JP2012227470A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】サファイア基板を有するＬＥＤ素子を備えたＬＥＤ装置であっても、パッケージの小型化にあたり部材の種類を減らし製造しやすくする。
【解決手段】ＬＥＤ装置１０は、サファイア基板１４と突起電極１８，１９を有するＬＥＤ素子１６を備えている。サファイア基板１４の上面に蛍光体シート１１が配置され、蛍光体シート１１とサファイア基板１４とを接着層１３で接着する。ＬＥＤ素子１６の側部は白色反射部材１７で覆われている。ＬＥＤ素子１６の突起電極１８，１９がマザー基板に対する接続電極となっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、チップサイズパッケージ（ＣＳＰともいう）に有効な半導体発光装置の構造及びその製造方法に関する。

高輝度化にともない半導体発光素子（以下とくに断らない限りＬＥＤ素子と呼ぶ）も大型化し、１ｍｍ×（０．５〜１）ｍｍ程度のものが入手できるようになってきた。この大きさは抵抗等の他のチップ部品と同程度になるため、ＬＥＤ素子を樹脂等でパッケージ化した半導体発光装置（以下とくに断らない限りＬＥＤ装置と呼ぶ）はＬＥＤ素子と同程度の平面サイズを有することが望まれるようになる。このパッケージはＬＥＤ素子サイズをほぼ直接的に反映するためチップサイズパッケージ（以下ＣＳＰと呼ぶ）と呼ばれることがある。ＣＳＰは実装面積が小さくて済むことやパッケージ用部材が少なくて良いということばかりでなく、必要な輝度に応じてマザー基板に搭載する個数を簡単に変えられることから照明装置等の設計の自由度を増すという特徴がある。

ＣＳＰの究極的なものとしてＬＥＤ素子のチップサイズがパッケージの外形と一致するＬＥＤ装置が知られている（例えば特許文献１の図６）。特許文献１の図６（ａ）を図１２再掲しこのＬＥＤ装置について説明する。図１２はＣＳＰ化した発光装置６（ＬＥＤ装置）の断面図である。積層体１２（半導体層）の上面には蛍光体層３０とレンズ３２が積層している。積層体１２の下部には電解メッキ時の共通電極がエッチングされずに残ったシード金属２２ａ，２２ｂ、銅配線層２４ａ，２４ｂ、電解メッキで形成した柱状の銅ピラー２６ａ，２６ｂがある。

積層体１２はｐ型クラッド層１２ａ、発光層１２ｅ、ｎ型クラッド層１２ｂを備えている。積層体１２の下面は一部が開口した絶縁層２０で覆われている。銅ピラー２６ａ，２６ｂの下部には半田ボール３６ａ，３６ｂが付着している。また銅ピラー２６ａ，２６ｂの間に補強樹脂２８を充填している。

図１２に示したＬＥＤ装置６の外形（平面的）は積層体１２の外形と一致する。このＬＥＤ装置６は、ＬＥＤ装置６が配列して連結したウェハーを個片化して得られ、ＣＳＰで区分される製品群のなかで最も小型化しているためＷＬＰ（ウェハーレベルパッケージ）と呼ばれることもある。このＬＥＤ装置６は積層体１２上にもともとあった透明絶縁基板を除去しているため、発光層１２ｅからの光は横方向にほとんど出射せず上方（図中矢印で示した）にのみ出射する。このためＬＥＤ装置６の上部にのみ蛍光体層３０を設ければ良い。

ふつう透明絶縁基板を除去するのにレーザーが用いられるが、この場合、製造装置が大掛かりになったり製造工程が長くなったりする。一方、透明絶縁基板を残すと光がＬＥＤ素子の側方にも出射するようになるため扱いづらくなってしまう。そこで透明絶縁基板があっても側方に向う光を上方に向ける方法がある（例えば特許文献２の図１）。特許文献２の図１に示される発光装置（ＬＥＤ装置）は、サブマウント基板上にフリップチップ実装したＬＥＤ素子の周辺を光反射性の部材で被覆し、側方に出射しようとする光を上方に出射させようとするものである。

