JP2012237805A - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成る表示装置において、トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、メタル層に電圧を印加することによって、画素内に作り込む容量素子を形成するようにする。
【選択図】図10
Description
電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成る表示装置において、
前記画素は、前記トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、前記メタル層に電圧が印加されることによって形成される容量素子を有する
構成を採っている。この表示装置は、各種の電子機器において、その表示部として用いることができる。
1.本開示が適用される有機EL表示装置
1−1.システム構成
1−2.基本的な回路動作
1−3.ボトムゲート構造とトップゲート構造
2.実施形態の説明
2−1.実施例1
2−2.実施例2
3.適用例
4.電子機器
[1−1.システム構成]
図1は、本開示が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
図2は、画素(画素回路)20の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。画素20の発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である有機EL素子21から成る。
続いて、上記構成の有機EL表示装置10の基本的な回路動作について、図3のタイミング波形図を基に図4及び図5の動作説明図を用いて説明する。尚、図4及び図5の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ23をスイッチのシンボルで図示している。
図3のタイミング波形図において、時刻t11以前は、前の表示フレームにおける有機EL素子21の発光期間となる。この前表示フレームの発光期間では、電源供給線32の電位DSが第1電源電位(以下、「高電位」と記述する)Vccpにあり、また、書込みトランジスタ23が非導通状態にある。
時刻t11になると、線順次走査の新しい表示フレーム(現表示フレーム)に入る。そして、図4(B)に示すように、電源供給線32の電位DSが高電位Vccpから、信号線33の基準電圧Vofsに対してVofs−Vthよりも十分に低い第2電源電位(以下、「低電位」と記述する)Viniに切り替わる。
次に、時刻t13で、図4(D)に示すように、電源供給線32の電位DSが低電位Viniから高電位Vccpに切り替わると、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgが基準電圧Vofsに保たれた状態で閾値補正処理が開始される。すなわち、ゲート電位Vgから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向けて駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇を開始する。
次に、時刻t15で、図5(B)に示すように、信号線33の電位が基準電圧Vofsから映像信号の信号電圧Vsigに切り替わる。続いて、時刻t16で、走査線31の電位WSが高電位側に遷移することで、図5(C)に示すように、書込みトランジスタ23が導通状態になって映像信号の信号電圧Vsigをサンプリングして画素20内に書き込む。
次に、時刻t17で、走査線31の電位WSが低電位側に遷移することで、図5(D)に示すように、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ22のゲート電極は、信号線33から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
尚、ここでは、閾値補正処理を1回だけ実行する駆動法を採る場合を例に挙げて説明したが、この駆動法は一例に過ぎず、この駆動法に限られるものではない。例えば、閾値補正処理を移動度補正及び信号書込み処理と共に行う1H期間に加えて、当該1H期間に先行する複数の水平走査期間に亘って分割して閾値補正処理を複数回実行する、所謂、分割閾値補正を行う駆動法を採ることも可能である。
ここで、駆動トランジスタ22の閾値キャンセル(即ち、閾値補正)の原理について説明する。駆動トランジスタ22は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機EL素子21には駆動トランジスタ22から、次式(1)で与えられる一定のドレイン−ソース間電流(駆動電流)Idsが供給される。
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2 ……(1)
ここで、Wは駆動トランジスタ22のチャネル幅、Lはチャネル長、Coxは単位面積当たりのゲート容量である。
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vsig−Vofs−ΔV)2 ……(2)
次に、駆動トランジスタ22の移動度補正の原理について説明する。図6(B)に、駆動トランジスタ22の移動度μが相対的に大きい画素Aと、駆動トランジスタ22の移動度μが相対的に小さい画素Bとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ22をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Aや画素Bのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
