JPS61270263A - 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 - Google Patents
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法Info
- Publication number
- JPS61270263A JPS61270263A JP60112330A JP11233085A JPS61270263A JP S61270263 A JPS61270263 A JP S61270263A JP 60112330 A JP60112330 A JP 60112330A JP 11233085 A JP11233085 A JP 11233085A JP S61270263 A JPS61270263 A JP S61270263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- aluminum nitride
- nitride sintered
- boron
- conductive aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、絶縁基板、ヒートシンク等に使用される高熱
伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法に関するもので
あり、特に、メタライズの容易な高熱伝導性窒化アルミ
ニウム焼結体の製造法に関する。
伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法に関するもので
あり、特に、メタライズの容易な高熱伝導性窒化アルミ
ニウム焼結体の製造法に関する。
［従来の技術］
近年、電子機器の小形化や機能向上に対する要求は極め
て大きくなっており、それに伴って半導体は集積密度の
向上、多機能化、高速化、高出力化、高信頼化の方向に
急速に進展している。これらに対応して半導体から発生
する熱量はますます増加しており、従来のへ立２０３基
板にかわる放熱能力の大きい基板が要求されるようにな
っている。
て大きくなっており、それに伴って半導体は集積密度の
向上、多機能化、高速化、高出力化、高信頼化の方向に
急速に進展している。これらに対応して半導体から発生
する熱量はますます増加しており、従来のへ立２０３基
板にかわる放熱能力の大きい基板が要求されるようにな
っている。
この放熱能力の大きい基板材料、即ち熱伝導性の高い材
料としては、ダイヤモンド、立方晶ＢＮ（窒化硼素）、
５ｉＣ（炭化硅素）、Ｂｏｏ（ベリリア）、Ａ立Ｎ（窒
化アルミニウム）、Ｓｔ等をあげることができる。しか
し、ダイヤモンド、立方晶８Ｎは基板として利用できる
大きさを製造することが困難であり、又、非常に高価で
ある。
料としては、ダイヤモンド、立方晶ＢＮ（窒化硼素）、
５ｉＣ（炭化硅素）、Ｂｏｏ（ベリリア）、Ａ立Ｎ（窒
化アルミニウム）、Ｓｔ等をあげることができる。しか
し、ダイヤモンド、立方晶８Ｎは基板として利用できる
大きさを製造することが困難であり、又、非常に高価で
ある。
ＳｉＣは半導体であるために電気絶縁性、誘電率等の電
気特性がＡＡｚＯａより劣り、Ａ立２０ｇ基板のかわり
として使用できない。ＢｅＯは電気特性が非常に優れて
いるが、成形時、研削加工時等に発生する粉末が毒性を
もつために国内で生産されず、海外から求める必要があ
るために供給が不安定となる恐れがある。Ｓｉは電気特
性が悪く、又、機械的強度も小さいので、基板材料とし
て使用は限られる。ＡＩＮは高絶縁性、高絶縁耐圧、低
誘電率などの優れた電気特性に加えて、常圧焼結が適用
できるが所要面に金属層が形成出来ず、未だ高出力用の
多層基板は開発されていないのが実情である。
気特性がＡＡｚＯａより劣り、Ａ立２０ｇ基板のかわり
として使用できない。ＢｅＯは電気特性が非常に優れて
いるが、成形時、研削加工時等に発生する粉末が毒性を
もつために国内で生産されず、海外から求める必要があ
るために供給が不安定となる恐れがある。Ｓｉは電気特
性が悪く、又、機械的強度も小さいので、基板材料とし
て使用は限られる。ＡＩＮは高絶縁性、高絶縁耐圧、低
誘電率などの優れた電気特性に加えて、常圧焼結が適用
できるが所要面に金属層が形成出来ず、未だ高出力用の
多層基板は開発されていないのが実情である。
［発明の解決しようとする問題点］
この様に、Ａ立Ｎは、金属との濡れ性が悪いために、メ
タライズできず基板としての使用は困難であった。
タライズできず基板としての使用は困難であった。
又、例えば、特開昭５０−７５２０８や特開昭５９−４
０４０４のように、Ａ立Ｎ基板表面を酸化させてからメ
タライズしたり、特開昭５３−１０２３１０１７；よう
に、先ず、ＡｆＬＮ基板表面に金属酸化物を設け、その
後にメタライズする等の技術が知られているが、いずれ
も焼結体表面にメタライズすることは出来ても、多層化
を目的とする同時焼成法には、適用することが出来ず、
又メタライズされた金属層とＡ、Ｑ、Ｎ基板との間に比
較的熱伝導率の低い層が介在することになるために熱伝
導率の低下はさけられないといった欠点を有していた。
０４０４のように、Ａ立Ｎ基板表面を酸化させてからメ
タライズしたり、特開昭５３−１０２３１０１７；よう
に、先ず、ＡｆＬＮ基板表面に金属酸化物を設け、その
後にメタライズする等の技術が知られているが、いずれ
