JP2013125816A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体発光素子の光出力を増加する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、積層構造体、第１の電極、第２の電極、及び透明導電膜が直接或いは間接的に積層形成される。積層構造体は、第１導電型の第１の半導体層、発光層、及び第２導電型の第２の半導体層が直接或いは間接的に積層形成され、発光層側から第２の半導体層側方向へ光が取り出される。第１の電極は、第１の半導体層に接続される。第２の電極は、第２の半導体層の発光層側の露呈された第１主面に接続され、第１の電極と並列配置される。透明導電膜は、第２の半導体層の第１主面と相対向する第２主面を覆うように設けられる。
【選択図】 図１
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、積層構造体、第１の電極、第２の電極、及び透明導電膜が直接或いは間接的に積層形成される。積層構造体は、第１導電型の第１の半導体層、発光層、及び第２導電型の第２の半導体層が直接或いは間接的に積層形成され、発光層側から第２の半導体層側方向へ光が取り出される。第１の電極は、第１の半導体層に接続される。第２の電極は、第２の半導体層の発光層側の露呈された第１主面に接続され、第１の電極と並列配置される。透明導電膜は、第２の半導体層の第１主面と相対向する第２主面を覆うように設けられる。
【選択図】 図１
Description
本発明の実施形態は、半導体発光素子に関する。
半導体発光素子では、光取り出しに対して電極が遮蔽物となる。このため、近年、光取り出し面に電極を設けない半導体発光素子が多数開発されている。この様な半導体発光素子は、例えばＰ型半導体層、ＭＱＷ(Multiple Quantum Well)発光層、及びＮ型半導体層が積層形成される積層構造体が設けられ、Ｎ型電極とＰ型電極が支持台上に載置され、Ｎ型半導体層の表面側から光を取り出している。
この半導体発光素子では、Ｎ型電極とＰ型電極が近接する領域に電流が集中して狭い領域でキャリア密度が増加するという問題点がある。狭い領域でキャリア密度が増加すると、高出力半導体発光素子では、オーバーフローや非発光オージェ再結合が増加して発光効率が低下するという問題点がある。
本発明は、光出力を増加することができる半導体発光素子を提供することにある。
一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、積層構造体、第１の電極、第２の電極、及び透明導電膜が直接或いは間接的に積層形成される。積層構造体は、第１導電型の第１の半導体層、発光層、及び第２導電型の第２の半導体層が直接或いは間接的に積層形成され、発光層側から第２の半導体層側方向へ光が取り出される。第１の電極は、第１の半導体層に接続される。第２の電極は、第２の半導体層の発光層側の露呈された第１主面に接続され、第１の電極と並列配置される。透明導電膜は、第２の半導体層の第１主面と相対向する第２主面を覆うように設けられる。
以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態に係る半導体発光素子について、図面を参照して説明する。
まず、本発明の第１の実施形態に係る半導体発光素子について、図面を参照して説明する。
図１は半導体発光素子を示す断面図である。図２は半導体発光素子でのエレクトロンとホールの挙動を説明する図である。図３は比較例の半導体発光素子を示す断面図である。図４は比較例の半導体発光素子でのエレクトロンとホールの挙動を説明する図である。図５は半導体発光素子での発光、非発光を説明する図である。本実施形態では、積層構造体を構成する最上層のＮ型クラッド層上に、Ｎ型クラッド層を覆うように透明導電膜を設けて大電流におけるオーバーフローや非発光オージェ再結合を抑制して光出力を増加している。
図１に示すように、半導体発光素子９０は、支持台１１、支持台Ｐ型電極１２、支持台Ｎ型電極１３、Ｐ型電極７、Ｎ型電極８、積層構造体６１、及び透明導電膜９が設けられる。半導体発光素子９０は、高出力ＧａＮ系ＬＥＤ（light emitting diode）であり、照明分野などに適用される。
