JP2013030001A - 情報処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】例えば、コントローラ50は、半導体装置10に対してセルフリフレッシュコマンドSREを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置10は、インピーダンス制御信号ODTを受信する入力バッファ回路72をセルフリフレッシュモード中においても常時活性化させるとともに、セルフリフレッシュモード中においては、内部クロック信号ICLK0に同期してインピーダンス制御信号IODT0をラッチするラッチ回路84をバイパスさせる。これにより、外部クロック信号CKを使用することなく、セルフリフレッシュモード中におけるインピーダンス制御信号ODTの入力が可能となる。
【選択図】図1
Description
[付記1]
記憶セルに記憶された記憶データのリフレッシュを実行するセルフリフレッシュモードを有する少なくとも一つの半導体装置に対し、複数のコマンドを発行するコマンド発行部と、
前記半導体装置に設けられたデータ端子を介して送受信される前記記憶データを処理するデータ処理部と、を備え、
前記コマンド発行部は、
前記データ端子のインピーダンスを制御するインピーダンス制御コマンドを発行するインピーダンス制御コマンド発行部と、
前記セルフリフレッシュモードにエントリするセルフリフレッシュコマンド、前記セルフリフレッシュモードからイグジットするセルフリフレッシュイグジットコマンド、及び前記記憶データのリフレッシュを実行するオートリフレッシュコマンドを発行するサブコマンド発行部と、を含み、
前記インピーダンス制御コマンド発行部は、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御コマンドを発行し、これにより前記データ端子のインピーダンスを制御する、ことを特徴とするコントローラ。
[付記2]
更に、所定の周波数を有する同期信号を発行する同期信号発行部を備え、
前記インピーダンス制御コマンド発行部は、前記セルフリフレッシュモード以外の期間に、前記インピーダンス制御コマンドを前記同期信号とは非同期に発行する、付記1に記載のコントローラ。
[付記3]
前記インピーダンス制御コマンド発行部は、前記セルフリフレッシュモード以外の期間に、前記インピーダンス制御コマンドを前記同期信号に同期させて発行する、付記2に記載のコントローラ。
[付記4]
更に、所定の周波数を有する同期信号を発行する同期信号発行部を備え、
前記少なくとも一つの半導体装置は、第1及び第2の半導体装置を含み、
前記同期信号発行部は、前記同期信号を前記第1及び第2の半導体装置に共通に供給する、付記1乃至3のいずれかに記載のコントローラ。
[付記5]
前記少なくとも一つの半導体装置は、第1及び第2の半導体装置を含み、
前記コマンド発行部は、前記インピーダンス制御コマンドを前記第1及び第2の半導体装置に共通に供給する、付記1乃至3のいずれかに記載のコントローラ。
[付記6]
更に、所定の周波数を有する同期信号を発行する同期信号発行部を備え、
前記少なくとも一つの半導体装置は、第1及び第2の半導体装置を含み、
前記コントローラは、互いに異なる制御の第1及び第2の前記同期信号をそれぞれ対応する前記第1及び第2の半導体装置に供給し、且つ、互いに異なる制御の第1及び第2の前記インピーダンス制御コマンドをそれぞれ対応する前記第1及び第2の半導体装置に供給する、付記1乃至3のいずれかに記載のコントローラ。
[付記7]
前記コントローラは、第1及び第2の動作モードを備え、
前記インピーダンス制御コマンド発行部は、
第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御コマンドを発行せず、
第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御コマンドを発行する、付記1乃至6のいずれかに記載のコントローラ。
[付記8]
前記コントローラは、第1及び第2の動作モードを備え、
前記コマンド発行部は、更に、
所定の周波数を有する同期信号を発行する同期信号発行部と、を備え、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの少なくとも一部の期間に前記同期信号を停止し或いはその周波数を変更し、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記所定の周波数を変更せずに前記同期信号を発行し続ける、付記1乃至6のいずれかに記載のコントローラ。
[付記9]
前記コントローラは、第1及び第2の動作モードを備え、
前記コマンド発行部は、更に、
前記半導体装置に、前記記憶セルへのアクセスを行わせる第1のコマンド、及び前記データ端子から前記記憶データを出力させる第2のコマンドを、それぞれ前記半導体装置へ発行し、
前記第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドが最も早く発行できる時間として、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第1の時間に、前記第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドを発行し、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の前記第1の時間よりも早い第2の時間に、前記第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドを発行する、付記1乃至8のいずれかに記載のコントローラ。
[付記10]
前記コントローラは、第1及び第2の動作モードを備え、
前記サブコマンド発行部は、更に、
前記半導体装置に、前記記憶セルへのアクセスを行わせる第1のコマンド、及び前記データ端子から前記記憶データを出力させる第2のコマンドを、それぞれ前記半導体装置へ発行し、
前記第1のコマンドが最も早く発行できる時間として、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第3の時間に、前記第1のコマンドを発行し、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の前記第3の時間よりも早い第4の時間に、前記第1のコマンドを発行する、付記1乃至9のいずれかに記載のコントローラ。
[付記11]
前記サブコマンド発行部は、単位期間当たりの前記セルフリフレッシュコマンドの発行数を、前記単位期間当たりの前記オートリフレッシュコマンドの発行数と一致させる、付記1乃至10のいずれかに記載のコントローラ。
[付記12]
前記サブコマンド発行部は、
前記セルフリフレッシュコマンドのインターバル時間と、前記オートリフレッシュコマンドのインターバル時間とを同一として、それぞれ対応する前記セルフリフレッシュコマンド及び前記オートリフレッシュコマンドを発行する、付記1乃至11のいずれかに記載のコントローラ。
[付記13]
前記サブコマンド発行部は、更に、
前記半導体装置を、パワーダウンモードにエントリさせるパワーダウンコマンドと、前記パワーダウンモードからイグジットさせるパワーダウンイグジットコマンドと、前記記憶データへのアクセスを行わせる第1のコマンドと、前記データ端子から前記記憶データを出力させる第2のコマンドと、を発行し、
前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後、前記第1のコマンドを発行可能な最短時間は、前記パワーダウンイグジットコマンドを発行した後、前記第1のコマンドを発行可能な最短時間と等しく、
前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後、前記第2のコマンドを発行可能な最短時間は、前記パワーダウンイグジットコマンドを発行した後、前記第2のコマンドを発行可能な最短時間と等しい、付記11又は12に記載のコントローラ。
[付記14]
更に、所定の周波数を有する同期信号を発行する同期信号発行部を備え、
前記同期信号発行部は、前記セルフリフレッシュモードの少なくとも一部の期間中に前記同期信号を停止、または前記所定の周波数を変更する、付記1乃至3のいずれかに記載のコントローラ。
[付記15]
前記コマンド発行部は、更に、前記半導体装置を前記第1又は第2の動作モードに設定するモードレジスタ設定コマンドを発行する、付記7乃至10のいずれかに記載のコントローラ。
[付記16]
前記セルフリフレッシュコマンドと共に前記第1又は第2の動作モードを定義する付加信号を発行する、付記7乃至10のいずれかに記載のコントローラ。
[付記17]
更に、前記記憶データのアドレスを指定するアドレス処理部を備え、
前記データ処理部または前記アドレス処理部が前記付加信号を発行する、付記16に記載のコントローラ。
[付記18]
記憶セルに記憶された記憶データのリフレッシュを実行するセルフリフレッシュモードを有する半導体装置に対し、前記セルフリフレッシュモードにエントリさせるセルフリフレッシュコマンドを発行し、
前記セルフリフレッシュモードからイグジットさせるセルフリフレッシュイグジットコマンドを発行し、
前記記憶データのリフレッシュを実行するオートリフレッシュコマンドを発行し、
少なくとも前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記記憶データを前記半導体装置の外部へ出力させるデータ端子のインピーダンスを制御するインピーダンス制御コマンドを発行する、ことを特徴とするコントローラの制御方法。
[付記19]
前記コントローラは、更に、所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置に発行し、
前記コントローラは、前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記外部同期信号とは非同期に前記インピーダンス制御コマンドを発行する、付記18に記載のコントローラの制御方法。
[付記20]
前記コントローラは、前記セルフリフレッシュモード以外の期間に、前記外部同期信号に同期して前記インピーダンス制御コマンドを発行する、付記19に記載のコントローラの制御方法。
[付記21]
前記コントローラは、更に、前記半導体装置を第1又は第2の動作モードに設定し、
前記コントローラは、
前記半導体装置が前記セルフリフレッシュモード以外の期間においては、所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置に連続的に発行し、
前記半導体装置を前記第1の動作モードに設定させている場合には、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記外部同期信号の発行を停止し或いはその周波数を変更し、
前記半導体装置を前記第2の動作モードに設定させている場合には、前記セルフリフレッシュモードにエントリの期間中であっても前記外部同期信号を停止せずに同一の周波数で発行し続ける、付記18乃至20のいずれかに記載のコントローラの制御方法。
[付記22]
前記コントローラは、更に、
前記記憶セルへのアクセスを行う第1のコマンド、及び前記データ端子から前記記憶データを出力させる第2のコマンドを、それぞれ前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置を第1又は第2の動作モードに設定し、
前記第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドが最も早く発行できる時間として、
前記半導体装置を前記第1の動作モードに設定している場合には、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第1の時間に、第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドを発行し、
前記半導体装置が前記第2の動作モードに設定されている場合には、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の前記第1の時間よりも早い第2の時間に、前記第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドを発行する、付記18乃至21のいずれかに記載のコントローラの制御方法。
[付記23]
前記コントローラは、更に、
前記記憶セルへのアクセスを行う第1のコマンド、及び前記データ端子から前記記憶データを出力させる第2のコマンドを、それぞれ前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置を第1又は第2の動作モードに設定し、
前記第1のコマンドが最も早く発行できる時間として、
前記半導体装置を前記第1の動作モードに設定している場合には、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第3の時間に、第1のコマンドを発行し、
前記半導体装置を前記第2の動作モードに設定している場合には、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の前記第3の時間よりも早い第4の時間に、前記第1のコマンドを発行する、付記18乃至20のいずれかに記載のコントローラの制御方法。
[付記24]
前記コントローラは、更に、
前記記憶セルへのアクセスを行う第1のコマンド、パワーダウンコマンド、及びパワーダウンイグジットコマンドを、それぞれ前記半導体装置へ発行し、
前記第1のコマンドが最も早く発行できる時間として、
前記パワーダウンイグジットコマンドを発行した後の第5の時間に、前記第1のコマンドを発行し、
前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第6の時間に、前記第1のコマンドを発行し、
前記第5及び第6の時間は、同一の時間長である、付記18乃至23のいずれかに記載のコントローラの制御方法。
[付記25]
前記コントローラは、更に、
前記セルフリフレッシュコマンドのインターバル時間と、前記オートリフレッシュコマンドのインターバル時間とを同一として、それぞれ対応する前記セルフリフレッシュコマンド及び前記オートリフレッシュコマンドを発行する、付記24に記載の情報処理システムの制御方法。
[付記26]
コントローラは、
セルフリフレッシュコマンド及びセルフリフレッシュイグジットコマンド、オートリフレッシュコマンド、並びにインピーダンス制御コマンドを、それぞれ半導体装置へ発行し、
前記半導体装置は、
前記セルフリフレッシュコマンドに対応して、メモリセルアレイが含む記憶セルに記憶された記憶データのリフレッシュを実行するセルフリフレッシュモードにエントリし、
前記セルフリフレッシュイグジットコマンドに対応して、前記セルフリフレッシュモードからイグジットし、
前記オートフレッシュコマンドに対応して、前記記憶データのリフレッシュを実行し、
前記インピーダンス制御コマンドに対応して、前記記憶データを外部へ出力するデータ端子のインピーダンスを制御し、
前記コントローラは、少なくとも前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御コマンドを発行する、ことを特徴とする情報処理システムの制御方法。
[付記27]
前記コントローラは、更に、所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモードの期間に前前記外部同期信号とは非同期に前記データ端子のインピーダンスを制御する、付記26に記載の情報処理システムの制御方法。
[付記28]
前記コントローラは、更に、前記半導体装置を前記セルフリフレッシュモードにエントリさせていない期間において、前記インピーダンス制御信号を発行し、
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモード以外の期間に、前前記外部同期信号に同期して前記データ端子のインピーダンスを制御する、付記27に記載の情報処理システムの制御方法。
[付記29]
前記コントローラは、更に、
所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置を第1又は第2の動作モードに設定し、
前記第1の動作モードにおいて、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記外部同期信号を停止し或いはその周波数を変更し、
前記第2の動作モードにおいて、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記所定の周波数を変更せずに前記外部同期信号を発行し続ける、付記26乃至28のいずれかに記載の情報処理システムの制御方法。
[付記30]
前記コントローラは、更に、
前記記憶セルへのアクセスを行う第1のコマンド、及び前記データ端子から前記記憶データを出力させる第2のコマンドを、それぞれ前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置を第1又は第2の動作モードに設定し、
前記第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドが最も早く発行できる時間として、
前記第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドが最も早く発行できる時間として、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第1の時間に、前記第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドを発行し、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の前記第1の時間よりも早い第2の時間に、前記第2のコマンド又は前記インピーダンス制御コマンドを発行し、
前記半導体装置は、前記第2のコマンドに対応して、前記データ端子から前記記憶データを出力する、付記26乃至29のいずれかに記載の情報処理システムの制御方法。
[付記31]
前記コントローラは、更に、
前記記憶セルへのアクセスを行う第1のコマンド、及び前記データ端子から前記記憶データを出力させる第2のコマンドを、それぞれ前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置を第1又は第2の動作モードに設定し、
前記第1のコマンドが最も早く発行できる時間として、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第3の時間に、前記第1のコマンドを発行し、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の前記第3の時間よりも早い第4の時間に、前記第1のコマンドを発行し、
前記半導体装置は、前記第1のコマンドに対応して、前記記憶セルをアクセスする、付記26乃至30のいずれかに記載の情報処理システムの制御方法。
[付記32]
前記コントローラは、更に、
前記記憶セルへのアクセスを行う第1のコマンド、パワーダウンコマンド、及びパワーダウンイグジットコマンドを、それぞれ前記半導体装置へ発行し、
前記第1のコマンドが最も早く発行できる時間として、
前記パワーダウンイグジットコマンドを発行した後の第5の時間に、前記第1のコマンドを発行し、
前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第6の時間に、前記第1のコマンドを発行し、
前記第5及び第6の時間は、同一の時間長であり、
前記半導体装置は、
前記第1のコマンドに対応して、前記記憶セルをアクセスし、
前記パワーダウンコマンドを受信して、パワーダウンモードにエントリし、前記記憶データのリフレッシュを行なわず、前記半導体装置をパワーダウンし、
前記パワーダウンイグジットコマンドを受信して、前記パワーダウンモードを解除し、
前記第1のコマンドを受信して、前記記憶セルへのアクセスを実行する、付記26乃至30のいずれかに記載の情報処理システムの制御方法。
[付記33]
前記コントローラは、更に、
前記セルフリフレッシュコマンドのインターバル時間と、前記オートリフレッシュコマンドのインターバル時間とを同一として、それぞれ対応する前記セルフリフレッシュコマンド及び前記オートリフレッシュコマンドを発行する、付記32に記載の情報処理システムの制御方法。
[付記34]
前記コントローラは、更に、前記セルフリフレッシュモードの期間に所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置に発行し、
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記外部同期信号が供給される第1の入力バッファ回路及びその出力信号が供給され内部同期信号を生成するDLL回路を、互いに連動して間欠的に活性化させる、付記26乃至30のいずれかに記載の情報処理システムの制御方法。
[付記35]
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記DLL回路を間欠的に活性させながらその都度更新される前記DLL回路が有する遅延量に関連する保持情報を維持する、付記34に記載の情報処理システムの制御方法。
[付記36]
前記半導体装置は、
前記オートリフレッシュコマンドに対応して、前記メモリセルアレイに含まれるn個のメモリセルの記憶データをリフレッシュし、
前記セルフリフレッシュモードの期間において、外部とは非同期な第1の周期毎にアドレスを変えて前記n個よりも少ないm個のメモリセルの記憶データをリフレッシュする、付記26乃至28のいずれかに記載の情報処理システムの制御方法。
[付記37]
前記コントローラは、更に、前記半導体装置を第1又は第2の動作モードに設定し、
前記半導体装置は、
前記第1の動作モードに設定されている場合には、前記セルフリフレッシュモード期間中に、前記第1の周期よりも長く外部とは非同期な第2の周期毎に前記n個のメモリセルをリフレッシュし、
前記第2の動作モードに設定されている場合には、前記セルフリフレッシュモード期間中に、前記第1の周期毎にアドレスを変えて前記m個のメモリセルの記憶データをリフレッシュする、付記36に記載の情報処理システムの制御方法。
[付記38]
前記コントローラは、更に、前記セルフリフレッシュモードの少なくとも一部の期間に所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置に発行し、
前記半導体装置は、
前記オートリフレッシュコマンドに同期して、第1の時間で前記メモリセルアレイに含まれるn個のメモリセルの記憶データをリフレッシュし、
前記セルフリフレッシュコマンドに同期して、前記第1の時間で前記メモリセルアレイに含まれるn個のメモリセルの記憶データをリフレッシュするとともに、前記セルフリフレッシュモードにエントリし、
前記セルフリフレッシュモードに対応して、前記外部同期信号に基づいて位相制御された内部同期信号を生成するDLL回路を一時的に所定時間活性化させ、これにより前記DLL回路が有する遅延量に関連する保持情報を更新する、付記26乃至28のいずれかに記載の情報処理システムの制御方法。
[付記39]
前記半導体装置は、
前記セルフリフレッシュコマンドまたは前記セルフリフレッシュイグジットコマンドに同期して前記DLL回路を一時的に所定時間活性化する、付記26乃至28のいずれかに記載の情報処理システムの制御方法。
[付記40]
前記コントローラは、更に、
前記半導体装置を第1又は第2の動作モードに設定し、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記外部同期信号を発行せず、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの少なくとも一部の期間に前記外部同期信号を発行し、
前記半導体装置は、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記第1の時間でn個のメモリセルをリフレッシュするセットを、外部とは非同期に周期的に繰り返し、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュコマンドに同期して、前記セットを一回実行する、付記39に記載の情報処理システムの制御方法。
[付記41]
前記半導体装置は、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュコマンドに応答して前記DLL回路が有する遅延量に関連する前記保持情報をリセットし、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドに応答して前記DLL回路を活性化させ、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュコマンドに応答して前記保持情報をリセットせずに維持し、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドに応答して前記DLL回路を活性化させ前記保持情報を更新する、付記39又は40に記載の情報処理システムの制御方法。
[付記42]
所定の周波数を有する外部同期信号が外部から供給される第1の入力バッファ回路と、
前記第1の入力バッファ回路に供給された前記外部同期信号に基づいて、位相制御された内部同期信号を生成するDLL回路と、
記憶データのリフレッシュが必要な複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイから読み出された記憶データを、前記内部同期信号に同期してデータ端子から外部へ出力する出力バッファ回路と、
前記データ端子のインピーダンスを制御するインピーダンス制御信号が、外部から供給される第2の入力バッファ回路と、
アクセス制御回路と、を備え、
前記アクセス制御回路は、
セルフリフレッシュコマンドに応答して前記記憶データのリフレッシュを実行するセルフリフレッシュモードにエントリし、
オートリフレッシュコマンドに対応して、前記記憶データのリフレッシュを実行し、
セルフリフレッシュイグジットコマンドに応答して前記セルフリフレッシュモードからイグジットし、
前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御信号が発行されたことに応答して、前記データ端子のインピーダンスを制御する、ことを特徴とする半導体装置。
[付記43]
前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御信号が発行されたことに応答して、前記外部同期信号及び前記内部同期信号とは非同期に前記データ端子のインピーダンスを制御する、付記42に記載の半導体装置。
[付記44]
前記セルフリフレッシュモード以外の期間に前記インピーダンス制御信号が発行されたことに応答して、前記外部同期信号又は内部同期信号に同期して前記データ端子のインピーダンスを制御する、付記42又は43に記載の半導体装置。
[付記45]
更に、前記第2の入力バッファ回路の出力信号を前記第1の入力バッファ回路の出力信号に同期してラッチするラッチ回路を備え、
前記ラッチ回路は、前記セルフリフレッシュモードの期間においてはバイパスされる、付記42乃至44のいずれかに記載の半導体装置。
[付記46]
更に、第1の入力ノードに前記ラッチ回路の出力信号が供給され、第2の入力ノードに前記第2の入力バッファ回路の出力信号が供給され、前記第1及び第2の入力ノードのいずれか一方が出力ノードに接続されるスイッチ回路を備え、
前記セルフリフレッシュモードにエントリしている期間においては、前記スイッチ回路の前記第2の入力ノードが前記出力ノードに接続される、付記45に記載の半導体装置。
[付記47]
前記セルフリフレッシュモードにエントリ以外の期間においては、前記スイッチ回路の前記第1の入力ノードが前記出力ノードに接続される、付記45又は46に記載の半導体装置。
[付記48]
前記半導体装置は、更に、第1及び第2の動作モードを備え、
前記アクセス制御回路は、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記第2の入力バッファ回路を非活性化させ、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記第2の入力バッファ回路を活性化させる、付記42乃至47のいずれかに記載の半導体装置。
[付記49]
更に、前記第2の入力バッファ回路の出力信号を前記第1の入力バッファ回路の出力信号に同期してラッチするラッチ回路を備え、
前記アクセス制御回路は、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記ラッチ回路がバイパスされる、付記48に記載の半導体装置。
[付記50]
前記アクセス制御回路は、
前記セルフリフレッシュモードの期間においては、前記外部同期信号とは非同期に前記記憶データのリフレッシュを周期的に実行し、
前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記第1の入力バッファ回路及び前記DLL回路を互いに連動して間欠的に活性化させる、付記42乃至49のいずれかに記載の半導体装置。
[付記51]
前記アクセス制御回路は、
前記オートリフレッシュコマンドに応答して前記メモリセルアレイに含まれるn個のメモリセルの記憶データをリフレッシュし、
前記セルフリフレッシュモードの期間において、外部とは非同期な第1の周期毎にアドレスを変えて前記n個よりも少ないm個のメモリセルの記憶データをリフレッシュする、付記42乃至50のいずれかに記載の半導体装置。
[付記52]
前記アクセス制御回路は、
前記オートリフレッシュコマンドに同期して、第1の時間で前記メモリセルアレイに含まれるn個のメモリセルの記憶データをリフレッシュし、
前記セルフリフレッシュコマンドに同期して、前記第1の時間で前記メモリセルアレイに含まれるn個のメモリセルの記憶データをリフレッシュするとともに、前記セルフリフレッシュモードにエントリし、
前記セルフリフレッシュモードに対応して、前記外部同期信号に基づいて位相制御された内部同期信号を生成するDLL回路を一時的に所定時間活性化させ、これにより前記DLL回路が有する遅延量に関連する保持情報を更新する、付記42乃至49のいずれかに記載の半導体装置。
[付記53]
前記アクセス制御回路は、前記セルフリフレッシュモードの期間は、前記第1の入力バッファ回路を非活性化させる、付記42乃至49のいずれかに記載に記載の半導体装置。
[付記54]
前記アクセス制御回路は、前記セルフリフレッシュモードにエントリしているか否かにかかわらず、前記第2の入力バッファ回路を活性化させる、付記53に記載に記載の半導体装置。
[付記55]
前記半導体装置は、外部から供給されるモードレジスタ設定コマンドによって前記第1又は第2の動作モードに設定される、付記48又は49に記載の半導体装置。
[付記56]
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュコマンドと共に外部から供給される付加信号によって前記第1又は第2の動作モードに設定される、付記48又は49に記載の半導体装置。
11 メモリセルアレイ
12 ロウデコーダ
13 カラムデコーダ
14 センス回路
15 アンプ回路
20,20a,20b アクセス制御回路
21 アドレス端子
22 コマンド端子
23,24 クロック端子
25 クロックイネーブル端子
26 ODT端子
27 モードレジスタ
28 チップ選択端子
30 データ入出力回路
30a 出力バッファ回路
31 データ端子
40 電源回路
41,42 電源端子
50 コントローラ
51 コマンド発行部
51a サブコマンド発行部
51b インピーダンス制御信号発行部
52 クロック発行部
53 データ処理部
60 インピーダンス制御端子
61 コマンド端子
62 クロック端子
63 データ端子
70,71〜73,72a 入力バッファ回路
82〜84 ラッチ回路
85 セレクタ
90 リフレッシュカウンタ
91 オートリフレッシュカウンタ
92 セルフリフレッシュカウンタ
95 ロウコントロール回路
100,100b,100c セルフリフレッシュ制御回路
120 クロック発行部
150 オシレータ
200 DLL回路
210 ディレイライン
220 カウンタ回路
230 レプリカバッファ回路
240 位相比較回路
250 DLL制御回路
300 パッケージ基板
301 接着剤
302 ボンディングワイヤ
303 外部端子
304 封止樹脂
CK,CKB 外部クロック信号
CKE クロックイネーブル信号
CS チップ選択信号
END 更新終了信号
ICLK0,ICLK1 内部クロック信号
ODT,IODT0,IODT1 インピーダンス制御信号
L1,L2 ラッチ回路
SRE セルフリフレッシュコマンド
SRX セルフリフレッシュイグジットコマンド
SS セルフステート信号
ST 更新開始信号
Claims (23)
- 記憶データを保持するメモリセルアレイと、前記記憶データが外部へ出力されるデータ端子と、を有し、前記記憶データのリフレッシュをそれぞれ実行するセルフリフレッシュモード及びオートリフレッシュモードを備えた少なくとも一つの半導体装置と、
前記セルフリフレッシュモードにエントリさせるセルフリフレッシュコマンドと、前記セルフリフレッシュモードからイグジットさせるセルフリフレッシュイグジットコマンドと、前記オートリフレッシュモードにエントリさせるオートリフレッシュコマンドと、前記データ端子のインピーダンスを制御するインピーダンス制御コマンドと、を前記半導体装置に発行するコントローラと、備え、
前記コントローラは、少なくとも前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御コマンドを発行し、
前記半導体装置は、前記インピーダンス制御コマンドに応答して、前記データ端子のインピーダンスを制御する、ことを特徴とする情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、
所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置へ発行し、
前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記インピーダンス制御コマンドを前記外部同期信号とは非同期に発行し、
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモードの期間に前前記外部同期信号とは非同期に前記データ端子のインピーダンスを制御する、請求項1に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、前記セルフリフレッシュモード以外の期間に、前記インピーダンス制御コマンドを前記外部同期信号に同期させて発行し、
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモード以外の期間に、前記外部同期信号に同期して前記データ端子のインピーダンスを制御する請求項2に記載の情報処理システム。 - 情報処理システムは、更に、第1及び第2の動作モードを備え、
前記コントローラは、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御コマンドを発行せず、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御コマンドを発行し、
前記半導体装置は、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間は、前記インピーダンス制御コマンドにかかわらず前記データ端子のインピーダンスを変化させず、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記インピーダンス制御コマンドに応答して、前記データ端子のインピーダンスを制御する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、所定の周波数を有する外部同期信号を、少なくとも前記セルフリフレッシュモードの期間に連続的に、前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置は、更に、
前記外部同期信号に基づいて位相制御された内部同期信号を生成するDLL回路を備え、
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記DLL回路を間欠的に活性化させる、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記半導体装置は、更に、前記外部同期信号が供給される第1の入力バッファ回路を備え、
前記DLL回路は、前記第1の入力バッファ回路に供給された前記外部同期信号に基づいて位相制御された前記内部同期信号を生成し、
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記DLL回路に連動して前記第1の入力バッファ回路を間欠的に活性化させる、請求項5に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置は、更に、
前記外部同期信号に基づいて位相制御された内部同期信号を生成するDLL回路と、
前記内部同期信号に同期して前記データ端子から外部へ出力する出力バッファ回路と、を備え、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドに応答して、前記DLL回路が有する遅延量に関連する保持情報をリセットしない、請求項4に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの少なくとも一部の期間に前記外部同期信号を停止し或いはその周波数を変更し、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記外部同期信号を停止せずに同一の周波数で発行し続け、
前記半導体装置は、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間において前記DLL回路を非活性とし、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドに応答して前記DLL回路の前記保持情報をリセットして前記DLL回路を活性化させ、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュモードの期間において前記DLL回路を間欠的に活性化させ、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドに応答して前記DLL回路の前記保持情報をリセットしない、請求項7に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、
前記データ端子から前記記憶データを出力させる第2のコマンドを、前記半導体装置に発行し、
前記第2のコマンドが最も早く発行できる時間として、
前記第1の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第1の時間に、前記第2のコマンドを発行し、
前記第2の動作モードにおいては、前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の前記第1の時間よりも早い第2の時間に、前記第2のコマンドを発行する、請求項8に記載の情報処理システム。 - 前記半導体装置は、
前記オートリフレッシュコマンドに応答して前記メモリセルアレイに含まれるn個のメモリセルの記憶データをリフレッシュし、
前記セルフリフレッシュモードにエントリしている期間に、外部とは非同期な第1の周期毎にアドレスを変えて前記n個よりも少ないm個のメモリセルの記憶データをリフレッシュする、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、前記半導体装置を第1又は第2の動作モードに設定し、
前記半導体装置は、
前記第1の動作モードに設定されている場合には、前記セルフリフレッシュモードの期間に、前記第1の周期よりも長く外部とは非同期な第2の周期毎に前記n個のメモリセルの記憶データをリフレッシュし、
前記第2の動作モードに設定されている場合には、前記セルフリフレッシュモードの期間において、前記第1の周期毎にアドレスを変えて前記m個のメモリセルをリフレッシュする、請求項10に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置は、更に、
前記外部同期信号に基づいて位相制御された内部同期信号を生成するDLL回路と、を備え、
前記半導体装置は、
前記セルフリフレッシュイグジットコマンドに応答して、前記DLL回路を活性化させ、これにより前記DLL回路が有する遅延量に関連する保持情報を更新する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、
前記メモリセルアレイへのアクセスを行う第1のコマンド、パワーダウンコマンド、及びパワーダウンイグジットコマンドを、それぞれ前記半導体装置へ発行し、
前記第1のコマンドが最も早く発行できる時間として、
前記パワーダウンイグジットコマンドを発行した後の第3の時間に、前記第1のコマンドを発行し、
前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを発行した後の第4の時間に、前記第1のコマンドを発行し、
前記第3及び第4の時間は、同一の時間長であり、
前記半導体装置は、
前記第1のコマンドに応答して、前記記憶セルをアクセスし、
前記パワーダウンコマンドに応答して、パワーダウンモードにエントリし、前記記憶データのリフレッシュを行なわず、前記半導体装置をパワーダウンし、
前記パワーダウンイグジットコマンドに応答して、前記パワーダウンモードを解除する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、
所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置に発行し、
前記セルフリフレッシュモードの少なくとも一部の期間に前記外部同期信号を停止し或いはその周波数を変更する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記半導体装置は、更に、
前記外部同期信号が供給される第1の入力バッファ回路と、
前記第1の入力バッファ回路に供給された外部同期信号に基づいて位相制御された内部同期信号を生成するDLL回路と、を備え、
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記第1の入力バッファ回路を非活性化する、請求項14に記載の情報処理システム。 - 前記半導体装置は、更に、前記インピーダンス制御コマンドが外部から供給される第2の入力バッファ回路を備え、
前記半導体装置は、前記セルフリフレッシュモードの期間に前記第2の入力バッファ回路を活性化させる、請求項1乃至15のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、モードレジスタ設定コマンドを前記半導体装置に発行し、
前記半導体装置は、前記モードレジスタ設定コマンドによって前記第1又は第2の動作モードに設定される、請求項4又は8に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、前記セルフリフレッシュコマンドと共に付加信号を前記半導体装置に発行し、
前記半導体装置は、前記付加信号によって前記第1又は第2の動作モードに設定される、請求項4又は8に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置へ発行し、
前記少なくとも一つの半導体装置は、第1及び第2の半導体装置を含み、
前記コントローラは、前記外部同期信号を前記第1及び第2の半導体装置に共通に供給する、請求項2乃至18のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置は、更に、
前記外部同期信号が外部から供給されるクロック端子と、
前記外部同期信号が有効か否かを示すクロックイネーブル信号が外部から供給されるクロックイネーブル端子と、
前記記憶データを外部に出力するデータ端子と、
前記データ端子のインピーダンスを制御するインピーダンス制御コマンドが外部から供給されるODT端子と、
前記半導体装置を選択するチップ選択信号が外部から供給されるチップ選択端子と、を備え、
前記少なくとも一つの半導体装置は第1及び第2の半導体装置を含み、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記クロック端子は、互いに共通に接続され、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記データ端子は、互いに共通に接続され、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記クロックイネーブル端子は、互いに電気的に独立し、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記ODT端子は、互いに電気的に独立し、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記チップ選択端子は、互いに電気的に独立し、
前記コントローラは、
前記外部同期信号を前記第1及び第2の半導体装置に共通に供給し、
互いに異なる制御の第1及び第2の前記クロックイネーブル信号、互いに異なる制御の第1及び第2の前記インピーダンス制御コマンド、及び互いに異なる制御の第1及び第2の前記チップ選択信号を、それぞれ前記第1及び第2の半導体装置に分離して供給する、請求項1乃至19のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、更に、所定の周波数を有する外部同期信号を前記半導体装置へ発行し、
前記半導体装置は、更に、
前記外部同期信号が外部から供給されるクロック端子と、
前記外部同期信号が有効か否かを示すクロックイネーブル信号が外部から供給されるクロックイネーブル端子と、
前記記憶データを外部に出力するデータ端子と、
前記データ端子のインピーダンスを制御するインピーダンス制御コマンドが外部から供給されるODT端子と、
前記半導体装置を選択するチップ選択信号が外部から供給されるチップ選択端子と、を備え、
前記少なくとも一つの半導体装置は第1及び第2の半導体装置を含み、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記データ端子は、互いに共通に接続され、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記クロック端子は、互いに電気的に独立し、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記クロックイネーブル端子は、互いに電気的に独立し、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記ODT端子は、互いに電気的に独立し、
前記第1及び第2の半導体装置がそれぞれ備える前記チップ選択端子は、互いに電気的に独立し、
前記コントローラは、
互いに異なる制御の第1及び第2の前記外部同期信号、互いに異なる制御の第1及び第2の前記クロックイネーブル信号、互いに異なる制御の第1及び第2の前記インピーダンス制御コマンド、及び互いに異なる制御の第1及び第2の前記チップ選択信号を、それぞれ前記第1及び第2の半導体装置に分離して供給する、請求項1乃至19のいずれか一項に記載の情報処理システム。 - 前記コントローラは、
前記セルフリフレッシュイグジットコマンドを前記クロックイネーブル信号で定義する、請求項20又は21に記載の情報処理システム。 - 前記第1及び第2の半導体装置は、それぞれ異なるモジュール基板に搭載される、請求項20乃至22のいずれか一項に記載の情報処理システム。
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