KR102410976B1 - 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 - Google Patents

멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 Download PDF

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Abstract

실시 형태는, 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법에 관한 것이다.
실시 형태의 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치는, 하전 입자 빔을 방출하는 방출부와, 복수의 제1 개구부가 형성되고, 제1 개구부를 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 제1 멀티 빔을 형성하는 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과, 각 제1 개구부와 대응하는 위치에 각각 제2 개구부가 형성되고, 각각 대응하는 제2 개구부를 제1 멀티 빔의 각 빔의 적어도 일부가 각각 통과함으로써 제2 멀티 빔을 형성하는 제2 성형 애퍼처 어레이 기판과, 각 제2 개구부와 대응하는 위치에 각각 제3 개구부가 형성되고, 제3 개구부의 각각에, 대응하는 제2 멀티 빔의 각 빔의 블랭킹 편향을 행하는 블랭커가 각각 배치된 블랭킹 애퍼처 어레이와, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판의 적어도 어느 일방을 이동시키는 가동 기구와, 가동 기구를 제어하는 제어부를 구비한다.

Description

멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 {MULTI CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING DEVICE AND MULTI CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING METHOD}
본 발명은, 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법에 관한 것이며, 예를 들면, 멀티 빔 묘화에 있어서의 개별 빔의 사이즈와 전류량을 조절하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 미세화의 진전을 담당하는 리소그래피 기술은 반도체 제조 프로세스 중에서도 유일 패턴을 생성하는 매우 중요한 프로세스이다. 최근, LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스에 요구되는 회로 선폭은 해마다 미세화되어 오고 있다. 여기서, 전자 선(전자 빔) 묘화 기술은 본질적으로 우수한 해상성을 가지고 있으며, 마스크 블랭크스에 전자 선을 사용하여 마스크 패턴을 묘화하는 것이 행해지고 있다.
예를 들면, 멀티 빔을 사용한 묘화 장치가 있다. 하나의 전자 빔으로 묘화하는 경우에 비하여, 멀티 빔을 이용함으로써 한 번에 많은 빔을 조사할 수 있으므로 스루풋을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다. 이러한 멀티 빔 방식의 묘화 장치에서는, 예를 들면, 전자 총으로부터 방출된 전자 빔을, 복수의 홀을 가진 마스크를 통하여 멀티 빔을 형성하고, 각각, 블랭킹 제어되어, 차폐되지 않은 각 빔이 광학계로 축소되어, 마스크상이 축소되고, 편향기로 편향되어 시료 상의 원하는 위치로 조사된다.
멀티 빔 묘화에서는, 높은 스루풋을 유지하면서, 각 빔의 사이즈 및 전류량 등의 특성을 개별적으로 제어하여 묘화하는 것이 중요한 과제이다. 후술하는 축소 렌즈, 대물 렌즈 등의 렌즈의 조건을 조정함으로써 각 빔의 조정은 가능하다. 그러나, 렌즈의 조건의 조정에 시간이 소요되어, 묘화의 스루풋을 향상시키는 것이 어렵다고 하는 문제가 있었다.
각 빔의 전류량을 증가시키면, 묘화 시간을 짧게 하여 스루풋을 향상시킬 수 있다. 그러나, 각 빔에 포함되는 하전 입자는 동일한 극성의 전하를 가진다. 예를 들면, 하전 입자 빔으로서 전자 빔을 이용하는 경우, 각 전자 빔에 포함되는 전자는 음의 전하를 가진다. 그 때문에, 전류량을 증가시키면, 쿨롬력을 기원으로 하는 쿨롬 효과에 의한 각 전자 빔끼리의 반발이 강해진다. 따라서, 소정의 마스크 패턴을 묘화하는 것이 어려워져, 묘화 정밀도가 열화되어 버린다고 하는 문제가 있었다.
이에, 높은 묘화 정밀도가 요구되지 않는 마스크 패턴 묘화의 경우에는, 전류량을 증가시켜 고속으로 묘화하고, 높은 묘화 정밀도가 요구되는 마스크 패턴 묘화의 경우에는, 전류량을 감소시켜 고정밀도로 묘화하는 것이 생각되어진다. 그러나, 이 경우에는, 마스크 패턴마다 전류 밀도를 전환하는 것이 요구된다. 전류 밀도의 전환에는, 상술의 렌즈의 조건의 조정 등에 의한 각 빔의 조정이 수반되므로, 역시 묘화의 스루풋을 향상시키는 것이 어렵다고 하는 문제가 있었다.
본 발명의 일 태양은, 렌즈 조건의 재조정을 하지 않고, 하전 입자 빔의 사이즈와 전류량을 조정 가능케하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법을 제공한다.
본 발명의 일 태양의 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치는, 하전 입자 빔을 방출하는 방출부와, 복수의 제1 개구부가 형성되고, 제1 개구부를 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 제1 멀티 빔을 형성하는 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과, 각 제1 개구부와 대응하는 위치에 각각 제2 개구부가 형성되고, 각각 대응하는 제2 개구부를 제1 멀티 빔의 각 빔의 적어도 일부가 각각 통과함으로써 제2 멀티 빔을 형성하는 제2 성형 애퍼처 어레이 기판과, 각 제2 개구부와 대응하는 위치에 각각 제3 개구부가 형성되고, 제3 개구부의 각각에, 대응하는 제2 멀티 빔의 각 빔의 블랭킹 편향을 행하는 블랭커가 각각 배치된 블랭킹 애퍼처 어레이와, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판의 적어도 어느 일방을 이동시키는 가동 기구와, 가동 기구를 제어하는 제어부를 구비하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치이다.
본 발명의 일 태양의 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법은, 하전 입자 빔의 일부가 제1 성형 애퍼처 어레이 기판의 복수의 제1 개구부를 각각 통과함으로써 제1 멀티 빔을 형성하고, 제1 개구부의 각각 대응하는 위치에 형성된 제2 성형 애퍼처 어레이 기판의 복수의 제2 개구부를 제1 멀티 빔의 각 빔의 적어도 일부가 각각 통과함으로써 제2 멀티 빔을 형성하고, 제2 멀티 빔의 각 빔의 블랭킹 편향을 행하여, 블랭킹 애퍼처 어레이의 소정의 분할 영역마다 제2 멀티 빔의 투과 전류의 측정을 행하고, 전류 측정의 결과에 기초하여, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판의 적어도 어느 일방을 이동한다.
도 1은, 실시 형태에 있어서의 묘화 장치의 구성을 도시하는 개념도이다.
도 2는, 실시 형태에 있어서의 제한 애퍼처 어레이 기판, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판 및 제2 성형 애퍼처 어레이 기판의 구성을 도시하는 개념도이다.
도 3은, 실시 형태에 있어서의 블랭킹 애퍼처 어레이 기구의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는, 실시 형태에 있어서의 블랭킹 애퍼처 어레이 기구의　멤브레인 영역 내의 구성의 일부를 나타내는 상면 개념도이다.
도 5는, 실시 형태의 개별 블랭킹 기구의 일예를 나타내는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는, 실시 형태에 있어서의 제한 애퍼처 어레이 기판, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판 및 블랭킹 애퍼처 어레이의 배치를 도시하는 개념도이다.
