JP2013118255A - 配線基板及びその製造方法、半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】電極パッドに接続される対象物との接続信頼性を向上可能な配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】配線基板１０は、一方の面に突起部１２ｐを有する絶縁層１２と、突起部１２ｐに設けられた電極パッド１１と、を有し、電極パッド１１の一方の面は絶縁層１２から露出し、電極パッド１１の一方の面の反対面は絶縁層１２に覆われており、突起部１２ｐの断面形状は、絶縁層１２の一方の面側より電極パッド１１の一方の面側の方が幅が狭いテーパ形状である。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージに関する。

従来より、複数の配線層と複数の絶縁層とが交互に積層され、絶縁層を介して隣接する配線層同士が、隣接する配線層に挟持された絶縁層を貫通するビアホールで接続された所謂ビルドアップ配線基板が知られている。

このようなビルドアップ配線基板に半導体チップをフリップチップ接続する際には、ビルドアップ配線基板と半導体チップのそれぞれの対応する電極パッドにバンプを形成し、バンプ同士を接合している。

又、ビルドアップ配線基板の電極パッドをビルドアップ配線基板表面よりも突起させることにより、ビルドアップ配線基板側のバンプ形成工程を削除することが提案されている。この場合には、半導体チップ側の電極パッドのみにバンプを形成し、それをビルドアップ配線基板側の電極パッドに接合することができる（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−１９６８６０号公報

ところで、ビルドアップ配線基板の電極パッドをビルドアップ配線基板表面よりも突起させる工程では、ビルドアップ配線基板製造時に使用する支持体にエッチングにより凹部を形成し、この凹部内に電極パッドを形成する。その後、支持体を除去し、凹部に対応する形状に突起した電極パッドを得ている。

この場合、支持体にエッチングにより凹部を形成するため、各凹部の深さや幅が異なる等、凹部の形状にバラツキが生じる。よって、完成した電極パッドにも高さや幅等の形状のバラツキが生じる。このため、半導体チップ搭載時に、電極パッド毎に接合強度に差異が生じ、電極パッドと半導体チップとの接続信頼性が低下する問題があった。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、電極パッドに接続される対象物との接続信頼性を向上可能な配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを提供することを課題とする。

本配線基板は、一方の面に突起部を有する絶縁層と、前記突起部に設けられた電極パッドと、を有し、前記電極パッドの一方の面は前記絶縁層から露出し、前記電極パッドの一方の面の反対面は前記絶縁層に覆われており、前記突起部の断面形状は、前記絶縁層の一方の面側より前記電極パッドの一方の面側の方が幅が狭いテーパ形状であることを要件とする。

本配線基板の製造方法は、支持体上に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドを覆うように前記支持体上に絶縁層を形成する工程と、前記支持体を除去し、前記絶縁層の前記支持体を除去した表面から前記電極パッドの一方の面を露出させる工程と、前記電極パッド周囲の前記絶縁層の厚さを減少させて前記絶縁層表面に突起部を形成し、前記突起部に前記電極パッドを設ける工程と、を有し、前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの前記一方の面の反対面が前記絶縁層に覆われ、前記突起部の断面形状が前記絶縁層の一方の面側より前記電極パッドの一方の面側の方が幅が狭いテーパ形状となることを要件とする。

開示の技術によれば、電極パッドに接続される対象物との接続信頼性を向上可能な配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを提供できる。

第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 図２は、図１のＡ部を拡大して例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。 図２に対応する断面図（その１）である。 図２に対応する断面図（その２）である。 図２に対応する断面図（その３）である。 第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 図２に対応する断面図（その４）である。 第３の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第３の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 図２に対応する断面図（その５）である。 第４の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第４の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第４の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 第４の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。 図２に対応する断面図（その６）である。 第５の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。 第６の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第７の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図（その１）である。 第７の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図（その２）である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図２は、図１のＡ部を拡大して例示する断面図である。

図１及び図２を参照するに、第１の実施の形態に係る配線基板１０は、電極パッド１１と、絶縁層１２と、配線層１３と、絶縁層１４と、配線層１５と、絶縁層１６と、配線層１７と、ソルダーレジスト層１８とを有するコアレスのビルドアップ配線基板である。

なお、本実施の形態では、便宜上、絶縁層１２側を下、ソルダーレジスト層１８側を上とする。例えば絶縁層１２の絶縁層１４と接する面は上面であり、絶縁層１２の露出面（絶縁層１４と接する面の反対面）は下面である。

配線基板１０において、電極パッド１１は、めっき膜１１ａ及びパッド本体１１ｂを有する。めっき膜１１ａは、パッド本体１１ｂの下面に形成されている。めっき膜１１ａとしては、例えば金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を、金（Ａｕ）膜が配線基板１０の外部に露出するように、この順番で順次積層しためっき膜を用いることができる。

めっき膜１１ａとして、例えば金（Ａｕ）膜とニッケル（Ｎｉ）膜を、金（Ａｕ）膜が配線基板１０の外部に露出するように、この順番で順次積層しためっき膜を用いてもよい。パッド本体１１ｂとしては、例えば銅（Ｃｕ）層等を含む導電層を用いることができる。電極パッド１１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

電極パッド１１は絶縁層１２の下面１２ａに形成された突起部１２ｐに埋め込まれている。突起部１２ｐは、絶縁層１２の一部であり、絶縁層１２の他の部分と一体的に形成されている。電極パッド１１の下面（めっき膜１１ａの下面）は絶縁層１２の突起部１２ｐから露出している。又、電極パッド１１の側面（めっき膜１１ａの側面の全部、及びパッド本体１１ｂの側面の全部）は、絶縁層１２の突起部１２ｐにより覆われている。又、電極パッド１１の上面（配線層１３のビア配線と接する部分を除く）は、突起部１２ｐにより覆われている。

つまり、電極パッド１１の下面（めっき膜１１ａの下面）は絶縁層１２の突起部１２ｐから露出しているが、電極パッド１１の下面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも突出している。但し、電極パッド１１の側面の一部（絶縁層１４側）及び電極パッド１１の上面は、絶縁層１２の突起部１２ｐ以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド１１の上面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも絶縁層１４側に位置していてもよい。

突起部１２ｐの断面形状は、例えば、凹型Ｒ形状とすることができる。但し、突起部１２ｐの断面形状は、例えば、直線的に傾斜した形状としてもよい。絶縁層１２の下面１２ａから突起部１２ｐの先端部（めっき膜１１ａの下面）までの高さＨは、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。

本実施の形態では、電極パッド１１側が半導体チップ搭載側であり、電極パッド１１は、半導体チップ（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。電極パッド１１の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。電極パッド１１のピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。

電極パッド１１において、めっき膜１１ａはパッド本体１１ｂの下面のみに形成されている。これは、半導体チップ（図示せず）と電気的に接続される際に、電極パッド１１の下面がバンプと接合されるため、その部分のみにめっき膜１１ａを形成すれば、接続信頼性を向上できるからである。

このように、電極パッド１１において、バンプとの接続に寄与しないパッド本体１１ｂの側面にはめっき膜１１ａは形成されていない。その結果、めっき膜１１ａとなる貴金属材料の使用量を従来よりも削減できるため、配線基板１０の製造コストを低減できる。

絶縁層１２（突起部１２ｐも含む）は、電極パッド１１の上面（配線層１３のビア配線と接する部分を除く）と側面とを覆い、下面（配線層１３のビア配線と接続される面の反対面）を露出するように形成されている。絶縁層１２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層１２の材料である絶縁性樹脂としては、例えば熱硬化性樹脂を用いることができる。絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層１３は、絶縁層１２上に形成されている。配線層１３は、絶縁層１２を貫通し電極パッド１１の上面を露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１２ｘは、絶縁層１４側に開口されていると共に、電極パッド１１の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。

配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出した電極パッド１１と電気的に接続されている。配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１３を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

絶縁層１４は、絶縁層１２上に、配線層１３を覆うように形成されている。絶縁層１４の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層１５は、絶縁層１４上に形成されている。配線層１５は、絶縁層１４を貫通し配線層１３の上面を露出するビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１４上に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１４ｘは、絶縁層１６側に開口されていると共に、配線層１３の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。

配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続されている。配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

絶縁層１６は、絶縁層１４上に、配線層１５を覆うように形成されている。絶縁層１６の材料としては、絶縁層１２及び絶縁層１４と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１６の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層１７は、絶縁層１６上に形成されている。配線層１７は、絶縁層１６を貫通し配線層１５の上面を露出するビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６上に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１６ｘは、ソルダーレジスト層１８側に開口されていると共に、配線層１５の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。

配線層１７は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続されている。配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

ソルダーレジスト層１８は、絶縁層１６上に、配線層１７を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１８は開口部１８ｘを有し、開口部１８ｘの底部には配線層１７の一部が露出している。開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。

必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７上に、例えば、無電解めっき法等により金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。

更に、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７上に（開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７上に金属層が形成されている場合には、金属層の上に）はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。外部接続端子は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するための端子となる。但し、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７（配線層１７上に金属層が形成されている場合には、金属層）自体を、外部接続端子としても良い。

以降、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７を電極パッド１７と称する場合がある。本実施の形態では、電極パッド１７側がマザーボード等の実装基板と接続される側である。電極パッド１７の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２００〜１０００μｍ程度とすることができる。電極パッド１７のピッチは、前述の電極パッド１１のピッチ（例えば１００〜２００μｍ程度）よりも広く、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。

なお、配線基板１０において、配線層１７を構成する配線パターンを絶縁層１６上に引き出して形成し、絶縁層１６上に引き出された配線パターンをソルダーレジスト層１８の開口部１８ｘから露出させ、電極パッド１７としても良い。つまり、配線層１７のビアホール１６ｘ上以外の部分を電極パッド１７としてもよい。

［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図３〜図１１は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。

まず、図３に示す工程では、支持体２１を準備し、平坦面である支持体２１の一方の面に、電極パッド１１に対応する開口部２２ｘを有するレジスト層２２を形成する。支持体２１としては、シリコン板、ガラス板、金属板、金属箔等を用いることができるが、本実施の形態では、支持体２１として銅箔を用いる。後述する図４に示す工程等において電解めっきを行う際の給電層として利用でき、後述する図１１に示す工程において容易にエッチングで除去可能だからである。支持体２１の厚さは、例えば３５〜１００μｍ程度とすることができる。

レジスト層２２を形成するには、支持体２１の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、支持体２１の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。

そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光及び現像することで開口部２２ｘを形成する。これにより、支持体２１の一方の面に開口部２２ｘを有するレジスト層２２が形成される。なお、予め開口部２２ｘを形成したフィルム状のレジストを支持体２１の一方の面にラミネートしても構わない。

開口部２２ｘは、後述の図４に示す工程で形成される電極パッド１１に対応する位置に形成されるが、その配設ピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。開口部２２ｘの平面形状は、例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。

次に、図４に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の一方の面の開口部２２ｘ内に、めっき膜１１ａ及びパッド本体１１ｂが積層された電極パッド１１を形成する。

めっき膜１１ａは、例えば金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜をこの順番で順次積層した構造を有する。よって、電極パッド１１を形成するには、まず、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を順にめっきしてめっき膜１１ａを形成し、続いて、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、めっき膜１１ａ上に銅（Ｃｕ）等からなるパッド本体１１ｂを形成すれば良い。なお、めっき膜１１ａは、金（Ａｕ）膜とニッケル（Ｎｉ）膜をこの順番で順次積層した構造としてもよい。

次に、図５に示す工程では、図４に示すレジスト層２２を除去した後、電極パッド１１を覆うように支持体２１の一方の面に絶縁層１２を形成する。絶縁層１２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いた場合には、電極パッド１１を覆うように支持体２１の一方の面にフィルム状の絶縁層１２を半硬化状態でラミネートする。そして、ラミネートした絶縁層１２を押圧しつつ、絶縁層１２を硬化温度以上に加熱して硬化させる。なお、絶縁層１２を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。

絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いた場合には、電極パッド１１を覆うように支持体２１の一方の面に液状又はペースト状の絶縁層１２を例えばスピンコート法等により塗布する。そして、塗布した絶縁層１２を硬化温度以上に加熱して硬化させる。

次に、図６に示す工程では、絶縁層１２に、絶縁層１２を貫通し電極パッド１１の上面を露出させるビアホール１２ｘを形成する。ビアホール１２ｘは、例えばＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。レーザ加工法により形成したビアホール１２ｘは、絶縁層１４が形成される側に開口されていると共に、電極パッド１１の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となる。

なお、他のビアホールもレーザ加工法により形成すると同様の形状となる。ビアホール１２ｘをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、ビアホール１２ｘの底部に露出する電極パッド１１の上面に付着した絶縁層１２の樹脂残渣を除去することが好ましい。

次に、図７に示す工程では、絶縁層１２上に配線層１３を形成する。配線層１３は、ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出した電極パッド１１と電気的に接続される。配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

配線層１３は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できるが、一例としてセミアディティブ法を用いて配線層１３を形成する方法を以下に示す。

まず、無電解めっき法又はスパッタ法により、ビアホール１２ｘの底部に露出した電極パッド１１の上面、及びビアホール１２ｘの側壁を含む絶縁層１２上に銅（Ｃｕ）等からなるシード層（図示せず）を形成する。更に、シード層上に配線層１３に対応する開口部を備えたレジスト層（図示せず）を形成する。そして、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部に銅（Ｃｕ）等からなる配線層（図示せず）を形成する。続いて、レジスト層を除去した後に、配線層をマスクにして、配線層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、絶縁層１２上にビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成される配線層１３が形成される。

次に、図８に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、絶縁層１２上に、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、及び配線層１７を積層する。すなわち、絶縁層１２上に配線層１３を被覆する絶縁層１４を形成した後に、絶縁層１４を貫通し配線層１３の上面を露出するビアホール１４ｘを形成する。絶縁層１４の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

更に、絶縁層１４上に、ビアホール１４ｘを介して配線層１３に接続される配線層１５を形成する。配線層１５は、ビアホール１４ｘ内を充填するビア配線、及び絶縁層１４上に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続される。配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１５は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

更に、絶縁層１４上に配線層１５を被覆する絶縁層１６を形成した後、絶縁層１６を貫通し配線層１５の上面を露出するビアホール１６ｘを形成する。絶縁層１６の材料としては、絶縁層１２及び絶縁層１４と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１６の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

更に、絶縁層１６上に、ビアホール１６ｘを介して配線層１５に接続される配線層１７を形成する。配線層１７は、ビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６上に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層１７は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続される。配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１７は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

このようにして、支持体２１の一方の面に所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、３層のビルドアップ配線層（配線層１３、配線層１５、及び配線層１７）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。

次に、図９に示す工程では、絶縁層１６上に配線層１７を被覆するソルダーレジスト層１８を形成する。ソルダーレジスト層１８は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６上にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。或いは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６上にラミネートすることにより形成してもよい。

次に、図１０に示す工程では、図９に示す工程で塗布又はラミネートした絶縁性樹脂を露光及び現像することで開口部１８ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。これにより、開口部１８ｘを有するソルダーレジスト層１８が形成される。なお、予め開口部１８ｘを形成したフィルム状の絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６上にラミネートしても構わない。なお、ソルダーレジスト層１８の材料として、非感光性の絶縁性樹脂を用いてもよい。この場合には、絶縁層１６上にソルダーレジスト層１８を形成して硬化させた後、例えばＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法や、アルミナ砥粒等の研磨剤を用いたブラスト処理により開口部１８ｘを形成できる。

図１０に示す工程により、開口部１８ｘを有するソルダーレジスト層１８が形成され、配線層１７の一部が開口部１８ｘ内に露出する。開口部１８ｘ内に露出する配線層１７（電極パッド１７）は、マザーボード等の実装基板（図示せず）に設けられたパッドと電気的に接続するため電極パッドとして機能する。

必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７上に、例えば無電解めっき法等により金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。

