JP2012524399A - 一時的なウェハーボンディング及びデボンディングのための改善された装置 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
本願は、2009年4月16日に出願された、「IMPROVEDAPPARATUS FOR TEMPORARY WAFER BONDING」と題する米国仮特許出願第61/169,753号(この内容は参照により本明細書に明示的に援用される)の利益を主張する。
100 一時的なウェハーボンディング及びデボンディングするための改善された装置
110 TEMPORARY BONDER 一時的なボンダー
210 MODULE A モジュールA
310 MODULE B モジュールB
410 MODULE C モジュールC
510 MODULE D モジュールD
120 DEBONDER デボンダー/デボンダークラスター
150 THERMAL SLIDE DEBONDERA 熱摺動デボンダーA
250 MECHANICAL DEBONDER B 機械的デボンダーB
350 RADIATION ANDMECHANICAL DEBONDER C 照射及び機械的デボンダーC
TEMORARY BOND PROCESS A 一時的なボンド工程A
60a 一時的なボンディング工程A
60b デボンド工程A
10 ウェハー積層体
20 Device Wafer デバイスウェハー
20a 保護コーティング/デバイスウェハー表面
20b 露出したデバイスウェハー表面
21 保護コーティング/保護層
25 ダイシングフレーム
30 Carrier Wafer キャリアウェハー
30a 接着剤層
31 接着剤層
(62) Protective Coating(optional) 保護コーティング(任意選択的)
(63) Bake・Chill 焼成・冷却
(64) Flip Wafer ウェハーを裏返す
(65) Adhesive LayerCoating / Dry Film Lamination 接着剤層コーティング/乾燥フィルム積層
(66) Bake 焼成
Chill 冷却
(67) Mechanical (optical)Alignment 機械的(光学的)アライメント
(68) Temporary Bond 一時的なボンド
DEBOND PROCESSA デボンド工程A
Processed Device Water 処理されたデバイスウェハー
Carrier キャリア
Debonding デボンディング
(69) 加熱/制御された加えられた力及び速度下でウェハー積層体を摺動させて外す
Slide Lift Off 摺動させて外す
(52) Cleaning 洗浄
(53) 載置する/分離したデバイスウェハーをダイシングフレーム上に取り付け
169 軸
20 デバイスウェハー
202 固定チャック
210 チャンバー210
210a 下部チャック
210b 上部チャック
30 キャリアウェハー
Process Basics 基本工程
Place bottom wafer on fixturechuck 下部ウェハーを固定チャック上に載置
Place top adhesive carrier direct 上部接着剤キャリアを直接載置
Manual Align 手動でアライメント
Load into chamber チャンバーにロード
Top chuck down, force 上部にチャックを下降させ、力を加える
Vacuum pump down 真空ポンプ吸引
Heat to 〜200C およそ200Cまで加熱
Cool to unload temp アンロード温度に冷却
Unload fixture 固定具をアンロード
70a TEMORARY BOND PROCESS B 一時的なボンド工程B
20 Device Wafer デバイスウェハー
20a デバイスウェハー表面
22 Release layer リリース層
30 Carrier キャリア/キャリアウェハー
30a 表面
32 軟質層
(72) Coat SemicoSil SemicoSilをコーティング
Plasma(PECVD プラズマ(PECVD
(73) Spin Coat Adhesive 接着剤をスピンコーティング
(74) Flip Wafer ウェハーを裏返す
(76) スピンコーティング
(77) Mechanical/opticalalignment 機械的/光学的なアライメント
(78) Temporary Bond 一時的なボンド
70b DEBOND PROCESSB デボンド工程B
10 ウェハー積層体
25 ダイシングフレーム
Processed Device Wafer 処理されたデバイスウェハー
Carrier キャリア
(54) Mount to Frame フレームに取り付ける
(55) Mechanical lift 機械的に持ち上げる
Thinned wafer supported by frame 薄化したウェハーがフレームによって支持される
20 デバイスウェハー
202 固定チャック
203 スペーサー
222 上側チャック
239 Z-axis Z軸
30 キャリアウェハー
310 MODULE B ボンダーモジュールB
Process Basics 基本工程
Place bottom adhesive carrier on fixture 下部接着剤キャリアを固定具上に載置
Place top wafer on spacer flags 上部ウェハーをスペーサーフラグ上に載置
Manual Align 手動でアライメント
Load into chamber チャンバーにロード
Vacuum pump down 真空ポンプ吸引
Remove spacers, drop wafer toedge bead スペーサーを取り外し、ウェハーをエッジビードに降ろす
Purge chamber(force) チャンバーをパージ(力)
Heat to 〜200C およそ200Cまで加熱
Cool to unload temp アンロード温度に冷却
Unload fixture 固定具をアンロード
80a ボンディング工程C TEMORARY BOND PROCESS C 一時的なボンド工程C
20 Device Wafer デバイスウェハー
20a 表面
23 接着剤層
30 キャリアウェハー/Carrier キャリア
30a 表面
33 光吸収リリース層
(82) Coat with 3M adhesive 3M接着剤でコーティング
(84) Flip Wafer ウェハーを裏返す
(86) Coat / bake withLaser absorbing Release layer レーザー吸収リリース層でコーティング/焼成 スピンコーティング
UV cure adhesive 接着剤をUV硬化
(87) Mechanicaal (optical)Alignment 機械的(光学的)アライメント/接着剤層をUV光で硬化
(88) Temporary Bond 一時的なボンド
80b DEBOND PROCESSC デボンド工程C
10 ウェハー積層体
20 デバイスウェハー
20a デバイスウェハー表面
25 ダイシングフレーム
30 キャリアウェハー
33 リリース層
Processed Device Wafer 処理されたデバイスウェハー
Carrier キャリア
(56)Mount to Frame フレームに取り付ける
(57)YAG Laser release YAGレーザー放出/ウェハー積層体を分離
(58)Mechanical lift 機械的に持ち上げる
(59)Peel Adhesive 接着剤を剥離
Thinned wafer supported by frame 薄化したウェハーがフレームによって支持される
410 MODULE C モジュールC
20 デバイスウェハー
23 接着剤層
30 キャリアウェハー
33 リリース層
412 上部チャック
413 保持ピン
414 下部チャック
Process Basics 基本工程
Place LTHC carrier on top chuck LTHCキャリアを上部チャック上に載置
Apply holding pins 保持ピンを適用
Place adhesive wafer on bottomchuck 接着剤ウェハーを下部チャック上に載置
