JPH11274024A - 処理液供給装置及び処理液供給方法 - Google Patents
処理液供給装置及び処理液供給方法Info
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- JPH11274024A JPH11274024A JP10090761A JP9076198A JPH11274024A JP H11274024 A JPH11274024 A JP H11274024A JP 10090761 A JP10090761 A JP 10090761A JP 9076198 A JP9076198 A JP 9076198A JP H11274024 A JPH11274024 A JP H11274024A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理液供給装置の稼働停止後に処理を再開す
る際にも,基板に処理液の蒸気またはミストを均一に供
給可能な処理液供給装置とその方法を提供する。 【解決手段】 処理室15とタンク31とを接続する供
給管35に,搬送ガス供給源33からの搬送ガスを流す
分岐供給管40と,一端がエゼクタ23に接続する分岐
排気管41とを各々設ける。供給管35にバルブ38,
39,43を,分岐供給管40にバルブ42を,分岐排
気管41にバルブ45を夫々介装する。処理液供給装置
30の停止後に処理を再開させる場合,バルブ37,3
9,43を閉鎖して搬送ガスを分岐供給管40から供給
管35に流入させる。同時にエゼクタ23を稼働させ
て,この搬送ガスを分岐排気管41から排気する。
る際にも,基板に処理液の蒸気またはミストを均一に供
給可能な処理液供給装置とその方法を提供する。 【解決手段】 処理室15とタンク31とを接続する供
給管35に,搬送ガス供給源33からの搬送ガスを流す
分岐供給管40と,一端がエゼクタ23に接続する分岐
排気管41とを各々設ける。供給管35にバルブ38,
39,43を,分岐供給管40にバルブ42を,分岐排
気管41にバルブ45を夫々介装する。処理液供給装置
30の停止後に処理を再開させる場合,バルブ37,3
9,43を閉鎖して搬送ガスを分岐供給管40から供給
管35に流入させる。同時にエゼクタ23を稼働させ
て,この搬送ガスを分岐排気管41から排気する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,基板に対して処理
液の蒸気またはミストを供給する処理液供給装置及び処
理液供給方法に関する。
液の蒸気またはミストを供給する処理液供給装置及び処
理液供給方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト工程においては,半導体ウェハ(以下,「ウェ
ハ」と称する。)等の基板に対して処理液を供給する処
理液供給装置が使用されている。このうち,ウェハとレ
ジストとの定着性を向上させる疎水化処理では,ヘキサ
メチルジシラザン(以下,「HMDS」と称する。)が
処理液として使用されている。
ジスト工程においては,半導体ウェハ(以下,「ウェ
ハ」と称する。)等の基板に対して処理液を供給する処
理液供給装置が使用されている。このうち,ウェハとレ
ジストとの定着性を向上させる疎水化処理では,ヘキサ
メチルジシラザン(以下,「HMDS」と称する。)が
処理液として使用されている。
【0003】かかる疎水化処理においては処理を均一に
行うために,HMDSをウェハに対して均一に供給する
必要がある。そのため従来より,先ず液体のHMDSを
蒸気またはミスト状にした後,これを例えば窒素ガス等
の搬送ガスによって管路を通じて処理室内のウェハに供
給している。
行うために,HMDSをウェハに対して均一に供給する
必要がある。そのため従来より,先ず液体のHMDSを
蒸気またはミスト状にした後,これを例えば窒素ガス等
の搬送ガスによって管路を通じて処理室内のウェハに供
給している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,処理液
供給装置自体が,例えば非常停止する等の理由により長
時間稼働を停止した場合には,HMDSの蒸気やミスト
が管路内に滞留したままの状態となる。そして,管路内
に滞留したHMDSの蒸気またはミストは時間の経過と
共に粒径の大きいミスト状態になる。
供給装置自体が,例えば非常停止する等の理由により長
時間稼働を停止した場合には,HMDSの蒸気やミスト
が管路内に滞留したままの状態となる。そして,管路内
に滞留したHMDSの蒸気またはミストは時間の経過と
共に粒径の大きいミスト状態になる。
【0005】このような状態でそのままウェハの疎水化
処理を再開させた場合には,粒径の大きいミストが処理
室内のウェハに供給されてしまう。その結果,ウェハの
表面にHMDSの蒸気またはミストを均一に供給するこ
とができなくなるおそれが生じる。
処理を再開させた場合には,粒径の大きいミストが処理
室内のウェハに供給されてしまう。その結果,ウェハの
