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  1. 経路の少なくとも一部が線形軸に沿って整列したビーム経路に沿って進むレーザビームと、
    EUV光放射プラズマを生成するために照射部位で前記レーザビームと相互作用する材料と、
    焦点を有し、該焦点が前記線形軸上にあるように位置決めされ、前記ビーム経路に沿ってレーザ光を受け取る第1の反射器と、
    前記第1の反射器によって反射されたレーザ光を受け取って前記照射部位に向けて該レーザ光を誘導する第2の反射器と、
    前記第1の反射器での前記レーザビームのビーム幅及び発散を選択的に変えるように調節可能な適応光学系と、
    を含むことを特徴とするUV光源。
  2. 容器を更に含み、
    前記照射部位は、前記容器内にあり、前記第1の反射器は、該容器に位置決めされ、かつ該照射部位と流体連通している、
    ことを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
  3. 前記照射部位の第1の焦点、及び第2の焦点を有するEUV反射ミラーを更に含み、
    前記EUV反射ミラーは、前記線形軸に沿って前記第1の反射器と前記照射部位の間に該EUV反射ミラーを挿入するように位置決めされる、
    ことを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
  4. 前記レーザビームを発生するレーザデバイスを更に含み、
    前記レーザデバイスは、前記照射部位を通るビーム経路を確立する少なくとも1つの反射光学系を含み、
    前記材料は、該材料が前記照射部位にある時に前記光学系と協働してその間に光キャビティを確立し、
    前記レーザデバイスは、前記材料を照射するレーザビームを発生させるために前記キャビティにおける光損失を超える光学利得を確立するように励起可能な利得媒体を更に含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
  5. 前記反射光学系は、波長λの光を透過し、
    波長λを有するアラインメントレーザビームを前記反射光学系に通すアラインメントレーザ、及び前記第2の反射器からの反射後に該アラインメントレーザビームを受け取るモニタ、
    を更に含むことを特徴とする請求項4に記載のEUV光源。
  6. 前記第2の反射器は、先端/傾斜アクチュエータ上に取り付けられることを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
  7. 前記第1の反射器は、補正された放物面形状を有することを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
  8. 前記第2の反射器は、平坦な反射面を用いて形成されることを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
  9. 前記第2の反射器は、湾曲反射面を用いて形成されることを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
  10. 前記レーザデバイスは、CO2を含む利得媒体を有し、前記材料は、錫を含むことを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
  11. λ1≠λ2の時に波長λ1の光を反射して波長λ2の光を透過する光学系と、
    材料が照射部位にある時に前記光学系と協働してその間に光キャビティを確立する材料と、
    前記材料を照射してEUV光放射を生成するためのレーザビームを発生させるために前記キャビティにおける光損失を超える光学利得を確立するように励起可能な利得媒体と、 波長λ2を有するアラインメントレーザビームを前記反射光学系に通すように位置決めされたアラインメントレーザと、
    前記キャビティにおける少なくとも1つの光学系のアラインメントを検証するために前記アラインメントレーザビームを受け取るモニタと、
    を含むことを特徴とするEUV光源。
  12. 前記材料は、液滴であることを特徴とする請求項11に記載のEUVレーザ光源。
  13. λ1>5μmかつλ2<1μmであることを特徴とする請求項11に記載のEUVレーザ光源。
  14. ビーム経路に沿って進むレーザビームと、
    前記ビーム経路上の照射部位に前記レーザビームを集束させる光学系と、
    EUV光放射プラズマを生成するために前記照射部位で前記レーザビームと相互作用する材料と、
    ビームパラメータを測定してそれを示す信号を出力するモニタと、
    前記信号に応答して、前記集束光学系で予め選択されたビーム発散及びビーム幅を有するように前記レーザビームを修正するための適応光学系と、
    を含むことを特徴とするEUV光源。
  15. 前記適応光学系は、第1及び第2の光学構成要素を含み、該第1の光学構成要素は、該第2の光学構成要素に対して移動可能であることを特徴とする請求項14に記載のEUVレーザ光源。
  16. 前記適応光学系は、少なくとも1つの変形可能な光学構成要素を含むことを特徴とする請求項14に記載のEUVレーザ光源。
  17. 前記ビームパラメータは、発散であることを特徴とする請求項14に記載のEUVレーザ光源。
  18. 前記ビームパラメータは、波面であることを特徴とする請求項14に記載のEUV光源。
  19. 前記ビームパラメータは、ビーム幅であることを特徴とする請求項14に記載のEUV光源。
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8654438B2 (en) * 2010-06-24 2014-02-18 Cymer, Llc Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source
US8283643B2 (en) * 2008-11-24 2012-10-09 Cymer, Inc. Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source
US8304752B2 (en) * 2009-04-10 2012-11-06 Cymer, Inc. EUV light producing system and method utilizing an alignment laser
JP5765730B2 (ja) * 2010-03-11 2015-08-19 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US8648999B2 (en) * 2010-07-22 2014-02-11 Cymer, Llc Alignment of light source focus
WO2012031841A1 (en) * 2010-09-08 2012-03-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, euv radiation generation apparatus and device manufacturing method
US8462425B2 (en) * 2010-10-18 2013-06-11 Cymer, Inc. Oscillator-amplifier drive laser with seed protection for an EUV light source
DE102010050947B4 (de) * 2010-11-10 2017-07-13 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung des Quellortes der Erzeugung extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis eines Entladungsplasmas
JP5658012B2 (ja) * 2010-11-25 2015-01-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
TWI407269B (zh) * 2010-12-03 2013-09-01 Univ Nat Taiwan 光學微影曝光系統及其曝光方法
JP5816440B2 (ja) * 2011-02-23 2015-11-18 ギガフォトン株式会社 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置
JP5964053B2 (ja) 2011-03-30 2016-08-03 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US9097577B2 (en) * 2011-06-29 2015-08-04 KLA—Tencor Corporation Adaptive optics for compensating aberrations in light-sustained plasma cells
WO2013029895A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Asml Netherlands B.V. Radiation source
JP5917877B2 (ja) 2011-10-11 2016-05-18 ギガフォトン株式会社 アライメントシステム