Robot align ロボットアライメント
Vacuum pump down 真空ポンプ吸引
Top chuck moves down , slidingon holding pins 上部チャックを保持ピン上で摺動させながら下方に移動
Apply force 力を適用
Unload stack 積層体をアンロード
UV cure adhesive 接着剤をUV硬化
CLUSTER MODULE クラスターモジュール
101 ハウジング
102 上側キャビネット構造部
103 LOWER CABINET 下側キャビネット
104 LEVELING ADJUSTMENTS レベリング調整部
105 SERVICE ACCESS SIDE サービスアクセス側面
106 TRANAPORT CASTERS 搬送キャスター
110 一時的なボンダークラスター
MODULE UPPER STRUCTURE モジュール上側構造
210、310 CONFIGURABLE PROCESSMODULES 構成可能なプロセスモジュール
105 ROBOT ACCESS SIDE ロボットアクセス側面
ROBOT SIDE VIEW ロボット側面図
130 HOT PLATE MODULE ホットプレートモジュール
140 COLD PLATE MODULE コールドプレートモジュール
210、310 TEMP BOND MODULES 一時的なボンドモジュール
HOT PLATE MODULE ホットプレートモジュール
TEMPORARY BOND MODULE 一時的なボンドモジュール
210 一時的なボンドモジュール
211 ロードドア
212 ハウジング
220 上側ブロックアセンブリ
230 下側ブロックアセンブリ
235 入れ子式カーテンシール(telescoping curtain seal)
238 移送ピンステージ
242 Zガイドポスト
220 上側アセンブリ
230 下側アセンブリ
235 入れ子式カーテンシール
239 Z-axis Z軸
242 案内ポスト
243 Z軸ドライブ
230 下側ブロックアセンブリ
232 ヒーター板
233 抵抗性ヒーター素子
233A 第2の加熱ゾーン
233B 第1の加熱ゾーン
234 一体型空気冷却部
236 断熱層
237 水冷支持フランジ
238 移送ピンステージ
239 Z軸ブロック
240 移送ピン
242 ポスト
243 ボールねじ付き精密Z軸ドライブ
244 サブミクロン位置制御用リニアエンコーダーフィードバック
246 ギアボックス付きサーボモーター
220 上側ブロックアセンブリ
221 上部静止チャンバー壁
222 上側セラミックチャック
235 カーテン
235aシール要素
213 上部ハウジング壁
215a、215b クランプ
216 レベリングクランプ/ドライブアセンブリ
222 上側チャック
223a、223b 真空ゾーン
224a 200mm膜層
224b 300mm膜層
226 金属製フレクシャーストラップ(flexure straps:曲げストラップ)
232 下側セラミックヒーター板
460 機械的センタリング機構
460a、460b プリアライメントアーム
460c 直動アライメントアーム
461a、461b 機械的ジョー
461c ジョー
462、463 テーパー面
464 支持チャック
465 中心部
300MM PREALIGNMENT 300mmプリアライメント
図18B
200MM PREALIGNMENT 200mmプリアライメント
460 センタリング機構
464 支持チャック
30 ウェハー
471、472、473 ウェハーセンタリング機構
471a 直線中間位置エアベアリング又は機械的スライド
472a、473a 回転センタリングアーム
472b 左センタリングアームプッシュロッド
473b 右センタリングアームプッシュロッド
474 カム板
474a、474b 直線カムプロファイル
30 ウェハー
480 ウェハーセンタリング機構
481、482、483 センタリングリンク機構
481a 直線中間位置エアベアリング又は機械的スライド
482 左センタリングアームプッシュロッド
482a、483a 回転センタリングアーム
483 右センタリングアームプッシュロッド
484、485 板
484a、484b 直線カムプロファイル
486a、486b センタリングアーム/ロッド
20 上部基板
210 ボンダーモジュール
222 上側真空チャック
240a 移送ピン
240a 300mmピン
240b 200mmピン
461a、461b テーパーの機械的ジョー
461a、461b、461c テーパーの「漏斗」ジョー
(350)ローディング
(352) 移送ピン240aが下方に移動
(354)上方に移動
30 基板
232 下部真空チャック
240a 移送ピン
460 テーパーの機械的ジョー
461a、461b センタリングジョー
(356) ローディング
(358) 上方に移動
(359) 下方に移動
10 ウェハー積層体
20 上部基板
202 一時的なボンディングチャンバー
216 止め具
222 上側チャック
224a 上部膜
230 下部ヒータースステージ
232 下部上部チャック
235 カーテンシール
239 Z軸ステージ
30 下部基板
(360) 閉鎖
(362) 移動
(364) 加熱
(366) アンローディング
150 熱摺動デボンダー
151 TOP CHUCK ASSEMBLY 上部チャックアセンブリ
152 LOW THERMAL MASS BOTTOMCHUCK 低熱質量下部チャック
153 STATIC GANTRY 静止ガントリー
154 X-AXIS CARRIAGE DRIVE(AIR BEARING) X軸キャリッジドライブ(エアベアリング)
155 LIFT PIN ASSEMBLY (200AND 300mm WAFER) リフトピンアセンブリ(200mmウェハー及び300mmウェハー)
156 LATERAL CARRIAGEGUIDANCE (BOTH SIDES) 横キャリッジ案内(両側面)
162 ガイドシャフト
163 BASE PLATE ベース板
Z−AXIS Z軸
151 TOP CHUCK ASSEMBLY 上部チャックアセンブリ
157 TOP SUPPORT CHUCK (BOLTEDTO GANTRY) 上部支持チャック(ガントリーにボルト締めされている)
158 HEATER SUPPORT PLATE ヒーター支持板
159 TOP HEATER 上部ヒーター
160 Z-AXIS Z軸
161 SPLIT CLAMP(3×)(PNEUMATICALLY ACTUATED) 分割クランプ(3×)(空気圧作動式)
162 GUIDE SHAFT (3X) ガイドシャフト(×3)
164 上側ウェハー板/ヒーター下面
100 一時的なウェハーボンディング及びデボンディングするための改善された装置
152 LOW THERMAL MASSBOTTOM CHUCK 低熱質量下部チャック
154 X-AXIS CARRIAGE(ON AIR BEARING) X軸キャリッジ(エアベアリングによる)
155 LIFT PIN ASSEMBLY リフトピンアセンブリ
156 LATERAL CARRIAGEGUIDANCE 横キャリッジ案内
163 GRANITE BASE 花崗岩ベース
169 Z軸
X-axis X軸
GANTRY ガントリー
TOP CHUCK ASSEMBLY 上部チャックアセンブリ
10 ウェハー積層体
20 デバイスウェハー
30 キャリアウェハー
151 上部チャック/上部チャックアセンブリ
152 下部チャック
155 一次的なリフトピン
159 上部ヒーター
160 Z軸
161 分割クランプ
162 ガイドシャフト
164 下面
165a 方向
165b 方向
(171)ローディング
Load substrate stack on primarylift pins 基板積層体を一次的なリフトピン上にロード
Carrier wafer on top キャリアウェハーを上にする
Thinned wafer on bottom 薄化したウェハーを下にする
Bonded to wafer ウェハーにボンディングされる
On e-chuck eチャック上に
(172)下降
X-axis carriage indexes tocontact position X軸キャリッジが接触位置に割り出し