半導体発光素子９０はＰ型電極７及びＮ型電極８が支持台１１側に設けられ、積層構造体６１のＭＱＷ（multi quantum well）発光層４で生成された光は積層構造体６１のＮ型クラッド層６側から取り出される。Ｐ型電極７は、ＭＱＷ発光層４で生成された光を反射する反射層としても機能する。
Ｐ型支持台電極１２は、支持台１１上に載置される。Ｎ型支持台電極１３は、Ｐ型支持台電極１２と離間して支持台１１上に載置される。Ｐ型電極７は、Ｐ型支持台電極１２を覆うようにＰ型支持台電極１２上に形成される。Ｎ型電極８は、Ｐ型電極７及び積層構造体６１と離間してＮ型支持台電極１３上に形成される。Ｐ型電極７は、Ｎ型電極８よりも専有面積が広いが、注入されるキャリア(ホール)がMQW発光層４全域に広がれば良く、メッシュ状、細線状、ドット状や透明電極と反射層の組み合わせであっても良い。
積層構造体６１は、Ｐ型電極７上に形成される。積層構造体６１は、Ｐ型コンタクト層１、Ｐ型クラッド層２、Ｐ型オーバーフロー防止層３、ＭＱＷ発光層４、超格子層５、及びＮ型クラッド層６が、例えばＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法を用いて積層形成されたものである。Ｎ型電極８の上面と超格子層５の上面は同じ高さに設定される。Ｎ型電極８と超格子層５上にＮ型クラッド層６が形成される。Ｐ型オーバーフロー防止層３は、Ｎ型電極８側から供給されるエレクトロンの流れを遮断する働きをする。
ここで、Ｐ型コンタクト層１はＰ＋型ＧａＮ層であり、例えばアクセプタ濃度が１Ｅ２１／ｃｍ３で厚さ５ｎｍに設定される。Ｐ型クラッド層２はＰ型ＧａＮ層であり、例えばアクセプタ濃度が１Ｅ２０／ｃｍ３で厚さ１００ｎｍに設定される。Ｐ型オーバーフロー防止層３はＰ型ＡｌＧａＮ層であり、例えばアクセプタ濃度が１Ｅ２０／ｃｍ３で厚さ５ｎｍに設定される。ＭＱＷ発光層４はアンドープＭＱＷ発光層で８つの量子井戸を含み、その量子井戸は例えば厚さ２．５ｎｍでＩｎＸＧａ１−ＸＮ層からなる井戸層４２と、例えば厚さ５ｎｍでＩｎＹＧａ１−ＹＮ層からなる障壁層４１とから構成される。超格子層５はアンドープ超格子層で３０の量子井戸を含み、その量子井戸は例えば厚さ１ｎｍでＩｎＬＧａ１−ＬＮ層からなる井戸層と、例えば厚さ３ｎｍでＩｎＭＧａ１−ＭＮ層からなる障壁層とから構成される。Ｎ型クラッド層６はＮ型ＧａＮ層であり、例えばドナー濃度１Ｅ１９／ｃｍ３で厚さ４μｍに設定される。
Ｎ型クラッド層６の表面には１〜２μｍ程度の凹凸が形成されている。凹凸は、例えばＫＯＨ溶液を用いて形成しているがパターニング／ＲＩＥ（reactive ion etching）法やインプリント法／ＲＩＥ法を用いて形成してもよい。
透明導電膜９は、例えば膜厚０．１７μｍを有するＩＴＯ（indium thin oxide）膜を用いている。透明導電膜９は、Ｎ型クラッド層６の表面の凹凸を反映して表面に凹凸が維持される。ＩＴＯ膜は、例えば透過率が９５％、抵抗率が５×１０４Ω／ｃｍ２以下の値を有する。なお、ＩＴＯ膜の代わりに、ＺｎＯ膜、Ｓｎ２Ｏ膜、ＡＺＯ膜（ＺｎＯにＡｌ２Ｏ３を添加したもの）、或いはＩＺＯ膜などを用いてもよい。
ここで、Ｎ型クラッド層６及び透明導電膜９表面に形成される凹凸は、Ｎ型クラッド層６表面側に入射される光の入射角度、透明導電膜９表面側に入射される光の入射角度を種々変化させる。このため、Ｎ型クラッド層６と透明導電膜９界面、透明導電膜９と大気界面での全反射される光の割合が減少し、凹凸の効果で光取り出しが向上する。
図２に示すように、本実施形態の半導体発光素子９０では、Ｐ型電極７とＮ型電極８の間に電圧が印加されると、Ｐ型電極７側の一面全体にホールが発生し、ＭＱＷ発光層４の一面全体に形成される再結合発生領域５０にホールが供給される。一方、Ｎ型電極８側で発生したエレクトロンは、透明導電膜９がＮ型クラッド層６よりも抵抗が低いので、透明導電膜９及びＮ型電極８を介して超格子層５の一面全面に伝搬してＭＱＷ発光層４の一面全体に形成される再結合発生領域５０に供給される。この結果、活性層のキャリア密度の増加が抑制される。