とろこで、上記構成の有機EL表示装置10において、画素20のトランジスタ、具体的には、駆動トランジスタ22及び書込みトランジスタ23を形成するTFTは、構造面から、ボトムゲート構造とトップゲート構造とに大別される。ボトムゲート構造は、ゲート電極が半導体層に対して基板側に位置する構造である。トップゲート構造は、ゲート電極が半導体層に対して基板と反対側に位置する構造である。
本開示の実施形態では、画素20の断面構造の自由度を上げるために、トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、トランジスタのソース/ドレイン領域を形成する半導体層との間に、画素内に作り込む容量素子を形成する構成を採る。メタル層−半導体層間に容量素子を形成するには、メタル層に電圧を印加することが必要となる。メタル層−半導体層間に容量素子を形成するに当たって、メタル層に電圧を印加する理由について、図8を用いて以下に説明する。
A(C/C0)=1/{1+K0LD/(Ktd)}
上記の式において、K0はゲート絶縁膜の比誘電率、tdはゲート絶縁膜の厚さ、Kは半導体の比誘電率、LDはキャリアの遮蔽距離である。
図10は、実施例1に係る画素回路の回路図であり、図中、図2と同等部位には同一符号を付して示している。
ΔVs=(Vsig−Vofs)/(Cs+Csub+Coled)
次に、実施例2に係る画素回路について説明する。実施例2に係る画素回路は回路構成として、図10に示した実施例1に係る画素回路と同じ回路構成を採る。すなわち、補助容量25の他方の電極をオープン状態とする。そして、実施例1では、補助容量25の他方の電極に対して一定の電圧Vsubを与えるようにしていたのに対して、実施例2では、当該他方の電極に対して与える電圧Vsubをパルス化する構成を採る。
実施例2では、補助容量25の他方の電極に対してパルス化された電圧Vsubを供給する駆動タイミング例を実現するために、補助容量25を生成するための容量生成走査回路80を専用に備える構成を採っているが、その変形例として次の構成を採ることも可能である。すなわち、電圧Vsubをパルス化するという観点からすれば、図18に示すように、前段(1行前)の画素行に属する電源供給線32の電位DSをパルス化された電圧Vsubとして供給する構成を採ることも可能である。これを実現するには、補助容量25の他方の電極を前段の画素行に属する電源供給線32に接続すればよい。
上記実施形態では、駆動トランジスタ22及び書込みトランジスタ23の2つのトランジスタと、保持容量24及び補助容量25の2つの容量素子を有する画素回路に適用した場合を例に挙げて説明したが、本開示は当該画素回路への適用に限られるものではない。すなわち、更に多い数のトランジスタを有する画素回路や、更に多い数の容量素子を有する画素回路等に対しても適用可能である。
以上説明した本開示による表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部(表示装置)に適用できる。一例として、図19〜図23に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示部に適用することが可能である。
(1)電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成り、
前記画素は、前記トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、前記メタル層に電圧が印加されることによって形成される容量素子を有する
表示装置。
(2)前記メタル層に印加する電圧は、前記半導体層の表面にチャネルを形成できる電圧である
前記(1)に記載の表示装置。
(3)前記メタル層に印加する電圧は、前記メタル層と前記半導体層との間の誘電体の容量をC0、前記メタル層と前記半導体層との間の容量をCとするとき、C/C0=1となる電圧値以上である
前記(2)に記載の表示装置。
(4)前記容量素子は、前記電気光学素子の等価容量の補助として用いられる
前記(1)から前記(3)のいずれかに記載の表示装置。
(5)前記トランジスタは、前記電気光学素子に対して直列に接続され、当該電気光学素子を駆動する駆動トランジスタであり、
前記容量素子は、その一方の電極が前記駆動トランジスタのソース/ドレイン電極に接続されている
前記(4)に記載の表示装置。
(6)前記容量素子は、前記メタル層に印加する電圧として一定の電圧が他方の電極に与えられる
前記(5)に記載の表示装置。
(7)前記画素は、行列状に配置されて画素アレイ部を構成しており、
前記一定の電圧は、前記容量素子の他方の電極に行単位で繋がる電圧供給ラインを通して前記容量素子の他方の電極に与えられる
前記(6)に記載の表示装置。
(8)前記容量素子の他方の電極に行単位で繋がる電圧供給ラインを前記画素アレイ部の外周部で束ねることによって当該画素アレイ部の周りに環状の共通電圧供給ラインが形成されており、
前記一定の電圧は、前記環状の共通電圧供給ライン及び前記電圧供給ラインを通して前記容量素子の他方の電極に与えられる
前記(7)に記載の表示装置。
(9)前記画素アレイ部が形成されるパネルの両端部側に、前記環状の共通電圧供給ラインに繋がるパッドが形成されており、
前記一定の電圧は、前記パッド、前記環状の共通電圧供給ライン及び前記電圧供給ラインを通して前記容量素子の他方の電極に与えられる
