JP2012134113A - ヒューズ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 作動特性の向上に寄与することが可能な、ヒューズ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ヒューズ装置１であって、基体２と、基体２の上面に設けられた温度ヒューズエレメント３と、基体２の下面に設けられた実装パッド５と、基体２内に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重ならない領域であって、実装パッド５と重なる領域に設けられた実装パッド発熱体６とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、温度ヒューズエレメントを溶断するヒューズ装置に関する。

近年、ヒューズ装置の作動特性を向上させる開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１−９６８７１号公報

ヒューズの開発において、ヒューズ装置が所望する条件にて的確に作動するかどうかの作動特性の向上が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、作動特性の向上に寄与することが可能なヒューズ装置を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態に係るヒューズ装置は、基体と、前記基体の上面に設けられた温度ヒューズエレメントと、前記基体の下面に設けられた実装パッドと、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記実装パッドと重なる領域に配置された実装パッド発熱体とを備えている。

本発明の一実施形態に係るヒューズ装置は、基体と、前記基体の上面に設けられた一対の接続パッドと、前記基体の上面に設けられ、一対の前記接続パッドの両者にわたって接続された温度ヒューズエレメントと、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記接続パッドと重なる領域に設けられた接続パッド発熱体とを備えている。

本発明によれば、作動特性の向上に寄与することが可能なヒューズ装置を提供することができる。

本実施形態に係るヒューズ装置の概観を示す斜視図である。 ヒューズ装置の基体の中間の二層を示す斜視図であって、発熱抵抗体、実装パッド発熱体、接続パッド発熱体を示している。 ヒューズ装置の基体の中間の二層を示す斜視図であって、接続パッド発熱体を示している。 ヒューズ装置の基体の中間の二層を示す斜視図であって、発熱抵抗体を示している。 ヒューズ装置の基体の中間の二層を示す斜視図であって、実装パッド発熱体を示している。 図１のＸ−Ｘ’に沿ったヒューズ装置の断面図である。 一変形例に係るヒューズ装置と外部回路との関係を示す斜視図である。 一変形例に係るヒューズ装置と外部回路との接続関係を示す断面図である。 一変形例に係るヒューズ装置と外部回路との接続関係を示す断面図である。 一変形例に係るヒューズ装置と外部回路との接続関係を示す断面図である。 一変形例に係るヒューズ装置の概観を示す斜視図である。

添付図面を参照して、本発明にかかるヒューズ装置の実施形態を説明する。

＜ヒューズ装置の概略構成＞
図１は、本実施形態に係るヒューズ装置の概観斜視図であって、温度ヒューズエレメントを被覆するフラックスを透過したものである。また、図２は、ヒューズ装置の発熱抵抗体、実装パッド発熱体、接続パッド発熱体を示す基体の一部の透過斜視図である。また、図３は、図２に対応する基体の一部の透過斜視図であって、接続パッド発熱体を示している。また、図４は、図２に対応する基体の一部の透過斜視図であって、発熱抵抗体を示している。また、図５は、図２に対応する基体の一部の透過斜視図であって、実装パッド発熱体を示している。また、図６は、図１のＸ−Ｘ’に沿ったヒューズ装置の断面図である。

本実施形態のヒューズ装置は、回路保護素子として用いるものであって、外部回路に組み込むものである。そして、外部回路に異常が発生して、外部回路の温度が上がると、その異常温度に起因して、温度ヒューズエレメントが溶断し、外部回路の動作を緊急停止させるものである。

また、ヒューズ装置に、温度ヒューズエレメントを発熱する発熱抵抗体を設けた場合は、
外部回路の異常発生時に、外部回路にヒューズ装置とともに組み込んだ異常検出器が外部回路の異常を検出し発熱抵抗体を通電する。その結果、ヒューズ装置は、発熱抵抗体が高温となり、その温度によって温度ヒューズエレメントを溶断することで、回路の動作を緊急停止させることができる。

