JP2011204887A - 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】 ０．１以下の誘電損失ｔａｎδを実現でき、しかも、優れた圧電特性を有する圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１と、基板１上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜３とを有し、圧電薄膜３の炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３以下、あるいは、圧電薄膜３の水素濃度が４×１０１９／ｃｍ３以下である圧電薄膜素子である。
【選択図】図１
【解決手段】 基板１と、基板１上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜３とを有し、圧電薄膜３の炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３以下、あるいは、圧電薄膜３の水素濃度が４×１０１９／ｃｍ３以下である圧電薄膜素子である。
【選択図】図１
Description
本発明は、アルカリニオブ酸化物系の圧電薄膜を用いた圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスに関するものである。
圧電体は種々の目的に応じて様々な圧電素子に加工され、電圧を加えて変形を生じさせるアクチュエータや、素子の変形から電圧を発生するセンサなどの機能性電子部品として広く利用されている。
アクチュエータやセンサの用途に利用されている圧電体としては、優れた圧電特性を有する鉛系材料の誘電体、特にＰＺＴと呼ばれるＰｂ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３ 系のペロ
ブスカイト型強誘電体がこれまで広く用いられている。通常ＰＺＴなどの圧電体は圧電体材料の酸化物を焼結することにより形成されている。現在、各種電子部品の小型化、高性能化が進むにつれ、圧電素子においても小型化、高性能化が強く求められるようになった。
ブスカイト型強誘電体がこれまで広く用いられている。通常ＰＺＴなどの圧電体は圧電体材料の酸化物を焼結することにより形成されている。現在、各種電子部品の小型化、高性能化が進むにつれ、圧電素子においても小型化、高性能化が強く求められるようになった。
ところが、従来からの製法である焼結法を中心とした製造方法により作製した圧電材料は、その厚みを薄くするにつれ、特に厚みが１０μｍ程度の厚さに近づくにつれて、材料を構成する結晶粒の大きさに近づくため、特性のばらつきや劣化が顕著になるといった問題が発生する。これを回避するために、焼結法に変わる薄膜技術等を応用した圧電体の形成法が近年研究されるようになってきた。最近、シリコン基板上にスパッタリング法で形成したＰＺＴ薄膜が、高速高精細のインクジェットプリンタヘッド用アクチュエータの圧電薄膜として実用化されている。
しかしながら、前記のＰＺＴから成る圧電焼結体や圧電薄膜は、鉛を６０〜７０重量％程度含有しているので、生態学的見地および公害防止の面から好ましくない。そこで、環境への配慮から鉛を含有しない圧電体の開発が望まれている。現在、様々な非鉛圧電材料が研究されているが、その中に組成式：（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表されるニオブ酸カリウムナトリウムがある（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。このニオブ酸カリウムナトリウムは、ペロブスカイト構造を有する材料であり、非鉛圧電材料の有力な候補として期待されている。
しかし、従来技術により製造したニオブ酸カリウムナトリウム圧電薄膜を、アクチュエータとして用いた場合には、動作時の発熱が大きく、素子の劣化が早いものが多くあり、また、センサとして用いた場合には、圧電薄膜の変形が小さいときの感度が極端に悪くなるものがあった。
本発明の目的は、上記課題を解決し、０.１以下の誘電損失tanδを実現でき、しかも優れた圧電特性を有する圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供することにある。
本発明の第１の態様は、基板と、前記基板上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とを有し、前記圧電薄膜の炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３以下である圧電薄膜素子である。
本発明の第２の態様は、基板と、前記基板上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とを有し、前記圧電薄膜の水素濃度が４×１０１９／ｃｍ３以下である圧電薄膜素子である。
本発明の第３の態様は、第１の態様又は第２の態様の圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜は、擬立方晶であり、かつ（００１）面方位に優先配向している。
本発明の第４の態様は、第１〜第３の態様のいずれかの圧電薄膜素子おいて、前記圧電薄膜の組成が０.４≦ｘ≦０.７かつ０.７５≦ｙ≦０.９０である。
本発明の第５の態様は、第１〜第４の態様のいずれかの圧電薄膜素子において、前記基板と前記圧電薄膜との間には下地層が設けられている。
本発明の第６の態様は、第５の態様の圧電薄膜素子において、前記下地層はＰｔ層であり、前記Ｐｔ層は（１１１）面方位に優先配向している。
本発明の第７の態様は、第１〜第６の態様のいずれかの圧電薄膜素子において、前記基板は、Ｓｉ基板、表面酸化膜付きＳｉ基板、またはＳＯＩ基板である。
