JP5252050B2 - 回路基板、及び回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
2 第2の金属の被膜
3 金属間化合物の被膜
4 第3の金属の粒子
5 第4の金属の被膜
Claims (18)
- 基板と、
前記基板に形成される導体と、を備え、
前記導体は、第1の金属と、前記第1の金属よりも低い融点を有する第2の金属との金
属間化合物と、前記金属間化合物内に分散した、前記第1の金属からなる複数の粒子と、
を含み、
前記基板にはんだを使用して電子部品を搭載可能であり、前記金属間化合物の融点が、前記はんだの溶融温度よりも高いことを特徴とする回路基板。 - 請求項1に記載の回路基板において、
前記第1の金属は、Cu、Ni、Agの少なくとも1つを含み、
前記第2の金属は、前記第1の金属と前記金属間化合物を形成する金属を含むことを特
徴とする回路基板。 - 請求項2に記載の回路基板において、
前記第1の金属は、Cuであり、
前記第2の金属は、Snであることを特徴とする回路基板。 - 請求項2に記載の回路基板において、
前記第1の金属は、Agであり、
前記第2の金属は、Snであることを特徴とする回路基板。 - 請求項2に記載の回路基板において、
前記第2の金属は、Inを含むことを特徴とする回路基板。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の回路基板において、
前記導体はさらに樹脂を含むことを特徴とする回路基板。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の回路基板において、
前記導体がビアであることを特徴とする回路基板。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の回路基板において、
前記導体が配線であることを特徴とする回路基板。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の回路基板において、
前記基板に電子部品を搭載可能であることを特徴とする回路基板。 - 基板に、第1の金属からなる複数の粒子と、前記第1の金属の融点より低い融点を有する第2の金属からなる複数の粒子とを供給し、前記基板を加熱して、前記第1の金属と前記第2の金属との金属間化合物内に前記第1の金属からなる複数の粒子が分散した導体を形成する回路基板の製造方法であり、
前記基板にはんだを使用して電子部品を搭載可能であり、前記金属間化合物の融点が、前記はんだの溶融温度よりも高いことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項10に記載の回路基板の製造方法において、
前記第1の金属は、Cu、Ni、Agの少なくとも1つを含み、
前記第2の金属は、前記第1の金属と前記金属間化合物を形成する金属を含むことを特
徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項11に記載の回路基板の製造方法において、
前記第1の金属は、Cuであり、
前記第2の金属は、Snであることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項11に記載の回路基板の製造方法において、
前記第1の金属は、Agであり、
前記第2の金属は、Snであることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項11に記載の回路基板の製造方法において、
前記第2の金属は、Inを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項10乃至14のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法において、
前記導体はさらに樹脂を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項10乃至15のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法において、
前記導体がビアであることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項10乃至15のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法において、
前記導体が配線であることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項10乃至17のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法において、
更に、前記基板の加熱温度よりも高い温度で前記電子部品をはんだ付けすることを特徴とする回路基板の製造方法。
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