も焼結体表面にメタライズすることは出来ても、多層化
を目的とする同時焼成法には、適用することが出来ず、
又メタライズされた金属層とＡ、Ｑ、Ｎ基板との間に比
較的熱伝導率の低い層が介在することになるために熱伝
導率の低下はさけられないといった欠点を有していた。
［問題点を解決するための手段］
本発明は上記問題点を解決するＡｉＮ基板を実現するた
めに次の手段を採用した。
めに次の手段を採用した。
本発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法は
、 窒化アルミニウムを１００重量部と、 周期率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の単体にその化合物
を加えた群から選ばれた１種又は２種以上を上記元素単
体に換算して０．１〜１０重量部と、からなる混合物を
、 硼素及び／又は炭素の供給源を有する非酸化性雰囲気中
で１５００〜２０００℃で焼結することを特徴とする。
、 窒化アルミニウムを１００重量部と、 周期率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の単体にその化合物
を加えた群から選ばれた１種又は２種以上を上記元素単
体に換算して０．１〜１０重量部と、からなる混合物を
、 硼素及び／又は炭素の供給源を有する非酸化性雰囲気中
で１５００〜２０００℃で焼結することを特徴とする。
周期率表（７）４ａ族元素は、Ｔｉ、 Ｚｒ、＠ｆのこ
とであり、５ａ族元素は、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのことであり
、６ａ族元素はＣｒ、Ｍｏ、Ｗのことである。
とであり、５ａ族元素は、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのことであり
、６ａ族元素はＣｒ、Ｍｏ、Ｗのことである。
周期率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の化合物としては、
例えば、酸化物や加熱に際して金属又は酸化物を生成す
る硫酸塩、アンモニウム塩、水酸化物等を使用すること
ができる。
例えば、酸化物や加熱に際して金属又は酸化物を生成す
る硫酸塩、アンモニウム塩、水酸化物等を使用すること
ができる。
窒化アルミニウム粉末と上記元素及び／又は化合物は、
ボールミル等によって、均一に混合される。
ボールミル等によって、均一に混合される。
この周期率表の４ａ、５ａ、５ａ族元素の単体及び周期
率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の化合物から選ばれた１
種又は２種以上が、金属元素に換算して絶世でＡｕＮ１
００重量部に対し、０．１重量部以上１０重量部以下で
あるのは、この範囲より少ないとＡｉＮ焼結体の金属と
の濡れ性が改善されないためであり、逆にこの範囲より
多いとＡ立Ｎ焼結体の高熱伝導性が劣化し、又、焼結性
が劣化するためである。
率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の化合物から選ばれた１
種又は２種以上が、金属元素に換算して絶世でＡｕＮ１
００重量部に対し、０．１重量部以上１０重量部以下で
あるのは、この範囲より少ないとＡｉＮ焼結体の金属と
の濡れ性が改善されないためであり、逆にこの範囲より
多いとＡ立Ｎ焼結体の高熱伝導性が劣化し、又、焼結性
が劣化するためである。
本発明は上記成分のみでも十分であるが、必要に応じて
Ｙ２Ｏ３やＣａＯ等の焼結助剤をＡ立Ｎ１００重量部に
対して５重量部を超えない範囲で含んでもよい。
Ｙ２Ｏ３やＣａＯ等の焼結助剤をＡ立Ｎ１００重量部に
対して５重量部を超えない範囲で含んでもよい。
硼素の供給源としては、例えば雰囲気に添加するボラン
、混合物に添加する硼酸、酸化硼素、離型剤として用い
る窒化硼素等を用いることができる。これらは、いずれ
も混合物に含まれる周期率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素
及び／又はその化合物が硼化するに十分な量供給される
ことが必要であるが、上記元素や化合物の含有量が少な
いために、例えば、通常離型剤として用いる窒化硼素の
量程度でも十分である。従って硼素の供給源として上記
窒化硼素を離型剤として使用すると、特に硼素の供給源
を必要としないので好ましい。
、混合物に添加する硼酸、酸化硼素、離型剤として用い
る窒化硼素等を用いることができる。これらは、いずれ
も混合物に含まれる周期率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素
及び／又はその化合物が硼化するに十分な量供給される
ことが必要であるが、上記元素や化合物の含有量が少な
いために、例えば、通常離型剤として用いる窒化硼素の
量程度でも十分である。従って硼素の供給源として上記
窒化硼素を離型剤として使用すると、特に硼素の供給源
を必要としないので好ましい。
又、炭素の供給源としては、例えば混合物に添加する炭
素質化合物、カーボンブラックや、焼結時に使用するカ
ーボンさや、発熱体として用いる炭素等がある。この炭
素の量も前述の硼素と同じく少量でよいためにさやや、
発熱体として用いる炭素から供給される量で十分である
。従って炭素の供給源としてさやや、発熱体に炭素を使