表面にHMDSの蒸気またはミストを均一に供給するこ
とができなくなるおそれが生じる。
【0006】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり,そのように長時間処理液供給装置を停止した後に
処理を再開させる場合にも,処理液の蒸気やミストを基
板に対して均一に供給することが可能な新しい処理液供
給装置及び処理液供給方法を提供することを目的として
いる。
あり,そのように長時間処理液供給装置を停止した後に
処理を再開させる場合にも,処理液の蒸気やミストを基
板に対して均一に供給することが可能な新しい処理液供
給装置及び処理液供給方法を提供することを目的として
いる。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に,請求項1に記載の処理液供給装置は,処理室内の基
板に対して管路を介して処理液の蒸気またはミストを搬
送ガスを用いて供給する装置において,前記管路には搬
送ガスのみを供給する供給管と,前記管路内の雰囲気を
処理室を迂回して排気するための排気管とが接続された
ことを特徴としている。
に,請求項1に記載の処理液供給装置は,処理室内の基
板に対して管路を介して処理液の蒸気またはミストを搬
送ガスを用いて供給する装置において,前記管路には搬
送ガスのみを供給する供給管と,前記管路内の雰囲気を
処理室を迂回して排気するための排気管とが接続された
ことを特徴としている。
【0008】かかる構成によれば,管路内に供給管から
搬送ガスを供給すると共に,管路内の雰囲気を処理室を
迂回して排気管から排気することが可能となる。従っ
て,例えば処理液による粒径の大きなミストが管路内に
存在しても,これを処理室に送ることなく排気すること
ができる。従って,長時間処理液供給装置が停止した後
に処理を再開させる場合にも,基板に対して処理液を均
一に供給することが可能となる。
搬送ガスを供給すると共に,管路内の雰囲気を処理室を
迂回して排気管から排気することが可能となる。従っ
て,例えば処理液による粒径の大きなミストが管路内に
存在しても,これを処理室に送ることなく排気すること
ができる。従って,長時間処理液供給装置が停止した後
に処理を再開させる場合にも,基板に対して処理液を均
一に供給することが可能となる。
【0009】請求項2に記載の処理液供給方法は,処理
室内の基板に対して管路を介して処理液の蒸気またはミ
ストを搬送ガスを用いて供給する方法において,処理液
の蒸気またはミストを供給する装置が停止した後に,当
該装置による処理の再開に先だって,一旦,管路内に搬
送ガスのみを供給して当該管路内の雰囲気を処理室を迂
回して排気させる工程を有することを特徴としている。
室内の基板に対して管路を介して処理液の蒸気またはミ
ストを搬送ガスを用いて供給する方法において,処理液
の蒸気またはミストを供給する装置が停止した後に,当
該装置による処理の再開に先だって,一旦,管路内に搬
送ガスのみを供給して当該管路内の雰囲気を処理室を迂
回して排気させる工程を有することを特徴としている。
【0010】この請求項2に記載の処理液供給方法によ
れば,処理の再開に先立って管路内の雰囲気を搬送ガス
を利用して排気することができる。従って,管路内に例
えば処理液による粒径の大きなミストが存在していて
も,これを処理室に流入させることなく除去することが
可能である。
れば,処理の再開に先立って管路内の雰囲気を搬送ガス
を利用して排気することができる。従って,管路内に例
えば処理液による粒径の大きなミストが存在していて
も,これを処理室に流入させることなく除去することが
可能である。
【0011】
【発明の実施の形態】以下,添付図面に基づき本発明の
実施の形態について例を挙げて説明する。この実施の形
態は,ウェハWに対して一連のフォトリソグラフィ工程
を行うために塗布現像処理装置に組み込まれたアドヒー
ジョン装置に,HMDSを供給する処理液供給装置とし
て具体化されている。
実施の形態について例を挙げて説明する。この実施の形
態は,ウェハWに対して一連のフォトリソグラフィ工程
を行うために塗布現像処理装置に組み込まれたアドヒー
ジョン装置に,HMDSを供給する処理液供給装置とし
て具体化されている。
【0012】図1に示すように,塗布現像処理装置1の
一端には,カセットステーション2が配置されている。
カセットステーション2には,例えばウェハWを25枚
単位で収納する複数個のカセットCが載置自在であり,
カセットCの正面側(ウェハWの搬入出側)にはウェハ
Wの搬送及び位置決めを行うための主搬送装置3と,主
搬送装置3へとウェハWを搬送する搬送機構4とがそれ
ぞれ備えられている。そしてウェハWに対して,所定の
処理を施す各種の処理装置が主搬送装置3の搬送路5を
挟んで両側に配置されている。
一端には,カセットステーション2が配置されている。
カセットステーション2には,例えばウェハWを25枚
単位で収納する複数個のカセットCが載置自在であり,
カセットCの正面側(ウェハWの搬入出側)にはウェハ
