JP2013137998A - 封止体、発光装置、電子機器及び照明装置 - Google Patents

封止体、発光装置、電子機器及び照明装置 Download PDF

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Abstract

【課題】一対の基板をガラス層で貼り合わせた、封止性能が高い封止体を提供する。
【解決手段】第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、第1の基板及び第2の基板と接し、第1の基板及び第2の基板間に空間を形成する、第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層とを備え、第1の基板は角部を有し、第1の基板の第1の面の面積が、第2の基板の第1の面の面積以下であり、ガラス層と第1の基板の溶着領域又はガラス層と第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい封止体を提供する。
【選択図】図1

Description

一対の基板及びガラス層を用いた封止体に関する。また、有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence、以下ELとも記す)現象を利用した発光装置、電子機器及び照明装置に関する。
近年、発光装置や表示装置に関する開発が活発に進められており、信頼性や歩留まりの向上などが求められている。
封止性能の高い封止体は、表示素子や発光素子等が被封止体である表示装置や発光装置に好適に用いることができる。
例えば、発光装置において、有機EL現象を利用した発光素子(有機EL素子とも記す)等のように、水分や酸素を含む大気に曝されると信頼性等の性能が急速に低下する素子は、封止性能の高い封止体の内部に備えることが好ましい。
特許文献1には、基板と封止基板とが接着剤層を介して貼り合わされた有機ELパネルが開示されている。
特開2011−81944号公報
また、発光装置の作製時や使用時には、発光装置の角部に力が加わりやすく、貼り合わされた一対の基板は、角部から剥がれやすい。
例えば、同一基板上に複数の発光装置(又は表示装置)を作製し、基板表面に溝を形成(スクライブ)し、この溝を起点にして基板を分断する技術が知られている。このような分断時には、発光装置の角部に力が集中しやすく、貼り合わされた一対の基板が剥がれやすい。
したがって、封止体の角部において、基板と接着剤層の密着性が高いことが望まれている。
一対の基板を貼り合わせるための接着剤としては、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂が知られている。一対の基板を貼り合わせる際に、一対の基板間に挟持された樹脂は、押し潰されてその幅が広がる等、形状の変化が生じる。つまり、基板上に形成された樹脂は、貼り合わせ後の形状と貼り合わせ前の形状とが異なる。
例えば、樹脂の塗布量が多い場合には、貼り合わせ時に樹脂が所定の領域からはみ出して、被封止体の形成領域に樹脂が混入することで、被封止体を汚染する場合がある。逆に、はみ出しを抑制するために、樹脂の塗布量を減らしすぎると、貼り合わせ後に所定の領域に樹脂が形成されていない箇所が生じる(十分に被封止体を封止できない)場合がある。
本発明の一態様は、封止性能が高い封止体を提供することを目的の一とする。
また、本発明の一態様は、該封止体によって有機EL素子が封止された、信頼性の高い発光装置を提供することを目的の一とする。
また、本発明の一態様は、該発光装置を用いた信頼性の高い電子機器又は照明装置を提供することを目的の一とする。
本発明の一態様の封止体は、一対の基板及びガラス層に囲まれた空間を備え、少なくとも一方の基板は角部を有し、該角部を有する基板の外周に沿ってガラス層が設けられ、ガラス層と基板とが溶着されている領域(ガラス層と基板の溶着領域とも記す)において、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい構成である。このような構成は、封止体の角部において、ガラス層と基板の溶着領域の面積が大きいため、該角部におけるガラス層と基板の密着性を向上することができる。したがって、封止体の角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制することができる。
なお、本明細書中において、ガラス層と基板の溶着領域における内側の輪郭及び外側の輪郭の間を、該溶着領域の幅とする。本明細書中では、例えば、該溶着領域の角部(辺部)における内側の輪郭及び外側の輪郭の間を、角部(辺部)の幅と記す。また、同様に、ガラス層における内側の輪郭及び外側の輪郭の間を、ガラス層の幅とする。
また、上記本発明の一態様の構成では、一対の基板を貼り合わせるためにガラス層を用いる。ガラスは、樹脂に比べて、封止性能が高く好ましい。また、貼り合わせ時に変形しにくく、貼り合わせ前から貼り合わせ後のガラス層の形状が予測できるため、貼り合わせ後にガラス層が所定の領域に形成されず、十分に被封止体を封止できないという不具合の発生を抑制できる。したがって、封止性能が高い封止体を歩留まり良く作製することができる。また、貼り合わせ後における所望の形状で、基板上にガラス層(又はガラス層を作製するためのガラスフリット、フリットペースト等)を設ければ良いため、封止体の作製が簡便である。
具体的には、本発明の一態様は、第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、第1の基板及び第2の基板と接し、第1の基板及び第2の基板間に空間を形成する、第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層とを備え、第1の基板は角部を有し、第1の基板の第1の面の面積が、第2の基板の第1の面の面積以下であり、ガラス層と第1の基板の溶着領域又はガラス層と第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい封止体である。
上記の封止体は、一対の基板をガラス層によって貼り合わせるため、封止性能が高い。かつ、上記の封止体は角部において、ガラス層と基板の溶着領域の面積が大きく、ガラス層と基板の密着性が高いため、該角部に力が集中しても、ガラス層によって貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できる。また、封止体の作製工程において、該角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できるため、歩留まりを向上させることができる。
なお、本発明には、基板とガラス層が直接接する構成だけでなく、基板上に形成された膜を介して基板とガラス層が接する構成も含まれる。本明細書中において、ガラス層と基板の溶着領域とは、構成によっては、ガラス層と基板上に形成された膜との溶着領域を指す場合がある。
本発明の一態様は、基板上に形成された膜を介して基板とガラス層が接する場合においても、封止体の角部における該膜とガラス層の溶着領域の面積が大きいため、該角部における該膜とガラス層の密着性を向上することができる。したがって、封止体の角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できる。
本発明の一態様の封止体は、第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、第1の基板及び第2の基板と接し、第1の基板及び第2の基板間に空間を形成する、第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層とを備え、第1の基板は角部を有し、第1の基板の第1の面の面積が、第2の基板の第1の面の面積以下であり、ガラス層と第1の基板の溶着領域又はガラス層と第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部は、外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径以下である。
上記封止体は、ガラス層と第1の基板の溶着領域又はガラス層と第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、外側の輪郭及び内側の輪郭の角部が、それぞれ一つの円に沿った形状である。本明細書中では、輪郭の角部が一つの円に沿った形状であるとき、その円の半径を該輪郭の半径と呼ぶ。
外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径以下である構成は、封止体の角部において、ガラス層と基板の溶着領域の面積が大きいため、該角部におけるガラス層と基板の密着性を向上することができる。
また、本発明の一態様は、第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、第1の基板及び第2の基板と接し、第1の基板及び第2の基板間に被封止体領域を形成する、第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層とを備え、第1の基板は角部を有し、第1の基板の第1の面の面積が、第2の基板の第1の面の面積以下であり、被封止体領域は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備え、ガラス層と第1の基板の溶着領域又はガラス層と第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい発光装置である。
上記発光装置は、封止材として、高い封止効果を備えるガラス層を採用している。したがって、発光装置の外部から水分や酸素等の不純物が侵入し、発光素子(有機EL素子)が劣化することを抑制できる。
かつ、上記発光装置のガラス層と第1の基板の溶着領域又はガラス層と第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい。発光装置の角部におけるガラス層と基板の溶着領域の面積が大きいため、該角部におけるガラス層と基板の密着性を向上することができる。したがって、発光装置の角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できる。また、発光装置の作製時に、該角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できるため、歩留まりを向上させることができる。
本発明の一態様の発光装置は、第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、第1の基板及び第2の基板と接し、第1の基板及び第2の基板間に被封止体領域を形成する、第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層とを備え、第1の基板は角部を有し、第1の基板の第1の面の面積が、第2の基板の第1の面の面積以下であり、被封止体領域は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備え、ガラス層と第1の基板の溶着領域又はガラス層と第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部は、外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径以下である。
上記発光装置は、ガラス層と第1の基板の溶着領域又はガラス層と第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、外側の輪郭及び内側の輪郭の角部が、それぞれ一つの円に沿った形状である。外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径以下である構成は、発光装置の角部において、ガラス層と基板の溶着領域の面積が大きいため、該角部におけるガラス層と基板の密着性を向上することができる。
また、本発明の一態様は、上記発光装置を用いた電子機器である。また、本発明の一態様は、上記発光装置を用いた照明装置である。上記発光装置は、角部における基板とガラス層の密着性が高く、該角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれにくいため、電子機器又は照明装置に適用することで、信頼性の高い電子機器又は照明装置を実現することができる。
本発明の一態様では、封止性能が高い封止体を提供することができる。
また、該封止体によって有機EL素子が封止された、信頼性の高い発光装置を提供することができる。
また、該発光装置を用いた信頼性の高い電子機器又は照明装置を提供することができる。
本発明の一態様の封止体及び比較例の封止体の一例を示す図。 本発明の一態様の封止体の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 EL層の一例を示す図。 本発明の一態様の電子機器及び照明装置の一例を示す図。 本発明の一態様の照明装置の一例を示す図。 本発明の一態様の電子機器の一例を示す図。 実施例1における本発明の一態様の封止体の作製方法を説明する図。 実施例1の結果を示す図。 実施例1の結果を示す図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の封止体について図1及び図2を用いて説明する。
本発明の一態様の封止体は、第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層と、を有する。第1の基板は角部を有し、第1の基板の第1の面の面積が、第2の基板の第1の面の面積以下である。そして、第1の基板及び第2の基板はガラス層で貼り合わされている。かつ、ガラス層と第1の基板の溶着領域又はガラス層と第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい。
