JP4521588B2 - 単結晶SiC膜の製造方法 - Google Patents
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Description
2a,2b Si板
3a,3b スペーサー
4 単結晶SiC基板
5 重石
6a 容器
7 密閉容器
7a 容器本体
7b 蓋
Claims (6)
- 少なくとも単結晶SiC基板と炭素原料供給板とを含む積層構造を第1容器内に収納し、この第1容器を、内部を密閉することが可能な第2容器内に収納し、上記単結晶SiC基板の表面にSi融液層を当接させた状態で熱処理を行うことにより、上記単結晶SiC基板上に単結晶SiC膜をエピタキシャル成長させる単結晶SiC膜の製造方法であって、
上記第1容器における上記積層構造を収容したときに上記単結晶SiC基板および上記炭素原料供給板の面内方向に平行となる方向の内形寸法と、上記単結晶SiC基板および上記炭素原料供給板における上記第1容器に収容したときに上記内形寸法の方向に平行となる方向の外形寸法との差を0.5mm以上2.0mm以下にすることを特徴とする単結晶SiC膜の製造方法。 - 上記の差を1.0mm以上2.0mm以下にすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶SiC膜の製造方法。
- 上記積層構造は、単結晶SiC基板における一方の面側に配置された第1の炭素原料供給板と単結晶SiC基板における他方の面側に配置された第2の炭素原料供給板とを有することを特徴とする請求項1または2に記載の単結晶SiC膜の製造方法。
- 上記積層構造は、上記単結晶SiC基板と上記炭素原料供給板との間にSi板が挿入された構造であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の単結晶SiC膜の製造方法。
- 上記第1容器における上記積層構造を収容したときに上記単結晶SiC基板および上記炭素原料供給板の面内方向に平行となる方向の内形寸法と、上記Si板における上記第1容器に収容したときに上記内形寸法の方向に平行となる方向の外形寸法との差を、上記第1容器の内形寸法と上記単結晶SiC基板および上記炭素原料供給板の外径寸法との差についての上記数値範囲と同じ範囲内にすることを特徴とする請求項4に記載の単結晶SiC膜の製造方法。
- 上記第1容器として、カーボンからなる容器を用いることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の単結晶SiC膜の製造方法。
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