TWI662716B - 太陽能電池之阻障金屬膏 - Google Patents
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Abstract
一種生產線，包括紋理化模組，設以紋理化基板；射極模組，設以形成射極區；鈍化層模組，設以形成鈍化層；阻障觸點模組，設以形成阻障觸點區；燃燒模組，設以退火該阻障觸點區；頂部金屬觸點模組，設以形成頂部金屬觸點區；以及焊接模組，設以將該阻障觸點區焊接至該頂部金屬觸點區。藉由一或多個自動化基板搬運機將該等模組整合為單一生產線。一種用於生產太陽能電池的方法，包括在自動化生產線中依序：在基板中摻雜摻雜劑；配置鈍化層；配置及退火阻障金屬膏以形成阻障觸點；以及配置及退火金屬觸點膏以形成頂部金屬觸點區。
Description
本發明之實施例大體而言係關於形成太陽能電池之觸點與互連金屬化的生產線和製程程序，以及由該生產線和製程程序形成的太陽能電池。
太陽能電池是直接將太陽光轉換成電功率的光電裝置。最常見的太陽能電池材料是矽，矽係處於單晶基板或多晶基板的形式，有時亦稱為基板。由於形成以矽為基礎的太陽能電池來發電的攤提成本比使用傳統方法發電的成本更高，故一直有降低形成太陽能電池所需成本的努力。
傳統的矽太陽能電池，例如結晶矽太陽能電池，使用以金屬為基礎的觸點結構用於前表面的電流收集和後表面接觸區。金屬觸點結構和基板之間的接觸電阻率總是被要求是低的，以便保持太陽能電池之良好電性能。對於製造金屬觸點的改良有助於降低生產成本。
因此，需要有一種在基板表面上形成金屬觸點結構和互連結構的改良方法，以形成具有所需電性能以及低製造成本的太陽能電池。
本發明提供一種生產線、一種用於形成太陽能電池的方法以及太陽能電池。一種用於製造太陽能電池的生產線，包括紋理化模組、射極模組、鈍化層模組、阻障觸點模組、燃燒模組、頂部金屬觸點模組以及焊接模組。該紋理化模組設以紋理化基板。該射極模組設以接收來自該紋理化模組的該基板，並於該基板上形成射極區。該鈍化層模組設以接收來自該射極模組的該基板，並於該射極區上形成鈍化層。該阻障觸點模組設以接收來自該鈍化層模組的該基板，並於該基板上退火阻障觸點區。該燃燒模組設以接收來自該阻障觸點模組的該基板，並於該基板上退火該阻障觸點區。該頂部金屬觸點模組設以接收來自該燃燒模組的該基板，並於該阻障觸點區上形成頂部金屬觸點區。該焊接模組設以將該阻障觸點區焊接至該頂部金屬觸點區。該等模組係藉由一或多個自動化基板搬運機整合為單一生產線。
在另一個實施例中，一種用於生產太陽能電池的方法包括在自動化生產線中依序在基板中摻雜摻雜劑以及在該基板上配置鈍化層。該方法還包括在該基板上配置阻障金屬膏，以及退火該阻障金屬膏以形成阻障觸點區。該方法進一步包括在該阻障觸點區上配置頂部金屬觸點膏，以及退火該頂部金屬觸點膏以形成頂部金屬觸點區。
在又另一個實施例中，一種阻障金屬膏包括金屬顆粒以及溶劑，該金屬顆粒具有配置於該金屬顆粒周圍的氮化物層。
第1圖繪示依據本發明之一個實施例用於形成太陽能電池的生產線100。第2圖繪示依據本發明之一個實施例使用第1圖的生產線可以實施的處理程序200之方塊圖。在本發明之一個實施例中，生產線是自動化的。第3A圖至第3H圖繪示依據本發明之一個實施例在第2圖的處理程序之不同生產階段過程中太陽能電池基板之剖面圖。值得注意的是，第1圖中的生產線與第2圖繪示的處理程序只是可用於製造太陽能電池的處理流程之實例。可以在第1圖和第2圖中繪示的模組和方塊之間分別視需要加入額外的模組和方塊，以形成理想的太陽能電池。可選擇地，可以在選擇性的清洗模組之處理程序中的一或多個點執行一或多種清洗製程。同樣地，可以視需要去除本文所繪示的一些模組和方塊。亦考量的是，可以視需要於任何所需的階段在基板的背側上形成一或多個金屬層或介電層。