上記封止体は、一対の基板がガラス層で貼り合わされているため、封止性能が高い。かつ、角部において、ガラス層と基板の溶着領域の面積が大きいため、該角部におけるガラス層と基板の密着性を向上することができる。したがって、封止体の角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できる。また、封止体の作製工程において、該角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できるため、歩留まりを向上させることができる。
一対の基板を貼り合わせるために樹脂を用いる場合、一対の基板間に挟持された樹脂は、押し潰されてその幅が広がる等、形状の変化が生じる。
例えば、樹脂の塗布量が多い場合には、貼り合わせ時に樹脂が所定の領域からはみ出して、被封止体の形成領域に樹脂が混入することで、被封止体を汚染する場合がある。逆に、はみ出しを抑制するために樹脂の塗布量を減らしすぎると、貼り合わせ後に所定の領域に樹脂が形成されていない箇所が生じる(十分に被封止体を封止できない)場合がある。
しかし、上記構成では、一対の基板を貼り合わせるためにガラス層を用いる。ガラスは、樹脂に比べて、封止性能が高く好ましい。また、貼り合わせ時に変形しにくく、貼り合わせ前から貼り合わせ後のガラス層の形状が予測できるため、貼り合わせ後に、ガラス層が所定の領域に形成されず、十分に被封止体を封止できないという不具合の発生を抑制できる。したがって、封止性能が高い封止体を歩留まり良く作製することができる。また、貼り合わせ後における所望の形状で、基板上にガラス層(又はガラス層を作製するためのガラスフリット、フリットペースト等)を設ければ良いため、簡便に封止体を作製することができる。
なお、本実施の形態では、説明の簡略化のため、基板上に形成されるガラス層の形状と、貼り合わせ後のガラス層と基板(基板及び/又は対向基板)の溶着領域の形状が等しいものとして説明する。
図1(A1)に本発明の一態様の封止体の平面図を示す。図1(A1)における点線111で囲まれた領域の拡大図を図1(A2)及び図1(A3)に示す。
図1(A1)乃至(A3)に示す本発明の一態様の封止体は、四角形の基板101上に、基板101の外周に沿ってガラス層105aが設けられている。そして、ガラス層105aによって、基板101と対向基板が貼り合わされており、一対の基板とガラス層105aによって囲まれた空間102を備える。
本実施の形態では、基板と対向基板とは、互いに対向する面の面積が等しいものとする。例えば、図1(A1)に示す封止体の平面図において、対向基板の形状は、基板101と同一であると言える。
空間102には、被封止体が含まれる。被封止体としては、特に限定は無く、例えば、有機EL素子や、プラズマディスプレイを構成する素子、液晶素子等が挙げられる。また、トランジスタやカラーフィルタが設けられていても良い。
図1(B1)に比較例の封止体の平面図を示す。図1(B1)における点線112で囲まれた領域の拡大図を図1(B2)及び図1(B3)に示す。
図1(B1)乃至(B3)に示す比較例の封止体は、四角形の基板101上に、基板101の外周に沿ってガラス層105bが設けられている。そして、ガラス層105bによって、基板101と対向基板が貼り合わされており、一対の基板とガラス層105bによって囲まれた空間102を備える。
本発明の一態様の封止体が備えるガラス層105aと、比較例の封止体が備えるガラス層105bの違い(ガラス層105aと基板101の溶着領域と、ガラス層105bと基板101の溶着領域の違いとも言える。)について説明する。
図1(A2)に示すように、ガラス層105aは、辺部の幅W2よりも、角部の幅W1のほうが大きい。
一方、図1(B2)に示すように、ガラス層105bは、辺部の幅W4と、角部の幅W3が等しい。
なお、ここで、辺部の幅とは、当該辺に対して直交する線上での幅を指す。また、角部の幅とは、外側の輪郭の対向しない2辺の延長線上の交点(図1(A2)の交点15参照)から内側の輪郭を最短距離で結ぶ線上での幅を指す。
図1(A2)及び図1(B2)より、ガラス層と基板の溶着領域において、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい本発明の一態様の封止体は、比較例の封止体に比べて、封止体の角部における溶着領域の面積が大きいことがわかる。したがって、本発明の一態様を適用することで、封止体の角部におけるガラス層と基板の密着性を向上することができる。
また、図1(A3)に示すように、ガラス層105aの角部は、外側の輪郭の半径R1が内側の輪郭の半径R2よりも小さい。
一方、図1(B3)に示すように、ガラス層105bの角部は、外側の輪郭の半径R3が内側の輪郭の半径R4よりも大きい。
図1(A3)及び図1(B3)より、ガラス層と基板の溶着領域の角部において、外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径以下である本発明の一態様の封止体は、比較例の封止体に比べて、封止体の角部における溶着領域の面積が大きいことがわかる。したがって、本発明の一態様を適用することで、封止体の角部における基板とガラス層の密着性を向上することができる。
また、ガラス層と基板の溶着領域の角部において、外側の輪郭の半径がゼロに近い値であるほど、封止体の角部におけるガラス層と基板の溶着領域の面積が大きく、封止体の角部におけるガラス層と基板の密着性をより向上することができ、好ましい。
図2(A)乃至図2(E)に本発明の別の態様の封止体の平面図を示す。
図2(A)に示す封止体が備えるガラス層105cは、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい。
図2(A)に示すガラス層105cのように、ガラス層と基板の溶着領域の角部において、外側の輪郭が角(かど、角度)を有していても良い。外側の輪郭が角を有する場合、直角、鋭角、鈍角のいずれであっても良い。
本発明の一態様の封止体が備える基板の第1の面の形状は、四角形に限らない。第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板において、第1の基板の第1の面の面積が、第2の基板の第1の面の面積以下であり、かつ、第1の基板が角部を有していれば良い。例えば、以下に示すように、本発明の一態様では、第1の面の形状が六角形の基板を用いることができる。
図2(B)に示す封止体は、第1の面の形状が六角形の基板131上に、基板131の外周に沿ってガラス層135が設けられている。そして、ガラス層135によって、基板131と対向基板が貼り合わされており、一対の基板とガラス層135によって囲まれた空間132を備える。
ガラス層135は、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい。また、ガラス層135の角部において外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径より小さい。図2(B)に示す封止体は、角部におけるガラス層と基板の溶着領域の面積が大きいため、該角部におけるガラス層と基板の密着性を向上することができる。
図2(C)に示す封止体の角部において、基板151上にガラス層155aが設けられている。ガラス層155aの辺部の幅W6に比べ、ガラス層155aの角部の幅W5は大きい。
同様に、図2(D)に示す封止体の角部において、基板151上にガラス層155bが設けられている。ガラス層155bの辺部の幅W8に比べ、ガラス層155bの角部の幅W7は大きい。
また、図2(E)に示す封止体の角部において、基板151上にガラス層155cが設けられている。ガラス層155cの辺部の幅W10に比べ、ガラス層155cの角部の幅W9は大きい。
このことから、図2(C)乃至図2(E)に示す封止体は、角部におけるガラス層と基板の溶着面積が大きいため、該角部における基板とガラス層の密着性を向上することができる。
なお、ガラス層と被封止体を同じ基板に設ける場合、被封止体とガラス層との形成順序は限定されない。また、ガラス層と被封止体は別々の基板に設けても良い。ガラス層の形成には加熱処理を伴う場合があるため、被封止体の耐熱性が低い場合は、別々の基板に設けることが好ましい。
ガラス層は、例えば、ガラスフリットを用いて形成することができる。また、ガラスリボンを用いて形成することができる。ガラスフリット及びガラスリボンは少なくともガラス材料を含んでいれば良い。
ガラスフリットは、ガラス材料をフリット材として含み、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス及びホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少なくとも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。
本発明の一態様の封止体の作製方法の一例を以下で説明する。本実施の形態では、ガラスフリットを用いて基板101上にガラス層105aを形成する(図1(A1)参照)。以下では、被封止体の作製工程は省略するが、基板101又は対向基板に被封止体が設けられているものとする。
まず、基板101上にフリットペーストをスクリーン印刷又はグラビア印刷等の印刷法や、ディスペンス法等を用いて塗布する。特に、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法を用いると、所望の形状のフリットペーストを容易に形成することができるため、好ましい。後に形成されるガラス層の形状は、このフリットペーストの形状との差が小さいため、フリットペーストは、貼り合わせ後における所望の形状で設ければ良い。ここでは、基板101上に、ガラス層105aと同様の形状のフリットペーストを形成する。
フリットペーストには、上記フリット材と、有機溶媒で希釈した樹脂(バインダとも呼ぶ)とが含まれる。フリットペーストは、公知の材料、構成を用いることができる。例えば、テルピネオール、n−ブチルカルビトールアセテート等の有機溶媒や、エチルセルロース等のセルロース系の樹脂を用いることができる。また、フリットペーストには、レーザ光の波長の光を吸収する吸収剤が含まれていても良い。
次に、仮焼成を行い、フリットペースト内の樹脂やバインダを除去し、ガラス層を形成する。
ガラス層は、上面が平坦であると、対向基板との密着性が高くなるため、好ましい。よって、圧力を加えるなどの平坦化処理を施しても良い。該平坦化処理は、仮焼成前や仮焼成後に行うことができる。
そして、基板101と対向基板を対向して設け、ガラス層と対向基板を密着させ、ガラス層にレーザ光を照射する。例えば、レーザ光のビーム径が、ガラス層の辺部の幅よりも大きい(具体的には、角部の幅と等しい場合等)と、本発明の一態様の構成が容易に得られるため好ましい。
以上により、基板101と対向基板がガラス層105aで貼り合わされた封止体を形成することができる。
また、例えば、貼り合わせ前に、ガラス層が所定の領域に形成されていない不良箇所を発見することで、該基板を作製工程から除去し、無駄な作製工程の実施を減少させることができる。または、該基板上にフリットペーストを追加で塗布し、再度仮焼成を行うことで、不良箇所をなくしても良い。このように、本発明の一態様では、貼り合わせ前に不良箇所を見つけることで、歩留まりの低下を抑制することができる。
以上に示したように、本発明の一態様の封止体は、一対の基板がガラス層によって貼り合わされているため、封止性能が高い。かつ、角部において、ガラス層と基板の溶着面積が大きいため、該角部における基板とガラス層の密着性が高い。したがって、封止体の角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できる。封止体の作製工程においても、該角部に力が集中し、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できるため、歩留まりを向上させることができる。
また、本発明の一態様の封止体は、貼り合わせ時に変形しにくく、貼り合わせ前から貼り合わせ後のガラス層の形状が予測できるため、歩留まり良く封止体を作製することができる。また、貼り合わせ後における所望の形状で、基板上にガラス層(又はガラス層を作製するためのガラスフリット、フリットペースト等)を設ければ良いため、封止体の作製が簡便である。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図3を用いて説明する。
図3(A)に本発明の一態様の発光装置の平面図を示す。図3(B)は、図3(A)を一点鎖線A−Bで切断した断面図である。
図3(A)(B)に示す発光装置は、支持基板801、封止基板806、及びガラス層805に囲まれた空間810内に、発光部802が設けられている。
支持基板801と封止基板806は、第1の面が互いに対向しており、封止基板806の第1の面の外周に沿ってガラス層805が設けられている。封止基板806は、第1の面の四隅に角部を有する。封止基板806の第1の面の面積は、支持基板801の第1の面の面積より小さい。
ガラス層805の角部は、外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径より小さい。また、ガラス層805は、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい。なお、本実施の形態において、ガラス層805と支持基板801の溶着領域の形状及びガラス層805と封止基板806の溶着領域の形状は、図3(A)に示すガラス層805の上面形状と等しいものとする。
発光部802は、発光素子130(第1の電極118、EL層120、及び第2の電極122)を有する。隔壁124は、第1の電極118の端部を覆い、かつ発光素子130の発光領域と重なる位置に開口部が設けられている。
