JP2013065749A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一の実施の形態に係る半導体装置は、第1領域と、第2領域とを備える。第1領域は、MOSFETのドレイン電極と、第1の不純物濃度を有する半導体基板と、第1の不純物濃度よりも小さい第2の不純物濃度を有する第1半導体層と、第1半導体層の表面に形成され第1の不純物濃度よりも小さく且つ第2の不純物濃度よりも大きい第3の不純物濃度を有する第2半導体層と、複数の第1トレンチと、第1トレンチに隣接する第3半導体層と、第1トレンチに隣接する第4半導体層と、MOSFETのゲート電極として機能するゲート電極層と、第4半導体層に接するMOSFETのソース電極とを備える。第2領域は、半導体基板と、第2の不純物濃度を有する第1半導体層と、第1半導体層の上面に形成された第1絶縁層と、第1絶縁層の上面に形成されたソース電極とを備える。
【選択図】図5
Description
図1を参照して、第1の比較例に係る半導体装置を説明する。図1(a)及び図1(b)に示すように、第1の比較例に係る半導体装置は、MOSFETとして機能するセル部、及びセル部の外周部に設けられる終端部を有する。
次に、図3を参照して、第2の比較例に係る半導体装置を説明する。図3(a)及び図3(b)に示すように、第2の比較例に係る半導体装置も、MOSFETとして機能するセル部、及びセル部の外周部に設けられる終端部を有する。なお、図3に示す第2の比較例において、第1の比較例と同一の構成を有する箇所には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
図5を参照して、第1の実施の形態に係る半導体装置を説明する。図5(a)及び図5(b)に示すように、第1の実施の形態に係る半導体装置も、MOSFETとして機能するセル部、及びセル部の外周部に設けられる終端部を有する。なお、図5に示す第1の実施の形態において、第1及び第2の比較例と同一の構成を有する箇所には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
第1の実施の形態の半導体装置は、セル部のn−型エピタキシャル層13が高濃度n−型エピタキシャル層13Aと低濃度n−型エピタキシャル層13Bとの2層に分かれている。そのため、セル部のトレンチ14直下まで高濃度n−型エピタキシャル層13Aが形成され、オン抵抗が低減される。一方、終端部には高濃度n−型エピタキシャル層13Aが形成されていない。そのため、終端部の耐圧がセル部の耐圧より小さくなることがなく、アバランシェ耐量の低下を防ぐことができる。
次に、図7を参照して、第2の実施の形態について説明する。図7(a)及び図7(b)に示すように、第2の実施の形態に係る半導体装置も、MOSFETとして機能するセル部、及びセル部の外周部に設けられる終端部を有する。なお、図7に示す第2の実施の形態において、第1及び第2の比較例と同一の構成を有する箇所には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
第2の実施の形態の半導体装置も、セル部のn−型エピタキシャル層13が高濃度n−型エピタキシャル層13Aと低濃度n−型エピタキシャル層13Bとの2層に分かれている。そのため、セル部のトレンチ14直下まで高濃度n−型エピタキシャル層13Aが形成され、オン抵抗が低減される。一方、終端部にはn−型エピタキシャル層13の上にp−型拡散層22が形成されている。そのため、終端部の耐圧が第1の実施の形態よりも更に向上し、アバランシェ耐量を改善することができる。
本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
Claims (5)
- MOSFETとして機能する第1領域と、前記第1領域に隣接する第2領域とを備え、
前記第1領域は、
前記MOSFETのドレイン電極と、
前記ドレイン電極と電気的に接続されると共に第1の不純物濃度を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され前記第1の不純物濃度よりも小さい第2の不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面に形成され前記第1の不純物濃度よりも小さく且つ前記第2の不純物濃度よりも大きい第3の不純物濃度を有する第1導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の上面側から形成された複数の第1トレンチと、
前記第2半導体層の表面に形成され前記第1トレンチに隣接する第2導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層の表面に形成され前記第1トレンチに隣接する第1導電型の第4半導体層と、
前記第1トレンチの内壁に沿って形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層中に設けられて前記第1絶縁層を介して前記第3半導体層に対向し、前記MOSFETのゲート電極として機能するゲート電極層と、
前記第1絶縁層を介して前記第1トレンチを埋めるように形成されたトレンチソース電極層と、
前記第4半導体層に接し且つ前記トレンチソース電極層に電気的に接続された前記MOSFETのソース電極とを備え、
前記第2領域は、
前記半導体基板と、
前記第1半導体層と、
前記第1半導体層の上面に延長するように形成された前記第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の上面に延長するように形成された前記ソース電極とを備え、
前記第2領域の前記第1半導体層は、前記第2の不純物濃度を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2領域に位置する前記第1半導体層の表面に形成された第2導電型の拡散層を更に備える
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記拡散層の第2導電型の不純物濃度は、前記拡散層内の実効的な第1導電型の不純物濃度が1×1013〜1×1015[atoms/cm3]の範囲内となるように設定される
ことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 - 前記第2の不純物濃度は、1×1014〜1×1016[atoms/cm3]の範囲内に設定され、
前記第3の不純物濃度は、1×1015〜1×1017[atoms/cm3]の範囲内に設定される
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体装置。 - 前記第2半導体層は、前記第1トレンチの底面よりも下まで達するように設けられ、
前記トレンチは、前記第2半導体層内に延びるように形成された
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体装置。
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