JP2012524399A5 - - Google Patents
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Claims (17)
- 電子ウェハー構造体の一時的なボンディング及びデボンディングのための改善された装置であって、
一時的なボンダーモジュールのクラスターであって、
接着剤層を介して2つのウェハー表面間に一時的な結合を形成する機器を含む、第1のボンダーモジュール、及び
接着剤層とリリース層との組み合わせを介して2つのウェハー表面間に一時的な結合を形成する機器を含む、第2のボンダーモジュール、
を含む、一時的なボンダーモジュールのクラスターと、
デボンダーモジュールのクラスターであって、
接着剤層を介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングする機器を含む、熱摺動デボンダーモジュールであって、前記機器は、該ボンディングされた2つのウェハーを加熱する手段、及び熱が加えられている間に一方のウェハーを他方のウェハーに対して摺動させる手段を含む、熱摺動デボンダーモジュール、及び
接着剤層とリリース層との組み合わせを介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングする機器を含む、機械的デボンダーモジュールであって、前記機器は、該ボンディングされた2つのウェハーを加熱する手段、及び熱が加えられている間に一方のウェハーを他方から離すように縦に機械的に押す手段を含む、機械的デボンダーモジュール、
を含むデボンダーモジュールのクラスターと、
を備える、装置。 - 前記一時的なボンダーモジュールのクラスターは、UV光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせを介して2つのウェハー表面間に一時的な結合を形成する機器を含む、第3のボンダーモジュールを更に含み、
前記デボンダーモジュールのクラスターは、UV光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせを介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングする機器を含む、照射デボンダーモジュールを更に含み、前記デボンディングする機器は、該ボンディングされた2つのウェハーにレーザー照射を加える手段、及び一方のウェハーを他方から離すように機械的に分離する手段を含む、請求項1に記載の装置。 - 前記一時的なボンダーモジュール及びデボンダーモジュールは縦に積み重ねられる、請求項2に記載の装置。
- 前記第1のボンダーモジュール機器は、前記接着剤層をキャリアウェハーの表面上に施す手段と、前記施された接着剤層を焼成する手段及び冷却する手段と、デバイスウェハーの表面上に保護層を施す手段と、前記施された保護層を焼成する手段及び冷却する手段と、該接着剤層が該保護層に対向するように該キャリアウェハーを配向して該デバイスウェハーとアライメントする手段と、該アライメントしたキャリアウェハーを該デバイスウェハーと接触させ、それによって、積層されたウェハー対を形成する手段と、該積層されたウェハー対上に力を加える手段と、力が加えられている間に該積層されたウェハー対を加熱し、それによって、ボンディングされたウェハー対を形成する手段とを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第2のボンダーモジュール機器は、デバイスウェハーの表面上にリリース層を形成する手段及び前記形成されたリリース層上に第1の接着剤層を施す手段と、キャリアウェハーの表面上に第2の接着剤層を施す手段と、該第2の接着剤層が該第1の接着剤層に対向するように該キャリアウェハーを配向して該デバイスウェハーとアライメントする手段と、該アライメントしたキャリアウェハーを該デバイスウェハーと接触させ、それによって、積層されたウェハー対を形成する手段と、該積層されたウェハー対上に力を加える手段と、力が加えられている間に該積層されたウェハー対を加熱し、それによって、ボンディングされたウェハー対を形成する手段とを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第3のボンダーモジュール機器は、デバイスウェハーの表面上にUV光硬化性接着剤層を施す手段と、キャリアウェハーの表面上にレーザー吸収リリース層を施す手段と、該レーザー吸収リリース層が該UV光硬化性接着剤層に対向するように該キャリアウェハーを配向して該デバイスウェハーとアライメントする手段と、該アライメントしたキャリアウェハーを該デバイスウェハーと接触させ、それによって、積層されたウェハー対を形成する手段と、該積層されたウェハー対上に力を加える手段と、力が加えられている間に該積層されたウェハー対にUV光をあて、それによって、ボンディングされたウェハー対を形成する手段とを備える、請求項2に記載の装置。
- 前記ボンダーモジュールのいずれかは、
上側ブロックアセンブリと、
該上側ブロックアセンブリの下に対向して配置される下側ブロックアセンブリと、
該上側ブロックアセンブリと該下側ブロックアセンブリとの間に設けられており、該上側ブロックアセンブリと該下側ブロックアセンブリとの間の容積を囲んでシールする入れ子式カーテンであって、前記シールされる容積は、前記第1のボンダーモジュール機器を収容する一時的なボンディングチャンバーを画定する、入れ子式カーテンと、