上記発光装置は、一対の基板とガラス層805とに囲まれた空間810内に発光素子130を備えるため、封止性能が高い。かつ、角部において、基板とガラス層805の溶着面積が大きいため、該角部における基板とガラス層805の密着性を向上することができる。したがって、発光装置の角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できる。
例えば、同一基板上に複数の発光装置を作製し、基板表面に溝を形成(スクライブ)し、この溝を起点にして基板を分断するような場合には、発光装置の角部に力が集中しやすく、貼り合わされた一対の基板が剥がれやすい。本発明の一態様の発光装置は、角部における基板とガラス層の密着性が高いため、該角部に力が集中しても、ガラス層によって貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できる。よって、発光装置の歩留まりを向上させることができる。
また、上記発光装置は、一対の基板を貼り合わせるためにガラス層を用いる。貼り合わせ時に変形しにくく、貼り合わせ前から貼り合わせ後のガラス層の形状が予測できるため、貼り合わせ後に、ガラス層が所定の領域に形成されず、十分に被封止体を封止できないという不具合の発生を抑制できる。したがって、封止性能が高い発光装置を歩留まり良く作製することができる。また、貼り合わせ後における所望の形状で、基板上にガラス層(又はガラス層を作製するためのガラスフリット、フリットペースト等)を設ければ良いため、簡便に発光装置を作製することができる。
図3(A)に示す発光装置では、ガラス層805と発光部802との間にスペースが空いている。該スペースに、乾燥剤を含んでいても良い。また、レーザ光を照射する際の熱が、発光部802に含まれる素子等の劣化を引き起こす場合がある。よって、該スペースにヒートシンクとして機能する材料を含んでいても良い。
本実施の形態で示す発光装置は、封止基板806の外周に沿ってガラス層805を設ける。したがって、ガラス層805は、封止基板806上に形成することが好ましい。また、本実施の形態で示す発光装置は、支持基板801上に発光素子130を有する。発光素子130は、耐熱性が低い材料を含む場合がある。よって、フリットペーストの仮焼成等の工程での素子の劣化を抑制するためにも、ガラス層805は封止基板806上に形成することが好ましい。
また、本実施の形態では、支持基板801及び封止基板806がガラス層805と直接接する構成を示したが、本発明はこれに限られず、他の膜を介して基板とガラス層805が接していても良い。作製工程中にレーザ光の照射を行うことから、基板上でガラス層805と重なる膜は、耐熱性の高い材料からなることが好ましい。例えば、下地膜や層間絶縁膜として形成された基板上の無機絶縁膜とガラス層805が直接接する構成とすることができる。
<本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料>
以下に、本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、ガラス層については先の記載を参酌できる。
[支持基板801、封止基板806]
基板としては、ガラス、石英、樹脂などの材料を用いることができる。具体的には、仮焼成やレーザ光の照射等、封止体の作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を用いる。発光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。
なお、支持基板801に含まれる不純物が支持基板801上に設けられる各素子に拡散することを抑制するため、支持基板801の表面に絶縁層を設けることや、支持基板801に加熱処理を行うことが好ましい。
[発光素子130]
発光素子130の駆動方法は限定されず、アクティブマトリクス方式を用いても良く、パッシブマトリクス方式を用いても良い。また、トップエミッション(上面射出)構造、ボトムエミッション(下面射出)構造、デュアルエミッション(両面射出)構造のいずれも適用することができる。
本実施の形態では、ボトムエミッション構造の発光素子を例に説明する。
第1の電極118に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物(ITO)、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などが挙げられる。
また、第1の電極118として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。又は、それら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等を用いても良い。又は、グラフェン等を用いても良い。なお、金属材料(又はその窒化物)を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすれば良い。
EL層120は、少なくとも発光層を有する。発光層には、発光性の有機化合物が含まれる。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。EL層の構成例は実施の形態5で詳細に説明する。
第2の電極122は、光を取り出す側と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていても良い。
[隔壁124]
隔壁124の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。
特に、隔壁124の作製が容易となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。
隔壁124は、第1の電極118の端部を覆って設けられている。隔壁124の上層に形成されるEL層120や第2の電極122の被覆性を良好なものとするため、隔壁124の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。
隔壁の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)等を用いれば良い。
[空間810]
空間810は、希ガスもしくは窒素ガスなどの不活性ガス、又は樹脂などの固体で充填されていてもよく、減圧雰囲気であってもよい。また、空間810に、乾燥剤を有していても良い。乾燥剤としては、化学吸着によって水分等を吸収する物質、物理吸着によって水分等を吸着する物質のいずれを用いてもよい。例えば、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物(酸化カルシウムや酸化バリウム等)、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、シリカゲル等が挙げられる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図4を用いて説明する。図4(A)は、本発明の一態様の発光装置を示す平面図であり、図4(B)は、図4(A)を一点鎖線C−Dで切断した断面図である。
本実施の形態の発光装置において、支持基板801及び封止基板806は、ガラス層805によって貼り合わされている。支持基板801と封止基板806は、第1の面が互いに対向しており、封止基板806の第1の面の外周に沿ってガラス層805が設けられている。封止基板806は、第1の面に凹部を有する。また、封止基板806は、第1の面に角部を有する。封止基板806の第1の面の面積は、支持基板801の第1の面の面積より小さい。
ガラス層805は、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい。また、ガラス層805の角部において、外側の輪郭が角を有する。具体的には、鈍角を有する。なお、本実施の形態において、ガラス層805と封止基板806の溶着領域の形状は、図4(A)に示すガラス層805の上面形状と等しいものとする。
本実施の形態の発光装置は、支持基板801、封止基板806、及びガラス層805に囲まれた空間810内に、発光素子130(第1の電極118、EL層120、及び第2の電極122)を備える。発光素子130は、ボトムエミッション構造であり、具体的には、支持基板801上に第1の電極118を有し、第1の電極118上にEL層120を有し、EL層120上に第2の電極122を有する。
上記発光装置は、一対の基板とガラス層805とに囲まれた空間810内に発光素子130を備えるため、封止性能が高い。かつ、角部において、基板とガラス層805の溶着面積が大きいため、該角部における基板とガラス層805の密着性を向上することができる。したがって、発光装置の角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できる。
また、上記発光装置は、一対の基板を貼り合わせるためにガラス層を用いる。貼り合わせ時に変形しにくく、貼り合わせ前から貼り合わせ後のガラス層の形状が予測できるため、貼り合わせ後に、ガラス層が所定の領域に形成されず、十分に被封止体を封止できないという不具合の発生を抑制できる。したがって、封止性能が高い発光装置を歩留まり良く作製することができる。また、貼り合わせ後における所望の形状で、基板上にガラス層(又はガラス層を作製するためのガラスフリット、フリットペースト等)を設ければ良いため、簡便に発光装置を作製することができる。
第1の端子809aは、補助配線163及び第1の電極118と電気的に接続する。第1の電極118上には、補助配線163及び第1の端子809aと重なる領域に、絶縁層125が設けられている。第1の端子809aと第2の電極122は、絶縁層125によって電気的に絶縁されている。第2の端子809bは、第2の電極122と電気的に接続する。なお、本実施の形態では、補助配線163上に第1の電極118が形成されている構成を示すが、第1の電極118上に補助配線163を形成しても良い。
また、有機EL素子は、屈折率が大気より高い領域で発光するため、光を大気中に取り出すときに有機EL素子内、又は有機EL素子と大気との境界面で全反射が生じる条件があり、有機EL素子の光取り出し効率は100%より小さいという問題がある。
具体的には、EL層の屈折率よりも小さい屈折率を有する媒体Bへ、媒体Bよりも屈折率の高い媒体Aから光が入射する際に、入射する角度により全反射することがある。
このとき、媒体Aと媒体Bとの界面に凹凸の構造を設けることが好ましい。このような構成とすることで、媒体Aから媒体Bに臨界角を超えて入射する光が全反射し、発光装置内を光が導波して光の取り出し効率が低下する現象を抑制することができる。
例えば、支持基板801と大気との界面に凹凸の構造161aを有することが好ましい。支持基板801の屈折率は大気の屈折率よりも大きい。よって、大気と支持基板801の界面に凹凸の構造161aを設けることで、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、発光装置の光の取り出し効率を向上させることができる。
また、発光素子130と支持基板801との界面に凹凸の構造161bを有することが好ましい。
しかし、有機EL素子において、第1の電極118が凹凸を有すると、第1の電極118上に形成されるEL層120においてリーク電流が生じる恐れがある。したがって、本実施の形態では、EL層120の屈折率以上の屈折率を有する平坦化層162を、凹凸の構造161bと接して設ける。これによって、第1の電極118を平坦な膜とすることができ、第1の電極118の凹凸に起因するEL層におけるリーク電流の発生を抑制することができる。また、平坦化層162と支持基板801との界面に、凹凸の構造161bを有するため、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、発光装置の光の取り出し効率を向上させることができる。
なお、図4(B)において、支持基板801、凹凸の構造161a及び凹凸の構造161bを異なる要素として示したが、本発明はこれに限られない。これらのうち二つ又は全てが一体に形成されていても良い。
なお、図4(A)に示す発光装置の形状は八角形であるが、本発明はこれに限られない。発光装置は、角部を有する形状であれば、その他の多角形や、曲線部を有する形状としても良い。特に、発光装置の形状としては、三角形、四角形、正六角形などが好ましい。なぜなら、限られた面積に複数の発光装置を隙間無く設けることができるためである。また、限られた基板面積を有効に利用して発光装置を形成できるためである。また、発光装置が備える発光素子は一つに限られず、複数の発光素子を有していても良い。
<本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料>
以下に本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、基板、発光素子、封止材及び空間については、先の実施の形態で例示した材料を適用することができる。
[絶縁層125]
絶縁層125は、先の実施の形態で示した隔壁124と同様の材料を用いて形成することができる。
[補助配線163、第1の端子809a及び第2の端子809b]
補助配線163、第1の端子809a及び第2の端子809bは、同一の工程で(同時に)形成すると、少ない工程数で発光装置を作製できるため好ましい。例えば、銅(Cu)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)、ニッケル(Ni)、から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成すれば良い。
[凹凸の構造161a、161b]
凹凸の形状について、規則性の有無は問わない。凹凸の形状に周期性があると、凹凸の大きさによっては、凹凸が回折格子のような働きをすることで、干渉効果が強くなり、特定の波長の光が大気に取り出されやすくなることがある。したがって、凹凸の形状は周期性をもたないことが好ましい。
凹凸の底面形状は、特に限定されず、例えば、三角形、四角形等の多角形や、円形等とすることができる。凹凸の底面形状が規則性を有する場合は、隣り合う部分において隙間が生じないように設けられていることが好ましい。例えば、好ましい底面形状として、正六角形が挙げられる。
凹凸の底面に垂直な断面の形状は、特に限定されず、例えば、半球状や、円錐、角錐(三角錐、四角錐等)、傘状などの頂点を有する形状とすることができる。
凹凸の大きさ、高さは、特に、1μm以上であると、光の干渉による影響を抑制することができるため、好ましい。
凹凸の構造161a、161bは、支持基板801に直接作製することができる。その方法としては、例えば、エッチング法、砥粒加工法(サンドブラスト法)、マイクロブラスト加工法、液滴吐出法や、印刷法(スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法)、スピンコート法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンサ法、インプリント法、ナノインプリント法等を適宜用いることができる。
凹凸の構造161a、161bの材料としては、例えば、樹脂を用いることができ、具体的には、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル(ポリメチルメタクリレート)樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルフォン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、環状オレフィン系樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、これらを2以上組み合わせたものを用いても良い。アクリル樹脂は、可視光の透過率が高いため、好適に用いることができる。また、環状オレフィン系樹脂、及びシクロオレフィン樹脂は、可視光の透過率が高く耐熱性が優れているため、好適に用いることができる。
また、凹凸の構造161a、161bとして、半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を用いることもできる。例えば、支持基板801上に上記レンズやフィルムを、支持基板801又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、凹凸の構造161a、161bを形成することができる。
[平坦化層162]
平坦化層162は、凹凸の構造161bと接する面よりも、第1の電極118と接する面のほうが平坦である。したがって、第1の電極118を平坦な膜とすることができる。その結果、第1の電極118の凹凸に起因するEL層120のリーク電流を抑制することができる。
平坦化層162の材料としては、高屈折率の液体や樹脂等を用いることができる。平坦化層162は、透光性を有する。高屈折率の樹脂としては、臭素が含まれる樹脂、硫黄が含まれる樹脂などが挙げられ、例えば、含硫黄ポリイミド樹脂、エピスルフィド樹脂、チオウレタン樹脂、又は臭素化芳香族樹脂などを用いることができる。また、PET(ポリエチレンテレフタラート)、TAC(トリアセチルセルロース)なども用いることができる。高屈折率の液体としては、硫黄及びヨウ化メチレンを含む接触液(屈折液)などを用いることができる。成膜方法としては、材料にあった種々の方法を適用すれば良い。例えば、前述の樹脂を、スピンコート法を用いて成膜し、熱または光によって硬化させることで形成することができる。接着強度や加工のしやすさなどを考慮し適宜選択することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図5を用いて説明する。図5(A)は、本発明の一態様の発光装置を示す平面図であり、図5(B)は、図5(A)を一点鎖線E−Fで切断した断面図である。
本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、支持基板801上に、発光部802、駆動回路部803(ゲート側駆動回路部)、駆動回路部804(ソース側駆動回路部)及びガラス層805を有する。発光部802及び駆動回路部803、804は、支持基板801、封止基板806及びガラス層805で形成された空間810に封止されている。
支持基板801と封止基板806は、第1の面が互いに対向しており、封止基板806の第1の面の外周に沿ってガラス層805が設けられている。封止基板806は、第1の面に角部を有する。封止基板806の第1の面は、支持基板801の第1の面より面積が小さい。
ガラス層805の角部は、外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径より小さい。また、ガラス層805は、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい。なお、本実施の形態において、ガラス層805と封止基板806の溶着領域の形状は、図5(A)に示すガラス層805の上面形状と等しいものとする。
図5(B)に示す発光部802は、スイッチング用のトランジスタ140aと、電流制御用のトランジスタ140bと、トランジスタ140bの配線(ソース電極またはドレイン電極)に電気的に接続された第2の電極122とを含む複数の発光ユニットにより形成されている。
発光素子130は、トップエミッション構造であり、第1の電極118、EL層120、及び第2の電極122によって構成されている。また、第2の電極122の端部を覆って隔壁124が形成されている。
上記発光装置は、一対の基板とガラス層805とに囲まれた空間810内に発光素子130を備えるため、封止性能が高い。かつ、角部において、基板とガラス層805の溶着面積が大きいため、該角部における基板とガラス層805の密着性を向上することができる。したがって、発光装置の角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれることを抑制できる。
また、上記発光装置は、一対の基板を貼り合わせるためにガラス層を用いる。貼り合わせ時に変形しにくく、貼り合わせ前から貼り合わせ後のガラス層の形状が予測できるため、貼り合わせ後に、ガラス層が所定の領域に形成されず、十分に被封止体を封止できないという不具合の発生を抑制できる。したがって、封止性能が高い発光装置を歩留まり良く作製することができる。また、貼り合わせ後における所望の形状で、基板上にガラス層(又はガラス層を作製するためのガラスフリット、フリットペースト等)を設ければ良いため、簡便に発光装置を作製することができる。
支持基板801上には、駆動回路部803、804に外部からの信号(ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、またはリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き出し配線809が設けられる。ここでは、外部入力端子としてFPC808(Flexible Printed Circuit)を設ける例を示している。なお、FPC808にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていてもよい。本明細書における発光装置は、発光装置本体だけでなく、発光装置本体にFPCまたはPWBが取り付けられた状態のものも範疇に含むものとする。
駆動回路部803、804は、トランジスタを複数有する。図5(B)では、駆動回路部803が、nチャネル型のトランジスタ142及びpチャネル型のトランジスタ143を組み合わせたCMOS回路を有する例を示している。駆動回路部の回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路又はNMOS回路で形成することができる。また、本実施の形態では、発光部が形成された基板上に駆動回路が形成されたドライバー一体型を示すが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、発光部が形成された基板とは別の基板に駆動回路を形成することもできる。
工程数の増加を防ぐため、引き出し配線809は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。
本実施の形態では、引き出し配線809を、発光部802及び駆動回路部803に含まれるトランジスタのゲート電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
図5(B)において、ガラス層805は、引き出し配線809上の第1の絶縁層114と接している。ガラス層805は金属との密着性が低い場合がある。したがって、ガラス層805は、引き出し配線809上に設けられた無機絶縁膜と接することが好ましい。このような構成とすることで、封止性能が高く、信頼性の高い発光装置を実現することができる。無機絶縁膜としては、金属や半導体の酸化物膜、金属や半導体の窒化物膜、金属や半導体の酸窒化物膜が挙げられ、具体的には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化チタン膜等が挙げられる。
<本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料>
以下に本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、基板、発光素子、ガラス層、空間及び隔壁については、先の実施の形態で例示した材料を適用することができる。
[トランジスタ]
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタ(トランジスタ140a、140b、142、143等)の構造は特に限定されない。トップゲート型のトランジスタを用いても良いし、逆スタガ型などのボトムゲート型のトランジスタを用いても良い。また、チャネルエッチ型やチャネルストップ(チャネル保護)型としても良い。また、トランジスタに用いる材料についても特に限定されない。
ゲート電極は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、アルミニウム、銅などの金属膜の下側又は上側の一方又は双方にチタン、モリブデン、タングステンなどの高融点金属膜又はそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成としても良い。例えば、チタン膜と、アルミニウム膜又は銅膜と、チタン膜との三層構造とすることが好ましい。
ゲート絶縁層は、発光素子からの光を透過する材料で形成する。ゲート絶縁層は、例えば、プラズマCVD法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン又は酸化アルミニウムを単層で又は積層して形成することができる。
半導体層は、シリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがあり、酸化物半導体としては、In−Ga−Zn系金属酸化物などを、適宜用いることができる。ただし、半導体層としては、In−Ga−Zn系金属酸化物である酸化物半導体を用いて、オフ電流の低い半導体層とすることで、後に形成される発光素子130のオフ時のリーク電流が抑制できるため、好ましい。
ソース電極層及びドレイン電極層としては、例えば、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素を含む金属膜、又は該元素を含む金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)等を用いることができる。また、アルミニウム、銅などの金属膜の下側又は上側の一方又は双方にチタン、モリブデン、タングステンなどの高融点金属膜又はそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成としても良い。例えば、チタン膜と、アルミニウム膜又は銅膜と、チタン膜との三層構造とすることが好ましい。
また、ソース電極層及びドレイン電極層は、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In等)、酸化スズ(SnO等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、酸化インジウム酸化亜鉛(In−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
[第1の絶縁層114、第2の絶縁層116]
第1の絶縁層114及び第2の絶縁層116は、発光素子からの光を透過する材料で形成する。
第1の絶縁層114は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。第1の絶縁層114としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
第2の絶縁層116としては、カラーフィルタやトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、第2の絶縁層116を形成してもよい。
[カラーフィルタ166、ブラックマトリクス164]
封止基板806には、発光素子130(の発光領域)と重なる位置に、着色層であるカラーフィルタ166が設けられている。カラーフィルタ166は、発光素子130からの発光色を調色する目的で設けられる。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の発光ユニットを用いる。その場合、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3色を用いても良いし、これに黄色(Y)を加えた4色とすることもできる。
