JP2012501551A - バックコンタクト式太陽電池モジュール - Google Patents

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Abstract

本発明の実施形態は、太陽電池デバイスを形成する新規の加工シーケンスを使用して高効率の太陽電池を形成することを企図している。高効率の太陽電池を形成する方法は、金属化された太陽電池デバイスに接着される予め製作されたバックプレーンを使用して、相互接続された太陽電池モジュールを形成することを含むことができる。本発明から利益を得ることができると思われる太陽電池には、まず、電池の背面上に正と負の両方のコンタクトをもつ単結晶または複結晶シリコンを含む活性領域を有するものが含まれる。

Description

本発明の実施形態は、一般に、光電池の製作に関する。
太陽電池は、日光を直接電力に変換する光起電性のデバイスである。各太陽電池は、特有の量の電力を生成し、通常、所望の量のシステム電力を送達するように寸法設定されたモジュール内に並べられる。最も一般的な太陽電池材料はシリコンであり、単結晶または複結晶基板の形で用いられる。これは、ウェーハと呼ばれることがある。シリコンベースの太陽電池を形成して発電する償却コストは、従来の方法を使用して発電するコストより高いため、太陽電池を形成するためのコストを低減させる努力がなされてきた。
様々な手法により、太陽電池の活性領域および太陽電池の通電する金属線または導体を製作することができる。しかし、これらの従来の製造方法にはいくつかの問題がある。たとえば、形成プロセスは複雑な多重ステップのプロセスであり、太陽電池を完成させるのに必要なコストを増加させる。
したがって、基板の表面上に活性領域および通電領域を形成して太陽電池を形成する改善された方法および装置が必要とされている。
本発明は一般に、第1の太陽電池基板を有する第1の太陽電池デバイスの一部分を第2の太陽電池デバイスに電気的に接続するために使用される相互接続構造であって、第1の層と、第2の層と、第1の層を第2の層から分離する誘電体材料とを有する第1の可撓性の相互接続構造を含み、第1の層が、第1の太陽電池基板の基板表面上に形成された1つまたは複数の第1の導電性フィーチャに接触するように構成される1つまたは複数の第1の相互接続領域を含み、第2の層が、基板表面上に形成された1つまたは複数の第2の導電性フィーチャに接触するように構成される1つまたは複数の第2の相互接続領域を含み、また第1の太陽電池基板が、1つまたは複数の第1の導電性フィーチャと連通するn型領域と、1つまたは複数の第2の導電性フィーチャと連通するp型領域とを有する、相互接続構造を提供する。
本発明の実施形態はまた、太陽電池デバイスを形成する方法であって、第1の層、第2の層、および第1の層を第2の層から分離する誘電体材料を有する可撓性の相互接続構造を受け取るステップであり、第1の層の一部分および第2の層の一部分が、可撓性の相互接続構造の第1の表面と接触するステップと、太陽電池基板を覆うように可撓性の相互接続構造を位置決めするステップであり、その結果第1の層の一部分が太陽電池基板上に配置されたn型領域と電気的に連通し、第2の層の一部分が太陽電池基板上に配置されたp型領域と電気的に連通するステップとを含む、方法を提供することができる。
本発明の実施形態はまた、太陽電池デバイスを形成する方法であって、密閉容器の1つまたは複数の壁と相互接続構造の間に密閉領域を形成するステップであり、相互接続構造が、第1の層と、第2の層と、第1の層と第2の層の間に配置された誘電体材料と、それぞれ密閉領域と連通し、相互接続構造の一部分に形成される第1の孔および第2の孔とを含むステップと、太陽電池基板上に形成された第1の導電性フィーチャを第1の層に隣接して位置決めし、太陽電池基板上に形成された第2の導電性フィーチャを第2の層に隣接して位置決めするステップであり、第1の導電性フィーチャが、太陽電池基板上に形成されたn型領域と電気的に連通し、第2の導電性フィーチャが、太陽電池基板上に形成されたp型領域と電気的に連通するステップと、第1の導電性フィーチャ、第1の層、第2の導電性フィーチャ、および第2の層を加熱するステップであり、その結果第1の導電性フィーチャと第1の層の間および第2の導電性フィーチャと第2の層の間に接着が形成されるステップと、加熱プロセス中に、第1の導電性フィーチャを第1の層に押し付け、第2の導電性フィーチャを第2の層に押し付けるステップとを含む方法を提供することができる。
本発明の実施形態はまた、太陽電池デバイスを形成する方法であって、光を電気的エネルギーに変換する接合の一部を形成するn型領域およびp型領域を有する太陽電池基板を形成するステップであり、n型領域が、太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、p型領域が、表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと、第1の導電性フィーチャおよび第2の導電性フィーチャを覆うように第1のコンプライアント層を堆積させるステップであり、第1のコンプライアント層内に、第1の孔および第2の孔が形成されるステップと、第1の孔および第2の孔内に導電性材料を堆積させるステップであり、第1の孔内に配置された導電性材料が第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、第2の孔内に配置された導電性材料が第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと、第1の層、第2の層、および第1の層を第2の層から分離する誘電体材料を有する相互接続構造を、第1のコンプライアント層の表面を覆うように位置決めするステップであり、その結果第1の層が、第1の孔内に配置された第1の導電性材料を介して第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、第2の層が、第2の孔内に配置された第1の導電性材料を介して第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップとを含む方法を提供することができる。
本発明の実施形態はまた、光を電気的エネルギーに変換する接合または太陽電池接合の一部であるn型領域およびp型領域を有する第1の太陽電池基板であって、n型領域が、第1の太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、p型領域が、表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通する、第1の太陽電池基板と、第1の層、第2の層、および第1の層を第2の層から分離する誘電体材料を有する第1の可撓性の相互接続構造であって、第1の層が、第1の太陽電池基板上に形成された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、第2の層が、第1の太陽電池基板上に形成された第2の導電性フィーチャと電気的に連通する、第1の可撓性の相互接続構造とを含む第1の太陽電池アセンブリと、光を電気的エネルギーに変換する太陽電池接合の一部であるn型領域およびp型領域を有する第2の太陽電池基板であって、n型領域が、第2の太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、p型領域が、表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通する、第2の太陽電池基板と、第1の層、第2の層、および第1の層を第2の層から分離する誘電体材料を有する第2の可撓性の相互接続構造であって、第1の層が、第2の太陽電池基板上に形成された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、第2の層が、第2の太陽電池基板上に形成された第2の導電性フィーチャと電気的に連通する、第2の可撓性の相互接続構造とを含む第2の太陽電池アセンブリとを含み、第1の可撓性の相互接続構造内の第1の層が、第2の可撓性の相互接続構造の第1の層または第2の層に電気的に接続される、複数の相互接続された太陽電池を提供することができる。
本発明の実施形態はまた、太陽電池アレイを形成する方法であって、光を電気的エネルギーに変換する太陽電池接合の一部であるn型領域およびp型領域を有する太陽電池基板をそれぞれ含む2つ以上の太陽電池アセンブリであり、n型領域が、太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、p型領域が、表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通する、2つ以上の太陽電池アセンブリと、第1の層、第2の層、および第1の層を第2の層から分離する誘電体材料を有する可撓性の相互接続構造であり、第1の層が第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、第2の層が第2の導電性フィーチャと電気的に連通する、可撓性の相互接続構造とを形成するステップと、2つ以上の太陽電池アセンブリのうちの1つの太陽電池アセンブリ内の可撓性の相互接続構造内に第1の層を、2つ以上の太陽電池アセンブリのうちの別の太陽電池アセンブリ内の可撓性の相互接続構造の第1の層または第2の層と接触させるステップとを含む方法を提供することができる。
本発明の実施形態はまた、太陽電池デバイスを形成する方法であって、光を電気的エネルギーに変換する太陽電池接合の一部であるn型領域およびp型領域を有する太陽電池基板を形成するステップであり、n型領域が、太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、p型領域が、表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと、第1の層、第1の層に形成された第1の孔、第2の層、第2の層に形成された第2の孔、および第1の層を第2の層から分離する誘電体材料を有する相互接続構造を、太陽電池基板の表面に対して位置決めするステップであり、その結果第1の層が第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、第2の層が第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと、第1の孔および第2の孔内に導電性材料を堆積させるステップであり、その結果導電性材料が、第1の層と第1の導電性フィーチャの間に第1の導電性経路を作製し、第2の層と第2の導電性フィーチャの間に第2の導電性経路を作製するステップとを含む方法を提供することができる。
本発明の実施形態はまた、太陽電池デバイスを形成する方法であって、光を電気的エネルギーに変換する太陽電池接合の一部であるn型領域およびp型領域を有する太陽電池基板を形成するステップであり、n型領域が、太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、p型領域が、表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと、第1の導電性フィーチャの2つ以上の領域上および第2の導電性フィーチャの2つ以上の領域上に導電性材料を堆積させるステップであり、第1の導電性フィーチャ上に堆積された導電性材料の2つ以上の領域のそれぞれを、第2の導電性フィーチャ上に堆積された導電性材料の2つ以上の領域のそれぞれから少なくとも第1の距離だけ離間させるステップと、第1の層、第2の層、および第1の層を第2の層から分離する誘電体材料を有する可撓性の相互接続構造を、第1および第2の導電性フィーチャ上に堆積された導電性材料を覆うように位置決めするステップであり、その結果第1の層と第1の導電性フィーチャの間および第2の層と第2の導電性フィーチャの間に電気的接続が形成されるステップとを含む方法を提供することができる。
本発明の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約した本発明について、実施形態を参照してより具体的に説明することができる。実施形態のいくつかは、添付の図面に図示する。
