JP2012510156A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012510156A5 JP2012510156A5 JP2011537421A JP2011537421A JP2012510156A5 JP 2012510156 A5 JP2012510156 A5 JP 2012510156A5 JP 2011537421 A JP2011537421 A JP 2011537421A JP 2011537421 A JP2011537421 A JP 2011537421A JP 2012510156 A5 JP2012510156 A5 JP 2012510156A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- euv
- laser
- source according
- reflector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 10
- 230000003044 adaptive Effects 0.000 claims 4
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (19)
- 経路の少なくとも一部が線形軸に沿って整列したビーム経路に沿って進むレーザビームと、
EUV光放射プラズマを生成するために照射部位で前記レーザビームと相互作用する材料と、
焦点を有し、該焦点が前記線形軸上にあるように位置決めされ、前記ビーム経路に沿ってレーザ光を受け取る第1の反射器と、
前記第1の反射器によって反射されたレーザ光を受け取って前記照射部位に向けて該レーザ光を誘導する第2の反射器と、
前記第1の反射器での前記レーザビームのビーム幅及び発散を選択的に変えるように調節可能な適応光学系と、
を含むことを特徴とするUV光源。 - 容器を更に含み、
前記照射部位は、前記容器内にあり、前記第1の反射器は、該容器に位置決めされ、かつ該照射部位と流体連通している、
ことを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。 - 前記照射部位の第1の焦点、及び第2の焦点を有するEUV反射ミラーを更に含み、
前記EUV反射ミラーは、前記線形軸に沿って前記第1の反射器と前記照射部位の間に該EUV反射ミラーを挿入するように位置決めされる、
ことを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。 - 前記レーザビームを発生するレーザデバイスを更に含み、
前記レーザデバイスは、前記照射部位を通るビーム経路を確立する少なくとも1つの反射光学系を含み、
前記材料は、該材料が前記照射部位にある時に前記光学系と協働してその間に光キャビティを確立し、
前記レーザデバイスは、前記材料を照射するレーザビームを発生させるために前記キャビティにおける光損失を超える光学利得を確立するように励起可能な利得媒体を更に含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。 - 前記反射光学系は、波長λの光を透過し、
波長λを有するアラインメントレーザビームを前記反射光学系に通すアラインメントレーザ、及び前記第2の反射器からの反射後に該アラインメントレーザビームを受け取るモニタ、
を更に含むことを特徴とする請求項4に記載のEUV光源。 - 前記第2の反射器は、先端/傾斜アクチュエータ上に取り付けられることを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
- 前記第1の反射器は、補正された放物面形状を有することを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
- 前記第2の反射器は、平坦な反射面を用いて形成されることを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
- 前記第2の反射器は、湾曲反射面を用いて形成されることを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
- 前記レーザデバイスは、CO2を含む利得媒体を有し、前記材料は、錫を含むことを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
- λ1≠λ2の時に波長λ1の光を反射して波長λ2の光を透過する光学系と、
材料が照射部位にある時に前記光学系と協働してその間に光キャビティを確立する材料と、
前記材料を照射してEUV光放射を生成するためのレーザビームを発生させるために前記キャビティにおける光損失を超える光学利得を確立するように励起可能な利得媒体と、 波長λ2を有するアラインメントレーザビームを前記反射光学系に通すように位置決めされたアラインメントレーザと、
前記キャビティにおける少なくとも1つの光学系のアラインメントを検証するために前記アラインメントレーザビームを受け取るモニタと、
を含むことを特徴とするEUV光源。 - 前記材料は、液滴であることを特徴とする請求項11に記載のEUVレーザ光源。
- λ1>5μmかつλ2<1μmであることを特徴とする請求項11に記載のEUVレーザ光源。
- ビーム経路に沿って進むレーザビームと、
前記ビーム経路上の照射部位に前記レーザビームを集束させる光学系と、
EUV光放射プラズマを生成するために前記照射部位で前記レーザビームと相互作用する材料と、
ビームパラメータを測定してそれを示す信号を出力するモニタと、
前記信号に応答して、前記集束光学系で予め選択されたビーム発散及びビーム幅を有するように前記レーザビームを修正するための適応光学系と、
を含むことを特徴とするEUV光源。 - 前記適応光学系は、第1及び第2の光学構成要素を含み、該第1の光学構成要素は、該第2の光学構成要素に対して移動可能であることを特徴とする請求項14に記載のEUVレーザ光源。
- 前記適応光学系は、少なくとも1つの変形可能な光学構成要素を含むことを特徴とする請求項14に記載のEUVレーザ光源。
- 前記ビームパラメータは、発散であることを特徴とする請求項14に記載のEUVレーザ光源。
- 前記ビームパラメータは、波面であることを特徴とする請求項14に記載のEUV光源。
- 前記ビームパラメータは、ビーム幅であることを特徴とする請求項14に記載のEUV光源。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US20022208P | 2008-11-24 | 2008-11-24 | |
US61/200,222 | 2008-11-24 | ||
US12/592,107 | 2009-11-18 | ||
US12/592,107 US8283643B2 (en) | 2008-11-24 | 2009-11-18 | Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source |
PCT/US2009/006186 WO2010059210A2 (en) | 2008-11-24 | 2009-11-19 | Systems and methods for drive laser beam delivery in an euv light source |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012510156A JP2012510156A (ja) | 2012-04-26 |
JP2012510156A5 true JP2012510156A5 (ja) | 2012-12-13 |
JP5653927B2 JP5653927B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=42195376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011537421A Expired - Fee Related JP5653927B2 (ja) | 2008-11-24 | 2009-11-19 | Euv光源における駆動レーザビーム送出のためのシステム及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8283643B2 (ja) |
JP (1) | JP5653927B2 (ja) |
KR (1) | KR20110088585A (ja) |
TW (1) | TWI398194B (ja) |
WO (1) | WO2010059210A2 (ja) |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8654438B2 (en) * | 2010-06-24 | 2014-02-18 | Cymer, Llc | Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source |
US8283643B2 (en) * | 2008-11-24 | 2012-10-09 | Cymer, Inc. | Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source |
US8304752B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-11-06 | Cymer, Inc. | EUV light producing system and method utilizing an alignment laser |
JP5765730B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2015-08-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US8648999B2 (en) * | 2010-07-22 | 2014-02-11 | Cymer, Llc | Alignment of light source focus |
WO2012031841A1 (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, euv radiation generation apparatus and device manufacturing method |
US8462425B2 (en) * | 2010-10-18 | 2013-06-11 | Cymer, Inc. | Oscillator-amplifier drive laser with seed protection for an EUV light source |
DE102010050947B4 (de) * | 2010-11-10 | 2017-07-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung des Quellortes der Erzeugung extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis eines Entladungsplasmas |
JP5658012B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2015-01-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
TWI407269B (zh) * | 2010-12-03 | 2013-09-01 | Univ Nat Taiwan | 光學微影曝光系統及其曝光方法 |
JP5816440B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2015-11-18 | ギガフォトン株式会社 | 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
JP5964053B2 (ja) | 2011-03-30 | 2016-08-03 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US9097577B2 (en) * | 2011-06-29 | 2015-08-04 | KLA—Tencor Corporation | Adaptive optics for compensating aberrations in light-sustained plasma cells |
WO2013029895A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
JP5917877B2 (ja) | 2011-10-11 | 2016-05-18 | ギガフォトン株式会社 | アライメントシステム |
NL2009853A (en) | 2011-12-23 | 2013-06-26 | Asml Netherlands Bv | Methods and apparatus for measuring a property of a substrate. |
JP6168760B2 (ja) | 2012-01-11 | 2017-07-26 | ギガフォトン株式会社 | レーザビーム制御装置及び極端紫外光生成装置 |
JP6099241B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2017-03-22 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
DE102012217120A1 (de) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | EUV-Strahlungserzeugungsvorrichtung und Betriebsverfahren dafür |
US9759912B2 (en) | 2012-09-26 | 2017-09-12 | Kla-Tencor Corporation | Particle and chemical control using tunnel flow |
DE102012217520A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Strahlführungseinrichtung und Verfahren zum Einstellen des Öffnungswinkels eines Laserstrahls |
US10289006B2 (en) | 2012-12-20 | 2019-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Beam delivery for EUV lithography |
TWI611731B (zh) | 2012-12-21 | 2018-01-11 | Gigaphoton Inc | 雷射束控制裝置及極端紫外光產生裝置 |
KR20140112856A (ko) * | 2013-03-14 | 2014-09-24 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 광 발생 장치 및 방법 |
KR102214861B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2021-02-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외 광원을 위한 빔 위치 제어 |
US9127981B2 (en) * | 2013-08-06 | 2015-09-08 | Cymer, Llc | System and method for return beam metrology with optical switch |
US9360600B2 (en) * | 2013-11-20 | 2016-06-07 | Asml Netherlands B.V. | System and method for correcting the focus of a laser beam |
US9374882B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Final focus assembly for extreme ultraviolet light source |
WO2015111219A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及び極端紫外光生成システム |
JP6521870B2 (ja) | 2014-02-10 | 2019-05-29 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
US9380691B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Adaptive laser system for an extreme ultraviolet light source |
WO2015138480A2 (en) * | 2014-03-10 | 2015-09-17 | Robe Lighting, Inc. | Collimated lighting effect for an automated luminaire |
US9506871B1 (en) | 2014-05-25 | 2016-11-29 | Kla-Tencor Corporation | Pulsed laser induced plasma light source |
EP3152983A1 (de) * | 2014-06-06 | 2017-04-12 | TRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH | Vorrichtung und verfahren zur überwachung eines laserstrahls |
US9546901B2 (en) * | 2014-08-19 | 2017-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Minimizing grazing incidence reflections for reliable EUV power measurements having a light source comprising plural tubes with centerlines disposed between a radiation region and corresponding photodetector modules |
CN105511231B (zh) * | 2014-10-16 | 2019-03-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Euv光源和曝光装置 |
US9516729B2 (en) * | 2014-12-16 | 2016-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Variable radius mirror dichroic beam splitter module for extreme ultraviolet source |