特開２０１０−１４１１７６号公報 （図６（ａ）） 特開２０１０−１５７６３８号公報 （図１）

特許文献１に示されるようなＬＥＤ装置は、透明絶縁基板を除去する工程を必要とする。特許文献２の図１に示されるようなＬＥＤ装置は、ＬＥＤ素子の幅に比べサブマウント基板の構造が広く（特許文献２の図１では２．５倍くらい）なるのでＣＳＰとは言えない。またＬＥＤ装置を構成する部材の種類が多い。

そこで本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、透明絶縁基板を有するＬＥＤ素子を備えたＬＥＤ装置であっても、パッケージの小型化にあたり部材の種類を減らし製造しやすくした半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の半導体発光装置は、透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層とを有する半導体発光素子と、マザー基板との接続を取るための接続電極とを備え、前記半導体発光素子から出射する光の一部を波長変換する半導体発光装置において、
前記半導体発光素子の側部を覆う白色反射部材と、
前記透明絶縁基板の前記半導体層とは反対側に配置され、前記透明絶縁基板及び前記白色反射部材を覆う蛍光体シートと、
前記蛍光体シートと前記透明絶縁基板とを接着する接着層とを備え、
前記半導体発光素子が突起電極を有する
ことを特徴とする。

前記突起電極が前記接続電極であっても良い。

前記接着材は前記半導体発光素子の側面に付着しても良い。

前記半導体発光素子の側面に付着する接着材のフィレット形状が逆テーパー形であっても良い。

前記白色反射部材が前記半導体発光素子ともに前記突起電極の周囲も覆い、
前記突起電極と接続する前記接続電極が前記白色反射部材の底部にあっても良い。

本発明の半導体発光装置の製造方法は、透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層とを有する半導体発光素子と、マザー基板との接続を取るための接続電極とを備え、前記半導体発光素子から出射する光の一部を波長変換する半導体発光装置の製造方法において、
蛍光体を含有する樹脂をシート状に加工した蛍光体シートと、前記半導体層に接続する突起電極を備えた半導体発光素子を準備する準備工程と、
前記蛍光体シート又は前記透明絶縁基板に接着材を塗布する接着材塗布工程と、
前記蛍光体シートと前記透明絶縁基板を接着する接着工程と、
前記半導体発光素子の側部に反射性微粒子を含有する白色反射部材を充填する白色反射部材充填工程と、
前記蛍光体シート及び前記白色反射部材を切断し前記半導体発光装置を個片化する個片化工程と
を備えることを特徴とする。

前記接着工程において前記接着材が前記半導体発光素子の側面に付着するようにしても良い。

前記接着工程において前記半導体発光素子の側面に付着する接着材のフィレット形状を逆テーパー形にしても良い。

前記接着材塗布工程の前に前記蛍光体シートにダム材を配置しても良い。

白色反射部材充填工程において前記半導体発光装置の側部とともに前記突起電極の周囲にも前記白色反射部材を充填し、前記白色反射分材の底面に電解メッキ法により前記接続電極を形成しても良い。

本発明の半導体発光装置は、透明絶縁基板と半導体層の側面を白色反射部材で覆っているため、透明絶縁基板を除去する必要がなくなる。また、半導体発光素子の外形と半導体発光装置の外形とを近づけることができる。さらに、透明絶縁基板及び白色反射部材を覆う蛍光体シートを備えているため、構造が単純になり製造しやすくなる。

本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、透明絶縁基板を除去せず、半導体発光素子の外形と半導体発光装置の外形とをほぼ等しくでき、また、半導体発光素子が発する光を有効に利用できる半導体発光装置が得られる。サブマウント基板や反射枠がなく構成部材の種類が少ないうえ、接着やモールドなど一般的な工程を組み合わせているため製造しやすい。

本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置の断面図。 図１に示すＬＥＤ装置の底面図。 図１に示すＬＥＤ装置に含まれるＬＥＤ素子の断面図。 図１に示すＬＥＤ装置の製造工程の説明図。 本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ装置の断面図。 図５に示すＬＥＤ装置の製造工程の説明図。 本発明の第３実施形態におけるＬＥＤ装置の断面図。 図７に示すＬＥＤ装置の製造工程の説明図。 本発明の第４実施形態におけるＬＥＤ装置の断面図。 図９に示すＬＥＤ装置の白色反射部材充填前の底面図。 図９に示すＬＥＤ装置の製造工程の説明図。 従来例のＬＥＤ装置の断面図。

以下、添付図１〜１１を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
（第１実施形態）

添付図１〜４を参照して本発明の第１実施形態を詳細に説明する。まず図１と図２によりＬＥＤ装置１０の構造を説明する。図１は本実施形態におけるＬＥＤ装置１０の断面図である。ＬＥＤ装置１０は、サファイア基板１４（透明絶縁基板）とその下面に形成された半導体層１５とを有するＬＥＤ素子１６を中心として、ＬＥＤ素子１６の上面に出射光を波長変換する蛍光体シート１１、側面に白色反射部材１７を備えている。蛍光体シート１１とサファイア基板１４の間に接着層１３があり、蛍光体シート１１とサファイア基板１４とを接着している。またＬＥＤ素子１６の半導体層１５と接続する突起電極１８，１
９は、それぞれアノードとカソードであり、マザー基板と接続するための接続電極となっている。ここでマザー基板とは抵抗やコンデンサなど他の電子部品とともにＬＥＤ装置１０を実装する基板である。

図２はＬＥＤ装置１０の底面を示す図である。底面において、白色反射部材１７がＬＥＤ装置１０の外形となり、半導体層１５がＬＥＤ素子１６（図１参照）の外形となる。半導体層１５の占める領域の内側に突起電極１８，１９がある。ＬＥＤ素子１６の底面は１．０ｍｍ×０．５ｍｍであり、白色反射部材の幅は０．２ｍｍである。この結果、ＬＥＤ装置１０は１．４ｍｍ×０．９ｍｍとなり、サーフェースマウンタ（表面実装機）で扱いやすい大きさになっている。

蛍光体シート１１はシリコーン樹脂に蛍光体を混練し、シート状に加工したもので厚さが１００μｍ程度である。接着層１３も厚さが概ね１００μｍ以下で、熱硬化型のシリコーン接着材である。白色反射部材１７もシリコーン樹脂に酸化チタン等の反射性微粒子を混練し熱硬化させたものである。

次に図３によりＬＥＤ素子１６について説明する。図３はＬＥＤ素子１６の断面図である。ＬＥＤ素子１６は、厚さが１００〜２００μｍ程度のサファイア基板１４の下面に半導体層１５を備えている。半導体層１５は、ｐ型半導体層１５ｃ上に発光層１５ｂ、ｎ型半導体層１５ａの積層体である。ｐ型半導体層１５ｃは複数の金属からなる金属層とｐ型ＧａＮの積層体であり、厚さが１μｍ程度である。この金属層は反射層を含み、発光層１５ｂから下向きに出射する光線を上側に向ける。発光層１５ｂは厚さが１００ｎｍ程度である。Ｎ型半導体層１５ａは、ｎ型ＧａｎＮ層と格子定数を調整するバッファ層からなり厚さが５μｍ程度である。絶縁膜１５ｄは半導体層１５を覆い、ｐ型半導体層１５ｃの占める領域及びｎ型半導体層１５ａの露出した領域に開口部を備えている。それぞれの開口部においてｐ型半導体層１５ｃと突起電極１８、並びにｎ型半導体層１５ａと突起電極１９が接続する。突起電極１８，１９は銅メッキで形成されたメッキバンプであり、厚さが１０〜３０μｍで、表面に錫層を備えている。なお突起電極１９は、ｎ型半導体層１５ａの露出部が小さいため、一部が絶縁膜１５ｄを介してｐ型半導体層１５ｃと積層している。

次に図１に戻りＬＥＤ装置１０の発光について説明する。発光層１５ｂ（図３参照）から出射する青色光のうち直接上方へ向う光は直接蛍光体シート１１に入射する。発光層１５ｂから上方以外の方向に出射する青色光も、白色反射部材１７やｐ型半導体層１５ｃ（図３参照）、サファイア基板の界面等で反射し上方へ向い蛍光体シート１１に入射する。蛍光体シート１１に入射する青色光の一部は蛍光体で波長変換される。波長変換された光は等方的に出射するが、上方に向う成分以外の光も前述の青色光と同様に反射を繰り返し上方に出射する。ＬＥＤ装置１０から出射した青色光と、波長変換された光から白色光が得られる。

次に図４によりＬＥＤ装置１０の製造方法を説明する。図４はＬＥＤ装置１０の製造工程の説明図である。まず（ａ）で示す準備工程において、蛍光体シート１１とＬＥＤ素子１６を準備する。蛍光シートは大判であり、多数のＬＥＤ装置１０に対応する領域を含んでいる。ＬＥＤ素子１６は既に突起電極１８，１９を備えている。なお大判の蛍光体シート１１には数１００から数１０００個のＬＥＤ素子を貼り付けることとなるが、説明のためＬＥＤ素子２個で図示している（以下同様）。また蛍光体シート１１は薄いため支持台上に設置されるが図示していない（以下同様）。本実施形態の各工程は蛍光体シート１１の片面のみの処理に限定され、さらに重力を利用するので、図１に対し上下方向で倒置して図示している（以下同様）。

次に（ｂ）で示す接着材塗布工程において、蛍光体シート１１に接着材１３ｂを塗布する。塗布は印刷法で良く、接着材１３ｂを塗布する区画とＬＥＤ素子１６の平面的な大きさを等しくしておく。なお接着材１３ｂはＬＥＤ素子１６のサファイア基板１４（図１参照）に塗布しても良い。この場合はピッカー（又はソーター）でＬＥＤ素子１６を取り上げたら、いったんＬＥＤ素子１６に接着材をつけ、その後蛍光体シート１１に貼り付けることができる。

次に（ｃ）に示す接着工程において、蛍光体シート１１にＬＥＤ素子１６のサファイア基板１４（図１参照）を貼り付ける。ＬＥＤ素子１６はピッカー等で一個ずつ蛍光体シート１１上に配置しても良い。また、いったん他の粘着シートに複数のＬＥＤ素子１６を配列させておき、この複数のＬＥＤ素子１６を一括して蛍光体シート１１に貼り付けることもできる。蛍光体シート１１にＬＥＤ素子１６を配置し終えたら、加熱し接着材１３ｂを硬化させ、接着層１３を形成する。なおこの硬化は架橋が完全でない仮硬化でもよい。

次に（ｄ）で示す白色反射部材充填工程において、ＬＥＤ素子の側部に白色反射部材１７を充填し、その後加熱して白色反射部材１７を硬化させる。充填に際し予め蛍光体シート１１の外周部を図示していないダム材でとり囲んでおき、ディスペンサで正確に計量した白色反射部材１７を滴下する。なお、突起電極１８，１９を厚めに設定しておけば、白色反射部材１７が多少半導体層１５（図１参照）を覆っても許容される。また半導体層１５は絶縁膜１５ｄ（図３参照）で覆われているので、充填量が僅かに少なくても許容される。

最後に（ｅ）に示す個片化工程において、蛍光体シート１１及び白色反射部材１７を切断しＬＥＤ装置１０を個片化する。切断にはダイサーを使用する。切断に先立ち前述の支持台から蛍光体シート１１をダイシングテープ上に移しておく。切断工程では不良発生率を低くできるので、個片化工程の前に大判の状態で各ＬＥＤ装置１０の電気的及び光学的検査を済ましておいてもよい。
（第２実施形態）

第１実施形態では図１等で示したように接着層１３が占める領域とサファイア基板１４の上面の大きさが一致していた。しかしながらＬＥＤ素子１６を蛍光体シート１１に貼り付けたときに接着材がはみ出しても良い場合がある。この例として添付図５と図６を参照して本発明の第２実施形態を詳細に説明する。

本実施形態のＬＥＤ装置２１の底面は、図２に示した第１実施形態のＬＥＤ装置１０の底面と等しい。そこで図５によりＬＥＤ装置２１の断面構造を説明する。図５は本実施形態におけるＬＥＤ装置２１の断面図である。ＬＥＤ装置２１において、蛍光体シート１１及びＬＥＤ素子１６は第１実施形態のＬＥＤ装置１０と等しい。ＬＥＤ装置２１とＬＥＤ装置１０の違いは、ＬＥＤ装置２１において、接着材が蛍光体シート１１とサファイア基板１４の対向する領域からはみ出し、ＬＥＤ素子１６の側面と蛍光体シート下面の間でフィレット２３aを形成していることと、このフィレット２３ａに伴い接着層２３と白色反射部材２７が変形していること、とである。