NL2009853A (en) 2011-12-23 2013-06-26 Asml Netherlands Bv Methods and apparatus for measuring a property of a substrate.
JP6168760B2 (ja) 2012-01-11 2017-07-26 ギガフォトン株式会社 レーザビーム制御装置及び極端紫外光生成装置
JP6099241B2 (ja) * 2012-06-28 2017-03-22 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
DE102012217120A1 (de) 2012-09-24 2014-03-27 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh EUV-Strahlungserzeugungsvorrichtung und Betriebsverfahren dafür
US9759912B2 (en) 2012-09-26 2017-09-12 Kla-Tencor Corporation Particle and chemical control using tunnel flow
DE102012217520A1 (de) 2012-09-27 2014-03-27 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Strahlführungseinrichtung und Verfahren zum Einstellen des Öffnungswinkels eines Laserstrahls
US10289006B2 (en) 2012-12-20 2019-05-14 Asml Netherlands B.V. Beam delivery for EUV lithography
TWI611731B (zh) 2012-12-21 2018-01-11 Gigaphoton Inc 雷射束控制裝置及極端紫外光產生裝置
KR20140112856A (ko) * 2013-03-14 2014-09-24 삼성전자주식회사 극자외선 광 발생 장치 및 방법
KR102214861B1 (ko) * 2013-03-15 2021-02-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 극자외 광원을 위한 빔 위치 제어
US9127981B2 (en) * 2013-08-06 2015-09-08 Cymer, Llc System and method for return beam metrology with optical switch
US9360600B2 (en) * 2013-11-20 2016-06-07 Asml Netherlands B.V. System and method for correcting the focus of a laser beam
US9374882B2 (en) 2013-12-12 2016-06-21 Asml Netherlands B.V. Final focus assembly for extreme ultraviolet light source
WO2015111219A1 (ja) * 2014-01-27 2015-07-30 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び極端紫外光生成システム
JP6521870B2 (ja) 2014-02-10 2019-05-29 ギガフォトン株式会社 レーザ装置
US9380691B2 (en) 2014-02-28 2016-06-28 Asml Netherlands B.V. Adaptive laser system for an extreme ultraviolet light source
WO2015138480A2 (en) * 2014-03-10 2015-09-17 Robe Lighting, Inc. Collimated lighting effect for an automated luminaire
US9506871B1 (en) 2014-05-25 2016-11-29 Kla-Tencor Corporation Pulsed laser induced plasma light source
EP3152983A1 (de) * 2014-06-06 2017-04-12 TRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH Vorrichtung und verfahren zur überwachung eines laserstrahls
US9546901B2 (en) * 2014-08-19 2017-01-17 Asml Netherlands B.V. Minimizing grazing incidence reflections for reliable EUV power measurements having a light source comprising plural tubes with centerlines disposed between a radiation region and corresponding photodetector modules
CN105511231B (zh) * 2014-10-16 2019-03-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Euv光源和曝光装置
US9516729B2 (en) * 2014-12-16 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Variable radius mirror dichroic beam splitter module for extreme ultraviolet source
WO2016098240A1 (ja) 2014-12-19 2016-06-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP6376407B2 (ja) * 2015-06-30 2018-08-22 三菱重工業株式会社 電磁パルス照射方法及び電磁パルス照射システム
JP6376408B2 (ja) 2015-06-30 2018-08-22 三菱重工業株式会社 電磁パルス防護方法及び電磁パルス防護システム
US9451683B1 (en) * 2015-07-14 2016-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Solution for EUV power increment at wafer level
KR102369935B1 (ko) * 2015-08-31 2022-03-03 삼성전자주식회사 드립 홀을 갖는 콜렉팅 미러를 포함하는 euv 광 발생 장치
JP2017228671A (ja) * 2016-06-23 2017-12-28 ウシオ電機株式会社 レーザ駆動光源装置
US10299361B2 (en) * 2017-03-24 2019-05-21 Asml Netherlands B.V. Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source
KR101898632B1 (ko) * 2017-04-19 2018-09-13 주식회사 이오테크닉스 레이저 증폭 장치
US10429729B2 (en) 2017-04-28 2019-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV radiation modification methods and systems
US10128017B1 (en) * 2017-05-12 2018-11-13 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of controlling debris in an EUV light source

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0444211A (ja) * 1990-06-07 1992-02-14 Canon Inc 露光装置
US5990176A (en) * 1997-01-27 1999-11-23 Abbott Laboratories Fluoroether compositions and methods for inhibiting their degradation in the presence of a Lewis acid
US7186983B2 (en) * 1998-05-05 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7329886B2 (en) 1998-05-05 2008-02-12 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element
US6947124B2 (en) * 1998-05-05 2005-09-20 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