Wの搬送及び位置決めを行うための主搬送装置3と,主
搬送装置3へとウェハWを搬送する搬送機構4とがそれ
ぞれ備えられている。そしてウェハWに対して,所定の
処理を施す各種の処理装置が主搬送装置3の搬送路5を
挟んで両側に配置されている。
【0013】即ち,カセットCから取り出されたウェハ
Wを洗浄するためのブラシスクラバ6,ウェハWに対し
て高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置7,ウェハ
Wを所定の温度に冷却する冷却処理装置10,ウェハW
を加熱する加熱処理装置11,回転するウェハWにレジ
スト膜を塗布するレジスト塗布装置12,12,ウェハ
Wに所定の現像処理を施す現像処理装置13,13,さ
らにウェハWに疎水化処理を施すアドヒージョン装置1
4が搬送路5を挟んで配置されている。
Wを洗浄するためのブラシスクラバ6,ウェハWに対し
て高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置7,ウェハ
Wを所定の温度に冷却する冷却処理装置10,ウェハW
を加熱する加熱処理装置11,回転するウェハWにレジ
スト膜を塗布するレジスト塗布装置12,12,ウェハ
Wに所定の現像処理を施す現像処理装置13,13,さ
らにウェハWに疎水化処理を施すアドヒージョン装置1
4が搬送路5を挟んで配置されている。
【0014】このアドヒージョン装置14には図2に示
すように,処理室15内部にウェハWを加熱するための
加熱機構(図示せず)を内蔵した載置台20が備えられ
ている。また,処理室15の底部にはこの処理室15内
の雰囲気を排気するための排気管21が接続されてお
り,この排気管21にはバルブ22を介してエゼクタ
(空気圧式真空装置)23が接続されている。そしてエ
ゼクタ23にはバルブ24を介して駆動用の圧力空気を
供給する駆動空気供給管25が接続されている。従っ
て,エゼクタ23に駆動空気供給管25を介して圧力空
気を供給することによって,処理室15内部の雰囲気は
排気される。
すように,処理室15内部にウェハWを加熱するための
加熱機構(図示せず)を内蔵した載置台20が備えられ
ている。また,処理室15の底部にはこの処理室15内
の雰囲気を排気するための排気管21が接続されてお
り,この排気管21にはバルブ22を介してエゼクタ
(空気圧式真空装置)23が接続されている。そしてエ
ゼクタ23にはバルブ24を介して駆動用の圧力空気を
供給する駆動空気供給管25が接続されている。従っ
て,エゼクタ23に駆動空気供給管25を介して圧力空
気を供給することによって,処理室15内部の雰囲気は
排気される。
【0015】一方,本発明の実施の形態にかかる処理液
供給装置30はHMDS液を内部に貯えたタンク31を
有している。このタンク31の上部には,HMDS液供
給源(図示せず)からのHMDS液をタンク31内に供
給するための処理液供給管32と,搬送ガス供給源33
から供給された例えば窒素ガス等の搬送ガスをタンク3
1内に供給するための搬送ガス供給管34と,タンク3
1内で気相化したHMDS液の蒸気またはミストを供給
するための供給管35との合計3本の供給管が接続され
ている。なお,処理液供給管32にはバルブ36が,搬
送ガス供給管34にはバルブ37が,供給管35にはバ
ルブ38及びバルブ39がそれぞれ設けられており,バ
ルブ38は供給管35を吸気系に切換接続するために設
けられている。
供給装置30はHMDS液を内部に貯えたタンク31を
有している。このタンク31の上部には,HMDS液供
給源(図示せず)からのHMDS液をタンク31内に供
給するための処理液供給管32と,搬送ガス供給源33
から供給された例えば窒素ガス等の搬送ガスをタンク3
1内に供給するための搬送ガス供給管34と,タンク3
1内で気相化したHMDS液の蒸気またはミストを供給
するための供給管35との合計3本の供給管が接続され
ている。なお,処理液供給管32にはバルブ36が,搬
送ガス供給管34にはバルブ37が,供給管35にはバ
ルブ38及びバルブ39がそれぞれ設けられており,バ
ルブ38は供給管35を吸気系に切換接続するために設
けられている。
【0016】搬送ガス供給管34にはタンク31を迂回
して供給管35に接続される分岐供給管40が配管され
ている。また,エゼクタ23と供給管35との間には処
理室15を迂回する分岐排気管41が配管されている。
なお,分岐供給管40にはバルブ42,分岐排気管41
にはバルブ45が各々設けられている。
して供給管35に接続される分岐供給管40が配管され
ている。また,エゼクタ23と供給管35との間には処
理室15を迂回する分岐排気管41が配管されている。
なお,分岐供給管40にはバルブ42,分岐排気管41
にはバルブ45が各々設けられている。
【0017】本実施の形態にかかる処理液供給装置30
は以上のように構成されている。次に,この処理液供給
装置30の作用効果について説明する。
は以上のように構成されている。次に,この処理液供給
装置30の作用効果について説明する。
