａ列のデータ線を１列ずつ選択して供給するデマルチプレクサを用いた技術も普及しつつある。
このような背景のもと、近年では、デマルチプレクサを用いつつ、画素回路におけるトランジスターの特性を補償する技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。

特開２０１１−５３６３５号公報

ところで、表示サイズの小型化と表示の高精細化とを両立するために、画素回路を微細化したとき、発光素子への供給電流を微小領域で制御する必要がある。発光素子に供給される電流は、トランジスターのゲート・ソース間の電圧によって制御されるが、微小領域では、ゲート・ソース間の電圧のわずかな変化に対して、発光素子に供給される電流が大きく変化してしまうので、細かい階調変化を表現することが困難となる。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、トランジスターの特性を補償しつつ、発光素子に電流を精度良く供給することが可能な電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器を提供することにある。

上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置にあっては、第１データ線と、第２データ線と、一端が前記第１データ線に接続された第１保持容量と、一端が前記第２データ線に接続された第２保持容量と、前記第１データ線に対応して設けられた第１画素回路と、前記第２データ線に対応して設けられた第２画素回路と、前記第１データ線に対応して設けられ、入力端と前記第１保持容量の他端に電気的に接続された出力端との間でオンまたはオフする第１スイッチと、前記第２データ線に対応して設けられ、入力端と前記第２保持容量の他端に電気的に接続された出力端との間をオンまたはオフする第２スイッチと、共通端子に供給されたデータ信号を、前記第１スイッチの入力端と前記第２スイッチの入力端とに供給するデマルチプレクサと、前記第１スイッチの入力端の電位を保持する第１保持部と、前記第２スイッチの入力端の電位を保持する第２保持部と、駆動回路と、を有し、前記第１画素回路および第２画素回路の各々は、発光素子と、前記発光素子に電流を供給する第１トランジスターと、前記第１データ線または前記第２データ線のうち対応するデータ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、前記第１トランジスターにおけるゲートとドレインとの間でオンまたはオフする第３トランジスターと、を含み、前記駆動回路は、第１期間において、前記第１保持容量の一端および前記第２保持容量の一端に、それぞれ初期電位を印加するとともに、前記第１保持容量の他端および前記第２保持容量の他端に、それぞれ所定の基準電位を印加し、前記第１期間の後の第２期間において、前記初期電位の印加を解除する一方、前記基準電位の印加を維持した状態で、前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをそれぞれオンさせ、前記第１期間の開始から前記第２期間の終了までに至るまでに、前記デマルチプレクサを制御して、前記第１画素回路に対応するデータ信号の電位を前記第１保持部によって保持させるとともに、前記第２画素回路に対応するデータ信号の電位を前記第２保持部によって保持させ、前記第２期間の後の第３期間において、前記基準電位の印加を解除した状態で、前記第１スイッチおよび前記第２スイッチをそれぞれオンさせることを特徴とする。

本発明によれば、第１期間では、第１データ線、第２データ線および第１トランジスターのゲートノードは、初期電位に初期化される。第２期間に、第２トランジスターおよび第３トランジスターがそれぞれオンしたとき、第１トランジスターは、第３トランジスターによってダイオード接続となるので、第１データ線、第２データ線および第１トランジスターのゲートノードは、当該第１トランジスターの閾値電圧に対応した電位となる。一方、第１保持部には、第１画素回路に対応したデータ信号の電位が保持され、第２保持部には、第２画素回路に対応したデータ信号の電位が保持される。第３期間において、第１スイッチがオンすると、第１保持部に保持されたデータ信号が第１保持容量の他端に供給され、第２スイッチがオンすると、第２保持部に保持されたデータ信号が第２保持容量の他端に供給されるので、第１トランジスターのゲートノードは、閾値電圧に応じた電位から、当該第１（第２）保持容量の他端における電位変動を容量比に応じた分だけシフトする。このため、第１トランジスターのゲートにおける電位範囲は、第１（第２）保持容量の他端における電位範囲に対し狭められる。したがって、本発明によれば、細かい精度のデータ信号を必要としない一方で、トランジスターの特性を補償しつつ、発光素子に供給する電流を精度良く供給することができる。

本発明において、前記第１トランジスターがＰチャンネル型であるとき、階調レベルが最も暗いレベルに相当するデータ信号の電位を、前記基準電位以上とする構成が好ましく、また、前記第１トランジスターがＮチャンネル型であるとき、階調レベルが最も暗いレベルに相当するデータ信号の電位を、前記基準電位以下とする構成が好ましい。この構成によれば、階調レベルが最も暗いレベルのときに、発光素子に電流が流れないので、黒が浮いてしまう、いわゆる黒浮きを抑えることが可能になる。

本発明において、前記駆動回路は、前記第１画素回路の第３トランジスターをオフさせてから前記第１スイッチをオンさせるまでの時間と、前記第２画素回路の第３トランジスターをオフさせてから前記第２スイッチをオンさせるまでの時間と、が同じとなるように制御する構成が好ましい。この構成によれば、第１画素回路と第２画素回路とで生じる表示のムラを抑えることができる。
なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器としては、典型的にはヘッドマウント・ディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。

本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示す斜視図である。 同電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置における画素回路を示す図である。 同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。 同電気光学装置の動作説明図である。 同電気光学装置の動作説明図である。 同電気光学装置の動作説明図である。 同電気光学装置の動作説明図である。 同電気光学装置の動作を説明するための式を示す図である。 同電気光学装置の動作を説明するための式を示す図である。 同電気光学装置におけるデータ信号の振幅圧縮を示す図である。 同電気光学装置におけるトランジスターの特性を示す図である。 実施形態等に係る電気光学装置を用いたＨＭＤを示す斜視図である。 ＨＭＤの光学構成を示す図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す斜視図である。
この電気光学装置１０は、例えばＨＭＤ（Head Mount Display）などにおいて画像を表示するマイクロ・ディスプレイである。電気光学装置１０の詳細については後述するが、複数の画素回路や当該画素回路を駆動する駆動回路などが例えばシリコン基板に形成された有機ＥＬ装置であり、画素回路には、発光素子の一例であるＯＬＥＤが用いられている。

電気光学装置１０は、表示部で開口する枠状のケース７２に収納されるとともに、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板７４の一端が接続されている。ＦＰＣ基板７４には、半導体チップの制御回路５が、ＣＯＦ（Chip On Film）技術によって実装されるとともに、複数の端子７６が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。当該上位回路から複数の端子７６を介して画像データが同期信号に同期して供給される。同期信号には、垂直同期信号や、水平同期信号、ドットクロック信号が含まれる。また、画像データは、表示すべき画像の画素の階調レベルを例えば８ビットで規定する。
制御回路５は、電気光学装置１０の電源回路とデータ信号出力回路との機能を兼用するものである。すなわち、制御回路５は、同期信号にしたがって生成した各種の制御信号や各種電位を電気光学装置１０に供給するほか、デジタルの画像データをアナログのデータ信号に変換して、電気光学装置１０に供給する。

図２は、実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す図である。この図に示されるように、電気光学装置１０は、走査線駆動回路２０と、デマルチプレクサ３０と、レベルシフト回路４０と、表示部１００とに大別される。
このうち、表示部１００には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路１１０がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部１００において、ｍ行の走査線１２が図において横方向に延在して設けられ、また、３列毎にグループ化された（３ｎ）列のデータ線１４が図において縦方向に延在し、かつ、各走査線１２と互いに電気的な絶縁を保ちつつ交差するように設けられている。そして、ｍ行の走査線１２と（３ｎ）列のデータ線１４との交差部に対応する位置に画素回路１１０が設けられている。このため、本実施形態において画素回路１１０は、縦ｍ行×横（３ｎ）列でマトリクス状に配列されている。

ここで、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。走査線１２および画素回路１１０のマトリクスのうち、行（ロウ）を区別するために、図において上から順に１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線１４および画素回路１１０のマトリクスの列（カラム）を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３ｎ−１）、（３ｎ）列と呼ぶ場合がある。また、データ線１４のグループを一般化して説明するために、１以上ｎ以下の整数ｊを用いると、左から数えてｊ番目のグループには、（３ｊ−２）列目、（３ｊ−１）列目および（３ｊ）列目のデータ線１４が属している、ということになる。
なお、同一行の走査線１２と同一グループに属する３列のデータ線１４との交差に対応した３つの画素回路１１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素に対応して、これらの３画素が表示すべきカラー画像の１ドットを表現する。すなわち、本実施形態では、ＲＧＢに対応したＯＬＥＤの発光によって１ドットのカラーを加法混色で表現する構成となっている。
また、同一グループに属する３列のデータ線１４のうち、いずれかの１列が第１データ線となり、他の一列が第２データ線となる。

さて、電気光学装置１０には、次のような制御信号が制御回路５によって供給される。詳細には、電気光学装置１０には、走査線駆動回路２０を制御するための制御信号Ｃtrと、デマルチプレクサ３０での選択を制御するための制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)と、これらの信号に対して論理反転の関係にある制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)と、レベルシフト回路４０を制御するための制御信号Ｇini、Ｇref、Ｇcplと、当該制御信号Ｇcplの論理反転の関係にある制御信号／Ｇcolとが供給される。なお、制御信号Ｃtrには、実際にはパルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号が含まれる。
また、電気光学装置１０には、デマルチプレクサ３０での選択タイミングに合わせてデータ信号Ｖd_1、Ｖd_2、…、Ｖd_nが、１、２、…、ｎ番目のグループに対応して制御回路５によって共通端子７８を介して供給される。

ここで、本実施形態において、表示すべき画素の階調を規定する階調レベルが、例えば最も暗い０レベルから最も明るい２５５レベルまでの範囲で指定されるとき、データ信号Ｖd_1〜Ｖd_nは、０レベルに相当する最高値のＶ(0)から２５５レベルに相当する最低値のＶ(255)までの範囲で段階的に取り得る。ここで、明るい階調レベルが指定されるほど、データ信号が電位Ｖ(0)から下がるのは、本実施形態では後述するようにＯＬＥＤへの電流を制御するトランジスターを、Ｐチャネル型としているためである。なお、説明の便宜上、「ｋ」階調が指定された場合のデータ信号の電位をＶ(k)と表記する。ここで、ｋは、０、１、２、３、…、２５５のいずれかである。

また、データ線１４の各々には保持容量５０が設けられる。保持容量５０の一端は、データ線１４に接続され、保持容量５０の他端は互いに固定電位に共通接地されている。ここで、保持容量５０としては、データ線１４に寄生する容量を用いても良いし、この寄生容量と、データ線１４を構成する配線と別途の配線とで絶縁体（誘電体）を挟持することによって形成した容量素子との合成容量を用いて良い。ここで、保持容量５０の容量をＣdtとする。

走査線駆動回路２０は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に順番に走査するための走査信号を、制御信号Ｃtrにしたがって生成するものである。ここで、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１２に供給される走査信号を、それぞれＧwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m-1)、Ｇwr(m)と表記している。
なお、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)のほかにも、当該走査信号に同期した各種の制御信号を行毎に生成して表示部１００に供給するが、図２においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置１０が１カット（コマ）分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、その１周期分の８．３ミリ秒の期間である。

デマルチプレクサ３０は、列毎に設けられたトランスミッションゲート３４の集合体であり、各グループを構成する３列に、データ信号を順番に供給するものである。
ここで、ｊ番目のグループに属する（３ｊ−２）列、（３ｊ−１）列、（３ｊ）列に対応したトランスミッションゲート３４の入力端は互いに共通接続されて、その共通端子７８にデータ信号Ｖd_jが供給される。
ｊ番目のグループにおいて左端列である（３ｊ−２）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(1)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(1)がＬレベルであるとき）にオン（導通）する。同様に、ｊ番目のグループにおいて中央列である（３ｊ−１）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(2)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(2)がＬレベルであるとき）にオンし、ｊ番目のグループにおいて右端列である（３ｊ）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(3)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(3)がＬレベルであるとき）にオンする。

レベルシフト回路４０は、保持容量４１とトランスミッションゲート４２とＮチャネルＭＯＳ型のトランジスター４３と保持容量４４とＮチャネルＭＯＳ型のトランジスター４５との組を列毎に有し、各列のトランスミッションゲート３４の出力端から出力されるデータ信号の電位をシフトするものである。

保持容量４４の一端は、対応する列のデータ線１４とトランジスター４５のドレインノードとにそれぞれ接続される一方、保持容量４４の他端は、トランジスター４３のドレインノードとトランスミッションゲート４２の出力端とにそれぞれ接続されている。
ここで、説明の便宜上、保持容量４４の容量をＣrf1とし、保持容量４４の他端をノードｈとする。
また、例えば（３ｊ−２）列目のデータ線１４を第１データ線とし、（３ｊ−１）列目のデータ線１４を第２データ線としたときに、（３ｊ−２）列目の保持容量４４は第１保持容量となり、（３ｊ−１）列目の保持容量４４は第２保持容量となる。

各列のトランジスター４５のソースノードは、初期電位として電位Ｖiniを給電する給電線６１に各列にわたって共通に接続され、ゲートノードには、制御信号Ｇiniが各列にわたって共通に供給される。
このため、データ線１４と給電線６１とは、制御信号ＧiniがＨレベルのときにトランジスター４５のオンによって電気的に接続される一方、制御信号ＧiniがＬレベルのときにトランジスター４５のオフによって電気的に非接続とされる構成になっている。

また、各列のトランジスター４３のドレインノードは、所定の基準電位として電位Ｖrefを給電する給電線６２に各列にわたって共通に接続され、ゲートノードには、制御信号Ｇrefが各列にわたって共通に供給される。このため、ノードｈと給電線６２とは、制御信号ＧrefがＨレベルのときにトランジスター４５のオンによって電気的に接続される一方、制御信号ＧrefがＬレベルのときにトランジスター４５のオフによって電気的に非接続とすされる構成になっている。

トランスミッションゲート４２の入力端は、保持容量４１の一端とトランスミッションゲート３４の出力端とにそれぞれ接続されている。各列のトランスミッションゲート４２は、制御信号ＧcplがＨレベルであるとき（制御信号／ＧcplがＬレベルであるとき）にオンする。各列において保持容量４１の他端は、互いに固定電位に共通接地されている。
なお、説明の便宜上、保持容量４１の容量をＣrf2とする。
また、例えば（３ｊ−２）列目のデータ線１４を第１データ線とし、（３ｊ−１）列目のデータ線１４を第２データ線としたときに、（３ｊ−２）列目のトランスミッションゲート４２および保持容量４４は、それぞれ第１スイッチおよび第１保持部となり、（３ｊ−１）列目のトランスミッションゲート４２および保持容量４４は、それぞれ第２スイッチおよび第２保持部となる。

本実施形態では、便宜的に走査線駆動回路２０、デマルチプレクサ３０およびレベルシフト回路４０に分けているが、これらについては、画素回路１１０を駆動する駆動回路としてまとめて概念することが可能である。

図３を参照して画素回路１１０について説明する。各画素回路１１０については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、ｉ行目であって、ｊ番目のグループのうち左端列の（３ｊ−２）列目に位置するｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０を例にとって説明する。
なお、ｉは、画素回路１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｍ以下の整数である。

図３に示されるように、画素回路１１０は、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１〜１２５と、ＯＬＥＤ１３０と、保持容量１３２とを含む。この画素回路１１０には、走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)が供給される。ここで、走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)は、それぞれｉ行目に対応して走査線駆動回路２０によって供給される。このため、走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)は、ｉ行目であれば、着目している（３ｊ−２）列以外の他の列の画素回路にも共通に供給される。

ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０において選択トランジスターに相当するトランジスター１２２にあっては、ゲートノードがｉ行目の走査線１２に接続され、ドレインまたはソースノードの一方が（３ｊ−２）列目のデータ線１４に接続され、他方がトランジスター１２１におけるゲートノードと、保持容量１３２の一端と、トランジスター１２３のドレインノードとにそれぞれ接続されている。ここで、トランジスター１２１のゲートノードについては、他のノードと区別するためにｇと表記する。
駆動トランジスターに相当するトランジスター１２１にあっては、ソースノードが給電線１１６に接続され、ドレインノードがトランジスター１２３のソースノードと、トランジスター１２４のソースノードとにそれぞれ接続されている。ここで、給電線１１６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖelが給電される。
トランジスター１２１〜１２５において、ドレインノード又はソースノードが他の構成要素と電気的に接続されると説明したが、電位関係が変わる場合に、ドレインノードとして説明したノードがソースノードとなり、ソースノードとして説明したノードがドレインノードとなることもあり得る。いずれにしても、例えば、トランジスター１２１のソースノード及びドレインノードのいずれか一方は、給電線１１６に電気的に接続される。そして、トランジスター１２１のソースノード及びドレインノードのいずれか他方は、トランジスター１２３を介してＯＬＥＤ１３０に電気的に接続されている。また、図３では、トランジスター１２１のソースノード及びドレインノードのいずれか他方は、トランジスター１２３を介してＯＬＥＤ１３０のアノードに電気的に接続されている。トランジスター１２１が飽和領域で動作する場合には、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧に応じた導通状態が制御され、この導通状態に応じた電流をＯＬＥＤ１３０に供給する。トランジスター１２３にあって、ゲートノードには制御信号Ｇcmp(i)が供給される。
トランジスター１２４にあって、ゲートノードには制御信号Ｇel(i)が供給され、ドレインノードがトランジスター１２５のソースノードとＯＬＥＤ１３０のアノードとにそれぞれ接続されている。
トランジスター１２５にあって、ゲートノードにはｉ行目に対応した制御信号Ｇorst(i)が供給され、ドレインノードは電位Ｖorstを給電する給電線に接続されている。

保持容量１３２の他端は、給電線１１６に接続される。このため、保持容量１３２は、トランジスター１２１のソース・ドレイン間の電圧を保持することになる。ここで、保持容量１３２の容量をＣpixと表記したとき、保持容量５０の容量Ｃdtと、保持容量４４の容量Ｃrf1と、保持容量４１の容量Ｃrf2と、保持容量１３２の容量Ｃpixとは、おおよそ
Ｃdt＞Ｃrf1（Ｃrf2）＞＞Ｃpix
のような関係にある。
すなわち、ＣdtはＣrf1（Ｃrf2）よりも大きく、Ｃpixは、ＣdtおよびＣrf1（Ｃrf2）と比較して十分に小さい関係にある。
なお、保持容量１３２としては、トランジスター１２１のゲートノードｇに寄生する容量を用いても良いし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いても良い。

本実施形態において電気光学装置１０はシリコン基板に形成されるので、トランジスター１２１〜１２５の基板電位については電位Ｖelとしている。

ＯＬＥＤ１３０のアノードは、画素回路１１０毎に個別に設けられる画素電極である。これに対して、ＯＬＥＤ１３０のカソードは、画素回路１１０のすべてにわたって共通の共通電極１１８であり、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖctに保たれている。
ＯＬＥＤ１３０は、上記シリコン基板において、アノードと光透過性を有するカソードとで白色有機ＥＬ層を挟持した素子である。そして、ＯＬＥＤ１３０の出射側（カソード側）にはＲＧＢのいずれかに対応したカラーフィルターが重ねられる。
このようなＯＬＥＤ１３０において、アノードからカソードに電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機ＥＬ層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板（アノード）とは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認されるトップエミッション構造となっている。

なお、（３ｊ−２）列目のデータ線１４とし、（３ｊ−１）列目のデータ線１４としたときに、（３ｊ−２）列目に対応する画素回路１１０が第１画素回路となり、この画素回路と同一行であって（３ｊ−１）列目に対応する画素回路１１０が第２画素回路となる。

＜実施形態の動作＞
図４を参照して電気光学装置１０の動作について説明する。図４は、電気光学装置１０における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。
この図に示されるように、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)が順次Ｌレベルに切り替えられて、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１２が１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査される。
１水平走査期間（Ｈ）での動作は、各行の画素回路１１０にわたって共通である。そこで以下については、ｉ行目が水平走査される走査期間において、特にｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０について着目して動作を説明することにする。

本実施形態ではｉ行目の走査期間は、大別すると、図４において（ｂ）で示される初期化期間と（ｃ）で示される補償期間と（ｄ）で示される書込期間とに分けられる。そして、（ｄ）の書込期間の後、間をおいて（ａ）で示される発光期間となり、１フレームの期間経過後に再びｉ行目の走査期間に至る。このため、時間の順でいえば、（発光期間）→初期化期間→補償期間→書込期間→（発光期間）というサイクルの繰り返しとなる。
なお、図４において、ｉ行目に対し１行前の（ｉ−１）行目に対応する走査信号Ｇwr(i-1)、制御信号Ｇel(i-1)、Ｇcmp(i-1)、Ｇorst(i-1)の各々については、ｉ行目に対応する走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)よりも、それぞれ時間的に１水平走査期間（Ｈ）だけ時間的に先行した波形となる。

＜発光期間＞
説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図４に示されるように、ｉ行目の発光期間では、走査信号Ｇwr(i)がＨレベルである。また、論理信号である制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)のうち、制御信号Ｇel(i)がＬレベルであり、制御信号Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)がＨレベルである。
このため、図５に示されるようにｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする一方、トランジスター１２２、１２３、１２５がオフする。したがって、トランジスター１２１は、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsに応じた電流ＩdsをＯＬＥＤ１３０に供給する。後述するように本実施形態では、発光期間における電圧Ｖgsは、トランジスター１２１の閾値電圧から、データ信号の電位に応じてレベルシフトした値である。このため、ＯＬＥＤ１３０には、階調レベルに応じた電流がトランジスター１２１の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。

なお、ｉ行目の発光期間は、ｉ行目以外が水平走査される期間でもあるから、データ線１４の電位は適宜変動している。ただし、ｉ行目の画素回路１１０においては、トランジスター１２２がオフしているので、ここでは、データ線１４の電位変動を考慮する必要がない。
また、図５においては、動作説明で重要となる経路を太線で示している（以下の図６〜図８においても同様である）。

＜初期化期間＞
次にｉ行目の走査期間に至ると、まず、第１期間としての初期化期間が開始する。初期化期間では、発光期間と比較して、制御信号Ｇel(i)がＨレベルに、制御信号Ｇorst(i)がＬレベルに、それぞれ変化する。
このため、図６に示されるように、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においてはトランジスター１２４がオフし、トランジスター１２５がオンする。これによってＯＬＥＤ１３０に供給される電流の経路が遮断されるとともに、ＯＬＥＤ１３０のアノードが電位Ｖorstにリセットされる。
上述したようにＯＬＥＤ１３０は、アノードとカソードとで有機ＥＬ層を挟持した構成であるので、アノード・カソードの間には、図において破線で示されるように容量Ｃoledが並列に寄生する。発光期間においてＯＬＥＤ１３０に電流が流れていたときに、当該ＯＬＥＤ１３０のアノード・カソード間の両端電圧は当該容量Ｃoledによって保持されるが、この保持電圧は、トランジスター１２５のオンによってリセットされる。このため、本実施形態では、後の発光期間においてＯＬＥＤ１３０に再び電流が流れるときに、当該容量Ｃoledで保持されている電圧の影響を受けにくくなる。

詳細には、例えば高輝度の表示状態から低輝度の表示状態に転じるときに、リセットしない構成であると、輝度が高いとき、すなわち大電流が流れたときの高電圧が保持されてしまうので、次に、小電流を流そうとしても、過剰な電流が流れてしまって、低輝度の表示状態にさせることができなくなる。これに対して、本実施形態では、トランジスター１２５のオンによってＯＬＥＤ１３０のアノードの電位がリセットされるので、低輝度側の再現性が高められることになる。
なお、本実施形態において、電位Ｖorstについては、当該電位Ｖorstと共通電極１１８の電位Ｖctとの差がＯＬＥＤ１３０の発光閾値電圧を下回るように設定される。このため、初期化期間（次に説明する補償期間および書込期間）において、ＯＬＥＤ１３０はオフ（非発光）状態である。

一方、初期化期間では、制御信号Ｇini、ＧrefがＨレベルになるとともに、制御信号ＧcplがＬレベルになる（制御信号／ＧcplがＨレベルになる）。このため、レベルシフト回路４０においては、図６に示されるようにトランジスター４５、４３がそれぞれオンするとともに、トランスミッションゲート４２がオフする。したがって、保持容量４４の一端であるデータ線１４は電位Ｖiniに、保持容量４４の他端であるノードｈは電位Ｖrefに、それぞれ初期化される。
なお、本実施形態では、電位Ｖrefについては、データ信号の最高電位である電位Ｖ(0)以下となるように、すなわち図９の式（１）を満たすように設定される。

また、本実施形態において制御回路５は、（ｂ）の初期化期間から（ｃ）の補償期間までにわたってデータ信号を次のように供給する。すなわち、制御回路５は、ｊ番目のグループでいえば、データ信号Ｖd_jを順番に、ｉ行（３ｊ−２）列、ｉ行（３ｊ−１）列、ｉ行（３ｊ）列の画素の階調レベルに応じた電位に切り替える一方、データ信号の電位の切り替えに合わせて制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)を順番に排他的にＨレベルとする。これによって、デマルチプレクサ３０では、各グループにおいてトランスミッションゲート３４がそれぞれ左端列、中央列、右端列の順番でオンする。
ここで、初期化期間において、ｊ番目のグループに属する左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)によってオンする場合、図６に示されるように、データ信号Ｖd_jが保持容量４１の一端に供給されるので、当該データ信号の電位は、保持容量４１によって保持される。
なお、初期化期間および補償期間では、制御信号ＧcplがＬレベルであり、各列におけるトランスミッションゲート４２はオフしているので、データ信号の供給はノードｈの電位に影響を与えない。

本実施形態において電位Ｖiniについては、電源高位側の電位Ｖelからトランジスター１２１の閾値電圧｜Ｖth｜を減じた値よりも小さくなるように、すなわち図１０の式（５）を満たすように設定される。なお、トランジスター１２１はＰチャネル型であるので、ソースノードの電位を基準とした閾値電圧Ｖthは負である。そこで、高低関係の説明で混乱が生じるのを防ぐために、閾値電圧については、絶対値の｜Ｖth｜で表し、大小関係で規定することにする。

＜補償期間＞
ｉ行目の走査期間では、次に第２期間としての補償期間となる。補償期間では初期化期間と比較して、走査信号Ｇwr(i)および制御信号Ｇcmp(i)がＬレベルとなる。一方、補償期間では、制御信号ＧrefがＨレベルに維持された状態で制御信号ＧiniがＬレベルになる。このため、図７に示されるように、レベルシフト回路４０においては、トランジスター４３がオンすることによって、ノードｈが電位Ｖrefに固定される。
一方、トランジスター４５がオフし、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０ではトランジスター１２２がオンすることによって、ゲートノードｇがデータ線１４に電気的に接続されるので、当該データ線１４からゲートノードｇに至る経路までは、補償期間の開始当初において電位Ｖiniとなる。

ここで、補償期間においてトランジスター１２３がオンするので、トランジスター１２１はダイオード接続となる。このため、トランジスター１２１にはドレイン電流が流れて、ゲートノードｇおよびデータ線１４を充電する。詳細には、電流が、給電線１１６→トランジスター１２１→トランジスター１２３→トランジスター１２２→（３ｊ−２）列目のデータ線１４という経路で流れる。このため、トランジスター１２１のオンによって互いに接続状態にあるデータ線１４からゲートノードｇに至る経路は、電位Ｖiniから上昇する。
ただし、上記経路に流れる電流は、ゲートノードｇが電位（Ｖel−｜Ｖth｜）に近づくにつれて流れにくくなるので、補償期間の終了に至るまでに、データ線１４およびゲートノードｇは電位（Ｖel−｜Ｖth｜）で飽和する。したがって、保持容量１３２は、補償期間の終了に至るまでにトランジスター１２１の閾値電圧｜Ｖth｜を保持することになる。

＜書込期間＞
（ｃ）の補償期間の後に、第３期間としての書込期間に至る。書込期間においてレベルシフト回路４０では、制御信号ＧrefがＬレベルになるので、トランジスター４３がオフになる。一方で、制御信号ＧcplがＨレベルとなる（制御信号／ＧcplがＬレベルとなる）ので、各列におけるトランスミッションゲート４２が一斉にオンする。このため、図８に示されるように、保持容量４１に保持されたデータ信号が保持容量４４の他端であるノードｈに供給されるので、ノードｈは、補償期間における電位Ｖrefからシフトする。

ここで、ノードｈの電位シフト量をΔＶとしたとき、書込期間におけるノードｈは、補償期間における電位Ｖrefから電位（Ｖref＋ΔＶ）に変化することになる。ここで、電位シフト量ΔＶについては図９の式（２）に示される通りであり、容量Ｃdt、Ｃrf1、Ｃrf2、Ｃpix、電位Ｖref、Ｖ(k)で定まる。このうち、データ信号の電位Ｖ(k)以外は一定値であるので、電位シフト量ΔＶは、階調レベルに応じた値ということができる。
なお、本実施形態では、書込期間において制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)がＨレベルになることはない（制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)がＬレベルになることはない）ので、各列のトランスミッションゲート３４はオフ状態に保たれる。

また、書込期間では、制御信号Ｇcmp(i)がＨレベルになるので、トランジスター１２１のダイオード接続が解除される。一方、ゲートノードｇは、保持容量４４の一端にデータ線１４を介して接続された状態が補償期間から継続している。このため、ゲートノードｇは、補償期間における電位（Ｖel−｜Ｖth｜）から、ノードｈの電位シフト量ΔＶに容量比Ｑを乗じた値だけシフトする。このとき、ゲートノードｇの電位をＶpixとしたとき、当該電位Ｖpixについては、図１０の式（４）について示される通りであり、容量比Ｑは、容量Ｃdt、Ｃrf1、Ｃpixで定まる。
このとき、トランジスター１２１の電圧Ｖgsで絶対値で表現すると、閾値電圧｜Ｖth｜からゲートノードｇの電位シフト分だけ減じた値（｜Ｖth｜−Ｑ・ΔＶ）となる。

＜発光期間＞
ｉ行目の書込期間の終了した後、１水平走査期間の間をおいて発光期間に至る。この発光期間では、上述したように制御信号Ｇel(i)がＬレベルになるので、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする。
ゲート・ソース間の電圧Ｖgsは（｜Ｖth｜−Ｑ・ΔＶ）であり、トランジスター１２１の閾値電圧から、データ信号の電位に応じた分だけシフトした値である。このため、ＯＬＥＤ１３０には、先の図５に示したように、階調レベルに応じた電流がトランジスター１２１の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。

このような動作は、ｉ行目の走査期間において、（３ｊ−２）列目の画素回路１１０以外のｉ行目の他の画素回路１１０においても時間的に並列して実行される。ただし、デマルチプレクサ３０では、選択信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)の順番でＨレベルになるので、データ信号の電位は、保持容量４１によって、ｊ番目のグループでいえば３（ｊ−２）列目、３（ｊ−１）列目、（３ｊ）列目の順番で保持される。
さらに、このようなｉ行目の動作は、実際には、１フレームの期間において１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。

図１１は、本実施形態において、制御回路５から供給されるデータ信号の電位と、書込期間におけるゲートノードｇの電位との関係を示す図である。制御回路５から供給されるデータ信号は、上述したように画素の階調レベルに応じて電位Ｖ(0)から電位Ｖ(255)までの電位範囲ΔＶdataを段階的に取り得る。本実施形態では、当該データ信号が直接ゲートノードｇに書き込まれるのではなく、図に示されるようにレベルシフトされて、ゲートノードｇに書き込まれる。このとき、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateは、データ信号の電位範囲ΔＶdata｛＝Ｖ(0)−Ｖ(255)｝に容量比Ｑを乗じた値に圧縮される。
したがって、本実施形態によれば、微細な画素回路１１０においてトランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧Ｖgsの変化に対しＯＬＥＤ１３０に流れる微小電流が相対的に大きく変化する場合に、データ信号を細かい精度で刻まなくても、階調レベルを反映した電圧をトランジスター１２１のゲート・ソース間に印加することができるので、ＯＬＥＤ１３０に供給する電流を精度良く制御することが可能になるのである。

また、図３において破線で示されるようにデータ線１４と画素回路１１０におけるゲートノードｇとの間には容量Ｃprsが実際には寄生する。このため、データ線１４の電位変化幅が大きいと、当該容量Ｃprsを介してゲートノードｇに伝播し、いわゆるクロストークやムラなどが発生して表示品位を低下させてしまう。当該容量Ｃprsの影響は、画素回路１１０が微細化されたときに顕著に現れる。
これに対して、本実施形態においては、データ線１４の電位変化範囲についても、データ信号の電位範囲ΔＶdataに対し狭められるので、容量Ｃprsを介した影響を抑えることができる。

さて、本実施形態において、最も暗い０レベルに対応するデータ信号が供給されたときの電位シフト量ΔＶは、図９の式（１）および式（２）から、式（３）で示されるように０以上であることが導かれる。
したがって、０レベルに対応するデータ信号が供給された場合、その書込期間におけるゲートノードｇの電位Ｖpixは、図１０の式（６）に示されるように、電位（Ｖel−｜Ｖth｜）以上となるので、その後の発光期間においてＯＬＥＤ１３０への電流をほぼゼロとすることができる。これにより、階調レベルが０レベルのときに、ＯＬＥＤ１３０を非発光とすることができるので、黒が浮いてしまう、いわゆる黒浮きを抑えることが可能になる。

また、本実施形態によれば、トランジスター１２１によってＯＬＥＤ１３０に供給される電流Ｉdsは、閾値電圧の影響が相殺される。このため、本実施形態によれば、トランジスター１２１の閾値電圧が画素回路１１０毎にばらついても、そのばらつきが補償されて、階調レベルに応じた電流がＯＬＥＤ１３０に供給されるので、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる結果、高品位の表示が可能になる。

この相殺について図１２を参照して説明する。この図に示されるように、トランジスター１２１は、ＯＬＥＤ１３０に供給する微小電流を制御するために、弱反転領域（サブスレッショルド領域）で動作する。
図において、Ａは閾値電圧｜Ｖth｜が大きいトランジスターを、Ｂは閾値電圧｜Ｖth｜が小さいトランジスターを、それぞれ示している。なお、図１２において、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsは、実線で示される特性と電位Ｖelとの差である。また、図１２において、縦スケールの電流は、ソースからドレインに向かう方向を正（上）とした対数で示されている。

補償期間においてゲートノードｇは、データ線１４の電位Ｖiniから電位（Ｖel−｜Ｖth｜）となる。このため、閾値電圧｜Ｖth｜が大きいトランジスターＡでは、動作点がＳからＡａに移動する一方、閾値電圧｜Ｖth｜が小さいトランジスターＢでは、動作点がＳからＢａに移動する。
次に、２つのトランジスターが属する画素回路１１０へのデータ信号の電位が同じ場合、つまり同じ階調レベルが指定された場合に、書込期間においては、動作点Ａａ、Ｂａからの電位シフト量は、ともに同じＱ・ΔＶである。このため、トランジスターＡについては動作点がＡａからＡｂに移動し、トランジスターＢについては動作点がＢａからＢｂに移動するが、電位シフト後の動作点における電流は、トランジスターＡ、Ｂともに、ほぼ同じＩdsで揃うことになる。