本明細書に記載の本発明の一実施形態で使用できる太陽電池デバイスの例の概略横断面図である。 本明細書に記載の本発明の一実施形態で使用できる太陽電池デバイスの例の概略横断面図である。 本発明の実施形態による太陽電池の概略横断面図である。 本発明の実施形態による接着プロセスの一の段階中の相互接続構造および支持器材の概略図である。 本発明の実施形態による接着プロセスの別の段階中の相互接続構造および支持器材の概略図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の概略平面図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の概略横断面等角図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の概略平面図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の横断面等角図である。 本発明の実施形態による太陽電池の電気的接続の概略図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の横断面等角図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の概略横断面等角図である。 本発明の実施形態による接着後の図6Aに示す相互接続構造の概略横断面図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の概略横断面等角図である。 本発明の一実施形態による太陽電池基板を相互接続構造に接着するために使用される方法の流れ図である。 本発明の実施形態による接着プロセスの一のステップ中の相互接続構造および支持器材の概略図である。 本発明の実施形態による接着プロセスの別のステップ中の相互接続構造および支持器材の概略図である。 本発明の実施形態による接着プロセスの一のステップ中の相互接続構造および支持器材の概略図である。 本発明の実施形態による接着プロセスの別のステップ中の相互接続構造および支持器材の概略図である。 本発明の実施形態によるアレイまたは相互接続された太陽電池の側面図である。 本発明の実施形態によるアレイまたは相互接続された太陽電池の電気的接続構成の概略図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の横断面等角図である。 本発明の実施形態によるアレイまたは相互接続された太陽電池の側面図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の概略平面図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の概略側面横断面等角図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスの一の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスの別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の一実施形態によるシーケンスのまた別の段階中の太陽電池の概略横断面図である。 本発明の実施形態による太陽電池を金属化する方法の流れ図である。 本発明の実施形態による基板の表面上に形成されたパターン付きドーパントの概略平面図である。 本発明の実施形態による図15Aに示す基板表面の一部分の概略拡大平面図である。 本発明の実施形態による基板の表面上に形成されたパターン付き絶縁材料の概略平面図である。 本発明の実施形態による相互接続構造の概略平面図である。
見やすいように、複数の図で共通している同一の要素を指すために、該当する場合、同一の参照番号を使用した。一実施形態の特徴を、さらなる記載なしで他の実施形態に組み込むことができることが企図される。
本発明の実施形態は、太陽電池デバイスを形成する新規な加工シーケンスを使用して高効率の太陽電池を形成することを企図する。一実施形態では、これらの方法は、金属化された太陽電池デバイスに接着された予め製作されたバックプレーンを使用して、生成された電気を受け取るために使用される外部の構成要素に容易に電気的に接続できる相互接続された太陽電池デバイスを形成することを含む。典型的な外部の構成要素は、電力網、衛星、電子デバイス、または他の類似の電力を必要とするユニットを含むことができる。特に本発明から利益を得る太陽電池構造(たとえば、図1〜7内の基板110)には、正と負の両方のコンタクトがデバイスの背面上だけに形成されたものなど、すべてのバックコンタクト式太陽電池が含まれる。活性領域は、有機材料、単結晶シリコン、複結晶シリコン、多結晶シリコン、ゲルマニウム(Ge)、ヒ化ガリウム(GaAs)、テルル化カドミウム(CdTe)、硫化カドミウム(CdS)、セレン化銅インジウムガリウム(CIGS)、セレン化銅インジウム(CuInSe)、リン化ガリウムインジウム(GaInP)、ならびに日光を電力に変換するために使用できるGaInP/GaAs/Ge、ZnSe/GaAs/Ge、または他の類似の基板材料などのヘテロ接合電池を含有することができる。一実施形態では、本明細書に論じたプロセスなどの相互接続または取付けプロセス(複数可)によって生じる応力の量を最小にするために、基板より可撓性の高い予め製作されたバックプレーンを利用し、これを基盤に取り付けることが望ましい。
図1Aは太陽電池デバイス100の横断面側面図であり、太陽電池デバイス100の表面102上に相互接続構造160が形成されることを示す。一例では、図1Aに示すように、太陽電池デバイス100は、まず太陽電池デバイス100の前面101側で光を受け取るすべて裏面コンタクト式の太陽電池構造である。一般に、形成された太陽電池デバイス100内の相互接続構造160は、導電性フィーチャ162、163のパターン付きアレイを含有する。導電性フィーチャ162、163は、太陽電池デバイス100の所望の部分に電気的に接続されており、太陽電池が日光に露出されたときに生成される電流を搬送するように設計される。一例では、太陽電池デバイス100は、基板110、誘電体層161(たとえば、二酸化シリコン)、導電性フィーチャ162および163、ならびに反射防止層151を含む。この構成では、導電性フィーチャ162、163は、表面102上に配置された誘電体層161を覆うように形成されており、それぞれ、基板110内に形成された活性領域と電気的に連通する。一実施形態では、誘電体層161は、厚さ約50Å〜約3000Åの二酸化シリコン層である。一例では、導電性フィーチャ162はp型ドープ領域141と電気的に接触し、導電性フィーチャ163はn型ドープ領域142と電気的に接触する。これらのドープ領域はどちらも、基板110内に形成されており、活性太陽電池デバイスの一部分を形成するために使用される。一構成では、反射防止層151は、薄い不活性化/反射防止層152(たとえば、酸化シリコン、窒化シリコン層)を含む。一般に、p型ドープ領域141は、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、またはガリウム(Ga)からなる群より選択されるドーパント原子を含むことができ、n型ドープ領域142は、リン(P)、ヒ素(As)、またはアンチモン(Sb)からなる群より選択されるドーパント原子を含む。別の構成では、反射防止層151は、非晶質シリコン(a−Si:H)を含む薄い層153、または非晶質炭化シリコン(a−SiC:H)と窒化シリコン(SiN)154のスタックを含む薄い層153を含み、層153は、従来の化学気相成長(PECVD)技法を使用して前面101上に形成される。
図1Bは太陽電池103の横断面側面図であり、ピンナップモジュールタイプの太陽電池モジュールまたはPUM太陽電池デバイス上に相互接続構造170が形成されることを示す。PUMタイプの構造は通常、基板110に形成された複数の孔175を含み、複数の孔175は、導電性ピン178を使用することによって上部コンタクト構造177を導電性フィーチャ173に相互接続するためのバイアとして働く。光は、太陽電池103の前面101上に形成された上部コンタクト構造177を通って、太陽電池103によって受け取られる。一般に、形成された太陽電池103内の相互接続構造170は、外部の太陽熱収集器の構成要素への電気的接続構造を簡略化するために、基板110の裏面上に形成された導電性フィーチャ172、173のパターン付きアレイを含有する。一例では、太陽電池103は、p型ベース領域を含む基板110と、誘電体層171と、相互接続構造170と、n型ドープ領域179と、任意選択の透明導電性酸化物(TCO)層176と、反射防止層151(以下で論じる)とを含む。この構成では、導電性フィーチャ172、173は、表面102上に配置された誘電体層171(たとえば、誘電体層161に類似)を覆うように形成されており、それぞれ、基板110内に形成された活性領域の一部分と電気的に連通する。一例では、導電性フィーチャ172は、基板110のp型ベース領域内に形成されたp型ドープ領域141と電気的に接触し、導電性フィーチャ173は、ピン178、前面コンタクト174、およびTCO層176を通ってn型ドープ領域179と電気的に接触する。一般に、p型ドープ領域174は、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、またはガリウム(Ga)からなる群より選択されるドーパント原子を含むことができ、n型ドープ領域179は、リン(P)、ヒ素(As)、またはアンチモン(Sb)からなる群より選択されるドーパント原子を含む。
導電性フィーチャ162、163、導電性フィーチャ172、173、ピン178、および前面コンタクト174など、太陽電池デバイス100または太陽電池103内に見られるパターン付き金属構造は通常、PVD、CVD、スクリーン印刷、電気めっき、蒸発、または他の類似の堆積技法を使用することによって基板110の表面上に一体形成または堆積された導電性材料である。パターン付き金属構造は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、スズ(Sn)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、または鉛(Pb)などの金属を含有することができる。場合によっては、第2の層としてまたは次の層として銅(Cu)を使用することができ、この層は、基板110の望ましくない領域内に銅材料が拡散するのを防止する適切な障壁層(たとえば、TiW、Taなど)上に形成される。図1Aおよび1Bは2つのタイプの太陽電池デバイス構造だけを示すが、本明細書に記載の本発明の基本的な範囲から逸脱することなく他の構成も使用できるため、これらの構成は、本明細書に記載の本発明の範囲に関して限定しようとするものではない。
一実施形態では、導電性フィーチャ162、163または導電性フィーチャ172、173は、基板110の所望の領域を電気的に分離するようにブランケットを堆積させた導電層をパターニングすることによって形成され、相互接続構造160または170を形成する。一実施形態では、まず基板110の表面102を覆うようにブランケット層を堆積させ、次いで1つもしくは複数のレーザ融除、リソグラフィパターニングおよび湿式もしくは乾式エッチング、または他の類似の技法により、ブランケット層または分離チャネル(たとえば、図5A内の参照番号180)の一部分を取り除くことによって、導電性フィーチャ162、163または172、173を形成する。一般に、別個の電気的に分離された接続構造を形成して太陽電池デバイスのすべてのp型領域とすべてのn型領域を別個に接続できるように、分離チャネルを形成または整合させることが望ましい。望ましく形成された相互接続構造を有する太陽電池デバイスを形成するように適合できる太陽電池形成プロセスの一例は、2008年12月19日出願の米国特許仮出願第61/139,423号[代理人整理番号第APPM13437L03号]および2008年12月10日出願の米国特許仮出願第61/121,537号[代理人整理番号第APPM13438L02号]にさらに記載されている。これらの出願をどちらも、全体として参照により本明細書に組み込む。
図1A〜1Bに示すものなど、より従来の形で形成された太陽電池構造では、通電する導電性フィーチャ162、163または導電性フィーチャ172、173は通常、それぞれ厚さDに形成される。厚さDでの直列抵抗は、形成された太陽電池100または103の外側にある外部集電デバイスに生成された電流を効率的に伝達するのに十分なほど低い。通常、より従来の形で形成された太陽電池100、103の厚さDは、約50,000〜約100,000オングストローム(Å)である。したがって、大部分のPVD、CVD、電気めっき、または他の類似の堆積プロセスに対する典型的な最大堆積速度は10,000Å/分程度であるため、導電性フィーチャ162、163または導電性フィーチャ172、173を形成するプロセスは、5〜10分程度で行うことができる。導電性フィーチャ162、163または導電性フィーチャ172、173を形成するのに長い時間がかかると、太陽電池製造プロセスのコスト・オブ・オーナシップ(CoO)およびそれぞれの形成された太陽電池デバイスに対する単位コストに影響を与える可能性がある。また、導電性フィーチャを形成するために使用される典型的な堆積プロセスは通常、中程度の温度から高い温度で実行され、基板110と、これらの層を形成するために使用される典型的な金属要素との熱膨張係数の差が大きい可能性があるため、形成された太陽電池デバイス内に生じる固有の応力(たとえば、堆積された層内の内部応力)および外部からの応力(たとえば、熱的な不整合によって生じる応力)により、基板が変形する可能性があり、また基板110と堆積された金属の間の電気的な接触が劣化し、または電気的に切断される(たとえば、「開回路」)可能性がある。したがって、より短い時間で、全体的な生産コストを低減して形成でき、また形成された太陽電池デバイス内の全体的な応力を低減させる、太陽電池デバイスを形成する改善された方法が必要とされる。固有の応力によって生じる力の大きさ、したがって基板の変形は、堆積された導電性フィーチャ162、163または172、173層の厚さに応じて変動すると考えられることに留意されたい。