次に、図１１に示す工程では、図１０に示す支持体２１を除去する。これにより、めっき膜１１ａの下面が絶縁層１２から露出する。以降、絶縁層１２から露出するめっき膜１１ａの下面を、めっき膜１１ａの露出面と称する場合がある。銅箔から構成されている支持体２１は、例えば塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。

この際、絶縁層１２から露出する電極パッド１１の最表層は金（Ａｕ）膜等であるため、銅箔から構成されている支持体２１のみを選択的にエッチングできる。但し、配線層１７が銅（Ｃｕ）から構成されている場合には、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７が支持体２１とともにエッチングされることを防止するため、配線層１７をマスクする必要がある。

次に、図１１に示す工程の後、めっき膜１１ａの露出面の周囲の絶縁層１２をエッチングにより除去して絶縁層１２の厚さを減少させ、絶縁層１２の下面１２ａに突起部１２ｐを形成し、めっき膜１１ａの露出面を絶縁層１２の下面１２ａよりも突起させる。これにより、図１及び図２に示す配線基板１０が完成する。突起部１２ｐは、例えば、ＣＯ_２レーザやＹＡＧレーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。突起部１２ｐは、ウェットブラスト等の各種ブラスト処理による研削で形成してもよい。エッチング量を制御することにより、突起部１２ｐの高さを調整できる。本実施の形態では、電極パッド１１（めっき膜１１ａ及びパッド本体１１ｂ）を形成してから突起部１２ｐを形成するため、従来のように、電極パッド１１においてパッド本体１１ｂの側面にめっき膜１１ａが形成されることはない。

なお、図１１に示す工程よりも後に、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７上に（開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７上に金属層が形成されている場合には、金属層上に）はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。外部接続端子は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するための端子となる。但し、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７（配線層１７上に金属層が形成されている場合には、金属層）自体を、外部接続端子としても良い。又、支持体２１を除去する前に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。

なお、図３〜図１１では、支持体２１上に１個の配線基板１０を作製する例を示したが、支持体２１上に複数の配線基板１０となる部材を作製し、支持体２１の除去後、それを個片化して複数の配線基板１０を得るような工程としても構わない。

このように、第１の実施の形態では、平坦面である支持体２１の一方の面に電極パッド１１を形成し、支持体２１を除去後に電極パッド１１の周囲の絶縁層１２をエッチングにより除去して絶縁層１２の厚さを減少させる。これにより、絶縁層１２の下面１２ａに突起部１２ｓが形成され、電極パッド１１の下面は絶縁層１２の下面１２ａよりも突起する。各電極パッド１１の下面は同一平面に位置することとなり、又、各電極パッド１１の径が均一化される。

つまり、完成した電極パッド１１の高さや幅等の形状のバラツキが小さいため、半導体チップ等の搭載時に、電極パッド１１毎に接合強度に差異が生じ難く、電極パッド１１と半導体チップ等との接続信頼性を向上できる。

又、電極パッド１１の下面を絶縁層１２の下面１２ａよりも突起させているため、配線基板１０の電極パッド１１と半導体チップの電極パッドの何れか一方のみにバンプを形成すれば、配線基板１０に半導体チップをフリップチップ接続することができる。

又、電極パッド１１（めっき膜１１ａ及びパッド本体１１ｂ）を形成してから突起部１２ｐを形成するため、電極パッド１１において、バンプとの接続に寄与しないパッド本体１１ｂの側面にはめっき膜１１ａは形成されない。その結果、めっき膜１１ａとなる貴金属材料の使用量を従来よりも削減できるため、配線基板１０の製造コストを低減できる。

〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、電極パッド１１の側面の一部又は全部を絶縁層１２の突起部１２ｐから露出させる例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１２は、図２に対応する断面図（その１）である。図１３は、図２に対応する断面図（その２）である。図１２に示すように、電極パッド１１の側面の一部を突起部１２ｐから露出させてもよい。又、図１３に示すように、電極パッド１１の側面の全部を突起部１２ｐから露出させてもよい。レーザの照射量やブラスト量を調整することにより、このような形状とすることができる。

図１３の場合には、絶縁層１２の下面１２ａに突起部１２ｐが形成され、突起部１２ｐ上に電極パッド１１が形成されている。そして、めっき膜１１ａの下面及び側面の全部、並びにパッド本体１１ｂの側面の全部が突起部１２ｐ（絶縁層１２）から露出している。又、電極パッド１１の上面（配線層１３のビア配線と接する部分を除く）は、突起部１２ｐ（絶縁層１２）により覆われている。

このように、電極パッド１１の側面の一部又は全部を絶縁層１２の突起部１２ｐから露出させてもよく、この場合も第１の実施の形態と同様の効果を奏する。

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる突起部の形状の例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１４は、図２に対応する断面図（その３）である。図１４を参照するに、突起部１２ｑは、めっき膜１１ａの下面と同一平面に形成された面を有し、この面は、平面視において、めっき膜１１ａの下面の周囲に形成されている。

電極パッド１１の側面（めっき膜１１ａの側面の全部、及びパッド本体１１ｂの側面の全部）は、突起部１２ｑにより覆われている。又、電極パッド１１の上面（配線層１３のビア配線と接する部分を除く）は、突起部１２ｑにより覆われている。

つまり、電極パッド１１の下面（めっき膜１１ａの下面）は絶縁層１２の突起部１２ｑから露出しているが、電極パッド１１の下面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも突出している。但し、電極パッド１１の側面の一部（絶縁層１４側）及び電極パッド１１の上面は、絶縁層１２の突起部１２ｑ以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド１１の上面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも絶縁層１４側に位置していてもよい。

突起部１２ｑを形成するには、まず、第１の実施の形態の図３〜図１１に示す工程を実施する。次に、図１５に示す工程では、めっき膜１１ａの露出面、及びめっき膜１１ａの露出面の周囲の絶縁層１２の表面を覆うレジスト層２５を形成する。レジスト層２５は、図３に示す工程のレジスト層２２と同様にして形成できる。なお、レジスト層２５は、本発明に係る第２のレジスト層の代表的な一例である。

次に、図１６に示す工程では、レジスト層２５に覆われていない部分の絶縁層１２を除去してめっき膜１１ａの露出面の周囲にめっき膜１１ａの露出面と同一平面に形成された面を有する突起部１２ｑを形成する。そして、図１６に示す工程の後、レジスト層２５を除去する。これにより、図１４に示す突起部１２ｑが完成する。

このように、突起部１２ｑは、めっき膜１１ａの露出面の周囲に、めっき膜１１ａの露出面と同一平面に形成された面を有している。この場合には、第１の実施の形態の効果に加えて、更に以下の効果を奏する。

すなわち、電極パッド１１の側面（めっき膜１１ａの側面の全部、及びパッド本体１１ｂの側面の全部）が確実に突起部１２ｑを構成する樹脂で覆われる。そのため、電極パッド１１と半導体チップの電極パッドとをバンプで接合する際に、溶融したバンプが電極パッド１１の側面に付着することを防止できる。

バンプが電極パッド１１の側面に付着しても電気的には問題はないが、バンプ間が狭ピッチ化されている場合には、隣接するバンプ同士が接触することを防止するため、バンプが電極パッド１１の側面に付着しないことが好ましい。つまり、突起部１２ｑを設けることにより、バンプ間が狭ピッチ化された場合にも対応できる。但し、バンプ間が狭ピッチ化された場合に対応するためには、突起部１２ｑのめっき膜１１ａの露出面と同一平面に形成された面は、必要最小限の幅に設定することが好ましい。

〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる突起部の形状の他の例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１７は、図２に対応する断面図（その４）である。図１７を参照するに、突起部１２ｒの先端部分は、めっき膜１１ａの下面よりも突起している。換言すれば、めっき膜１１ａの下面は、突起部１２ｒの絶縁層１２の下面１２ａから最も突起している部分よりも絶縁層１４側に窪んだ位置にある。

電極パッド１１の側面（めっき膜１１ａの側面の全部、及びパッド本体１１ｂの側面の全部）は、突起部１２ｒにより覆われている。又、電極パッド１１の上面（配線層１３のビア配線と接する部分を除く）は、突起部１２ｒにより覆われている。

つまり、電極パッド１１の下面（めっき膜１１ａの下面）は絶縁層１２の突起部１２ｒから露出しているが、電極パッド１１の下面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも突出している。但し、電極パッド１１の側面の一部（絶縁層１４側）及び電極パッド１１の上面は、絶縁層１２の突起部１２ｒ以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド１１の上面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも絶縁層１４側に位置していてもよい。

突起部１２ｒを形成するには、まず、第１の実施の形態の図３に示す工程を実施する。次に、図１８に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の一方の面の開口部２２ｘ内にバリア層２８を形成し、更にバリア層２８上にめっき膜１１ａ及びパッド本体１１ｂが積層された電極パッド１１を形成する。

バリア層２８は、支持体２１を除去する際に同時に除去されないように、支持体２１とは異なる材料を用いる。支持体２１が銅（Ｃｕ）である場合には、バリア層２８の材料としては、銅（Ｃｕ）を除去するエッチング液で除去されないニッケル（Ｎｉ）等を用いることができる。バリア層２８の厚さは、例えば、０．５〜５μｍ程度とすることができる。

次に、第１の実施の形態の図５〜図１１に示す工程を実施する。次に、図１９に示す工程では、バリア層２８の露出面の周囲の絶縁層１２をエッチングにより除去して絶縁層１２の下面１２ａに突起部１２ｒを形成し、バリア層２８の露出面を絶縁層１２の下面１２ａよりも突起させる。

そして、図１９に示す工程の後、バリア層２８を除去する。例えば、バリア層２８がニッケル（Ｎｉ）である場合には、ニッケル（Ｎｉ）を除去するエッチング液でバリア層２８を除去する。これにより、突起部１２ｒの先端部分は、めっき膜１１ａの下面よりも突起する。換言すれば、めっき膜１１ａの下面は、突起部１２ｒの絶縁層１２の下面１２ａから最も突起している部分よりも絶縁層１４側に窪んだ位置となる。

このように、突起部１２ｒの先端部分が電極パッド１１の下面（めっき膜１１ａの下面）よりも突起していてもよく、この場合には、第１の実施の形態の効果に加えて、更に以下の効果を奏する。

すなわち、電極パッド１１の側面が確実に突起部１２ｒを構成する樹脂で覆われるため、突起部１２ｑの場合と同様に、バンプ間が狭ピッチ化された場合にも対応できる。又、電極パッド１１の周囲に突起部１２ｒの先端部分が突起しているため、電極パッド１１と半導体チップの電極パッドとをバンプで接合する際に、バンプが突起部１２ｒの先端部分で位置決めされる。そのため、電極パッド１１上へのバンプの搭載が容易になる。