本実施形態に係るヒューズ装置１は、基体２と、基体２の上面に設けられた温度ヒューズエレメント３と、基体２内に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域に配置された発熱抵抗体４と、基体２の下面に設けられた実装パッド５と、基体２内に発熱抵抗体４と間を空けて配置され、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重ならない領域であって、実装パッド５と重なる領域に設けられた実装パッド発熱体６とを備えている。なお、本実施形態においては、ヒューズ装置１に発熱抵抗体４を設けた構造について説明するが、温度ヒューズエレメント３が溶断可能な構造であれば、ヒューズ装置１から発熱抵抗体４を除いた構造であっても構わない。

また、本実施形態に係るヒューズ装置１は、基体２と、基体２の上面に設けられた一対の接続パッド７と、基体２の上面に設けられ、一対の接続パッド７の両者にわたって接続された温度ヒューズエレメント３と、基体２内に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域に配置された発熱抵抗体４と、基体２内に発熱抵抗体４と間を空けて配置され、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重ならない領域であって、接続パッド７と重なる領域に設けられた接続パッド発熱体８とを備えている。

基体２は、絶縁性の複数の基板を積層したものであって、基体２を構成する基板が、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミックス材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、基体２を構成する基板の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、基体２を構成する基板の熱伝導率は、例えば、１４Ｗ／ｍ・Ｋ以
上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。

基体２の上面には、温度ヒューズエレメント３を実装したときに、温度ヒューズエレメントと電気的に接続パッド７が形成されている。接続パッド７は、温度ヒューズエレメント３と接続されるものである。接続パッド７は、温度ヒューズエレメント３の両端部のそれぞれに対応して基体２の最上層の上面に形成されている。

基体２の上面には、接続パッド７と電気的に接続される電極層９が形成されている。電極層９は、温度ヒューズエレメント３に電流を流すものである。また、電極層９の一部は、基体２の上面から基体２の側面を介して基体２内にわたって形成されている。電極層９は、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、電極層９が電気的にオープンになるように形成されている。なお、電極層９は、接続パッド７および温度ヒューズエレメント３と電気的に接続されるものであって、任意のパターンに形成されている。電極層９の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、電極層９の幅とは、電極層９に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。

電極層９は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。

また、基体２の上面には、接続パッド発熱端子１０が設けられている。接続パッド発熱端子１０は、電極層９と間を空けて配置されている。接続パッド発熱端子１０は、外部から接続パッド発熱端子１０に電流を流すことで、接続パッド発熱体８の温度を上昇させるものである。接続パッド発熱体８の温度が上昇すると、その接続パッド発熱体８と重なる領域に位置する接続パッド７の温度が上昇する。そして、接続パッド７上にて半田等を溶かしやすくすることができ、短時間で温度ヒューズエレメント３を溶けた半田等を介して基体２に実装しやすくすることができる。また、接続パッド７の温度が上昇するため、半田等を用いずに、温度ヒューズエレメント３の端部を局所的に溶かして、温度ヒューズエレメント３と接続パッド７を接続することもできる。なお、接続パッド発熱端子１０は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。

接続パッド発熱端子１０の一部は、基体２の上面から基体２の側面を介して基体２内にまで延在されている。そして、基体２内の接続パッド発熱体８と電気的に接続されている。接続パッド発熱体８は、平面透視して接続パッド７と重なる領域に配置されている。そして、接続パッド発熱体８は、基体２内に位置する基体２を構成する基板の上面に導電材料がパターニングされて構成されているが、接続パッド７と重なる領域がその周囲のパターニングよりも細く形成されている。そして、接続パッド発熱体８の細く形成されている箇所が、その周囲のパターニングの太く形成されている箇所よりも発熱する。その結果、接続パッド発熱端子１０から流れる電流の多くが接続パッド発熱体８の細くパターニングされた箇所にて発熱し、その直上に基体２を構成する基板を介して設けられた接続パッド７の温度を上昇させることができる。

