JP2012236733A - 結晶育成用るつぼ及び結晶の育成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 るつぼ10のテーパ収納部11bのテーパ面に接する面が、テーパ面と同一の傾斜角度を有するテーパ面に形成された接触面を備える種結晶20を使用し、るつぼ10に種結晶20を配置する際に、テーパ収納部11bのテーパ面に種結晶20の接触面を接触させて配置し、結晶原料を溶融した際に、融液がテーパ収納部11bと種結晶20との界面に流れ込むことを抑制して種結晶20から単結晶を成長させる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、るつぼの底に種結晶を配置して結晶を育成する垂直ブリッジマン法を利用する結晶の育成方法において、結晶全体としての結晶方位を種結晶の結晶方位に一致させて育成することができる単結晶育成用るつぼ及び結晶の育成方法を提供することを目的とする。
また、前記収納部は、収納部の開口側へ徐々に縮径するテーパ面に形成されていることにより、育成した結晶をるつぼから取り出す操作が容易になり、結晶に作用する応力を緩和して結晶中にクラックが発生するといった問題を回避することができるという利点がある。
前記テーパ収納部のテーパ面が円錐面として形成されている場合には、前記種結晶として、円錐形状あるいは円錐台形状に形成した種結晶が好適に使用できる。
また、本発明に係る結晶育成方法は、前記種結晶としてサファイア結晶を使用し、前記結晶原料としてアルミナ(Al2O3)の圧粉体または焼結体を使用してサファイアの単結晶を育成する方法として好適に利用することができる。
図1は、本発明に係る結晶の育成方法に用いるるつぼの第1の実施の形態を示す。
図1に示するつぼ10は、全体形状が円柱状をなするつぼ材を一方の面側(上側)から掘り込み、種結晶と結晶原料を収容する容器部11を設けた形状に形成されている。
容器部11は、るつぼ10の上部に設けた結晶原料を収納する収納部11aと、収納部11aの下部に設けられたテーパ収納部11bとによって構成される。収納部11aは、内面形状が円筒状に形成され、テーパ収納部11bは、その内面が下方(収納部11aとは反対側)に徐々に縮径するテーパ面(この例では円錐面)に形成されている。
図1では、種結晶20を円錐台形状とし、テーパ収納部11bに種結晶20を配置した際に、テーパ収納部11bの底と種結晶20の下面との間に空間が生じるようにしている。これは、種結晶20をテーパ収納部11bにセットしたときに、種結晶20がテーパ収納部11bのテーパ面から浮き上がらないようにし、種結晶20の接触面(テーパ面)がテーパ収納部11bのテーパ面に必ず接するようにするためである。
また、テーパ収納部11bは種結晶20を支持する内面をテーパ面(傾斜面)とすることによって種結晶20とテーパ収納部11bとの界面に隙間が生じないようにすることを目的とするから、テーパ収納部11bのテーパ面は種結晶20を密接させて支持する面形状であればよく、完全な円錐面でなければならないものではない。たとえば、テーパ収納部11bの底部をなめらかに面取りした形態とすることも可能である。
以下に、上述したテーパ収納部11bを備えるるつぼ10を使用して、垂直ブリッジマン法によりサファイア単結晶を育成した例について説明する。
図2に、サファイア結晶の育成に使用したるつぼと種結晶の配置を示す。種結晶には大きなサファイア結晶から円錐形状に加工した結晶を使用した。種結晶はテーパ収納部11bのテーパ面に隙間なく接触面が接するようにテーパ面の傾斜角度を設定した。
図3(a)、(b)、(c)、(d)は、それぞれ、種子付け温度を2030.0℃、2017.5℃、2010.0℃、2010.0℃とした例である。
図3(a)では、種子付け温度が高かったために種結晶が全部溶けてしまい、単結晶が成長しなかった。
図3(b)では、種結晶が高さ7.5mm残った状態で結晶が成長した。この例では、種結晶の先端部分まで融液が流れ込み、種結晶とるつぼのテーパ収納部との界面に融液が流れ込むことを完全には阻止できていない。
この実験結果は、種結晶をセットするテーパ収納部を備えるるつぼに、円錐形状の種結晶をセットし、的確な種子付け温度を設定することによって確実に単結晶を育成することができることを示している。
図4はテーパ収納部を備えるるつぼを使用し、円錐形状に加工した種結晶を用いてサファイア結晶を育成した実験例、図5は、従来の円柱形状に加工した種結晶を用いてサファイア結晶を育成した実験例を示す。
図4(a)は、育成後の結晶の外観写真、図4(b)は、育成後の結晶の先端部分を拡大して示すトポグラフ写真を示す。図5(a)は、育成後の結晶の外観写真、図5(b)は、育成後の結晶の先端部分を拡大して示すトポグラフ写真を示す。
図4(b)には、種結晶とるつぼの界面から上方に伸びる境界線が見えるが、結晶方位としては、結晶全体が種結晶の結晶方位に完全に一致して成長している。溶融した種結晶の界面が結晶中に見えている。