系統控制器102便利生產線100整體的控制與自動化，且可包括中央處理單元（CPU）（未圖示）、記憶體（未圖示）以及支持電路（或I/O）（未圖示）。CPU可以是任何形式的電腦處理器中的一種，該等電腦處理器是在工業設定中用以控制各種腔室製程與硬體（如輸送器、光學檢查組件、馬達、流體輸送硬體等）以及監控系統與腔室製程（如基板定位、製程時間、偵測器訊號等）。記憶體與CPU連接，而且該記憶體可以是一或多個容易買到的記憶體，例如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟或任何其他形式的位於本端或遠端的數位儲存器。可將軟體指令與資料譯碼並儲存於記憶體內，以指示CPU。支持電路也與CPU連接，用以以傳統方式支持處理器。支持電路可包括緩存、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路系統、子系統以及類似物。系統控制器102可讀的程式（或電腦指令）決定可於基板上進行何項任務。程式是系統控制器102可讀的，該程式包括用以產生並至少儲存基板定位資訊、各種控制元件的移動順序、基板光學檢查系統資訊以及以上任意組合的譯碼。
生產線100包括一或多個自動化基板搬運機120。自動化的基板搬運機120可以是一或多個設以依序或非依序傳送基板通過生產線100之模組的輸送機、機械手或台板軌道，將在下面進一步描述。在實施例中，如第1圖、第2圖和第3A圖至第3H圖所繪示的，該製程藉由在紋理化模組104提供基板302而開始於方塊202，基板302具有配置於基板302之一或多個表面的摻雜劑。基板302可以是單晶或多晶矽基板、含矽基板、摻雜的含矽基板、非晶矽基板、銅銦鎵（二）硒化物基板、砷化鎵基板、碲化鎘基板或其他適合的基板。在一個實施例中，基板302是摻雜的含矽基板，且該摻雜的含矽基板中配置有p型摻雜劑。在一個實施例中，基板302為p型結晶矽（c-Si）基板。用於矽太陽能電池製造的P型摻雜劑為諸如硼、鋁或鎵等化學元素。在另一個實施例中，結晶矽基板302可以是電子級矽基板或低壽命、富含缺陷的矽基板，例如升級冶金級（UMG）的結晶矽基板。升級冶金級（UMG）的矽是相對乾淨的多晶矽原料，且具有低濃度的重金屬和其他有害雜質，例如在每百萬份中有部分的範圍，但升級冶金級的矽可含有高濃度的硼或磷，視來源而定。在某些應用中，基板可以是背接觸式矽基板，且可以藉由射極穿透式（EWT）、金屬繞邊式（MWA）或金屬穿透式（MWT）方法來製備。雖然本文所繪示的實施例和相關的討論主要在討論p型c-Si基板的使用，但並無意圖將本發明之範圍限制於此實施例。基於使用的基板類型，將可改變形成於基板上的射極，如下文將討論的。
在方塊204，在紋理化模組104中紋理化基板302。紋理化製程粗糙化基板302的前側304，以形成紋理化表面306，如第3B圖所圖示。在已經形成太陽能電池之後，太陽能電池基板302之前側上的紋理化表面306係適於接收太陽光。形成紋理化表面306以增強太陽能電池捕捉的光，而改善轉換效率。在一個實例中，基板302在蝕刻溶液中被蝕刻約30分鐘，該蝕刻溶液包含溫度保持在約79℃至80℃下約2.7體積%的氫氧化鉀（KOH）和約4500 ppm分子量300（300 MW）的聚乙二醇（PEG）。在一個實施例中，用於蝕刻矽基板的蝕刻溶液可以是氫氧化鉀（KOH）水溶液、氫氧化鈉（NaOH）、氨水（NH4
OH）、氫氧化四甲基銨（TMAH；或(CH3
)4
NOH）或其他類似的鹼性溶液。蝕刻溶液通常將會非等向地蝕刻基板302，而在基板302的紋理化表面306上形成角錐形物。
在方塊206，如第3C圖所圖示，在射極模組106中使用摻雜劑材料（如摻雜氣體）來在太陽能電池基板302之紋理化表面306上形成射極區308（例如n+摻雜區或p+摻雜區）。在一個實施例中，藉由使用氣體相摻雜製程在基板302中形成射極區308。在一個實施例中，射極區308之厚度係介於約50埃和約20 μm之間，並且射極區308包含n型摻雜劑原子。