また、基体２の上面には、実装パッド発熱端子１１が設けられている。実装パッド発熱端子１１は、電極層９および接続パッド発熱端子１０と間を空けて配置されている。実装パッド発熱端子１１は、外部から実装パッド発熱端子１１に電流を流すことで、実装パッド発熱体６の温度を上昇させるものである。実装パッド発熱体６の温度が上昇すると、その実装パッド発熱体６と重なる領域に位置する実装パッド５の温度が上昇する。そして、実装パッド５上にて半田等を溶かしやすくすることができ、短時間で基体２を溶けた半田
等を介して外部基板に実装しやすくすることができる。なお、実装パッド発熱端子１１は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。

実装パッド発熱端子１１の一部は、基体２の上面から基体２の側面を介して基体２内にまで延在されている。そして、基体２内の実装パッド発熱体６と電気的に接続されている。実装パッド発熱体６は、平面透視して実装パッド５と重なる領域に配置されている。そして、実装パッド発熱体６は、基体２内に位置する基体２を構成する基板の上面に導電材料がパターニングされて構成されているが、実装パッド５と重なる領域がその周囲のパターニングよりも細く形成されている。そして、実装パッド発熱体６の細く形成されている箇所が、その周囲のパターニングの太く形成されている箇所よりも発熱する。その結果、実装パッド発熱端子１１から流れる電流の多くが実装パッド発熱体６の細くパターニングされた箇所にて発熱し、その直下に基体２を構成する基板を介して設けられた実装パッド５の温度を上昇させることができる。

基体２の上面には、温度ヒューズエレメント３が実装される。温度ヒューズエレメント３は、特定の温度以上になると溶断するものである。温度ヒューズエレメント３は、例えば、インジウム、ビスマスまたは錫等の導電材料、あるいはこれらの混合材料からなる。また、温度ヒューズエレメント３の溶断する融点は、例えば、８０℃以上１８０℃以下に設定されている。なお、温度ヒューズエレメント３の両端は、接続パッド７と接続されている。

温度ヒューズエレメント３は、平面透視したときに発熱抵抗体４と重なる領域に設けられ、矩形状に形成される。また、温度ヒューズエレメント３は、平面透視したときに発熱抵抗体４が存在する領域から食み出さないように設けられると、発熱抵抗体４の温度を効率良く温度ヒューズエレメント３に伝えることができる。なお、温度ヒューズエレメント３の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であって、平面視したときの一辺の長さが、例えば、０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下に設定されている。

基体２上には、温度ヒューズエレメント３と重なる領域の一部に被覆層１２が形成されている。被覆層１２は、基体２の温度ヒューズエレメント３が実装される実装面上に形成されている。被覆層１２は、温度ヒューズエレメント３の溶融体との濡れ性が基体２の上面に形成された温度ヒューズエレメント実装面の濡れ性よりも小さい濡れ性の材料であって、例えば、ガラスまたはテフロン等の材料から成る。

被覆層１２は、温度ヒューズエレメント３の両端部に対応させて二つ設けられている。そして、一対の被覆層１２同士の間に空隙ＡＳが存在する。空隙ＡＳは、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、その溶断した一部が空隙ＡＳに落ち込んで、温度ヒューズエレメント３に電気が流れないようにするためのものである。

実装面は、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れやすくするためのものであって、被覆層１２上に溶断した温度ヒューズエレメント３の一部が付着しにくくするものである。実装面は、実装面上に溶断した温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れ、溶融体の表面張力作用により被覆層１２上の温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体を吸収する作用により、被覆層１２上に温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が残存付着しにくくなり、一対の電極層９の間を電気的にオープンにすることができる。

温度ヒューズエレメント３は、フラックス１３で被覆されている。フラックス１３は、
熱伝導性の優れた材料であって、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、あるいは塩化亜鉛等の材料から成る。フラックス１３は、温度ヒューズエレメント３に発熱抵抗体４の温度を伝えやすくするものである。そして、フラックス１３が温度ヒューズエレメント３を被覆することで、発熱抵抗体４の温度と温度ヒューズエレメント３の温度差を小さくすることができる。

