JP2013055651A - パルス信号出力回路およびシフトレジスタ - Google Patents
パルス信号出力回路およびシフトレジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013055651A JP2013055651A JP2012173173A JP2012173173A JP2013055651A JP 2013055651 A JP2013055651 A JP 2013055651A JP 2012173173 A JP2012173173 A JP 2012173173A JP 2012173173 A JP2012173173 A JP 2012173173A JP 2013055651 A JP2013055651 A JP 2013055651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- terminal
- pulse signal
- gate
- gate terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0289—Details of voltage level shifters arranged for use in a driving circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタを複数用いて、パルス信号出力回路を構成する。また、パルス信号出力回路の動作に応じて、酸化物半導体を用いたトランジスタのしきい値電圧を変動させる。また、該パルス信号出力回路を含むシフトレジスタを構成する。これにより、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、パルス信号出力回路、およびパルス信号出力回路を含むシフトレジスタの構成例およびその動作に関して図1乃至図6を参照して説明する。
はじめに、パルス信号出力回路、およびパルス信号出力回路を含むシフトレジスタの回路構成例について図1を参照して説明する。
次に、図1に示すシフトレジスタの動作について図2乃至図5を参照して説明する。具体的には、図2に示すタイミングチャート中の、第1の期間51〜第6の期間56の各期間における動作を、図4および図5を用いて説明する。なお、図3に示すタイミングチャートは、図2に示す一部の期間(例えば、第4の期間54_1〜54_5)を誇張して示しているが、図2に示すタイミングチャートと大きく変わるところはない。図2及び図3に示すタイミングチャート中、CLK1〜CLK4はそれぞれクロック信号を示し、SP1はスタートパルスを示し、OUT(1)〜OUT(4)は、第1のパルス信号出力回路10_1〜第4のパルス信号出力回路10_4の出力端子27からの出力を示し、ノードAおよびノードBはそれぞれノードAおよびノードBの電位を示し、SROUT1〜SROUT4は、第1のパルス信号出力回路10_1〜第4のパルス信号出力回路10_4の出力端子26からの出力を示す。
I=β((Vg−Vth)−1/2Vd)Vd (数式2)
本実施の形態では、先の実施の形態において示したパルス信号出力回路、およびシフトレジスタとは異なる態様の構成例およびその動作に関して図7乃至図10を参照して説明する。
はじめに、パルス信号出力回路、およびパルス信号出力回路を含むシフトレジスタの回路構成例について図7を参照して説明する。
次に、図7に示すシフトレジスタの動作について図8乃至図10を参照して説明する。具体的には、図8に示すタイミングチャート中の、第1の期間51〜第5の期間55の各期間における動作を、図9および図10を用いて説明する。図8に示すタイミングチャート中、CLK1〜CLK4はそれぞれクロック信号を示し、SP1はスタートパルスを示し、OUT(1)〜OUT(4)は、第1のパルス信号出力回路10_1〜第4のパルス信号出力回路10_4の出力端子27からの出力を示し、ノードAおよびノードBはそれぞれノードAおよびノードBの電位を示し、SROUT1〜SROUT4は、第1のパルス信号出力回路10_1〜第4のパルス信号出力回路10_4の出力端子26からの出力を示す。
本実施の形態では、先の実施の形態において示したパルス信号出力回路、およびシフトレジスタとは異なる態様の構成例に関して図11を参照して説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で述べたパルス信号出力回路やシフトレジスタに適用できるトランジスタの例について、図12を参照して説明する。
上記実施の形態1乃至実施の形態3で一例を示したシフトレジスタを用いて、表示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。また、駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
12 信号線
13 信号線
14 信号線
15 配線
21 入力端子
22 入力端子
23 入力端子
24 入力端子
25 入力端子
26 出力端子
27 出力端子
31 電源線
32 電源線
33 電源線
34 電源線
51 期間
52 期間
53 期間
54 期間
55 期間
56 期間
101 トランジスタ
102 トランジスタ
103 トランジスタ
104 トランジスタ
105 トランジスタ
106 トランジスタ
107 トランジスタ
108 トランジスタ
109 トランジスタ
110 トランジスタ
111 トランジスタ
200 パルス信号生成回路
201 第1の入力信号生成回路
202 第2の入力信号生成回路
203 第2の入力信号生成回路
400 基板
402 ゲート電極層
404 ゲート絶縁層
406 酸化物半導体層
408 酸化物半導体層
410 トランジスタ
412 酸化物半導体層
414a ドレイン電極層
414b ソース電極層
416 ゲート絶縁層
418 ゲート電極層
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカー
2800 筐体
2801 筐体
2802 表示パネル
2803 スピーカー
2804 マイクロフォン
2805 操作キー
2806 ポインティングデバイス
2807 カメラ用レンズ
2808 外部接続端子
2810 太陽電池セル
2811 外部メモリスロット
3001 本体
3002 筐体
3003 表示部
3004 キーボード
3021 本体
3022 スタイラス
3023 表示部
3024 操作ボタン
3025 外部インターフェイス
3051 本体
3053 接眼部
3054 操作スイッチ
3055 表示部
3056 バッテリー
3057 表示部
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4018 FPC
4018a FPC
4018b FPC
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
Claims (6)
- ソース端子、ドレイン端子、第1のゲート端子、及び第2のゲート端子を有する第1乃至第10のトランジスタ、第1乃至第4の入力端子、第1及び第2の出力端子、並びに第1乃至第4の電源線を有し、
前記第1のトランジスタは、ドレイン端子が前記第1の入力端子と接続され、ソース端子が前記第1の出力端子と接続され、
前記第2のトランジスタは、ドレイン端子が前記第1の出力端子と接続され、ソース端子が前記第1の電源線と接続され、
前記第3のトランジスタは、ドレイン端子が前記第1の入力端子と接続され、ソース端子が前記第2の出力端子と接続され、
前記第4のトランジスタは、ドレイン端子が前記第2の出力端子と接続され、ソース端子が前記第1の電源線と接続され、
前記第5のトランジスタは、ドレイン端子が前記第2の電源線と接続され、ソース端子が前記第6のトランジスタのドレイン端子及び前記第7のトランジスタのドレイン端子と接続され、
前記第6のトランジスタは、ソース端子が前記第1の電源線と接続され、第1のゲート端子が前記第8のトランジスタのソース端子、前記第9のトランジスタのドレイン端子、前記第2のトランジスタの第1のゲート端子、及び前記第4のトランジスタの第1のゲート端子と接続され、