在一個實施例中，在方塊206，使射極模組106之沉積模組提供的摻雜氣體中的摻雜劑擴散進入基板，以形成射極區308。在一個實例中，藉由使用磷醯氯（POCl3
）擴散製程將來自摻雜氣體的磷摻雜劑原子摻雜進入基板302的表面，該磷醯氯擴散製程係於相對較高的處理溫度下進行。在一個實例中，在射極模組106中含摻雜劑氣體的存在下將基板302加熱到大於約800℃的溫度，以使含摻雜劑氣體中的摻雜元素擴散進入基板的表面，而形成射極區。在一個實施例中，在含磷醯氯（POCl3
）氣體的存在下將基板加熱到介於約800℃和約1300℃之間的溫度持續約1分鐘至約120分鐘之間的時間。摻雜劑材料的其他實例可以包括但不限於多磷酸、磷矽酸鹽玻璃前驅物、磷酸（H3
PO4
）、磷酸（H3
PO3
）、次磷酸（H3
PO2
）及/或上述物質之各種銨鹽。在一個實施例中，射極模組106包括快速熱退火（RTA）腔室、退火腔室、管式爐或帶式爐腔室。
在方塊206之替代實施例中，可以在射極模組106中藉由使用沉積模組和加熱器模組將摻雜劑材料沉積或印刷在基板302表面上所需的圖案中而形成射極區域308，該沉積模組使用網印、噴墨印刷、噴射沉積、橡膠沖壓、雷射擴散或其他類似的製程來將基板302的前表面曝露於摻雜劑，然後該加熱器模組將摻雜劑材料中的摻雜劑原子驅入基板的表面。射極區308最初可能會被用以在基板302形成重摻雜區的液體、膏或凝膠覆蓋。然後，將基板302加熱到大於約800℃的溫度，以使摻雜劑驅入或擴散進入基板302的表面，而形成第3C圖中圖示的射極區308。在一個實施例中，藉由加熱基板302到介於約800℃至約1300℃之間的溫度持續一段所需的時間，例如約1分鐘至120分鐘，以進行驅入製程。可以在射極模組106中藉由任何適當的熱處理模組來進行驅入製程。
在另一個實施例中，在射極模組106中也可以形成可選擇的選擇性射極區（未圖示），該選擇性射極區具有重N++摻雜區的圖案類型。可以藉由在本技術領域中眾所周知的傳統光微影和離子植入技術或傳統的介電遮蔽和高溫爐擴散技術來形成重摻雜區的圖案類型。
在方塊208，在鈍化層模組108中將鈍化層310形成在基板302之射極區308上，如第3D圖所圖示。鈍化層310可以視需要選擇性地包括透明導電氧化物（TCO）層（未圖示）。在一個實例中，鈍化層310可以是薄的鈍化層，如氧化矽或氮化矽。在一個實施例中，鈍化層310可以是薄膜堆疊，該薄膜堆疊具有與射極區308接觸的第一層和配置於該第一層上的第二層。在一個實例中，該第一層可以包含在PECVD腔室中藉由電漿增強化學氣相沉積（PECVD）製程形成的氮化矽層，該氮化矽層之厚度係介於約50埃（Å）和約350 Å之間，例如150 Å厚，並且該氮化矽層具有理想數量（Q1
）的內部形成捕捉電荷，以有效地鈍化基板表面。在一個實例中，該第二層可以包含由PECVD製程形成的氮化矽（SiN）層，該氮化矽層之厚度係介於約400 Å和約700 Å之間，例如600 Å厚，並且該氮化矽層具有理想數量（Q2
）的內部形成捕捉電荷，以有效地協助大量鈍化基材表面。將注意到的是電荷的類型，例如基於Q1
和Q2
之總和的淨正或負電荷，較佳係由上方形成鈍化層的基板之類型所設定。然而，在一個實例中，理想的是可以在p型基板表面上實現介於約5×1011
庫侖/cm2
至約1×1013
庫侖/cm2
之間的總淨負電荷。或者，在某些需要異質接面型太陽能電池的實施例中，鈍化層310可以包括薄（20 Å至100 Å）的本質非晶矽（i-a-Si:H）層，之後為ARC層（例如氮化矽），該ARC層可以分別在PVD或CVD腔室中使用物理氣相沉積（PVD）製程或化學氣相沉積（CVD）製程沉積。
