JP5064296B2 - シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 - Google Patents
シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5064296B2 JP5064296B2 JP2008132686A JP2008132686A JP5064296B2 JP 5064296 B2 JP5064296 B2 JP 5064296B2 JP 2008132686 A JP2008132686 A JP 2008132686A JP 2008132686 A JP2008132686 A JP 2008132686A JP 5064296 B2 JP5064296 B2 JP 5064296B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- carbonitride film
- silicon carbonitride
- isopropylamine
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
また、本発明は、耐薬品性を向上させることができるシリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置を提供することを目的とする。
被処理体が収容された反応室を所定の温度及び所定の圧力に設定し、該反応室内にジクロロシランとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する、ことを特徴とする。
前記反応室には、例えば、前記被処理体が複数枚収容されている。
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室と、
前記反応室内にジクロロシランを供給する珪素ソース供給手段と、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段と、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記ジクロロシランと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段と、
を備える、ことを特徴とする。
前記反応室には、例えば、前記被処理体が複数枚収容されている。
コンピュータを、
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室内にジクロロシランを供給する珪素ソース供給手段、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記ジクロロシランと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段、
として機能させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内、排気管5内、処理ガス導入管17内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC制御部
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (9)
- 被処理体が収容された反応室を所定の温度及び所定の圧力に設定し、該反応室内にジクロロシランとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する、ことを特徴とするシリコン炭窒化膜の形成方法。
- 前記反応室内を600℃〜800℃に設定し、前記反応室内にジクロロシランとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する、ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
- 前記反応管内の圧力を1.33Pa〜1330Paに設定する、ことを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
- 前記反応室には、前記被処理体が複数枚収容されている、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
- 被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室と、
前記反応室内にジクロロシランを供給する珪素ソース供給手段と、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段と、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記ジクロロシランと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段と、
を備える、ことを特徴とするシリコン炭窒化膜の形成装置。 - 前記制御部は、前記加熱部を制御して前記反応室内を600℃〜800℃に設定する、ことを特徴とする請求項5に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。
- 前記制御部は、前記排気手段を制御して前記反応室内の圧力を1.33Pa〜1330Paに設定する、ことを特徴とする請求項5または6に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。
- 前記反応室には、前記被処理体が複数枚収容されている、ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。
- コンピュータを、
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室内にジクロロシランを供給する珪素ソース供給手段、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記ジクロロシランと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段、
として機能させるためのプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008132686A JP5064296B2 (ja) | 2008-05-21 | 2008-05-21 | シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008132686A JP5064296B2 (ja) | 2008-05-21 | 2008-05-21 | シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009283587A JP2009283587A (ja) | 2009-12-03 |
JP5064296B2 true JP5064296B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=41453762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008132686A Expired - Fee Related JP5064296B2 (ja) | 2008-05-21 | 2008-05-21 | シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5064296B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5959307B2 (ja) * | 2011-06-22 | 2016-08-02 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP5951443B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-07-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6239079B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2017-11-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6039996B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP5869923B2 (ja) | 2012-03-09 | 2016-02-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6035161B2 (ja) | 2012-03-21 | 2016-11-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6170754B2 (ja) * | 2013-06-18 | 2017-07-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6340251B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | SiCN膜の成膜方法 |
WO2016088500A1 (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-09 | 宇部興産株式会社 | 金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜の製造方法、金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜及び金属炭窒化膜又は半金属炭窒化膜の製造装置 |
KR20170105483A (ko) * | 2015-01-14 | 2017-09-19 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 방법, 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막, 및 금속 탄질화막 또는 반금속 탄질화막의 제조 장치 |
JP2016130337A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | 宇部興産株式会社 | 金属又は半金属炭窒化膜の製造方法 |
JP2016034043A (ja) * | 2015-11-25 | 2016-03-10 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52103595A (en) * | 1976-02-26 | 1977-08-30 | Jujo Paper Co Ltd | Imparting method of water repelency |
JP4021653B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2007-12-12 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | Cvd法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 |
JP2004153066A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4434149B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2010-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
-
2008
- 2008-05-21 JP JP2008132686A patent/JP5064296B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009283587A (ja) | 2009-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5064296B2 (ja) | シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 | |
JP6017396B2 (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
JP4456533B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム | |
JP4607637B2 (ja) | シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム | |
JP4916257B2 (ja) | 酸化膜の形成方法、酸化膜の形成装置及びプログラム | |
JP2007019145A (ja) | シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム | |
JP4974815B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP4640800B2 (ja) | 被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP2011014872A (ja) | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 | |
US8642486B2 (en) | Thin film forming method, thin film forming apparatus, and program | |
JP5193527B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム | |
JP2010283385A (ja) | シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム | |
JP2008283148A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP4541864B2 (ja) | シリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラム | |
KR20130133672A (ko) | 실리콘막의 형성 방법 및 그의 형성 장치 | |
JP2010050270A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
US20160276147A1 (en) | Silicon Nitride Film Forming Method and Silicon Nitride Film Forming Apparatus | |
KR20140005090A (ko) | 실리콘 산화막의 형성 방법 및 그 형성 장치 | |
JP5658118B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置 | |
JP5546994B2 (ja) | 被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP5571225B2 (ja) | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 | |
JP2014011234A (ja) | シリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置 | |
JP5922542B2 (ja) | 積層膜の形成方法およびその形成装置 | |
JP2015080001A (ja) | 薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5064296 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |