JP2013016776A - 圧電膜素子の製造方法、及び圧電体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】非鉛の圧電膜を短時間で微細加工することができ、加工後も絶縁性が高く十分な圧電特性を発揮することができる圧電膜素子の製造方法、及び圧電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板2上に下部電極4を形成し、下部電極4上にアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜5を形成し、圧電膜5上にマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンを介して圧電膜5をドライエッチングする工程と、ドライエッチング後にマスクパターンを除去し、圧電膜を酸化雰囲気中で熱処理する工程とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】基板2上に下部電極4を形成し、下部電極4上にアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜5を形成し、圧電膜5上にマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンを介して圧電膜5をドライエッチングする工程と、ドライエッチング後にマスクパターンを除去し、圧電膜を酸化雰囲気中で熱処理する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧電膜素子の製造方法、及び圧電体デバイスの製造方法に関する。
圧電体は種々の目的に応じて様々な圧電素子に加工され、特に電圧を加えて変形を生じさせるアクチュエータや、素子の変形から電圧を発生するセンサなどの機能性電子部品として広く利用されている。
アクチュエータやセンサの用途に利用されている圧電体としては、大きな圧電特性を有する鉛系の誘電体、特にPZTと呼ばれるPb(Zr1-xTix)O3系のペロブスカイト型強誘電体がこれまで広く用いられている。このPZTは、圧電体材料となる酸化物を焼結することにより形成される。
一方、現在、各種電子部品の小型化かつ高性能化が進むにつれ、圧電素子においても小型化と高性能化が強く求められるようになった。しかしながら、従来からの製法である焼結法を中心とした製造方法により作製した圧電材料は、その厚みが特に10μm以下の厚さになると、材料を構成する結晶粒の大きさに近づき、その影響が無視できなくなる。そのため、特性のばらつきや劣化が顕著になるといった問題が発生する。それらの問題を回避するために、焼結法に変わる薄膜技術等を応用した圧電体の形成法が研究されるようになってきた。
最近、RFスパッタリング法で形成したPZT薄膜が、高精細高速インクジェットプリンタのプリンタヘッドや、小型低価格のジャイロセンサとして実用化されている(例えば、特許文献1)。また、鉛を用いないニオブ酸カリウムの圧電膜を用いた圧電膜素子も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
圧電薄膜を用いてアクチュエータやセンサを作製する場合、微細加工プロセスにより圧電薄膜を梁や音叉の形状に加工する必要がある。しかし、非鉛圧電材料であるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物については、微細加工の報告例がほとんどなく、デバイス作製の障害となっている(例えば、非特許文献1参照)。
圧電膜の微細加工においては、圧電膜が短時間で加工できることに加え、下部電極層で選択的に加工を停止できることが、高い精度で微細加工する際に必要である。また、高い圧電特性を得るためには、圧電膜を配向させる必要があることから、Ptなどの配向下部電極層を用いる必要がある。
また、ArガスとCHF3などの反応性ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングにより、アルカリニオブ酸化物膜を加工でき、かつ、Pt下部電極層で高いエッチング選択比を得られる加工方法が提案され、高い精度の微細加工が実現されている。
しかし、上記ドライエッチングプロセスを用いて微細加工を行った場合、アルカリニオブ酸化物膜の絶縁性が低下し、得られた素子が十分な圧電特性を発揮しない場合があり、良品素子取得歩留りが低下するという問題がある(例えば、非特許文献2参照)。
C.M.Kang、「Etching Characteristics of(Na0.5K0.5)NbO3 Thin Films In an Inductively Coupled Cl2/ArPLASMA」、Ferroelectrics,357,179−184(2007)
堀切、「(K,Na)NbO3圧電薄膜の微細加工特性」、第71回応用物理学会学術講演会 講演予稿集、16p−NJ−10(2010)
本発明の目的は、上記問題を解決するためになされたものであり、非鉛の圧電膜を短時間で微細加工することができ、加工後も絶縁性が高く十分な圧電特性を発揮することができる圧電膜素子の製造方法、及び圧電体デバイスの製造方法を提供することにある。
本件発明者らは、上述した現象について鋭意検討を行い、アルカリニオブ酸化物からなる圧電膜をドライエッチングにより微細加工した場合でも、熱処理によりアルカリニオブ酸化物からなる圧電膜の特性を維持することができるとの知見を得て、本発明に至ったものである。
本発明は、上記目的を達成するため、基板上に下部電極を形成し、前記下部電極上にペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電膜を形成し、前記圧電膜上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンを介して前記圧電膜をドライエッチングする工程と、前記ドライエッチング後に前記マスクパターンを除去し、前記圧電膜を酸化雰囲気中で熱処理する工程とを含む圧電膜素子の製造方法を提供する。
前記熱処理は、熱処理温度が500℃以上、1000℃未満であるのが好ましい。
前記下部電極は、(111)配向のPtから形成されたものが好ましい。
前記ペロブスカイト構造は、擬立方晶系のペロブスカイト構造が好ましい。
前記圧電膜は、(001)面方向に優先配向するよう形成されたものが好ましい。
前記非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物の組成は、組成式(K1-xNax)NbO3で表され、前記xが0.4≦x≦0.7の範囲が好ましい。
また、本発明は、上記目的を達成するため、上記の圧電膜素子の製造方法によって形成された圧電膜素子の前記圧電膜上に上部電極を形成する工程と、前記下部電極及び前記上部電極に電圧印加手段又は電圧検出手段を接続する工程とを含む圧電体デバイスの製造方法を提供する。
本発明によれば、非鉛の圧電膜を短時間で微細加工することができ、加工後も絶縁性が高く十分な圧電特性を発揮することができる。
本実施の形態に係る圧電膜素子の製造方法は、基板上に下部電極を形成し、前記下部電極上にペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電膜を形成し、前記圧電膜上にマスクパターンを形成し、前記マスクパターンを介して前記圧電膜をドライエッチングし、前記ドライエッチング後に前記マスクパターンを除去して圧電膜素子を製造する圧電膜素子の製造方法において、前記マスクパターンを除去した後、前記圧電膜を酸化雰囲気中で熱処理する工程を含む。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る圧電膜素子の概略の構成を示す断面図である。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る圧電膜素子の概略の構成を示す断面図である。
この圧電膜素子1は、基板2と、基板2上に形成された密着層3と、密着層3上に形成された下部電極4と、下部電極4上にドライエッチングによって所定のパターンに形成された圧電膜5とを備える。圧電膜5は、ドライエッチングによって低下した圧電膜5の特性の回復を図るため、ドライエッチング後に所定の雰囲気において熱処理を行っている。
基板2としては、例えばSi基板、MgO基板、SrTiO3基板、SrRuO3基板、ガラス基板、石英ガラス基板、GaAs基板、GaN基板、サファイア基板、Ge基板、ステンレス等からなる金属基板等を用いることができる。本実施の形態では、低価格で工業的に実績のあるSi基板を用いる。
密着層3は、基板2と下部電極4との密着性を高めると共に、下部電極4を所定の配向性とするためのものであり、Ti、Ta等を用いることができる。なお、本実施の形態では、密着層3にTiを用いるが、Ti、Ta等の密着層や密着層なしでも下部電極4の面方位を制御することにより、同様の効果が得られる。
下部電極4は、Pt若しくはPtを主成分とする合金からなる電極層、又はPt膜とPtを主成分とする合金膜を積層した電極層を用いることができる。本実施の形態では、(111)に配向したPtからなる下部電極4を用いる。下部電極4を(111)に配向させることで、その上に形成される圧電膜5を(001)に優先配向させることができる。
圧電膜5は、ペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物(以下「KNN」とも略す。)からなる。具体的には、KNNは、組成式(K1-xNax)NbO3で表わされ、xは、例えば0.4≦x≦0.7である。また、ペロブスカイト構造は、擬立方晶系のペロブスカイト構造が好ましい。なお、本実施の形態では、KNN膜は特に他の元素を添加していないが、5%以下のLi、Ta、Sb、Ca、Cu、Ba、Ti等をKNN膜に添加してもよい。
(圧電膜素子の製造方法)
次に、上記圧電膜素子1の製造方法の一例について説明する。
次に、上記圧電膜素子1の製造方法の一例について説明する。
基板2として、熱酸化膜付きSi基板を準備し、基板2上にTiからなる密着層3を形成し、密着層3上にPtからなる下部電極4を形成する。
次に、下部電極4上に、RFマグネトロンスパッタリング法により(K1-xNax)NbO3からなる圧電膜(「KNN膜」ともいう。)5を形成する。以下、圧電膜5の形成後の基板を「KNN膜付き基板」ともいう。
圧電膜5は、xが0.425≦x≦0.730の範囲の(K1-xNax)NbO3焼結体をターゲットに用い、基板温度を520℃、放電パワーを700W、O2/Ar混合比を0.005、チャンバー内圧力を1.3Paの条件で成膜する。圧電膜5のスパッタ成膜時間は膜厚がほぼ2μmになるような時間とする。
次に、KNN膜付き基板上にマスクとしてCrマスクパターンを形成する。なお、マスクとしてCrの他に、Ta、W又はTiを用いても同様の微細加工を施すことができる。また、マスクとして、Cr、Ta、W及びTiのいずれかからなる積層体を用いても同様の微細加工を施すことができる。
次に、Crマスクパターンをマスクとして用い、KNN膜付き基板をドライエッチングによる微細加工を行う。
ドライエッチングには、ICP−RIE(Inductive Coupled Plasma−Reactive Ion Etching)装置を用い、反応性ガスとしてArとC4F8の混合ガスを用いる。なお、反応性ガスとしてC4F8の他に、CHF3、C2F6、CF4、SF6などのフッ素系反応ガスの1種若しくは2種類以上とArを混合したガス、又はフッ素系反応ガス同士の混合ガスを用いても同様の効果が得られる。また、Arの他に微量のN2若しくはO2、He、Cl、BClなどの不活性ガス、又は塩素系反応性ガスを加えても同様の効果が期待できる。
ドライエッチング後にCrマクスパターンを取り除き、KNN膜付き基板に熱処理を施す。熱処理温度は500℃以上、1000℃未満の範囲とし、雰囲気制御型電気炉を用いて、酸化雰囲気中(例えば大気中)で行う。なお、ドライエッチング後の熱処理は、0.2atm以上の酸素分圧を示す酸化雰囲気であれば、酸素又は酸素との混合ガスを用いても良い。
従来では、ドライエッチングを行った場合、KNN膜を短時間で微細加工することができる反面、KNN膜付き基板の絶縁性や圧電特性が大きく低下してしまうという問題があった。これは、ドライエッチングによりKNN膜に電子や酸素欠陥が注入されてしまうためと考えられる。そこで、KNN膜中の酸素欠陥量を低下させるため、本発明では、エッチング後のKNN膜付き基板に熱処理を加えことで、絶縁性や圧電特性を大きく改善させることができる。
(熱処理温度の範囲)
500℃未満の温度での熱処理では、KNN膜中の酸素欠陥の拡散が遅く、処理に長時間を要するため現実的なプロセスではない。従って、ドライエッチング後のKNN膜の絶縁性や圧電特性を維持するためには、熱処理温度は500℃以上が適している。また、1000℃以上の熱処理の場合、下部電極やTi密着層などに悪影響を与えるため、望ましくない。よって、熱処理温度は、450℃以上1000℃未満、好ましくは500℃以上1000℃未満、より好ましくは500℃以上800℃以下とする。
500℃未満の温度での熱処理では、KNN膜中の酸素欠陥の拡散が遅く、処理に長時間を要するため現実的なプロセスではない。従って、ドライエッチング後のKNN膜の絶縁性や圧電特性を維持するためには、熱処理温度は500℃以上が適している。また、1000℃以上の熱処理の場合、下部電極やTi密着層などに悪影響を与えるため、望ましくない。よって、熱処理温度は、450℃以上1000℃未満、好ましくは500℃以上1000℃未満、より好ましくは500℃以上800℃以下とする。
(実施の形態の効果)
本実施の形態によれば、ドライエッチングによって非鉛のKNN膜を加工しているので、KNN膜を短時間で微細加工することができる。また、ドライエッチング後に所定の温度で熱処理を行っているので、加工後も絶縁性が高くかつ十分な圧電特性を発揮することができる。
本実施の形態によれば、ドライエッチングによって非鉛のKNN膜を加工しているので、KNN膜を短時間で微細加工することができる。また、ドライエッチング後に所定の温度で熱処理を行っているので、加工後も絶縁性が高くかつ十分な圧電特性を発揮することができる。
[第2の実施の形態]
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る圧電体デバイスの概略の構成を示す断面図である。本実施の形態は、第1の実施の形態の圧電膜素子1を可変容量キャパシタに適用した場合を示す。
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る圧電体デバイスの概略の構成を示す断面図である。本実施の形態は、第1の実施の形態の圧電膜素子1を可変容量キャパシタに適用した場合を示す。
この圧電体デバイス10は、デバイス基板11と、デバイス基板11上に形成された絶縁層12と、絶縁層12上に形成され、第1の実施の形態と同様の圧電膜素子1とを備える。デバイス基板11及び絶縁層12は、圧電膜素子1の一方の端部を支持する支持部材として機能する。
圧電膜素子1は、第1の実施の形態と同様に、基板2上に、密着層3、下部電極4及び圧電膜5が形成されている。本実施の形態の場合、圧電膜素子1の圧電膜5上に上部電極17が形成されている。また、本実施の形態の圧電膜素子1の基板2は、突出した部分に上部キャパシタ電極16が設けられている。
デバイス基板11上の上部キャパシタ電極16の下に空隙13を介して下部キャパシタ電極14を形成し、下部キャパシタ電極14の表面にSiN等からなる絶縁層15を形成している。
そして、上部電極17及び下部電極4に、上部電極17及び下部電極4に接続された電圧印加手段からそれぞれボンディングワイヤ18A、18Bを介して電圧を印加すると、圧電膜素子1の先端が変位し、これに伴って上部キャパシタ電極16が上下方向に変位する。上部キャパシタ電極16の変位によって上部キャパシタ電極16と下部キャパシタ電極14との間のキャパシタが変化し、本圧電体デバイス10は可変キャパシタとして動作する。
(第2の実施の形態の効果)
本実施の形態によれば、第1の実施の形態によるKNN膜の微細加工方法を用いることにより、絶縁性が高く十分な圧電特性を発揮することができる圧電体デバイスを提供することができる。また、環境負荷の小さい、インクジェットプリンタ用ヘッドやジャイロセンサを従来品と同等の信頼性かつ製造コストで作製することができる。
本実施の形態によれば、第1の実施の形態によるKNN膜の微細加工方法を用いることにより、絶縁性が高く十分な圧電特性を発揮することができる圧電体デバイスを提供することができる。また、環境負荷の小さい、インクジェットプリンタ用ヘッドやジャイロセンサを従来品と同等の信頼性かつ製造コストで作製することができる。
上記実施の形態では、アクチュエータとして可変キャパシタについて説明したが、第1の実施の形態の圧電膜素子は、他のアクチュエータや、センサ、フィルタデバイス、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイス等の圧電体デバイスに適用することができる。他のアクチュエータしては、インクジェットプリンタ用ヘッド、スキャナ、超音波発生装置等に適用することができる。また、センサとしては、ジャイロセンサ、超音波センサ、圧力センサ、速度・加速度センサ等に適用することができる。なお、センサとして用いる場合は、上部電極17及び下部電極4に電圧検出手段を接続する。
また、上記実施の形態では圧電膜素子を片持ち支持としたが、両持ち支持とし、圧電膜素子の中央部が変位するようにしてもよい。
以下に、本発明の実施例に係る圧電膜素子の製造方法について説明する。
(1)基板の準備
基板2として、熱酸化膜付きSi基板((100)面方位、厚さ0.525mm、熱酸化膜厚さ205nm、サイズ4インチ)のウェハを用いた。なお、基板2として、熱酸化膜付き(001)面Si基板の他に、異なる面方位のSi基板や、熱酸化膜無しのSi基板、SOI基板でも同様の効果が得られる。
基板2として、熱酸化膜付きSi基板((100)面方位、厚さ0.525mm、熱酸化膜厚さ205nm、サイズ4インチ)のウェハを用いた。なお、基板2として、熱酸化膜付き(001)面Si基板の他に、異なる面方位のSi基板や、熱酸化膜無しのSi基板、SOI基板でも同様の効果が得られる。
(2)下部電極の形成
まず、基板2上にスパッタ法により膜厚2.3nmのTiからなる密着層3を成膜した。次に、密着層3上にRFマグネトロンスパッタリング法により膜厚215nmのPtからなる下部電極4を形成した。密着層3と下部電極4は、基板温度100〜350℃、放電パワー200W、導入ガスAr雰囲気、圧力2.5Pa、成膜時間1〜3分、10分の条件で成膜した。
まず、基板2上にスパッタ法により膜厚2.3nmのTiからなる密着層3を成膜した。次に、密着層3上にRFマグネトロンスパッタリング法により膜厚215nmのPtからなる下部電極4を形成した。密着層3と下部電極4は、基板温度100〜350℃、放電パワー200W、導入ガスAr雰囲気、圧力2.5Pa、成膜時間1〜3分、10分の条件で成膜した。
下部電極4の面内表面粗さを測定したところ、算術平均表面粗さRaが0.86nm以下であった。なお、算術平均表面粗さRaが0.86nmより大きい下部電極4を用い、下部電極4上にKNN膜を形成し、圧電膜素子1を作製したところ、圧電体デバイスの使用に耐えるものの圧電特性の低下が見られた。よって、KNN膜が十分な圧電特性を発揮するためには、下部電極4の表面は、算術平均表面粗さRaが1nm以下、好ましくは0.9nm以下、より好ましくは0.86nm以下とする。
(3)圧電膜の形成
下部電極4上に、RFマグネトロンスパッタリング法で(K1-xNax)NbO3膜を形成した。(K1-xNax)NbO3膜はxが0.425≦x≦0.730の範囲の(K1-xNax)NbO3焼結体をターゲットに用い、基板温度を520℃、放電パワーを700W、O2/Ar混合比を0.005、チャンバー内圧力を1.3Paの条件で成膜した。KNN膜のスパッタ成膜時間は膜厚がほぼ2μmになる時間とした。
下部電極4上に、RFマグネトロンスパッタリング法で(K1-xNax)NbO3膜を形成した。(K1-xNax)NbO3膜はxが0.425≦x≦0.730の範囲の(K1-xNax)NbO3焼結体をターゲットに用い、基板温度を520℃、放電パワーを700W、O2/Ar混合比を0.005、チャンバー内圧力を1.3Paの条件で成膜した。KNN膜のスパッタ成膜時間は膜厚がほぼ2μmになる時間とした。
(4)マスクパターンの形成
上記で作製したKNN膜付き基板上にマスクとして下記のようにCrマスクパターンを形成した。
上記で作製したKNN膜付き基板上にマスクとして下記のようにCrマスクパターンを形成した。
まず、上記KNN膜付き基板上にRFマグネトロンスパッタリング法によりCrを約400nm成膜した。
次に、OFPR−800などのフォトレジストを塗布し、露光及び現像を行い、Cr膜上にレジストパターンを形成した。
その後、硝酸第二セリウムアンモンなどのCrエッチング液を用いてCr膜をエッチングし、アセトン洗浄によりフォトレジストを除去することで、CrマスクパターンをKNN膜上に形成した。このような工程を経て、KNN膜付き基板(以下「試料」という。)を作製した。
(5)ドライエッチング
次にこの試料にCrマスクパターンを施したものを13個用意した。ドライエッチングの最適条件を検討するために、この試料1〜13に対してエッチング条件を変えてドライエッチングによる微細加工を行った。ドライエッチングには、ICP−RIE装置を用い、反応性ガスとしてArとC4F8の混合ガス及びSF6とC4F8混合ガスを用いた。
次にこの試料にCrマスクパターンを施したものを13個用意した。ドライエッチングの最適条件を検討するために、この試料1〜13に対してエッチング条件を変えてドライエッチングによる微細加工を行った。ドライエッチングには、ICP−RIE装置を用い、反応性ガスとしてArとC4F8の混合ガス及びSF6とC4F8混合ガスを用いた。
表1にKNN膜のドライエッチング特性を示す。
表1から、試料1〜4のエッチング条件において、エッチング速度及びエッチング選択比、及び、Crの除去性ともに優れていることがわかる。このことから、Crをマスクパターンとして適用した場合は、Ptに対するKNNの選択性やエッチング後のCrの除去性を考慮すると、試料1〜8のようにArとC4F8の混合ガスを用い、また、圧力及びAr:C4F8比は低い条件が適していることが分かる。このようにエッチングガスをマスクパターン材料に合せて適宜選定し、精度良くエッチングできる最適条件に調整しながらエッチングすることが好ましい。マスクパターンにTa、W、Ti等ほかの金属を用いる場合も同様である。
以上の結果を踏まえて、ドライエッチングにより圧電膜を短時間で微細加工する工程1として、表1の試料1と同様に、(1)基板の準備、(2)下部電極の形成、(3)圧電膜の形成、(4)Crマスクパターンの形成を行い、ドライエッチング条件として、Ar=50sccm、C4F8=5sccmとし、アンテナ出力800W、バイアス50W、チャンバー内圧力は0.5Paとして20分間のエッチングを行い、複数の絶縁性や圧電特性について調査し、工程を最適化したKNN膜付き基板を作製した。なお、ドライエッチング後には、残留物を取り除くため、アセトン洗浄を行い、残留Crマスクパターンを除去した。なお、エッチング後の残留物除去に、純水やメタノールを用いてもよい。
(6)ドライエッチング後の熱処理
上記工程1により作製した表1の試料1に工程2として様々な温度で熱処理を行い、絶縁性や圧電特性について調査し、工程2の最適値を検討した。
上記工程1により作製した表1の試料1に工程2として様々な温度で熱処理を行い、絶縁性や圧電特性について調査し、工程2の最適値を検討した。
表2に熱処理温度と熱処理後の圧電定数及びtanδなどの試料の特性を示す。
熱処理は、雰囲気制御型電気炉を用い、酸化雰囲気中(0.2atm以上の酸素分圧)、N2雰囲気中又は加湿水素中で、処理時間1時間で行った。なお、加湿水素については室温加湿した1%H2−Arの条件で行った。N2雰囲気及び加湿水素条件は、酸素分圧換算でそれぞれ10-6atm、10-18atm程度である。
表2から、熱処理は酸化雰囲気中(例えば大気中等)が適していることが分かる。
図3に大気中で熱処理をした結果を熱処理温度と圧電定数及びtanδの関係として示す。図3から、熱処理温度が高温ほど良い結果が得られることが確認できる。ただし、1000℃以上の熱処理の場合、下部電極のTi密着層などに悪影響を与えるため、望ましくない。
(実施例1〜4)
表2から明らかなように、実施例1〜4によれば、ドライエッチング後に500〜800℃で熱処理を行っているので、誘電損失(tanδ)は0.1以下と小さいことから、高い絶縁性を示しており、また、圧電定数が50.4pm/V以上と大きいことから、十分な圧電特性を有していることがわかる。よって、実施例1〜4の圧電膜素子は加工後(特にドライエッチング後)も絶縁性が高く、かつ、十分な圧電特性を発揮することができる。従って、誘電損失は、0.2以下、好ましくは0.15以下、より好ましくは0.1以下が望ましい。圧電定数は、30pm/V以上、好ましくは40pm以上、より好ましくは50pm/V以上が望ましい。
表2から明らかなように、実施例1〜4によれば、ドライエッチング後に500〜800℃で熱処理を行っているので、誘電損失(tanδ)は0.1以下と小さいことから、高い絶縁性を示しており、また、圧電定数が50.4pm/V以上と大きいことから、十分な圧電特性を有していることがわかる。よって、実施例1〜4の圧電膜素子は加工後(特にドライエッチング後)も絶縁性が高く、かつ、十分な圧電特性を発揮することができる。従って、誘電損失は、0.2以下、好ましくは0.15以下、より好ましくは0.1以下が望ましい。圧電定数は、30pm/V以上、好ましくは40pm以上、より好ましくは50pm/V以上が望ましい。
(比較例1〜5)
表2から明らかなように、ドライエッチング後に熱処理を加えない、または、酸化雰囲気中以外の雰囲気で熱処理を行った比較例1〜5は、圧電定数はいずれも11pm/V以下となり、誘電損失はいずれも0.1を超えており、加工後(特にドライエッチング後)の圧電膜素子は十分な絶縁性と圧電特性が得られていない。
表2から明らかなように、ドライエッチング後に熱処理を加えない、または、酸化雰囲気中以外の雰囲気で熱処理を行った比較例1〜5は、圧電定数はいずれも11pm/V以下となり、誘電損失はいずれも0.1を超えており、加工後(特にドライエッチング後)の圧電膜素子は十分な絶縁性と圧電特性が得られていない。
[変形例1])
(ゾルゲル法によるKNNの成膜)
ゾルゲル法や、MOD法により圧電膜を形成する場合には、所望の組成式となるよう材料の組成比を調製した前駆体溶液を用いて塗布層を形成し、塗布層を結晶化することで圧電膜を形成する。例えば、Naを含む有機化合物としてナトリウムエトキシド、カリウムを含む有機金属化合物としてカリウムエトキシド、ニオブを含む有機金属化合物としてニオブエトキシドを用い、これらを所望のモル比となるように混合し、さらにアルコールなどの有機培養を用いて溶解、分散して、前駆体溶液を作製する。
(ゾルゲル法によるKNNの成膜)
ゾルゲル法や、MOD法により圧電膜を形成する場合には、所望の組成式となるよう材料の組成比を調製した前駆体溶液を用いて塗布層を形成し、塗布層を結晶化することで圧電膜を形成する。例えば、Naを含む有機化合物としてナトリウムエトキシド、カリウムを含む有機金属化合物としてカリウムエトキシド、ニオブを含む有機金属化合物としてニオブエトキシドを用い、これらを所望のモル比となるように混合し、さらにアルコールなどの有機培養を用いて溶解、分散して、前駆体溶液を作製する。
本変形例では、カリウムエトキシド、ナトリウムエトキシド、二オブエトキシドを所定のモル比で混合して作製した前駆体溶液を、下地層として100nm厚さのPt層が設けられたNbドープのSrTiO3基板上に、スピンコート法により塗布し、ホットプレート上で乾燥、仮焼結した後、700℃〜800℃でアニール処理を施した。この工程を繰り返し行い、1.5μm厚さのKNN膜を形成した。
このゾルゲル法により形成したKNN膜に対し、マスクとしてTa(タンタル)を1.3μm厚さ形成し、本実施の形態の加工方法を行ったところ、RFマグネトロンスパッタリング法により成膜した圧電膜と同様に、Pt層においてドライエッチングを選択的に停止することができた。
しかし、RFマグネトロンスパッタリング法で成膜した圧電膜と同様にドライエッチングを行うと、圧電膜素子の圧電特性及び絶縁性が低下した。しかし、本発明のようにドライエッチング後の圧電膜を酸化雰囲気中で熱処理(500℃〜1000℃、より好ましくは500℃〜800℃)を行った圧電膜素子は、その圧電定数が30pm/V以上、誘電損失が0.2以下、と十分な圧電性、絶縁性が得られた。
[変形例2](AD法によるKNNの成膜)
次に、エアロゾルデポジション法(AD法)により形成したKNN膜の加工を検討した。主原料としては、所望のKNN膜の組成と同じ組成比の原料粉末を用い、ヘリウムガスを搬送ガスとして成膜を行った。また、副原料としてエアロゾルデポジション法で成膜されやすい誘電体の結晶粉末を混合してもよい。副原料は、主原料に対し重量比で3〜10%程度とするとよい。
次に、エアロゾルデポジション法(AD法)により形成したKNN膜の加工を検討した。主原料としては、所望のKNN膜の組成と同じ組成比の原料粉末を用い、ヘリウムガスを搬送ガスとして成膜を行った。また、副原料としてエアロゾルデポジション法で成膜されやすい誘電体の結晶粉末を混合してもよい。副原料は、主原料に対し重量比で3〜10%程度とするとよい。
本変形例においては、具体的には、主原料である「K:Na:Nb:O=7.5:6.5:16:70(原子量%)」の原料粉末に対し、Al2O3を副原料として混合した材料を用い、基板温度500℃として吹きつけを行い、10μm厚さのKNN膜を成膜した。なお、基板としては、150μm厚さのPt層を形成したSi基板を用いた。
このAD法により形成したKNN膜に対し、マスクとしてW(タングステン)を1.3μm厚さ形成し、本発明の加工方法を行ったところ、RFマグネトロンスパッタリング法により成膜した圧電膜と同様に、Pt層においてドライエッチングを選択的に停止することができた。
しかし、RFマグネトロンスパッタリング法で成膜した圧電膜と同様にドライエッチングを行うと、圧電膜素子の圧電特性及び絶縁性が低下した。しかし、本発明のようにドライエッチング後の圧電膜を酸化雰囲気中で熱処理(500℃〜1000℃、より好ましくは500℃〜800℃)を行った圧電膜素子は、その圧電定数が30pm/V以上、誘電損失が0.2以下、と十分な圧電性、絶縁性が得られた。
なお、本発明は、上記実施の形態及び上記実施例に限定されず、発明の要旨を変更しない範囲で種々に変形実施が可能である。
1…圧電膜素子、2…基板、3…密着層、4…下部電極、5…圧電膜、
10…圧電体デバイス、11…デバイス基板、12…絶縁層、13…空隙、
14…下部キャパシタ電極、15…絶縁層、16…上部キャパシタ電極、
17…上部電極、18A、18B…ボンディングワイヤ
10…圧電体デバイス、11…デバイス基板、12…絶縁層、13…空隙、
14…下部キャパシタ電極、15…絶縁層、16…上部キャパシタ電極、
17…上部電極、18A、18B…ボンディングワイヤ
Claims (7)
- 基板上に下部電極を形成し、
前記下部電極上にペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電膜を形成し、前記圧電膜上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンを介して前記圧電膜をドライエッチングする工程と、前記ドライエッチング後に前記マスクパターンを除去し、前記圧電膜を酸化雰囲気中で熱処理する工程とを含む圧電膜素子の製造方法。 - 前記熱処理は、熱処理温度が500℃以上、1000℃未満である請求項1に記載の圧電膜素子の製造方法。
- 前記下部電極は、(111)配向のPtから形成された請求項1または2に記載の圧電膜素子の製造方法。
- 前記ペロブスカイト構造は、擬立方晶系のペロブスカイト構造である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の圧電膜素子の製造方法。
- 前記圧電膜は、(001)面方向に優先配向するよう形成された請求項1乃至4のいずれか1項に記載の圧電膜素子の製造方法。
- 前記非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物の組成は、組成式(K1-xNax)NbO3で表され、前記xが0.4≦x≦0.7の範囲である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の圧電膜素子の製造方法。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の圧電膜素子の製造方法によって形成された圧電
膜素子の前記圧電膜上に上部電極を形成する工程と、前記下部電極及び前記上部電極に電圧印加手段又は電圧検出手段を接続する工程とを含む圧電体デバイスの製造方法。
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