本発明の第８の態様は、第１〜第７の態様のいずれかに記載の圧電薄膜素子と、前記圧電薄膜素子の前記圧電薄膜を挟んで上下に設けられる上部電極と下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に接続される電圧印加手段または電圧検知手段とを備えた圧電薄膜デバイスである。
本発明によれば、０.１以下の誘電損失tanδを実現でき、しかも優れた圧電特性を有する圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供することができる。
（知見）
上述したように、従来技術によって得られたニオブ酸カリウムナトリウム圧電薄膜を、アクチュエータとして用いた場合、動作時の発熱が大きく、圧電薄膜素子の劣化が早いものが多くあり、また、センサとして用いた場合、圧電薄膜の変形が小さいときの感度が極端に悪くなるものがあった。
本発明者らが、上記問題について検討を行ったところ、従来のニオブ酸カリウムナトリウム圧電薄膜は、しばしば誘電損失tanδが高かった。そして、tanδが高い圧電薄膜を用いたアクチュエータでは、動作時の発熱が大きく、圧電薄膜素子の劣化が早くなり、また、tanδが高い圧電薄膜を用いたセンサでは、圧電薄膜の変形が小さい場合の感度が極端
に悪くなる、ということが分かった。例えばインクジェットプリンタヘッドのアクチュエータに圧電薄膜を用いる場合には、tanδが０.１以下であることが求められる。現状のニオブ酸カリウムナトリウム圧電薄膜は、この要求を満足できておらず、製品への適用は困難な状況であった。ニオブ酸カリウムナトリウム薄膜が広くインクジェットプリンタヘッドなどに適用されるためには、tanδが０.１以下のニオブ酸カリウムナトリウム圧電薄膜を実現する必要がある。
そこで、さらに本発明者らが検討を行ったところ、（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３（以下、「ＫＮＮ」とも略称する）の圧電薄膜中に含まれる炭素濃度または水素濃度と、ＫＮＮ圧電薄膜の誘電損失tanδとの間には強い相関があり、ＫＮＮ圧電薄膜の炭素濃度また
は水素濃度を調整することで、ＫＮＮ圧電薄膜の誘電損失tanδを制御できるという知見
を得て、本発明をなすに至った。
上述したように、従来技術によって得られたニオブ酸カリウムナトリウム圧電薄膜を、アクチュエータとして用いた場合、動作時の発熱が大きく、圧電薄膜素子の劣化が早いものが多くあり、また、センサとして用いた場合、圧電薄膜の変形が小さいときの感度が極端に悪くなるものがあった。
本発明者らが、上記問題について検討を行ったところ、従来のニオブ酸カリウムナトリウム圧電薄膜は、しばしば誘電損失tanδが高かった。そして、tanδが高い圧電薄膜を用いたアクチュエータでは、動作時の発熱が大きく、圧電薄膜素子の劣化が早くなり、また、tanδが高い圧電薄膜を用いたセンサでは、圧電薄膜の変形が小さい場合の感度が極端
に悪くなる、ということが分かった。例えばインクジェットプリンタヘッドのアクチュエータに圧電薄膜を用いる場合には、tanδが０.１以下であることが求められる。現状のニオブ酸カリウムナトリウム圧電薄膜は、この要求を満足できておらず、製品への適用は困難な状況であった。ニオブ酸カリウムナトリウム薄膜が広くインクジェットプリンタヘッドなどに適用されるためには、tanδが０.１以下のニオブ酸カリウムナトリウム圧電薄膜を実現する必要がある。
そこで、さらに本発明者らが検討を行ったところ、（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３（以下、「ＫＮＮ」とも略称する）の圧電薄膜中に含まれる炭素濃度または水素濃度と、ＫＮＮ圧電薄膜の誘電損失tanδとの間には強い相関があり、ＫＮＮ圧電薄膜の炭素濃度また
は水素濃度を調整することで、ＫＮＮ圧電薄膜の誘電損失tanδを制御できるという知見
を得て、本発明をなすに至った。
（圧電薄膜素子の実施形態）
以下に、本発明に係る圧電薄膜素子の実施形態を説明する。
本発明の一実施形態に係る圧電薄膜素子は、基板と、前記基板上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とを有し、前記圧電薄膜の炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３以下である。
また、本発明の他の実施形態に係る圧電薄膜素子は、基板と、前記基板上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とを有し、前記圧電薄膜の水素濃度が４×１０１９／ｃｍ３以下である。
ＫＮＮ圧電薄膜の炭素濃度を２×１０１９／ｃｍ３以下に、あるいはＫＮＮ圧電薄膜の水素濃度を４×１０１９／ｃｍ３以下にすることにより、ＫＮＮ圧電薄膜の誘電損失tan
δを０.１以下に実現することができる（後述の実施例における図６参照）。
以下に、本発明に係る圧電薄膜素子の実施形態を説明する。
本発明の一実施形態に係る圧電薄膜素子は、基板と、前記基板上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とを有し、前記圧電薄膜の炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３以下である。
また、本発明の他の実施形態に係る圧電薄膜素子は、基板と、前記基板上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とを有し、前記圧電薄膜の水素濃度が４×１０１９／ｃｍ３以下である。
ＫＮＮ圧電薄膜の炭素濃度を２×１０１９／ｃｍ３以下に、あるいはＫＮＮ圧電薄膜の水素濃度を４×１０１９／ｃｍ３以下にすることにより、ＫＮＮ圧電薄膜の誘電損失tan
δを０.１以下に実現することができる（後述の実施例における図６参照）。
上記実施形態の圧電薄膜素子において、ＫＮＮ圧電薄膜は、擬立方晶であり、かつ（００１）面方位に優先配向しているのが好ましい。このような結晶構造とすることより、高い圧電定数が得られる。