〈第３の実施の形態の変形例〉
第３の実施の形態の変形例では、第３の実施の形態の図１９に示す工程等により、図２、図１２、又は図１３の構造を形成する例を示す。

図１９に示す工程において、レーザの照射量やブラスト量を調整することで、バリア層２８の側面や電極パッド１１の側面の絶縁層１２からの露出量を調整し、図１９に示す工程の後、バリア層２８を除去する。これにより、図２、図１２、又は図１３の構造を形成することができる。

〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる突起部の形状の他の例を示す。なお、第４の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図２０は、図２に対応する断面図（その５）である。図２０を参照するに、第４の実施の形態では、電極パッド１１に代えて電極パッド３１が形成されている。電極パッド３１は一層のみからなる。つまり、電極パッド３１には、電極パッド１１のめっき膜１１ａに相当する膜は形成されていなく、電極パッド１１のパッド本体１１ｂに相当する部分のみからなる。電極パッド３１の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。電極パッド３１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

電極パッド３１は絶縁層１２の下面１２ａに形成された突起部１２ｓに埋め込まれている。突起部１２ｓは、絶縁層１２の一部であり、絶縁層１２の他の部分と一体的に形成されている。電極パッド３１の下面は絶縁層１２の突起部１２ｓから露出している。又、電極パッド３１の側面の少なくとも一部は、絶縁層１２の突起部１２ｓにより覆われている。又、電極パッド３１の上面（配線層１３のビア配線と接する部分を除く）は、突起部１２ｓにより覆われている。

つまり、電極パッド３１の下面は絶縁層１２の突起部１２ｓから露出しているが、電極パッド３１の下面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも突出している。但し、電極パッド３１の側面の一部（絶縁層１４側）及び電極パッド３１の上面は、絶縁層１２の突起部１２ｓ以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド３１の上面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも絶縁層１４側に位置していてもよい。

突起部１２ｓを形成するには、まず、第１の実施の形態の図３に示す工程を実施する。次に、図２１に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の一方の面の開口部２２ｘ内にバリア層２８を形成し、更にバリア層２８上に電極パッド３１を形成する。

バリア層２８は、支持体２１を除去する際に同時に除去されないように、支持体２１とは異なる材料を用いる。支持体２１が銅（Ｃｕ）である場合には、バリア層２８の材料としては、銅（Ｃｕ）を除去するエッチング液で除去されないニッケル（Ｎｉ）等を用いることができる。バリア層２８の厚さは、例えば、０．５〜５μｍ程度とすることができる。電極パッド３１の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。電極パッド３１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

次に、図２２に示す工程では、第１の実施の形態の図５〜図１１に示す工程を実施して支持体２１を除去する。支持体２１の除去面（支持体２１と接していた絶縁層１２の下面）にはバリア層２８が露出する。

次に、図２３に示す工程では、バリア層２８を除去する。例えば、バリア層２８がニッケル（Ｎｉ）である場合には、ニッケル（Ｎｉ）を除去するエッチング液でバリア層２８を除去する。電極パッド３１の材料が銅（Ｃｕ）である場合には、電極パッド３１は除去されない。これにより、電極パッド３１の下面は、支持体２１の除去面（支持体２１と接していた絶縁層１２の下面）よりも絶縁層１４側に窪んだ位置に露出する。

次に、図２４に示す工程では、電極パッド３１の下面の周囲の絶縁層１２をブラスト処理等により研削して絶縁層１２の厚さを減少させ、絶縁層１２の下面１２ａに突起部１２ｓを形成し、電極パッド３１の下面を絶縁層１２の下面１２ａよりも突起させる。

このように、電極パッドは一層のみからなるものであっても、第１の実施の形態と同様に、電極パッド１１と半導体チップ等との接続信頼性を向上できる。

〈第５の実施の形態〉
第５の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる突起部の形状の他の例を示す。なお、第５の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図２５は、図２に対応する断面図（その６）である。図２５を参照するに、電極パッド４１は、めっき膜４１ａ及びパッド本体４１ｂを有する。めっき膜４１ａは、パッド本体４１ｂの下面に形成されている。めっき膜４１ａは、無電解めっき法により形成された膜である。めっき膜４１ａとしては、例えば、無電解めっき法により形成された錫（Ｓｎ）膜を用いることができる。

めっき膜４１ａとして、金（Ａｕ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を、金（Ａｕ）膜が絶縁層１２の外部に露出するように、この順番で無電解めっき法により順次積層した膜を用いてもよい。又、めっき膜４１ａとして、金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を、金（Ａｕ）膜が絶縁層１２の外部に露出するように、この順番で無電解めっき法により順次積層した膜を用いてもよい。

パッド本体４１ｂとしては、例えば銅（Ｃｕ）層等を含む導電層を用いることができる。電極パッド４１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

電極パッド４１は絶縁層１２の下面１２ａに形成された突起部１２ｔに埋め込まれている。突起部１２ｔは、絶縁層１２の一部であり、絶縁層１２の他の部分と一体的に形成されている。電極パッド４１の下面（めっき膜４１ａの下面）は絶縁層１２の突起部１２ｔから露出している。又、電極パッド４１の側面（めっき膜４１ａの側面の全部、及びパッド本体４１ｂの側面の全部）は、絶縁層１２の突起部１２ｔにより覆われている。又、電極パッド４１の上面（配線層１３のビア配線と接する部分を除く）は、突起部１２ｔにより覆われている。