前記第7のトランジスタは、ソース端子が前記第1のトランジスタの第1のゲート端子及び前記第3のトランジスタの第1のゲート端子と接続され、前記第1のゲート端子が前記第2の電源線と接続され、
前記第8のトランジスタは、ドレイン端子が前記第10のトランジスタのソース端子と接続され、第1のゲート端子が前記第2の入力端子と接続され、第2のゲート端子が前記第3の電源線と接続され、
前記第9のトランジスタは、ソース端子が前記第1の電源線と接続され、
前記第10のトランジスタは、ドレイン端子が前記第2の電源線と接続され、第1のゲート端子が前記第3の入力端子と接続され、第2のゲート端子が前記第3の電源線と接続され、
前記第1の出力端子は、前記第1のトランジスタの第2のゲート端子、前記第3のトランジスタの第2のゲート端子と接続され、
前記第4の入力端子は、前記第5のトランジスタの第1のゲート端子及び第2のゲート端子、前記第9のトランジスタの第1のゲート端子と接続され、
前記第3の電源線は、前記第2のトランジスタの第2のゲート端子、前記第4のトランジスタの第2のゲート端子、前記第6のトランジスタの第2のゲート端子、前記第9のトランジスタの第2のゲート端子と接続され、
前記第4の電源線は、前記第7のトランジスタの第2のゲート端子と接続されるパルス信号出力回路。 - 容量素子を有し、
前記容量素子は、前記第2のトランジスタの第1のゲート端子、前記第4のトランジスタの第1ゲート端子、前記第6のトランジスタの第1のゲート端子、前記第8のトランジスタのソース端子、及び前記第9のトランジスタのドレイン端子に電気的に接続される請求項1に記載のパルス信号出力回路。 - 第11のトランジスタを有し、
前記第11のドレイン端子は、前記第2の電源線に接続され、
前記第11のトランジスタのソース端子は、前記第2のトランジスタの第1のゲート端子、前記第4のトランジスタの第1のゲート端子、前記第6のトランジスタの第1のゲート端子、前記第8のトランジスタのソース端子、及び前記第9のトランジスタのドレイン端子に接続される請求項1又は2に記載のパルス信号出力回路。 - 前記第1の電源線には、第1の電位が与えられ、
前記第2の電源線には、前記第1の電位よりも高い第2の電位が与えられ、
前記第4の電源線には、前記第1の電位と前記第2の電位との間の第3の電位が与えられ、
前記第3の電源線には、前記第3の電位よりも低い電位が与えられる請求項1乃至3のいずれか一に記載のパルス信号出力回路。 - 前記第1の入力端子に第1のクロック信号が入力され、
前記第2の入力端子に第2のクロック信号が入力され、
前記第3の入力端子に第3のクロック信号が入力され、
前記第4の入力端子に第4のクロック信号が入力される請求項1乃至4のいずれか一に記載のパルス信号出力回路。 - 請求項1乃至5のいずれか一に記載のパルス信号出力回路を複数用いたシフトレジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012173173A JP6288905B2 (ja) | 2011-08-05 | 2012-08-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011172111 | 2011-08-05 | ||
JP2011172111 | 2011-08-05 | ||
JP2012173173A JP6288905B2 (ja) | 2011-08-05 | 2012-08-03 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013055651A true JP2013055651A (ja) | 2013-03-21 |
JP2013055651A5 JP2013055651A5 (ja) | 2015-08-13 |
JP6288905B2 JP6288905B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=47626949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012173173A Active JP6288905B2 (ja) | 2011-08-05 | 2012-08-03 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8718224B2 (ja) |
JP (1) | JP6288905B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014141800A1 (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ回路、駆動回路、及び表示装置 |
US10810962B2 (en) | 2016-07-20 | 2020-10-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Shift register circuit and display panel |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI541904B (zh) * | 2011-03-11 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
CN102646401B (zh) * | 2011-12-30 | 2013-10-16 | 北京京东方光电科技有限公司 | 移位寄存器、goa面板及栅极驱动方法 |
DE102013022449B3 (de) | 2012-05-11 | 2019-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät |
US8947158B2 (en) | 2012-09-03 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
TWI494673B (zh) * | 2012-09-21 | 2015-08-01 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 顯示裝置 |
JP6406926B2 (ja) | 2013-09-04 | 2018-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015114376A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US10032921B2 (en) | 2015-07-31 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
US10297331B2 (en) * | 2015-10-30 | 2019-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP2018042188A (ja) | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社東芝 | スイッチングユニットおよび電源回路 |
CN111223459B (zh) | 2018-11-27 | 2022-03-08 | 元太科技工业股份有限公司 | 移位寄存器以及栅极驱动电路 |
US11462149B2 (en) * | 2020-04-24 | 2022-10-04 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Shift register unit and method for driving the same, gate driving circuit and display device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006277860A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置 |