基体２の下面には、実装パッド５が形成されている。実装パッド５は、基体２を外部の外部回路と電気的に接続するものである。なお、実装パッド５は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。

実装パッド５は、基体２の最下層に位置する基板の下面から基体２の側面を介して基体２内にまで形成された導電層１４と電気的に接続されている。そして、導電層１４は、ヒューズ装置１とともに外部回路に組込まれた異常検出器が、外部回路の異常を検出することにより、導電層１４を介して、発熱抵抗体４に通電し、発熱抵抗体４の温度を上昇させる。その結果、発熱抵抗体４の温度上昇に起因して、温度ヒューズエレメント３を溶断することができる。なお、導電層１４の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、導電層１４の幅とは、導電層１４に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。導電層１４は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。

基体２内には、発熱抵抗体４が形成されている。発熱抵抗体４は、温度ヒューズエレメント３に発熱した温度を伝えて、温度ヒューズエレメント３を溶断するものである。発熱抵抗体４は、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域であって、温度ヒューズエレメント３と基体２を構成する基板を介して設けられている。

発熱抵抗体４は、一端が電極層９と接続され、他端が導電層１４と接続される。発熱抵抗体４は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有しており、その抵抗値確保方法の例示として、そのパターン形状は基体２の下面にて何度も折れ曲がって形成されている。そして、発熱抵抗体４の幅は、電極層９および導電層１４の幅よりも小さく設定されている。発熱抵抗体４の幅を電極層９および導電層１４の幅よりも小さくすることで、発熱抵抗体４の電気抵抗を大きくし、発熱抵抗体４にて発生するジュール熱の制御を容易にすることができる。

発熱抵抗体４には、ヒューズ装置１とともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出によって、導電層１４を介して発熱抵抗体４に通電する。そして、発熱抵抗体４の電気抵抗が大きいために、発熱抵抗体４の温度が上昇する。さらに、その温度が、基体２を構成する基板を介して温度ヒューズエレメント３に伝わり、温度ヒューズエレメント３が所定温度以上になると溶断する。なお、発熱抵抗体４は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金、プラチナまたはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。

基体２内には、平面透視して実装パッド５と温度ヒューズエレメント３との間に空隙Ｐが設けられている。空隙Ｐは、基体２内に伝わる温度の伝達を抑制するものである。温度ヒューズエレメント３を実装した状態の基体２を、外部回路に接続するときに、実装パッド発熱体６に電流を流して、実装パッド６の表面の温度を上昇させるが、その温度によって温度ヒューズエレメント３が溶断しないように基体２内に空隙Ｐが設けられている。空
隙Ｐは、平面透視して高温になる実装パッド５と溶断される虞がある温度ヒューズエレメント３の間に配置されればよい。

仮に、温度ヒューズエレメント３を基体２に実装するときに、温度ヒューズエレメント３が溶断する温度状態では温度ヒューズエレメント３を基体２に実装することが困難となるが、本実施形態に係るヒューズ装置１は、基体２の接続パッド７が瞬間的に高温になることで、温度ヒューズエレメント３が溶断する前に温度ヒューズエレメント３を基体２の接続パッド７に接続することができる。また、仮に、温度ヒューズエレメント３を実装した状態の基体を外部回路に実装するときに、温度ヒューズエレメント３が溶断する温度状態では基体２を外部回路に実装することが困難となるが、本実施形態に係るヒューズ装置１は、基体２の実装パッド５が瞬間的に高温になることで、温度ヒューズエレメント３が溶断することなくヒューズ装置１を外部回路に接続することができる。このように、温度ヒューズエレメント３が溶断しないようにすることで、ヒューズ装置が所望する条件にて的確に作動することができ、作動特性の向上に寄与することが可能なヒューズ装置１を提供することができる。