相互接続構造
図2は、太陽電池200上に形成された相互接続構造160内に導電性の構成要素を形成するのに必要な時間を低減させることによって太陽電池200の一部分を相互接続するために使用できる外部相互接続構造220の一実施形態を概略的に示す。一例では、基板上に形成された相互接続構造は、図1Aに示す参照番号160に関連して上記で論じた構造に類似している。図2に示すように、外部相互接続構造220は相互接続構造160に接着され、したがって太陽電池の少なくとも片側の所望の電気的相互接続はすべて、相互接続された太陽電池デバイスを作製するように形成される。一般に、外部相互接続構造220を使用すると、相互接続構造220および相互接続構造160を別個の並列のプロセスで形成できるようにすることによって、太陽電池形成加工シーケンスにおける基板の加工量を改善するのに役立つことができる。また、外部相互接続構造220を使用すると、基板の表面上の堆積された導電性フィーチャ162、163または導電性フィーチャ172、173の必要な厚さを低減させることによって、薄い太陽電池基板内に生じる固有の応力または外部からの応力を低減させるのに役立つこともできる。形成された太陽電池デバイス内に導電性フィーチャによって引き起こされる応力は、堆積された膜の必要な厚さを低減させることによって最小にすることができ、それによって太陽電池形成プロセスの基板の加工量およびデバイスの歩留まりを改善することができる。また、導電性フィーチャ(たとえば、参照番号162、163または172、173)を形成するために使用される層(複数可)の必要な厚さを最小にすることによって、これらの導電性のパターン付き領域を形成するために使用される堆積された層(複数可)を通って融除またはエッチングするのに必要なエネルギーまたは化学物質の量が低減され、それによって基板に対して起こりうる損傷を最小にする。さらに、1次電流路が外部相互接続構造220内の導電性領域を通っているので必要な堆積された金属の量が従来の形で形成された構造のものよりはるかに少ないため、インクジェットまたはスクリーン印刷など、他のより費用効果の高いパターニング技法を使用して、導電性フィーチャをマスキングまたは直接堆積させることができる。図2および3A〜3Bは、すべてバックコンタクトタイプの太陽電池デバイス(たとえば、図1A)を使用して本発明の様々な異なる実施形態を示すが、この構成は、本明細書に記載の本発明の範囲に関して限定しようとするものではない。
一実施形態では、外部相互接続構造220は通常、基板222上に配置され、基板222内に組み込まれ、または基板222に接着されたパターン付き金属構造221、223を含有する。一実施形態では、基板222は可撓性の要素であり、パターン付き金属構造221、223を支持し、取り付けたときには、外部相互接続構造220を太陽電池200上に形成された相互接続構造160の形状と共形にする。一例では、基板222は、1枚のポリイミド材料シートまたは他の類似の材料シートなど、コンプライアントのポリマー材料片である。一般に、外部相互接続構造220は、太陽電池200が日光に露出されたとき、大量の生成された電流を搬送するように設計される。一実施形態では、導電性フィーチャ162、163または導電性フィーチャ172、173は、形成された太陽電池の応力、材料コスト、および導電性フィーチャ162、163、または172、173を形成するのに必要な時間を低減させるように、従来の厚さD(図1A〜1B)より概して薄い所望の厚さDに形成される。一般に、図2に示す構成では、太陽電池200内に形成された導電性フィーチャ162、163または導電性フィーチャ172、173の直列抵抗は、厚さDを有するパターン付き金属構造221、223を使用しなければ高すぎるはずである。一実施形態では、厚さDに厚さDを加えた和が、より従来の形で形成された構造に見られる厚さDに等しい。一実施形態では、導電性フィーチャ162、163または導電性フィーチャ172、173の厚さDを約500Å〜約50,000Åとし、パターン付き金属構造221、223の厚さDを約20,000Å〜約500,000Åとして、形成された太陽電池200の外側にある外部のデバイスへ生成された電流を効率的に伝達できるようにする。一例では、導電性フィーチャ162、163または導電性フィーチャ172、173の厚さDは、約50Å〜約5,000Åである。薄い導電性フィーチャを堆積させ、外部相互接続構造220を基板110に接着することによって形成された太陽電池内に生じる応力は主に、表面102に対して平行なx−y平面(図2)内にあり、したがって、構造の厚さ、使用される材料、または幾何形状(図5E参照)を制御することによって、x−y方向を含有する平面上に見られるあらゆる方向で、外部相互接続構造220の全体的な剛性を低減できることに留意されたい。一例では、外部相互接続構造220の幾何形状は、外部相互接続構造の剛性をxおよび/またはy方向に低減させる可撓性のアコーディオン形状の領域、***、または他の形状のフィーチャなど、フィーチャ227(図5E)を追加することなどによって、x−y平面に対して実質上平坦でないように構成される。x−y平面に対して平坦でないフィーチャ227を追加することで、曲げ剛性(すなわち、x−y平面に対して垂直に供給される負荷)を改善し、それによって基板110が反る可能性を低減させるのに役立つことができる。
パターン付き金属構造221、223は通常、PVD、CVD、スクリーン印刷、電気めっき、蒸発、または他の類似の堆積技法を使用することによって基板222の表面上に一体形成または堆積された導電性材料から形成される。パターン付き金属構造221、223は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、スズ(Sn)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、金(Au)、または鉛(Pb)などの金属を含有することができる。一実施形態では、パターン付き金属構造221、223は、導電性エポキシなどの導電性のポリマー材料から形成することができる。一実施形態では、パターン付き金属構造221、223はそれぞれ、薄い金属箔またはシート状の材料から作られる。別の実施形態では、パターン付き金属構造221、223はそれぞれ、金網状の材料(たとえば、図12A〜12B)から作られる。
一実施形態では、基板222は、ポリテトラフルオロエチレン、FR−4、FR−1、CEM−1、CEM−3、または他の類似の材料のような材料などのプリント回路基板材料である。一実施形態では、基板222は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリイミド、ナイロン、ポリ塩化ビニル(PVC)、または他の類似のポリマーもしくはプラスチック材料からなる群より選択できる1枚の材料シートである。一例では、基板222は、エポキシ樹脂とともに積層された絶縁材料を含み、パターン付き金属構造221、223は、銅箔材料から作られる。
図3Aおよび3Bは、基板110の表面上に形成されたパターン付き金属構造221、223で外部相互接続構造220を相互接続するプロセスを概略的に示す。図3Aおよび3Bに示すように、表面228上に形成された外部相互接続構造220は、まず外部相互接続構造220を相互接続構造160上に位置決めし、次いでパターン付き金属構造221、223の導電性部分が相互接続構造160との接着を形成するのに十分な熱「Q」を印加することによって、相互接続構造160に接着される。一実施形態では、パターン付き金属構造221、223の表面か相互接続構造160にはんだタイプの材料を配置して、これらの構成要素間に信頼性の高い電気的な接触を形成する。一実施形態では、外部相互接続構造220と相互接続構造160の間に形成された電気的相互接続は、それぞれのパターン付き金属構造221、223上に複数の個別の相互接続領域を含み、これらの領域は、それぞれの導電性フィーチャ162、163上に見られる隣接領域との電気的接続を形成する。接着プロセス中、図3Aに示すように、外部相互接続構造220は、外部相互接続構造220と相互接続構造160が整合され、望ましくはともに接着(図3B)されるように、太陽電池基板110上に位置決め「PA」される。一実施形態では、加熱要素(たとえば、はんだごて)などの加熱された印加デバイス291を、パターン付き金属構造221、223と熱的に連通させて、パターン付き金属構造221、223と相互接続構造160の間の境界面に配置された導電性材料231を溶融させ、その間に電気的接続を形成する。一構成では、パターン付き金属構造221、223または相互接続構造160の露出された表面上に導電性材料231を堆積させてから、接触要素に熱「Q」を印加する。一実施形態では、堆積された導電性材料231は、スズ(Sn)、銀(Ag)、銅Cu、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)、および/または鉛(Pb)などの金属を含有できるはんだタイプの材料である。
図4は、外部相互接続構造220の表面228上に形成された互いにかみ合った相互接続構造229の一実施形態の概略平面図である。この構成では、互いにかみ合った相互接続構造229は別個のパターン付き金属構造221、223を有し、パターン付き金属構造221、223はそれぞれ、太陽電池デバイスのn型領域およびp型領域に別個に接続された互いにかみ合ったフィンガ229A形状の構造に形成される。一実施形態では、図4に示すように、互いにかみ合ったフィンガ229Aはそれぞれ、第1のバスライン224または第2のバスライン225に接続される。この構成では、バスライン224、225はそれぞれ、動作中に、接続され互いにかみ合ったフィンガ229Aのそれぞれから流れてくる電流を収集し、収集した電流を、形成された太陽電池デバイスの外側にある駆動される外部負荷「L」へ送達するように寸法設定される。
図5A〜5Cは、外部相互接続構造220上の表面228上に形成されたアレイ相互接続構造230の一実施形態を示す。アレイ相互接続構造230は、基板110の表面上に形成された導電性フィーチャ162、163など、基板の表面上に形成された導電性フィーチャと嵌合するように構成される。一構成では、図5Aに示すように、外部相互接続構造220上に形成されたパターン付き金属構造221、223は、基板110の表面102上に見られる導電性フィーチャ162、163に別個に接続できるように構成される。図5Bは、外部相互接続構造220の表面228上に形成された電気的に分離されたパターン付き金属構造221、223のアレイを示す平面図である。パターン付き金属構造223は、外部相互接続構造220内に形成された絶縁領域232によって、パターン付き金属構造(複数可)221から電気的に分離することができる。図5Cを参照すると、一実施形態では、絶縁領域232は、パターン付き金属構造221および223を電気的に分離するように構成される基板222の一部分を含む。一実施形態では、絶縁領域232は単に、パターン付き金属構造221および223間に空隙180(図3Bおよび6B)を形成する領域である。一例では、絶縁領域232は、外側半径Rを有するパターン付き金属構造223と内側半径Rを有するパターン付き金属構造221との間に形成された環状領域または間隙「G」である。したがって間隙「G」は、RからRを引いた値に等しいと定義することができる。一実施形態では、アレイ相互接続構造230内に見られる電気的に分離されたパターン付き金属構造223のアレイは、中心間の間隔「S」に等しい最近接距離を有する。一例では、アレイ相互接続構造230の半径Rは約125マイクロメートル(μm)〜約1000μmであり、間隙「G」は約100μm〜約1mmであり、最近接間隔「S」は約2mm以下である。
図5A〜5Bを参照すると、一構成では、形成されて外部に接続された太陽電池500によって生成された電流を伝えると、導電性フィーチャ163を通ってパターン付き金属構造223へ流れ、一方導電性フィーチャ162によってパターン付き金属構造221に提供される生成された電流の一部分は、導電性フィーチャ162およびパターン付き金属構造221を通って並列に流れる。一例では、図5Dに概略的に示すように、太陽電池500に当たった光「A」によって生成された電流「i」は、導電性フィーチャ163、パターン付き金属構造223、外部負荷「L」、およびパターン付き金属構造221の一部分を流れてから、パターン付き金属構造221を流れる電流「i」と、導電性フィーチャ162を流れる電流「i」とに分かれる。分かれた電流「i」および「i」は次いで、導電性フィーチャ162によって収集され、形成されたデバイスのp型側に戻される。この構成では、通常、必要な導電性フィーチャ162の厚さを最小にして太陽電池形成プロセス時間およびコスト・オブ・オーナシップ(CoO)を低減させ、それによって生成された電流が導電性フィーチャ162ではなく主にパターン付き金属構造221を流れるように、または電流「i」が電流「i」より大きくなるようにすることが望ましい。通常、導電性フィーチャ162の必要な厚さを最小にすることで、導電性フィーチャ162の堆積材料が消耗するコスト、資本設備コスト、加工時間、および/または太陽電池製作空間を低減させるため望ましい。また、外部相互接続構造220は、太陽電池デバイスを形成するのに必要なものと同じ加工制御(たとえば、熱量、汚染)を必要としない環境内で安価に作ることができ、また焼なまし、拡散、または堆積ステップなどの典型的な太陽電池形成プロセスに適合しないことがある安価な形成プロセスおよび材料の使用を可能にすると考えられる。
一実施形態では、アレイ相互接続構造230内に見られる電気的に分離されたパターン付き金属構造221、223のアレイは、六方最密(HCP)アレイの形で形成される。HCPアレイでは、パターン付き金属構造223はそれぞれ、パターン付き金属構造221(図5B)のフィールド内で間隔「S」に等しい距離を空けて配置された6つの最近接を有する。別の実施形態では、電気的に分離されたパターン付き金属構造223のアレイは、パターン付き金属構造221のフィールド内で何らかの短距離秩序または長距離秩序を有する簡単な方形アレイパターンまたは他のアレイパターンの形で形成される。アレイ相互接続構造230内のパターン付き金属構造221および223の所望のパターンまたは間隔を注意深く選択することによって、太陽電池の抵抗および太陽電池の効率を最適化することができる。パターン付き金属構造221、223の必要な間隔および表面積は通常、基板110のバルク抵抗、ならびにパターン付き金属構造221、223および導電性フィーチャ(たとえば、参照番号162、163)を形成するために使用される金属の導電性および厚さに依存する。相互接続構造230内のアレイパターンでは、互いにかみ合った相互接続構造内に見られるそれぞれの互いにかみ合ったフィンガ(たとえば、フィンガ229A)の長さに沿って生成された電流を流す必要がなく、それによって電流が流れる抵抗性経路が短くなるため、アレイ相互接続構造230には従来の互いにかみ合った構造に勝る利点がある。アレイ相互接続構造230内で電流が流れる経路は、互いにかみ合った構造を流れる経路より短く、それによって太陽電池の収集効率を改善する。たとえば、図4および5A〜5Bを参照すると、フィンガ229Aを流れる電流は、x方向に流れ、次いでy方向に沿って整合されたバスライン224、225を流れてからでなければ、外部負荷「L」へ送達することができないが、図5A〜5Bに示すパターン付き金属構造221および223を流れる電流は、必要に応じてx方向およびy方向に流れることができる。互いにかみ合った相互接続構造内で電流が流れる金属構造内の電流の流域(すなわち、表面積×層厚さ)は、基板の様々なn型またはp型領域と確実に接触するのに必要な表面228上のコンタクト領域の間隔によって制限されることにも留意されたい。
図6Aおよび6Bは、外部相互接続構造220の別の構成を示す。この構成では、太陽電池600を相互接続する複数の形成された接続領域602(図6B)によって、導電性フィーチャ162、163などの導電性フィーチャがパターン付き金属構造221および223に電気的に接続される。一構成では、図6Aに示すように、外部相互接続構造220上に形成されたパターン付き金属構造221、223は、基板110の表面102上に見られる導電性フィーチャ162、163に別個に接続できるように構成される。一実施形態では、外部相互接続構造220と導電性フィーチャ162、163の間に、はんだ材料601のアレイ(図6A)が所望のパターンで配置される。はんだ材料601は、インクジェット印刷プロセス、手動配置プロセス、スクリーン印刷プロセス、または他の類似のプロセスを使用することによって外部相互接続構造220上または導電性フィーチャ162、163上に位置決めされたはんだ材料のボールを含むことができる。図6Bは、太陽電池構造を示す側面横断面図である。この構造では、図3A〜3Bに関連して上記で論じたプロセスに類似のプロセスを使用して、外部相互接続構造220と導電性フィーチャ162、163が接続領域602によってともに接着される。この構成では、接続領域602内に見られるはんだ材料601は、太陽電池600によって生成される電流が外部負荷「L」へ流れることができる導電性経路を形成する。はんだ材料601は、スズ(Sn)、銀(Ag)、銅Cu、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)、および/または鉛(Pb)などの金属を含有することができる。
図6A〜6Bおよび7は、本発明の様々な実施形態のいくつかについて説明するためにアレイ相互接続構造230を示すが、この構成は、本明細書に記載の本発明の範囲に関して限定しようとするものではない。接着された相互接続構造はまた、導電性フィーチャ162、163と、互いにかみ合ったパターン(図4)の形で構成されるパターン付き金属構造221、223との間に形成できることが、当業者には理解されるであろう。互いにかみ合ったパターンタイプの構成では、形成された接続領域602は、導電性フィーチャ162、163とパターン付き金属構造221、223を接続するように、フィンガ229Aおよび/またはバスライン224、225それぞれに沿って、直線のアレイ、互い違いのパターン、または不規則なパターンで整合させることができる。
個別の接着された領域または接続領域602を有する形成された太陽電池600には、パターン付き金属構造221、223の大部分が導電性フィーチャ162、163に接着されるより従来の構成に勝るいくつかの利点がある。一例では、形成された太陽電池600内に生成される応力は、加工中の応力のために外部相互接続構造220および/または基板110が変形することによって、より従来の構成と比較して低減させることができる。外部相互接続構造220および/または基板110の変形のために応力が緩和されると、それによって、いずれかの構成要素内または2つの構成要素間で加工中に生じる生成された外部からの応力または固有の応力が太陽電池製作プロセスのデバイスの歩留まりまたは平均的な太陽電池の寿命に影響を及ぼす可能性が低減する。一実施形態では、接続領域602を通って応力が印加されると主に曲がりまたは歪むように、外部相互接続構造220の横断面を寸法設定することが望ましい。したがって通常、電流を外部負荷「L」へ効率的に送達できるように、そして形成された太陽電池内の所望の量の応力を緩和できるように、パターン付き金属構造221、223および基板222が作られる全体的な厚さ、層厚さ、幾何形状、ならびに材料を制御することが望ましい。一構成では、接続領域602が少なくとも最小距離「P」(図6B)を空けて配置されるようにすることが望ましい。一例では、最小距離「P」は、約0.1mm〜約1mmである。別の例では、最小距離「P」は、約0.1mmより大きい。
代替実施形態では、接続領域602は、パターン付き金属構造221、223と導電性フィーチャ162、163をともにスポット溶接、レーザ溶接、または電子ビーム溶接することによって形成される。この構成では、パターン付き金属構造221、223と導電性フィーチャ162、163の間にはんだ材料601を追加して接続領域602を形成する必要をなくすことができる。この構成では、接続領域602に信頼性の高い電気的接続を形成するために、必要に応じて、パターン付き金属構造221、223または導電性フィーチャ162、163内で使用される材料の選択を変えることができる。一例では、パターン付き金属構造221または223内で、アルミニウム(Al)または銅(Cu)材料が使用される。
図7は、外部相互接続構造220の別の構成を示す。この構成では、パターン付き金属構造221、223の領域内に形成された孔605を通って、接続領域602が形成される。この構成では、図7に示すように、接続領域602は、パターン付き金属構造221または223と導電性フィーチャ162または163の間にはんだ付けされた領域を形成できるように、導電性材料606を孔605内に送達することによって形成される。一実施形態では、導電性材料606は、導電性の接着材料(たとえば、銀粒子入りのエポキシもしくはシリコンベースの材料)またははんだ合金などの金属合金ペーストを含むことができる。
接着プロセス
図9A〜9Bは、太陽電池形成プロセスの異なる段階を示す概略横断面図である。ここでは、基板110上に形成された相互接続構造(たとえば、参照番号160、170)に外部相互接続構造220が接着される。一例では、図9A〜9Bに示すように、加工シーケンスを使用して、外部相互接続構造220を相互接続構造160に接着する。図8内に見られる加工シーケンス800は、本明細書に論じる図9A〜9Bに表す段階に対応する。図9Bは、加工シーケンス800内で論じるステップを使用して外部相互接続構造220の一部分が相互接続構造160に接着された側面概略横断面図である。
図9Aは、接着加工シーケンス800を実行する前に、相互接続構造160などの相互接続構造を覆うように位置決めおよび整合される外部相互接続構造220の一部分の側面概略横断面図である。相互接続構造160は、上記の堆積および/またはパターニングプロセス(複数可)の1つまたは複数を使用して、基板110上に形成することができる。
加工シーケンス800の一実施形態では、外部相互接続構造220を相互接続構造160に接着する前に、パターン付き金属構造221、223上に導電性材料913を配置してから、接着プロセスを実行する。導電性材料913は、上記で論じた導電性材料231、601、または606に類似のものとすることができる。一構成では、導電性材料913は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、はんだ付け、または他の類似のプロセスを使用することによって、図示のように、パターン付き金属構造221、223または導電性フィーチャ162、163の表面(複数可)全体ではなく、個別のパターン付き領域内に配置される。
ボックス802では、図8に示すように、外部相互接続構造220は、支持デバイス900の支持表面901上に位置決めされる。一実施形態では、図9Aに示すように、支持表面901は、支持デバイス900の1つまたは複数の壁905および外部相互接続構造220によって形成された密閉領域911を形成する1つまたは複数の従来の封止要素(たとえば、oリング902)を有する。一実施形態では、密閉領域911は、ポンプ910によって密閉領域911から空気が取り除かれたとき、大気より低い圧力または真空を支持するように構成される。一実施形態では、外部相互接続構造220は、1つまたは複数のロボットタイプのデバイスを使用することによって、自動化された形で支持表面901上に位置決めされる。一実施形態では、外部相互接続構造220は、従来のロールツーロールタイプの自動化機器を使用することによって、支持表面901の上を転がして広げて位置決めされるロール(図示せず)の形で形成される。図9Aは、支持表面901と接触する外部相互接続構造220の一部分だけを概略的に示すが、この構成は、本明細書に記載の本発明の範囲に関して限定しようとするものではなく、接着加工シーケンス800の一実施形態についての説明を助けることだけを目的とする。支持デバイス900は、本明細書に記載の本発明の範囲から逸脱することなく、1つまたは複数の完全な基板110に一度に接着すべき1つまたは複数の完全な外部相互接続構造220を支持するように構成できることが、当業者には理解されるであろう。
ボックス804では、図8に示すように、密閉領域911を排気して、支持表面901上で外部相互接続構造220を支持、保持、および維持する。一実施形態では、図9Aに示すように、密閉領域911を排気すると、密閉領域911の外側に位置決めされた空気が、外部相互接続構造220内に形成された孔605を通って密閉領域911内へ流れる。したがって、密閉領域911を排気すると、次のステップで2つの要素を合わせたとき、大気圧により、導電性フィーチャ162、163をそれぞれ嵌合するパターン付き金属構造221、223に押し付けることができる。
ボックス806では、導電性フィーチャ162、163とパターン付き金属構造221、223は、互いと接触するように整合および位置決めされる。基板110と外部相互接続構造220の間の整合および接触は、所望の位置および整合を確実に実現するように、それぞれの構成要素上のフィーチャ(たとえば、縁部)を使用して、手動で、または自動化された形で実行することができる。上記のように、導電性フィーチャ162、163とパターン付き金属構造221、223は、ポンプ910によって密閉領域911内に生じる真空を使用することによって、ともに押し付け、または真空「チャック」することができる。基板110と外部相互接続構造220の間の整合および接触は、望ましくは外部相互接続構造220に対して基板110を位置決めするロボットデバイスを使用することによって実行することができる。
ボックス808では、導電性フィーチャ162、163およびパターン付き金属構造221、223に熱を送達して、これらの2つの要素間に接着および電気的接続を形成する。一実施形態では、支持デバイス900内に含有される加熱要素920によって導電性フィーチャ162、163およびパターン付き金属構造221、223に熱を印加し、これらの間で導電性材料913を溶融させて接着を形成する。一実施形態では、ボックス808中に実行されるプロセスの少なくとも一部において密閉領域911内で真空を維持して、導電性フィーチャ162、163とパターン付き金属構造221、223の間に良好な接触を確実に形成する。加熱要素920は、所望の量の熱を送達して導電性フィーチャ162、163、パターン付き金属構造221、223、および/または導電性材料913の間に接着を形成できる従来の抵抗性加熱要素、IRランプ(複数可)、または他の類似のデバイスとすることができる。接着された構成要素を支持表面901から取り外して冷却させた後、接着された構造を形成することができる(図9B)。
図10A〜10Bは、ボックス807で実行されるプロセスの異なる段階を示す拡大概略横断面図である。ここでは、外部相互接続構造220と基板110の間に誘電体材料が追加される。通常、誘電体材料を使用して、完成された太陽電池デバイスが正常に使用されるとき、環境による腐食からの電気的分離および/または障壁を提供する。一実施形態では、外部相互接続構造220と基板110の間に誘電体材料1015を追加してから、ボックス808で実行されるプロセス(複数可)を実行して、ボックス808で実行されるプロセス中に追加される熱により、配置された誘電体材料1015の密度を高くし、または硬化させることができる。外部相互接続構造220と基板110を接触させた後(ボックス806)、ボックス807で実行されるステップ中、外部相互接続構造220と基板110の間に形成された空隙180に誘電体材料を送達するように、誘電体材料送達源1011が位置決めされる。一例では、誘電体材料送達源1011は、外部相互接続構造220内に形成された複数の孔1010に誘電体材料を送達するように位置決めされる。複数の孔1010は、外部相互接続構造220と相互接続構造160の間に見られる空隙180(図3B、5C、および6B)と流動的に連通するように位置決めされる。次に、図10Bに示すように、外部相互接続構造220と相互接続構造160の間に誘電体材料1015を配置して、空隙180を実質上充填し、それぞれの導電性フィーチャ162、163とパターン付き金属構造221、223を互いから分離する。一実施形態では、誘電体材料1015は、シリコン、エポキシ、または他の類似の材料などのポリマー材料である。
代替相互接続構造(複数可)
図11A〜11Cは、太陽電池1100の相互接続された太陽電池アレイ1101の様々な実施形態を示す。太陽電池1100は、相互接続された太陽電池アレイを形成するようにともに接着される。図示のように、太陽電池アセンブリ1100は、複数の太陽電池アセンブリ1100をともに容易にかつ費用効果よく相互接続して発電に使用できる太陽電池アレイ1101を形成するために使用される基板110および外部相互接続構造220を含む。本明細書に論じる構成を使用して、個々の太陽電池を製作および相互接続するのに必要な時間を低減させることによって、完成されたモジュールを安価に製作することができる。一実施形態では、太陽電池アセンブリ1100は、参照番号200、500、および600に関連して上記で論じた構造に類似している。図11Aは、日光に露出されたときに所望の電流および電圧を生成するように所望のパターンで接続される太陽電池アセンブリ1100の太陽電池アレイ1101の側面図である。図11Bは、太陽電池アセンブリ(たとえば、参照番号1100、1100、1100、...、1100)の電気的に相互接続された太陽電池アレイ1101の一実施形態の電気的概略図を示す。一例では、N個の太陽電池アセンブリ1100のアレイを直列に接続して太陽電池アレイ1101を形成し、これを外部負荷「L」に接続する。ここでNは、2より大きい太陽電池の任意の数である。
図11Aを参照すると、一実施形態では、太陽電池アセンブリ1100内に見られる外部相互接続構造220は、基板接続領域220Aおよび外部接続領域220Bを含有する。外部接続領域220Bは、太陽電池アセンブリ1100を他の太陽電池アセンブリ1100または他の外部の配線(図示せず)に接続するために使用される。他の外部の配線は、相互接続された太陽電池アレイ1101を外部負荷「L」に接続するために使用することができる。基板接続領域220Aは通常、外部相互接続構造220のうち、上記で論じた導電性フィーチャ162、163などの導電性フィーチャと連通するパターン付き金属構造221、223を有する領域(複数可)である。外部相互接続構造220の外部接続領域220B部分は通常、それぞれのパターン付き金属構造221、223を隣接する太陽電池アセンブリ1100内の導電性フィーチャに別個に接続するために使用される配線要素を有する領域を含む。一実施形態では、図11Cに示すように、外部接続構造220は、導電性フィーチャ162と電気的に連通する第1の金属層220D(たとえば、図2のパターン付き金属構造221)と、導電性フィーチャ163と電気的に連通する第2の金属層220E(たとえば、図2のパターン付き金属構造223)とを含む。第1の金属層220Dと第2の金属層220Eはそれぞれ、接続インターフェース220Cおよび220Fで、別の太陽電池アセンブリ1100の相互接続フィーチャと嵌合するように構成される。直列に接続された2つの太陽電池を有する太陽電池アレイの一例では(たとえば、図11BでN=2)、第1の太陽電池アセンブリ1100の第1の相互接続構造220内の第1の金属層220Dは、第2の太陽電池1100の第2の相互接続構造220内の第2の金属層220Eと電気的に連通し、第1の相互接続構造220内の第2の金属層220Eと第2の相互接続構造220内の第1の金属層220Dとの間に、外部負荷「L」が接続される。異なる方式を使用して太陽電池を並列に接続することもできるが、この場合、それぞれの太陽電池、たとえば第1の太陽電池アセンブリ1100および第2の太陽電池アセンブリ1100内の第1の金属層220Dと第2の金属層220Eがそれぞれともに接続されることが、当業者には理解されるであろう。
図11Dは、容易な相互接続のために形成された外部相互接続構造220に複数の基板110が接続される太陽電池アレイ1101の一実施形態の側面図である。一実施形態では、外部相互接続構造220は、それぞれの基板110を望みに応じて直列および/または並列に相互接続するのに必要な電気的接続を含有する。一例では、図11Dに示すように、外部相互接続構造220内の相互接続金属層の構成は、太陽電池アレイ1101内のそれぞれの基板110上に形成された所望の導電性フィーチャに接続するように構成される。
図12Aは、金網型のパターン付き金属構造221の平面図である。パターン付き金属構造221は、外部相互接続構造220内で一体形成することができ、形成された太陽電池デバイスから電流を搬送するために使用することができる。一般に、外部相互接続構造220内の1つまたは複数のパターン付き金属構造221、223は、形成された太陽電池デバイスの部分を相互接続するために使用される導電性の金網型材料から形成することができる。一例では、図12Aに示すように、パターン付き金属構造221は、1つまたは複数の導電性要素1221を含む。そのような金属を含有するワイヤ材料は、金網を形成するように編組みまたは接続され、相互接続構造160内の導電性フィーチャ162の表面に接着される。一般に、金網を含有する外部相互接続構造220を使用すると、外部相互接続構造220内のパターン付き金属構造の剛性を低減させて基板の表面上の堆積された導電フィーチャ(複数可)の必要な厚さを最小にすることによって、材料の利用率、材料コストを改善し、また薄い太陽電池基板内で生じる固有の応力または外部からの応力を低減させるのに役立つことができる。
一実施形態では、少なくとも1つのパターン付き金属構造221、223内の導電性要素1221は、導電性要素1221と導電フィーチャの間に配置されるはんだ材料を使用して、所望の導電フィーチャ(たとえば、参照番号162、163)に接着される。別の実施形態では、導電性要素1221の一部分を所望の導電性フィーチャに溶接して、それらの間に良好な電気的接続を形成する。一例では、導電性要素1221は、複数の点1222(図12A)で導電層に仮付け溶接される。通常、適合可能および/または溶接可能な材料から導電性要素1221および導電フィーチャ(複数可)162を形成することが望ましい。一例では、導電性要素1221と導電フィーチャ162はどちらも、太陽電池デバイスの表面全体にわたって様々な点1222でともに容易にレーザビーム溶接できるアルミニウム、銅、銀、ニッケル、スズ、鉛、もしくは亜鉛材料(またはこれらの合金)から形成され、またはこうした材料で被覆される。
図12Bは、それぞれ導電性要素1221から形成されたパターン付き金属構造221、223を含有する太陽電池200の側面横断面図を示す。導電性要素1221は、導電性フィーチャ162、163に別個に接続される。パターン付き金属構造221および223がどちらも金網材料から形成される場合、金網層は、絶縁材料層(たとえば、ポリマー材料)を使用することによって互いから電気的に分離されるように、それぞれの所望の導電性フィーチャと相互接続するように別個に構成および整合できることが、当業者には理解されるであろう。一例では、絶縁材料層は、基板222の一部であり、またはそれぞれの導電性要素1221の一部分を覆うように配置される別個の材料である。図12A〜12Bは、本発明の様々な異なる実施形態について説明するために、図2に示す構成に類似のすべてバックコンタクトタイプの太陽電池デバイスを示すが、この構成は、本明細書に記載の本発明の範囲に関して限定しようとするものではない。
第2の代替相互接続構造および形成プロセス
図13A〜13Nは、表面102上に形成されたコンタクト構造を有する太陽電池1300デバイスを形成するために使用される加工シーケンスの異なる段階中の太陽電池基板110の概略横断面図を示す。図14は、太陽電池1300上に活性領域(複数可)および/またはコンタクト構造を形成するために使用されるプロセスシーケンス1400を示す。図14内に見られるシーケンスは、本明細書で論じる図13A〜13Nに表す段階に対応する。
ボックス1402では、図13Aに示すように、基板110の表面を洗浄して、あらゆる望ましくない材料または粗さを取り除く。一実施形態では、洗浄プロセスは、基板を洗浄液に露出させるバッチ洗浄プロセスを使用して実行することができる。基板は、洗浄液で噴霧、浸水、または浸漬させる湿式洗浄プロセスを使用して洗浄することができる。洗浄液は、従来のSC1洗浄液、SC2洗浄液、HF−lastタイプの洗浄液、オゾン化水洗浄液、フッ化水素酸(HF)および過酸化水素(H)溶液、または他の適切かつ費用効果の高い洗浄液とすることができる。洗浄プロセスは、約30秒〜約240秒間、たとえば約120秒間など、約5秒〜約600秒間基板上で実行することができる。別の実施形態では、湿式洗浄プロセスは、まず基板上でのこぎり損傷除去ステップを実行し、次いで第2の前洗浄ステップを実行する2ステッププロセスを含むことができる。一実施形態では、のこぎり損傷除去ステップは、所望の期間にわたって約70℃で維持される水酸化カリウム(KOH)を含む水溶液に基板を露出させることを含む。前洗浄液および加工ステップは、上述の洗浄プロセスに類似のものとすることができる。
ボックス1406では、図13Bおよび14に示すように、基板110の表面1316上に形成された複数の分離領域1318上に、第1のドーパント材料1329が堆積される。一実施形態では、第1のドーパント材料1329は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、ゴム印、または他の類似のプロセスを使用することによって、所望のパターンで堆積または印刷される。一実施形態では、第1のドーパント材料1329は、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials社の一部門であるBaccini S.p.Aから入手可能なSoftline(商標)という器具によって実行されるスクリーン印刷プロセスを使用して堆積される。第1のドーパント材料1329は初め、液体、ペースト、またはゲルとすることができ、後の加工ステップで、ドープ領域を形成するために使用される。場合によっては、第1のドーパント材料1329を配置して分離領域1318を形成した後、基板を所望の温度に加熱して、第1のドーパント材料1329が表面1316上に残るようにし、またドーパント材料1329を硬化させ、密度を高くし、かつ/または表面1316との接着を形成する。一実施形態では、第1のドーパント材料1329は、n型ドープ基板110を覆うように配置されるn型ドーパントを含有するゲルまたはペーストである。シリコン太陽電池の製造で使用される典型的なn型ドーパントは、リン(P)、ヒ素(As)、またはアンチモン(Sb)などの要素である。一実施形態では、第1のドーパント材料1329は、基板110の表面1316上に堆積されるリンを含有するドーパントペーストであり、基板は、約80〜約500℃の温度に加熱される。一実施形態では、第1のドーパント材料1329は、リン酸シリケートガラス前駆体、リン酸(HPO)、亜リン酸(HPO)、次亜リン酸(HPO)、および/または様々なこれらのアンモニウム塩からなる群より選択された材料を含有することができる。一実施形態では、第1のドーパント材料1329は、リン原子とシリコン原子の原子比が約0.02〜約0.20であるリン酸シリケート材料を含有するゲルまたはペーストである。