WO2016098240A1 (ja) | 2014-12-19 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP6376407B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2018-08-22 | 三菱重工業株式会社 | 電磁パルス照射方法及び電磁パルス照射システム |
JP6376408B2 (ja) | 2015-06-30 | 2018-08-22 | 三菱重工業株式会社 | 電磁パルス防護方法及び電磁パルス防護システム |
US9451683B1 (en) * | 2015-07-14 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Solution for EUV power increment at wafer level |
KR102369935B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-03-03 | 삼성전자주식회사 | 드립 홀을 갖는 콜렉팅 미러를 포함하는 euv 광 발생 장치 |
JP2017228671A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | ウシオ電機株式会社 | レーザ駆動光源装置 |
US10299361B2 (en) * | 2017-03-24 | 2019-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source |
KR101898632B1 (ko) * | 2017-04-19 | 2018-09-13 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 증폭 장치 |
US10429729B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-10-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV radiation modification methods and systems |
US10128017B1 (en) * | 2017-05-12 | 2018-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for and method of controlling debris in an EUV light source |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0444211A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Canon Inc | 露光装置 |
US5990176A (en) * | 1997-01-27 | 1999-11-23 | Abbott Laboratories | Fluoroether compositions and methods for inhibiting their degradation in the presence of a Lewis acid |
US7186983B2 (en) * | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US7329886B2 (en) | 1998-05-05 | 2008-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element |
US6947124B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
DE19903807A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US7109497B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-09-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US7006595B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-02-28 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US6210865B1 (en) | 1998-08-06 | 2001-04-03 | Euv Llc | Extreme-UV lithography condenser |
US6567450B2 (en) | 1999-12-10 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
US6625191B2 (en) | 1999-12-10 | 2003-09-23 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
US6549551B2 (en) | 1999-09-27 | 2003-04-15 | Cymer, Inc. | Injection seeded laser with precise timing control |
WO2001041155A1 (fr) * | 1999-11-29 | 2001-06-07 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Element optique tel que miroir de reflexion a film multicouche, procede de production correspondant et dispositif utilisant un tel element |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
US7843632B2 (en) * | 2006-08-16 | 2010-11-30 | Cymer, Inc. | EUV optics |
US7916388B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-03-29 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
US7439530B2 (en) | 2005-06-29 | 2008-10-21 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
US20060255298A1 (en) | 2005-02-25 | 2006-11-16 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse |
US7405416B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
US7897947B2 (en) | 2007-07-13 | 2011-03-01 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave |
US7491954B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
US7372056B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
US7465946B2 (en) | 2004-03-10 | 2008-12-16 | Cymer, Inc. | Alternative fuels for EUV light source |
US7598509B2 (en) | 2004-11-01 | 2009-10-06 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
EP1280008B2 (en) * | 2001-07-27 | 2011-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination system, projection exposure apparatus and device manufacturing method |
US7671349B2 (en) * | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
DE10251435B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Xtreme Technologies Gmbh | Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung |
US7092138B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-08-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Elastomer spatial light modulators for extreme ultraviolet lithography |
DE102004005242B4 (de) * | 2004-01-30 | 2006-04-20 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung |
US20060146906A1 (en) * | 2004-02-18 | 2006-07-06 | Cymer, Inc. | LLP EUV drive laser |
