JP2013042168A - 電子機器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板に、第1の金属からなる複数の粒子と、前記第1の金属の融点より低い融点を有する第2の金属からなる複数の粒子とを供給し、前記基板を加熱して、前記第1の金属と前記第2の金属との金属間化合物内に前記複数の粒子が分散した導体を形成し、前記基板に、電子部品をはんだ付けする電子機器の製造方法であり、前記金属間化合物の融点が、前記はんだの溶融温度よりも高いことを特徴とする電子機器の製造方法。
【選択図】図2
Description
2 第2の金属の被膜
3 金属間化合物の被膜
4 第3の金属の粒子
5 第4の金属の被膜
Claims (9)
- 基板に、第1の金属からなる複数の粒子と、前記第1の金属の融点より低い融点を有する第2の金属からなる複数の粒子とを供給し、
前記基板を加熱して、前記第1の金属と前記第2の金属との金属間化合物内に前記複数の粒子が分散した導体を形成し、
前記基板に、電子部品をはんだ付けする電子機器の製造方法であり、
前記金属間化合物の融点が、前記はんだの溶融温度よりも高いことを特徴とする電子機器の製造方法。 - 請求項1に記載の電子機器の製造方法において、
前記第1の金属は、Cu、Ni、Agの少なくとも1つを含み、
前記第2の金属は、前記第1の金属と前記金属間化合物を形成する金属を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。 - 請求項2に記載の電子機器の製造方法において、
前記第1の金属は、Cuであり、
前記第2の金属は、Snであることを特徴とする電子機器の製造方法。 - 請求項2に記載の電子機器の製造方法において、
前記第1の金属は、Agであり、
前記第2の金属は、Snであることを特徴とする電子機器の製造方法。 - 請求項2に記載の電子機器の製造方法において、
前記第2の金属は、Inを含むことを特徴とする電子機器の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子機器の製造方法において、
前記導体はさらに樹脂を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子機器の製造方法において、
前記導体がビアであることを特徴とする電子機器の製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子機器の製造方法において、
前記導体が配線であることを特徴とする電子機器の製造方法。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子機器の製造方法において、
前記基板の加熱温度よりも高い温度で前記電子部品をはんだ付けすることを特徴とする電子機器の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024058254A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 日亜化学工業株式会社 | セラミックス焼結体基板、発光装置及びそれらの製造方法 |
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2012
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