また、隣接するカラーフィルタ166の間(発光素子130の発光領域と重ならない位置)にはブラックマトリクス164が設けられている。ブラックマトリクス164は隣接する発光ユニットの発光素子130からの光を遮光し、隣接する発光ユニット間における混色を抑制する。ここで、カラーフィルタ166の端部を、ブラックマトリクス164と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。ブラックマトリクス164は、発光素子130からの発光を遮光する材料を用いることができ、金属や、樹脂などの材料を用いて形成することができる。なお、ブラックマトリクス164は、駆動回路部803などの発光部802以外の領域に設けても良い。
また、カラーフィルタ166及びブラックマトリクス164を覆うオーバーコート層168が形成されている。オーバーコート層168は、発光素子130からの発光を透過する材料から構成され、例えば無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。なお、オーバーコート層168は不要ならば設けなくても良い。
なお、本実施の形態では、カラーフィルタ方式を用いた発光装置を例に説明したが、本発明の構成はこれに限られない。例えば、塗り分け方式や、色変換方式を適用しても良い。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に適用することができるEL層の構成例について、図6を用いて説明する。
EL層には公知の物質を用いることができ、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもできる。なお、EL層を形成する物質には、有機化合物のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。
図6(A)では、第1の電極118及び第2の電極122の間にEL層120を有する。図6(A)に示すEL層120は、第1の電極118側から、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704及び電子注入層705の順で積層されている。
EL層は、図6(B)に示すように、第1の電極118と第2の電極122との間に複数積層されていても良い。この場合、積層された第1のEL層120aと第2のEL層120bとの間には、電荷発生層709を設けることが好ましい。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。
また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つ以上のEL層を有する発光素子の場合でも同様である。
EL層120は、図6(C)に示すように、第1の電極118と第2の電極122との間に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極122と接する複合材料層708を有していても良い。
第2の電極122と接する複合材料層708を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第2の電極122を形成する際に、EL層120が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。
電子注入バッファー層706を設けることで、複合材料層708と電子輸送層704との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電子輸送層704に容易に注入することができる。
電子注入バッファー層706と複合材料層708との間に、電子リレー層707を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を速やかに送ることが可能となる。
複合材料層708と電子注入バッファー層706との間に電子リレー層707が挟まれた構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層706に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
以下に、それぞれの層に用いることができる材料を例示する。なお、各層は、単層に限られず、二層以上積層しても良い。
〈正孔注入層701〉
正孔注入層701は、正孔注入性の高い物質を含む層である。
正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物や、フタロシアニン(略称:HPc)、銅(II)フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物等を用いることができる。
また、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)などの高分子化合物や、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
特に、正孔注入層701には、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体(アクセプター)とを含む複合材料を用いることが好ましい。該複合材料は、該電子受容体によって該有機化合物に正孔が発生するため、正孔注入性及び正孔輸送性に優れている。該複合材料を用いることで、第1の電極118からEL層120への正孔注入性が良好となり、発光素子の駆動電圧を低減することができる。
該複合材料は、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体とを共蒸着することにより形成することができる。また、正孔注入層701は、同一膜中に、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体とを含む構成だけでなく、正孔輸送性の高い有機化合物を含む層と、電子受容体を含む層とが積層されている構成も適用することができる。具体的には、電子受容体を含む層が、第1の電極118に接する構成とすれば良い。
複合材料に用いる有機化合物は、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば良く、特に、10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する有機化合物であることが好ましい。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素化合物、高分子化合物など、種々の化合物を用いることができる。
芳香族アミン化合物としては、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB又はα−NPD)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)等が挙げられる。
カルバゾール誘導体としては、例えば、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)等が挙げられる。
芳香族炭化水素化合物としては、例えば、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)等が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、PVK、PVTPA等が挙げられる。
複合材料に用いることのできる電子受容体としては遷移金属酸化物や、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが好ましい。酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすい。
〈正孔輸送層702〉
正孔輸送層702は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。
正孔輸送性の高い物質としては、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば良く、特に、10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。例えば、NPB、BPAFLP等の芳香族アミン化合物、CBP、CzPA、PCzPA等のカルバゾール誘導体、t−BuDNA、DNA、DPAnth等の芳香族炭化水素化合物、PVK、PVTPA等の高分子化合物など、種々の化合物を用いることができる。
〈発光層703〉
発光層703は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
発光層703に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、ルブレン等が挙げられる。
また、発光層703に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy))、(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジメチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−Me)(acac))等の有機金属錯体が挙げられる。
なお、発光層703は、上述した発光性の有機化合物(発光物質、ゲスト材料)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、ゲスト材料よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
ホスト材料としては、具体的には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)などの金属錯体、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)などの複素環化合物や、CzPA、DNA、t−BuDNA、DPAnthなどの縮合芳香族化合物、NPB等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。
また、発光層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光層を2つ有する発光素子において、第1の発光層の発光色と第2の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、発光層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
〈電子輸送層704〉
電子輸送層704は、電子輸送性の高い物質を含む層である。
電子輸送性の高い物質としては、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば良く、特に、10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。
電子輸送性の高い物質としては、例えば、Alq、BAlqなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等や、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などを用いることができる。また、TAZ、BPhen、BCPなども用いることができる。
〈電子注入層705〉
電子注入層705は、電子注入性の高い物質を含む層である。
電子注入性の高い物質としては、例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、酸化リチウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。
なお、上述した正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
〈電荷発生層709〉
図6(B)に示す電荷発生層709は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層709は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。
〈複合材料層708〉
図6(C)に示す複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体(アクセプター)とを含む複合材料を用いることができる。
〈電子注入バッファー層706〉
電子注入バッファー層706には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
また、電子注入バッファー層706が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物の他、テトラチアナフタセン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
〈電子リレー層707〉
電子リレー層707は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のLUMO準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位は−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下とするとよい。
電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
電子リレー層707に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはCuPc、PhO−VOPc(Vanadyl 2,9,16,23−tetraphenoxy−29H,31H−phthalocyanine)等が挙げられる。
電子リレー層707に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結合はアクセプター性(電子を受容しやすい性質)を有するため、電子の移動(授受)がより容易になる。