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上述した実施形態では、実装パッド発熱体６と接続パッド発熱体８は、一つしか設けていないが、複数設けた構造であっても構わない。また、発熱抵抗体４は、平面透視して温度ヒューズエレメント３と直交するように基体２内に設けられていてもよい。なお、温度ヒューズエレメント３が実装されている側に、実装パッドを設けた構造であってもよい。

また、ヒューズ装置１に搭載されているヒューズエレメントの作動温度（溶断温度）が、例えば半田等を用いて外部回路１Ｘに平面実装する場合の半田の作業温度と同等、もしくは、作業温度よりも低い場合には、実装作業時にヒューズ装置１の温度がヒューズエレメントの作動温度（溶断温度）よりも高温となって温度ヒューズエレメント３が溶断する虞がある。

ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとは、例えば図７に示す例のように、ヒューズ装置１の側面部に設けた楕円形状を２つに割った形等のキャスタレーション部の下面に金属片１５を貼り付け、金属片１５と外部回路１Ｘの接続する個所とを位置合わせし、金属片１５に対して、例えばレーザー光等を照射して、スポット照射加熱によって接続することができる。ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとの接続をスポット照射加熱によって接続することで、温度ヒューズエレメント３にまで熱が伝わらないようにすることができ、温度ヒューズエレメント３が溶断するのを抑制することができる。なお、キャスタレーションの形状は半円形に限定されず、矩形状等であってもよい。また、金属片１５の上面が露出している部位に貫通孔を設けて、外部回路１Ｘとの接続時に、金属片１５の下面であって、貫通孔よりも外方に位置する個所と外部回路１Ｘとを接続してもよい。金属片１５の上面であって、貫通孔よりも外方に位置する個所に対してスポット照射加熱することで、金属片１５の下面であって貫通孔よりも外方に位置する個所に設けた半田を溶かして外部回路１Ｘと接続することができる。そして、貫通孔が開いていることで、基体２に熱が伝わるのを抑制することができ、ヒューズ装置１の温度ヒューズエレメント３が溶断するのを抑制することができる。

また、リード端子を用いずに、ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとを接続することができるため、リード端子を用いた場合に比べて、ヒューズ装置１を小型化することができる。このように、ヒューズ装置１を外部回路１Ｘに平面実装するときの熱の影響による温度ヒューズエレメント３の溶断を抑制し、ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとの接続個所を小さくすることができ、ヒューズ装置１の小型化を実現することができる。

また、図８から図１０に示す例のように、ヒューズ装置１の下面と外部回路１Ｘの上面との間に空間を設け、この空間に絶縁性樹脂１６を充填することによって、ヒューズ装置１の電極間または外部回路１Ｘの電極間での電位差勾配によるマイグレーション等によるショートまたはリーク電流の発生の虞を抑制することができる。かかるマイグレーションを防止するために、ヒューズ１装置の下面に凹凸部を設けること、あるいは外部回路１Ｘの上面に凹部を設けることにより、ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとの間に、マイグレーション防止用の空間を設けることができる。そして、空間に絶縁性樹脂１６を充填して、電極間のショートを効果的に抑制することができる。

＜ヒューズ装置の製造方法＞
ここで、図１に示すヒューズ装置１の製造方法について説明する。まず、基体２を準備する。基体２は、複数のグリーンシートを積層して焼結させたものである。基体２を構成するグリーンシートは、例えば酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤および溶剤等を添加混合して得た混合物より成型することで得られる。

次に、金属ペーストを準備する。金属ペーストは、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して得られる。

そして、基体２となる複数のグリーンシートに対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って発熱抵抗体４、実装パッド５、接続パッド７、電極層９および導電層１３を形成する。

次に、準備した焼結前の基体２となるグリーンシートを積層して接続させた状態で、約１６００度の温度で焼成する。そして、複数のグリーンシートを一体焼結する。一体焼結後の基体２に対して、例えばめっきを施すことで、接続パッド発熱端子１０および実装パッド発熱端子１１を形成する。

