JP2012236743A - 一軸配向した針状Si3N4粒子を含有するセラミックス焼結板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、針状Si3N4粒子がC軸配向し、かつ、相対密度が94〜98%であるセラミックス焼結板により、前記課題を解決する。
【選択図】図1
Description
本発明は、針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子を焼結してなるセラミックス焼結体で形成されたセラミックス基板の表面に回路層となる金属板を接合したパワーモジュール用基板において、前記セラミックス焼結体の構成要素である針状Si3N4粒子をC軸配向させるとともに、前記C軸が金属板の回路面に垂直となるようにセラミックス焼結板と金属板とが接合されていることを特徴とする。
[C軸配向したセラミックス焼結体の製造方法]
まず、窒化珪素粉末を準備する。窒化珪素粉末としては、主たるセラミック粉末として針状Si3N4粒子を、粒状非晶質Si3N4粒子を用いることができる。これは、粒状非晶質Si3N4粒子よりも針状Si3N4粒子が磁場中で配向しやすく、さらに、あらかじめ配向した粒状非晶質Si3N4粒子からなる種結晶を基にして結晶が成長し、針状Si3N4粒子からなる針状結晶が配向した組織が形成される。従って、高配向度を得るため、針状Si3N4粒子は85〜95wt%加えることが重要である。
2 ・・・ 針状Si3N4粒子
3 ・・・ 粒状非晶質Si3N4粒子
10 ・・・ パワーモジュール用基板
11 ・・・ セラミックス基板
12 ・・・ 熱伝導層用金属板
13 ・・・ 回路層用金属板
16、17 ・・・ ロウ材層
18 ・・・ 電子部品
19 ・・・ ハンダ層
Claims (2)
- 少なくとも針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、
前記針状Si3N4粒子がC軸配向し、かつ、相対密度が94〜98%であるセラミックス焼結板。 - 前記針状Si3N4粒子の面方向断面における面積率が、85〜95%であることを特徴とする請求項1に係るセラミックス焼結板。
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