次に図５によりＬＥＤ装置２１の発光について説明する。ＬＥＤ素子１６の側方に出射する光（青色光および波長変換された光）はフィレット２３ａと白色反射部材２７の界面で反射し、最終的にＬＥＤ装置２１の上方に出射する。その他は第１実施形態のＬＥＤ装置１０と等しい。

次に図６によりＬＥＤ装置２１の製造方法について説明する。図６はＬＥＤ装置２１の製造工程の説明図である。（ａ）で示す準備工程は、図４（ａ）の第１実施形態で示した
準備工程と同じものである。（ｂ）で示す接着材塗布工程も図４（ｂ）の第１実施形態で示した接着材塗布工程と略同じであるが、フィレット２３ａを形成しやすいように接着材２３ｂをサファイア基板１４の下面より広く塗布している。（ｃ）で示す接着工程において、ＬＥＤ素子１６を蛍光体シート１１に押し付けるときフィレット２３ａが形成される。接着材２３ｂを硬化させたら（ｄ）で示す白色反射部材充填工程において、ディスペンサを使って白色反射部材２７を滴下し、加熱して硬化させる。最後に（ｅ）で示す個片化工程でＬＥＤ装置２１を個片化する。

本実施形態ではＬＥＤ素子１６を貼り付ける区画毎に接着材２３ｂを分離して塗布していた。しかしがら多少の光損失を許容すれば、蛍光体シート１１の上面全体に亘って接着材を塗布しても良い。このときフィレット２３ａの裾が隣接するＬＥＤ素子のフィレット２３ａの裾と接続しても良い。
（第３実施形態）

第２実施形態で示したＬＥＤ装置２１のフィレット２３ａは図５において上に凸な形状であったが、下に凸な形状（逆テーパー形）としても良い。この例として図７と図８を参照して本発明の第３実施形態を詳細に説明する。

本実施形態のＬＥＤ装置３１の底面は、図２に示した第１実施形態のＬＥＤ装置１０の底面及び図示していない第２実施形態のＬＥＤ装置２１の底面と等しい。そこで図７によりＬＥＤ装置３１の断面構造を説明する。図７は本実施形態におけるＬＥＤ装置３１の断面図である。ＬＥＤ装置３１の断面構造は、図５に示した第２実施形態のＬＥＤ装置２１の断面と概ね等しい。ＬＥＤ装置３１とＬＥＤ装置２１の断面構造の差異は、ＬＥＤ装置３１において、蛍光体シート１１の端部にダム材３６を備えていること、フィレット３３ａが下に凸な形状となっていること、このフィレット３３ａの形状の影響で接着層３３及び白色反射部材３７が変形していることである。

次に図７によりＬＥＤ装置３１の発光について説明する。ＬＥＤ素子１６の側方に出射する光（青色光および波長変換された光）はフィレット３３ａと白色反射部材３７の界面で反射し、最終的にＬＥＤ装置３１の上方に出射する。さらにフィレット３３ａが下に凸な形状となっていることから、第２実施形態のフィレット２３ａ（図５参照）に比べて半導体層１５の側部に存在する接着材の量が多くなる。この結果、半導体層１５の側部から出射する青色光を効率よく取り込み上方に向けることが可能となる。

次に図８によりＬＥＤ装置３１の製造方法について説明する。図８はＬＥＤ装置３１の製造工程の説明図である。（ａ）で示す準備工程は、図４（ａ）の第１実施形態で示した準備工程、及び図６（ａ）で示した第２実施形態で示した準備工程と同じものである。本実施形態では準備工程の後に（ａ−１）で示すダム材３６を配置する工程がある。ダム材３６もシリコーン樹脂でよく、ダム材３６は印刷法で蛍光体シート１１上に配置したら硬化させる。