Bottom chuck over top heater 下部チャックを上部ヒーターに重ねる
(174)移動
Substrate stack and heater atgap 基板積層体及びヒーターの間隙を調整
ロック(175)
TOP chuck z-axis moves down 上部チャックのZ軸を下方に移動させる
Float air on upper heater and carrier 上側ヒーター及びキャリアに空気を浮上させる
Dwell until carrier achievestemp setpoint キャリアが温度設定点に達するまで一時停止
Pull vacuum on carrier キャリア上で真空引き
Lock guide shaft in split clamp ガイドシャフトを分割クランプにロック
(176)Controlled thermal slideseparation of substrates 基板の熱摺動分離を制御
Top chuck assembly rigidly held 上部チャックアセンブリが強固に保持される
Compliant bottom wafer stack 下部ウェハー積層体は順応性がある
Twist bottom chuck and slideX-axis carriage along 165b 下部チャックを捻り、X軸キャリッジを方向165bに沿って摺動
(177)X-axis carriage indexes toload/unload position X軸キャリッジがローディング/アンローディング位置に割り出し
Cool debonded wafer デボンディングされたウェハーを冷却
Enclosure ensures operatorsafely エンクロージャーが操作者を安全に確保
(178)Primary substrate lift pins upfor unload アンロードのために一次的な基板リフトピンを上昇
(179)Remove bottom substrate 下部基板を取り外す
(180)X-axis carriage indexes back tocontact position for carrier wafer removal X軸キャリッジがキャリアウェハーの取り外しのために接触位置に戻るように割り出し
(181)Secondary lift pins up 二次的なリフトピンを上昇
Secondary lift pins contactadhesive side of carrier wafer 二次的なリフトピンがキャリアウェハーの接着剤側面に接触
Air purge on heater to release carrier from heater 空気をヒーター上でパージしてヒーターからキャリアを解放
(182)Secondary lift pins down to afly height above bottom chuck plane as not to contaminate surface with adhesive 接着剤で表面を汚さないように二次的リフトピンを下部チャック平面の真上の高さに下降
(183)X-axis carriage indexes back toload / unload position for carrier removal キャリアを取り外すためにX軸キャリッジがロード/アンロード位置に割り出して戻る
Cool carrier wafer キャリアウェハーを冷却
Secondary life pins to up height 二次的リフトピンの高さを上昇
Remove carrier wafer キャリアウェハーを取り外す
25 TAPE FRAME WITHSUBSTRATES LOADED ローディングされた基板を有するテープフレーム
251 ベース板
252 支持板252
253 FLEX PLATE 屈曲板
254 LIFT PIN ASSEMBLY (200AND 300mm WAFERS) リフトピンアセンブリ(200mmウェハー及び300mmウェハー)
255 CARRIER WAFER VACUUMSEAL (TWO ZONES FOR 200 AND 300mm WAFERS) キャリアウェハー真空シール(200mmウェハー及び300mmウェハー用の2つのゾーン)
258 HINGE GEAR ASSEMBLY ヒンジギアアセンブリ
259 DEBOND MOTOR DRIVE デボンドモータードライブ
260 CONTACT ROLLER(LINE CONTACT OF FORCE ON FLEX PLATE) 接触ローラー(屈曲板にかかる力の直線接触)
ROLLER ASSEMBLY GIUDANCE ローラーアセンブリ案内
30 キャリアウェハー
251 BASE PLATE ベース板
252 CHUCK SUPPORT PLATE チャック支持板
253 FLEX PLATE 屈曲板
254 LIFT PIN ASSEMBLY(USED FOR 200 AND 300mm WAFARS) リフトピンアセンブリ(200mmウェハー及び300mmウェハーに使用される)
256 POROUS VACUUM CHUCKFOR THIN WAFER SUPPORT 薄いウェハー支持用の多孔質真空チャック
257 HINGE MOTOR DRIVE ヒンジモータードライブ
258 ANTI-BACKLASH GEARDRIVE アンチバックラッシュギアドライブ
259 DEBOND MOTOR DRIVE デボンドモータードライブ
260 CONTACT ROLLER 接触ローラー
262 TAPE FRAMEREGISTRATION PINS(RED) テープフレーム整合ピン(赤)
263 ヒンジ
(271)Load tape frame with wafer stack テープフレームをウェハー積層体と共にロード
Carrier wafer on top キャリアウェハーを上にする
Thinned wafer on bottom 薄化したウェハーを下にする
Index tape frame againstregistration pins and lock tape frame テープフレームを整合ピンに対して割り出し、テープフレームをロック
Pull vacuum on porous chuck tohold tape frame adhesive film テープフレームの接着剤フィルムを保持するように多孔質チャック上で真空引き
Thinned wafer fully supported onporous vacuum chuck 薄化したウェハーが多孔質真空チャック上で十分に支持される
(272)Engage hinge motor to close flexplate onto wafer stack ウェハー積層体上に屈曲板を閉鎖するようにヒンジモーターを係合
Pull vacuum on carrier wafer(top) via o-ring/suction cup sealing Oリング/吸着盤のシールを介してキャリアウェハ―(上部)で真空引き
Holding torque of hinge motorkeeps flex plate in “closed position” 「閉鎖位置」に屈曲板を維持するようにヒンジモーターのトルクを保持
(273)Engage debond motor drive for delamination of waferstack ウェハー積層体の離層のためにデボンドモータードライブを係合
Plasma activated release layertuned to release elastomer from thinned wafer first (bottom) プラズマ活性化したリリース層が薄化したウェハー(下部)から先にエラストマーを解放するように調整される
Through initial flexing, carrierwafer fully delaminates / debonds from thinned wafer 最初の屈曲によりキャリアウェハーが薄化したウェハーから完全に離層/デボンディング
Hold debond motor drive at thisposition デボンドモータードライブをこの位置に保持