【0018】主搬送装置3によってウェハWがアドヒー
ジョン装置14の載置台20に載置されると,バルブ2
2,24が開きエゼクタ23に駆動空気供給管25を介
して駆動用の圧力空気が送られる。そして処理室15内
部の雰囲気をエゼクタ23によって吸引排気して減圧す
る。
ジョン装置14の載置台20に載置されると,バルブ2
2,24が開きエゼクタ23に駆動空気供給管25を介
して駆動用の圧力空気が送られる。そして処理室15内
部の雰囲気をエゼクタ23によって吸引排気して減圧す
る。
【0019】処理室15内部をエゼクタ23によって排
気する間これと並行して,タンク31内に搬送ガス供給
源33からの搬送ガスを搬送ガス供給管34を介して供
給する。なお,搬送ガス供給管34に設けられたバルブ
37の開き方を調整することによってタンク31内に供
給する搬送ガスの流量を調節することができる。
気する間これと並行して,タンク31内に搬送ガス供給
源33からの搬送ガスを搬送ガス供給管34を介して供
給する。なお,搬送ガス供給管34に設けられたバルブ
37の開き方を調整することによってタンク31内に供
給する搬送ガスの流量を調節することができる。
【0020】次いで,供給管35に備えられたバルブ3
8を開くことにより,HMDSの蒸気またはミストを搬
送ガスと共に供給管35を介して処理室15内に供給す
る。これにより,処理室15内のウェハWに対する所定
の疎水化処理が施される。
8を開くことにより,HMDSの蒸気またはミストを搬
送ガスと共に供給管35を介して処理室15内に供給す
る。これにより,処理室15内のウェハWに対する所定
の疎水化処理が施される。
【0021】ところで,かかる疎水化処理時における供
給管35内部はHMDSの雰囲気で満たされている。従
って,例えば処理液供給装置30が非常停止するなどし
てその稼働が長時間停止した際には,供給管35内にH
MDSが粒径の大きなミスト状態で存在する場合があ
る。そして,この状態から疎水化処理をそのまま再開さ
せた場合には,当該粒径の大きなHMDSのミストが処
理室15内のウェハWに供給されてしまい,結果的にウ
ェハWの表面にHMDSの蒸気またはミストが均一に供
給ができなくなるおそれが生じる。
給管35内部はHMDSの雰囲気で満たされている。従
って,例えば処理液供給装置30が非常停止するなどし
てその稼働が長時間停止した際には,供給管35内にH
MDSが粒径の大きなミスト状態で存在する場合があ
る。そして,この状態から疎水化処理をそのまま再開さ
せた場合には,当該粒径の大きなHMDSのミストが処
理室15内のウェハWに供給されてしまい,結果的にウ
ェハWの表面にHMDSの蒸気またはミストが均一に供
給ができなくなるおそれが生じる。
【0022】しかしながら本実施の形態では,処理液供
給装置30の稼働が長時間停止した後にウェハWに対す
る疎水化処理を再開する場合には,ウェハWの疎水化処
理を行う前に先ず供給管35に搬送ガスのみを供給し,
供給管35内部の雰囲気を処理室15を迂回して分岐排
気管41から排出させることができる。
給装置30の稼働が長時間停止した後にウェハWに対す
る疎水化処理を再開する場合には,ウェハWの疎水化処
理を行う前に先ず供給管35に搬送ガスのみを供給し,
供給管35内部の雰囲気を処理室15を迂回して分岐排
気管41から排出させることができる。
【0023】即ち,バルブ43,37,39を閉鎖して
バルブ42,38,45を開放すると,供給管35の内
部の雰囲気を処理室15内に流入させることなく分岐排
気管41から排気することができる。これにより,供給
管35内部の大きなHMDSのミストは外部に排出さ
れ,搬送ガス雰囲気に置換された状態となる。
バルブ42,38,45を開放すると,供給管35の内
部の雰囲気を処理室15内に流入させることなく分岐排
気管41から排気することができる。これにより,供給
管35内部の大きなHMDSのミストは外部に排出さ
れ,搬送ガス雰囲気に置換された状態となる。
【0024】その後,バルブ42,45を閉鎖し,バル
ブ37,43を開放して疎水化処理を再開する。従っ
て,再開直後でも粒径の大きなHMDSのミストは処理
室15内には入らず,所定の疎水化処理が可能となる。
ブ37,43を開放して疎水化処理を再開する。従っ
て,再開直後でも粒径の大きなHMDSのミストは処理
室15内には入らず,所定の疎水化処理が可能となる。
【0025】なお,念のためにダミーウェハに対して一
旦,再開当初のHMDSの蒸気またはミストを供給し
て,これの濃度等を確認した後で疎水化処理を再開する
ようにしてもよい。
旦,再開当初のHMDSの蒸気またはミストを供給し
て,これの濃度等を確認した後で疎水化処理を再開する
ようにしてもよい。
【0026】その後,所定の疎水化処理が終了したウェ
ハWは,再び主搬送装置3によって保持されて,次の冷
却処理のために冷却処理装置10へ搬送される。
ハWは,再び主搬送装置3によって保持されて,次の冷
却処理のために冷却処理装置10へ搬送される。
【0027】以上のように,本実施の形態にかかる処理