図15Aは、第1のドーパント材料1329を含有する分離領域1318が所望の形状およびパターンでその上に形成された基板110の表面102の平面図を示す。一実施形態では、図15Aに示すように、分離領域1318は、基板110の表面102全体にわたって方形アレイの形で配置される。別の実施形態では、分離領域1318は、基板110の表面102全体にわたって六方最密パターンで配置することができる。いずれの構成でも、形成された分離領域1318間で最近接距離および/または間隔が均一であることが望ましい。一構成では、分離領域1318は、それぞれの分離領域1318間で所望の密度および間隔を実現して基板110内で形成された生成されたキャリアを均一に収集するのに役立つように、所望の形状で形成される。基板110の表面102全体にわたる分離領域1318の整合、間隔、および形状は通常、形成された接合(たとえば、p−n接合、太陽電池接合)のそれぞれの側面によって収集される前に少数キャリアが進む必要がある距離を十分に短くし、また密度を概ね均一にし、その結果太陽電池効率を最大にするのに重要である。一例では、図15Aおよび15Bに示すように、分離領域1318は、中心ドープ領域1329Aと、所望のパターンで表面102全体にわたって配置された複数のドープフィンガ領域1329Bとを有する「星」形状のパターンで形成される。一実施形態では、中心ドープ領域1329Aは、直径約2mm未満の円形の領域である。別の実施形態では、中心ドープ領域1329Aは、直径約0.5〜約2mmの円形の領域である。一実施形態では、分離領域1318の複数のドープフィンガ領域1329Bは、中心ドープ領域1329Aに接続され、約600〜約1000μmであり、また長さ0.1mm〜約10mmなどの所望の長さを有する。一例では、ドープフィンガ領域1329Bは、幅約800μmである。一例では、隣接して位置決めされた分離領域1318内のドープフィンガ領域1329B間の最大距離1329C、1329Dは、約1mm〜約4mmであり、好ましくは約3mmである。
ボックス1408では、図13Cに示すように、太陽電池1300の表面102を覆うようにドープ層1330が堆積される。ドープ層1330は、ボックス1412で実行される後の表面テクスチャリングプロセス中に表面102がエッチングされるのを最小にしかつ/または防止するエッチマスクとして使用されると有利である。表面テクスチャリングプロセスは、対向する表面101を粗面化するために使用される。一般に、テクスチャ化プロセス中に表面102上に形成される様々な領域から材料が損失するのを防止するために、ドープ層1330と対向する表面101上の露出した材料とのエッチ選択性を比較的高くするべきである。一例では、対向する表面101上の材料とドープ層1330のエッチ選択性は、少なくとも約100:1である。一実施形態では、堆積させたドープ層1330は、厚さ約50〜約500Åの非晶質シリコンを含有する層であり、ホウ素(B)などのp型ドーパントを含有する。一実施形態では、ドープ層1330は、太陽電池1300の表面102を覆うように形成されるPECVD堆積されたBSG層である。
ボックス1408で実行されるプロセスの一実施形態では、太陽電池1300の表面102は、水素(H)、酸素(O)、オゾン(O)、または亜酸化窒素(NO)の少なくとも1つまたは複数を含有するガスを含有するプラズマで処理してから、ホウ素を含有するドープ層1330を堆積させる。プラズマ処理は、表面102に対するドープ層1330の付着性を改善するのに役立つことができる。ドーパント材料1329が何らかの残留炭素を含有する場合、RFプラズマ処理を使用して、表面の炭素濃度および表面102上の材料の嵩を低減させてから、ホウ素ドープ層1330を堆積させることができる。
ボックス1408で実行されるプロセスの一実施形態では、堆積させたドープ層1330は、太陽電池1300の表面102を覆うように形成されたドープ非晶質シリコン(a−Si)層である。一実施形態では、ドープ非晶質シリコン層は、先に堆積させた第1のドーパント材料1329からリン(P)などのドーパント材料が蒸発する量を最小にするように、約200℃の温度で形成された非晶質水素化シリコン(a−Si:H)層である。一例では、ドープ層1330は、トリメチルボランB(CH、シラン(SiH)、および水素(H)を含有するガス混合物を使用して堆積される。一実施形態では、堆積させたドープ層1330は、厚さ約500Å未満のドープ非晶質シリコン(a−Si)層であり、ホウ素(B)などのp型ドーパントを含有する。一例では、ドープ非晶質シリコン(a−Si)層は、厚さ約200Åの膜を形成する加工中、約20%のトリメチルボラン(TMB)とシラン(SiH)のモル比を使用するPECVDチャンバ内で形成される。この例では、モル比は原子比に等しい。別の例では、ドープ非晶質シリコン(a−Si)層は、厚さ200Åの膜を形成するために、約10%のジボラン(B)とシラン(SiH)のモル比を使用するPECVDチャンバ内で形成される。この例では、モル比は0.20の原子比に等しい。ドープ非晶質シリコン膜を使用すると、堆積させた非晶質シリコン膜からドーパント原子を拡散させるのに必要な活性化エネルギーが、ドープ酸化物層からの場合よりはるかに低くなるため、他の従来のドープ酸化シリコンに勝る利点があると考えられる。
ボックス1408で実行されるプロセスの別の実施形態では、堆積させたドープ層1330は、太陽電池1300の表面1316を覆うように形成されたドープ非晶質炭化シリコン(a−SiC)層である。一実施形態では、非晶質SiC層は、先に堆積させた第1のドーパント材料1329からリン(P)などのドーパント材料が蒸発する量を最小にするように、約400℃未満の温度でPECVDプロセスを使用して形成される。一実施形態では、約200℃未満の温度でPECVDプロセスを使用して、ホウ素ドープ非晶質SiC層が形成される。一例では、ドープ層1330は、トリメチルボラン(TMBまたはB(CH)、シラン(SiH)、および水素(H)を含有するガス混合物を使用して堆積される。
ボックス1410で、図13Cに示すように、ドープ層1330の表面を覆うようにキャッピング層1331が堆積される。キャッピング層1331を使用して、後の太陽電池形成加工ステップ中にドープ層1330または第1のドーパント材料1329内に包含されるドーパント原子が、前面101など、基板の望ましくない領域へ移動するのを最小にすると有利である。一実施形態では、キャッピング層1331は、キャッピング層1331より下に配置された層内のドーパント原子の移動が太陽電池の他の領域へ動くのを最小にしまたは防止するのに十分な密度および厚さで形成された誘電体層である。一例では、キャッピング層1331は、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンを含有する材料を含む。一実施形態では、キャッピング層1331は、厚さ約1000Åより大きい二酸化シリコン層である。一実施形態では、キャッピング層1331は、PECVD堆積プロセスを使用して堆積された二酸化シリコン層である。キャッピング層1331はまた、ボックス1412で実行される後のテクスチャ化プロセス中に表面102がエッチングされるのを最小にしかつ/または防止する材料から形成することができる。
ボックス1412では、図13Dおよび14に示すように、基板110の対向する表面101上でテクスチャ化プロセスを実行して、テクスチャ付きの表面1351を形成する。一実施形態では、基板110の対向する表面101は、太陽電池が形成された後、日光を受け取るように適合された太陽電池基板の前面101である。通常、p型ドープ層1330を有する表面をテクスチャ化するとき、ドープ層1330および/またはキャッピング層1331と対向する表面101上に見られる露出させた材料との間のエッチ選択性が高いため、アルカリシリコン湿式エッチングの化学的性質が好ましい。例示的なテクスチャ化プロセスの一例は、2009年1月29日出願の米国仮特許出願第61/148,322号(代理人整理番号第APPM/13323L02号)にさらに記載されている。同出願を、全体として参照により本明細書に組み込む。
ボックス1414では、図13Eおよび14に示すように、基板を約800℃より高い温度に加熱して、第1のドーパント材料1329内のドープ要素およびドープ層1330内に含有されるドープ要素を基板110の表面1316内へ拡散させ、基板110内にそれぞれ第1のドープ領域1341および第2のドープ領域1342を形成する。したがって、形成された第1のドープ領域1341および第2のドープ領域1342を使用して、点接触タイプの太陽電池の領域を形成することができる。一例では、第1のドーパント材料1329はn型ドーパントを含有し、ドープ層1330はp型ドーパントを含有する。これらのドーパントは、基板110内でそれぞれn型領域およびp型領域を形成する。一実施形態では、基板は、窒素(N)、酸素(O)、水素(H)、空気、またはこれらの組合せの存在下で約1〜約120分にわたって約800℃〜約1300℃の温度に加熱される。一例では、基板は、急速熱アニーリング(RTA)チャンバ内で、窒素(N)を多く含む環境において約5分にわたって約1000℃の温度に加熱される。図15Aを参照すると、ボックス1414内のプロセスを実行した後、形成されたドープ領域は通常、ボックス1406で実行されたプロセス中に表面102上に配置された分離領域1318の形状およびパターンに一致する形状およびパターンを有する。一例では、図15Aに示すように、表面102は、第1のドーパント材料1329のパターンに一致する「星」形状にそれぞれ形成された40個のn型領域を含有する。一実施形態では、第1のドーパント材料1329によって形成された第1のドープ領域1341のパターンはまた、図15A内でフィールド領域1328として図示および表示する第2のドープ領域1342(たとえば、p型領域)によって取り囲まれる。
次に、ボックス1418では、図13Fおよび14に示すように、テクスチャ化プロセスを完了して基板の表面102からドープ層1330およびキャッピング層1331などの層を取り除いた後、基板110上で洗浄プロセスが実行される。一実施形態では、洗浄プロセスは、洗浄液で基板を濡らして基板の表面を洗浄することによって実行することができ、その後、基板の様々な領域で後の堆積シーケンスが実行される。濡れは、噴霧、浸水、浸漬、または他の適切な技法によって実現することができる。洗浄液は、SC1洗浄液、SC2洗浄液、HF−lastタイプの洗浄液、オゾン化水溶液、フッ化水素酸(HF)および過酸化水素(H)溶液、もしくは他の適切かつ費用効果の高い洗浄プロセス、またはこれらの組合せとすることができる。洗浄プロセスは、約30秒〜約240秒間、たとえば約120秒間など、約5秒〜約600秒間基板上で実行することができる。
ボックス1420では、図13Gおよび14に示すように、対向する表面101の表面1351上に、反射防止層1354が形成される。一実施形態では、反射防止層1354は、薄い不活性化/反射防止層1353(たとえば、酸化シリコン、窒化シリコン層)を含む。別の実施形態では、反射防止層1354は、薄い不活性化/反射防止層1353(たとえば、酸化シリコン、窒化シリコン層)および透明導電性酸化物(TCO)層1352を含む。一実施形態では、不活性化/反射防止層1353は、真性非晶質シリコン(i−a−Si:H)層および/またはn型非晶質シリコン(n型a−Si:H)層スタックを含むことができ、その後に、透明導電性酸化物(TCO)層および/またはARC層(たとえば、窒化シリコン)が続く。この層は、物理気相成長プロセス(PVD)または化学気相成長プロセスを使用することによって堆積させることができる。形成されたスタックは通常、前面電界効果を生成して表面再結合を低減させ、電子キャリアを基板の裏面上の近傍のn+ドープコンタクトへ横方向に輸送することを促進するように構成される。
図13Gは、薄い不活性化/反射防止層1353およびTCO層1352を含有する反射防止層1354を示すが、この構成は、本明細書に記載の本発明の範囲に関して限定しようとするものではなく、反射防止層1354の一例を図示することだけを目的とする。ボックス1412および1420で完了される対向する表面101の準備はまた、本明細書に記載の本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、ボックス1404のプロセス(複数可)またはプロセスシーケンス1400内の他のステップを実行する前に実行することもできることに留意されたい。
