JP2012222090A - 電子ビーム露光装置及び露光マスク - Google Patents
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 58
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】試料の上方に配置され、電子ビームを照射して並列して前記試料の露光を行う複数のコラムセルを備えた電子ビーム露光装置において、各コラムセルに対応する部分に相似形状で線幅が異なる複数のパターン163が大きさ順に並べて配置された露光マスク110を用い、パターンの線幅の設計値と予め測定して求めたパターンの仕上がり寸法とのずれ量に相当する線幅Δwだけ露光データで指定されたパターンと異なる線幅のパターン163を前記露光マスク110から選択するようにした。
【選択図】図13
Description
図11(a)〜(c)は、第1の実施形態に係る露光マスク110での電子ビームEBの照射位置の変化量(ジャンプベクトル)の一例を示す図であり、図12は同じく電子ビーム露光装置1の各コラムセル11の動作状態の一例を示す図である。
図14は、第2の実施形態の変形例に係る露光マスク110のCPパターン163の配置を示す図である。
Claims (7)
- 試料の上方に配置され、電子ビームを照射して並列して前記試料の露光を行う複数のコラムセルと、
前記各コラムセルに対応する部分に設けられ、それぞれが相似形状で線幅が異なる複数のパターンが線幅順に並べて配置されたパターン群を有する露光マスクと、
前記各コラムセルに設けられ、前記パターンの線幅の設計値と予め測定して求めた前記パターンの仕上がり寸法とのずれ量に基づいて、露光に用いるパターンを指定されたパターンから前記ずれ量だけ線幅が異なったパターンに変更するパターンデータ処理部と、
前記パターンデータ処理部で選択された前記露光マスク上のパターンに前記電子ビームを偏向するマスク偏向部と、
を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 前記露光マスクの各パターンは、列方向又は行方向に所定の長さずつ線幅が増加することを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。
- 前記露光マスクの各パターンは、列方向に長さΔdずつ線幅が増加するとともに、行方向に長さΔd×n(ただし、nは2以上の自然数)ずつ線幅が増加するように並べて配置されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子ビーム露光装置。
- 前記パターンデータ処理部は、前記露光マスクの連続したn行分の領域に含まれるパターンから露光に使用するパターンを選択するとともに、前記パターンの線幅の設計値と予め測定して求めた前記パターンの仕上がり線幅とのずれ量に応じて、前記露光マスクの連続したn行分の領域を前記列方向に移動させることを特徴とする請求項3に記載の電子ビーム露光装置。
- 複数のコラムセルから電子ビームを照射して並列して露光を行う電子ビーム露光装置に使用する露光マスクであって、
薄板状のウェハと、
前記ウェハ上の前記各コラムセルに対応する部分にそれぞれ設けられ、それぞれが相似形状で線幅が異なる複数のパターンが線幅順に並べて配置されたパターン群と、
を備えたことを特徴とする露光マスク。 - 前記各パターンは、列方向又は行方向に所定の長さずつ線幅が増加することを特徴とすることを特徴とする請求項5に記載の露光マスク。
- 前記露光マスクの各パターンは、列方向に長さΔdずつ線幅が増加するとともに、行方向に長さΔd×n(ただし、nは2以上の自然数)ずつ線幅が増加するように並べて配置されていることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の露光マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011085088A JP5529069B2 (ja) | 2011-04-07 | 2011-04-07 | 電子ビーム露光装置及び露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011085088A JP5529069B2 (ja) | 2011-04-07 | 2011-04-07 | 電子ビーム露光装置及び露光マスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012222090A true JP2012222090A (ja) | 2012-11-12 |
JP5529069B2 JP5529069B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=47273296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011085088A Active JP5529069B2 (ja) | 2011-04-07 | 2011-04-07 | 電子ビーム露光装置及び露光マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5529069B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002175978A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法 |
JP2004349625A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Nec Electronics Corp | 転写マスク及び荷電ビーム露光装置 |
JP2005033171A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Nikon Corp | 電子線投影露光方法 |
JP2006278492A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
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JP2002175978A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法 |
JP2004349625A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Nec Electronics Corp | 転写マスク及び荷電ビーム露光装置 |
JP2005033171A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Nikon Corp | 電子線投影露光方法 |
JP2006278492A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
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