用すると特に炭素の供給源を必要としないので好ましい
。
素質化合物、カーボンブラックや、焼結時に使用するカ
ーボンさや、発熱体として用いる炭素等がある。この炭
素の量も前述の硼素と同じく少量でよいためにさやや、
発熱体として用いる炭素から供給される量で十分である
。従って炭素の供給源としてさやや、発熱体に炭素を使
用すると特に炭素の供給源を必要としないので好ましい
。
非酸化性雰囲気としては窒素、アルゴン、水素及びアン
モニア分解ガス等を使用できる。
モニア分解ガス等を使用できる。
焼成温度は１５００〜２０００℃であることが必要であ
るが、この範囲より温度が低いと焼結が不十分であり、
又、この範囲より温度が高いと窒化アルミニウムが分解
しはじめる。
るが、この範囲より温度が低いと焼結が不十分であり、
又、この範囲より温度が高いと窒化アルミニウムが分解
しはじめる。
［作用］
混合物中の周期率表の４ａ、５ａ、５ａ族元素の単体及
び／又はその化合物は、硼素及び／又は炭素の供給源を
有する非酸化性雰囲気下で焼結することにより、周期率
表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の硼化物及び／又は炭化物
となる。更に非酸化性雰囲気が窒素ガスの場合は、周期
率表の４ａ。
び／又はその化合物は、硼素及び／又は炭素の供給源を
有する非酸化性雰囲気下で焼結することにより、周期率
表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の硼化物及び／又は炭化物
となる。更に非酸化性雰囲気が窒素ガスの場合は、周期
率表の４ａ。
５ａ族元素の一部は窒化物となる。
この周期率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の硼化物及び／
又は周期率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の炭化物、及び
雰囲気が窒素ガスの場合はそれに加えて周期率表の４ａ
、５ａ族元素の窒化物、はＡ立Ｎ粒子中に固溶すること
なく、ＡｉＮ粒子間、即ち、粒界に存在して金属と結合
するために、本発明による窒化アルミニウム焼結体は、
Ａ立Ｎの金属との濡れ性を改善すると思われる。
又は周期率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の炭化物、及び
雰囲気が窒素ガスの場合はそれに加えて周期率表の４ａ
、５ａ族元素の窒化物、はＡ立Ｎ粒子中に固溶すること
なく、ＡｉＮ粒子間、即ち、粒界に存在して金属と結合
するために、本発明による窒化アルミニウム焼結体は、
Ａ立Ｎの金属との濡れ性を改善すると思われる。
又、通常、粒界に添加物が存在すると熱伝導性は低下す
るが、本発明は、本発明による窒化アルミニウム焼結体
が前述の硼化物、炭化物又はそれに加えて窒化物が△Ａ
Ｎの粒界に存在するにもかかわらず、Ａ立Ｎの高熱伝導
性を損わないことを見出したものである。この理由は、
これらの化合物がΔＩＮと反応して他の化合物を生ａす
ることかなく、又、へ〇Ｎ粒子全体を覆う様にして存在
しない為に、Ａ立Ｎ粒子同士の結合は損なわれず、ＡＡ
Ｎ本来の特性を維持しながらＡ立Ｎの金属との濡れ性を
改善出来るものと思われる。
るが、本発明は、本発明による窒化アルミニウム焼結体
が前述の硼化物、炭化物又はそれに加えて窒化物が△Ａ
Ｎの粒界に存在するにもかかわらず、Ａ立Ｎの高熱伝導
性を損わないことを見出したものである。この理由は、
これらの化合物がΔＩＮと反応して他の化合物を生ａす
ることかなく、又、へ〇Ｎ粒子全体を覆う様にして存在
しない為に、Ａ立Ｎ粒子同士の結合は損なわれず、ＡＡ
Ｎ本来の特性を維持しながらＡ立Ｎの金属との濡れ性を
改善出来るものと思われる。
〔発明の効果１
本発明は接合強度、熱伝導性において優れた性質をもつ
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法を提供する
ものである。
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法を提供する
ものである。
本発明により製造された高熱伝導性窒化アルミニウム焼
結体は、メタライズ時に基板表面に酸化物等の層を設け
ないために、メタライズした金属層とＡｉＮ基板とを直
接結合することが出来る。
結体は、メタライズ時に基板表面に酸化物等の層を設け
ないために、メタライズした金属層とＡｉＮ基板とを直
接結合することが出来る。
そのため本発明をＩＣ等の基板の製造法に利用すること
により、放熱性に優れた電子部品の多層基板を同時焼成
法で容易に得ることができる。
により、放熱性に優れた電子部品の多層基板を同時焼成
法で容易に得ることができる。
［実施例］
本発明の一実施例について説明する。
本実施例は、平均粒径１．０μｍのＡｉＮ粉末粉末１垂
０ ａ族元素の単体又は酸化物を第１表に示す金属換算の所
定量混合し、エタノール中で４時間、湿式混合して原料
粉末をつくり、その後、該原料粉末を成形し、第１表に
示す硼素及び／又は炭素の供給源を有する窒素雰囲気下
で焼成することにより密度．熱伝導率及び生成した結晶
測定用の試料と、金属との濡れ性測定用の試料とを得た
。
０ ａ族元素の単体又は酸化物を第１表に示す金属換算の所
定量混合し、エタノール中で４時間、湿式混合して原料
粉末をつくり、その後、該原料粉末を成形し、第１表に