（ｂ）で示す接着材塗布工程も図４（ｂ）及び図６（ｂ）の第１及び第２実施形態で示した接着材塗布工程と略同じであるが、フィレット３３ａを上に凸な形状とするためダム材３６の間に接着材３３ｂを塗布する。（ｃ）で示す接着工程ではＬＥＤ素子１６を蛍光体シート１１に押し付けるときにフィレット３３ａが形成される。このときダム材３６で接着材３３ｂが広がらないようにしているため、フィレット３３ａは上に凸な形状となる。接着材２３ｂを硬化させたら（ｄ）で示す白色反射部材充填工程、（ｅ）で示す個片化工程を経てＬＥＤ装置２１を得る。
（第４実施形態）

第１〜３実施形態ではＬＥＤ素子１６の突起電極が自然に底面の両端部に配置されていた。これは図３において示したように、ｐ型半導体層１５ｃが占める領域の絶縁膜１５ｄの開口部と、ｎ型半導体層１５ａがｐ型半導体層１５ｃから露出する領域に形成された絶縁膜１５ｄの開口部とがそれぞれＬＥＤ素子１６の底面の異なる端部にあったからである。しかしながらｎ型半導体層に係わる開口部、及びｐ型半導体層に係わる開口部がＬＥＤ素子の端部にあるとは限らない。そこで絶縁膜の開口部がＬＥＤ素子の底面の端部以外の場所にもある場合として図９〜１１を参照して本発明の第４実施形態を詳細に説明する。

まず図９と図１０によりＬＥＤ装置４１の構造を説明する。図９は本実施形態におけるＬＥＤ装置４１の断面図である。ＬＥＤ素子４１の上面に接着層４３を介して蛍光体シート１１が接着している。図７で示した第３実施形態のＬＥＤ装置３１と同様に蛍光体シート１１の端部にはダム材３６があり、接着材のフィレット４３ａは下に凸な形状をしている。白色反射部材４７はフィレット４３ａの側部だけではなく、ＬＥＤ素子４６の突起電極４８，４９の周囲にも充填されている。白色反射部材４７の底部には突起電極４８，４９と接続するメッキ電極５３，５４（接続電極）がある。

ＬＥＤ素子４６は、サファイア基板４４の下に半導体層４５を備え、半導体層４５の下に配線５１，５２があり、配線５１，５２がそれぞれ突起電極４８，４９と接続している。なお絶縁膜は図示していない。

図１０はＬＥＤ装置４１において白色反射部材４７を充填する前の底面図である。半導体層４５が占める領域の外側にはフィレット４３ａ及びダム材３６が見える。半導体層４５の底面には、コの字状の配線５１と直線状の配線５２がある。半導体層４５の底面の端部では配線５１，５２と突起電極４８，４９がそれぞれ接続している。配線５１は図示していない絶縁膜の開口部を介してｐ型半導体層と接続している。同様に配線５２は図示していない絶縁膜の開口部を介してｎ型半導体層と接続している。

以上のようにｐ型半導体層及びｎ型半導体層の接続部（絶縁膜の開口部）がＬＥＤ素子４６の底面で分散していても、配線５１，５２を使うことにより接続部を相互に接続し、底面端部にメッキ電極５３，５４と接続する突起電極４８，４９を形成できる。このとき白色反射部材４７は配線５１，５２とメッキ電極５３，５４の層間絶縁膜として機能する。

次に図１１によりＬＥＤ装置４１の製造方法について説明する。図１１はＬＥＤ装置４１の製造工程の説明図である。（ａ）で示す準備工程は、ＬＥＤ素子４６が第１〜３実施形態におけるＬＥＤ素子１６から置き換わったこと以外、図４，６，８（ａ）において示した第１〜３実施形態の準備工程と同じである。（ａ−２）、（ｂ）、（ｃ）で示したダム材を配置する工程、接着材塗布工程、接着工程は、図８（ａ−１）、（ｂ）、（ｃ）で示した第３実施形態のダム材を配置する工程、接着材塗布工程、接着工程と等しい。なおＬＥＤ素子４６がＬＥＤ素子１６と異なることから部材の番号を変え、接着材４３ｂ、フィレット４３ａとしている。