一方、図5(b)では、育成した結晶の外周側面近傍に小傾角境界が見えており、この境界から外側部分については種結晶の結晶方位とずれている。また、結晶中に種結晶が溶融した界面が見えている。
この実験結果は、テーパ収納部を備えるるつぼを使用し、るつぼとの接触面をテーパ面とした種結晶を使用して単結晶を育成する方法は、単結晶全体が種結晶と結晶方位をそろえて成長させる方法として有効であることを示している。
図6(a)は、従来の平坦状の底部を備えるるつぼに種結晶21を配置し、結晶原料を溶融した状態を示す。種結晶21は上部が溶融して界面が球面状となる。この場合は、融液22が種結晶21とるつぼ(底部)の界面に流れ込んで(流れ込み部分22a)結晶が成長するため、図6(b)に示すように、種結晶21と結晶方位が揃った結晶21aの部分と、結晶21aの外周側面に種結晶21とは結晶方位がずれた結晶21bの部分が生じる。
図7は、本発明に係る結晶の育成方法に用いるるつぼの第2の実施の形態を示す。
本実施形態のるつぼ12は、種結晶と結晶原料を収納する容器部13を、結晶原料を収納する収納部13aと、種結晶24を収納するテーパ収納部13bと、収納部13aとテーパ収納部13bとの間に配したテーパ連結部13cによって構成されている。
収納部13aは円筒形状に形成され、テーパ連結部13cは内面が全体として下方へ徐々に縮径するテーパ面に形成されている。テーパ収納部13bはテーパ連結部13cの下端に連結し、内面が下方へ徐々に縮径するテーパ面に形成されている。
種結晶24をテーパ収納部13bにセットすることにより、種結晶24とテーパ収納部13bとの界面に融液が流れ込まないようになるから、種結晶24の上部がテーパ収納部13bから突出していてもかまわない。
図8(a)がるつぼに種結晶をセットした配置図、図8(b)が育成後の結晶の外観写真、図8(c)が図8(b)に示す断面におけるトポグラフ写真である。
図8(c)を見ると、種結晶24とテーパ収納部13bとの界面から上方に伸びる微小傾角境界が結晶の中心部に見られるが、結晶方位は結晶全体として種結晶24の結晶方位に一致し、良好な結晶が得られている。なお、結晶中に冷却時に生じたと思われるクラックが生じている。
このように、るつぼの底を2段のテーパ形状にする場合は、育成する結晶の種類に合わせて、テーパ収納部の径や高さ、テーパ連結部のテーパ面の傾斜角度や高さを適宜調節するのがよい。るつぼの底を2段のテーパ形状とすると、種結晶を収納するテーパ収納部のテーパ面の傾斜角度(鉛直方向に対する傾斜角度)は、1段のテーパ収納部を設ける場合と比較して小さくなる(急峻になる)から、これよりも傾斜角度が緩くなる(鉛直方向に対する傾斜角度は大きくなる)緩衝的な作用部分であるテーパ連結部13cを設けることによって、種結晶の結晶方位をずらさずに確実に単結晶を育成することが可能になると考えられる。
11、13 容器部
11a、13a 収納部
11b、13b テーパ収納部
13c テーパ連結部
20、21、24 種結晶
21a、21b 結晶
22 融液
30 熱電対
Claims (6)
- 垂直ブリッジマン法による結晶育成に用いる結晶育成用るつぼであって、
るつぼの底部に種結晶を収納するテーパ収納部を備え、
該テーパ収納部は、種結晶を支持する内面が、結晶原料を収納する収納部に対し反対側へ徐々に縮径するテーパ面に形成されていることを特徴とする結晶育成用るつぼ。 - 前記テーパ収納部と前記収納部とが、前記テーパ収納部のテーパ面よりも傾斜角度が緩く、前記テーパ収納部に向けて徐々に縮径するテーパ面からなるテーパ連結部により連結されていることを特徴とする請求項1記載の結晶育成用るつぼ。
- 前記収納部は、収納部の開口側へ徐々に縮径するテーパ面に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の結晶育成用るつぼ。
- 請求項1〜3のいずれか一項記載の結晶育成用るつぼを用いて結晶を育成する結晶育成方法であって、
前記テーパ収納部のテーパ面に接する面が、該テーパ面と同一の傾斜角度を有するテーパ面に形成された接触面を備える種結晶を使用し、
るつぼに種結晶を配置する際に、前記テーパ収納部のテーパ面に前記種結晶の接触面を接触させて配置し、
結晶原料を溶融した際に、融液が前記テーパ収納部と前記種結晶との界面に流れ込むことを抑制して種結晶から単結晶を成長させることを特徴とする結晶育成方法。 - 前記テーパ収納部のテーパ面が円錐面として形成され、
前記種結晶として、円錐形状あるいは円錐台形状に形成した種結晶を使用することを特徴とする請求項4記載の結晶育成方法。 - 前記種結晶としてサファイア結晶を使用し、前記結晶原料としてサファイアを使用してサファイアの単結晶を育成することを特徴とする請求項4または5記載の結晶育成方法。
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