前記一時的なボンディングチャンバーを真空排気する手段と、
前記一時的なボンディングチャンバーにガスを供給する手段と、
を備える、請求項2に記載の装置。 - 前記ボンダーモジュールのいずれかは、2つ以上のZガイドポストを更に含み、前記上側ブロックアセンブリ及び前記下側ブロックアセンブリは前記Zガイドポストと可動接続される、請求項7に記載の装置。
- 前記下側ブロックアセンブリは、
上面及び下面を有するヒーター板であって、前記ヒーター板の上面は、第1のウェハーを支持及び加熱するように構成されている、ヒーター板と、
上面及び下面を有する断熱層であって、前記断熱層の上面は前記ヒーター板の下面と接触している、断熱層と、
上面及び下面を有する冷却支持フランジであって、前記冷却支持フランジの上面は前記断熱層の下面と接触している、冷却支持フランジと、
前記冷却支持フランジの下に配置されており、前記冷却支持フランジを通る3つ以上の移送ピンを支持する、移送ピンステージであって、前記断熱層及び前記ヒーター板は前記第1のウェハーを昇降させるように構成されている、移送ピンステージと、
精密Zドライブ、及びサブミクロン位置制御用リニアエンコーダーフィードバックを含むZ軸ブロックドライブであって、前記下側ブロックアセンブリをZ方向に上下に移動させるように構成されている、Z軸ブロックドライブと、
を備える、請求項7に記載の装置。 - 前記ヒーター板は、200ミリメートル又は300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを加熱するように構成された、独立して制御される2つの同心円状加熱ゾーンを含む、請求項9に記載の装置。
- 前記ヒーター板は、200ミリメートル又は300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを該ヒーター板の上面上に保持するように構成された、独立して制御される2つの同心円状真空ゾーンを更に含む、請求項10に記載の装置。
- 前記上側ブロックアセンブリは、
第2のウェハーを保持するように構成された上側セラミックチャックであって、非常に平坦で薄い半順応性セラミック板を含む、上側セラミックチャックと、
静止チャンバー壁であって、該静止チャンバー壁に対して前記入れ子式カーテンがシール要素によりシールを形成する、静止チャンバー壁と、
200ミリメートル及び300ミリメートルの直径をそれぞれ有する同心円状の第1の膜層及び第2の膜層であって、前記上側チャックと上部ハウジング壁との間でクランプされ、200ミリメートル及び300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを保持するように設計された別個の第1の真空ゾーン及び第2の真空ゾーンを形成する、第1の膜層及び第2の膜層と、
該上側セラミックチャックをレベリングして該上部ハウジング壁に対してクランプするように構成された3つ以上の調整可能なレベリングクランプ/ドライブアセンブリと、
を備える、請求項7に記載の装置。 - 前記膜層はエラストマー材料又は金属ベローズのうちの一方を含む、請求項12に記載の装置。
- 前記クランプ/ドライブアセンブリは、該上側セラミックチャックを、並進させることなく、該保持された第2のウェハーの中心部に対応する中心点を中心に回転及び/又は傾斜させるウェッジエラー補償機構を更に備える、請求項13に記載の装置。
- 前記ボンダーモジュールのいずれかにおいて前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーをプリアライメント、ローディング及びアンローディングするように構成された機械的センタリング機構を更に備える、請求項7に記載の装置。
- 前記機械的センタリング機構は、
2つのプリアライメントアームであって、各プリアライメントアームはその第1の端に機械的ジョーを備え、前記機械的ジョーは、前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーの湾曲エッジに合致するテーパー面を含む、2つのプリアライメントアームと、
前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーの該湾曲エッジに合致するテーパー面を有する静止ジョーと、
を備える、請求項15に記載の装置。 - 電子ウェハー構造体の一時的なボンディング及びデボンディングのための改善された装置であって、
接着剤層によるボンディング、接着剤層とリリース層との組み合わせによるボンディング及びUV光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせによるボンディングを含む電子ウェハーボンディング工程を行うように構成された一時的なボンダーモジュールのクラスターと、
一時的なボンダーモジュールによって行われた該電子ウェハーボンディング工程を介してボンディングされた電子ウェハーをデボンディングするデボンディング工程を行うように構成されたデボンダーモジュールのクラスターであって、前記デボンディング工程は、熱摺動デボンディング、機械的デボンディング及び照射デボンディングを含む、デボンダーモジュールのクラスターと、
を備える、装置。
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