在方塊208之另一個實施例中，在鈍化層模組108中藉由濕蝕刻/鈍化製程使用氟化氫氣體或類似物在基板302的射極區308上形成鈍化層310，如第3D圖所圖示。
在方塊210，在阻障觸點模組110中藉由使用網印、噴墨印刷、電鍍、化學氣相沉積、物理氣相沉積、電極/無電極或其他類似的製程形成並界定所需的圖案，而選擇性地將阻障金屬觸點膏312沉積在鈍化層310上，以形成阻障觸點，其中形成到下方基板表面（例如矽）的電觸點，如第3E圖中所繪示。在一個實施例中，藉由網印製程將阻障金屬觸點膏312配置在鈍化層310上理想的圖案中，其中阻障金屬觸點膏312通過不銹鋼網版被印刷在鈍化層310上。在一個實例中，可以在SoftLineTM
系統中進行網印製程，該SoftLineTM
系統可向應用材料Italia S.r.l.購得，應用材料Italia S.r.l.為美國加利福尼亞州聖克拉拉的應用材料公司之部門。還可以考量的是，也可以使用來自其他製造商的沉積設備。
將阻障觸點模組110中提供的阻障金屬觸點膏312繪示於第4圖中。在一個實施例中，阻障金屬觸點膏312可以包括聚合物樹脂，該聚合物樹脂具有至少一種配置在聚合物樹脂中的金屬顆粒400。聚合物和顆粒的混合物通常被稱為「膏」或「墨」。聚合物樹脂作為載體，以幫助使阻障金屬觸點膏312可被印刷到鈍化層310上。在一個實施例中，在阻障金屬觸點膏312中找到的金屬顆粒400可以選自鎳、鎢、鈦、鉭、氮化鉭、鈷或其他適合的金屬，以提供適當的導電來源，用於形成穿過鈍化層310到基板表面的電觸點。在生產阻障金屬觸點膏312的過程中，在金屬顆粒400上進行使用N2
、NH3
或N2
-H2
處理（即N2
和H2
的環境）的氮化步驟，以在金屬顆粒400周圍形成氮化物層402。這有利地防止了阻障金屬觸點膏312在未來的退火步驟過程中氧化，並允許膏具有導電性。此外，阻障金屬觸點膏312可包括溶劑或載體氣體404。在某些情況中，在配置阻障金屬觸點膏312之後，將基板302加熱至理想的溫度，以確保阻障金屬觸點膏312將保持在基板302上，並使阻障金屬觸點膏312固化於基板302上。
在一個實施例中，在選擇性的方塊212，在背面金屬觸點模組112中藉由使用網印、噴墨印刷、電鍍、化學氣相沉積、物理氣相沉積，電極/無電極或其他類似的製程形成和界定所需的圖案，而選擇性地將背面金屬觸點膏314沉積在基板302的背側上，如第3E圖中所繪示。在一個實施例中，藉由網印製程將背面金屬觸點膏314配置在基板302背側上理想的圖案中，其中背面金屬觸點膏314通過不銹鋼網版被印刷在基板302之背側上。在一個實例中，可以在SoftLineTM
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系統可向應用材料Italia S.r.l.購得，應用材料Italia S.r.l.為美國加利福尼亞州聖克拉拉的應用材料公司之部門。還可以考量的是，也可以使用來自其他製造商的沉積設備。在一個實施例中，背面金屬觸點膏314包括配置在聚合物樹脂中的鋁顆粒，背面金屬觸點膏314係用於形成電觸點和p型基板後表面上的背表面場（BSF）區。
在方塊214，在基板302的前表面上形成阻障金屬觸點膏312之後，在燃燒模組114中進行熱處理步驟或熱退火步驟，以使阻障金屬觸點膏312緻密化或燒結，並使阻障金屬觸點膏312燒穿鈍化層310，而且與射極區308中找到的矽材料形成良好的電接觸，如第3F圖所圖示。熱處理步驟的實例包括但不限於使用N2
、NH3
或N2
-H2
氛圍的快速熱處理和爐退火。在一個實施例中，熱退火步驟係在溫度介於約400℃和約1000℃之間進行，例如介於約500℃和約950℃之間。在一個實施例中，分別藉由同時進行的熱處理步驟（例如共燃燒製程或稱為「共燒穿」金屬化製程）使用與上述相同的參數將阻障金屬觸點膏312和選擇性的背面金屬觸點膏314形成於基板302的前表面304和基板302的背表面上，如第3F圖所圖示。
在方塊214的過程中，部分的鈍化層310在燃燒製程過程中被阻障金屬觸點膏312蝕刻穿透，而形成延伸穿過鈍化層310的前側阻障觸點區316。前側阻障觸點區316形成局部的矽化物。在一個實施例中，該局部的矽化物之厚度係介於約500 Å和2000 Å之間，並且剩餘的阻障金屬320之厚度係介於約250 Å和30,000 Å之間。
在一個實施例中，在方塊214的過程中，基板302的背側在共燃燒製程的過程中被背面金屬觸點膏314蝕刻穿透，而形成延伸穿過基板302的背表面觸點區318。
在方塊218，在頂部金屬觸點模組116中藉由使用網印、噴墨印刷、印刷模板、電極/無電極或其他類似的製程形成並界定所需的圖案，而選擇性地將頂部金屬觸點膏322沉積在阻障觸點區316上，以形成頂部金屬觸點，其中形成到下方基板表面（例如矽）的電接觸，如第3G圖所繪示。在一個實施例中，使用極少或不使用故障材料來進行方塊218。在一個實施例中，頂部金屬觸點膏322可以包括銅、銅-鎂、銅-鈷、銅-鎳、銅-鋁及類似物。在另一個實施例中，頂部金屬觸點膏322可以包括鋁或鋁合金、鋁-矽、鋁-矽銅及類似物。
在一個實施例中，藉由網印製程將頂部金屬觸點膏322配置於阻障觸點區316上理想的圖案中，其中頂部金屬觸點膏322通過不銹鋼網版被印刷在阻障觸點區316上。在一個實例中，可以在SoftLineTM
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在一個實施例中，藉由使用接收自控制器102的資訊將網印遮罩中的一或多個特徵對準阻障觸點區316，而將頂部金屬觸點膏322印刷在阻障觸點區316上，該資訊係基板上確定的阻障觸點區316之實際位置資訊，並在將該一或多個特徵對準阻障觸點區316之後，將頂部金屬觸點膏322通過該一或多個特徵沉積到至少一部分的阻障觸點區316上。
在一個實施例中，對準印刷的頂部金屬觸點膏322具有大於阻障觸點區316的寬度，如第3G圖所圖示。在一個實施例中，對準印刷的頂部金屬觸點膏322具有比阻障觸點區316窄的寬度，如第3H圖所圖示。在另一個實施例中，對準印刷的頂部金屬觸點膏322具有與阻障觸點區316相同的寬度。在另一個實施例中，對準印刷的頂部金屬觸點膏322具有與配置於選擇性的N++選擇射極區上之阻障觸點區316相同的寬度。
在方塊220，在阻障觸點區316上形成頂部金屬觸點膏322之後，在燃燒爐或燃燒模組114中進行熱處理步驟或熱退火步驟，以使頂部金屬觸點膏322緻密化或燒結，並使頂部金屬觸點膏322燒穿阻障觸點區316，而與鈍化層310形成良好的電接觸，以形成頂部金屬觸點區324，如第3G圖所圖示。熱處理步驟的實例包括但不限於快速熱退火、爐固化、燃燒爐及類似者。在一個實施例中，熱退火步驟係於溫度介於約100℃和約900℃之間進行，例如介於約100℃和約400℃之間，以及介於約300℃和約600℃之間。
第5A圖至第5C圖繪示依據方塊218的太陽能電池之各種實施例的平面圖。在一個實施例中並依據第3G圖，頂部金屬觸點區324具有比下方阻障觸點區316大的寬度，如第5A圖所圖示。在一個實施例中並依據第3H圖，頂部金屬觸點區324具有比下方阻障觸點區316窄的寬度，如第5B圖所圖示。在一個實施例中，頂部金屬觸點區324具有比下方阻障觸點區316大的寬度，阻障觸點區316係選擇性形成於但不限於一或多個矩形的形狀，如第5C圖所圖示。在一個實施例中，頂部金屬觸點區324具有比下方阻障觸點區316大的寬度，阻障觸點區316係選擇性形成於可選擇的下方N++選擇性射極區501上，如第5C圖所圖示。下方N++選擇性射極區501之寬度可以比頂部金屬觸點區324之寬度更寬、更窄或相同。
在一個實施例中，頂部金屬觸點區324之寬度係介於約30 μm至約130 μm 之間，例如介於約40 μm至約120 μm之間，並且頂部金屬觸點區324之厚度係介於約5 μm至約30 μm之間。在另一個實施例中，阻障觸點區316之寬度係介於約30 μm至約130 μm之間，而且阻障觸點區316之長度係介於寬度的約1至20倍之間。在一個實施例中，可選擇的N++選擇性射極區與阻障觸點區316重疊約10 μm至約100 μm。
在方塊222，提供以虛線圖示的可焊帶502，以在焊接模組118中將阻障觸點區316匯流排焊接至頂部金屬觸點區324金手指，如第5B圖所圖示。在一個實施例中，添加錫/鎳或銀片於阻障觸點區316匯流排上，以改良可焊性。
以上引用的生產線100、處理程序200及太陽能電池結構之優點包括：i) 藉由使用不需要包括昂貴的銀的阻障金屬觸點膏和頂部金屬觸點膏而降低成本，以及ii) 減少的金屬接觸面積，以改良開路電壓（Voc
）和短路電流密度（Jsc
）。
雖然前述係針對本發明之實施例，但在不偏離本發明之基本範圍下，亦可設計出本發明之其他與深一層的實施例，且本發明之範圍係由以下申請專利範圍所決定。
100‧‧‧生產線
102‧‧‧系統控制器
104‧‧‧紋理化模組
106‧‧‧射極模組
108‧‧‧鈍化層模組
110‧‧‧阻障觸點模組
112‧‧‧背面金屬觸點模組
114‧‧‧燃燒模組
116‧‧‧頂部金屬觸點模組
118‧‧‧焊接模組
120‧‧‧基板搬運機
200‧‧‧處理程序
202‧‧‧方塊
204‧‧‧方塊
206‧‧‧方塊
208‧‧‧方塊
210‧‧‧方塊
212‧‧‧方塊
214‧‧‧方塊
218‧‧‧方塊
220‧‧‧方塊
222‧‧‧方塊
302‧‧‧基板
304‧‧‧前側
306‧‧‧紋理化表面
308‧‧‧射極區
310‧‧‧鈍化層
312‧‧‧阻障金屬觸點膏
314‧‧‧背面金屬觸點膏
316‧‧‧前側阻障觸點區
320‧‧‧阻障金屬‧‧‧
322‧‧‧頂部金屬觸點膏
324‧‧‧頂部金屬觸點區
400‧‧‧金屬顆粒
402‧‧‧氮化物層
404‧‧‧載體氣體
501‧‧‧N++選擇性射極區
502‧‧‧可焊帶
為詳細瞭解上述本發明的特徵，可參照實施例及附圖而對以上簡單概述的本發明作更特定的描述。然而應注意，附圖說明的只是本發明的典型實施例，因而不應將附圖說明視為是對本發明範圍作限制，因本發明可認可其他同樣有效的實施例。
第1圖繪示依據本發明之一個實施例適合用來形成太陽能電池的生產線；
第2圖繪示依據本發明之一個實施例使用第1圖的生產線可以實施的處理程序之方塊圖；
第3A至3H圖繪示依據本發明之一個實施例使用第1圖之生產線在第2圖之處理程序的不同生產階段過程中太陽能電池基板之剖面圖；
第4圖為阻障金屬膏的一個實施例之平面圖；以及
第5A至5C圖繪示依據本發明之不同實施例使用第2圖之處理程序和第1圖之生產線的太陽能電池基板之平面圖。
為了便於理解，已在可能處使用相同的參照符號來指稱對於圖式為相同的元件。亦考量到可以將一個實施例的元件與特徵有益地整合於其他實施例中而無需進一步詳述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
Claims (3)
- 一種阻障金屬膏，包含：一金屬顆粒，該金屬顆粒具有一氮化物層，該氮化物層係配置於該金屬顆粒周圍；以及一聚合物樹脂，其中該金屬顆粒係配置於該聚合物樹脂中。
- 如請求項1所述之阻障金屬膏，其中該金屬顆粒包含鎳、鎢、鈦、鉭、氮化鉭或鈷。
- 一種阻障金屬膏，包含：一金屬顆粒，該金屬顆粒具有一金屬氮化物層，該金屬氮化物層係配置於該金屬顆粒周圍，其中該金屬氮化物層包含與該金屬顆粒相同的金屬，以及其中該金屬顆粒包含鎳、鎢、鈦、鉭、氮化鉭或鈷；以及一聚合物樹脂，其中該金屬顆粒係配置於該聚合物樹脂中。
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