JP2015046544A - 圧電体薄膜素子、その製造方法、および該圧電体薄膜素子を用いた電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧電体薄膜素子の製造方法は、基板11上に下部電極膜12を形成する下部電極膜12形成工程と、下部電極膜12上にニオブ酸アルカリ系圧電体からなる圧電体薄膜13’を形成する圧電体薄膜形成工程と、圧電体薄膜13’上にエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン15’形成工程と、圧電体薄膜13’に対してドライエッチングを行うことによって、圧電体薄膜13’に所望パターンの微細加工を行う圧電体薄膜エッチング工程と、微細加工された圧電体薄膜13’に対して酸素中プラズマ暴露処理を行うことによって、圧電体薄膜13’の圧電体特性を回復させるプラズマ暴露処理工程とを有する。
【選択図】図2
Description
前記下部電極膜上にニオブ酸アルカリ系圧電体(組成式:(NaxKyLiz)NbO3、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦0.2、x+y+z=1)からなる圧電体薄膜を形成する圧電体薄膜形成工程と、
前記圧電体薄膜上にエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン形成工程と、
前記圧電体薄膜に対してドライエッチングを行うことによって、当該圧電体薄膜に所望パターンの微細加工を行う圧電体薄膜エッチング工程と、
前記微細加工された圧電体薄膜に対して酸素中プラズマ暴露処理を行うことによって、当該圧電体薄膜の圧電体特性を回復させるプラズマ暴露処理工程とを有することを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法を提供する。
(i)前記ドライエッチングは、誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチングであり、前記酸素中プラズマ暴露処理は、プラズマ発生のアンテナパワー密度が前記ドライエッチングのそれよりも低い条件で、かつバイアスパワー密度が前記ドライエッチングのそれの1倍超3倍以下の条件でなされる。
(ii)前記酸素中プラズマ暴露処理は、前記アンテナパワー密度が30 mW/mm2以下であり、前記バイアスパワー密度が7 mW/mm2以上13 mW/mm2以下である。
(iii)前記エッチングマスクは、金属からなる。
(iv)前記下部電極膜は、白金からなる。
(v)前記圧電体薄膜は、結晶系が擬立方晶であり、主表面が(0 0 1)面に優先配向するようにスパッタ法により形成される。
(vi)前記基板は、その表面に熱酸化膜を有するシリコン基板である。
(vii)前記製造方法は、所望パターンに微細加工された前記圧電体薄膜上に上部電極膜を形成する上部電極膜形成工程と、前記上部電極膜が形成された前記圧電体薄膜を具備する前記基板からチップ状の圧電体薄膜素子を切り出すダイシング工程とを更に有する。
前記プラズマ暴露処理工程後の前記ニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜の誘電正接特性が、前記圧電体薄膜エッチング工程前のそれの2倍以内であることを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子を提供する。
本工程では、基板11上に下部電極膜12を形成する(図1(a)参照)。下部電極膜12の材料は、特に限定されないが、白金(Pt)又はPtを主成分とする合金を用いることが好ましい。下部電極膜12の形成方法に特段の限定は無いが、例えば、スパッタ法を好適に用いることができる。下部電極膜12は、後述する圧電体薄膜が圧電特性を十分に発揮するため、算術平均表面粗さRaが0.86 nm以下であることが好ましい。
本工程では、下部電極膜12上に圧電体薄膜13を形成する(図1(a)参照)。圧電体の材料としては、NKLN((NaxKyLiz)NbO3、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦0.2、x+y+z=1)を用いることが好ましい。圧電体薄膜13の形成方法としては、NKLN焼結体ターゲットを用いたスパッタ法や電子ビーム蒸着法が好ましい。スパッタ法や電子ビーム蒸着法は、成膜再現性、成膜速度及びランニングコストの面で優れていることに加えて、NKLN結晶の配向性を制御することが可能であるためである。形成する圧電体薄膜13は、NKLN結晶の結晶系が擬立方晶であり、薄膜の主表面が(0 0 1)面に優先配向されているものが、圧電特性上好ましい。
本工程では、成膜した圧電体薄膜13上に、後述するドライエッチングに対するエッチングマスクを形成する。まず、フォトリソグラフィプロセスにより、圧電体薄膜13上にフォトレジストパターン14を形成する(図1(b)参照)。
図2は、本発明に係るKNN圧電体薄膜積層基板の製造工程(圧電体薄膜エッチング工程〜プラズマ暴露処理工程)を示す拡大断面模式図である。本工程では、圧電体薄膜13に対してドライエッチングを行い、エッチングマスクパターン15’によって規定されるパターンに微細加工を行う(図2(a)参照)。ドライエッチングの方法に特段の限定はないが、誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング(ICP-RIE)法を好ましく用いることができる。エッチングガスとしては、希ガス(例えば、アルゴン(Ar))と反応性ガス(三フッ化メタン(CHF3)、四フッ化メタン(CF4)、六フッ化エタン(C2F6)、八フッ化シクロブタン(C4F8)、六フッ化硫黄(SF6)など)とが好ましく用いられる。これにより、所望のパターンを有する圧電体薄膜パターン13’を形成することができる。
本工程では、エッチングマスクパターン15’が除去された圧電体薄膜パターン13’に対して酸素中プラズマ暴露処理を行う(図2(c)参照)。これにより、当該圧電体薄膜の圧電体特性を回復させることができ、所望のパターンに微細加工されたNKLN圧電体薄膜を具備する圧電体薄膜積層基板10を得ることができる。
図3は、本発明に係るKNN圧電体薄膜素子の製造工程(上部電極膜形成工程以降)を示す拡大断面模式図である。本工程では、先の工程によって得られた所望のパターンに微細加工された圧電体薄膜(圧電体薄膜パターン13’)上に上部電極膜を形成する。まず、フォトリソグラフィプロセスにより、上部電極膜の形成スペースを残してフォトレジストパターン21を形成し、フォトレジストパターン21上に上部電極膜22を成膜する(図3(a)参照)。次に、リフトオフプロセスにより、上部電極膜22’を残して他を除去する(図3(b)参照)。上部電極膜22(上部電極膜22’)の材料としては、例えば、Al、Au、ニッケル(Ni)、Pt等を好適に用いることができる。
本工程では、上部電極膜22’が形成された圧電体薄膜パターン13’を具備する基板からチップ状の圧電体薄膜素子20を切り出す(図3(c)参照)。符号11’はチップ状基板を表し、符号12’は下部電極膜を表す。これにより、所望のパターンに微細加工されたKNN圧電体薄膜を具備する圧電体薄膜素子20を得ることができる。
上記で得られた圧電体薄膜素子20を用いることにより、鉛フリーの電子部品として環境負荷を低減させ、かつ高性能な小型システム装置(MEMSデバイス)、応力・圧力センサ、アクチュエータ、可変容量キャパシタなどを実現することができる。
図1〜図2に示した製造工程に沿って、所望のパターンに微細加工された圧電体薄膜積層基板10を作製した。基板11としては、熱酸化膜付きSi基板((1 0 0)面方位の4インチウェハ、ウェハ厚さ0.525 mm、熱酸化膜厚さ200 nm)を用いた。
エッチングマスクパターン15’を除去した圧電体薄膜パターン13’に対して、酸素雰囲気中でプラズマ暴露処理を行い、圧電体薄膜積層基板10を作製した(図2(c)参照)。酸素中プラズマ暴露処理において、圧力は3 Paとし、基板加熱は行わなかった。酸素中プラズマ暴露処理のその他の条件は後述する表1に示す。また、比較として、酸素中プラズマ暴露処理を行わない試料も用意した。
図3に示した製造工程に沿って、上記で用意した圧電体薄膜積層基板10のNKN圧電体薄膜上に、フォトレジストパターン21を形成し、RFマグネトロンスパッタ法により上部電極膜22(厚さ200 nm)を形成した(図3(a)参照)。上部電極膜22の成膜条件は、下部電極膜12の場合と同様に、純Ptターゲットを用い、基板温度250℃、放電パワー200 W、Ar雰囲気、圧力2.5 Paとした。
得られたNKN圧電体薄膜素子に対して、強誘電体特性評価システムを用いて誘電正接(tanδ)と分極特性とを測定した。誘電正接の測定結果を酸素中プラズマ暴露処理の条件と共に表1に示す。なお、測定結果は、それぞれ100素子ずつ測定した内の代表的なデータを示したものである。
11…基板、11’…チップ状基板、12…下部電極膜、12’…下部電極膜、
13…圧電体薄膜、13’…圧電体薄膜パターン、14…フォトレジストパターン、
15…エッチングマスク膜、15’…エッチングマスクパターン、20…圧電体薄膜素子、
21…フォトレジストパターン、22…上部電極膜、22’…上部電極膜。
Claims (10)
- 圧電体薄膜素子の製造方法であって、
基板上に下部電極膜を形成する下部電極膜形成工程と、
前記下部電極膜上にニオブ酸アルカリ系圧電体(組成式:(NaxKyLiz)NbO3、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦0.2、x+y+z=1)からなる圧電体薄膜を形成する圧電体薄膜形成工程と、
前記圧電体薄膜上にエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン形成工程と、
前記圧電体薄膜に対してドライエッチングを行うことによって、当該圧電体薄膜に所望パターンの微細加工を行う圧電体薄膜エッチング工程と、
前記微細加工された圧電体薄膜に対して酸素中プラズマ暴露処理を行うことによって、当該圧電体薄膜の圧電体特性を回復させるプラズマ暴露処理工程とを有することを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1に記載のニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法において、
前記ドライエッチングは、誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチングであり、
前記酸素中プラズマ暴露処理は、プラズマ発生のアンテナパワー密度が前記ドライエッチングのそれよりも低い条件で、かつバイアスパワー密度が前記ドライエッチングのそれの1倍超3倍以下の条件でなされることを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項2に記載のニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法において、
前記酸素中プラズマ暴露処理は、前記アンテナパワー密度が30 mW/mm2以下であり、前記バイアスパワー密度が7 mW/mm2以上13 mW/mm2以下であることを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法において、
前記エッチングマスクは、金属からなることを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法において、
前記下部電極膜は、白金からなることを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法において、
前記圧電体薄膜は、結晶系が擬立方晶であり、主表面が(0 0 1)面に優先配向するようにスパッタ法により形成されることを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法において、
前記基板は、その表面に熱酸化膜を有するシリコン基板であることを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法において、
所望パターンに微細加工された前記圧電体薄膜上に上部電極膜を形成する上部電極膜形成工程と、
前記上部電極膜が形成された前記圧電体薄膜を具備する前記基板からチップ状の圧電体薄膜素子を切り出すダイシング工程とを更に有することを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子の製造方法によって製造されたニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子であって、
前記プラズマ暴露処理工程後の前記ニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜の誘電正接特性が、前記圧電体薄膜エッチング工程前のそれの2倍以内であることを特徴とするニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子。 - 請求項9に記載のニオブ酸アルカリ系圧電体薄膜素子を用いたことを特徴とする電子デバイス。
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