前記(8)に記載の表示装置。
(10)前記容量素子は、前記メタル層に印加する電圧としてパルス化された電圧が他方の電極に与えられる
前記(5)に記載の表示装置。
(11)前記駆動トランジスタに電源を供給する電源供給線の電位は、前記電気光学素子を発光駆動する電流を供給するための第1電源電位と、前記電気光学素子に対して逆バイアスを掛けるための第2電源電位とで切り替え可能となっており、
前記パルス化された電圧は、前記電源供給線の電位が前記第1電源電位のときに高電位になる
前記(10)に記載の表示装置。
(12)前記パルス化された電圧は、低電位側が前記第2電源電位に設定されている
前記(11)に記載の表示装置。
(13)前記画素は、行列状に配置されて画素アレイ部を構成しており、
前記パルス化された電圧は、行単位で前記容量素子の他方の電極に与えられる
前記(10)から前記(12)のいずれかに記載の表示装置。
(14)前記パルス化された電圧は、前記画素アレイ部を行単位に走査する走査回路から出力される
前記(13)に記載の表示装置。
(15)前記パルス化された電圧は、前段の画素行に属する前記電源供給線から与えられる
前記(13)に記載の表示装置。
(16)前記容量素子の他方の電極は、前段の画素行に属する前記電源供給線に接続されている
前記(15)に記載の表示装置。
(17)電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成り、
前記画素は、前記トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、前記メタル層に電圧が印加されることによって形成される容量素子を有する
表示装置を有する電子機器。
Claims (17)
- 電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成り、
前記画素は、前記トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、前記メタル層に電圧が印加されることによって形成される容量素子を有する
表示装置。 - 前記メタル層に印加する電圧は、前記半導体層の表面にチャネルを形成できる電圧である
請求項1に記載の表示装置。 - 前記メタル層に印加する電圧は、前記メタル層と前記半導体層との間の誘電体の容量をC0、前記メタル層と前記半導体層との間の容量をCとするとき、C/C0=1となる電圧値以上である
請求項2に記載の表示装置。 - 前記容量素子は、前記電気光学素子の等価容量の補助として用いられる
請求項1に記載の表示装置。 - 前記トランジスタは、前記電気光学素子に対して直列に接続され、当該電気光学素子を駆動する駆動トランジスタであり、
前記容量素子は、その一方の電極が前記駆動トランジスタのソース/ドレイン電極に接続されている
請求項4に記載の表示装置。 - 前記容量素子は、前記メタル層に印加する電圧として一定の電圧が他方の電極に与えられる
請求項5に記載の表示装置。 - 前記画素は、行列状に配置されて画素アレイ部を構成しており、
前記一定の電圧は、前記容量素子の他方の電極に行単位で繋がる電圧供給ラインを通して前記容量素子の他方の電極に与えられる
請求項6に記載の表示装置。 - 前記容量素子の他方の電極に行単位で繋がる電圧供給ラインを前記画素アレイ部の外周部で束ねることによって当該画素アレイ部の周りに環状の共通電圧供給ラインが形成されており、
前記一定の電圧は、前記環状の共通電圧供給ライン及び前記電圧供給ラインを通して前記容量素子の他方の電極に与えられる
請求項7に記載の表示装置。 - 前記画素アレイ部が形成されるパネルの両端部側に、前記環状の共通電圧供給ラインに繋がるパッドが形成されており、
前記一定の電圧は、前記パッド、前記環状の共通電圧供給ライン及び前記電圧供給ラインを通して前記容量素子の他方の電極に与えられる
請求項8に記載の表示装置。 - 前記容量素子は、前記メタル層に印加する電圧としてパルス化された電圧が他方の電極に与えられる
請求項5に記載の表示装置。 - 前記駆動トランジスタに電源を供給する電源供給線の電位は、前記電気光学素子を発光駆動する電流を供給するための第1電源電位と、前記電気光学素子に対して逆バイアスを掛けるための第2電源電位とで切り替え可能となっており、
前記パルス化された電圧は、前記電源供給線の電位が前記第1電源電位のときに高電位になる
請求項10に記載の表示装置。 - 前記パルス化された電圧は、低電位側が前記第2電源電位に設定されている
請求項11に記載の表示装置。 - 前記画素は、行列状に配置されて画素アレイ部を構成しており、
前記パルス化された電圧は、行単位で前記容量素子の他方の電極に与えられる
請求項10に記載の表示装置。 - 前記パルス化された電圧は、前記画素アレイ部を行単位に走査する走査回路から出力される
請求項13に記載の表示装置。 - 前記パルス化された電圧は、前段の画素行に属する前記電源供給線から与えられる
請求項13に記載の表示装置。 - 前記容量素子の他方の電極は、前段の画素行に属する前記電源供給線に接続されている
請求項15に記載の表示装置。 - 電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成り、
前記画素は、前記トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、前記メタル層に電圧が印加されることによって形成される容量素子を有する
表示装置を有する電子機器。
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