また、本実施形態においては、初期化期間、補償期間において制御回路５から供給されたデータ信号を、各グループにおいて３列分の保持容量４１によって順に保持させるとともに、各列のデータ線１４に対し、書込期間におけるトランスミッションゲート４２のオンによって一斉にレベルシフトして供給する構成となっている。このため、本実施形態では、デマルチプレクサ３０によってデータ信号を分配する構成であるにも拘わらず、同一グループを構成するデータ線１４同士で比較したときに差が生じにくいので、表示のムラが発生しにくい構成となっている。

このように本実施形態では、データ信号の振幅に対して、ゲートノードｇへの振幅を圧縮することができるとともに、トランジスター１２１の閾値電圧のばらつきが補償でき、さらに、黒浮きを抑えることが可能になる。

なお、本実施形態において、トランジスター１２１をＰチャネル型としたが、Ｎチャネル型でも良い。トランジスター１２１をＮチャネル型とした場合、ゲートノードｇの電位が高いほどＯＬＥＤ１３０に多くの電流が流れることになるので、式（１）の不等号が逆向きにして、最も暗い０レベルが指定されたときのデータ信号Ｖ(0)を電位Ｖref以下とすれば良い。

＜応用・変形例＞
本発明は、上述した実施形態や応用例などの実施形態等に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を適宜に組み合わせることもできる。

＜制御回路＞
実施形態において、データ信号を供給する制御回路５については電気光学装置１０とは別体としたが、制御回路５についても、走査線駆動回路２０やデマルチプレクサ３０、レベルシフト回路４０とともに、シリコン基板に集積化しても良い。

＜基板＞
実施形態においては、電気光学装置１０をシリコン基板に集積した構成としたが、他の半導体基板に集積した構成しても良い。例えば、ＳＯＩ基板であっても良い。また、ポリシリコンプロセスを適用してガラス基板等に形成しても良い。いずれにしても、画素回路１１０が微細化して、トランジスター１２１において、ゲート電圧Ｖgsの変化に対しドレイン電流が指数関数的に大きく変化する構成に有効である。
また、画素回路の微細化を必要としない場合に、本発明を適用しても良い。

＜制御信号Ｇcmp(i)＞
実施形態において、ｉ行目でいえば書込期間において制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルとしたが、Ｌレベルとしても良い。すなわち、トランジスター１２３をオンさせることによる閾値補償とノードゲートｇへの書き込みとを並行して実行する構成としても良い。

＜デマルチプレクサ＞
実施形態等では、データ線１４を３列毎にグループ化するとともに、各グループにおいてデータ線１４を順番に選択して、データ信号を供給する構成としたが、グループを構成するデータ線数については「２」であっても良いし、「４」以上であっても良い。

＜トランジスターのチャネル型＞
上述した実施形態等では、画素回路１１０におけるトランジスター１２１〜１２５をＰチャネル型で統一したが、Ｎチャネル型で統一しても良い。また、Ｐチャネル型およびＮチャネル型を適宜組み合わせても良い。

＜その他＞
実施形態等では、電気光学素子として発光素子であるＯＬＥＤを例示したが、例えば無機発光ダイオードやＬＥＤ（Light Emitting Diode）など、電流に応じた輝度で発光するものであれば良い。

＜電子機器＞
次に、実施形態等や応用例に係る電気光学装置１０を適用した電子機器について説明する。電気光学装置１０は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ＨＭＤを例に挙げて説明する。

図１３は、ＨＭＤの外観を示す図であり、図１４は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図１３に示されるように、ＨＭＤ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ＨＭＤ３００は、図１４に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の電気光学装置１０Ｌと右眼用の電気光学装置１０Ｒとが設けられる。
電気光学装置１０Ｌの画像表示面は、図１４において左側となるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において９時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｌは、電気光学装置１０Ｌによる表示画像を６時の方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
電気光学装置１０Ｒの画像表示面は、電気光学装置１０Ｌとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において３時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｒは、電気光学装置１０Ｒによる表示画像を６時方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。

この構成において、ＨＭＤ３００の装着者は、電気光学装置１０Ｌ、１０Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このＨＭＤ３００において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置１０Ｌに表示させ、右眼用画像を電気光学装置１０Ｒに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる（３Ｄ表示）。

なお、電気光学装置１０については、ＨＭＤ３００のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。

１０…電気光学装置、１２…走査線、１４…データ線、２０…走査線駆動回路、３０…デマルチプレクサ、４０…レベルシフト回路、４１、４４、５０…保持容量、７８…共通端子、１００…表示部、１１０…画素回路、１１６…給電線、１１８…共通電極、１２１〜１２５…トランジスター、１３０…ＯＬＥＤ、１３２…保持容量、３００…ＨＭＤ。

Claims (9)