示す硼素及び／又は炭素の供給源を有する窒素雰囲気下
で焼成することにより密度．熱伝導率及び生成した結晶
測定用の試料と、金属との濡れ性測定用の試料とを得た
。
密度及び熱伝導率の測定は、原料粉末を直径ｌｌｌｌ１
ｍ厚さ３１１Ｉｍに成形圧力１．５ｔｏｎ／ａＡで成形
した後、１７００℃の窒素雰囲気中で１詩興常圧焼結を
行って得た試料について行った。密度は相対密度（理論
密度に対する見掛は比重比％）として測定し、又、熱伝
導率は、試料の厚みを２１ｍ１に平紐加工した後にレー
ザーフラッシュ法を用いて測定した。
ｍ厚さ３１１Ｉｍに成形圧力１．５ｔｏｎ／ａＡで成形
した後、１７００℃の窒素雰囲気中で１詩興常圧焼結を
行って得た試料について行った。密度は相対密度（理論
密度に対する見掛は比重比％）として測定し、又、熱伝
導率は、試料の厚みを２１ｍ１に平紐加工した後にレー
ザーフラッシュ法を用いて測定した。
生成した化合物はこの試料をメノウ乳鉢にて粉砕した後
Ｘ線回析装置にかけることにより測定した。
Ｘ線回析装置にかけることにより測定した。
金属との濡れ性は、メタライズの接着強度として測定し
た。メタライズの接着強度は、原料粉末を３０Ｘ１０Ｘ
５ｍａ＋に金型プレスで成形した後に、通常メタライズ
に用いられるＷ粉末（平均粒径１゜０μｍ）を含むペー
ストを該成形体表面に２×２１厚さ約２０μｍに塗布し
、乾燥して、１７００℃窒素雰囲気下で１時間常圧焼結
し、次いで、該焼結体表面に電解ＮｉメッキによってＮ
ｉ層を２〜５μｍ形成し、８５０℃、１０分間シンター
した後に、共晶銀ローを用いて１ Ｘ １ ＩＩＩのコ
バール（コバルトと鉄を含むニッケル合金）板を９３０
℃、５分間でロー付し、その接着強度をビール強度とし
て測定した。このビール強度は上記コバール板に接合さ
れたリード線を接着面に対して垂直方向に向って０ 、
５ ｍｍ／ ｓｅａの速度で引張り、上記コバール板が
試料から剥離したときの強度である。
た。メタライズの接着強度は、原料粉末を３０Ｘ１０Ｘ
５ｍａ＋に金型プレスで成形した後に、通常メタライズ
に用いられるＷ粉末（平均粒径１゜０μｍ）を含むペー
ストを該成形体表面に２×２１厚さ約２０μｍに塗布し
、乾燥して、１７００℃窒素雰囲気下で１時間常圧焼結
し、次いで、該焼結体表面に電解ＮｉメッキによってＮ
ｉ層を２〜５μｍ形成し、８５０℃、１０分間シンター
した後に、共晶銀ローを用いて１ Ｘ １ ＩＩＩのコ
バール（コバルトと鉄を含むニッケル合金）板を９３０
℃、５分間でロー付し、その接着強度をビール強度とし
て測定した。このビール強度は上記コバール板に接合さ
れたリード線を接着面に対して垂直方向に向って０ 、
５ ｍｍ／ ｓｅａの速度で引張り、上記コバール板が
試料から剥離したときの強度である。
第１表に相対密度、熱伝導率、ビール強度の測定結果を
示す。又、第１表に示された組成以外は全てＡ立Ｎであ
り、組成の含有量の単位はＡＡＮ１００重量部に対する
金属換算の重量部である。
示す。又、第１表に示された組成以外は全てＡ立Ｎであ
り、組成の含有量の単位はＡＡＮ１００重量部に対する
金属換算の重量部である。
本実施例より、第１表に示す如く、周期率表の４ａ、５
ａ、５ａ族元素の単体及びその酸化物から選ばれた１種
又は２種以上をＡｕＮに金属に換算して０．１〜１０重
量部含有させた混合物を硼素又は炭素の供給源を有する
窒素雰囲気中で焼結することにより、熱伝導率が高く、
ビール強度の高い、即ち、金属との濡れ性の良好な焼結
体が得られることが分かった。
ａ、５ａ族元素の単体及びその酸化物から選ばれた１種
又は２種以上をＡｕＮに金属に換算して０．１〜１０重
量部含有させた混合物を硼素又は炭素の供給源を有する
窒素雰囲気中で焼結することにより、熱伝導率が高く、
ビール強度の高い、即ち、金属との濡れ性の良好な焼結
体が得られることが分かった。
尚、従来のＡ立Ｎ焼結体く相対密度９９％）の熱伝導率
は０．１４〜０．２４ｃａ立／ ｃｇ＋、 ｓｅａ。
は０．１４〜０．２４ｃａ立／ ｃｇ＋、 ｓｅａ。
℃でビール強度は０．５ｋｇ／■ より小さい。又、へ
立２０３（相対密１１９９％）の熱伝導率は０゜０４〜
０．０７ ｃ ａ 文／ｃｍ、ｓｅｃ、 ”Ｃ１’、ビ
ール強度は２〜５ｋＭｌ■２である。
立２０３（相対密１１９９％）の熱伝導率は０゜０４〜
０．０７ ｃ ａ 文／ｃｍ、ｓｅｃ、 ”Ｃ１’、ビ
ール強度は２〜５ｋＭｌ■２である。
尚、焼成温度が１５００℃より低いと焼結が不十分のた
め、強度が低く、熱伝導率も低かった。
め、強度が低く、熱伝導率も低かった。
逆に焼成濃度が２０００℃を超えるとＩＩＮが分解をは
じめてしまった。
じめてしまった。
又、第１表に示す以外の周期率表の４ａ、５ａ。
６ａ族元素の単体、とその化合物を用いて、本実施例と
同様にして実験した所、上述の元素単体及び／又はその
化合物をＡｉＮに元素単体に換算して０．１〜１０重量
部含有させることにより、熱伝導率が高く、ビール強度
の高い焼結体を得ることができた。
同様にして実験した所、上述の元素単体及び／又はその
化合物をＡｉＮに元素単体に換算して０．１〜１０重量
部含有させることにより、熱伝導率が高く、ビール強度
の高い焼結体を得ることができた。
さらに雰囲気をアンモニア分解ガスとした場合も窒素ガ
ス雰囲気と同様に、上述の元素単体及び／又はその化合
物をＡｕＮに元素単体に換算して０．１〜１０重量部含
有させることが熱伝導率が高く、ビール強度の高い焼結