ここで、半導体発光素子での発光、非発光について説明する。図５（ａ）に示すように、自然放出による発光Ｂは、エレクトロンが伝導帯から価電子帯へ移動してエネルギーを放出するときに発生する光であり、結合率がキャリアの２乗に比例する。ＳＲＨ（ショックレーリードホール再結合）による非発光Ａは、エレクトロンが伝導帯からｄｅｅｐ ｌｅｖｅｌへ移動或いはｄｅｅｐ ｌｅｖｅｌから価電子帯へ移動してエネルギーを振動として放出するものであり、結合率がキャリアの１乗に比例する。非発光オージェ再結合による非発光は、エレクトロンが伝導帯から価電子帯へ移動してエネルギーを放出、或いはエレクトロンが伝導帯でエネルギーを得て励起するものであり、結合率がキャリアの３乗に比例する。
図５（ｂ）に示すように、発光効率としての割合Ｙは、非発光Ａ、発光Ｂ、非発光Ｃをもとに
Y＝B/(A+B+C)・・・・・・・・・・・・・・・・・式（１）
と表わされる。発光効率としての割合Ｙは、キャリア濃度が増加するにつれて増加する。キャリア濃度が、例えば４Ｅ１８／ｃｍ３に達すると割合Ｙの値は飽和し、４Ｅ１８／ｃｍ３よりも増加すると割合Ｙは徐々に低下する。つまり、キャリア濃度が所定の値以上の領域では発光効率が低下する。
Y＝B/(A+B+C)・・・・・・・・・・・・・・・・・式（１）
と表わされる。発光効率としての割合Ｙは、キャリア濃度が増加するにつれて増加する。キャリア濃度が、例えば４Ｅ１８／ｃｍ３に達すると割合Ｙの値は飽和し、４Ｅ１８／ｃｍ３よりも増加すると割合Ｙは徐々に低下する。つまり、キャリア濃度が所定の値以上の領域では発光効率が低下する。
本実施形態の半導体発光素子９０の大電流動作時、キャリア濃度を所定の値以内に抑制することができる。本実施形態の半導体発光素子９０の大電流動作時でも、広い領域で再結合が発生し、活性層のキャリア密度の増加を抑制できる。したがって、オーバーフローや非発光オージェ再結合の発生を抑制することができ、発光効率が低下せずに大電流で光出力を増加することができる。
図３に示すように、比較例の半導体発光素子１００は、支持台１１、支持台Ｐ型電極１２、支持台Ｎ型電極１３、Ｐ型電極７、Ｎ型電極８、及び積層構造体６１が設けられる。比較例の半導体発光素子１００は、本実施形態の半導体発光素子９０の透明導電膜９が設けられていないだけで、その他の構成は同一である。
図４に示すように、比較例の半導体発光素子１００では、Ｐ型電極７とＮ型電極８の間に電圧が印加されると、Ｐ型電極７側の一面全体にホールが発生し、ＭＱＷ発光層４の一面全体にホールが供給される。一方、Ｎ型電極８側で発生したエレクトロンは、Ｎ型クラッド層６が比較的抵抗が高いので、Ｎ型電極８側に近い領域のＮ型クラッド層６にのみエレクトロンが供給される。この結果、再結合発生領域５０はＮ型電極８側に近い領域にのみとなる。
このため、比較例の半導体発光素子１００の大電流動作時では、狭い領域で再結合が発生して電流が集中し、活性層のキャリア密度が増大する。したがって、オーバーフローや非発光オージェ再結合が発生して発光効率が低下する。
次に、半導体発光素子の特性について図６乃至８を参照して説明する。図６は半導体発光素子の電流と光出力の関係を示す図である。図７は半導体発光素子のＮ型クラッド層厚と光出力の関係を示す図である。図８は半導体発光素子の電流と電圧の関係を示す図である。
図６に示すように、半導体発光素子に流れる電流が増加するにつれて光出力が増大する。ここで、実線（ａ）、破線（ｂ）、破線（ｃ）、破線（ｄ）が本実施形態の特性、実線（ｅ）が比較例の特性である。実線（ａ）はＮ型クラッド層６の厚さが２μｍ、破線（ｂ）及び実線（ｅ）はＮ型クラッド層６の厚さが４μｍ、破線（ｃ）はＮ型クラッド層６の厚さが６μｍ、破線（ｄ）はＮ型クラッド層６の厚さが８μｍである。なお、図７及び図８において同様な表記をしている。
本実施例の半導体発光素子９０は、比較例の半導体発光素子１００よりも光出力を大きくすることができる。特にＮ型クラッド層６の厚さが２μｍの実線（ａ）、Ｎ型クラッド層６の厚さが４μｍの破線（ｂ）において、大きな光出力が得られることがわかる。
