JP2012513365A - 硫酸法によるほぼ球形の硫酸バリウムの製造方法及び銅箔基板における使用 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1
Description
(b)硫化バリウムを水で溶解して濃度が70〜130g/Lの硫化バリウム溶液を調製し、該硫化バリウム溶液の温度を45〜85℃に調節し、硫化バリウム溶液の添加速度が500L/h〜7000L/hとなる状態で、該硫化バリウム溶液と過量の硫酸を連続反応器に同時に添加し、反応させて、硫酸バリウムスラリーと硫化水素とを生成する工程と、
(c)該硫酸バリウムスラリーに熱空気を流れ込ませて硫化水素を排出させる工程と、
(d)工程(c)の排気による脱気処理を経た硫酸バリウムスラリーを脱水、洗浄、乾燥、粉砕してほぼ球形硫酸バリウム製品を得る工程とを更に含むことを特徴とする。
(2)本発明では、反応速度を制御することにより、硫酸バリウムの核形成と成長速度を制御し、サブミクロンレベルで、かつ連続的に調整可能な粒径分布の硫酸バリウムを得た。
(3)本発明では、合成反応後に酸性条件において熱気を流れ込ませて脱気することにより、硫酸バリウム製品の白色度を向上させた。
(4)本発明では、カップリング剤による硫酸バリウム粉体の表面修飾及びアルミナなど異なる材料による被覆により、下流産業の応用における分散、沈殿という問題を解決した。
(5)本発明は銅箔基板に使用され、高分散性球近似型サブミクロン粒子の樹脂における連続分散充填に加え、熱伝導係数が比較的に高いため、基板のTg値と難燃性能を高めることができる。しかも、導電イオンの含有量が厳しく制御されているため、高CTI基板の生産をサポートできる。さらに、硬度が比較的に低いことは、基板の加工及び成型性能を保証している。
(a)バライトと無煙炭とを粉砕して混合し、焼成炉に投入して焼成した。温度は1200℃に制御し、焼成時間は2時間とした。硫化バリウムを60%ほど含む粗硫化バリウムが生成した。
(a)バライトと無煙炭とを粉砕して混合し、焼成炉に投入して焼成した。温度は1200℃に制御し、焼成時間は2時間とした。硫化バリウムを60%ほど含む粗硫化バリウムが生成した。
工程(d)において、脱水、洗浄後にろ過ケーキを水に溶解して硫酸バリウムスラリーを生成して、該硫酸バリウムスラリーにカップリング剤KH−560を添加することを除いて、他の工程は実施例2と同様に行なった。
Claims (6)
- (a)バライトを石炭で焼成して硫化バリウムを生成する工程を含むことに加えて、
(b)硫化バリウムを水で溶解して濃度が70〜130g/Lの硫化バリウム溶液を調製し、前記硫化バリウム溶液の温度を45〜85℃に調節し、前記硫化バリウム溶液の添加速度が500L/h〜7000L/hとなる状態で前記硫化バリウム溶液と過量の硫酸を連続反応器に同時に添加し、反応させて、硫酸バリウムスラリーと硫化水素とを生成する工程と、
(c)前記硫酸バリウムスラリーに熱空気を流れ込ませて前記硫化水素を排出させる工程と、
(d)工程(c)の排出による脱気処理を経た前記硫酸バリウムスラリーを脱水、洗浄、乾燥、粉砕してほぼ球形の硫酸バリウム製品を得る工程と、
を更に含むことを特徴とする、硫酸法によるほぼ球形の硫酸バリウムの製造方法。 - 前記工程(c)において、前記流れ込ませる熱空気の風量が3000〜7000M3/hであり、温度が45〜80℃であり、脱気時間が1.5〜3hであることを特徴とする、請求項1に記載の硫酸法によるほぼ球形硫酸バリウムの製造方法。
- 前記工程(b)において、前記硫酸バリウムスラリーに残される前記硫酸の濃度が0.5〜25g/Lとなるように制御することを特徴とする、請求項1に記載の硫酸法によるほぼ球形硫酸バリウムの製造方法。
- 前記工程(d)において、洗浄を経た前記硫酸バリウムスラリーに珪酸ナトリウム又はアルミン酸ナトリウム又はカップリング剤を加えて1.5〜3h反応させた後、脱水、洗浄、乾燥、粉砕を経て硫酸バリウム製品を得ることを特徴とする、請求項1に記載の硫酸法によるほぼ球形硫酸バリウムの製造方法。
- 前記乾燥は、フラッシュ蒸発乾燥が用いられており、乾燥後の前記ほぼ球形の硫酸バリウム製品の含水量が0.2%未満であることを特徴とする、請求項1又は4に記載の硫酸法によるほぼ球形の硫酸バリウムの製造方法。
- ほぼ球形の硫酸バリウムをフィラーとする銅箔基板における使用。
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