JP2008122939A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パルス出力回路、シフトレジスタ並びに表示装置 |
JP2011077514A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2011100532A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | シフトレジスタ及び表示装置 |
JP2011119718A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011120221A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 駆動回路、当該駆動回路を具備する表示装置、及び当該表示装置を具備する電子機器 |
JP2011135523A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Sony Corp | 駆動回路および表示装置 |
JP2011209714A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Family Cites Families (133)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3588526A (en) * | 1969-04-04 | 1971-06-28 | Westinghouse Electric Corp | Shift register using metal oxide silicon transistors |
US3745371A (en) * | 1970-08-11 | 1973-07-10 | Tokyo Shibaura Electric Co | Shift register using insulated gate field effect transistors |
NL7212151A (ja) * | 1972-09-07 | 1974-03-11 | ||
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3556533B2 (ja) | 1999-07-27 | 2004-08-18 | シャープ株式会社 | レベルシフタ回路 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4785271B2 (ja) | 2001-04-27 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、電子機器 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
AU2003240026A1 (en) | 2002-06-15 | 2003-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of driving a shift register, a shift register, a liquid crystal display device having the shift register |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4425547B2 (ja) | 2003-01-17 | 2010-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
US7369111B2 (en) | 2003-04-29 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus having the same |
JP3675457B2 (ja) | 2003-06-19 | 2005-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 昇圧クロック生成回路及び半導体装置 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
JP4480968B2 (ja) | 2003-07-18 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
KR100998527B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
CN101057338B (zh) | 2004-11-10 | 2011-03-16 | 佳能株式会社 | 采用无定形氧化物的场效应晶体管 |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
CN100538794C (zh) | 2005-05-02 | 2009-09-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件及其驱动方法、显示模块以及电子器具 |
EP1720148A3 (en) | 2005-05-02 | 2007-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and gray scale driving method with subframes thereof |
CN100592358C (zh) | 2005-05-20 | 2010-02-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置和电子设备 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101103374B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
KR101192777B1 (ko) | 2005-12-02 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
TWI325132B (en) | 2006-02-10 | 2010-05-21 | Au Optronics Corp | Shift register capable of self feedback |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
JP5079350B2 (ja) | 2006-04-25 | 2012-11-21 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
US7443202B2 (en) | 2006-06-02 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus having the same |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
US7832647B2 (en) | 2006-06-30 | 2010-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
EP1895545B1 (en) | 2006-08-31 | 2014-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
TWI831616B (zh) | 2006-09-29 | 2024-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP4990034B2 (ja) | 2006-10-03 | 2012-08-01 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