図７に示すように、例えば電流２５０ｍＡでの半導体発光素子のＮ型クラッド層厚と光出力の関係からわかるように、Ｎ型クラッド層６の厚さを４μよりも大きくすると光出力が低下し、Ｎ型クラッド層６の厚さを４μｍ以下にすると大きな光出力が得られることがわかる。この理由は、Ｎ型クラッド層６を厚くすると透明導電膜９がＮ型電極８から離間するので、エレクトロンが透明導電膜９に到達しにくくなると考えられる。ＭＯＣＶＤ法などを用いて結晶成長する層を薄くできることから、結晶成長の時間を短縮化することができ、熱膨張率の差による結晶成長後での基板の反りを低減することが可能となる。
図８に示すように、本実施例の半導体発光素子９０（実線（ａ）、破線（ｂ）、破線（ｃ）、破線（ｄ））は、比較例の半導体発光素子１００（実線（ｅ））よりも低い電圧で光出力を大きくすることができる。
上述したように、本実施形態の半導体発光素子及では、支持台１１、支持台Ｐ型電極１２、支持台Ｎ型電極１３、Ｐ型電極７、Ｎ型電極８、積層構造体６１、及び透明導電膜９が設けられる。積層構造体６１は、Ｐ型コンタクト層１、Ｐ型クラッド層２、Ｐ型オーバーフロー防止層３、ＭＱＷ発光層４、超格子層５、及びＮ型クラッド層６から構成される。半導体発光素子９０はＰ型電極７及びＮ型電極８が支持台１１側に設けられ、積層構造体６１のＭＱＷ発光層４で生成された光は積層構造体６１のＮ型クラッド層６側から取り出される。積層構造体６１を構成する最上層のＮ型クラッド層６上に、Ｎ型クラッド層６を覆うように透明導電膜９を設けられる。Ｎ型クラッド層６及び透明導電膜９表面には凹凸が設けられる。
このため、半導体発光素子９０の大電流動作時、広い領域で再結合が発生し、活性層のキャリア密度の増加を抑制できる。したがって、オーバーフローや非発光オージェ再結合の発生を抑制することができ、大電流で光出力を増加することができる。また、結晶成長層を薄くできることから、結晶成長時間を短縮化することができ、熱膨張率の差による結晶成長後での基板の反りを低減することが可能となる。
なお、本実施形態では、ＧａＮ系ＬＥＤに適用しているが必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、ＡｌＧａＡｓ系ＬＥＤやＩｎＧａＡｌＰ系ＬＥＤにも適用してもよい。
また、本実施形態では、積層構造体６１をＰ型コンタクト層１（第１の半導体層）、Ｐ型クラッド層２、Ｐ型オーバーフロー防止層３、ＭＱＷ発光層４（発光層）、超格子層５、及びＮ型クラッド層６（第２の半導体層）により積層形成している。Ｐ型コンタクト層１（第１の半導体層）とＭＱＷ発光層４（発光層）の間にＰ型クラッド層２及びＰ型オーバーフロー防止層３を設け、ＭＱＷ発光層４（発光層）とＮ型クラッド層６（第２の半導体層）の間に超格子層５を設けているが必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、積層構造体をＰ型コンタクト層（第１の半導体層）、ＭＱＷ発光層（発光層）、及びＮ型コンタクト層（第２の半導体層）により積層形成（構造簡略化）してもよい。この様な構造においてもオーバーフローや非発光オージェ再結合の発生を抑制することができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体発光素子について、図面を参照して説明する。図９は半導体発光素子を示す断面図である。本実施形態では、Ｎ型クラッド層の表面を平坦化している。
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体発光素子について、図面を参照して説明する。図９は半導体発光素子を示す断面図である。本実施形態では、Ｎ型クラッド層の表面を平坦化している。
以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
図９に示すように、半導体発光素子９１は、支持台１１、支持台Ｐ型電極１２、支持台Ｎ型電極１３、Ｐ型電極７、Ｎ型電極８、積層構造体６１、及び透明導電膜９が設けられる。半導体発光素子９１はＮ型クラッド層６表面を平坦化し、透明導電膜９表面に凹凸を形成している点が第１の実施形態の半導体発光素子９０と異なる。
透明導電膜９は、例えば膜厚０．１７μｍを有するＩＴＯ膜を用いている。透明導電膜９表面の凹凸は、凹部での厚さが例えば０．１μｍ以上あり、間隔は膜厚と同レベルに設定されている。透明導電膜９表面の凹凸は、塩酸／硝酸からなる混酸を用いて形成されている。なお、塩酸／硝酸からなる混酸の代わりにＣＤＥ（chemical dry etching）法やＲＩＥ法を用いてもよい。
本実施形態の半導体発光素子９１では、平坦なＮ型クラッド層６上に透明導電膜９を設けているので第１の実施形態の半導体発光素子９０よりも透明導電膜９の形成が容易となる。また、本実施形態の半導体発光素子９１は、Ｎ型クラッド層６表面の凹凸を設けていないので第１の実施形態の半導体発光素子９０よりも製造工程を短縮化することができる。
上述したように、本実施形態の半導体発光素子では、支持台１１、支持台Ｐ型電極１２、支持台Ｎ型電極１３、Ｐ型電極７、Ｎ型電極８、積層構造体６１、及び透明導電膜９が設けられる。表面が平坦なＮ型クラッド層６上に、Ｎ型クラッド層６を覆うように表面が凹凸形状の透明導電膜９を設けられる。
このため、第１の実施形態と同様な効果の他に、第１の実施形態よりも透明導電膜９の形成が容易となる。また、半導体発光素子９１の製造工程を短縮化することができる。
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る半導体発光素子について、図面を参照して説明する。図１０は半導体発光素子を示す断面図である。本実施形態では、透明導電膜上に透光樹脂を設けている。
次に、本発明の第３の実施形態に係る半導体発光素子について、図面を参照して説明する。図１０は半導体発光素子を示す断面図である。本実施形態では、透明導電膜上に透光樹脂を設けている。
以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
図１０に示すように、半導体発光素子９２は、支持台１１、支持台Ｐ型電極１２、支持台Ｎ型電極１３、Ｐ型電極７、Ｎ型電極８、積層構造体６１、透明導電膜９、及び透光樹脂２１が設けられる。半導体発光素子９２は透光樹脂２１を透明導電膜９表面に形成している点が第１の実施形態の半導体発光素子９０と異なる。
透光樹脂２１は、透明導電膜９表面を覆うように設けられる。透光樹脂２１は蛍光体を含有するシリコーン白色用樹脂であり、透明導電膜９から出た光を白色光に波長変換する。この結果、透光樹脂２１表面側から白色光が取り出される。
上述したように、本実施形態の半導体発光素子では、支持台１１、支持台Ｐ型電極１２、支持台Ｎ型電極１３、Ｐ型電極７、Ｎ型電極８、積層構造体６１、透明導電膜９、及び透光樹脂２１が設けられる。透光樹脂２１は、透明導電膜９から出た光を白色光に波長変換する。
このため、第１の実施形態と同様な効果の他に、半導体発光素子９２では、波長変換された白色光を取り出すことができる。
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態に係る半導体発光素子について、図面を参照して説明する。図１１は半導体発光素子を示す断面図である。本実施形態では、Ｎ型クラッド層上に透光導電樹脂を設けている。
次に、本発明の第４の実施形態に係る半導体発光素子について、図面を参照して説明する。図１１は半導体発光素子を示す断面図である。本実施形態では、Ｎ型クラッド層上に透光導電樹脂を設けている。
以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
図１１に示すように、半導体発光素子９３は、支持台１１、支持台Ｐ型電極１２、支持台Ｎ型電極１３、Ｐ型電極７、Ｎ型電極８、積層構造体６１、及び透光導電樹脂２２が設けられる。半導体発光素子９３は透光導電性樹２２を透明導電膜９の代わりにＮ型クラッド層６表面に形成している点が第１の実施形態の半導体発光素子９０と異なる。
透光導電樹脂２２は、ＩＴＯ膜などに含まれるＩｎ（インジウム）などのレアメタルなどを含有していなく、ＩＴＯ膜などの代替えとして使用される。透光導電性樹２２は、膜厚が数μｍから１００μｍの範囲に設定される。透光導電性樹２２にはポリチオフェン類を用いているが、代わりにポリフェニレンビニレン、ポリアニリン類、或いはポリピロール類を用いてもよい。なお、これらに金属性カーボンナノチューブを添加してもよい。