また、上記実施形態の圧電薄膜素子において、ＫＮＮ圧電薄膜の、ｘ＝Ｎａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率、およびｙ＝（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率は、０.４≦ｘ≦０.７、かつ０.７５≦ｙ
≦０.９０とするのが好ましい。
ｙ＝１であるストイキオメトリー組成のＫＮＮ膜（（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３）に比べて、ＫやＮａが少ないＫＮＮ膜を作製したところ、ｙ＝１付近のＫＮＮ膜と比べて圧電定数が大きくなることを見出した。圧電定数が向上するメカニズムの詳細は明らかではないが、ｙを１よりも小さくすることで、結晶として理想的なｙ＝１のＫＮＮ膜に対して適度の不安定要因が導入されることとなり、電界による結晶格子伸縮（圧電動作）が起こりやすくなったと推測される。（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３の組成ｘ、ｙが０.４≦ｘ≦
０.７かつ０.７５≦ｙ≦０.９０の範囲にあるＫＮＮ薄膜は、ＰＺＴ薄膜に代替可能な実
用レベルの高い圧電定数ｄ３１を有する。
≦０.９０とするのが好ましい。
ｙ＝１であるストイキオメトリー組成のＫＮＮ膜（（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３）に比べて、ＫやＮａが少ないＫＮＮ膜を作製したところ、ｙ＝１付近のＫＮＮ膜と比べて圧電定数が大きくなることを見出した。圧電定数が向上するメカニズムの詳細は明らかではないが、ｙを１よりも小さくすることで、結晶として理想的なｙ＝１のＫＮＮ膜に対して適度の不安定要因が導入されることとなり、電界による結晶格子伸縮（圧電動作）が起こりやすくなったと推測される。（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３の組成ｘ、ｙが０.４≦ｘ≦
０.７かつ０.７５≦ｙ≦０.９０の範囲にあるＫＮＮ薄膜は、ＰＺＴ薄膜に代替可能な実
用レベルの高い圧電定数ｄ３１を有する。
次に、本発明に係る圧電薄膜素子のより具体的な実施形態を図面を用いて説明する。
（圧電薄膜素子の第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電薄膜素子の概略的な構造を示す断面図である。圧電薄膜素子は、図１に示すように、基板１上に、下地層２と、圧電薄膜３と、電極４とが順次形成されている。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電薄膜素子の概略的な構造を示す断面図である。圧電薄膜素子は、図１に示すように、基板１上に、下地層２と、圧電薄膜３と、電極４とが順次形成されている。
基板１は、Ｓｉ（シリコン）基板、Ｓｉ基板表面に酸化膜を有する表面酸化膜付きＳｉ基板、またはＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用いるのが好ましい。Ｓｉ基板には、例えば、Ｓｉ基板表面が（１００）面方位の（ｌ００）Ｓｉ基板が用いられたりするが、（１００）面とは異なる面方位のＳｉ基板でも勿論よい。また、基板１には、石英ガラス基板、ＧａＡｓ基板、サファイヤ基板、ステンレスなどの金属基板、ＭｇＯ基板、ＳｒＴｉＯ３基板などを用いてもよい。
下地層２は、Ｐｔ（白金）層からなり、（１１１）面方位に優先配向しているのが好ましい。例えば、Ｓｉ基板上に形成したＰｔ層は、自己配向性のため（１１１）面方位に配向しやすい。下地層２の材料としては、Ｐｔ以外に、Ｐｔを含む合金、Ａｕ（金）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｉｒ（イリジウム）、またはＳｒＴｉＯ３、ＬａＮｉＯ３などの金属酸化物でもよい。下地層２はスパッタリング法、蒸着法などを用いて形成する。なお、基板１と下地層２との密着性を高めるために、基板１と下地層２との間に密着層を設けてもよい。下地層２は電極（下部電極）として用いることができる。
圧電薄膜３は、組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系のペロブスカイト構造を有するＫＮＮ圧電薄膜であり、ＫＮＮ圧電薄膜３の炭素濃度は２×１０１９／ｃｍ３以下に、あるいはＫＮＮ圧電薄膜３の水素濃度は４×１０１９／ｃｍ３以下になっている。ＫＮＮ圧電薄膜３は、擬立方晶であり、かつ（００１）面方位に優先配向しているのが好ましく、また、ＫＮＮ圧電薄膜３の組成ｘ、ｙは、０.４０≦ｘ
≦０.７０かつ０.７５≦ｙ≦０.９０の範囲にあるのが好ましい。圧電薄膜３の形成には
、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ソルゲル法などが用い
られる。
≦０.７０かつ０.７５≦ｙ≦０.９０の範囲にあるのが好ましい。圧電薄膜３の形成には
、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ソルゲル法などが用い
られる。
電極４は、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ（アルミニウム）などの材料を用い、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、金属ペースト法などで形成される。電極４は、下地層２のように圧電薄膜の結晶構造に大きな影響を与えるものではないため、電極４の材料、結晶構造は特に限定されない。