TWI427602B (zh) | 2006-10-17 | 2014-02-21 | Semiconductor Energy Lab | 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
TWI373019B (en) | 2007-05-09 | 2012-09-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Shift register and shift register apparatus therein |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8354674B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
GB2452279A (en) | 2007-08-30 | 2009-03-04 | Sharp Kk | An LCD scan pulse shift register stage with a gate line driver and a separate logic output buffer |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP5163145B2 (ja) | 2008-01-22 | 2013-03-13 | セイコーエプソン株式会社 | 出力回路および電子機器 |
JP2009302631A (ja) | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2010033690A (ja) | 2008-06-30 | 2010-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | シフトレジスタ回路 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
EP2202802B1 (en) | 2008-12-24 | 2012-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and semiconductor device |
US20120082287A1 (en) | 2009-05-20 | 2012-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register |
JP5405570B2 (ja) | 2009-06-15 | 2014-02-05 | シャープ株式会社 | シフトレジスタおよび表示装置 |
EP2444974A4 (en) | 2009-06-15 | 2013-04-10 | Sharp Kk | SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE |
BRPI1012070A2 (pt) | 2009-06-18 | 2018-06-12 | Sharp Kk | "dispositivo semicondutor" |
KR101882350B1 (ko) | 2009-10-09 | 2018-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR101763660B1 (ko) | 2009-12-18 | 2017-08-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 |
WO2011108343A1 (en) | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
WO2011108345A1 (en) | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
KR101828960B1 (ko) | 2010-03-02 | 2018-02-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
JP5766012B2 (ja) | 2010-05-21 | 2015-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
KR101994074B1 (ko) | 2010-05-21 | 2019-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치 |
-
2012
- 2012-07-30 US US13/561,499 patent/US8718224B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-03 JP JP2012173173A patent/JP6288905B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006277860A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置 |
JP2008122939A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パルス出力回路、シフトレジスタ並びに表示装置 |
JP2011077514A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2011100532A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | シフトレジスタ及び表示装置 |
JP2011120221A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 駆動回路、当該駆動回路を具備する表示装置、及び当該表示装置を具備する電子機器 |
JP2011119718A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011135523A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Sony Corp | 駆動回路および表示装置 |
JP2011209714A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014141800A1 (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ回路、駆動回路、及び表示装置 |
US10810962B2 (en) | 2016-07-20 | 2020-10-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Shift register circuit and display panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8718224B2 (en) | 2014-05-06 |
US20130034199A1 (en) | 2013-02-07 |
JP6288905B2 (ja) | 2018-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11942170B2 (en) | Pulse signal output circuit and shift register | |
JP7412626B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6288905B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150629 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180123 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6288905 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |