TW201915227A - 坩堝支持台座、石英坩堝支持裝置及矽單結晶的製造方法 - Google Patents
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Abstract
坩堝支持台座(12)，具備能夠嵌合分割石墨構件(11)的嵌合凹部(122)，嵌合凹部(122)的開口緣(123)構成為，與分割石墨構件(11)的接觸部(P1)設置在較矽單結晶育成後殘留在石英坩堝(221)的矽融液之固化物(M1)的表面還要高的位置、伴隨著矽融液固化時的膨脹而作用在分割石墨構件(11)的力係作用在較接觸部(P1)還要低的位置。
Description
本發明係關於坩堝支持台座、石英坩堝支持裝置及矽單結晶的製造方法。
過去，已知有支持石英坩堝的石英坩堝支持裝置，其係用於依據丘克拉斯基法的矽單結晶的製造中(例如，參照專利文獻1)。 如圖4A及圖4B所示，專利文獻1的石英坩堝支持裝置具備支持石英坩堝221的石墨坩堝91，以及支持石墨坩堝91的石墨製的坩堝支持台座92。 石墨坩堝91由圓板狀的底部91A、以及除此之外的側部91B所構成。側部91B由縱向分割為3等分而得到的第1、第2、第3分割石墨構件91C、91D、91E所構成。 在石墨坩堝91的底面設有被坩堝支持台座92嵌入的凹部91F。 在各分割石墨構件91C、91D、91E的上面，設置了抑制其彼此分離的分離抑制構件93。如圖4C所示，分離抑制構件93具備棒狀的連結部93A、以及設置於該連結部93A的兩端並收容在各分割石墨構件91C、91D、91E的圓形之銷支持孔911中的圓柱狀的銷部93B。銷支持孔911的內徑形成為較銷部93B的外徑還要大，構成為銷部93B能夠在該銷支持孔911內相對移動。
先行技術文獻 專利文獻： 專利文獻1：日本特開2000-264777號公報
[發明欲解決的問題]
使用如圖4A、圖4B、圖4C所示的坩堝，依據丘克拉斯基法製造矽單結晶的情況下，首先，將矽原料注入石英坩堝221中，用加熱器把石英坩堝221及石英坩堝支持裝置加熱以產生矽融液。在此矽融液的產生階段中，石英坩堝221、石墨坩堝91及坩堝支持台座92會因為加熱而膨脹。當石英坩堝221膨脹時，石英坩堝221把各分割石墨構件91C、91D、91E向外側推。此時，分離抑制構件93的銷部93B在銷支持孔911內相對移動，在兩者接觸之前，各分割石墨構件91C、91D、91E彼此分離。
矽融液產生後，進行矽單結晶的育成，在此育成後，為了要更換石英坩堝221，而使腔室內冷卻使矽融液的殘液固化。 在此固化階段中，矽融液在已膨脹的狀態下固化。
另一方面，石英坩堝221因為冷卻收縮而要恢復膨脹前的形狀。但是，如圖5A所示，因為固化物M1是在較熔融時更膨脹的狀態下收容在石英坩堝221中，所以至少收容固化物M1的部分無法恢復到膨脹前的狀態。
各分割石墨構件91C、91D、91E及坩堝支持台座92也因為冷卻收縮而要恢復膨脹前的形狀。 坩堝支持台座92，則因為在收縮時沒有障礙，所以能夠恢復膨脹前的形狀。 另一方面，由於石英坩堝221當中的固化物M1的收容部分無法恢復膨脹前的狀態，所以當各分割石墨構件91C、91D、91E要收縮的時候，向外側的力F1作用在和該當收容部分接觸的部分。由於此力F1，以石墨坩堝91的凹部91F的開口緣和坩堝支持台座92的下端緣的接觸部P9為轉動中心，產生使得各分割石墨構件91C、91D、91E的上端朝向彼此分離的方向回轉的轉矩E9。由於此轉矩E9，如圖5B所示，各分割石墨構件91C、91D、91E的上端側變成打開著的狀態，與設置在石墨坩堝91外側的加熱器(未圖示)接觸，有可能使該加熱器破損。
本發明之目的為提供能夠抑制在矽融液固化時分割石墨構件上端打開的坩堝支持台座、具備該支持坩堝的石英坩堝支持裝置、及、使用該石英坩堝支持裝置的矽單結晶的製造方法。 [解決問題的手段]
本發明的坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座，其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部，前述嵌合凹部的開口緣構成為，與前述複數分割石墨構件的接觸部設置在較矽單結晶的育成後殘留在前述石英坩堝的矽融液的固化物之表面還要高的位置，伴隨著前述矽融液固化時的膨脹作用在前述複數分割石墨構件的力作用在較前述接觸部低的位置。
依據本發明，能夠使得如圖5A所示的因為較融液時更為膨脹的固化物的影響而作用在分割石墨構件的力F1，發生在較坩堝支持台座的嵌合凹部的開口緣與複數分割石墨構件的接觸部更為下側。因此，能夠抑制以上述接觸部為轉動中心，使複數分割石墨構件向彼此分離方向回轉的轉矩發生，並且能夠抑制石墨分割構件的上端打開。
本發明的坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座，其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部，前述嵌合凹部構成為滿足以下式(1)，其中，該嵌合凹部的深度為A(mm)，對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)，前述石英坩堝中的底部中央的厚度為C(mm)，在矽單結晶育成後殘留在前述石英坩堝的矽融液的固化物的高度為D(mm)。 A＞B+C+D … (1)
本發明的坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座，其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部，前述嵌合凹部構成為滿足以下式(2)，其中，該嵌合凹部的深度為A(mm)，對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)。 A＞B+45mm … (2)
本發明的坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座，其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部，前述嵌合凹部構成為滿足以下式(3)，其中，該嵌合凹部的深度為A(mm)，對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)。 A＞B+62mm … (3)
本發明的坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座，其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部，前述嵌合凹部構成為滿足以下式(4)，其中，該嵌合凹部的深度為A(mm)，對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)。 A＞B+65mm … (4)
本發明的坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座，其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部，前述嵌合凹部構成為滿足以下式(5)，其中，該嵌合凹部的深度為A(mm)，對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)。 A＞B+110mm … (5)
將滿足式(2)的坩堝支持台座用於例如直徑150mm的矽單結晶之製造時，石英坩堝中的底部中央的厚度(以下亦稱為「石英坩堝底部的厚度」)為6mm以上且15mm以下為佳。150mm的矽單結晶製造時的矽融液之固化物的高度，一般是在10mm以上且30mm以下。式(2)右邊的「45mm」為，石英坩堝底部之厚度的最大值15mm、和固化物高度的最大值30mm之和。
將滿足式(3)的坩堝支持台座用於例如直徑200mm的矽單結晶之製造時，石英坩堝底部的厚度為8mm以上且22mm以下為佳。200mm的矽單結晶製造時的矽融液之固化物的高度，一般為15mm以上且40mm以下。式(3)右邊的「62mm」為，石英坩堝底部的厚度之最大值22mm、和固化物的高度之最大值40mm之和。
將滿足式(4)的坩堝支持台座用於例如直徑300mm的矽單結晶之製造時，石英坩堝底部的厚度為10mm以上且25mm以下為佳。300mm的矽單結晶製造時的矽融液的固化物之高度，一般為15mm以上且40mm以下。式(4)右邊的「65mm」為，石英坩堝底部厚度的最大值25mm、和固化物高度之最大值40mm之和。
將滿足式(5)的坩堝支持台座用於例如直徑450mm的矽單結晶製造時，石英坩堝底部的厚度為15mm以上且30mm以下為佳。450mm的矽單結晶製造時的矽融液的固化物之高度，一般為20mm以上且80mm以下。式(5)右邊的「110mm」為，石英坩堝底部厚度的最大值30mm、和固化物高度的最大值80mm之和。
藉由本發明的滿足式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)的坩堝支持台座，嵌合凹部的開口緣為，與複數分割石墨構件的接觸部設置在矽單結晶育成後殘留在石英坩堝的矽融液的固化物表面還要高的位置。因此，能夠使得如圖5A所示的因為固化物的影響而作用在分割石墨構件的力F1，發生在較坩堝支持台座的嵌合凹部的開口緣和複數分割石墨構件的接觸部更為下側，並且能夠抑制石墨分割構件的上端打開。
本發明的石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括：將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及支持前述複數分割石墨構件的上述坩堝支持台座。
本發明的石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括：將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及支持前述複數分割石墨構件的上述坩堝支持台座，縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為452mm以上且462mm以下，前述B為12mm以上且20mm以下、前述C為6mm以上且15mm以下、前述D為10mm以上且30mm以下。
本發明的石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括：將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及支持前述複數分割石墨構件的上述坩堝支持台座，縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為553mm以上且615mm以下，前述B為15mm以上且35mm以下、前述C為8mm以上且22mm以下、前述D為15mm以上且40mm以下。
本發明的石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括：將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及支持前述複數分割石墨構件的上述坩堝支持台座，縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為803mm以上且823mm以下，前述B為20mm以上且45mm以下、前述C為10mm以上且25mm以下、前述D為15mm以上且40mm以下。
本發明的石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括：將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及支持前述複數分割石墨構件的上述坩堝支持台座，縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為1001mm以上且1031mm以下，前述B為25mm以上且55mm以下、前述C為15mm以上且30mm以下、前述D為20mm以上且80mm以下。
本發明的石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括：將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及支持前述複數分割石墨構件的上述坩堝支持台座，縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為452mm以上且462mm以下，前述B為12mm以上且20mm以下。
本發明的石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括：將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及支持前述複數分割石墨構件的上述坩堝支持台座，縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為553mm以上且615mm以下，前述B為15mm以上且35mm以下。
本發明的石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括：將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及支持前述複數分割石墨構件的上述坩堝支持台座，縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為803mm以上且823mm以下，前述B為20mm以上且45mm以下。
本發明的石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括：將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及支持前述複數分割石墨構件的上述坩堝支持台座，縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為1001mm以上且1031mm以下，前述B為25mm以上且55mm以下。
本發明的矽單結晶的製造方法為，使用石英坩堝、及支持前述石英坩堝的上述石英坩堝支持裝置的矽單結晶的製造方法，其特徵在於，將矽融液固化，使得前述矽單結晶育成後殘留在前述石英坩堝的前述矽融液的固化物之表面位於較前述嵌合凹部的開口緣和前述複數分割石墨構件的接觸部還要低的位置。
依據本發明，抑制矽融液固化時的分割石墨構件上端的打開，因此可以抑制加熱器的破損。
[實施形態] 以下，參照圖式說明本發明的一實施形態。 〔石英坩堝支持裝置的構成〕 如圖1A及圖1B所示，石英坩堝支持裝置10支持石英坩堝221。石英坩堝支持裝置10具備：將石墨坩堝縱向分割為3等分而得到的第1、第2、第3分割石墨構件11A、11B、11C(以下，亦總稱之為「分割石墨構件11」)、支持分割石墨構件11的坩堝支持台座12、及抑制各分割石墨構件11A、11B、11C向著遠離石英坩堝221的中心CA並彼此分離的方向移動的分離抑制構件93。
在分割石墨構件11的上面，設置了讓分離抑制構件93的銷部93B***的銷支持孔111。銷支持孔111形成為，當銷部93B***時，在其與該銷部93B之間留有空隙。
坩堝支持台座12係由石墨形成為平面視圓形。在坩堝支持台座12的其中一面上，設置了讓支持軸25嵌入的支持軸嵌合溝121。 坩堝支持台座12的另一面上，設置了能夠嵌合分割石墨構件11的下部的嵌合凹部122。如圖2所示，該嵌合凹部122的開口緣123構成為滿足以下式(1)，該嵌合凹部122的深度(從嵌合凹部122的開口面124到其底部中央為止的距離)為A(mm)、分割石墨構件11中對應於分割前的石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)、石英坩堝221中的底部中央之厚度為C(mm)、矽單結晶育成後殘留在石英坩堝221的矽融液M之固化物M1的高度(從固化物M1的表面到石英坩堝221的底部中央為止的距離)為D(以下，稱之為「固化物高度D」)(mm)。 以此為佳：嵌合凹部122之深度A的上限值為，使得開口緣123位於與分割石墨構件11的上端相同位置或者較該上端低的位置之值。 A＞B+C+D … (1)
藉由滿足上述式(1)之構成，嵌合凹部122的開口緣123與各分割石墨構件11A、11B、11C的接觸部P1，位於較矽單結晶育成後的矽融液M的固化物M1的表面還要高的位置。
育成外周研削後的直徑為特定值的矽單結晶的情況下，分割前的石墨坩堝之內徑、石墨坩堝的底部中央的厚度B、石英坩堝221的底部中央的厚度C、矽融液的固化物高度D在下表1所示的範圍內為佳。 在矽單結晶直徑為150mm時，坩堝支持台座12可以構成為滿足下式(2)；直徑為200mm時，坩堝支持台座12可以構成為滿足下式(3)；直徑為300mm時，坩堝支持台座12可以構成為滿足下式(4)；直徑為450mm時，坩堝支持台座12可以構成為滿足下式(5)。 A＞B+45mm … (2) A＞B+62mm … (3) A＞B+65mm … (4) A＞B+110mm … (5)
表1中的石墨坩堝的內徑，為石墨坩堝的最大內徑，石墨坩堝有直體部(在高度方向的所有位置的內徑相同的圓筒部)的情況下，其表示直體部的內徑。 矽單結晶育成後的矽融液M的殘液量為矽原料的初期注料量的1%到10%。表1中的固化物高度D為，相當於上述初期注料量的1%到10%的矽融液M固化後的值。
表1
〔矽單結晶的製造方法〕 針對使用上述石英坩堝支持裝置10的依據丘克拉斯基法的矽單結晶的製造方法進行說明。
如圖3所示，在單結晶拉引裝置1的腔室21內用石英坩堝支持裝置10支持石英坩堝221(以下亦將石英坩堝221及石英坩堝支持裝置10總稱之為「坩堝22」)，將固体的矽原料裝在石英坩堝221內。用加熱器23將坩堝22加熱，以使得該坩堝22內的矽原料融解，產生矽融液M。
當矽融液M產生時，石英坩堝221、分割石墨構件11及坩堝支持台座12因為加熱而膨脹。各分割石墨構件11A、11B、11C被已膨脹的石英坩堝221推向外側，分離抑制構件93的銷部93B在銷支持孔111內相對移動，在其接觸之前，各分割石墨構件11A、11B、11C彼此分離。
矽融液M產生後，在腔室21中導入氬氣並將之維持在減壓下的惰性環境中，藉由支持軸25的驅動使坩堝22回轉，並使種結晶SC接觸矽融液M之後，用拉引線24進行拉引，藉此育成矽單結晶SM。
矽單結晶SM育成後，為了更換石英坩堝221，而將腔室21內冷卻並使矽融液M的殘液固化。 此時，如上所述，矽融液M是在較熔融時更膨脹的狀態下固化。 另一方面，石英坩堝221朝向恢復膨脹前的形狀的方向收縮，但由於在較熔融時更膨脹的狀態下收容了固化物M1，所以至少固化物M1的收容部分無法恢復膨脹前的狀態。
坩堝支持台座12，在收縮時沒有障礙，所以能夠恢復膨脹前的形狀。 但是，如圖2所示，因為石英坩堝221中的固化物M1之收容部分無法恢復膨脹前的狀態，所以雖然各分割石墨構件11A、11B、11C要收縮，但是，向外側的力F1作用在和該收容部分接觸的部分。此時，因為接觸部P1位於較矽融液M的固化物M1表面還要高的位置，由於力F1，以該接觸部P1為轉動中心，產生使得各分割石墨構件11A、11B、11C的上端朝向彼此接近方向回轉的轉矩E1。藉由此轉矩E1，抑制各分割石墨構件11A、11B、11C的上端側變成打開的狀態，並能夠抑制各分割石墨構件11A、11B、11C使加熱器23破損。
[變形例] 本發明並非僅限於上述實施形態，在不脫離本發明要旨的範圍內可以進行各種改良及設計變更。
例如，分割支持構件亦可為將石墨坩堝縱向分割為2等分或4等分而得到的形狀。
1‧‧‧單結晶拉引裝置
10‧‧‧石英坩堝支持裝置
11‧‧‧分割石墨構件
12‧‧‧坩堝支持台座
122‧‧‧嵌合凹部
123‧‧‧開口緣
221‧‧‧石英坩堝
M‧‧‧矽融液
M1‧‧‧固化物
P1‧‧‧接觸部
SM‧‧‧矽單結晶
圖1A為本發明之一實施形態中的石英坩堝支持裝置的平面圖。 圖1B表示前述一實施形態中的石英坩堝支持裝置，為沿著圖1A的B-B線的剖面圖。 圖1C為前述一實施形態中的石英坩堝支持裝置之部分剖面圖。 圖2為前述一實施形態中的石英坩堝支持裝置之作用說明圖。 圖3為表示前述一實施形態中的單結晶拉引裝置之構成的模式圖。 圖4A為過去的石英坩堝支持裝置之平面圖。 圖4B表示過去的石英坩堝支持裝置，為沿著圖4A的B-B線的剖面圖。 圖4C為過去的石英坩堝支持裝置的部分剖面圖。 圖5A為過去的石英坩堝支持裝置的作用說明圖。 圖5B為過去的石英坩堝支持裝置的作用說明圖。
Claims (16)
- 一種坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座， 其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部， 前述嵌合凹部的開口緣構成為，與前述複數分割石墨構件的接觸部設置在較矽單結晶的育成後殘留在前述石英坩堝的矽融液的固化物之表面還要高的位置，伴隨著前述矽融液固化時的膨脹作用在前述複數分割石墨構件的力作用在較前述接觸部低的位置。
- 一種坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座， 其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部， 前述嵌合凹部構成為滿足以下式(1)，其中， 該嵌合凹部的深度為A(mm)， 對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)， 前述石英坩堝中的底部中央的厚度為C(mm)， 在矽單結晶育成後殘留在前述石英坩堝的矽融液的固化物的高度為D(mm)， A＞B+C+D … (1)。
- 一種坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座， 其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部， 前述嵌合凹部構成為滿足以下式(2)，其中， 該嵌合凹部的深度為A(mm)， 對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)， A＞B+45mm … (2)。
- 一種坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座， 其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部， 前述嵌合凹部構成為滿足以下式(3)，其中， 該嵌合凹部的深度為A(mm)， 對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)， A＞B+62mm … (3)。
- 一種坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座， 其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部， 前述嵌合凹部構成為滿足以下式(4)，其中， 該嵌合凹部的深度為A(mm)， 對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)， A＞B+65mm … (4)。
- 一種坩堝支持台座，其係為構成為能夠安裝在使用丘克拉斯基法的單結晶拉引裝置上，支持將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件的坩堝支持台座， 其特徵在於具備能夠嵌合前述複數分割石墨構件的嵌合凹部， 前述嵌合凹部構成為滿足以下式(5)，其中， 該嵌合凹部的深度為A(mm)， 對應於前述複數分割石墨構件中的前述石墨坩堝的底部中央之位置的厚度為B(mm)， A＞B+110mm … (5)。
- 一種石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括： 將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及 支持前述複數分割石墨構件的請求項1到請求項6中任一項記載的坩堝支持台座。
- 一種石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括： 將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及 支持前述複數分割石墨構件的請求項2記載的坩堝支持台座， 縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為452mm以上且462mm以下， 前述B為12mm以上且20mm以下、前述C為6mm以上且15mm以下、前述D為10mm以上且30mm以下。
- 一種石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括： 將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及 支持前述複數分割石墨構件的請求項2記載的坩堝支持台座， 縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為553mm以上且615mm以下， 前述B為15mm以上且35mm以下、前述C為8mm以上且22mm以下、前述D為15mm以上且40mm以下。
- 一種石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括： 將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及 支持前述複數分割石墨構件的請求項2記載的坩堝支持台座， 縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為803mm以上且823mm以下， 前述B為20mm以上且45mm以下、前述C為10mm以上且25mm以下、前述D為15mm以上且40mm以下。
- 一種石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括： 將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及 支持前述複數分割石墨構件的請求項2記載的坩堝支持台座， 縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為1001mm以上且1031mm以下， 前述B為25mm以上且55mm以下、前述C為15mm以上且30mm以下、前述D為20mm以上且80mm以下。
- 一種石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括： 將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及 支持前述複數分割石墨構件的請求項3記載的坩堝支持台座， 縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為452mm以上且462mm以下， 前述B為12mm以上且20mm以下。
- 一種石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括： 將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及 支持前述複數分割石墨構件的請求項4記載的坩堝支持台座， 縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為553mm以上且615mm以下， 前述B為15mm以上且35mm以下。
- 一種石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括： 將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及 支持前述複數分割石墨構件的請求項5記載的坩堝支持台座， 縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為803mm以上且823mm以下， 前述B為20mm以上且45mm以下。
- 一種石英坩堝支持裝置，其特徵在於包括： 將支持石英坩堝的石墨坩堝縱向分割而得到的複數分割石墨構件；及 支持前述複數分割石墨構件的請求項6記載的坩堝支持台座， 縱向分割前的前述石墨坩堝之內徑為1001mm以上且1031mm以下， 前述B為25mm以上且55mm以下。
- 一種矽單結晶的製造方法，其係為使用石英坩堝、及支持前述石英坩堝的請求項7到請求項15中任一項記載的石英坩堝支持裝置的矽單結晶的製造方法，其特徵在於， 將矽融液固化，使得前述矽單結晶育成後殘留在前述石英坩堝的前述矽融液的固化物之表面位於較前述嵌合凹部的開口緣和前述複數分割石墨構件的接觸部還要低的位置。
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