JP2013118276A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 配線52が形成された基板51と、基板51に搭載された半導体素子53と、基板51と半導体素子53との間に、少なくとも一部が配線52に接するように配置された封止樹脂55と、を含む半導体装置において、封止樹脂55が、特定のキサンチン類を含有することを特徴とする、半導体装置である。(A)成分は、カフェイン、テオフィリン、テオブロミンおよびパラキサンチンからなる群より選択される少なくとも1種であると、好ましい。
【選択図】 図1
Description
〔1〕配線が形成された基板と、
基板に搭載された半導体素子と、
基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が配線に接するように配置された封止樹脂と、を含む半導体装置において、
封止樹脂が、(A)一般式(1):
〔2〕(A)成分が、カフェイン、テオフィリン、テオブロミンおよびパラキサンチンからなる群より選択される少なくとも1種である、上記〔1〕記載の半導体装置。
〔3〕封止樹脂が、さらに、(B)カップリング剤を含有する、上記〔1〕または〔2〕記載の半導体装置。
〔4〕封止樹脂が、さらに、(C)フィラーを含有する、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の半導体装置。
〔5〕封止樹脂が、さらに、(D)ゴム成分を含有する、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか記載の半導体装置。
〔6〕(A)成分が、封止樹脂:100質量部に対して、0.05〜12質量部である、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか記載の半導体装置。
基板の配線に接続された半導体素子と、
基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が配線に接するように配置された封止樹脂と、を含む半導体装置において、
封止樹脂が、(A)一般式(1):
表1〜表3に示す配合で、封止樹脂組成物(以下、「樹脂組成物」という)を作製した。作製した樹脂組成物は、すべて液状であった。なお、〔(B)成分の酸無水またはアミン当量〕/〔(A)成分のエポキシ当量〕は、実施例1〜22、比較例1、2のすべてで0.90にした。
作製した直後の樹脂組成物の粘度(初期粘度、単位:mPa・s)を、東機産業社製E型粘度計(型番:TVE−22H)で測定した。表4〜表6に、初期粘度の測定結果を示す。また、樹脂組成物を24時間または48時間、25℃、相対湿度50%で保管した後の粘度を測定し、(24または48時間後の粘度)/(初期粘度)を粘度上昇率(単位:%)とした。表4〜表6に、結果を示す。
作製した樹脂組成物を150℃、60分で硬化させた封止樹脂の試験片の初期重量をW0(g)とし、PCT試験槽(121℃±2℃/湿度100%/2atmの槽)中に20時間置いた後、室温まで冷却して得た封止樹脂の試験片の重量をW1(g)とし、下記式で、封止樹脂の吸水率(単位:%)を求めた。
吸水率=(W1−W0)/W0 × 100 (%)
表4〜表6に、封止樹脂の吸水率の評価結果を示す。
離型剤を塗布したガラス板とガラス板との間に、作製した樹脂組成物を挟み、150℃、60分で350μmのシート状に硬化させ、万能試験機((株)島津製作所製 AG−I)を用いて、封止樹脂の室温での曲げ弾性率を求めた。なお、n=3で測定し、平均値を用いた。また、封止樹脂の試験片の膜厚及び幅は、5点測定し、平均値を計算値に用いた。曲げ弾性率は、好ましくは、2.0〜4.0GPaである。表4〜表6に、封止樹脂の曲げ弾性率の評価結果を示す。
作製した樹脂組成物を150℃、60分で硬化させて得た試料を、5mm角程度に粉砕した。封止樹脂:2.5gにイオン交換水25cm3を加え、PCT試験槽(121℃±2℃/湿度100%/2atmの槽)中に20時間置いた後、室温まで冷却して得た抽出液を試験液とした。上記の手順で得られた抽出液のClイオン濃度を、イオンクロマトグラフを用いて測定した。表4〜表6に、抽出Clイオン量の評価結果を示す。
図3に、樹脂組成物の注入性の評価方法を説明する模式図を示す。まず、図3(A)に示すように、基板20上に20μmのギャップ40を設けて、半導体素子の代わりにガラス板30を固定した試験片を作製した。但し、基板20としては、フレキシブル基板の代わりにガラス基板を使用した。次に、この試験片を110℃に設定したホットプレート上に置き、図3(B)に示すように、ガラス板30の一端側に、作製した樹脂組成物10を塗布し、図3(C)に示すように、ギャップ40が樹脂組成物11で満たされるまでの時間を測定し、90秒以下で満たされた場合を「良」とした。表4〜表6に、注入性の評価結果を示す。
図4に、Siチップの密着強度の評価方法を説明する模式図を示す。基板61として、150℃で20分乾燥したFR−4基板と、半導体素子63として、2mm角のSiN膜付きSiチップを準備した。0.5mgの樹脂組成物を、基板61上の封止樹脂65を形成したい位置にディスペンサーで塗布して、樹脂組成物上に、半導体素子63をマウントした。この後、150℃で60分間、樹脂組成物を硬化させ、封止樹脂65を形成した。アイコ−エンジニアリング製卓上強度試験器(型番:1605HTP)を使用して、剪断強度(単位:N)を測定した。表4〜表6に、Siチップとの密着性の評価結果を示す。
樹脂組成物の耐マイグレーション性を評価するため、高温高湿バイアス試験(THB試験)を実施した。図5に、耐マイグレーション性の評価に用いた櫛歯電極の模式図を示す。図5に示すような櫛歯電極として、ポリイミドテープ基材上に、スズメッキ(0.2±0.05μm)された銅配線(正極71および負極72のパターン幅は10μm、正極71と負極72間のパターンの線間幅は15μm、正極71および負極72のパターンピッチは25μm)を作製した。
上記耐マイグレーション性の評価を行った試験片を、光学顕微鏡オリンパス製(型番:STM6)を用いて、50倍の対物レンズで観察した。配線の腐食が配線幅の1/3に満たないものを「○」、1/3以上のものを「×」とした。表4〜表6に、配線の腐食性の評価結果を示す。
2 陽極
3 陰極
10、11 液状樹脂組成物
20 基板
30 ガラス板
40 ギャップ
50 半導体装置
51、61 基板
52 配線
53、63 半導体素子
54 バンプ
55、65 封止樹脂
66 シェアツール
71 正極
72 負極
Claims (6)
- 配線が形成された基板と、
基板の配線に接続された半導体素子と、
基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が配線に接するように配置された封止樹脂と、を含む半導体装置において、
封止樹脂が、(A)一般式(1):
- (A)成分が、カフェイン、テオフィリン、テオブロミンおよびパラキサンチンからなる群より選択される少なくとも1種である、請求項1記載の半導体装置。
- 封止樹脂が、さらに、(B)カップリング剤を含有する、請求項1または2記載の半導体装置。
- 封止樹脂が、さらに、(C)フィラーを含有する、請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体装置。
- 封止樹脂が、さらに、(D)ゴム成分を含有する、請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体装置。
- (A)成分が、封止樹脂:100質量部に対して、0.05〜12質量部である、請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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