透明導電膜９の代わりに透光導電樹脂２２を用いると、樹脂厚を比較的厚く形成できるので導電率が比較的低い場合でもキャリアを広げることができる。また、透光導電樹脂２２に蛍光体が含有されているので、半導体発光素子９３では波長変換された白色光を取り出すことができる。
上述したように、本実施形態の半導体発光素子では、支持台１１、支持台Ｐ型電極１２、支持台Ｎ型電極１３、Ｐ型電極７、Ｎ型電極８、積層構造体６１、及び透光導電樹脂２２が設けられる。透光導電樹脂２２は、透明導電膜９の代替えとして使用され、蛍光体が含有される。
このため、第１の実施形態と同様な効果の他に、透光導電樹脂２２の膜厚の範囲を比較的広く設定できる。また、半導体発光素子９３では、波長変換された白色光を取り出すことができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１ Ｐ型コンタクト層
２ Ｐ型クラッド層
３ Ｐ型オーバーフロー防止層
４ ＭＱＷ発光層
５ 超格子層
６ Ｎ型クラッド層
７ Ｐ型電極
８ Ｎ型電極
９ 透明導電膜
１１ 支持台
１２ 支持台Ｐ型電極
１３ 支持台Ｎ型電極
２１ 透光樹脂
２２ 透光導電樹脂
４１ 障壁層
４２ 井戸層
５０ 再結合発生領域
６１ 積層構造体
９０〜９３、１００ 半導体発光素子
ｅ エレクトロン
ｈ ホール
２ Ｐ型クラッド層
３ Ｐ型オーバーフロー防止層
４ ＭＱＷ発光層
５ 超格子層
６ Ｎ型クラッド層
７ Ｐ型電極
８ Ｎ型電極
９ 透明導電膜
１１ 支持台
１２ 支持台Ｐ型電極
１３ 支持台Ｎ型電極
２１ 透光樹脂
２２ 透光導電樹脂
４１ 障壁層
４２ 井戸層
５０ 再結合発生領域
６１ 積層構造体
９０〜９３、１００ 半導体発光素子
ｅ エレクトロン
ｈ ホール
Claims (8)
- 第１導電型の第１の半導体層、発光層、及び第２導電型の第２の半導体層が直接或いは間接的に積層形成され、前記発光層側から前記第２の半導体層側方向へ光が取り出される積層構造体と、
前記第１の半導体層に接続される第１の電極と、
前記第２の半導体層の前記発光層側の露呈された第１主面に接続され、前記第１の電極と並列配置される第２の電極と、
前記第２の半導体層の第１主面と相対向する第２主面を覆うように設けられた透明導電膜と、
を具備することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記透明導電膜の表面を覆うように設けられた透光樹脂を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
- 前記第２の半導体層の第２主面及び前記透明導電膜の表面の少なくとも一方に凹凸形状を設けることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
- 前記透明導電膜は、ＩＴＯ膜、ＺｎＯ膜、Ｓｎ２Ｏ膜、ＡＺＯ膜、或いはＩＺＯ膜であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 第１導電型の第１の半導体層、発光層、及び第２導電型の第２の半導体層が直接或いは間接的に積層形成され、前記発光層側から前記第２の半導体層側方向へ光が取り出される積層構造体と、
前記第１の半導体層に接続される第１の電極と、
前記第２の半導体層の前記発光層側の露呈された第１主面に接続され、前記第１の電極と並列配置される第２の電極と、
前記第２の半導体層の第１主面と相対向する第２主面を覆うように設けられた透光導電樹脂と、
を具備することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第１の電極と前記第１の半導体層は略同一面積を有し、前記第１の電極はすべて前記第１の半導体層に当接されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 前記第２の半導体層の膜厚は、４μｍ以下に設定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 前記第１及び第２の電極は、支持台に載置されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
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