体を得る上で必要であることがわかった。
ス雰囲気と同様に、上述の元素単体及び／又はその化合
物をＡｕＮに元素単体に換算して０．１〜１０重量部含
有させることが熱伝導率が高く、ビール強度の高い焼結
体を得る上で必要であることがわかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒化アルミニウムを１００重量部と、 周期率表の４ａ、５ａ、６ａ族元素の単体にその化合物
を加えた群から選ばれた１種又は２種以上を、上記元素
単体に換算して０．１〜１０重量部とからなる混合物を
、 硼素及び／又は炭素の供給源を有する非酸化性雰囲気中
で１５００〜２０００℃で焼結することを特徴とする高
熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法。 ２ 上記化合物が、酸化物である特許請求の範囲第１項
記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法。 ３ 上記化合物が加熱に際して上記元素単体又は酸化物
を生成する化合物である特許請求の範囲第１項記載の高
熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法。 ４ 硼素の供給源が焼結時に 離型剤として用いる窒化硼素である特許 請求の範囲第１項ないし第３項いずれか記載の高熱伝導
性窒化アルミニウム焼結体の製造法。 ５ 炭素の供給源が、焼結時にさや又は発熱体として用
いる炭素である特許請求の範囲第１項ないし第４項いず
れか記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法
。 ６ 非酸化性雰囲気が窒素、アルゴン、水素及びアンモ
ニア分解ガスのいずれかである特許請求の範囲第１項な
いし第５項いずれか記載の高熱伝導性窒化アルミニウム
焼結体の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112330A JPS61270263A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 |
| US07/039,347 US4877760A (en) | 1985-05-22 | 1987-04-17 | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same |
| US07/405,872 US4961987A (en) | 1985-05-22 | 1989-09-11 | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same |
| US07/405,780 US4997798A (en) | 1985-05-22 | 1989-09-11 | Process for producing aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112330A JPS61270263A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270263A true JPS61270263A (ja) | 1986-11-29 |
| JPH0313190B2 JPH0313190B2 (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=14583977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60112330A Granted JPS61270263A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-24 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270263A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0287841A2 (en) * | 1987-03-28 | 1988-10-26 | Narumi China Corporation | Sintered body of aluminum nitride |
| JPS63310772A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS63319267A (ja) * | 1987-06-23 | 1988-12-27 | Narumi China Corp | 窒化アルミニウム焼結体 |
| US4843038A (en) * | 1986-11-13 | 1989-06-27 | Narumi China Corporation | Black sintered body of aluminum nitride and process for producing the same |
| JPH01226767A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Hitachi Ltd | 導電材及びその製造法 |