도 7은, 실시 형태에 있어서의 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법의 플로우차트이다.
도 8은, 실시 형태에 있어서의 멀티 하전 입자 빔의 조정에 관한 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법의 플로우차트이다.
도 9a 내지 도 9c는, 실시 형태에 있어서의 멀티 하전 입자 빔의 조정 방법의 일예를 도시하는 개념도이다.
도 10은, 실시 형태에 있어서의 원점 맵의 일예이다.
도 11은, 실시 형태에 있어서의 묘화 동작의 일예를 설명하기 위한 개념도이다.
도 12는, 실시 형태에 있어서의 멀티 빔의 조사 영역과 묘화 대상 화소와의 일예를 나타내는 도면이다.
이하, 실시 형태에서는, 하전 입자 빔의 일예로서, 전자 빔을 이용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 하전 입자 빔은, 전자 빔으로 한정되는 것은 아니며, 이온 빔 등의 하전 입자를 이용한 빔이여도 상관없다.
(실시 형태)
도 1은, 실시 형태에 있어서의 묘화 장치의 구성을 도시하는 개념도이다. 도 1에서, 묘화 장치(100)는, 묘화 기구(150)와 제어계 회로(160)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는, 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치의 일예이다. 묘화 기구(150)는, 전자 경통(102)(멀티 전자 빔 컬럼)과 묘화실(103)을 구비하고 있다. 전자 경통(102) 내에는, 전자 총(201), 조명 렌즈(202), 제한 애퍼처 어레이 기판(220), 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230), 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240), 블랭킹 애퍼처 어레이(250), 축소 렌즈(205), 제한 애퍼처 부재(206), 대물 렌즈(207), 주편향기(208)(제1 편향기) 및 부편향기(209)(제2 편향기)가 배치되어 있다. 또한, 전자 총(201)은 방출부의 일예이다.
제한 애퍼처 어레이 기판(220)은, 복수의 제4 개구부(222)를 가지고 있다. 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)은, 복수의 제1 개구부(232)를 가지고 있다. 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)은, 복수의 제2 개구부(242)를 가지고 있다. 블랭킹 애퍼처 어레이(250)는, 복수의 제3 개구부(252)를 가지고 있다. 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 및 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)은, 도시하지 않은 배선에 의하여, 그라운드 전위에 접속되어 있다.
제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 및 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)은, 멀티 빔의 성형에 이용된다. 블랭킹 애퍼처 어레이(250)는, 멀티 빔의 일부 또는 전부의 편향에 이용된다. 제한 애퍼처 어레이 기판(220)은, 묘화에 이용되지 않은 전자 빔(200)이 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)에 해당되는 것을 억제하는 것이다. 전자 빔이 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)에 해당되면, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)은 발열한다. 발열에 의하여 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)은 열 팽창하므로, 복수의 제1 개구부(232)의 형상 및 배치가 이탈되고, 이에 의하여, 형성되는 멀티 빔의 각 빔의 전류량, 형상 및 묘화되는 위치 등에 이탈이 생겨버린다. 이에, 제한 애퍼처 어레이 기판(220)을 설치하여, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)의 발열을 억제하고 있다.
제한 애퍼처 어레이 기판(220)은, 예를 들면, 실리콘 기판이다. 이 때에, 예를 들면, 막 두께가 두껍게 불순물이 도프된 실리콘 기판을 이용하여, 제한 애퍼처 어레이 기판(220)의 과도한 발열 또는 국소적인 발열을 억제하는 것은 바람직하다.
제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 및 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)은, 예를 들면, 불순물이 도프된 반도체 기판이다. 복수의 제1 개구부(232) 및 복수의 제2 개구부(242)를 정밀도 좋게 형성하기 위해서는, 실리콘(Si) 기판을 이용하는 것이 바람직하다.
여기서, 설명의 편의 상, 연직 방향을 Z 방향으로 하고, 연직 방향으로 수직인 수평 방향 중, 하나의 방향을 X 방향으로 하고, Z 방향 및 X 방향으로 수직인 수평 방향을 Y 방향으로 한다. 전자 경통(102) 내에는, 제한 애퍼처 어레이 기판(220)과 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)을 XY 면에 평행한 면 내에서 움직이기 위한 제1 가동 기구(가동 기구)(2) 및 블랭킹 애퍼처 어레이(250)를 XY 면에 평행한 면 내에서 움직이기 위한 제2 가동 기구(258)가 설치되어 있다. 또한, 제1 가동 기구(2)는, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)만을 움직이는 것이여도 된다.
본 발명의 일 태양의 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법은, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)을 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)에 대하여 XY 면 내에 평행하게 상대적으로 움직임으로써, 연직 방향에 있어서의 제1 개구부(232)와 제2 개구부(242)의 중첩 방법이 변화하므로, 하전 입자 빔의 사이즈와 전류량이 조정 가능해지는 것이다.
묘화실(103) 내에는, XY 스테이지(105)가 배치된다. XY 스테이지(105) 상에는, 전자 빔의 전류를 측정하기 위한 빔 흡수 전극(패러데이 컵(211))이 배치되어 있다. 또한, 묘화 시에는 묘화 대상 기판이 되는 레지스트가 도포된 마스크 블랭크스 등의 도시하지 않은 시료가 XY 스테이지(105) 상에 배치된다. 여기서, 시료에는, 반도체 장치를 제조할 때의 노광용 마스크, 혹은, 반도체 장치가 제조되는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼) 등이 포함된다. XY 스테이지(105) 상에는, 또한, XY 스테이지(105)의 위치 측정용의 미러(210)가 배치된다. XY 스테이지(105)는 XY 면 내로 이동 가능하다.
제어계 회로(160)는, 제어 계산기(110), 메모리(112), 편향 제어 회로(130), 디지털·아날로그 변환(DAC) 앰프 유닛(132, 134), 스테이지 위치 검출기(139), 묘화 데이터 기억부(140) 및 조사 시간 보정량 기억부(142), 원점 맵 기억부(144) 및 전류 맵 기억부(146)를 가지고 있다. 제어 계산기(110), 메모리(112), 편향 제어 회로(130), DAC 앰프 유닛(132, 134), 스테이지 위치 검출기(139), 묘화 데이터 기억부(140), 조사 시간 보정량 기억부(142), 원점 맵 기억부(144) 및 전류 맵 기억부(146)는, 도시하지 않은 버스를 통하여 서로 접속되어 있다.
묘화 데이터 기억부(140), 조사 시간 보정량 기억부(142), 원점 맵 기억부(144) 및 전류 맵 기억부(146)는, 예를 들면, 자기 디스크 장치, 자기 테이프 장치, FD, ROM(리드 온리 메모리), SSD(솔리드 스테이트 드라이브)등의 기록 매체를 포함한다.
편향 제어 회로(130)에는, DAC 앰프 유닛(132, 134) 및 블랭킹 애퍼처 어레이(250)가 접속되어 있다. DAC 앰프 유닛(132)의 출력은, 부편향기(209)에 접속된다. DAC 앰프 유닛(134)의 출력은, 주편향기(208)에 접속된다. 스테이지 위치 검출기(139)는, 레이저 광을 XY 스테이지(105) 상의 미러(210)에 조사하여, 미러(210)로부터의 반사광을 수광한다. 그리고, 이러한 반사광의 정보를 사용한 레이저 간섭의 원리를 이용하여 XY 스테이지(105)의 위치를 측정한다.