液供給装置30では疎水化処理を再開する際には,この
疎水化処理を行う前に供給管35内部の雰囲気を搬送ガ
スにより処理室15を迂回して外部に排出することがで
きる。そのため,供給管35内に滞留したHMDSによ
る粒径の大きなミストがそのままウェハWに対して供給
されることがなく,長時間アドヒージョン装置14を停
止させた後で疎水化処理を再開させる場合にも,HMD
Sの蒸気またはミストをウェハWに対して均一に供給す
ることが可能となる。しかも,粒径の大きなHMDSの
ミストを排気する際に用いたのは,本来のHMDS供給
用の搬送ガスであるから,格別専用のパージガス等を用
意する必要もない。
液供給装置30では疎水化処理を再開する際には,この
疎水化処理を行う前に供給管35内部の雰囲気を搬送ガ
スにより処理室15を迂回して外部に排出することがで
きる。そのため,供給管35内に滞留したHMDSによ
る粒径の大きなミストがそのままウェハWに対して供給
されることがなく,長時間アドヒージョン装置14を停
止させた後で疎水化処理を再開させる場合にも,HMD
Sの蒸気またはミストをウェハWに対して均一に供給す
ることが可能となる。しかも,粒径の大きなHMDSの
ミストを排気する際に用いたのは,本来のHMDS供給
用の搬送ガスであるから,格別専用のパージガス等を用
意する必要もない。
【0028】なお,前記実施の形態ではエゼクタ23で
供給管35内部の雰囲気を排気するようにしていたが,
これに代えて供給管35内部の雰囲気を図3に示すよう
に,バルブ45からそのまま排気管71を通じて外部に
排気するようにしてもよい。本発明の実施の形態では,
基板にウェハWを用いた例を挙げて説明したが,本発明
はかかる例には限定されず,例えばLCD基板を使用す
る例についても適用することが可能である。
供給管35内部の雰囲気を排気するようにしていたが,
これに代えて供給管35内部の雰囲気を図3に示すよう
に,バルブ45からそのまま排気管71を通じて外部に
排気するようにしてもよい。本発明の実施の形態では,
基板にウェハWを用いた例を挙げて説明したが,本発明
はかかる例には限定されず,例えばLCD基板を使用す
る例についても適用することが可能である。
【0029】
【発明の効果】請求項1〜2に記載の発明によれば,処
理液供給装置が長時間停止した後に疎水化処理を再開さ
せる場合,管路内に搬送ガスを流してこの管路内の雰囲
気を排出することができる。従って,処理再開直後に粒
径の大きな処理液の蒸気またはミストが基板に対して供
給されず,当該基板に対して処理液の蒸気またはミスト
を均一に供給することが可能となる。しかも,専用のパ
ージガスは不要である。
理液供給装置が長時間停止した後に疎水化処理を再開さ
せる場合,管路内に搬送ガスを流してこの管路内の雰囲
気を排出することができる。従って,処理再開直後に粒
径の大きな処理液の蒸気またはミストが基板に対して供
給されず,当該基板に対して処理液の蒸気またはミスト
を均一に供給することが可能となる。しかも,専用のパ
ージガスは不要である。
【図1】実施の形態にかかる処理液供給装置を有する塗
布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
【図2】実施の形態にかかる処理液供給装置の構成を示
す説明図である。
す説明図である。
【図3】他の実施の形態にかかる処理液供給装置の構成
を示す説明図である。
を示す説明図である。
1 塗布現像処理装置 14 アドヒージョン装置 15 処理室 30 処理液供給装置 35 供給管 40 分岐供給管 41 分岐排気管 W ウェハ
Claims (2)
- 【請求項1】 処理室内の基板に対して管路を介して処
理液の蒸気またはミストを搬送ガスを用いて供給する装
置において,前記管路には搬送ガスのみを供給する供給
管と,前記管路内の雰囲気を処理室を迂回して排気する
ための排気管とが接続されたことを特徴とする,処理液
供給装置。 - 【請求項2】 処理室内の基板に対して管路を介して処
理液の蒸気またはミストを搬送ガスを用いて供給する方
法において,処理液の蒸気またはミストを供給する装置
が停止した後に,当該装置による処理の再開に先だっ
て,一旦,管路内に搬送ガスのみを供給して当該管路内
の雰囲気を処理室を迂回して排気させる工程を有するこ
とを特徴とする,処理液供給方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10090761A JPH11274024A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
US09/270,805 US6202653B1 (en) | 1998-03-18 | 1999-03-17 | Processing solution supplying apparatus, processing apparatus and processing method |