JP4878108B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、デバイス製造方法、および測定装置 |
US7355191B2 (en) * | 2004-11-01 | 2008-04-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source |
JP5301165B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2013-09-25 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ生成プラズマeuv光源 |
JP4875879B2 (ja) * | 2005-10-12 | 2012-02-15 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置の初期アライメント方法 |
JP2008041742A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP2008085075A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
JP5076078B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2012-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5149514B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2013-02-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5534647B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US20090250637A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Cymer, Inc. | System and methods for filtering out-of-band radiation in EUV exposure tools |
JP5312837B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2013-10-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5833806B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2015-12-16 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
JP5368261B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2013-12-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
US8283643B2 (en) * | 2008-11-24 | 2012-10-09 | Cymer, Inc. | Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source |
JP5448775B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2014-03-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US20100176312A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-07-15 | Hiroshi Komori | Extreme ultra violet light source apparatus |
US8138487B2 (en) * | 2009-04-09 | 2012-03-20 | Cymer, Inc. | System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a EUV generation chamber |
US8304752B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-11-06 | Cymer, Inc. | EUV light producing system and method utilizing an alignment laser |
US8000212B2 (en) * | 2009-12-15 | 2011-08-16 | Cymer, Inc. | Metrology for extreme ultraviolet light source |
-
2009
- 2009-11-18 US US12/592,107 patent/US8283643B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-19 JP JP2011537421A patent/JP5653927B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-19 WO PCT/US2009/006186 patent/WO2010059210A2/en active Application Filing
- 2009-11-19 KR KR1020117014253A patent/KR20110088585A/ko active IP Right Grant
- 2009-11-23 TW TW098139703A patent/TWI398194B/zh not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012510156A5 (ja) | ||
JP5653927B2 (ja) | Euv光源における駆動レーザビーム送出のためのシステム及び方法 | |
KR100584310B1 (ko) | 분사액체로 주입되는 레이저빔으로 소재를 가공하는방법과 장치 | |
JP5368261B2 (ja) | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 | |
DK2334465T3 (en) | METHOD AND EQUIPMENT FOR LASER CUTTING THE BODY FOR MODIFICATION OF LASER BEAM QUALITY FACTOR WITH A diffractive OPTICAL COMPONENT | |
KR101872750B1 (ko) | Euv 광원용 시드 보호를 하는 오실레이터증폭기 드라이브 레이저 | |
WO2007005409A3 (en) | Lpp euv plasma source material target delivery system | |
RU2012154354A (ru) | Источник света с лазерной накачкой и способ генерации излучения | |
US9129717B2 (en) | EUV excitation light source with a laser beam source and a beam guide device for manipulating the laser beam | |
JP2013503751A (ja) | 少なくとも5mmの周辺厚さを有するZnSレンズを備えるレーザー集束ヘッド、およびそのような集束ヘッドを用いた方法およびレーザー切削ユニット | |
JP2013535824A5 (ja) | ||
WO2007005415A3 (en) | Lpp euv light source drive laser system | |
KR20150018843A (ko) | 레이저 광원으로부터 메인펄스와 프리펄스 빔을 분리하는 시스템 및 방법 | |
JP2016502228A (ja) | ビームガイド装置およびレーザビームの開き角を調整する方法 | |
NL2019824A (en) | Compensating for a physical effect in an optical system | |
JP5711326B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP2000299197A (ja) | X線発生装置 | |
JP2013524272A (ja) | レーザスキャニングシステム、ヘアカッティング装置、及びその方法 | |
JPWO2016125295A1 (ja) | ビームデリバリシステム及びその制御方法 | |
RU2383416C1 (ru) | Устройство для лазерной обработки материалов | |
KR100660111B1 (ko) | 광센서부 및 빔 제어수단을 구비한 레이저 가공장치 | |
CN111601676A (zh) | 用于处理材料的激光***和方法 | |
US10582601B2 (en) | Extreme ultraviolet light generating apparatus using differing laser beam diameters | |
JP2005276673A (ja) | Lpp型euv光源装置 | |
JP2008129315A5 (ja) |