つまり、電極パッド４１の下面（めっき膜４１ａの下面）は絶縁層１２の突起部１２ｔから露出しているが、電極パッド４１の下面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも突出している。但し、電極パッド４１の側面の一部（絶縁層１４側）及び電極パッド４１の上面は、絶縁層１２の突起部１２ｔ以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド４１の上面は、絶縁層１２の下面１２ａよりも絶縁層１４側に位置していてもよい。

突起部１２ｔを形成するには、まず、第４の実施の形態の図２１〜図２４と同様な工程を実施する。これにより、絶縁層１２の下面１２ａに突起部１２ｔが形成され、パッド本体４１ｂの下面は絶縁層１２の下面１２ａよりも突起する。

次に、図２６に示す工程では、パッド本体４１ｂの下面に無電解めっき法により、めっき膜４１ａを形成する。これにより、図２５に示す電極パッド４１が完成する。

なお、無電解めっき法により形成されためっき膜４１ａに代えて、ＯＳＰ（Organic Solderbility Preservatives）膜を形成してもよい。

このように、パッド本体４１ｂの下面に無電解めっき法により形成されためっき膜４１ａやＯＳＰ膜を形成しても、第１の実施の形態と同様に、電極パッド４１と半導体チップ等との接続信頼性を向上できる。

〈第６の実施の形態〉
第１の実施の形態では、電極パッド１１側を半導体チップ搭載側とし、電極パッド１７側をマザーボード等の実装基板と接続される側とする例を示した。第６の実施の形態では、電極パッド１１側をマザーボード等の実装基板と接続される側とし、電極パッド１７側を半導体チップ搭載側とする例を示す。なお、第６の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図２７は、第６の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図２７を参照するに、第６の実施の形態に係る配線基板１０Ａは、配線基板１０（図１参照）と同様に、電極パッド１１と、絶縁層１２と、配線層１３と、絶縁層１４と、配線層１５と、絶縁層１６と、配線層１７と、ソルダーレジスト層１８とを有するコアレスのビルドアップ配線基板である。

但し、配線基板１０Ａでは、電極パッド１１側がマザーボード等の実装基板側であり、電極パッド１７側が半導体チップ搭載側である。電極パッド１１のピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができ、電極パッド１７のピッチは、電極パッド１１のピッチよりも狭く、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。

配線基板１０Ａの製造方法は、電極パッド１１や電極パッド１７のピッチ、各ビアホールの形成位置等が異なる点を除き、配線基板１０の製造方法と同様である。

このように、第６の実施の形態によれば、電極パッド１１側をマザーボード等の実装基板側とし、電極パッド１７側を半導体チップ搭載側としても、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。

〈第７の実施の形態〉
第７の実施の形態では、第１の実施の形態に係る配線基板１０（図１参照）に半導体チップを搭載した半導体パッケージの例を示す。なお、第７の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図２８は、第７の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図（その１）である。図２８を参照するに、半導体パッケージ７０は、図１に示す配線基板１０と、半導体チップ７１と、バンプ７４と、アンダーフィル樹脂７５とを有する。なお、図２８において、配線基板１０は、図１とは上下を反転して描かれている。

半導体チップ７１は、本体７２と、電極パッド７３とを有する。本体７２は、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。本体７２には、電極パッド７３が形成されている。電極パッド７３は、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド７３の材料としては、例えばＡｌ等を用いることができる。

バンプ７４は、半導体チップ７１の電極パッド７３と、配線基板１０の突起部１２ｐから露出する電極パッド１１（めっき膜１１ａの露出面）とを接合し、電気的に接続している。バンプ７４は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。アンダーフィル樹脂７５は、半導体チップ７１と配線基板１０の一方の面との間に充填されている。

半導体パッケージ７０では、電極パッド１１の側面は突起部１２ｐで覆われているため、バンプ７４が電極パッド１１の側面に形成されることはない。そのため、バンプ間が狭ピッチ化されている場合にも、隣接するバンプ同士が接触する虞を低減できる。又、隣接するバンプ同士の間隔を確保し易いため、アンダーフィル樹脂７５がバンプ間に充填され易くなる。又、バンプ７４の材料の使用量を低減することが可能となり、半導体パッケージ７０の製造コストを低減できる。

図２９は、第７の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図（その２）である。図２９に示す半導体パッケージ８０のように、第６の実施の形態に係る配線基板１０Ａに半導体チップ７１を搭載してもよい。

半導体パッケージ８０では、電極パッド１１の側面は突起部１２ｐで覆われているため、電極パッド１１をマザーボード等の実装基板に接続する際に、バンプが電極パッド１１の側面に形成されることはない。そのため、バンプの材料の使用量を低減することが可能となる。

又、図示はしないが、第１の実施の形態の変形例１や第２及び第３の実施の形態に係る配線基板に半導体チップ７１を搭載してもよいことは言うまでもない。

このように、第７の実施の形態によれば、第１の実施の形態等に係る配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを実現できる。

以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。

１０、１０Ａ 配線基板
１１、３１、４１ 電極パッド
１１ａ、４１ａ めっき膜
１１ｂ、４１ｂ パッド本体
１２、１４、１６ 絶縁層
１２ａ 下面
１２ｐ、１２ｑ、１２ｒ、１２ｓ、１２ｔ 突起部
１２ｘ、１４ｘ、１６ｘ ビアホール
１３、１５、１７ 配線層
１８ ソルダーレジスト層
１８ｘ、２２ｘ 開口部
２１ 支持体
２２、２５ レジスト層
２８ バリア層
７０、８０ 半導体パッケージ
７１ 半導体チップ
７２ 本体
７３ 電極パッド
７４ バンプ
７５ アンダーフィル樹脂
Ｈ 高さ