DE19903807A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US7109497B2 (en) * 1998-05-05 2006-09-19 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7006595B2 (en) * 1998-05-05 2006-02-28 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Illumination system particularly for microlithography
US6210865B1 (en) 1998-08-06 2001-04-03 Euv Llc Extreme-UV lithography condenser
US6567450B2 (en) 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6625191B2 (en) 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6549551B2 (en) 1999-09-27 2003-04-15 Cymer, Inc. Injection seeded laser with precise timing control
WO2001041155A1 (fr) * 1999-11-29 2001-06-07 Tohoku Techno Arch Co., Ltd. Element optique tel que miroir de reflexion a film multicouche, procede de production correspondant et dispositif utilisant un tel element
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US7916388B2 (en) * 2007-12-20 2011-03-29 Cymer, Inc. Drive laser for EUV light source
US7439530B2 (en) 2005-06-29 2008-10-21 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US20060255298A1 (en) 2005-02-25 2006-11-16 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse
US7405416B2 (en) 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
US7897947B2 (en) 2007-07-13 2011-03-01 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave
US7491954B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
US7372056B2 (en) * 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US7465946B2 (en) 2004-03-10 2008-12-16 Cymer, Inc. Alternative fuels for EUV light source
US7598509B2 (en) 2004-11-01 2009-10-06 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
EP1280008B2 (en) * 2001-07-27 2011-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system, projection exposure apparatus and device manufacturing method
US7671349B2 (en) * 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
DE10251435B3 (de) * 2002-10-30 2004-05-27 Xtreme Technologies Gmbh Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung
US7092138B2 (en) 2003-10-10 2006-08-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Elastomer spatial light modulators for extreme ultraviolet lithography
DE102004005242B4 (de) * 2004-01-30 2006-04-20 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung
US20060146906A1 (en) * 2004-02-18 2006-07-06 Cymer, Inc. LLP EUV drive laser
JP4878108B2 (ja) * 2004-07-14 2012-02-15 キヤノン株式会社 露光装置、デバイス製造方法、および測定装置
US7355191B2 (en) * 2004-11-01 2008-04-08 Cymer, Inc. Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source
JP5301165B2 (ja) * 2005-02-25 2013-09-25 サイマー インコーポレイテッド レーザ生成プラズマeuv光源
JP4875879B2 (ja) * 2005-10-12 2012-02-15 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置の初期アライメント方法
JP2008041742A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Ushio Inc 極端紫外光光源装置
JP2008085075A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP5076078B2 (ja) * 2006-10-06 2012-11-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5149514B2 (ja) * 2007-02-20 2013-02-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5534647B2 (ja) * 2008-02-28 2014-07-02 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US20090250637A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Cymer, Inc. System and methods for filtering out-of-band radiation in EUV exposure tools
JP5312837B2 (ja) * 2008-04-14 2013-10-09 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5833806B2 (ja) * 2008-09-19 2015-12-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法
JP5368261B2 (ja) * 2008-11-06 2013-12-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法
US8283643B2 (en) * 2008-11-24 2012-10-09 Cymer, Inc. Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source
JP5448775B2 (ja) * 2008-12-16 2014-03-19 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US20100176312A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-15 Hiroshi Komori Extreme ultra violet light source apparatus
US8138487B2 (en) * 2009-04-09 2012-03-20 Cymer, Inc. System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a EUV generation chamber
US8304752B2 (en) * 2009-04-10 2012-11-06 Cymer, Inc. EUV light producing system and method utilizing an alignment laser
US8000212B2 (en) * 2009-12-15 2011-08-16 Cymer, Inc. Metrology for extreme ultraviolet light source

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