| KR20210078611A (ko) * | 2019-12-18 | 2021-06-29 | 윤종만 | 질화알루미늄계 도가니 및 이의 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151704A (ja) * | 1974-05-28 | 1975-12-05 |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP60112330A patent/JPS61270263A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151704A (ja) * | 1974-05-28 | 1975-12-05 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4843038A (en) * | 1986-11-13 | 1989-06-27 | Narumi China Corporation | Black sintered body of aluminum nitride and process for producing the same |
| EP0287841A2 (en) * | 1987-03-28 | 1988-10-26 | Narumi China Corporation | Sintered body of aluminum nitride |
| US4833108A (en) * | 1987-03-28 | 1989-05-23 | Narumi China Corporation | Sintered body of aluminum nitride |
| JPS63310772A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS63319267A (ja) * | 1987-06-23 | 1988-12-27 | Narumi China Corp | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPH01226767A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Hitachi Ltd | 導電材及びその製造法 |
| KR20210078611A (ko) * | 2019-12-18 | 2021-06-29 | 윤종만 | 질화알루미늄계 도가니 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0313190B2 (ja) | 1991-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4961987A (en) | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same | |
| Kuramoto et al. | Translucent A1N ceramic substrate | |
| JPH0569797B2 (ja) | ||
| KR20010079642A (ko) | 복합 재료 및 그를 이용한 반도체 장치 | |
| JPS631267B2 (ja) | ||
| JP3408298B2 (ja) | 高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板，その製造方法および窒化けい素モジュール | |
| JPH0243700B2 (ja) | ||
| JPS61270263A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 | |
| JPH022836B2 (ja) | ||
| JP3193305B2 (ja) | 複合回路基板 | |
| JPS61291480A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物 | |
| JP2772274B2 (ja) | 複合セラミックス基板 | |
| JPS61281074A (ja) | メタライズ用高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| JP5073135B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法及び用途 | |
| JPS6246512B2 (ja) | ||
| JP2677748B2 (ja) | セラミックス銅回路基板 | |
| JPH0323511B2 (ja) | ||
| JPS61295275A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPS5891059A (ja) | 複合セラミツクス焼結体及びその製造方法 | |
| JP3230861B2 (ja) | 窒化けい素メタライズ基板 | |
| JPH08731B2 (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPH0684265B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPH11157964A (ja) | 板状複合体とそれを用いた放熱部品 | |
| JPS63103885A (ja) | 炭化ケイ素焼結体の金属化組成物 | |
| JPH0247856B2 (ja) |