JP2013138052A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、被処理基板に溝または穴を形成するためにシリコンをプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ素含有ガスと酸素含有ガスとからなる混合ガスを用いて前記シリコンをプラズマエッチングし、前記シリコンのプラズマエッチングは、エッチング深さに応じて各エッチングパラメータを制御しながら所望の深さの溝または穴を形成することを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
102 マイクロ波発生器
103 整合器
104 導波管
105 マイクロ波回転発生器
106 マイクロ波導入窓
107 ガス導入手段
108 透過窓
109 ソレノイドコイル
110 試料台
111 被処理基板
112 高周波電源
113 静電吸着電源
114 冷却ガス供給口
115 チラーユニット
116 排気ポンプ
117 深さモニタ
201 マスク
202 シリコン基板
203 トレンチ開口部
Claims (5)
- 被処理基板に溝または穴を形成するためにシリコンをプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、
フッ素含有ガスと酸素含有ガスとからなる混合ガスを用いて前記シリコンをプラズマエッチングし、
前記シリコンのプラズマエッチングは、エッチング深さに応じて各エッチングパラメータを制御しながら所望の深さの溝または穴を形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法において、
前記シリコンのプラズマエッチングは、所定のエッチング深さ毎に区切られた複数のステップを行うことによって、所望の深さの溝または穴を形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項2記載のプラズマエッチング方法において、
前記シリコンのプラズマエッチングは、処理圧力を各ステップを順次行う毎に低下させ、高周波バイアス電力を各ステップを順次行う毎に増加させながら所望の深さの溝または穴を形成することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項3記載のプラズマエッチング方法において、
前記シリコンのプラズマエッチングは、前記処理圧力を前記各ステップ内で単調に低下させ、前記高周波バイアス電力を前記各ステップ内で単調に増加させることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記エッチング深さは、エッチング深さをモニタする手段によってモニタされることを特徴とするプラズマエッチング方法。
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2011
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