（ｄ）で示した白色反射部材充填工程では、突起電極４８，４９の周囲が埋まるまで白色反射部材４７を充填する。この場合、いったん突起電極４８，４９全体が埋まるまで白色反射部材４７を充填し、白色反射部材４７を硬化させてから白色反射部材４７の上面を研削して突起電極４８，４９の上面を露出させると良い。

（ｄ−２）で示した工程では、ホトリソグラフィと電解メッキ法を組み合わせてメッキ電極５３、５４を形成する。まず白色反射部材４７の上面全体にメッキ用共通電極を形成し、レジスト材を塗布する。ホトリソグラフィ法によりメッキ電極５３，５４を形成する
領域にレジスト材の開口部と形成し、この開口部において電解メッキ法で金属層を成長させる。続いてレジスト材をエッチングで除去し、最後にメッキ電極５３，５４をマスクとして余分なメッキ用共通電極を除去する。なおメッキ電極５３，５４は、スパッタ法による成膜とホトリソグラフィ及びエッチングによって形成してもよい。電解メッキ法はメッキ電極５３，５４の厚さが３μｍ以上である場合に有効となる。

最後に（ｅ）で示した個片化工程でＬＥＤ装置４１を個片化する。個片化工程は図４（ｅ）等で示した個片化工程と同等のものである。

１０，２１，３１，４１…ＬＥＤ装置（半導体発光装置）、
１１…蛍光体シート、
１３，２３，３３，４３…接着層、
１３ｂ、２３ｂ、３３ｂ、４３ｂ…接着材
１４，４４…サファイア基板（透明絶縁基板）、
１５，４５…半導体層、
１６，４６…ＬＥＤ素子（半導体発光層）、
１７，２７，３７，４７…白色反射部材、
１８，１９，４８，４９…突起電極、
２３ａ，３３ａ，４３ａ…フィレット、
３６…ダム材、
５１，５２…配線、
５３，５４…メッキ電極（接続電極）。

Claims (10)

1. 透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層とを有する半導体発光素子と、マザー基板との接続を取るための接続電極とを備え、前記半導体発光素子から出射する光の一部を波長変換する半導体発光装置において、
   前記半導体発光素子の側部を覆う白色反射部材と、
   前記透明絶縁基板の前記半導体層とは反対側に配置され、前記透明絶縁基板及び前記白色反射部材を覆う蛍光体シートと、
   前記蛍光体シートと前記透明絶縁基板とを接着する接着層とを備え、
   前記半導体発光素子が突起電極を有する
   ことを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記突起電極が前記接続電極であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記接着材は前記半導体発光素子の側面に付着していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
4. 前記半導体発光素子の側面に付着する接着材のフィレット形状が逆テーパー形であることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光装置。
5. 前記白色反射部材が前記半導体発光素子ともに前記突起電極の周囲も覆い、
   前記突起電極と接続する前記接続電極が前記白色反射部材の底部にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
6. 透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層とを有する半導体発光素子と、マザー基板との接続を取るための接続電極とを備え、前記半導体発光素子から出射する光の一部を波長変換する半導体発光装置の製造方法において、
   蛍光体を含有する樹脂をシート状に加工した蛍光体シートと、前記半導体層に接続する突起電極を備えた半導体発光素子を準備する準備工程と、
   前記蛍光体シート又は前記透明絶縁基板に接着材を塗布する接着材塗布工程と、
   前記蛍光体シートと前記透明絶縁基板を接着する接着工程と、
   前記半導体発光素子の側部に反射性微粒子を含有する白色反射部材を充填する白色反射部材充填工程と、
   前記蛍光体シート及び前記白色反射部材を切断し前記半導体発光装置を個片化する個片化工程と
   を備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
7. 前記接着工程において前記接着材が前記半導体発光素子の側面に付着することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置の製造方法。
8. 前記接着工程において前記半導体発光素子の側面に付着する接着材のフィレット形状を逆テーパー形にすることを特徴とする請求項７に記載の半導体発光装置の製造方法。
9. 前記接着材塗布工程の前に前記蛍光体シートにダム材を配置することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
10. 白色反射部材充填工程において前記半導体発光装置の側部とともに前記突起電極の周囲にも前記白色反射部材を充填し、前記白色反射分材の底面に電解メッキ法により前記接続電極を形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置の製造方法。

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