Claims (23)

1. 一方の面に突起部を有する絶縁層と、
   前記突起部に設けられた電極パッドと、を有し、
   前記電極パッドの一方の面は前記絶縁層から露出し、
   前記電極パッドの一方の面の反対面は前記絶縁層に覆われており、
   前記突起部の断面形状は、前記絶縁層の一方の面側より前記電極パッドの一方の面側の方が幅が狭いテーパ形状である配線基板。
2. 前記電極パッドの前記反対面に、ビア配線が接続されている請求項１記載の配線基板。
3. 前記絶縁層には、前記絶縁層を貫通し、前記電極パッドの前記反対面を露出する貫通孔が設けられ、
   前記貫通孔内から前記絶縁層の一方の面の反対面にかけて一体に金属層が設けられ、
   前記金属層により、前記貫通孔内に前記ビア配線が、前記絶縁層の前記反対面に配線パターンが形成されている請求項２記載の配線基板。
4. 前記電極パッドの側面の少なくとも一部が前記絶縁層から露出している請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
5. 前記絶縁層と前記突起部とは、同一の絶縁性樹脂で一体に形成されている請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
6. 前記電極パッドの側面が前記絶縁層に覆われている請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
7. 前記突起部は、前記電極パッドの一方の面と同一平面に形成された面を有し、
   前記同一平面に形成された面は、平面視において、前記電極パッドの一方の面の周囲に形成されている請求項６記載の配線基板。
8. 前記電極パッドの一方の面は、前記突起部の前記絶縁層の一方の面から最も突起している部分よりも窪んだ位置にある請求項６記載の配線基板。
9. 前記電極パッドは、パッド本体及び前記パッド本体の一方の面に形成されためっき膜を備え、
   前記めっき膜の一方の面は前記絶縁層から露出し、
   前記パッド本体の一方の面の反対面は前記絶縁層に覆われている請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板。
10. 前記絶縁層上に、配線層と他の絶縁層が複数層積層されている請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板。
11. 請求項１乃至１０の何れか一項記載の配線基板に半導体チップを搭載し、
    前記電極パッドの一方の面と前記半導体チップの電極パッドとをバンプで接合した半導体パッケージ。
12. 支持体上に電極パッドを形成する工程と、
    前記電極パッドを覆うように前記支持体上に絶縁層を形成する工程と、
    前記支持体を除去し、前記絶縁層の前記支持体を除去した表面から前記電極パッドの一方の面を露出させる工程と、
    前記電極パッド周囲の前記絶縁層の厚さを減少させて前記絶縁層表面に突起部を形成し、前記突起部に前記電極パッドを設ける工程と、を有し、
    前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの前記一方の面の反対面が前記絶縁層に覆われ、前記突起部の断面形状が前記絶縁層の一方の面側より前記電極パッドの一方の面側の方が幅が狭いテーパ形状となる配線基板の製造方法。
13. 前記電極パッドの前記反対面に、ビア配線を接続する工程を有する請求項１２記載の配線基板の製造方法。
14. 前記ビア配線を接続する工程では、前記絶縁層に、前記絶縁層を貫通し、前記電極パッドの前記反対面を露出する貫通孔を設け、
    前記貫通孔内から前記絶縁層の一方の面の反対面にかけて一体に金属層を設け、
    前記金属層により、前記貫通孔内に前記ビア配線を、前記絶縁層の前記反対面に配線パターンを形成する請求項１３記載の配線基板の製造方法。
15. 前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの側面の少なくとも一部を前記絶縁層から露出させる請求項１２乃至１４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
16. 前記絶縁層と前記突起部とを、同一の絶縁性樹脂で一体に形成する請求項１２乃至１５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
17. 前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの側面を前記絶縁層で覆う請求項１２乃至１６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
18. 前記電極パッドを設ける工程では、前記突起部を、前記電極パッドの一方の面と同一平面に形成された面を有するように形成し、
    前記同一平面に形成された面は、平面視において、前記電極パッドの一方の面の周囲に形成される請求項１７記載の配線基板の製造方法。
19. 前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの一方の面を、前記突起部の前記絶縁層の一方の面から最も突起している部分よりも窪んだ位置に形成する請求項１７記載の配線基板の製造方法。
20. 前記電極パッドを形成する工程では、前記電極パッドを、パッド本体及び前記パッド本体の一方の面に形成されためっき膜を備え、
    前記めっき膜の一方の面が前記絶縁層から露出し、
    前記パッド本体の一方の面の反対面が前記絶縁層に覆われるように形成する請求項１２乃至１９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
21. 前記絶縁層上に、配線層と他の絶縁層を複数層積層する工程を有する請求項１２乃至２０の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
22. 前記電極パッドを形成する工程では、前記支持体上にバリア層を形成し、更に前記バリア層上に電極パッドを形成し、
    前記電極パッドを設ける工程よりも後に、前記バリア層を除去する工程を有する請求項１２乃至２１の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
23. 前記電極パッドを設ける工程では、前記支持体を除去した前記絶縁層の表面にレーザ加工又はブラスト処理を施し、前記電極パッド周囲の前記絶縁層の厚さを減少させて前記絶縁層表面に突起部を形成する請求項１２乃至２２の何れか一項記載の配線基板の製造方法。

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