JP2012253376A - アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、複数枚の半導体ウエハWが収容された反応管2内を800℃〜950℃に加熱する。次に、制御部100は、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内にアンモニアガスを供給する。続いて、制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、反応管2内を所定の温度に加熱し、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内に処理ガス導入管17からエチレンを供給する。これにより、半導体ウエハWにアモルファスカーボン膜が形成される。
【選択図】図1
Description
複数枚の被処理体が収容された反応室内を所定の温度に加熱し、加熱した反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にアモルファスカーボン膜を形成するアモルファスカーボン膜の形成方法であって、
前記被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する前に、前記反応室内の温度を800℃〜950℃に加熱し、加熱した反応室内にアンモニアガスを供給することにより当該反応室内をパージして前記被処理体からの水を除去する、ことを特徴とする。
複数枚の被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記加熱手段を制御して反応室内を800℃〜950℃に加熱した状態で、前記アンモニアガス供給手段を制御して反応室内にアンモニアガスを供給することにより当該反応室内をパージして前記被処理体からの水を除去した後、前記成膜用ガス供給手段を制御して所定の温度に加熱された反応室内に成膜用ガスを供給して当該被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する、ことを特徴とする。
シリコンソースとしては、アミノ系シラン、DCS(ジクロロシラン)、HCD(ヘキサクロロジシラン)等が用いられる。アミノ系シランとしては、塩素(Cl)を含まないアミノ系シランであることが好ましい。塩素を含まないことにより、インキュベーションタイムが短くすることができるためである。このようなアミノ系シランとしては、例えば、TDMAS(トリジメチルアミノシラン)、BTBAS(ビスターシャリブチルアミノシラン)、BDMAS(ビスジメチルアミノシラン)、BDEAS(ビスジエチルアミノシラン)、DMAS(ジメチルアミノシラン)、DEAS(ジエチルアミノシラン)、DPAS(ジプロピルアミノシラン)、およびBAS(ブチルアミノシラン)が挙げられる。本実施の形態では、後述するように、シリコンソースとして、BTBAS、DCSが用いられている。
圧力計(群)123は、反応管2内、排気管5内、処理ガス導入管17内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
また、反応管2内の圧力は、13.3Pa(0.1Torr)〜6650Pa(50Torr)であることが好ましく、13.3Pa(0.1Torr)〜2660Pa(20Torr)であることがより好ましい。
また、反応管2内の圧力は、133Pa(1Torr)〜53200Pa(400Torr)であることが好ましく、133Pa(1Torr)〜26600Pa(200Torr)であることがより好ましい。
また、バッチ式の縦型CVD装置を用いてアモルファスカーボン膜を形成しているので、カバレッジ性能が良好なアモルファスカーボン膜を形成できる。このため、カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜を形成することができる。
また、反応管2内の圧力は、1.33Pa(0.01Torr)〜1330Pa(10Torr)であることが好ましく、13.3Pa(0.1Torr)〜133Pa(1Torr)であることがより好ましい。
反応管2内の圧力は、1.33Pa(0.01Torr)〜1330Pa(10Torr)であることが好ましく、13.3Pa(0.1Torr)〜133Pa(1Torr)であることがより好ましい。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC制御部
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (2)
- 複数枚の被処理体が収容された反応室内を所定の温度に加熱し、加熱した反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にアモルファスカーボン膜を形成するアモルファスカーボン膜の形成方法であって、
前記被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する前に、前記反応室内の温度を800℃〜950℃に加熱し、加熱した反応室内にアンモニアガスを供給することにより当該反応室内をパージして前記被処理体からの水を除去する、ことを特徴とするアモルファスカーボン膜の形成方法。 - 複数枚の被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記加熱手段を制御して反応室内を800℃〜950℃に加熱した状態で、前記アンモニアガス供給手段を制御して反応室内にアンモニアガスを供給することにより当該反応室内をパージして前記被処理体からの水を除去した後、前記成膜用ガス供給手段を制御して所定の温度に加熱された反応室内に成膜用ガスを供給して当該被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する、ことを特徴とするアモルファスカーボン膜の形成装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013153221A (ja) * | 2009-06-04 | 2013-08-08 | Tokyo Electron Ltd | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61219141A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04215423A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体基板の熱処理方法 |
JPH09106974A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Nippon Sanso Kk | 基板吸着水分の除去方法及び装置 |
JPH10504495A (ja) * | 1994-08-24 | 1998-05-06 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチュアリング・カンパニー | ダイアモンド状コーティング層を有する研磨物品およびその方法 |
JPH11145464A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002164286A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶基板およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2004507071A (ja) * | 1999-12-21 | 2004-03-04 | マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド | 急速熱N2処理による、Si(100)上の超薄窒化物の成長 |
JP2006140530A (ja) * | 2006-01-23 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | p型窒化物半導体の製造方法 |
JP2008182174A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009032766A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置、および記憶媒体 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5981000A (en) * | 1997-10-14 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating a thermally stable diamond-like carbon film |
JP4003505B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | 絶縁膜とその製造方法及びデバイス並びに電子機器 |
JP3585917B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-11-10 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、その製造方法及びそれを用いた磁気ディスク装置 |
JP4467234B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2010-05-26 | 旭化成株式会社 | 半導体装置の製造法 |
JP2004304177A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-28 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008256958A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 中間転写体、該中間転写体の製造方法、該中間転写体を用いる画像形成方法及び画像形成装置 |
JP2011014872A (ja) * | 2009-06-04 | 2011-01-20 | Tokyo Electron Ltd | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
JP5351948B2 (ja) * | 2009-06-04 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
JP5411171B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | アモルファスカーボン膜を含む積層構造を形成する方法 |
-
2011
- 2011-11-17 JP JP2011251880A patent/JP5351948B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012177170A patent/JP5276743B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-26 JP JP2013093748A patent/JP5571225B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61219141A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04215423A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体基板の熱処理方法 |
JPH10504495A (ja) * | 1994-08-24 | 1998-05-06 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチュアリング・カンパニー | ダイアモンド状コーティング層を有する研磨物品およびその方法 |
JPH09106974A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Nippon Sanso Kk | 基板吸着水分の除去方法及び装置 |
JPH11145464A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004507071A (ja) * | 1999-12-21 | 2004-03-04 | マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド | 急速熱N2処理による、Si(100)上の超薄窒化物の成長 |
JP2002164286A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶基板およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2006140530A (ja) * | 2006-01-23 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | p型窒化物半導体の製造方法 |
JP2008182174A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009032766A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置、および記憶媒体 |
Cited By (1)
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JP2013153221A (ja) * | 2009-06-04 | 2013-08-08 | Tokyo Electron Ltd | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
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