次に、基体２の接続パッド発熱端子１０に電流を流して、接続パッド発熱体８を瞬間的に高温にし、半田を介して温度ヒューズエレメント３と接続パッド７を接続する。また、基体２上に、温度ヒューズエレメント３を被覆するようにフラックス１３を形成する。このようにして、抵抗温度ヒューズ１を作製することができる。なお、実装パッド５または接続パッド７、および接続パッド７から基体２の側面部を介して実装パッド５まで延材する導通部の鍍金皮膜層に少なくとも比抵抗の小さい銅等の鍍金材料層を含め、例えば電気鍍金法または無電界鍍金法によって一体形成してもよい。この場合は、図１１に示すように、基体２の側面に、実装パッド５および接続パッド７を一体形成した鍍金層１７が形成される。

ヒューズ装置１は、異常温度管理対象である電子・電気モジュールや部品の異常に対応して温度ヒューズエレメント３を溶断することによって電子・電気機器における発煙・発火等の虞を排除するために設置されるものであり、ヒューズ装置１の温度ヒューズエレメント３が正常に作動するためには、温度ヒューズエレメント３が温度ヒューズエレメント３を管理する温度のみの影響により溶断することが好ましい。そこで、実装パッド５と温度ヒューズエレメント３との間に配置される引出配線部を無くし、基体２の下面、側面および上面にかけて連続して延在した鍍金層１７を形成することで、管理対象である電子・電気モジュール等が正常に作動している間は、温度ヒューズエレメント装置自体の導通による発熱を抑制することができ、温度ヒューズエレメント３は管理対象である電子・電気モジュールの異常時のみ溶断することができる。引出配線部がなくなることにより、ヒュ
ーズ装置１の小型化を実現することができる。なお、鍍金層１７の下地には、下地メタライズを形成し、その上に、例えば、ニッケル、銅または金等の層構成の鍍金を施す。ヒューズ装置１の温度ヒューズエレメント３実装側の鍍金面に、外部回路への実装時の半田の這い上がり等を防止するために、耐熱性樹脂または厚膜ガラスのコーティング部を形成してもよい。また、図１１に示す例のように、基体２の側面部の形状は平面視にてキャスタレーション部を形成しており、その形状は半円形に限定されず、矩形状等であってもよい。本変形例は温度ヒューズ装置、抵抗温度ヒューズ装置、電流ヒューズと温度ヒューズ機能を有する複合ヒューズ等の少なくとも温度ヒューズ機能を有するヒューズ類の温度ヒューズ機能部分に適用することができる。

１ ヒューズ装置
２ 基体
３ 温度ヒューズエレメント
４ 発熱抵抗体
５ 実装パッド
６ 実装パッド発熱体
７ 接続パッド
８ 接続パッド発熱体
９ 電極層
１０ 接続パッド発熱端子
１１ 実装パッド発熱端子
１２ 被覆層
１３ フラックス
１４ 導電層
１５ 金属片
１６ 絶縁性樹脂
１７ 鍍金層

Claims (5)

1. 基体と、
   前記基体の上面に設けられた温度ヒューズエレメントと、
   前記基体の下面に設けられた実装パッドと、
   前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記実装パッドと重なる領域に配置された実装パッド発熱体とを備えたヒューズ装置。
2. 請求項１に記載のヒューズ装置であって、
   前記基体の上面に前記温度ヒューズエレメントと間を空けて配置され、前記実装パッド発熱体に電気的に接続された実装パッド発熱端子を備えたことを特徴とするヒューズ装置。
3. 請求項１に記載のヒューズ装置であって、
   前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域に配置された発熱抵抗体を備えたことを特徴とするヒューズ装置。
4. 請求項３に記載のヒューズ装置であって、
   前記実装パッド発熱体は、前記発熱抵抗体と間を空けて配置されていることを特徴とするヒューズ装置。
5. 基体と、
   前記基体の上面に設けられた一対の接続パッドと、
   前記基体の上面に設けられ、一対の前記接続パッドの両者にわたって接続された温度ヒューズエレメントと、
   前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記接続パッドと重なる領域に配置された接続パッド発熱体とを備えたヒューズ装置。

Images