KR10-1999-0009120A KR100417272B1 (ko) | 1998-03-18 | 1999-03-18 | 처리액 공급장치, 처리장치 및 처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10090761A JPH11274024A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11274024A true JPH11274024A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=14007601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10090761A Pending JPH11274024A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6202653B1 (ja) |
JP (1) | JPH11274024A (ja) |
KR (1) | KR100417272B1 (ja) |
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US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
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US7699021B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US20060241813A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Applied Materials, Inc. | Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design |
FR2894165B1 (fr) * | 2005-12-01 | 2008-06-06 | Sidel Sas | Installation d'alimentation en gaz pour machines de depot d'une couche barriere sur recipients |
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KR20110004081A (ko) * | 2009-07-07 | 2011-01-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법 |
KR101287113B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2013-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치용 캐니스터 및 이를 이용한 증착 장치 |
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JP2906006B2 (ja) | 1992-10-15 | 1999-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びその装置 |
JP3122311B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP10090761A patent/JPH11274024A/ja active Pending
-
1999
- 1999-03-17 US US09/270,805 patent/US6202653B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-18 KR KR10-1999-0009120A patent/KR100417272B1/ko not_active IP Right Cessation
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US6709523B1 (en) | 1999-11-18 | 2004-03-23 | Tokyo Electron Limited | Silylation treatment unit and method |
US6872670B2 (en) | 1999-11-18 | 2005-03-29 | Tokyo Electron Limited | Silylation treatment unit and method |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100417272B1 (ko) | 2004-02-05 |
KR19990077997A (ko) | 1999-10-25 |
US6202653B1 (en) | 2001-03-20 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020521 |