1. 第１データ線と、
   第２データ線と、
   一端が前記第１データ線に接続された第１保持容量と、
   一端が前記第２データ線に接続された第２保持容量と、
   前記第１データ線に対応して設けられた第１画素回路と、
   前記第２データ線に対応して設けられた第２画素回路と、
   前記第１データ線に対応して設けられ、入力端と前記第１保持容量の他端に電気的に接続された出力端との間でオンまたはオフする第１スイッチと、
   前記第２データ線に対応して設けられ、入力端と前記第２保持容量の他端に電気的に接続された出力端との間をオンまたはオフする第２スイッチと、
   共通端子に供給されたデータ信号を、前記第１スイッチの入力端と前記第２スイッチの入力端とに供給するデマルチプレクサと、
   前記第１スイッチの入力端の電位を保持する第１保持部と、
   前記第２スイッチの入力端の電位を保持する第２保持部と、
   駆動回路と、
   を有し、
   前記第１画素回路および第２画素回路の各々は、
   発光素子と、
   前記発光素子に電流を供給する第１トランジスターと、
   前記第１データ線または前記第２データ線のうち対応するデータ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、
   前記第１トランジスターにおけるゲートとドレインとの間でオンまたはオフする第３トランジスターと、
   を含み、
   前記駆動回路は、
   第１期間において、
   前記第１保持容量の一端および前記第２保持容量の一端に、それぞれ初期電位を印加するとともに、前記第１保持容量の他端および前記第２保持容量の他端に、それぞれ所定の基準電位を印加し、
   前記第１期間の後の第２期間において、
   前記初期電位の印加を解除する一方、前記基準電位の印加を維持した状態で、前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをそれぞれオンさせ、
   前記第１期間の開始から前記第２期間の終了までに至るまでに、
   前記デマルチプレクサを制御して、前記第１画素回路に対応するデータ信号の電位を前記第１保持部によって保持させるとともに、前記第２画素回路に対応するデータ信号の電位を前記第２保持部によって保持させ、
   前記第２期間の後の第３期間において、
   前記基準電位の印加を解除した状態で、前記第１スイッチおよび前記第２スイッチをそれぞれオンさせる
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１トランジスターがＰチャンネル型であるとき、
   階調レベルが最も暗いレベルに相当するデータ信号の電位を、前記基準電位以上とする
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１トランジスターがＮチャンネル型であるとき、
   階調レベルが最も暗いレベルに相当するデータ信号の電位を、前記基準電位以下とする
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記駆動回路は、
   前記第２期間の後において前記第１画素回路の第３トランジスターをオフさせてから前記第３期間において前記第１スイッチをオンさせるまでの時間と、
   前記第２期間の後において前記第２画素回路の第３トランジスターをオフさせてから前記第３期間において前記第２スイッチをオンさせるまでの時間と、
   が同じとなるように制御する
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置。
5. 第１データ線と、第２データ線と、
   一端が前記第１データ線に接続された第１保持容量と、
   一端が前記第２データ線に接続された第２保持容量と、
   前記第１データ線に対応して設けられた第１画素回路と、
   前記第２データ線に対応して設けられた第２画素回路と、
   前記第１データ線に対応して設けられ、入力端と前記第１保持容量の他端に電気的に接続された出力端との間でオンまたはオフする第１スイッチと、
   前記第２データ線に対応して設けられ、入力端と前記第２保持容量の他端に電気的に接続された出力端との間をオンまたはオフする第２スイッチと、
   共通端子に供給されたデータ信号を、前記第１スイッチの入力端と前記第２スイッチの入力端とに供給するデマルチプレクサと、
   前記第１スイッチの入力端の電位を保持する第１保持部と、
   前記第２スイッチの入力端の電位を保持する第２保持部と、
   を有し
   前記第１画素回路および第２画素回路の各々は、
   発光素子と、
   前記発光素子に電流を供給する第１トランジスターと、
   前記第１データ線または前記第２データ線のうち対応するデータ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、
   前記第１トランジスターにおけるゲートとドレインとの間でオンまたはオフする第３トランジスターと、
   を含む電気光学装置の駆動方法であって、
   第１期間において、
   前記第１保持容量の一端および前記第２保持容量の一端に、それぞれ初期電位を印加するとともに、前記第１保持容量の他端および前記第２保持容量の他端に、それぞれ所定の基準電位を印加し、
   前記第１期間の後の第２期間において、
   前記初期電位の印加を解除する一方、前記基準電位の印加を維持した状態で、前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをそれぞれオンさせ、
   前記第１期間から前記第２期間までに至るまでに、
   前記デマルチプレクサを制御して、前記第１画素回路に対応するデータ信号の電位を前記第１保持部によって保持させるとともに、前記第２画素回路に対応するデータ信号の電位を前記第２保持部によって保持させ、
   前記第２期間の後の第３期間において、
   前記基準電位の印加を解除した状態で、前記第１スイッチおよび前記第２スイッチをそれぞれオンさせる
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
6. 第１データ線と、
   第２データ線と、
   一端が前記第１データ線に接続された第１保持容量と、
   一端が前記第２データ線に接続された第２保持容量と、
   前記第１データ線に対応して設けられた第１画素回路と、
   前記第２データ線に対応して設けられた第２画素回路と、
   前記第１スイッチの入力端の電位を保持する第１保持部と、
   前記第２スイッチの入力端の電位を保持する第２保持部と、
   を有し
   前記第１画素回路および第２画素回路の各々は、
   発光素子と、
   前記発光素子に電流を供給する第１トランジスターと、
   前記第１データ線または前記第２データ線のうち対応するデータ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、
   前記第１トランジスターにおけるゲートとドレインとの間でオンまたはオフする第３トランジスターと、
   を含む電気光学装置の駆動方法であって、
   前記第１保持容量の一端および前記第２保持容量の一端に、それぞれ初期電位を印加するとともに、前記第１保持容量の他端および前記第２保持容量の他端に、それぞれ所定の基準電位を印加する第１ステップと、
   前記初期電位の印加を解除するとともに、前記基準電位の印加を維持した状態で、前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをそれぞれオンさせる第２ステップと、
   前記第１画素回路に対応する第１データ信号の電位を前記第１保持部によって保持させるとともに、前記第２画素回路に対応する第２データ信号の電位を前記第２保持部によって保持させる第３ステップと、
   前記基準電位の印加を解除した状態で、前記第１保持部によって保持された前記第１データ信号を前記第１保持容量の他端に供給し、前記第２保持部によって保持された前記第２データ信号を前記第１保持容量の他端に供給する第４ステップと、
   を有し、
   前記第３ステップは、前記第１ステップ及び前記第２ステップの少なくともいずれかと同時に実行される
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
7. 前記第１画素回路における前記第２ステップの終了から前記第４ステップの開始までの時間は、前記第２画素回路における前記第２ステップの終了から前記第４ステップの開始までの時間は、同じである
   ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の駆動方法。
8. 前記第４ステップにおける、前記第１データ信号を前記第１保持容量の他端への供給は、前記第２データ信号を前記第２保持容量の他端への供給と同時に行われる
   ことを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の駆動方法。
9. 請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置を備える
   ことを特徴とする電子機器。

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