ボックス1422では、図13Hに示すように、表面102を覆うように誘電体層1332が形成され、その結果、形成された太陽電池1300内の様々な形成されたn型領域とp型領域の間に、電気的に分離された領域を設けることができる。一実施形態では、誘電体層1332は酸化シリコン層であり、炉アニーリングプロセス、急速熱酸化プロセス、常圧もしくは低圧CVDプロセス、プラズマ強化CVDプロセス、PVDプロセスなどの従来の熱酸化プロセスを使用して形成することができ、または噴霧、スピン、回転、スクリーン印刷、もしくは他の類似のタイプの堆積プロセスを使用して塗布することができる。一実施形態では、誘電体層1332は、厚さ約50Å〜約3000Åの二酸化シリコン層である。別の実施形態では、誘電体層は、厚さ約2000Å未満の二酸化シリコン層である。一実施形態では、表面102は、形成された太陽電池デバイスの裏面である。誘電体層1332はまた、他の従来の堆積プロセス(たとえば、PECVD堆積)を使用して形成することができ、および/または他の誘電体材料から作ることができるため、酸化シリコンタイプの誘電体層の形成に関する議論は、本明細書に記載の本発明の範囲に関して限定しようとするものではないことに留意されたい。
ボックス1424では、図13Iおよび14に示すように、従来の手段によって誘電体層1332の領域ならびにあらゆる残りのキャッピング層1331および/またはドープ層1330をエッチングして、基板表面上に裏面コンタクト構造1360を形成するために使用できる露出させた領域1335の所望のパターンを形成する。一般に、誘電体層1332内に形成されたパターンは、太陽電池1300内に所望の電気的接続を形成できるように、下にあるn+およびp+ドープ領域と整合される。一例では、エッチングされたパターンは、図16に示すパターンに類似している。このパターンは、先のステップで形成された下にあるn+およびp+ドープ領域の一部分に一致および整合する。裏面102上にパターン付きの露出させた領域1335を形成するために使用できる典型的なエッチングプロセスは、これだけに限定されるものではないが、パターニングおよび乾式エッチング技法、レーザ融除技法、パターニングおよび湿式エッチング技法、または誘電体層1332、キャッピング層1331、およびドープ層1330内に所望のパターンを形成するために使用できる他の類似のプロセスを含むことができる。露出させた領域1335は通常、そこを通って基板110の裏面102への電気的接続を作ることができる表面を提供する。1つまたは複数のパターン付き層を形成するために使用できるエッチングゲルタイプの乾式エッチングプロセスの一例は、2008年11月19日出願の本発明の譲受人に譲渡された同時係属の米国特許出願第12/274,023号[代理人整理番号第APPM12974.02号]でさらに論じられている。同出願を、全体として参照により本明細書に組み込む。
ボックス1426では、図13Jおよび14に示すように、基板110の表面102を覆うように導電層1363が堆積される。一実施形態では、形成された導電層1363は、厚さ約500〜約50,000オングストローム(Å)であり、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、スズ(Sn)、コバルト(Co)、レニウム(Rh)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、鉛(Pb)、パラジウム(Pd)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、タングステン(W)、またはクロム(Cr)などの金属を含有する。しかし、場合によっては、適切な障壁層(たとえば、TiW、Taなど)上に形成される第2の層または後の層として、銅(Cu)を使用することができる。一実施形態では、導電層1363は、まず物理気相成長(PVD)プロセスまたは蒸発プロセスによってアルミニウム(Al)層1361を堆積させ、次いでPVD堆積プロセスを使用することによって銀(Ag)またはスズ(Sn)のキャッピング層1362を堆積させることによって形成された2つの層を含む。
ボックス1428では、図13Kおよび14に示すように、基板110の所望の領域を電気的に分離するように導電層1363をパターニングして、パターン付き相互接続構造1360を形成する。一実施形態では、導電層1363は、スクリーン印刷エッチングペーストを使用してパターニングされる。このエッチングペーストを導電層1363の上面上にパターニングし、基板を所望の温度に加熱することによって、導電層1363の形成された1つまたは複数の層をエッチングする。導電層をエッチングするために使用できるエッチペーストは、Merck KGaAから購入することができる。別の実施形態では、基板110の領域は、1つまたは複数のレーザ融除、パターニングおよび湿式もしくは乾式エッチング、または他の類似の技法によって、導電層1363内にチャネル1371を形成することによって電気的に分離される。一般に、太陽電池デバイスのp型領域とn型領域の間に別個のまたは互いにかみ合った電気的接続構造が形成されるように、チャネル1371を形成または整合させることが望ましい。
ボックス1430では、図13Lおよび14に示すように、パターン付き相互接続構造1360の表面1364上に絶縁材料1391が堆積される。図16は、絶縁材料1391が配置された表面102の平面図である。図16では見やすいように、堆積させた絶縁材料1391より下にある構造は図示していないことに留意されたい。一実施形態では、絶縁材料1391は、基板110の表面102上に、複数の孔1395、1396を有するパターンで配置される。複数の孔1395、1396はそれぞれ、堆積プロセス中に絶縁材料1391内に形成される。一実施形態では、孔1395、1396は、直径約0.1mm〜約1.5mmである。一実施形態では、孔1395、1396は、それぞれ分離領域1318(たとえば、n型領域)およびフィールド領域1328(たとえば、p型領域)によって形成されたドープパターンに接触するように整合および適合される。別の実施形態では、孔1395、1396は公称では、ステップ1406(図15A〜15B)で形成された中心ドープ領域1329Aより小さい。一構成では、孔1395、1396は、パターン付き相互接続構造1360内の導電層1363の所望の領域と整合され(ボックス1428)、その結果後のステップで、外部相互接続構造220とパターン付き相互接続構造1360の間に所望の電気的接続を形成することができる。一実施形態では、絶縁材料1391は、インクジェット印刷、ゴム印、スクリーン印刷、または他の類似のプロセスを使用することによって、所望のパターンで堆積または印刷される。一実施形態では、絶縁材料1391は、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials社の一部門であるBaccini S.p.Aから入手可能なSoftline(商標)という器具で実行されるスクリーン印刷プロセスを使用して堆積される。絶縁材料1391は、液体、ペースト、またはゲルの形で売られているポリマー材料とすることができ、この材料を使用して、パターン付き相互接続構造1360の表面1364の一部分上にパターン付きのコンプライアントの絶縁領域(複数可)を形成する。一実施形態では、絶縁材料1391は、エポキシ、シリコン、または他の類似の材料である。一実施形態では、絶縁材料1391は、紫外線硬化性シリコン材料である。場合によっては、表面1364上に絶縁材料1391を配置した後、絶縁材料1391を熱、光(たとえば、紫外光)、または他の形のエネルギーに露出させて、絶縁材料1391を硬化させ、密度を高くし、かつ/または表面1364との接着を形成することができる。
ボックス1432では、図13Mおよび14に示すように、絶縁材料1391内に形成された孔1395、1396内に導電性材料1392が堆積され、その結果後のステップ(図13N)で、パターン付き相互接続構造1360と外部相互接続構造220内のパターン付き金属構造221、223との間に導電性経路を形成することができる。一実施形態では、導電性材料1392は、インクジェット印刷、ゴム印、スクリーン印刷、または他の類似のプロセスを使用することによって、孔1395、1396内に堆積される。一実施形態では、導電性材料1392は、カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials社の一部門であるBaccini S.p.Aから入手可能なSoftline(商標)という器具によって実行されるスクリーン印刷プロセスを使用して堆積される。導電性材料1392は、液体、ペースト、またはゲルの形で売られているポリマー材料とすることができ、この材料を使用して、導電層1363の領域とパターン付き金属構造221、223の間にパターン付きのコンプライアントの導電性経路を形成する。一実施形態では、導電性材料1392は、形成された太陽電池1300によって生成される電気を伝えるのに十分なほど高い導電性を有する金属で充填されたエポキシ、シリコン、または他の類似の材料である。一例では、導電性材料1392は、約7×10−5オームセンチメートル以下の抵抗率を有する。導電性材料1392によって形成される導電性経路の抵抗を最小にするために、絶縁材料1391および導電性材料1392の厚さは、約50μm未満である。一例では、絶縁材料1391および導電性材料1392の厚さは、約15〜約30μmである。一実施形態では、導電性材料1392は、熱硬化性銀(Ag)を含浸させたシリコン材料またはエポキシ材料である。場合によっては、絶縁材料1391の孔1395、1396内に導電性材料1392を配置した後、基板110を熱、光(たとえば、紫外光)、または他の形のエネルギーに露出させて、導電性材料1392を硬化させ、密度を高くし、かつ/またはパターン付き相互接続構造1360の表面1364上に見られる材料との接着を形成することができる。
ボックス1434では、導電性材料1392、絶縁材料1391、および外部相互接続構造220内のパターン付き金属構造221、223に熱および圧力を送達して、金属構造221、223と孔1395、1396内に配置された導電性材料1392の露出させた部分との間に電気的接続を形成する。またこのプロセス中、外部相互接続構造220、絶縁材料1391、および基板110の表面の間に接着を形成して、太陽電池が使用されるときに表面102を覆うように外部環境内の腐食性要素から分離すると有利である。一実施形態では、加熱要素(図示せず)によって熱が印加され、それによって導電性材料1392が、それぞれの金属構造221、223間に接着を形成する。加熱要素は、外部相互接続構造220内の金属構造221、223、絶縁材料1391、導電性材料1392、および基板110の間に接着を形成するように所望の量の熱を送達できる、従来の抵抗性加熱要素、IRランプ(複数可)、または他の類似のデバイスとすることができる。
図17は、外部相互接続構造220内に形成された互いにかみ合った相互接続構造1729の一実施形態の概略平面図である。相互接続構造1729は、基板110上に形成された導電性材料1392および絶縁材料1391に整合および接着される。この構成では、互いにかみ合った相互接続構造1729は、互いにかみ合ったフィンガ229Aを有する別個のパターン付き金属構造221、223を有する。フィンガ229Aはそれぞれ、太陽電池デバイスの1つの領域(たとえば、n型領域)に結合された孔1395および太陽電池デバイスの別の領域(たとえば、p型領域)に結合された孔1396に別個に接続される。一実施形態では、図17に示すように、互いにかみ合ったフィンガ229Aはそれぞれ、第1のバスライン224または第2のバスライン225に接続される。この構成では、バスライン224、225はそれぞれ、動作中に、接続され互いにかみ合ったフィンガ229Aのそれぞれから流れてくる電流を収集し、収集した電流を、形成された太陽電池1300の外側にある駆動される外部負荷「L」へ送達するように寸法設定される。
コンプライアント絶縁材料1391および/またはコンプライアント導電性材料1392を使用すると、形成された太陽電池1300内に生成される応力は、太陽電池1300形成プロセス中に生成される応力のためにコンプライアント絶縁材料1391および/またはコンプライアント導電性材料1392が変形することによって、従来の構成と比較して低減できることが考えられる。したがって、絶縁材料1391および/または導電性材料1392の変形のために応力が緩和されることで、加工中に生じた応力が太陽電池製作プロセスのデバイス歩留まりまたは平均的な太陽電池の寿命に影響を及ぼす可能性が低減する。一実施形態では、基板110および/または外部相互接続構造220によって応力が印加されると主に曲がりまたは歪むように、コンプライアント絶縁材料1391および/またはコンプライアント導電性材料1392の横断面を寸法設定することが望ましい。したがって通常、形成された太陽電池内の所望の量の応力を緩和できるように、絶縁材料1391および/または導電性材料1392の層厚さおよび材料特性を制御することが望ましい。一実施形態では、弾性係数が低く障害時の伸びが大きいため、絶縁材料1391および導電性材料1392をエラストマ材料から形成することが望ましい。
上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲で決まる。

Claims (16)

  1. 第1の太陽電池デバイスの一部分を第2の太陽電池デバイスに電気的に接続するために使用される可撓性の相互接続構造であって、
    第1の導電層と、
    第2の導電層と、
    前記第1の導電層を前記第2の導電層から分離する誘電体材料とを含み、前記第1の導電層が、太陽電池基板の基板表面上に形成された1つまたは複数の第1の導電性フィーチャに接触するように構成される1つまたは複数の第1の相互接続領域を含み、前記第2の導電層が、前記基板表面上に形成された1つまたは複数の第2の導電性フィーチャに接触するように構成される1つまたは複数の第2の相互接続領域を含み、
    前記太陽電池基板が、前記1つまたは複数の第1の導電性フィーチャと連通するn型領域と、前記1つまたは複数の第2の導電性フィーチャと連通するp型領域とを有する、相互接続構造。
  2. 前記可撓性の相互接続構造内の前記第1の導電層および前記第2の導電層の厚さが、約20,000Å〜約500,000Åであり、前記1つまたは複数の第1の導電性フィーチャおよび前記1つまたは複数の第2の導電性フィーチャの厚さが、前記第1の導電層および前記第2の導電層の前記厚さより小さい、請求項1に記載の相互接続構造。
  3. 前記太陽電池基板が、前記基板表面に対して平行な方向に、前記第1の可撓性の相互接続構造より高い機械的剛性を有する、請求項1に記載の相互接続構造。
  4. 前記可撓性の相互接続構造内の前記第1および第2の導電層と、前記太陽電池基板上の前記1つまたは複数の第1の導電性フィーチャおよび前記1つまたは複数の第2の導電性フィーチャとが、前記第1の太陽電池デバイス内で生成された電流が流れるように構成された電気的回路の一部を形成しており、前記第1の導電層または前記第2の導電層を通るように形成された前記電気的回路の電気抵抗が、前記1つもしくは複数の第1の導電性フィーチャまたは前記1つもしくは複数の第2の導電性フィーチャを通る電気抵抗より小さい、請求項1に記載の相互接続構造。
  5. 太陽電池デバイスを形成する方法であって、
    太陽電池基板を覆うように可撓性の相互接続構造を位置決めするステップであり、その結果前記可撓性の相互接続構造の第1の導電層の一部分が太陽電池基板上に配置されたn型領域と電気的に連通し、第2の導電層の一部分が前記太陽電池基板上に配置されたp型領域と電気的に連通するステップを含み、
    前記可撓性の相互接続構造内に配置された誘電体材料が、前記第1の導電層を前記第2の導電層から分離し、また前記第1の導電層の前記部分および前記第2の導電層の前記部分が、前記可撓性の相互接続構造の第1の表面と接触する方法。
  6. 前記n型領域が、前記太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記p型領域が、前記表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通し、かつ前記方法が、
    前記第1の導電性フィーチャの1つの領域上および前記第2の導電性フィーチャの2つ以上の領域上に導電性材料を配置するステップをさらに含み、前記導電性材料の少なくとも一部分が前記可撓性の相互接続構造と前記基板の前記表面との間に配置され、前記第1の導電性フィーチャ上に配置された導電性材料の前記領域が、前記第2の導電性フィーチャ上に堆積された導電性材料の前記2つ以上の領域から少なくとも第1の距離だけ離間している、請求項5に記載の方法。
  7. 太陽電池デバイスを形成する方法であって、
    光を電気的エネルギーに変換する接合の一部を形成するn型領域およびp型領域を有する太陽電池基板を受け取るステップであり、前記n型領域が、前記太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記p型領域が、前記表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと、
    第1の層、前記第1の層に形成された第1の孔、第2の層、前記第2の層に形成された第2の孔、および前記第1の層を前記第2の層から分離する誘電体材料を有する相互接続構造を、前記太陽電池基板の前記表面に対して位置決めするステップであり、その結果前記第1の層が前記第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記第2の層が前記第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと、
    前記第1の孔および前記第2の孔内に導電性材料を堆積させるステップであり、その結果前記導電性材料が、前記第1の層と前記第1の導電性フィーチャとの間に第1の導電性経路を形成し、前記第2の層と前記第2の導電性フィーチャの間に第2の導電性経路を形成するステップと
    を含む方法。
  8. 前記導電性材料が、スズ(Sn)、銀(Ag)、鉛(Pb)、および導電性ポリマーからなる群より選択される、請求項7に記載の方法。
  9. 太陽電池デバイスを形成する方法であって、
    密閉容器の1つまたは複数の壁と相互接続構造との間に密閉領域を形成するステップであり、前記相互接続構造が、
    第1の層と、
    第2の層と、
    前記第1の層と前記第2の層との間に配置された誘電体材料と、
    それぞれ前記密閉領域と連通し、前記相互接続構造の一部分に形成される第1の孔および第2の孔と
    を含むステップと、
    太陽電池基板上に形成された第1の導電性フィーチャを前記第1の層に隣接して位置決めし、前記太陽電池基板上に形成された第2の導電性フィーチャを前記第2の層に隣接して位置決めするステップであり、前記第1の導電性フィーチャが、前記太陽電池基板上に形成されたn型領域と電気的に連通し、前記第2の導電性フィーチャが、前記太陽電池基板上に形成されたp型領域と電気的に連通するステップと、
    前記第1の導電性フィーチャ、前記第1の層、前記第2の導電性フィーチャ、および前記第2の層を加熱するステップであり、その結果前記第1の導電性フィーチャと前記第1の層との間、および前記第2の導電性フィーチャと前記第2の層との間に接着が形成されるステップと、
    前記加熱プロセス中に、前記第1の導電性フィーチャを前記第1の層に押し付け、前記第2の導電性フィーチャを前記第2の層に押し付けるステップと
    を含む方法。
  10. 前記加熱プロセス中に、前記第1の導電性フィーチャを前記第1の層に押し付け、前記第2の導電性フィーチャを前記第2の層に押し付けるステップが、前記加熱プロセス中に、前記密閉領域を排気して前記密閉領域内および前記第1および第2の孔内に大気より低い圧力を形成し、大気圧により、前記第1の導電性フィーチャを前記第1の層に押し付け、前記第2の導電性フィーチャを前記第2の層に押し付けるステップを含む、請求項9に記載の方法。
  11. 太陽電池デバイスを形成する方法であって、
    光を電気的エネルギーに変換する接合の一部を形成するn型領域およびp型領域を有する太陽電池基板を形成するステップであり、前記n型領域が、前記太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記p型領域が、前記表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと、
    前記第1の導電性フィーチャおよび前記第2の導電性フィーチャを覆うように第1のコンプライアント層を堆積させるステップであり、前記第1のコンプライアント層内に、第1の孔および第2の孔が形成されるステップと、
    前記第1の孔および前記第2の孔内に導電性材料を堆積させるステップであり、前記第1の孔内に配置された前記導電性材料が前記第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記第2の孔内に配置された前記導電性材料が前記第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと、
    第1の層、第2の層、および前記第1の層を前記第2の層から分離する誘電体材料を有する相互接続構造を、前記第1のコンプライアント層の表面を覆うように位置決めするステップであり、その結果前記第1の層が、前記第1の孔内に配置された前記第1の導電性材料を介して前記第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記第2の層が、前記第2の孔内に配置された前記第1の導電性材料を介して前記第2の導電性フィーチャと電気的に連通するステップと
    を含む方法。
  12. 前記第1の導電性材料が、スズ(Sn)、銀(Ag)、鉛(Pb)、および導電性ポリマーからなる群より選択された金属を含む、請求項11に記載の方法。
  13. 前記相互接続構造を加熱して、前記太陽電池基板、前記第1のコンプライアント層、および前記相互接続構造の間に接着を形成するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
  14. 第1の太陽電池アセンブリであって、
    光を電気的エネルギーに変換する接合の一部であるn型領域およびp型領域を有する第1の太陽電池基板であって、前記n型領域が、前記第1の太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記p型領域が、前記表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通する第1の太陽電池基板と、
    第1の層、第2の層、および前記第1の層を前記第2の層から分離する誘電体材料を有する第1の可撓性の相互接続構造であって、前記第1の層が、前記第1の太陽電池基板上に形成された前記第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記第2の層が、前記第1の太陽電池基板上に形成された第2の導電性フィーチャと電気的に連通する第1の可撓性の相互接続構造と
    を含む第1の太陽電池アセンブリと、
    第2の太陽電池アセンブリであって、
    光を電気的エネルギーに変換する接合の一部であるn型領域およびp型領域を有する第2の太陽電池基板であって、前記n型領域が、前記第2の太陽電池基板の表面上に配置された第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記p型領域が、前記表面上に配置された第2の導電性フィーチャと電気的に連通する第2の太陽電池基板と、
    第1の層、第2の層、および前記第1の層を前記第2の層から分離する誘電体材料を有する第2の可撓性の相互接続構造であって、前記第1の層が、前記第2の太陽電池基板上に形成された前記第1の導電性フィーチャと電気的に連通し、前記第2の層が、前記第2の太陽電池基板上に形成された第2の導電性フィーチャと電気的に連通する、第2の可撓性の相互接続構造と
    を含む第2の太陽電池アセンブリと
    を備える複数の相互接続された太陽電池であって、
    前記第1の可撓性の相互接続構造内の前記第1の層が、前記第2の可撓性の相互接続構造の前記第1の層または前記第2の層に電気的に接続されている、
    複数の相互接続された太陽電池。
  15. 前記第1の太陽電池基板および第2の太陽電池基板の前記表面上に配置された前記第1の導電性フィーチャおよび前記第2の導電性フィーチャの厚さが、約20Å〜約5000Åであり、前記第1の可撓性の相互接続構造および第2の可撓性の相互接続構造内の前記第1の層および前記第2の層の厚さが、約20,000Å〜約500,000Åである、請求項14に記載の複数の相互接続された太陽電池。
  16. 前記第1および第2の可撓性の相互接続構造内の前記第1および第2の層と、前記第1および第2の太陽電池基板上の前記第1の導電性フィーチャおよび前記第2の導電性フィーチャとが、前記複数の相互接続された太陽電池から生成された電流が流れるように構成される電気的回路の一部を形成しており、前記第1の層または前記第2の層を通るように形成された前記電気的回路の電気抵抗が、前記第1の導電性フィーチャまたは前記第2の導電性フィーチャを通る電気抵抗より小さい、請求項14に記載の複数の相互接続された太陽電池。
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