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。特に、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高い材料が好ましい。
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはPhO−VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
電子リレー層707はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、電子注入バッファー層706に含むことができるドナー性物質と同様の材料が挙げられる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下の範囲にLUMO準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(略称:PTCDA)等のペリレン誘導体や、ピラジノ[2,3−f][1,10]フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル(略称:PPDN)等の含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。
以上により、本実施の形態のEL層を作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態6)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および照明装置の一例について、図7乃至図9を用いて説明する。
本発明の一態様の発光装置は、角部における基板とガラス層の密着性が高く、該角部に力が集中しても、貼り合わされた一対の基板が剥がれにくい。したがって、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性の高い電子機器及び照明装置を実現することができる。
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器および照明装置の具体例を図7乃至図9に示す。
図7(A)は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置7100は、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示することが可能であり、本発明の一態様の発光装置を表示部7103に用いることができる。本発明の一態様の発光装置を表示部7103に用いることで、信頼性の高いテレビジョン装置を実現することができる。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。
テレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置7100は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
図7(B)はコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。なお、コンピュータは、本発明の一態様の発光装置をその表示部7203に用いることにより作製される。本発明の一態様の発光装置を表示部7203に用いることで、信頼性の高いコンピュータを実現することができる。
図7(C)は携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図7(C)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7308、入力手段(操作キー7309、接続端子7310、センサ7311(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン7312)等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、又は一方に本発明の一態様の発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明の一態様の発光装置を表示部7304又は/及び表示部7305に用いることで、信頼性の高い携帯型遊技機を実現することができる。図7(C)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図7(C)に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図7(D)は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、本発明の一態様の発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。本発明の一態様の発光装置を表示部7402に用いることで、信頼性の高い携帯電話機を実現することができる。
図7(D)に示す携帯電話機7400は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
また、携帯電話機7400内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
図7(E)は卓上照明器具であり、照明部7501、傘7502、可変アーム7503、支柱7504、台7505、電源7506を含む。なお、卓上照明器具は、本発明の一態様の発光装置を照明部7501に用いることにより作製される。本発明の一態様の発光装置を照明部7501に用いることで、信頼性の高い卓上照明器具を実現することができる。なお、照明器具には天井固定型の照明器具又は壁掛け型の照明器具なども含まれる。
図8は、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置811に用いた例である。本発明の一態様の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置に用いることができる。その他、ロール型の照明装置812として用いることもできる。なお、図8に示すように、室内の照明装置811を備えた部屋で、図7(E)で説明した卓上照明器具813を併用してもよい。
図9(A)(B)は2つ折り可能なタブレット型端末である。図9(A)は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a、表示部9631b、表示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省電力モード切り替えスイッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有する。
表示部9631aは、一部をタッチパネルの領域9632aとすることができ、表示された操作キー9037にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部9631aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、残りの半分の領域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部9631aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部9631aの全面にキーボードボタンを表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを表示画面として用いることができる。
また、表示部9631bにおいても表示部9631aと同様に、表示部9631bの一部をタッチパネルの領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボード表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで表示部9631bにキーボードボタンを表示することができる。
また、タッチパネルの領域9632aとタッチパネルの領域9632bに対して同時にタッチ入力することもできる。
また、表示モード切り替えスイッチ9034は、縦表示または横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。
また、図9(A)では表示部9631aと表示部9631bの表示面積が同じ例を示しているが特に限定されず、一方の表示部のサイズと他方の表示部のサイズが異なっていてもよく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルとしてもよい。
図9(B)は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、太陽電池9633、充放電制御回路9634、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する。なお、図9(B)では充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する構成について示している。
なお、タブレット型端末は2つ折り可能なため、未使用時に筐体9630を閉じた状態にすることができる。従って、表示部9631a、表示部9631bを保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
また、この他にも図9(A)(B)に示したタブレット型端末は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有することができる。
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池9633によって、電力をタッチパネル、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は、筐体9630の一面または二面に設けることで、効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とすることができるため好適である。なお、バッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
また、図9(B)に示す充放電制御回路9634の構成及び動作について、図9(C)にブロック図を示し説明する。図9(C)には、太陽電池9633、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3が、図9(B)に示す充放電制御回路9634に対応する箇所となる。
まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようDCDCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、スイッチSW1をオフにし、スイッチSW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。
なお太陽電池9633については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電手段によるバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線(非接触)で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
以上のように、本発明の一態様の発光装置を適用して電子機器や照明装置を得ることができる。本発明の一態様の発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
なお、本実施の形態に示す構成は、先の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
本実施例では、本発明の一態様の封止体について、図10乃至図12を用いて説明する。
まず、本実施例の封止体の作製方法について、図10を用いて説明する。図10(A)乃至図10(C)のそれぞれに、平面図と該平面図中の一点鎖線G−H間の断面図を示す。ただし、図10(B)及び図10(C)の平面図において、ガラス基板209は省略する。
図10(A)に示すように、スクリーン印刷を用いて、ガラス基板201上にフリットペースト203を形成した。フリットペースト203としては、酸化ビスマス等を含むガラスペーストを用いた。
そして、140℃で20分の乾燥を行った。
図11(A)(B)に、ガラス基板201上に形成されたフリットペースト203を光学顕微鏡で観察した結果を示す。図11(A)は、図10(A)に示す点線211で囲まれた領域、図11(B)は、図10(A)に示す点線213で囲まれた領域の観察結果である。図11(A)(B)からわかるように、フリットペースト203は、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい。また、角部において外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径より小さい。
次に、仮焼成を行い、フリットペースト203内の有機溶媒や樹脂を除去し、ガラス層204を形成した。仮焼成としては、450℃で60分の乾燥を行った。
そして、ガラス基板201とガラス基板209を対向させ、ガラス層204とガラス基板209を密着させた後、ガラス基板201側からガラス層204にレーザ光207を照射した(図10(B))。レーザ光の照射は、波長940nmの半導体レーザを用い、出力28W、測定速度1mm/secの条件で行った。なお、使用したレーザ光207のビーム径は、ガラス層204の角部の幅よりも大きい。
以上により、ガラス基板201とガラス基板209をガラス層205で貼り合わせた、本実施例の封止体を作製した(図10(C))。