(274)Hinge motor opens flex plate incontrolled manner to “open position” ヒンジモーターが屈曲板を制御された方法で「開放位置」に開放
Release vacuum on carrier wafer キャリアウェハー上で真空を解放
Lift pins up to remove carrierwafer with elastomer facing up エラストマーが上に面したキャリアウェハーを取り外すようにピンを上昇
Release vacuum and unlocked tapeframe for manual removal 手動による取り外しのために真空を解放してテープフレームをアンロック
253a 縁
Claims (81)
- 電子ウェハー構造体の一時的なボンディング及びデボンディングのための改善された装置であって、
接着剤層によるボンディング、接着剤層とリリース層との組み合わせによるボンディング及びUV光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせによるボンディングを含む電子ウェハーボンディング工程を行うように構成された一時的なボンダーモジュールのクラスターと、
一時的なボンダーモジュールによって行われた該電子ウェハーボンディング工程を介してボンディングされた電子ウェハーをデボンディングするデボンディング工程を行うように構成されたデボンダーモジュールのクラスターであって、前記デボンディング工程は、熱摺動デボンディング、機械的デボンディング及び照射デボンディングを含む、デボンダーモジュールのクラスターと、
を備える、装置。 - 電子ウェハー構造体の一時的なボンディング及びデボンディングのための改善された装置であって、
一時的なボンダーモジュールのクラスターであって、
接着剤層を介して2つのウェハー表面間に一時的な結合を形成する機器を含む、第1のボンダーモジュール、及び
接着剤層とリリース層との組み合わせを介して2つのウェハー表面間に一時的な結合を形成する機器を含む、第2のボンダーモジュール、
を含む、一時的なボンダーモジュールのクラスターと、
デボンダーモジュールのクラスターであって、
接着剤層を介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングする機器を含む、熱摺動デボンダーモジュールであって、前記機器は、該ボンディングされた2つのウェハーを加熱する手段、及び熱が加えられている間に一方のウェハーを他方のウェハーに対して摺動させる手段を含む、熱摺動デボンダーモジュール、及び
接着剤層とリリース層との組み合わせを介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングする機器を含む、機械的デボンダーモジュールであって、前記機器は、該ボンディングされた2つのウェハーを加熱する手段、及び熱が加えられている間に一方のウェハーを他方から離すように縦に機械的に押す手段を含む、機械的デボンダーモジュール、
を含むデボンダーモジュールのクラスターと、
を備える、装置。 - 前記一時的なボンダーモジュールのクラスターは、UV光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせを介して2つのウェハー表面間に一時的な結合を形成する機器を含む、第3のボンダーモジュールを更に含み、
前記デボンダーモジュールのクラスターは、UV光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせを介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングする機器を含む、照射デボンダーモジュールを更に含み、前記デボンディングする機器は、該ボンディングされた2つのウェハーにレーザー照射を加える手段、及び一方のウェハーを他方から離すように機械的に分離する手段を含む、請求項2に記載の装置。 - 前記一時的なボンダーモジュール及びデボンダーモジュールは縦に積み重ねられる、請求項3に記載の装置。
- 前記第1のボンダーモジュール機器は、前記接着剤層をキャリアウェハーの表面上に施す手段と、前記施された接着剤層を焼成する手段及び冷却する手段と、デバイスウェハーの表面上に保護層を施す手段と、前記施された保護層を焼成する手段及び冷却する手段と、該接着剤層が該保護層に対向するように該キャリアウェハーを配向して該デバイスウェハーとアライメントする手段と、該アライメントしたキャリアウェハーを該デバイスウェハーと接触させ、それによって、積層されたウェハー対を形成する手段と、該積層されたウェハー対上に力を加える手段と、力が加えられている間に該積層されたウェハー対を加熱し、それによって、ボンディングされたウェハー対を形成する手段とを備える、請求項2に記載の装置。
- 前記第2のボンダーモジュール機器は、デバイスウェハーの表面上にリリース層を形成する手段及び前記形成されたリリース層上に第1の接着剤層を施す手段と、キャリアウェハーの表面上に第2の接着剤層を施す手段と、該第2の接着剤層が該第1の接着剤層に対向するように該キャリアウェハーを配向して該デバイスウェハーとアライメントする手段と、該アライメントしたキャリアウェハーを該デバイスウェハーと接触させ、それによって、積層されたウェハー対を形成する手段と、該積層されたウェハー対上に力を加える手段と、力が加えられている間に該積層されたウェハー対を加熱し、それによって、ボンディングされたウェハー対を形成する手段とを備える、請求項2に記載の装置。
- 前記第3のボンダーモジュール機器は、デバイスウェハーの表面上にUV光硬化性接着剤層を施す手段と、キャリアウェハーの表面上にレーザー吸収リリース層を施す手段と、該レーザー吸収リリース層が該UV光硬化性接着剤層に対向するように該キャリアウェハーを配向して該デバイスウェハーとアライメントする手段と、該アライメントしたキャリアウェハーを該デバイスウェハーと接触させ、それによって、積層されたウェハー対を形成する手段と、該積層されたウェハー対上に力を加える手段と、力が加えられている間に該積層されたウェハー対にUV光をあて、それによって、ボンディングされたウェハー対を形成する手段とを備える、請求項3に記載の装置。
- 前記ボンダーモジュールのいずれかは、
上側ブロックアセンブリと、
該上側ブロックアセンブリの下に対向して配置される下側ブロックアセンブリと、
該上側ブロックアセンブリと該下側ブロックアセンブリとの間に設けられており、該上側ブロックアセンブリと該下側ブロックアセンブリとの間の容積を囲んでシールする入れ子式カーテンであって、前記シールされる容積は、前記第1のボンダーモジュール機器を収容する一時的なボンディングチャンバーを画定する、入れ子式カーテンと、
前記一時的なボンディングチャンバーを真空排気する手段と、
前記一時的なボンディングチャンバーにガスを供給する手段と、
を備える、請求項3に記載の装置。 - 前記ボンダーモジュールのいずれかは、2つ以上のZガイドポストを更に含み、前記上側ブロックアセンブリ及び前記下側ブロックアセンブリは前記Zガイドポストと可動接続される、請求項8に記載の装置。
- 前記下側ブロックアセンブリは、
上面及び下面を有するヒーター板であって、前記ヒーター板の上面は、第1のウェハーを支持及び加熱するように構成されている、ヒーター板と、
上面及び下面を有する断熱層であって、前記断熱層の上面は前記ヒーター板の下面と接触している、断熱層と、
上面及び下面を有する冷却支持フランジであって、前記冷却支持フランジの上面は前記断熱層の下面と接触している、冷却支持フランジと、
前記冷却支持フランジの下に配置されており、前記冷却支持フランジを通る3つ以上の移送ピンを支持する、移送ピンステージであって、前記断熱層及び前記ヒーター板は前記第1のウェハーを昇降させるように構成されている、移送ピンステージと、
精密Zドライブ、及びサブミクロン位置制御用リニアエンコーダーフィードバックを含むZ軸ブロックドライブであって、前記下側ブロックアセンブリをZ方向に上下に移動させるように構成されている、Z軸ブロックドライブと、
を備える、請求項8に記載の装置。 - 前記ヒーター板は、200ミリメートル又は300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを加熱するように構成された、独立して制御される2つの同心円状加熱ゾーンを含む、請求項10に記載の装置。
- 前記ヒーター板は、200ミリメートル又は300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを該ヒーター板の上面上に保持するように構成された、独立して制御される2つの同心円状真空ゾーンを更に含む、請求項11に記載の装置。
- 前記上側ブロックアセンブリは、
第2のウェハーを保持するように構成された上側セラミックチャックであって、非常に平坦で薄い半順応性セラミック板を含む、上側セラミックチャックと、
静止チャンバー壁であって、該静止チャンバー壁に対して前記入れ子式カーテンがシール要素によりシールを形成する、静止チャンバー壁と、
200ミリメートル及び300ミリメートルの直径をそれぞれ有する同心円状の第1の膜層及び第2の膜層であって、前記上側チャックと上部ハウジング壁との間でクランプされ、200ミリメートル及び300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを保持するように設計された別個の第1の真空ゾーン及び第2の真空ゾーンを形成する、第1の膜層及び第2の膜層と、
該上側セラミックチャックをレベリングして該上部ハウジング壁に対してクランプするように構成された3つ以上の調整可能なレベリングクランプ/ドライブアセンブリと、
を備える、請求項8に記載の装置。 - 前記膜層はエラストマー材料又は金属ベローズのうちの一方を含む、請求項13に記載の装置。
- 前記クランプ/ドライブアセンブリは、該上側セラミックチャックを、並進させることなく、該保持された第2のウェハーの中心部に対応する中心点を中心に回転及び/又は傾斜させるウェッジエラー補償機構を更に備える、請求項14に記載の装置。
- 前記ボンダーモジュールのいずれかにおいて前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーをプリアライメント、ローディング及びアンローディングするように構成された機械的センタリング機構を更に備える、請求項8に記載の装置。
- 前記機械的センタリング機構は、
2つのプリアライメントアームであって、各プリアライメントアームはその第1の端に機械的ジョーを備え、前記機械的ジョーは、前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーの湾曲エッジに合致するテーパー面を含む、2つのプリアライメントアームと、
前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーの該湾曲エッジに合致するテーパー面を有する静止ジョーと、
を備える、請求項16に記載の装置。 - 2つのウェハー表面を一時的にボンディングするための方法であって、
互いに対して反対にある第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を含む第1のウェハーを準備すること、
互いに対して反対にある第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を含む第2のウェハーを準備すること、
前記第2のウェハーの前記第1の表面上に接着剤層を施すこと、
上側ブロックアセンブリと、該上側ブロックアセンブリの下に対向して配置される下側ブロックアセンブリと、該上側ブロックアセンブリと該下側ブロックアセンブリとの間に設けられており、該上側ブロックアセンブリと該下側ブロックアセンブリとの間の容積を囲んでシールする入れ子式カーテンであって、前記シールされる容積は一時的なボンディングチャンバーを画定する、入れ子式カーテンと、前記一時的なボンディングチャンバーを真空排気する手段と、前記一時的なボンディングチャンバーにガスを供給する手段とを備える、ボンダーモジュールを準備すること、
前記第1のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、その第1の表面が下向きなるように前記上側ブロックアセンブリによって前記第1のウェハーを保持する、挿入し保持すること、
前記第2のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、前記接着剤層が前記第1のウェハーの第1の表面に対向するように前記下側ブロックアセンブリ上に前記第2のウェハーを載置する、挿入し載置すること、
前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーをセンタリングし、前記第1のウェハーの第1の表面が前記第2のウェハーの前記接着剤層に対向して平行になるようにアライメントする、センタリングしアライメントすること、
前記接着剤層と前記第1のウェハーの前記第1の表面との間に狭まったプロセス間隙を形成するように、前記下側ブロックアセンブリを上方に移動させること、
前記入れ子式カーテンを閉鎖することであって、それによって、前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーを囲む一時的なボンディングチャンバーを形成する、閉鎖すること、
前記第1のウェハーが機械的ジョーを介して保持されている間、前記一時的なボンディングチャンバーを最初の深い真空に真空排気すること、
前記最初の深い真空に達すると、前記一時的なボンディングチャンバーの圧力を前記最初の深い真空を超えて僅かに上げるように前記一時的なボンディングチャンバーにガスを供給することであって、それによって、前記第1のウェハーを前記上側ブロックアセンブリと接触状態に保持する差圧を生じさせる、供給すること、
該下側ブロックアセンブリを、該接着剤層を該第1のウェハーの該第1の表面と接触させるように上方に移動させること、
該第1のウェハー及び該第2のウェハーを前記接着剤層の融点を超えるプロセス温度に加熱しながら、該上側ブロックアセンブリを介して該第1のウェハー及び該第2のウェハーに力を加えることであって、それによって、一時的にボンディングされたウェハー対を形成する、力を加えること、並びに
該ボンディングされたウェハー対を冷却し、該ボンダーモジュールからアンローディングする、冷却しアンローディングすること、
を含む、方法。 - 前記上側ブロックアセンブリは半順応性チャックを含み、前記力は、前記半順応性チャックを介して該第1のウェハー及び該第2のウェハーの結合界面に対して垂直に加えられる、請求項18に記載の方法。
- 前記上側ブロックは非順応性チャックを含み、前記方法は、前記下側ブロックアセンブリの上方移動を介して、該ボンディングされたウェハー対における該接着剤層の最終厚を制御することを更に含む、請求項18に記載の方法。
- 電子ウェハー構造体の一時的なボンディングのための改善された装置であって、
接着剤層を介して2つのウェハー表面間に一時的な結合を形成する機器を含む、第1のボンダーモジュールと、
接着剤層とリリース層との組み合わせを介して2つのウェハー表面間の一時的な結合を形成する機器を含む、第2のボンダーモジュールと、
UV光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせを介して2つのウェハー表面間に一時的な結合を形成する機器を含む、第3のボンダーモジュールと、
を備える、装置。 - 接着剤層を介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングするためのデボンダー装置であって、
ヒーター及びウェハーホルダーを含む上部チャックアセンブリと、
下部チャックアセンブリと、
該上部チャックアセンブリを支持する静止ガントリーと、
該下部チャックアセンブリを支持するX軸キャリッジドライブと、
ローディングゾーンから該上部チャックアセンブリの下のプロセスゾーンまで、及び、該プロセスゾーンから該ローディングゾーンに戻るまで、該下部チャックアセンブリを水平に駆動するように構成されたX軸ドライブ制御部と、
を備え、
接着剤層を介してデバイスウェハーにボンディングされたキャリアウェハーを含むウェハー対は、該デバイスウェハーのボンディングされていない表面が該下部アセンブリと接触するように配向された該ローディングゾーンにおいて前記下部チャックアセンブリ上に載置され、前記X軸キャリッジドライブによって該上部チャックアセンブリの下の該プロセスゾーンに運ばれ、該キャリアウェハーのボンディングされていない表面は該上部チャックアセンブリと接触して載置され、
前記X軸ドライブ制御部は、前記ボンディングされたウェハー対が前記ヒーターを介して前記接着剤層の融点付近又は該融点を超える温度に加熱されている間、及び、前記キャリアウェハーが前記ウェハーホルダーを介して前記上部チャックアセンブリによって保持されると共に前記デバイスウェハーが前記下部アセンブリによって保持されている間、該X軸に沿って前記X軸キャリッジドライブの水平の移動を開始し、それによって、該デバイスウェハーを該キャリアウェハーから分離させて離れるように摺動させる、デボンダー装置。 - 下部チャックアセンブリ上に載置されたウェハーを昇降させるように設計されたリフトピンアセンブリを更に備える、請求項22に記載のデボンダー。
- X軸キャリッジドライブ及び静止ガントリーを支持するベース板を更に備える、請求項22に記載のデボンダー。
- 前記ベース板はハニカム構造体及び防振支持体を含む、請求項24に記載のデボンダー。
- 前記ベース板は花崗岩板を含む、請求項24に記載のデボンダー。
- 前記下部チャックアセンブリは、低熱質量セラミック材料を含む下部チャックを含み、前記X軸キャリッジドライブ上の該X軸に沿って水平に摺動するように設計されていると共に、該Z軸を中心に捻るように設計されている、請求項22に記載のデボンダー。
- 前記X軸キャリッジドライブはエアベアリングキャリッジドライブを含む、請求項22に記載のデボンダー。
- X軸に沿って前記X軸キャリッジドライブをその水平移動にガイドする2つの平行な横キャリッジ案内トラックを更に備える、請求項22に記載のデボンダー。
- 前記上部チャックアセンブリは、
該静止ガントリーにボルト締めされた上部支持チャックと、
該上部支持チャックの下面と接触しているヒーター支持板と、
なお、前記ヒーターは該ヒーター支持板の下面と接触しており、
該ヒーターと接触している上部ウェハー板と、
該上部ウェハー板をZ方向に移動させ、該上部ウェハー板を該キャリアウェハーのボンディングされていない表面と接触させて載置する、Z軸ドライブと、
該上部ウェハー板をレベリングし、該上部ウェハー板のウェッジエラー補償を提供する板レベリングシステムと、
を更に備える、請求項22に記載のデボンダー。 - 前記ウェハーホルダーは前記キャリアウェハーの真空引きを含む、請求項30に記載のデボンダー。
- 前記板レベリングシステムは、前記ヒーターを前記上部支持チャックに接続する3つのガイドシャフト、及び3つの空気圧作動式分割クランプを含む、請求項30に記載のデボンダー。
- 前記ヒーターは、200ミリメートル又は300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを加熱するように構成された、独立して制御される2つの同心円状加熱ゾーンを含む、請求項30に記載のデボンダー。
- 接着剤層を介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングするための方法であって、
上部チャックアセンブリと、下部チャックアセンブリと、該上部チャックアセンブリを支持する静止ガントリーと、該下部チャックアセンブリを支持するX軸キャリッジドライブと、該X軸キャリッジドライブ及び該下部チャックアセンブリを、ローディングゾーンから該上部チャックアセンブリの下のプロセスゾーンまで、及び、該プロセスゾーンから該ローディングゾーンに戻るまで、水平に駆動するように構成されたX軸ドライブ制御部とを備えるデボンダーを準備すること、
デバイスウェハーのボンディングされていない表面が該下部アセンブリと接触するように配向された該ローディングゾーンにおいて前記下部チャックアセンブリ上に接着剤層を介して該デバイスウェハーにボンディングされたキャリアウェハーを含むウェハー対をローディングすること、
前記X軸キャリッジドライブ及び前記下部チャックアセンブリを該上部チャックアセンブリの下の該プロセスゾーンに駆動すること、
該キャリアウェハーのボンディングされていない表面を該上部チャックアセンブリに接触させて載置し、前記上部チャックアセンブリによって前記キャリアウェハーを保持する、載置し保持すること、
前記キャリアウェハーを、前記上部チャックアセンブリ内に含まれているヒーターにより、前記接着剤層の融点付近又は該融点を超える温度に加熱すること、並びに
熱が前記キャリアウェハーに加えられている間、及び、前記キャリアウェハーが前記上部チャックアセンブリによって保持されていると共に前記デバイスウェハーが前記下部チャックアセンブリによって保持されている間、前記X軸ドライブ制御部によってX軸に沿って前記X軸キャリッジドライブの水平移動を開始することであって、それによって、該デバイスウェハーを該キャリアウェハーから分離して離すように摺動させる、開始すること、
を含む、方法。 - 前記ウェハー対を該下部チャックアセンブリにリフトピンアセンブリを介して昇降させることを更に含む、請求項34に記載の方法。
- 前記デボンダーは、該X軸キャリッジドライブ及び該静止ガントリーを支持するベース板を更に備える、請求項34に記載の方法。
- 前記ベース板はハニカム構造体及び防振支持体を含む、請求項36に記載の方法。
- 前記ベース板は花崗岩板を含む、請求項36に記載の方法。
- 前記水平移動を開始すると同時に該デバイスウェハーを捻ることを更に含む、請求項34に記載の方法。
- 前記X軸キャリッジドライブはエアベアリングキャリッジドライブを含む、請求項34に記載の方法。
- 前記デボンダーは、該X軸に沿って前記X軸キャリッジドライブをその水平移動にガイドする2つの平行な横キャリッジ案内トラックを更に備える、請求項34に記載の方法。
- 前記上部チャックアセンブリは、
該静止ガントリーにボルト締めされた上部支持チャックと、
該上部支持チャックの下面と接触しているヒーター支持板と、
なお、前記ヒーターは該ヒーター支持板の下面と接触しており、
該ヒーターと接触している上部ウェハー板と、
該上部ウェハー板をZ方向に移動させ、該上部ウェハー板を該キャリアウェハーのボンディングされていない表面と接触させて載置する、Z軸ドライブと、
該上部ウェハー板をレベリングし、該上部ウェハー板のウェッジエラー補償を提供する板レベリングシステムと、
を更に備える、請求項34に記載の方法。 - 前記キャリアウェハーは、前記上部チャックアセンブリによって真空引きにより保持される、請求項34に記載の方法。
- 前記板レベリングシステムは、前記ヒーターを前記上部支持チャックに接続する3つのガイドシャフト、及び3つの空気圧作動式分割クランプを含む、請求項34に記載の方法。
- 前記ヒーターは、200ミリメートル又は300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを加熱するように構成された、独立して制御される2つの同心円状加熱ゾーンを含む、請求項34に記載の方法。
- リリース層と組み合わされた接着剤層を介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングするデボンダー装置であって、
チャック、及び該チャックの上面と接触状態にウェハーを保持するように構成された第1のウェハーホルダーを含む、チャックアセンブリと、
屈曲板、及び該屈曲板の第1の表面と接触状態にウェハーを保持するように構成された第2のウェハーホルダーを含む、屈曲板アセンブリであって、前記屈曲板は、ヒンジに接続された第1の縁、及び該第1の縁に直径方向に対向する第2の縁を含み、前記屈曲板の第1の縁は該チャックの第1の縁に隣接して配置され、前記屈曲板は、前記ヒンジを中心に揺動するように構成されていると共に、該チャックの該上面よりも上に載置されるように構成されている、屈曲板アセンブリと、
該チャックの第2の縁に隣接して配置される接触ローラーであって、該チャックの前記第2の縁はその第1の縁と直径方向に対向している、接触ローラーと、
該チャックの上面の平面に対して垂直に該接触ローラーを移動させるように構成されたデボンドドライブモーターと、
を備え、
デバイスウェハーに積層され、接着剤層及びリリース層を介して該デバイスウェハーにボンディングされるキャリアウェハーを含むウェハー対は、該デバイスウェハーのボンディングされていない表面が該チャックの上面と接触するように前記チャック上に載置され、
前記屈曲板は前記ヒンジを中心に揺動し、その第1の表面が該キャリアウェハーのボンディングされていない表面に接触するように前記下部チャックの上に載置され、
前記接触ローラーは、前記第2のウェハーホルダー及び前記第1のウェハーホルダーをそれぞれ介して、前記キャリアウェハーが前記屈曲板によって保持されていると共に前記デバイスウェハーが前記チャックによって保持されている間、該屈曲板の該第2の縁と接触して該屈曲板の該第2の縁を押し上げるまで上方に駆動され、
前記接触ローラーは該屈曲板の前記第2の縁を押して屈曲させ、該リリース層に沿って該ウェハー対の離層を生じさせる、デボンダー装置。 - ヒンジモーターを更に備え、前記ヒンジは前記ヒンジモーターによって駆動される、請求項46に記載のデボンダー。
- 前記第1のホルダー及び前記第2のホルダーは、該チャック及び該屈曲板をそれぞれ通じての真空引きを含む、請求項46に記載のデボンダー。
- 前記ウェハー対はテープフレームを更に含み、前記デバイスウェハーは、該チャックを通じての真空引きによって前記テープフレームを保持することにより前記チャックによって保持される、請求項46に記載のデボンダー。
- 前記チャックアセンブリ、前記屈曲板アセンブリ及び前記ヒンジを支持する支持板を更に備える、請求項46に記載のデボンダー。
- 前記支持板、前記接触ローラー、前記ヒンジモーター及び前記デボンドドライブモーターを支持するベース板を更に備える、請求項50に記載のデボンダー。
- 前記屈曲板アセンブリは、該屈曲板の該第1の表面上に載置されたウェハーを昇降させるように設計されるリフトピンアセンブリを更に備える、請求項46に記載のデボンダー。
- 前記屈曲板は、200ミリメートル又は300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを保持するように構成された、独立して制御される2つの同心円状真空ゾーンを更に含む、請求項46に記載のデボンダー。
- 前記真空ゾーンはOリング又は吸着盤のうちの一方を介してシールされる、請求項53に記載のデボンダー。
- 前記チャックは多孔質セラミック材料から作製される真空チャックを含む、請求項54に記載のデボンダー。
- 屈曲板の不慮のバックスイングを防止するように構成されたアンチバックラッシュギアドライブを更に備える、請求項46に記載のデボンダー。
- リリース層と組み合わせた接着剤層を介して一時的にボンディングされた2つのウェハーをデボンディングするための方法であって、
チャックアセンブリと、屈曲板アセンブリと、接触ローラーとを備える、デボンダー装置を準備することであって、前記チャックアセンブリは、チャック、及び該チャックの上面と接触状態にウェハーを保持するように構成された第1のウェハーホルダーを含み、前記屈曲板アセンブリは、屈曲板、及び該屈曲板の第1の表面と接触状態にウェハーを保持するように構成された第2のウェハーホルダーを含み、前記屈曲板は、ヒンジに接続された第1の縁及び該第1の縁に直径方向に対向している第2の縁を含み、前記屈曲板の第1の縁は、該チャックの第1の縁に隣接して配置され、前記屈曲板は、前記ヒンジを中心に遥動するように構成されていると共に、該チャックの該上面の上に載置されるように構成されており、前記接触ローラーは、該チャックの第2の縁に隣接して配置され、該チャックの前記第2の縁はその第1の縁に直径方向に対向している、準備すること、
デバイスウェハーに積層され、接着剤層及びリリース層を介してボンディングされるキャリアウェハーを含むウェハー対を準備すること、
該デバイスウェハーのボンディングされていない表面が該チャックの上面と接触するように前記ウェハー対を前記チャックに載置すること、
前記ヒンジを中心に前記屈曲板を揺動させ、前記屈曲板をその第1の表面が該キャリアウェハーのボンディングされていない表面に接触するように前記下部チャックの上に載置する、揺動させ載置すること、並びに
前記第2のウェハーホルダー及び前記第1のウェハーホルダーをそれぞれ介して、前記キャリアウェハーが前記屈曲板によって保持されていると共に前記デバイスウェハーが前記チャックによって保持されている間、前記接触ローラーが該屈曲板の該第2の縁と接触して該屈曲板の該第2の縁を押し上げるまで前記接触ローラーを上方に駆動すること、
を含み、
前記接触ローラーは、該屈曲板の前記第2の縁を押して屈曲させ、該リリース層に沿って該ウェハー対の離層を生じさせる、方法。 - 前記デボンド装置は、該チャックの上面の平面に対して垂直に該接触ローラーを移動させるように構成されたデボンドドライブモーターを更に備える、請求項57に記載の方法。
- 前記デボンダー装置はヒンジモーターを更に備え、前記ヒンジは前記ヒンジモーターによって駆動される、請求項57に記載の方法。
- 前記第1のホルダー及び前記第2のホルダーは、該チャック及び該屈曲板をそれぞれ通じての真空引きを含む、請求項57に記載の方法。
- 前記ウェハー対はテープフレームを更に含み、前記デバイスウェハーは、前記チャックを通じての真空引きによって前記テープフレームを保持することにより前記チャックによって保持される、請求項57に記載の方法。
- 前記デボンダー装置は、前記チャックアセンブリ、前記屈曲板アセンブリ及び前記ヒンジを支持する支持板を更に備える、請求項57に記載の方法。
- 前記デボンダー装置は、前記支持板、前記接触ローラー、前記ヒンジモーター及び前記デボンドドライブモーターを支持するベース板を更に備える、請求項57に記載の方法。
- 前記屈曲板アセンブリは、該屈曲板の該第1の表面上に載置されたウェハーを昇降させるように設計されるリフトピンアセンブリを更に備える、請求項57に記載の方法。
- 前記屈曲板は、200ミリメートル又は300ミリメートルの直径をそれぞれ有するウェハーを保持するように構成された、独立して制御される2つの同心円状真空ゾーンを更に含む、請求項57に記載の方法。
- 前記真空ゾーンはOリング又は吸着盤のうちの一方を介してシールされる、請求項65に記載の方法。
- 前記チャックは多孔質セラミック材料から作製される真空チャックを含む、請求項66に記載の方法。
- 前記デボンダー装置は、該屈曲板の不慮のバックスイングを防止するように構成されたアンチバックラッシュギアドライブを更に備える、請求項57に記載の方法。
- 円形のウェハーをセンタリングする機構であって、
センタリングすべき円形のウェハーを上面で支持する支持チャックと、
該支持チャックの該上面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、第1の機械的ジョーを備える、第1の回転移動可能なアライメントアームであって、前記第1の機械的ジョーは該円形のウェハーの湾曲エッジと合致する湾曲テーパー縁面を含む、第1の回転移動可能なアライメントアームと、
該支持チャックの該上面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、第2の機械的ジョーを備える、第2の回転移動可能なアライメントアームであって、前記第2の機械的ジョーは、該円形のウェハーの該湾曲エッジに合致する湾曲テーパー縁面を含む、第2の回転移動可能なアライメントアームと、
該円形のウェハーの該湾曲エッジに合致する湾曲テーパー内面を含む、第3の直線移動アライメントアームと、
を備え、
前記第1のアライメントアーム、前記第2のアライメントアーム及び前記第3のアライメントアームは互いから120度の角度で該支持チャックの周りに配置され、
該支持チャック上に載置される円形のウェハーは、該第1の機械的ジョーの該湾曲テーパー縁面及び該第2の機械的ジョーの該湾曲テーパー縁面が第1の周囲領域及び第2の周囲領域それぞれにおいて該円形のウェハーの外周に接触するように、該支持チャックの中心部に向けて該第1のアライメントアーム及び該第2のアライメントアームを回転させることによって、また、その湾曲テーパー内面が第3の周囲領域において該円形のウェハーの外周に接触するように該支持チャックの中心部に向けて該第3のアライメントアームを直線移動させることによってセンタリング及びアライメントされ、前記第1の周囲領域、前記第2の周囲領域及び前記第3の周囲領域は互いから120度の角度ずつ分けられている、機構。 - 前記機械的ジョーは、200ミリメートルの直径を有する円形のウェハーの湾曲エッジに合致する第1の湾曲テーパー縁面、及び300ミリメートルの直径を有する円形のウェハーの湾曲エッジに合致する第2の湾曲テーパー縁面を含む、請求項69に記載の機構。
- 円形のウェハーをセンタリングする機構であって、
センタリングすべき円形のウェハーを上面で支持する支持チャックと、
該支持チャックの該上面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、第1の機械的ジョーを備える、第1の回転移動可能なアライメントアームであって、前記第1の機械的なジョーは、該円形のウェハーの湾曲エッジに合致する湾曲テーパー縁面を含む、第1の回転移動可能なアライメントアームと、
該支持チャックの該上面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、第2の機械的ジョーを備える、第2の回転移動可能なアライメントアームであって、前記第2の機械的ジョーは、該円形のウェハーの該湾曲エッジに合致する湾曲テーパー縁面を含む、第2の回転移動可能なアライメントアームと、
該支持チャックの該上面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、第3の機械的ジョーを備える、第3の回転移動可能なアライメントアームであって、前記第3の機械的ジョーは、該円形のウェハーの該湾曲エッジに合致する湾曲テーパー縁面を含む、第3の回転移動可能なアライメントアームと、
を備え、
前記第1のアライメントアーム、前記第2のアライメントアーム及び前記第3のアライメントアームは、互いから120度の角度で該支持チャックの周りに配置され、
該第1の機械的ジョー、該第2の機械的ジョー及び該第3の機械的ジョーの該湾曲テーパー縁面が第1の周囲領域、第2の周囲領域及び第3の周囲領域それぞれにおいて該円形のウェハーの外周に接触するように、該支持チャックの中心部に向けて該第1のアライメントアーム、該第2のアライメントアーム及び該第3のアライメントアームを回転させることによって、該支持チャック上に載置された円形のウェハーをセンタリング及びアライメントし、前記第1の周囲領域、前記第2の周囲領域及び前記第3の周囲領域は互いから120度の角度ずつ分けられている、機構。 - 前記機械的ジョーは、200ミリメートルの直径を有する円形のウェハーの湾曲エッジに合致する第1の湾曲テーパー縁面、及び300ミリメートルの直径を有する円形のウェハーの湾曲エッジに合致する第2の湾曲テーパー縁面を含む、請求項71に記載の機構。
- 円形のウェハーをセンタリングする機構であって、
センタリングすべき円形のウェハーを上面で支持する支持チャックと、
第1の端に第1の回転アームを含む左センタリングリンク機構ロッドであって、該左センタリングリンク機構ロッドの直線状の動きが該第1の回転アームの回転の動きに変わり、前記第1の回転アームは該支持チャックの該上面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、該円形のウェハーの湾曲エッジに対してロールするように構成された湾曲縁面を含む、左センタリングリンク機構ロッドと、
第1の端に第2の回転アームを含む右センタリングリンク機構ロッドであって、該右センタリングリンク機構ロッドの直線状の動きが該第2の回転アームの回転の動きに変わり、前記第2の回転アームは、該支持チャックの該上面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、該円形のウェハーの該湾曲エッジに対してロールするように構成された湾曲縁面を含む、右センタリングリンク機構ロッドと、
第1の端に第3のアライメントアームを含む中央センタリングリンク機構ロッドであって、前記第3のアライメントアームは、該円形のウェハーの該湾曲エッジに接触して載置され、該Y方向への該中央センタリングリンク機構ロッドの直線移動により該第3のアライメントアーム及び該円形のウェハーを該支持チャックの中心部に対して接離するように押す、中央センタリングリンク機構ロッドと、
該左センタリングリンク機構ロッド、該右センタリングリンク機構ロッド及び該中央センタリングリンク機構ロッドの直線状の動きを同期するカム板であって、第1の直線カムプロファイル及び第2の直線カムプロファイルを含み、前記第1のカムプロファイルは、該中央センタリングリンク機構ロッドに直線状の動きを与え、前記第2の直線カムプロファイルは、該左センタリングリンク機構ロッド及び該右センタリングリンク機構ロッドに直線状の動きを与える、カム板と、
を備える、機構。 - 前記第1のカム直線プロファイル及び前記第2のカム直線プロファイルは、互いに対して及び該Y方向に対して或る角度で配置される表面を含む、請求項73に記載の機構。
- 左センタリングリンク機構ロッド及び右センタリングリンク機構ロッドの第2の端に取着される接続ロッドを更に備え、前記接続ロッドは該カム板の該第2の直線カムプロファイルに沿ってロールするように構成されている、請求項73に記載の機構。
- 前記中央センタリングリンク機構ロッドは第2の端にローラーを含み、前記ローラーは該カム板の該第1の直線カムプロファイルに沿ってロールするように構成されている、請求項73に記載の機構。
- 機構は、モーター及びリニアスライドを更に備え、前記カム板は該リニアスライドに固定され、前記モーターは該リニアスライド、したがって該カム板に対して直線状の動きを与える、請求項73に記載の機構。
- 第1のアライメントアーム、第2のアライメントアーム及び第3のアライメントアームが該円形のウェハーの該湾曲エッジと接触していることを示すセンサーを更に備える、請求項73に記載の機構。
- 前記センサーは、線形可変差動変圧器(LVDT)又は電気センサーのうちの一方を含む、請求項78に記載の機構。
- 円形のウェハーをセンタリングする機構であって、
センタリングすべき円形のウェハーを上面で支持する支持チャックと、
第1の端に第1の回転アームを含む左センタリングリンク機構ロッドであって、該左センタリングリンク機構ロッドの直線状の動きが該第1の回転アームの回転の動きに変わり、前記第1の回転アームは該支持チャックの該上面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、該円形のウェハーの湾曲エッジに対してロールするように構成された湾曲縁面を含む、左センタリングリンク機構ロッドと、
第1の端に第2の回転アームを含む右センタリングリンク機構ロッドであって、該右センタリングリンク機構ロッドの直線状の動きが該第2の回転アームの段階的な回転の動きに変わり、前記第2の回転アームは該支持チャックの該上面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、該円形のウェハーの該湾曲エッジに対してロールするように構成された湾曲縁面を含む、右センタリングリンク機構ロッドと、
第1の端に第3のアライメントアームを含む中央センタリングリンク機構ロッドであって、前記第3のアライメントアームは該円形のウェハーの該湾曲エッジと接触して載置され、該Y方向への該中央センタリングリンク機構ロッドの直線移動は、該第3のアライメントアーム及び該円形のウェハーを該支持チャックの中心部に対して接離するように押す、中央センタリングリンク機構ロッドと、
該左リンク機構ロッド、該右リンク機構ロッド及び該中央リンク機構ロッドの直線状の動きを同期させる第1のカム板及び第2のカム板であって、第1の直線カムプロファイル及び第2の直線カムプロファイルをそれぞれ含み、前記第1のカムプロファイルは、該左センタリングリンク機構ロッドに直線状の動きを提供し、前記第2のカムプロファイルは該右リンク機構ロッドに直線状の動きを提供する、機構。 - 中央センタリングリンク機構ロッドの第2の端に接続され、該中央センタリングリンク機構ロッドに該Y方向への直線移動を与える、リニアスライドを更に備え、
前記第1のカム板及び前記第2のカム板は、第1の接続ロッド及び第2の接続ロッドをそれぞれ介して前記リニアスライドに接続され、該Y方向への該リニアスライドの直線移動は、該X方向への該第1のカム板及び該第2のカム板の直線移動に変換される、請求項80に記載の機構。
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