제어 계산기(110) 내에는, 묘화 제어부(56), 애퍼처 이동 제어부(제어부)(58), 조사 시간 보정량 계산부(60) 및 투과 전류 측정부(62)가 설치되어 있다. 묘화 제어부(56), 애퍼처 이동 제어부(제어부)(58), 조사 시간 보정량 계산부(60) 및 투과 전류 측정부(62)라고 하는 각 「~부」는, 처리 회로를 가진다. 이러한 처리 회로는, 예를 들면, 전기 회로, 컴퓨터, 프로세서, 회로 기판, 양자 회로, 혹은, 반도체 장치를 포함한다. 각 「~부」는, 공통되는 처리 회로(같은 처리 회로)를 이용해도 되고, 혹은 상이한 처리 회로(다른 처리 회로)를 이용해도 된다. 묘화 제어부(56), 애퍼처 이동 제어부(제어부)(58), 조사 시간 보정량 계산부(60) 및 투과 전류 측정부(62)에 입출력되는 정보 및 연산 중의 정보는 메모리(112)에 그때마다 저장 가능하다.
애퍼처 이동 제어부(58)는, 제1 가동 기구(2) 및 제2 가동 기구(258)에 접속되어 있다. 애퍼처 이동 제어부(58)는, 제1 가동 기구(2) 및 제2 가동 기구(258)를 이용하여 제한 애퍼처 어레이 기판(220), 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 및 블랭킹 애퍼처 어레이(250)를 이동시킬 수 있다.
또한, 묘화 장치(100)의 외부로부터 묘화 데이터가 입력되어, 묘화 데이터 기억부(140)에 저장된다. 묘화 데이터에는, 통상, 묘화하기 위한 복수의 도형 패턴의 정보가 정의된다. 구체적으로는, 도형 패턴마다, 도형 코드, 좌표 및 사이즈 등이 정의된다. 혹은, 도형 패턴마다, 도형 코드 및 각 정점 좌표 등이 정의된다.
여기서, 도 1에서는, 실시 형태를 설명함에 있어서 필요한 구성을 기재하고 있다. 묘화 장치(100)에 있어서, 통상, 필요한 그 밖의 구성을 구비하고 있어도 상관없다.
도 2는, 실시 형태에 있어서의 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)의 구성을 도시하는 개념도이다. 세로(y 방향) p 열Х가로(x 방향) q 열(p, q≥2)의 홀(제1 개구부(232))이 소정의 배열 피치로 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 도 2에서는, 예를 들면, 종횡(x, y 방향)으로 512Х512 열의 제1 개구부(232)가 형성된다. 각각의 제1 개구부(232)는, 모두 같은 치수 형상의 직사각형으로 형성된다. 혹은, 같은 직경의 원형이여도 상관없다. 이들 복수의 제1 개구부(232)를 전자 빔(200)의 일부가 각각 통과함으로써, 멀티 빔(20)이 형성되게 된다. 또한, 제1 개구부(232)의 배열의 방법은, 도 2와 같이, 종횡이 격자 형상으로 배치되는 경우에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 세로 방향(y 방향) k 단째의 열과 k＋1 단째의 열의 홀끼리가, 가로 방향(x 방향)으로 치수 a만큼 이탈하여 배치되어도 된다. 마찬가지로 세로 방향(y 방향) k＋1 단째의 열과 k＋2 단째의 열의 홀끼리가, 가로 방향(x 방향)으로 치수 b만큼 이탈하여 배치되어도 된다.
또한, 도 2에는 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)과 제1 개구부(232)의 구성을 도시하였으나, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)과 제2 개구부(242)의 구성 및 제한 애퍼처 어레이 기판(220)과 제4 개구부(222)의 구성도 마찬가지이다. 예를 들면, 제1 개구부(232)의 수, 제2 개구부(242)의 수, 제3 개구부(252)의 수 및 제4 개구부(222)의 수는 동일하다. 한편, 제1 개구부(232)의 형상과 제2 개구부(242)의 형상은, 같아도 되고 상이해도 된다. 제1 개구부(232)의 형상과 제2 개구부(242)의 형상이 상이하게 되어있는 것에 의하여, 다양한 형상의 멀티 빔을 형성하는 것이 가능해진다.
여기서, 제4 개구부(222)의 크기는, 제4 개구부(222)에 의하여 형성된 멀티 빔의 각 빔에 대응하는 제1 개구부(232)의 크기보다 큰 것이 바람직하다. 만약 제4 개구부(222)의 크기가, 제4 개구부(222)에 의하여 형성된 멀티 빔의 각 빔에 대응하는 제1 개구부(232)의 크기 이하라고 하면, 제4 개구부(222)의 크기보다 작은 멀티 빔을 형성할 수 없게 되어, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 및 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)에 의한 멀티 빔의 형성 자유도가 저하되어 버린다. 상술한 대로, 제4 개구부(222)가 설치되어 있는 제한 애퍼처 어레이 기판(220)은, 묘화에 이용되지 않은 여분의 전자 빔이 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)에 해당되는 것을 억제하는 것이다. 이에, 제4 개구부(222)는 제1 개구부(232)보다 큰 것으로서, 여분의 전자 빔이 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)에 해당되는 것을 억제하면서, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 및 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)에 의한 전자 빔 성형의 자유도는 해치지 않게 하는 것이 바람직하다.
도 3은, 실시 형태에 있어서의 블랭킹 애퍼처 어레이(250)의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 4는, 실시 형태에 있어서의 블랭킹 애퍼처 어레이(250)의　멤브레인 영역 내의 구성의 일부를 나타내는 상면 개념도이다. 또한, 도 3과 도 4에서, 제어 전극(254)과, 대향 전극(256)과, 제어 회로(41)와, 패드(43)의 위치 관계는 일치시켜 기재하고 있지 않다. 또한, 제3 개구부(252), 제어 전극(254), 대향 전극(256) 및 제어 회로(로직 회로)(41)의 수는, 도 3 및 도 4에 도시한 것과 상이하게 되어 있어도 된다. 또한, 도 2에 도시한 제1 개구부(232)의 수와, 도 3 및 도 4에 도시한 제3 개구부(252)의 수는, 일치시키고 있지 않다.
블랭킹 애퍼처 어레이(250)에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 블랭킹 애퍼처 어레이 지지대(253) 상에 Si(실리콘) 등으로 이루어진 블랭킹 애퍼처 어레이 기판(251)이 배치되어 있다. 블랭킹 애퍼처 어레이 기판(251)은, 예를 들면, 반도체 기판이다. 블랭킹 애퍼처 어레이 기판(251)의 중앙부는, 예를 들면, 이면측으로부터 얇게 깎아져, 얇은 막 두께(h)의　멤브레인 영역(330)(제1 영역)에 가공되어 있다.　멤브레인 영역(330)을 둘러싸는 주위는, 두꺼운 막 두께(H)의 외주 영역(332)(제2 영역)이다.　멤브레인 영역(330)의 상면과 외주 영역(332)의 상면은, 같은 높이 위치, 혹은, 실질적으로 높이 위치가 되도록 형성되어 있다. 블랭킹 애퍼처 어레이 기판(251)은, 외주 영역(332)의 이면에서 블랭킹 애퍼처 어레이 지지대(253) 상에 보지된다. 블랭킹 애퍼처 어레이 지지대(253)의 중앙부는 개구되어 있고,　멤브레인 영역(330)의 위치는 블랭킹 애퍼처 어레이 지지대(253)의 개구된 영역에 위치하고 있다.
멤브레인 영역(330)에는, 제한 애퍼처 어레이 기판(220)의 제4 개구부(222), 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)의 제1 개구부(232) 및 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 제2 개구부(242)에 대응하는 위치에, 멀티 빔의 각각의 빔의 통과용의 제3 개구부(252)가 배치되어 있다. 또한, 환언하면, 블랭킹 애퍼처 어레이 기판(251)의　멤브레인 영역(330)에는, 전자 선을 이용한 멀티 빔의 각각 대응하는 빔이 통과하는 복수의 제3 개구부(252)가 어레이 형상으로 형성되어 있다.
그리고, 블랭킹 애퍼처 어레이 기판(251)의　멤브레인 영역(330) 상이며, 복수의 제3 개구부(252) 중 대응하는 제3 개구부(252)를 개재하여 대향하는 위치에 2 개의 전극을 가지는 복수의 전극 쌍이 각각 배치되어 있다. 구체적으로는,　멤브레인 영역(330) 상에, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 각각의 제3 개구부(252)의 근방 위치에, 해당하는 제3 개구부(252)를 개재하여 블랭킹 편향용의 제어 전극(254)과 대향 전극(256)의 조(블랭커：블랭킹 편향기)가 각각 배치되어 있다. 또한, 블랭킹 애퍼처 어레이 기판(251) 내부이며,　멤브레인 영역(330) 상의 각 제3 개구부(252)의 근방에는, 각 제3 개구부(252)용의 제어 전극(254)으로 편향 전압을 인가하는 제어 회로(41)(로직 회로)가 배치된다. 대향 전극(256)은 그라운드 전위에 접속되어 있다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 각 제어 회로(41)는, 제어 신호용의 n 비트(예를 들면, 10 비트)의 패러렐 배선이 접속된다. 각 제어 회로(41)는, 제어 신호용의 n 비트의 패러렐 배선 외에, 클록 신호선, 리드(read) 신호, 샷(shot) 신호 및 전원용의 배선 등이 접속된다. 클록 신호선, 리드(read) 신호, 샷(shot) 신호 및 전원용의 배선 등은 패러렐 배선의 일부의 배선을 유용해도 상관없다. 멀티 빔을 구성하는 각각의 빔마다, 제어 전극(254)과 대향 전극(256)과 제어 회로(41)에 의한 개별 블랭킹 기구(47)가 구성된다. 또한, 도 3의 예에서는, 제어 전극(254)과 대향 전극(256)과 제어 회로(41)가 블랭킹 애퍼처 어레이 기판(251)의 막 두께가 얇은　멤브레인 영역(330)에 배치된다. 또한, 제어 전극(254), 대향 전극(256) 및 제어 회로(41)의 배치는 도 3 및 도 4에 도시한 것에 한정되는 것은 아니다.
또한,　멤브레인 영역(330)에 어레이 형상으로 형성된 복수의 제어 회로(41)는, 예를 들면, 같은 행 혹은 같은 열에 의하여 그룹화되고, 그룹 내의 제어 회로(41)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 직렬로 접속된다. 그리고, 그룹마다 배치된 패드(43)로부터의 신호가 그룹 내의 제어 회로(41)로 전달된다. 구체적으로는, 각 제어 회로(41) 내에, 도시하지 않은 시프트 레지스터가 배치되고, 예를 들면, pХq 개의 멀티 빔 중, 예를 들면, 같은 행의 빔의 제어 회로(41) 내의 시프트 레지스터가 직렬로 접속된다. 그리고, 예를 들면, pХq 개의 멀티 빔의 동일한 행의 빔의 제어 신호가 시리즈로 송신되고, 예를 들면, p 회의 클록 신호에 의하여 각 빔의 제어 신호가 대응하는 제어 회로(41)에 저장된다.
도 5는, 실시 형태의 개별 블랭킹 기구(47)의 일예를 나타내는 도면이다. 도 5에 있어서, 제어 회로(41) 내에는, 앰프(46)(스위칭 회로의 일예)가 배치된다. 도 5의 예에서는, 앰프(46)의 일예로서 CMOS(Complementary　MOS) 인버터 회로가 배치된다. 그리고, CMOS 인버터 회로는 양의 전위(Vdd：블랭킹 전위：제1 전위)(예를 들면, 5V)와, 그라운드 전위(GND：제2 전위)에 접속된다. CMOS 인버터 회로의 출력선(OUT)은 제어 전극(254)에 접속된다. 한편, 대향 전극(256)에는, 그라운드 전위가 인가된다. 그리고, 블랭킹 전위와, 그라운드 전위가 전환 가능하게 인가되는 복수의 제어 전극(254)이, 기판(31) 상이며, 복수의 제3 개구부(252)의 각각 대응하는 제3 개구부(252)를 개재하여 복수의 대향 전극(256)의 각각 대응하는 대향 전극(256)과 대향하는 위치에 배치된다.
CMOS 인버터 회로의 입력(IN)에는, 역치 전압보다 낮아지는 L(low) 전위(예를 들면, 그라운드 전위)와, 역치 전압 이상이 되는 H(high) 전위(예를 들면, 1.5V) 중 어느 한 제어 신호로서 인가된다. 실시 형태에서는, CMOS 인버터 회로의 입력(IN)에 L 전위가 인가되는 상태에서는, CMOS 인버터 회로의 출력(OUT)은 양 전위(Vdd)가 되고, 대향 전극(256)의 그라운드 전위와의 전위차에 의한 전계에 의하여 대응하는 전자 빔(E-beam)을 편향하고, 제한 애퍼처 부재(206)로 차폐함으로써 빔 OFF가 되도록 제어한다. 한편, CMOS 인버터 회로의 입력(IN)에 H 전위가 인가되는 상태(액티브 상태)에서는, CMOS 인버터 회로의 출력(OUT)은 그라운드 전위가 되고, 대향 전극(256)의 그라운드 전위와의 전위차가 없어져 대응하는 전자 빔(E-beam)을 편향하지 않으므로, 제한 애퍼처 부재(206)를 통과함으로써 빔 ON이 되도록 제어한다.
각 통과 홀을 통과하는 전자 빔(E-beam)은, 각각 독립적으로 쌍이 되는 2 개의 제어 전극(254)과 대향 전극(256)으로 인가되는 전압에 의하여 편향된다. 이러한 편향에 의하여 블랭킹 제어된다. 구체적으로는, 제어 전극(254)과 대향 전극(256)의 조는, 각각 대응하는 스위칭 회로가 되는 CMOS 인버터 회로에 의하여 전환되는 전위에 의하여 멀티 빔의 대응하는 전자 빔을 각각 개별적으로 블랭킹 편향한다. 이와 같이, 복수의 블랭커가, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 제2 개구부(242)를 통과한 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행한다.
도 6a 및 도 6b는, 실시 형태에 있어서의 제한 애퍼처 어레이 기판(220), 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230), 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240) 및 블랭킹 애퍼처 어레이(250)의 배치와 지지 방법을 도시하는 개념도이다. 도 6a는, YZ 면 내에 평행한 면 내에 있어서의, 제한 애퍼처 어레이 기판(220), 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230), 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240) 및 블랭킹 애퍼처 어레이(250)의 모식 단면도이다. 도 6b는, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230), 제1 지지대(4), 제1 지지 금구(金具)(6), 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240), 제2 지지대(14) 및 제2 지지 금구(16)에 대하여, 연직 방향의 하방으로부터 상방을 보았을 때의 배치를 나타내는 모식도이다.
또한 도 6a 및 도 6b에서, 제4 개구부(222), 제1 개구부(232), 제2 개구부(242) 및 제3 개구부(252)의 형상, 배치 및 개수는, 도 1, 도 2, 도 3 및 도 4의 도시와는 일치시키고 있지 않다. 또한, 도 3 및 도 4에서 도시되어 있던 제어 회로(41), 제어 전극(254) 및 대향 전극(256)의 도시는 생략하고 있다.
제1 지지대(4)의 중앙은 개구되어 있다. 그리고, 제한 애퍼처 어레이 기판(220)은, 제1 지지대(4) 상에, 제1 지지대(4)의 개구되어 있는 부분 상에 복수의 제4 개구부(222)가 배치되도록 배치되어 있다. 전자 총(201)으로부터 방출된 전자 빔(200)은, 조명 렌즈(202)에 의하여 거의 수직으로 제한 애퍼처 어레이 기판(220)의 복수의 제4 개구부(222) 전체를 조명한다. 그리고, 전자 빔(200)이 각각의 제4 개구부(222)를 통과함으로써, 멀티 빔(20)(제3 멀티 빔)이 형성된다. 멀티 빔(20)의 형상은, 복수의 제4 개구부(222)의 형상을 반영한 것이며, 예를 들면, 직사각형 형상이다.
도 6a에 도시한 바와 같이, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)은, 제1 지지대(4)의 아래에, 예를 들면, 제1 지지 금구(6)를 이용하여 고정되어 있다. 이 때, 복수의 제1 개구부(232)는, 제1 지지대(4)의 개구되어 있는 부분의 아래에 배치되어 있다. 또한, 복수의 제1 개구부(232)는, 멀티 빔(20)의 각 빔의 궤도에 맞추어 배치된다. 그리고, 복수의 제1 개구부(232)를 멀티 빔(20)의 각 빔의 일부가 각각 통과함으로써, 멀티 빔(21)(제1 멀티 빔)이 형성된다.
제1 가동 기구(2)가 제1 지지대(4)를 움직임으로써, 제한 애퍼처 어레이 기판(220) 및 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)은 XY 면 내에서 움직이는 것이 가능하도록 되어 있다. 제1 가동 기구(2)는, 도 6a에 도시한 바와 같은 단면이 원 기둥 형상을 가지는 「굴림대」여도 되지만, 압전 소자 등의 엑추에이터를 이용하면 고정밀도로 움직이는 것이 가능하므로 바람직하다. 또한, 제한 애퍼처 어레이 기판(220)은 제1 가동 기구(2)에 의하여 XY 면 내에서 움직이지 않아도 된다. 상술한 바와 같이, 제한 애퍼처 어레이 기판(220)은 직접 전자 빔의 조사를 받으므로 발열량이 크지만, 가동 기구에 의하여 움직이는 것을 전제로 하지 않는 것이 냉각이 용이해지기 때문이다.
도 6a에 도시한 바와 같이, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)은, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)의 하방에 배치되어 있다. 복수의 제2 개구부(242)는, 멀티 빔(21)(제1 멀티 빔)의 각 빔의 궤도에 맞추어 배치된다. 그리고, 복수의 제2 개구부 중, 대응하는 개구부를 멀티 빔(21)의 적어도 일부가 각각 통과함으로써 멀티 빔(22)(제2 멀티 빔)이 형성된다.
도 6b에 도시한 바와 같이, 예를 들면, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 및 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)이 직사각형의 형상을 가지고 있는 경우, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)의 긴 방향을 X 방향으로 평행하게 배치하고, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 긴 방향을 Y 방향으로 평행하게 배치하는 것이 바람직하다. 이에 수반하여, 제1 지지대(4) 및 제1 지지 금구(6)를 이용하여, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)의 긴 방향의 단(端)에서 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)을 지지하는 것, 및 제2 지지대(14) 및 제2 지지 금구(16)를 이용하여, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 긴 방향의 단(端)에서 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)을 지지하는 것이 바람직하다. 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 Z 방향에서의 간격은, 후술하는 멀티 빔(22)(제2 멀티 빔)의 단(端)에서의 정밀도를 높이므로, 예를 들면, 1mm 정도로 좁히는 것이 바람직하지만, 이것으로는 인간이 손을 넣거나 하기에는 너무 좁다. 그 때문에, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 간극에 액세스하는 것이 매우 어려워진다. 이에, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)의 긴 방향과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 긴 방향을, 도 6b와 같이 서로 수직이 되도록 배치한다. 이와 같이 하면, X 방향 및 Y 방향으로부터도, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 간극에 어느 정도 액세스하는 것이 가능해진다. 또한, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 영역(244)은, 복수의 제2 개구부(242)가 배치되어 있는 영역이다.
또한, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)을 가동 기구 등에 의하여 XY 면 내에서 움직이도록 해도 된다.
블랭킹 애퍼처 어레이(250)는, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 아래에 배치되어 있다. 복수의 제3 개구부(252)는, 멀티 빔(22)의 각 빔의 궤도에 맞추어 배치된다. 이러한 블랭커는, 각각, 개별적으로 통과하는 멀티 빔(22)의 각 빔을 편향한다(블랭킹 편향을 행한다).
블랭킹 애퍼처 어레이(250)를 통과한 멀티 빔(22)은, 축소 렌즈(205)에 의하여 축소되어, 제한 애퍼처 부재(206)에 형성된 중심의 홀을 향해 나아간다. 여기서, 블랭커에 의하여 편향된 전자 빔은, 제한 애퍼처 부재(206)의 중심의 홀로부터 위치가 이탈되어, 제한 애퍼처 부재(206)에 의하여 차폐된다. 한편, 블랭커에 의하여 편향되지 않은 전자 빔은, 제한 애퍼처 부재(206)의 중심의 홀을 통과한다. 이러한 개별 블랭킹 기구의 ON/OFF에 의하여, 블랭킹 제어가 행해져, 빔의 ON/OFF가 제어된다. 이와 같이, 제한 애퍼처 부재(206)는, 개별 블랭킹 기구(47)에 의하여 빔 OFF의 상태가 되도록 편향된 각 빔을 차폐한다. 그리고, 빔마다, 빔 ON이 되고 나서 빔 OFF가 될 때까지 형성된, 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 빔에 의하여, 1 회분의 샷의 빔이 형성된다.
제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 멀티 빔(22)은, 대물 렌즈(207)에 의하여 초점이 맞추어져, 원하는 축소율의 패턴상이 되고, 주편향기(208) 및 부편향기(209)에 의하여, 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 각 빔(멀티 빔(22) 전체)이 동일 방향으로 일괄하여 편향된다. 그리고, 패러데이 컵(211) 내에 조사된다. XY 스테이지(105) 상에 시료가 배치되어 있는 경우에는, 시료 상의 각각의 조사 위치에 조사된다.
도 7은, 실시 형태의 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법의 플로우차트이다. 도 8은, 실시 형태에 있어서의 멀티 하전 입자 빔의 조정에 관한 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법의 플로우차트이다. 이하에서는, 도 7 및 도 8의 양쪽 모두를 참조하면서 설명한다.
우선, 제1 대략적 위치 조정을 행한다(S10). 이는, 원래 최초로 제한 애퍼처 어레이 기판(220), 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230), 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240) 및 블랭킹 애퍼처 어레이(250)를 세팅할 때에는, 제4 개구부(222), 제1 개구부(232), 제2 개구부(242) 및 제3 개구부(252)가 연직 방향에서 배열되어 있어 멀티 빔이 관통하는 것이 가능하게 되어있는지의 여부조차 불명확하다. 그 때문에, 전자 총(201)으로부터 전자 빔(200)을 방출하지 않고, 대략적으로 위치 조정을 행한다고 하는 것이다. 예를 들면, 광학 현미경 등을 이용하여 연직 방향으로 제4 개구부(222), 제1 개구부(232), 제2 개구부(242) 및 제3 개구부(252)가 관통하고 있는 부분이 있는지의 여부를 확인한다. 또한, 눈으로 보아 제한 애퍼처 어레이 기판(220), 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230), 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240) 및 블랭킹 애퍼처 어레이(250)의 위치 조정을 행하는 정도여도 상관없다.
이어서, 전자 총(201)으로부터 전자 빔(하전 입자 빔의 일예)(200)을 방출한다. 이에 의하여, 특히, 제한 애퍼처 어레이 기판(220)이 가열된다. 또한, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230), 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240) 및 블랭킹 애퍼처 어레이(250)도 가열된다. 가열에 수반하는 애퍼처의 열 팽창에 의하여 개구부의 형상이나 치수로 변화가 발생하므로, 멀티 빔의 형상, 사이즈 및 전류량에 변화가 생겨버린다. 이에, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230), 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240) 및 블랭킹 애퍼처 어레이(250)가 가열되어 온도가 안정될 때까지 대기한다(S20).
이어서, 제2 대략적 위치 조정을 행한다(S30). 이는, 제한 애퍼처 어레이 기판(220), 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 및 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)에 의하여 형성된 멀티 빔이, 블랭킹 애퍼처 어레이(250)를 통과하도록 조정하는 것이다.
이어서, 성형 조정 개시한다(S40). 우선, 도 2에 도시한 종횡(x, y 방향) 512Х512 열 중, 예를 들면, 16Х16 열 또는 32Х32 열 정도의 소정의 영역(소정의 분할 영역)에 대하여 블랭킹 애퍼처 어레이(250)를 통과한 멀티 빔(22)이 패러데이 컵(211)에 도달하고, 다른 영역에 대해서는 패러데이 컵(211)에 도달하지 않도록, 블랭커를 이용하여 블랭킹 편향을 행한다(S42).
이어서, 얼라이먼트 원점 측정을 위하여, 투과 전류 측정부(62)가, 패러데이 컵(211)을 이용하여, 블랭킹 편향되지 않고 상술의 소정의 분할 영역을 통과하는 멀티 빔의 투과 전류의 측정을 행한다(S44). 이 투과 전류의 측정은, 예를 들면, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 또는 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)을 움직이면서 행한다. 도 9a 내지 도 9c에, 실시 형태에 있어서의 멀티 하전 입자 빔의 조정 방법의 일예의 개념도를 도시한다. 제1 개구부(232) 중 하나와, 제2 개구부(242) 중 하나가, 도 9a 및 도 9b에 도시되어 있다. 또한, 여기에서는, 제1 개구부(232)와 제2 개구부(242)의 모두가, 같은 크기의 정사각형의 형상을 가지고 있는 것으로 한다. 제1 가동 기구(2)를 이용하여 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)을 Y 방향으로 작동시키면, Z 방향으로부터 보았을 때의, 제1 개구부(232) 중 하나와, 제2 개구부(242) 중 하나가 중첩되는 부분이 변화한다. 따라서, 이에 수반하여, 제1 개구부(232) 중 하나와, 제2 개구부(242) 중 하나의 양쪽 모두를 통과하는 멀티 빔의 각 빔이 가지는 전류량이 변화하게 된다.
또한, 도 9a에서는, 지면(紙面) 좌측에 있어서의 제1 개구부(232) 중 하나가 가지는 정사각형의 한 변과, 지면 좌측에 있어서의 제2 개구부(242) 중 하나가 가지는 정사각형의 한 변이 이탈되어 있다. 한편, 도 9b에서는, 지면 좌측에 있어서의 제1 개구부(232) 중 하나가 가지는 정사각형의 한 변과, 지면 좌측에 있어서의 제2 개구부(242) 중 하나가 가지는 정사각형의 한 변이 거의 중첩되어 있다. 또한, 지면 우측에 있어서의 제1 개구부(232) 중 하나가 가지는 정사각형의 한 변과, 지면 우측에 있어서의 제2 개구부(242) 중 하나가 가지는 정사각형의 한 변이 거의 중첩되어 있다. 그 때문에, 도 9b에 도시한 배치 쪽이, 보다 큰 멀티 빔의 전류량이 얻어진다.
도 9c에, Y 방향으로 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)을 움직인 때의, 제1 개구부(232) 중 하나와, 제2 개구부(242) 중 하나의, 양쪽 모두를 통과하는 멀티 빔의 각 빔이 가지는 전류량의 변화를 나타낸다. 도 9c 쪽이, 보다 큰 전류량이 얻어진다. 동일한 작업을 X 방향에 대해서도 행하면, 그 소정의 분할 영역에서의, 가장 큰 전류량이 얻어지는, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 상대적인 위치(얼라이먼트 위치)가 얻어진다. 이상에서는, 제1 개구부(232) 중 하나와, 제2 개구부(242) 중 하나에 대하여 일련의 작업을 행하였으나, 예를 들면, 16Х16 열 또는 32Х32 열 정도의 소정의 영역에 대하여 한 번에 패러데이 컵(211)으로 멀티 빔의 전류량을 측정하면서 얼라이먼트 위치를 결정하는 것은 바람직하다. 이 작업을, 모든 분할 영역에 대하여 행한다(S46).
이어서, (S44)에서 행한 측정 결과에 기초하여, 원점 맵을 작성하고(S48), 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 상대적인 위치 관계를 결정한다(S50). 작성된 원점 맵은, 예를 들면, 원점 맵 기억부(144)에 보존된다. 도 10은, 실시 형태에 있어서의 원점 맵의 일예이다. 도 10에서는, 합계 25 개의 원(334)이 도시되어 있으나, 각 원(334)이, 각각의 멀티 빔이 조사되는 위치를 나타내는 것이다. 또한, 합계 16 개의 정사각형의 격자는, 위치의 기준을 나타내는 것이다. 합계 25 개의 원 중, 중앙에 나타낸 중앙의 원(334a)의 중심은, 정사각형의 격자가 형성하는 점과 거의 일치하고 있다. 한편, 그 밖의 원(334)의 중심은, 원(334a)으로부터 멀어질수록, 정사각형의 격자가 형성하는 점과의 이탈이 커지고 있다. 이 이탈은, 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230)의 열 팽창과 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)의 열 팽창의 차이에 기인하는 것이다. 비록 제한 애퍼처 어레이 기판(220)을 설치하고 있어도, 전자 총(201)에 의하여 가까운 위치에 배치되어 있는 제1 성형 애퍼처 어레이 기판(230) 쪽이, 제2 성형 애퍼처 어레이 기판(240)보다 가열되므로, 열 팽창의 정도가 커진다. 그 때문에, 25 개의 원(334) 중, 중앙의 원(334a)의 위치에 대하여, 그 밖의 24 개의 원(334)의 위치에는 이탈이 생긴다. 이 위치의 이탈은, 각 빔의 전류량의 이탈(편차)과 관계한다. 즉, 중앙의 원(334a)에 관련되는 빔이 가지는 전류량은 상대적으로 크다. 한편, 다른 빔에 대해서는, 제1 개구부(232) 중 하나와, 제2 개구부(242) 중 하나의 위치 관계에 상대적인 이탈이 생기므로, 전류량이 상대적으로 작아진다.
이에, 측정된 전자 빔의 전류량에 기초하여, 조사 시간 보정량 계산부(60)가, 전자 빔의 그 소정의 분할 영역에 있어서의 조사 시간 보정량을 계산한다. 계산된 조사 시간 보정량은, 조사 시간 보정량 기억부(142)에 보존된다. 예를 들면, 전자 빔의 전류량이 적은 경우에는 조사 시간이 길어지도록 조사 시간 보정량을 계산한다. 또한, 전자 빔의 전자량이 큰 경우에는, 조사 시간이 짧아지도록 조사 시간 보정량을 계산한다. 이에 의하여, 멀티 빔의 전류량의 편차를 조정하는 것이 가능해진다. 이상의 결과는, 예를 들면, 전류 맵으로서 전류 맵 기억부(146)에 보존된다(S56). 이에 의하여, 성형의 조정이 종료되고(S58), 묘화가 행해진다(S60).
도 11은, 실시 형태에 있어서의 시료 상으로의 묘화 동작의 일예를 설명하기 위한 개념도이다. 도 11에 도시한 바와 같이, 시료의 묘화 영역(30)은, 예를 들면, y 방향을 향해 소정의 폭으로 직사각형 형상의 복수의 스트라이프 영역(32)으로 가상 분할된다. 우선, XY 스테이지(105)를 이동시켜, 제1 번째의 스트라이프 영역(32)의 좌단, 혹은 더 좌측의 위치에 1 회의 멀티 빔의 샷으로 조사 가능한 조사 영역(34)이 위치하도록 조정하고, 묘화가 개시된다. 제1 번째의 스트라이프 영역(32)을 묘화할 때에는, XY 스테이지(105)를, 예를 들면, -x 방향으로 이동시킴으로써, 상대적으로 x 방향으로 묘화를 진행시켜 나간다. XY 스테이지(105)는, 예를 들면, 등속으로 연속 이동시킨다. 제1 번째의 스트라이프 영역(32)의 묘화 종료 후, 스테이지 위치를 -y 방향으로 이동시켜, 제2 번째의 스트라이프 영역(32)의 우단, 혹은 더 우측의 위치에 조사 영역(34)이 상대적으로 y 방향에 위치하도록 조정하고, 이번에는 XY 스테이지(105)를, 예를 들면, x 방향으로 이동시킴으로써, -x 방향을 향해 마찬가지로 묘화를 행한다. 제3 번째의 스트라이프 영역(32)에서는, x 방향을 향해 묘화하고, 제4 번째의 스트라이프 영역(32)에서는, -x 방향을 향해 묘화하듯이, 교대로 방향을 바꾸면서 묘화함으로써 묘화 시간을 단축할 수 있다. 단, 이러한 교대로 방향을 바꾸면서 묘화하는 경우에 한정되지 않고, 각 스트라이프 영역(32)을 묘화할 때, 같은 방향을 향해 묘화를 진행시키도록 해도 상관없다.
도 12는, 실시 형태에 있어서의 멀티 빔의 조사 영역과 묘화 대상 화소와의 일예를 나타내는 도면이다. 도 12에서, 스트라이프 영역(32)에는, 예를 들면, 시료면 상에 있어서의 멀티 빔의 빔 사이즈 피치로 격자 형상으로 배열되는 복수의 제어 그리드(27)(설계 그리드)가 설정된다. 예를 들면, 10nm 정도의 배열 피치로 하면 된다. 이러한 복수의 제어 그리드(27)가, 멀티 빔(20)의 설계 상의 조사 위치가 된다. 제어 그리드(27)의 배열 피치는 빔 사이즈로 한정되는 것은 아니며, 빔 사이즈와는 상관없이 부편향기(209)의 편향 위치로서 제어 가능한 임의의 크기로 구성되는 것이여도 상관없다. 그리고, 각 제어 그리드(27)를 중심으로 한, 제어 그리드(27)의 배열 피치와 동일 사이즈로 메쉬 형상으로 가상 분할된 복수의 화소(36)가 설정된다. 각 화소(36)는, 멀티 빔의 하나의 빔 당 조사 단위 영역이 된다. 도 12의 예에서는, 시료의 묘화 영역이, 예를 들면, y 방향으로, 1 회의 멀티 빔의 조사로 조사 가능한 조사 영역(34)(묘화 필드)의 사이즈와 실질적으로 동일한 폭 사이즈로 복수의 스트라이프 영역(32)으로 분할된 경우를 나타내고 있다. 조사 영역(34)의 x 방향 사이즈는, 멀티 빔(20)의 x 방향의 빔 간 피치에 x 방향의 빔 수를 곱한 값으로 정의할 수 있다. 조사 영역(34)의 y 방향 사이즈는, 멀티 빔(20)의 y 방향의 빔 간 피치에 y 방향의 빔 수를 곱한 값으로 정의할 수 있다. 또한, 스트라이프 영역(32)의 폭은, 이에 한정되는 것은 아니다. 조사 영역(34)의 n 배(n는 1 이상의 정수)의 사이즈라면 바람직하다. 도 12의 예에서는, 예를 들면, 512Х512 열의 멀티 빔의 도시를 8Х8 열의 멀티 빔으로 생략하여 도시하고 있다. 그리고, 조사 영역(34) 내에, 1 회의 멀티 빔(20)의 샷으로 조사 가능한 복수의 화소(28)(빔의 묘화 위치)가 도시되어 있다. 환언하면, 이웃하는 화소(28) 간의 피치가 설계 상의 멀티 빔의 각 빔 간의 피치가 된다. 도 12의 예에서는, 이웃하는 4 개의 화소(28)로 둘러싸임과 동시에, 4 개의 화소(28) 중 하나의 화소(28)를 포함하는 정사각형의 영역에서 하나의 서브 조사 영역(29)(빔 간 피치 영역)을 구성한다. 도 12의 예에서는, 각 서브 조사 영역(29)은, 4Х4(=16) 화소로 구성되는 경우를 나타내고 있다.
이상, 구체예를 참조하면서 실시 형태에 대하여 설명했다. 그러나, 본 발명은, 이들 구체예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 장치 구성 또는 제어 수법 등, 본 발명의 설명에 직접 필요하지 않은 부분 등에 대해서는 기재를 생략했으나, 필요시되는 장치 구성이나 제어 수법을 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들면, 묘화 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략했으나, 필요시되는 제어부 구성을 적절히 선택하여 이용함은 말할 필요도 없다.
그 밖에, 본 발명의 요소를 구비하여, 당업자가 적절히 설계 변경할 수 있는 모든 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법은, 본 발명의 범위에 포함된다.

Claims (13)

  1. 하전 입자 빔을 방출하는 방출부와,
    복수의 제1 개구부가 형성되고, 상기 제1 개구부를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 제1 멀티 빔을 형성하는 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과,
    각 상기 제1 개구부와 대응하는 위치에 각각 제2 개구부가 형성되고, 각각 대응하는 상기 제2 개구부를 상기 제1 멀티 빔의 각 빔의 적어도 일부가 각각 통과함으로써 제2 멀티 빔을 형성하는 제2 성형 애퍼처 어레이 기판과,
    각 상기 제2 개구부와 대응하는 위치에 각각 제3 개구부가 형성되고, 상기 제3 개구부의 각각에, 대응하는 상기 제2 멀티 빔의 각 빔의 블랭킹 편향을 행하는 블랭커가 각각 배치된 블랭킹 애퍼처 어레이와,
    상기 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과 상기 제2 성형 애퍼처 어레이 기판의 적어도 어느 일방을 이동시키는 가동 기구와,
    상기 가동 기구를 제어하는 제어부와,
    상기 블랭킹 애퍼처 어레이를 각각 투과하는 상기 제2 멀티 빔의 전류를 측정하는 투과 전류 측정부와,
    상기 측정의 결과에 기초하여 작성된, 상기 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과 상기 제2 성형 애퍼처 어레이 기판 사이의 상대적인 위치 관계를 나타내는 원점 맵을 보존하는 원점 맵 기억부
    를 구비하고,
    상기 제1 개구부 각각은 제1 가장자리(first edge)를 가지고,
    상기 제2 개구부 각각은 제2 가장자리(second edge)를 가지며, 그리고
    상기 제2 멀티 빔 각각은 상기 제1 가장자리 및 상기 제2 가장자리 둘 다에 의해 성형되는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    복수의 제4 개구부가 상기 제1 개구부보다 큰 치수로 형성되고, 복수의 상기 제4 개구부를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 제3 멀티 빔을 형성하는 제한 애퍼처 어레이 기판을 더 구비하고,
    각 상기 제1 개구부는, 대응하는 상기 제3 멀티 빔의 각 빔의 일부가 통과하는,
    멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 개구부의 형상과 상기 복수의 제2 개구부의 형상이 상이한 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투과 전류 측정부는 상기 블랭킹 애퍼처 어레이의 복수의 분할 영역을 각각 투과하는 상기 제2 멀티 빔의 전류를 측정하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 측정의 결과에 기초하여, 상기 제2 멀티 빔의 전류량의 편차를 조정하기 위한 조사 시간 보정량을 계산하는 조사 시간 보정량 계산부를 더 구비하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 조사 시간 보정량을 보존하는 조사 시간 보정량 기억부를 더 구비하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 조사 시간 보정량을 이용하여, 상기 제2 멀티 빔의 전류량의 편차가 조정된 전류 맵을 보존하는 전류 맵 기억부를 더 구비하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  9. 하전 입자 빔의 일부가 제1 성형 애퍼처 어레이 기판의 복수의 제1 개구부를 각각 통과함으로써 제1 멀티 빔을 형성하고,
    상기 제1 개구부의 각각 대응하는 위치에 형성된 제2 성형 애퍼처 어레이 기판의 복수의 제2 개구부를 상기 제1 멀티 빔의 각 빔의 적어도 일부가 각각 통과함으로써 제2 멀티 빔을 형성하고,
    상기 제2 멀티 빔의 각 빔의 블랭킹 편향을 행하여,
    블랭킹 애퍼처 어레이의 소정의 분할 영역마다 상기 제2 멀티 빔의 투과 전류의 측정을 행하고,
    상기 전류 측정의 결과에 기초하여, 상기 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과 상기 제2 성형 애퍼처 어레이 기판의 적어도 어느 일방을 이동하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전류 측정의 결과에 기초하여, 상기 소정의 분할 영역에 있어서의 조사 시간의 보정량을 계산하고,
    상기 보정량을 이용하여, 상기 제2 멀티 빔의 각 빔의 상기 조사 시간을 보정하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 하전 입자 빔의 일부가 제한 애퍼처 어레이에 설치된 복수의 제4 개구부를 각각 통과함으로써 제3 멀티 빔을 형성하고,
    상기 복수의 제1 개구부는, 대응하는 상기 제3 멀티 빔의 각 빔의 적어도 일부가 통과하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 제1 개구부의 형상과 상기 복수의 제2 개구부의 형상은 상이한 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 전류 측정에 의하여 작성된, 상기 제1 성형 애퍼처 어레이 기판과 상기 제2 성형 애퍼처 어레이 기판 사이의 상대적인 위치 관계를 나타내는 원점 맵을 보존하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7455720B2 (ja) 2020-09-29 2024-03-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム照射装置およびマルチ荷電粒子ビーム照射方法
JP2022094681A (ja) * 2020-12-15 2022-06-27 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム照射装置及び電子ビーム照射方法
WO2022209733A1 (ja) 2021-03-29 2022-10-06 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140267A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線露光装置
US20110204253A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Elmar Platzgummer Pattern definition device with multiple multibeam array

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302868A (ja) 2004-04-08 2005-10-27 Jeol Ltd 電子ビーム描画方法および装置
JP5679774B2 (ja) * 2010-11-09 2015-03-04 キヤノン株式会社 偏向器アレイ、荷電粒子描画装置、デバイス製造方法、偏向器アレイの製造方法
JP6293435B2 (ja) * 2013-08-08 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2017073461A (ja) * 2015-10-07 2017-04-13 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
KR102358009B1 (ko) * 2015-11-10 2022-02-04 삼성전자주식회사 빔 투사 장치 및 빔 투사 장치를 이용하여 빔을 투사하는 방법
JP6640040B2 (ja) * 2016-06-23 2020-02-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 伝熱板および描画装置
JP6844999B2 (ja) 2016-12-08 2021-03-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140267A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線露光装置
US20110204253A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Elmar Platzgummer Pattern definition device with multiple multibeam array

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