本実施例の封止体の、ガラス層205とガラス基板209の溶着領域について、光学顕微鏡で観察した結果を図12(A)(B)にそれぞれ示す。具体的には、図10(C)における矢印215の向きで該溶着領域を観察した。
図12(A)に、図10(C)に示す点線217で囲まれた、ガラス層205とガラス基板209の溶着領域を示す。また、図12(B)に、図10(C)に示す点線219で囲まれた、ガラス層205とガラス基板209の溶着領域を示す。
図11及び図12からわかるように、フリットペースト203(図11(A)(B))とガラス層205(図12(A)(B))は、形状の変化が小さい。つまり、貼り合わせの前後において、ガラスの形状の変化が小さいことがわかる。このことから、樹脂を用いる場合に比べて、歩留まり良く封止体を作製することができる。
図12(A)(B)に示すように、ガラス層205とガラス基板209の溶着領域は、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい。また、角部において外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径より小さい。
本実施例で作製した封止体は、角部におけるガラス層と基板の溶着領域の面積が大きい。このように、本発明の一態様を適用することで、角部におけるガラス層と基板の密着性が高い封止体を得ることができる。
R1 半径
R2 半径
R3 半径
R4 半径
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ
SW3 スイッチ
W1 幅
W2 幅
W3 幅
W4 幅
W5 幅
W6 幅
W7 幅
W8 幅
W9 幅
W10 幅
15 交点
101 基板
102 空間
105a ガラス層
105b ガラス層
105c ガラス層
111 点線
112 点線
114 第1の絶縁層
116 第2の絶縁層
118 第1の電極
120 EL層
120a 第1のEL層
120b 第2のEL層
122 第2の電極
124 隔壁
125 絶縁層
130 発光素子
131 基板
132 空間
135 ガラス層
140a トランジスタ
140b トランジスタ
142 トランジスタ
143 トランジスタ
151 基板
155a ガラス層
155b ガラス層
155c ガラス層
161a 凹凸の構造
161b 凹凸の構造
162 平坦化層
163 補助配線
164 ブラックマトリクス
166 カラーフィルタ
168 オーバーコート層
201 ガラス基板
203 フリットペースト
204 ガラス層
205 ガラス層
207 レーザ光
209 ガラス基板
211 点線
213 点線
215 矢印
217 点線
219 点線
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
709 電荷発生層
801 支持基板
802 発光部
803 駆動回路部
804 駆動回路部
805 ガラス層
806 封止基板
808 FPC
809 引き出し配線
809a 第1の端子
809b 第2の端子
810 空間
811 照明装置
812 照明装置
813 卓上照明器具
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7312 マイクロフォン
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7501 照明部
7502 傘
7503 可変アーム
7504 支柱
7505 台
7506 電源
9033 留め具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9037 操作キー
9038 操作スイッチ
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a タッチパネルの領域
9632b タッチパネルの領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9639 ボタン

Claims (6)

  1. 第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、
    前記第1の基板及び前記第2の基板と接し、前記第1の基板及び前記第2の基板間に空間を形成する、前記第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層とを備え、
    前記第1の基板は角部を有し、
    前記第1の基板の第1の面の面積が、前記第2の基板の第1の面の面積以下であり、
    前記ガラス層と前記第1の基板の溶着領域又は前記ガラス層と前記第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい封止体。
  2. 第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、
    前記第1の基板及び前記第2の基板と接し、前記第1の基板及び前記第2の基板間に空間を形成する、前記第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層とを備え、
    前記第1の基板は角部を有し、
    前記第1の基板の第1の面の面積が、前記第2の基板の第1の面の面積以下であり、
    前記ガラス層と前記第1の基板の溶着領域又は前記ガラス層と前記第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部は、外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径以下である封止体。
  3. 第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、
    前記第1の基板及び前記第2の基板と接し、前記第1の基板及び前記第2の基板間に被封止体領域を形成する、前記第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層とを備え、
    前記第1の基板は角部を有し、
    前記第1の基板の第1の面の面積が、前記第2の基板の第1の面の面積以下であり、
    前記被封止体領域は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備え、
    前記ガラス層と前記第1の基板の溶着領域又は前記ガラス層と前記第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部の幅が、辺部の幅よりも大きい発光装置。
  4. 第1の面が互いに対向する第1の基板及び第2の基板と、
    前記第1の基板及び前記第2の基板と接し、前記第1の基板及び前記第2の基板間に被封止体領域を形成する、前記第1の基板の第1の面の外周に沿って設けられたガラス層とを備え、
    前記第1の基板は角部を有し、
    前記第1の基板の第1の面の面積が、前記第2の基板の第1の面の面積以下であり、
    前記被封止体領域は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備え、
    前記ガラス層と前記第1の基板の溶着領域又は前記ガラス層と前記第2の基板の溶着領域の少なくとも一方において、角部は、外側の輪郭の半径が内側の輪郭の半径以下である発光装置。
  5. 請求項3又は請求項4に記載の発光装置を表示部に備える電子機器。
  6. 請求項3又は請求項4に記載の発光装置を発光部に備える照明装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014102371A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Japan Display Inc 表示装置
WO2015174013A1 (ja) * 2014-05-12 2015-11-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機el素子及び照明装置
JP2016225273A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2019028284A (ja) * 2017-07-31 2019-02-21 京セラ株式会社 表示装置
WO2019123649A1 (ja) * 2017-12-22 2019-06-27 堺ディスプレイプロダクト株式会社 封止構造体、有機el表示装置、表示装置及び表示装置の製造方法
JP2020092265A (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 光寶光電(常州)有限公司 発光パッケージ構造及びその製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140016170A (ko) 2012-07-30 2014-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체 및 유기 전계 발광 장치
KR102160829B1 (ko) 2012-11-02 2020-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체 및 밀봉체의 제작 방법
JP6429465B2 (ja) 2013-03-07 2018-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 装置及びその作製方法
TWI790912B (zh) * 2014-07-03 2023-01-21 晶元光電股份有限公司 光電元件
WO2016015406A1 (zh) * 2014-07-29 2016-02-04 京东方科技集团股份有限公司 功能材料及其制备方法、三维显示光栅及显示装置
KR102334393B1 (ko) * 2014-11-26 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104485426A (zh) * 2014-12-26 2015-04-01 昆山国显光电有限公司 一种oled封装结构及封装方法
US10401689B2 (en) 2016-01-08 2019-09-03 Apple Inc. Electronic device displays with laser-welded edges
KR102555407B1 (ko) 2016-06-30 2023-07-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치
JP6151874B1 (ja) * 2017-02-10 2017-06-21 Lumiotec株式会社 有機エレクトロルミネッセント装置および照明装置
KR102587002B1 (ko) 2017-11-15 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2019183169A1 (en) * 2018-03-21 2019-09-26 Corning Incorporated Laser sealing ultra-thin glass
KR102566338B1 (ko) 2018-04-13 2023-08-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN108929041A (zh) * 2018-08-15 2018-12-04 日鸿半导体材料(南通)有限公司 一种石英玻璃粉及其制备方法
CN111416063B (zh) * 2020-04-29 2022-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法
CN115657311A (zh) * 2022-11-01 2023-01-31 福耀玻璃工业集团股份有限公司 可发光显示的玻璃及车辆

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090015136A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Jaehyuk Lee Display device
JP2010244766A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el表示装置
JP2010541162A (ja) * 2007-09-28 2010-12-24 コーニング インコーポレイテッド 可変レーザビームによるフリット封止
JP2011165579A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2011204645A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2012041196A (ja) * 2010-08-12 2012-03-01 Asahi Glass Co Ltd 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5225099B2 (ja) * 1972-06-06 1977-07-05
US3862830A (en) 1973-07-18 1975-01-28 Rca Corp Method of forming vitreous enclosures for liquid crystal cells
JP3345890B2 (ja) 1990-08-06 2002-11-18 株式会社ニコン システムカメラおよびリアコンバージョンレンズ鏡筒
JPH08184839A (ja) 1994-12-27 1996-07-16 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP3007812B2 (ja) 1995-05-19 2000-02-07 シャープ株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
US6326682B1 (en) 1998-12-21 2001-12-04 Kulite Semiconductor Products Hermetically sealed transducer and methods for producing the same
US6317186B1 (en) 1998-12-28 2001-11-13 International Business Machines Corporation Method for sealing corner regions of a liquid crystal display
TW493282B (en) 2000-04-17 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Self-luminous device and electric machine using the same
US6646284B2 (en) 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2002258253A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器
KR100435203B1 (ko) * 2001-08-17 2004-06-09 주식회사 진우엔지니어링 백라이트용 백색 유기발광소자 및 이를 이용한 액정디스플레이 장치
CN1564961A (zh) * 2001-10-03 2005-01-12 松下电器产业株式会社 液晶显示面板
CN1200465C (zh) * 2001-10-24 2005-05-04 翰立光电股份有限公司 显示元件的封装结构及其形成方法
JP2004012904A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Joyo Kogaku Kk 表示ユニットおよびその製造方法
JP2004226880A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Sharp Corp 表示パネルおよびその製造方法
KR100641793B1 (ko) 2002-12-26 2006-11-02 샤프 가부시키가이샤 표시패널 및 그 제조방법
US6998776B2 (en) 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
KR20050077961A (ko) 2004-01-30 2005-08-04 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
JP2005353287A (ja) 2004-06-08 2005-12-22 Hitachi Displays Ltd 有機el素子及びその製造方法
EP2428486B1 (en) * 2004-11-04 2021-04-14 Microchips Biotech, Inc. Compression and cold weld sealing methods and devices
US7985677B2 (en) * 2004-11-30 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US7431628B2 (en) 2005-11-18 2008-10-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing flat panel display device, flat panel display device, and panel of flat panel display device
JP5178204B2 (ja) 2005-12-06 2013-04-10 コーニング インコーポレイテッド フリットで密封されたガラスパッケージおよびその製造方法
US7425166B2 (en) 2005-12-06 2008-09-16 Corning Incorporated Method of sealing glass substrates
KR100673765B1 (ko) * 2006-01-20 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100635514B1 (ko) 2006-01-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100712185B1 (ko) * 2006-01-25 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
EP1811570B1 (en) 2006-01-23 2020-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
US8164257B2 (en) 2006-01-25 2012-04-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100688795B1 (ko) 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100685854B1 (ko) 2006-01-25 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100671638B1 (ko) 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치
KR100688790B1 (ko) 2006-01-27 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100732817B1 (ko) 2006-03-29 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20080051756A (ko) 2006-12-06 2008-06-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100787463B1 (ko) 2007-01-05 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 글래스 프릿, 실링재 형성용 조성물, 발광 장치 및 발광 장치의 제조방법
KR100838077B1 (ko) 2007-01-12 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치의 제조방법
KR101457362B1 (ko) 2007-09-10 2014-11-03 주식회사 동진쎄미켐 유리 프릿 및 이를 이용한 전기소자의 밀봉방법
KR100897132B1 (ko) 2007-09-12 2009-05-14 삼성모바일디스플레이주식회사 표시패널 봉지장치 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
TWI394732B (zh) 2008-02-28 2013-05-01 Corning Inc 密封玻璃包封之方法
JP2010080339A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置
JP2010080341A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置
KR100995068B1 (ko) * 2008-10-29 2010-11-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2011065895A (ja) 2009-09-17 2011-03-31 Toshiba Corp ガラス封止体、発光装置及びガラス封止体の製造方法
JP2011070797A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Toshiba Corp 封止体の製造方法および有機el装置
JP5650388B2 (ja) 2009-10-05 2015-01-07 三菱電機株式会社 有機elパネル、パネル接合型発光装置、有機elパネルの製造方法
JP6008546B2 (ja) 2011-04-13 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネセンス装置の作製方法
JP5947098B2 (ja) 2011-05-13 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 ガラス封止体の作製方法および発光装置の作製方法
JP6220497B2 (ja) 2011-06-09 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102038844B1 (ko) 2011-06-16 2019-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치
JP6111022B2 (ja) 2011-06-17 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 封止体の作製方法および発光装置の作製方法
JP5816029B2 (ja) 2011-08-24 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9472776B2 (en) 2011-10-14 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sealed structure including welded glass frits
JP2013101923A (ja) 2011-10-21 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 分散組成物の加熱方法、及びガラスパターンの形成方法
KR20130060131A (ko) * 2011-11-29 2013-06-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090015136A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Jaehyuk Lee Display device
JP2010541162A (ja) * 2007-09-28 2010-12-24 コーニング インコーポレイテッド 可変レーザビームによるフリット封止
JP2010244766A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el表示装置
JP2011165579A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2011204645A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2012041196A (ja) * 2010-08-12 2012-03-01 Asahi Glass Co Ltd 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014102371A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Japan Display Inc 表示装置
US9954198B2 (en) 2012-11-20 2018-04-24 Japan Display Inc. Display device
WO2015174013A1 (ja) * 2014-05-12 2015-11-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機el素子及び照明装置
JP2016225273A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2019028284A (ja) * 2017-07-31 2019-02-21 京セラ株式会社 表示装置
WO2019123649A1 (ja) * 2017-12-22 2019-06-27 堺ディスプレイプロダクト株式会社 封止構造体、有機el表示装置、表示装置及び表示装置の製造方法
JP2020092265A (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 光寶光電(常州)有限公司 発光パッケージ構造及びその製造方法
US11522109B2 (en) 2018-12-05 2022-12-06 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting package structure and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN103137896B (zh) 2017-12-05
US20160099434A1 (en) 2016-04-07
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US9214643B2 (en) 2015-12-15
US9761827B2 (en) 2017-09-12
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JP2016054156A (ja) 発光装置

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