我々は、ＫＮＮ薄膜の成膜方法として最も一般的であるスパッタ法で形成されたＫＮＮ薄膜について、誘電損失tanδが高くなる原因を調査した結果、tanδが高いＫＮＮ薄膜は、膜中に高い濃度の炭素が混入していることを突き止めた。炭素の混入源は、ＫＮＮ焼結体ターゲット中に含まれる炭素であることも分かった。ＫＮＮ焼結体ターゲットは、通常、Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５粉末を出発原料として、混合、仮焼成、本焼成の過程を経て、ＫＮＮ焼結体ターゲットになる。この時、出発原料Ｋ２ＣＯ３及びＮａ２ＣＯ３中の炭素は高温での焼成工程で大半は取り除かれるが、一部がＫＮＮ焼結体中に残留していると思われる。
ＫＮＮ薄膜中の炭素濃度の低減には、ＫＮＮ焼結体ターゲット中の炭素濃度を減らすこと、スパッタリング成膜における雰囲気ガス（例えば、Ａｒ（アルゴン）とＯ２（酸素）との混合ガス）中のＯ２の比率を高めること、ＫＮＮ薄膜の成膜後に大気または酸素雰囲
気で熱処理を行うことが有効である（後述の実施例における図８参照）。
気で熱処理を行うことが有効である（後述の実施例における図８参照）。
ＫＮＮ薄膜中の炭素濃度の測定は、例えば、一般的なＳＩＭＳ分析で測定できる。ただし、ＳＩＭＳ分析では、測定する試料の表面付近や試料に隣接する隣接層との界面付近は、正しい濃度プロファイルが得られる保証がない。そのため、本実施形態では、ＫＮＮ圧電薄膜３に隣接する隣接層である下地層２との界面近傍２００ｎｍと、ＫＮＮ圧電薄膜３の表面近傍２００ｎｍないしＫＮＮ圧電薄膜３の電極４との界面近傍２００ｎｍを除いたＫＮＮ圧電薄膜３の領域での炭素濃度を正しい炭素濃度と考えて、ＫＮＮ圧電薄膜３中の炭素濃度を求めた。ＳＩＭＳ分析によるＫＮＮ圧電薄膜３の水素濃度も同様にして求めた。
優れた圧電特性が得られる、組成ｘ、ｙが０.４≦ｘ≦０.７かつ０.７５≦ｙ≦０.９０で（００１）面優先配向の擬立方晶ペロブスカイト構造のＫＮＮ薄膜について、炭素濃度の深さ方向プロファイルとtanδとを測定した結果、炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３以
下の場合に、tanδ≦０.１が実現できることが分かった（後述の実施例における図７参照）。
また、ＳＩＭＳ分析で炭素濃度と同時に水素濃度の深さ方向プロファイルを測定した結果、ＫＮＮ薄膜中の水素濃度と炭素濃度は、ほぼ同じような傾向のプロファイルを示していた。ＫＮＮ薄膜の水素濃度に関しては、４×１０１９／ｃｍ３以下の場合に、tanδ≦
０.１が実現できることも分かった（後述の実施例における図７参照）。
下の場合に、tanδ≦０.１が実現できることが分かった（後述の実施例における図７参照）。
また、ＳＩＭＳ分析で炭素濃度と同時に水素濃度の深さ方向プロファイルを測定した結果、ＫＮＮ薄膜中の水素濃度と炭素濃度は、ほぼ同じような傾向のプロファイルを示していた。ＫＮＮ薄膜の水素濃度に関しては、４×１０１９／ｃｍ３以下の場合に、tanδ≦
０.１が実現できることも分かった（後述の実施例における図７参照）。
スパッタリング法以外の成膜方法（例えばＣＶＤ法、ソルゲル法など）で形成されたＫＮＮ薄膜に関しても、成膜条件で多少の違いはあるが、概ね高い濃度の炭素、水素がＫＮＮ薄膜中に混在しており、炭素濃度２×１０１９／ｃｍ３以下、または水素濃度４×１０１９／ｃｍ３以下にすることで、tanδ≦０.１のＫＮＮ薄膜が実現できる。
（圧電薄膜素子の第２の実施形態）
図２に、本発明の第２の実施形態に係る圧電薄膜素子の概略的な断面構造を示す。第２の実施形態の圧電薄膜素子は、図１に示す上記第１の実施形態の圧電薄膜素子と同様に、基板１上に、下地層２、圧電薄膜３、電極４を有するが、図２に示すように、基板１は、その表面に酸化膜５が形成された表面酸化膜付き基板であり、酸化膜５と下地層２との間には、下地層２の密着性を高めるための密着層６が設けられている。
図２に、本発明の第２の実施形態に係る圧電薄膜素子の概略的な断面構造を示す。第２の実施形態の圧電薄膜素子は、図１に示す上記第１の実施形態の圧電薄膜素子と同様に、基板１上に、下地層２、圧電薄膜３、電極４を有するが、図２に示すように、基板１は、その表面に酸化膜５が形成された表面酸化膜付き基板であり、酸化膜５と下地層２との間には、下地層２の密着性を高めるための密着層６が設けられている。
表面酸化膜付き基板は、例えば、酸化膜付きＳｉ基板であり、酸化膜付きＳｉ基板では、酸化膜は、熱酸化によって形成されるＳｉＯ２膜、ＣＶＤ法により形成されるＳｉＯ２膜がある。基板サイズは通常４インチ円形が使われることが多いが、６インチや８インチの円形あるいは矩形の基板を用いてもよい。また、密着層６には、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）などが用いられ、スパッタリング法や蒸着法などで形成される。
なお、上記第１、第２の実施形態に係る圧電薄膜素子の圧電薄膜３は、いずれも単層のＫＮＮ薄膜であるが、圧電薄膜３は、炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３以下または水素濃度が４×１０１９／ｃｍ３以下であって０.４０≦ｘ≦０.７０かつ０.７５≦ｙ≦０.９０の範囲のＫＮＮ薄膜を含む、複数の（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）層から形成されていてもよい。また、ＫＮＮの圧電薄膜に、Ｋ（カリウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｏ（酸素）以外の元素、例えば、Ｌｉ（リチウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｃａ（カルシウム）、Ｃｕ（銅）、Ｂａ（バリウム）、Ｔｉ（チタン）などを５原子数％以下で添加してもよく、この場合も同様の効果が得られる。更に、下地層２と電極４との間に、ＫＮＮ以外のアルカリニオブ酸化物系の材料、あるいはペロブスカイト構造を有する材料（ＬａＮｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＬａＡｌＯ３、ＹＡｌＯ３、ＢａＳｎＯ３、ＢａＭｎＯ３など）からなる薄膜が含まれていてもよい。
（圧電薄膜デバイスの実施形態）
図３に、本発明に係る圧電薄膜素子を用いて作製した圧電薄膜デバイスの一実施形態の概略的な構成図を示す。
図３に、本発明に係る圧電薄膜素子を用いて作製した圧電薄膜デバイスの一実施形態の概略的な構成図を示す。
圧電薄膜素子１０は、図３に示すように、図１に示す第１の実施形態の圧電薄膜素子と同様の断面構造を有し、第１の実施形態の圧電薄膜素子の下地層２を下部電極２とし、また電極４を上部電極４として用いている。圧電薄膜デバイスは、所定の形状に成形された圧電薄膜素子１０の下部電極２と上部電極４の間に、少なくとも電圧検知手段（または電圧印加手段）１１が接続されている。
下部電極２と上部電極４の間に、電圧検知手段１１を接続することで、圧電薄膜デバイスとしてのセンサが得られる。このセンサの圧電薄膜素子１０が何らかの物理量の変化に伴って変形すると、その変形によって電圧が発生するので、この電圧を電圧検知手段１１で検知することで各種物理量を測定することができる。センサとしては、例えば、ジャイロセンサ、超音波センサ、圧カセンサ、速度・加速度センサなどが挙げられる。
また、圧電薄膜素子１０の下部電極２と上部電極４の間に、電圧印加手段１１を接続することで、圧電薄膜デバイスとしてのアクチュエータが得られる。このアクチュエータの圧電薄膜素子１０に電圧を印加して、圧電薄膜素子１０を変形することによって各種部材を作動させることができる。アクチュエータは、例えば、インクジェットプリンタ、スキャナー、超音波発生装置などに用いることができる。
次に、本発明の具体的な実施例を説明する。
実施例および比較例の圧電薄膜素子は、図２に示す上記第２の実施形態と同様の断面構造を有し、熱酸化膜を有するＳｉ基板上に、Ｔｉ密着層と、Ｐｔ下部電極（下地層）と、ＫＮＮ圧電薄膜と、Ｐｔ上部電極（電極）とが積層されている。
［ＫＮＮ圧電薄膜の成膜］
以下に、実施例および比較例におけるＫＮＮ圧電薄膜の成膜方法を説明する。
基板には熱酸化膜付きＳｉ基板（（１００）面方位、厚さ０.５２５ｍｍ、形状４イン
チ円形、熱酸化膜の厚さ２００ｎｍ）を用いた。まず、基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法で、Ｔｉ密着層（膜厚１０ｎｍ）、Ｐｔ下部電極（（１１１）面優先配向、膜厚２００ｎｍ）を形成した。Ｔｉ密着層とＰｔ下部電極は、基板温度３５０℃、放電パワー３００Ｗ、導入ガスＡｒ、Ａｒ雰囲気の圧力２.５Ｐａ、成膜時間は、Ｔｉ密着層では
３分、Ｐｔ下部電極では１０分の条件で成膜した。
以下に、実施例および比較例におけるＫＮＮ圧電薄膜の成膜方法を説明する。
基板には熱酸化膜付きＳｉ基板（（１００）面方位、厚さ０.５２５ｍｍ、形状４イン
チ円形、熱酸化膜の厚さ２００ｎｍ）を用いた。まず、基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法で、Ｔｉ密着層（膜厚１０ｎｍ）、Ｐｔ下部電極（（１１１）面優先配向、膜厚２００ｎｍ）を形成した。Ｔｉ密着層とＰｔ下部電極は、基板温度３５０℃、放電パワー３００Ｗ、導入ガスＡｒ、Ａｒ雰囲気の圧力２.５Ｐａ、成膜時間は、Ｔｉ密着層では
３分、Ｐｔ下部電極では１０分の条件で成膜した。
続いて、Ｐｔ下部電極の上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法で膜厚３μｍの（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３圧電薄膜を形成した。（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３圧電薄膜は、ｙ＝（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率＝０.８６〜１.０５、ｘ＝Ｎａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率＝０.４４〜０.７８の（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３焼結体をターゲットに用い、基板温度（基板表面の温度）５５０℃、放電パワー７５Ｗ、導入ガスＡｒ／Ｏ２混合ガス（Ａｒ／Ｏ２＝９９／１〜９０／１０）、雰囲気ガスの圧力１.３Ｐａの条件で成膜した。各ＫＮＮ
薄膜のスパッタリング成膜時間は、ＫＮＮ薄膜の膜厚がほぼ３μｍになるように調整して行った。
薄膜のスパッタリング成膜時間は、ＫＮＮ薄膜の膜厚がほぼ３μｍになるように調整して行った。
ＫＮＮ焼結体ターゲットは、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末を原料にして、ボールミルを用いて２４時間混合し、８５０℃で１０時間仮焼成し、その後再
びボールミルで粉砕し、２００ＭＰａの圧力で成形した後、１０００〜１２５０℃で焼成することで作製した。（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率およびＮａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率は、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末の混合比率を調整することで制御した。作製した焼結体ターゲットは、スパッタリング成膜に用いる前にＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光分析）によってＫ、Ｎａ、Ｎｂの原子数％を測定し、それぞれの（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率およびＮａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率を算出した。また、焼結体ターゲット中の炭素濃度および水素濃度（wt ppm）は、ガス成分分析（ＩＧＡ：Interstitial Gas Analysis）
で測定した。ガス成分分析とは、材料を燃焼させて発生したＣ、Ｎ、Ｏ、Ｈなどのガス成分を赤外線吸収や熱伝導度測定で測定し、濃度を決定する方法である。
びボールミルで粉砕し、２００ＭＰａの圧力で成形した後、１０００〜１２５０℃で焼成することで作製した。（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率およびＮａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率は、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末の混合比率を調整することで制御した。作製した焼結体ターゲットは、スパッタリング成膜に用いる前にＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光分析）によってＫ、Ｎａ、Ｎｂの原子数％を測定し、それぞれの（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率およびＮａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率を算出した。また、焼結体ターゲット中の炭素濃度および水素濃度（wt ppm）は、ガス成分分析（ＩＧＡ：Interstitial Gas Analysis）
で測定した。ガス成分分析とは、材料を燃焼させて発生したＣ、Ｎ、Ｏ、Ｈなどのガス成分を赤外線吸収や熱伝導度測定で測定し、濃度を決定する方法である。
ＫＮＮ焼結体ターゲット中の炭素濃度および水素濃度は焼成温度が高いほど少なくなる傾向があった。図８に、実施例１〜１０および比較例１〜８で用いたＫＮＮ焼結体ターゲットの（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率およびＮａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率、ターゲット焼成温度、ターゲットに含まれる炭素濃度および水素濃度、スパッタリング成膜時のＡｒ／Ｏ２比率、成膜後の熱処理の有無を示す。成膜後のＫＮＮ薄膜の熱処理としては、大気雰囲気で７５０℃、２時間の熱処理を行った。
［ＫＮＮ圧電薄膜の組成分析］
ＩＣＰ−ＡＥＳ（誘導結合型プラズマ発光分析法）によって、実施例１〜１０および比較例１〜８のＫＮＮ薄膜の組成分析を行った。試料の溶液化には、湿式酸分解法を用い、酸にはフッ化水素酸と硝酸の混合液を用いた。ＩＣＰ−ＡＥＳによって得られたＮｂ、Ｎａ、Ｋの割合から（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率、Ｎａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率を算出した。図８に、算出した（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率、Ｎａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率を示す。（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率が異なるターゲットを用いたことで（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率が異なるＫＮＮ圧電薄膜が作製できていることが分かる。
ＩＣＰ−ＡＥＳ（誘導結合型プラズマ発光分析法）によって、実施例１〜１０および比較例１〜８のＫＮＮ薄膜の組成分析を行った。試料の溶液化には、湿式酸分解法を用い、酸にはフッ化水素酸と硝酸の混合液を用いた。ＩＣＰ−ＡＥＳによって得られたＮｂ、Ｎａ、Ｋの割合から（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率、Ｎａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率を算出した。図８に、算出した（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率、Ｎａ／（Ｋ＋Ｎａ）比率を示す。（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率が異なるターゲットを用いたことで（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ比率が異なるＫＮＮ圧電薄膜が作製できていることが分かる。
［ＫＮＮ圧電薄膜中の炭素および水素の深さ方向濃度プロファイルの測定］
一般的な二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ： Secondary Ion Mass Spectrometry）により、ＫＮＮ圧電薄膜の表面側からＰｔ下部電極までの炭素および水素の深さ方向濃度プロファイルを測定した。測定結果の一例として、実施例１の場合を図４、比較例１の場合を図５にそれぞれ示す。図４、図５には、ＫＮＮ圧電薄膜のＯ，Ｋ，Ｎｂ，Ｎａ強度の深さ方向プロファイルも示す。比較例１では、図５に示すように、炭素および水素の濃度は、ＫＮＮ圧電薄膜の表面側が高く、Ｐｔ下部電極側に近づくにつれて徐々に濃度が減少している。一方、実施例１では、図４に示すように、表面付近とＰｔ下部電極界面付近で炭素、水素の濃度が高い領域があるが、これら以外の領域は、炭素および水素の濃度は非常に低く、且つほぼ一定の濃度となっている。
一般的な二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ： Secondary Ion Mass Spectrometry）により、ＫＮＮ圧電薄膜の表面側からＰｔ下部電極までの炭素および水素の深さ方向濃度プロファイルを測定した。測定結果の一例として、実施例１の場合を図４、比較例１の場合を図５にそれぞれ示す。図４、図５には、ＫＮＮ圧電薄膜のＯ，Ｋ，Ｎｂ，Ｎａ強度の深さ方向プロファイルも示す。比較例１では、図５に示すように、炭素および水素の濃度は、ＫＮＮ圧電薄膜の表面側が高く、Ｐｔ下部電極側に近づくにつれて徐々に濃度が減少している。一方、実施例１では、図４に示すように、表面付近とＰｔ下部電極界面付近で炭素、水素の濃度が高い領域があるが、これら以外の領域は、炭素および水素の濃度は非常に低く、且つほぼ一定の濃度となっている。
ＳＩＭＳ分析においては、表面付近（表面から深さ２００ｎｍ以内の領域）は様々な影響で正しい濃度が測定できない可能性があると言われている。また、ＳＩＭＳ分析での濃度深さプロファイル測定は、イオンエッチングで膜を削りながら測定を行うため、深い領域では測定している面の平坦性が失われ、その結果、深さ方向の分解能が低下する可能性もある。従って、下地層（本実施例ではＰｔ下部電極）との界面付近（Ｐｔ下部電極界面から２００ｎｍ以内の領域のＫＮＮ薄膜）も、正しい濃度測定ができていない可能性があると考えた。そこで、ＳＩＭＳ分析の結果が信頼できる深さの範囲（ＫＮＮ薄膜の表面から深さ２００ｎｍ以内の領域およびＰｔ下部電極界面から２００ｎｍ以内の領域を除く領域）で、ＫＮＮ薄膜の炭素および水素の深さ方向濃度プロファイル中での濃度の最大値を読み取った。図８に、実施例１〜１０および比較例１〜８でのＫＮＮ薄膜の炭素濃度、水素濃度の最大値を示す。
図８に示すように、ＫＮＮ焼結体ターゲット中の炭素濃度、水素濃度はＫＮＮ焼結体タ
ーゲットの焼成温度を高くすることで低減できている。これは、高温で焼成することで、ＫＮＮ焼結体ターゲット中に残留する炭素濃度、水素濃度が低下したためと思われる。また、炭素濃度、水素濃度が低いＫＮＮ焼結体ターゲットを用いることにより、成膜されるＫＮＮ薄膜中の炭素濃度および水素濃度も減少している。更に、スパッタリング成膜時のＡｒ／Ｏ２比率において、Ｏ２の割合を多くすることで、ＫＮＮ薄膜中の炭素濃度および水素濃度が減少している。また、成膜後の熱処理によっても、ＫＮＮ薄膜中の炭素濃度および水素濃度が減少している。
ーゲットの焼成温度を高くすることで低減できている。これは、高温で焼成することで、ＫＮＮ焼結体ターゲット中に残留する炭素濃度、水素濃度が低下したためと思われる。また、炭素濃度、水素濃度が低いＫＮＮ焼結体ターゲットを用いることにより、成膜されるＫＮＮ薄膜中の炭素濃度および水素濃度も減少している。更に、スパッタリング成膜時のＡｒ／Ｏ２比率において、Ｏ２の割合を多くすることで、ＫＮＮ薄膜中の炭素濃度および水素濃度が減少している。また、成膜後の熱処理によっても、ＫＮＮ薄膜中の炭素濃度および水素濃度が減少している。
［誘電損失tanδ、比誘電率の測定］
ＫＮＮ圧電薄膜の比誘電率および誘電損失tanδを測定するために、図６に示すように
、上記実施例および比較例のＫＮＮ圧電薄膜３の上に、Ｐｔ上部電極（膜厚１００ｎｍ、サイズ１ｍｍ×１ｍｍ）４をＲＦマグネトロンスパッタリング法で形成した。この上部電極４と下部電極２をＬＣＲメーターに接続し、測定周波数１ｋＨｚで静電容量とtanδを
測定した。得られた静電容量から、電極面積（ｌｍｍ２）、ＫＮＮ圧電薄膜３の膜厚（３μｍ）、真空の誘電率を考慮して、比誘電率を算出した。図８に、実施例１〜１０および比較例１〜８でのＫＮＮ薄膜の比誘電率、tanδを示す。
ＫＮＮ圧電薄膜の比誘電率および誘電損失tanδを測定するために、図６に示すように
、上記実施例および比較例のＫＮＮ圧電薄膜３の上に、Ｐｔ上部電極（膜厚１００ｎｍ、サイズ１ｍｍ×１ｍｍ）４をＲＦマグネトロンスパッタリング法で形成した。この上部電極４と下部電極２をＬＣＲメーターに接続し、測定周波数１ｋＨｚで静電容量とtanδを
測定した。得られた静電容量から、電極面積（ｌｍｍ２）、ＫＮＮ圧電薄膜３の膜厚（３μｍ）、真空の誘電率を考慮して、比誘電率を算出した。図８に、実施例１〜１０および比較例１〜８でのＫＮＮ薄膜の比誘電率、tanδを示す。
［ＫＮＮ薄膜のtanδと炭素濃度および水素濃度との関係］
図７にＫＮＮ薄膜のtanδと、ＫＮＮ薄膜中の炭素濃度および水素濃度の最大値との関
係を示す。炭素濃度と水素濃度はtanδに対してほぼ同じ傾向を示し、tanδの増加に比例して炭素濃度および水素濃度の対数値は増加している。図７に示すように、炭素濃度を２×１０１９／ｃｍ３以下、水素濃度を４×１０１９／ｃｍ３以下にすることで、tanδ≦
０.１のＫＮＮ薄膜が実現できることが分かる。
図７にＫＮＮ薄膜のtanδと、ＫＮＮ薄膜中の炭素濃度および水素濃度の最大値との関
係を示す。炭素濃度と水素濃度はtanδに対してほぼ同じ傾向を示し、tanδの増加に比例して炭素濃度および水素濃度の対数値は増加している。図７に示すように、炭素濃度を２×１０１９／ｃｍ３以下、水素濃度を４×１０１９／ｃｍ３以下にすることで、tanδ≦
０.１のＫＮＮ薄膜が実現できることが分かる。
比誘電率に関しては、炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３以下、水素濃度が４×１０１９／ｃｍ３以下の実施例のＫＮＮ薄膜と、炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３を超え、水素濃度が４×１０１９／ｃｍ３を超える比較例のＫＮＮ薄膜とは、殆ど違いはなかった。また、圧電定数に関しても、比較例のＫＮＮ薄膜と実施例のＫＮＮ薄膜とで殆ど違いは見られなかった。つまり、実施例のＫＮＮ薄膜では、従前と同等の良好な圧電定数や比誘電率を維持したまま、問題であったtanδの値を低減できることが分かった。
［アクチュエータの試作および特性の評価］
上記実施例１及び比較例１のＫＮＮ圧電薄膜を用いて、カンチレバー型の簡易アクチュエータを試作した。まず、試作にあたって、上記実施例１および比較例１のＫＮＮ圧電薄膜の上にＰｔ上部電極をＲＦマグネトロンスパッタリング法で形成した後、短冊形に切り出し、ＫＮＮ圧電薄膜を有する圧電薄膜素子を作製した。次に、この短冊形の圧電薄膜素子を、その長手方向の一端をクランプで固定することで簡易的なユニモルフカンチレバーを作製した。このカンチレバーのＰｔ上部電極とＰｔ下部電極との間のＫＮＮ圧電薄膜に、電圧印加手段によって電圧を印加し、ＫＮＮ圧電薄膜を伸縮させることで、カンチレバー（圧電薄膜素子）全体を屈伸させた。このときのカンチレバーの先端変位量Δをレーザードップラ変位計で測定した。圧電定数ｄ３１は、カンチレバー先端の変位量Δ、カンチレバーの長さ、基板１とＫＮＮ圧電薄膜３の厚さとヤング率、および印加電圧から算出される。
上記実施例１及び比較例１のＫＮＮ圧電薄膜を用いて、カンチレバー型の簡易アクチュエータを試作した。まず、試作にあたって、上記実施例１および比較例１のＫＮＮ圧電薄膜の上にＰｔ上部電極をＲＦマグネトロンスパッタリング法で形成した後、短冊形に切り出し、ＫＮＮ圧電薄膜を有する圧電薄膜素子を作製した。次に、この短冊形の圧電薄膜素子を、その長手方向の一端をクランプで固定することで簡易的なユニモルフカンチレバーを作製した。このカンチレバーのＰｔ上部電極とＰｔ下部電極との間のＫＮＮ圧電薄膜に、電圧印加手段によって電圧を印加し、ＫＮＮ圧電薄膜を伸縮させることで、カンチレバー（圧電薄膜素子）全体を屈伸させた。このときのカンチレバーの先端変位量Δをレーザードップラ変位計で測定した。圧電定数ｄ３１は、カンチレバー先端の変位量Δ、カンチレバーの長さ、基板１とＫＮＮ圧電薄膜３の厚さとヤング率、および印加電圧から算出される。
実施例１のＫＮＮ圧電薄膜を用いたアクチュエータ（カンチレバー）と、比較例１のＫＮＮ圧電薄膜を用いたアクチュエータ（カンチレバー）とに、ユニポーラのｓｉｎ波を上下電極間に連続で印加することで、カンチレバーを連続駆動させた。このとき、実施例１のアクチュエータは、比較例１のアクチュエータに比べて発熱が抑えられることが確認された。また、１億回駆動後の圧電定数ｄ３１が初期の圧電定数ｄ３１から低下（劣化）する割合（低下率、劣化率）も、実施例１のアクチュエータでは、比較例１のアクチュエー
タよりも抑えられることが確認された。
タよりも抑えられることが確認された。
（他の実施例）
上記実施例では、下地層として下部電極ともなるＰｔ層を用いたが、例えば、Ｐｔ層上にＮａＮｂＯ３層を形成し、Ｐｔ層とＮａＮｂＯ３層の二層からなる下地層としてもよい。また、基板上にＫＮＮ圧電薄膜を形成し、圧電薄膜上に所定のパターンを備えた電極を形成することで、表面弾性波を利用したフィルタデバイスを形成することができる。表面弾性波を利用するフィルタデバイスなどのように、下部電極を必要としないデバイスの場合には、Ｐｔ層を下部電極として用いずに下地層として用いる。あるいは、Ｐｔ層に代わり他の下地層を設けても良い。例えば、基板と、下地層となるランタン酸ニッケル層と、ＫＮＮ圧電薄膜と、上部パターン電極とを積層したデバイス構造としてもよい。
上記実施例では、下地層として下部電極ともなるＰｔ層を用いたが、例えば、Ｐｔ層上にＮａＮｂＯ３層を形成し、Ｐｔ層とＮａＮｂＯ３層の二層からなる下地層としてもよい。また、基板上にＫＮＮ圧電薄膜を形成し、圧電薄膜上に所定のパターンを備えた電極を形成することで、表面弾性波を利用したフィルタデバイスを形成することができる。表面弾性波を利用するフィルタデバイスなどのように、下部電極を必要としないデバイスの場合には、Ｐｔ層を下部電極として用いずに下地層として用いる。あるいは、Ｐｔ層に代わり他の下地層を設けても良い。例えば、基板と、下地層となるランタン酸ニッケル層と、ＫＮＮ圧電薄膜と、上部パターン電極とを積層したデバイス構造としてもよい。
１ 基板
２ 下地層（下部電極）
３ 圧電薄膜（ＫＮＮ圧電薄膜）
４ 電極（上部電極）
５ 酸化膜
６ 密着層
１０ 圧電薄膜素子
１１ 電圧検知手段または電圧印加手段
２ 下地層（下部電極）
３ 圧電薄膜（ＫＮＮ圧電薄膜）
４ 電極（上部電極）
５ 酸化膜
６ 密着層
１０ 圧電薄膜素子
１１ 電圧検知手段または電圧印加手段
Claims (8)
- 基板と、前記基板上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とを有し、前記圧電薄膜の炭素濃度が２×１０１９／ｃｍ３以下である圧電薄膜素子。
- 基板と、前記基板上に設けられる組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ｙＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とを有し、前記圧電薄膜の水素濃度が４×１０１９／ｃｍ３以下である圧電薄膜素子。
- 請求項１または２に記載の圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜は、擬立方晶であり、かつ（００１）面方位に優先配向している圧電薄膜素子。
- 請求項１〜３のいずれかに記載の圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜の組成が０.４
≦ｘ≦０.７かつ０.７５≦ｙ≦０.９０である圧電薄膜素子。 - 請求項１〜４のいずれかに記載の圧電薄膜素子において、前記基板と前記圧電薄膜との間には下地層が設けられている圧電薄膜素子。
- 請求項５に記載の圧電薄膜素子において、前記下地層はＰｔ層であり、前記Ｐｔ層は（１１１）面方位に優先配向している圧電薄膜素子。
- 請求項１〜６のいずれかに記載の圧電薄膜素子において、前記基板は、Ｓｉ基板、表面酸化膜付きＳｉ基板、またはＳＯＩ基板であることを特徴とする圧電薄膜素子。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の圧電薄膜素子と、前記圧電薄膜素子の前記圧電薄膜を挟んで上下に設けられる上部電極と下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に接続される電圧印加手段または電圧検知手段とを備えた圧電薄膜デバイス。
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