JP2012216686A - Electronic component built-in multilayer substrate - Google Patents

Electronic component built-in multilayer substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2012216686A
JP2012216686A JP2011080942A JP2011080942A JP2012216686A JP 2012216686 A JP2012216686 A JP 2012216686A JP 2011080942 A JP2011080942 A JP 2011080942A JP 2011080942 A JP2011080942 A JP 2011080942A JP 2012216686 A JP2012216686 A JP 2012216686A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
dielectric layer
multilayer substrate
resin molded
crosslinkable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011080942A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naomi Shiga
直美 志賀
Masanori Yoshihara
眞紀 吉原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeon Corp
Original Assignee
Nippon Zeon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Zeon Co Ltd filed Critical Nippon Zeon Co Ltd
Priority to JP2011080942A priority Critical patent/JP2012216686A/en
Publication of JP2012216686A publication Critical patent/JP2012216686A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic component built-in multilayer substrate that has excellent interlayer adhesion, reduced variation in dielectric characteristics under an environment of high-temperature and high-humidity, and a small transmission loss.SOLUTION: An electronic component built-in multilayer substrate comprises a stacked plate including a stack of second dielectric layers 2 and 6 having a lower relative permittivity than a first dielectric layer 4 on both surfaces of a circuit board comprising passive elements 3a and 5a on at least one surface of the first dielectric layer 4 by circuit patterns 3 and 5. The first dielectric layer 4 is formed by hardening a cross-linking resin molding (I) containing an alicyclic structure-containing polymer and an inorganic filler.

Description

本発明は、電子機器用の基板材料、特に高周波領域で用いられる機器に使用される電子部品および回路基板の製造に好適な電子部品内蔵型多層基板に関する。   The present invention relates to a substrate material for an electronic device, and more particularly to an electronic component built-in type multilayer substrate suitable for manufacturing electronic components and circuit boards used in devices used in a high frequency region.

現在、電子工業や通信工業の各分野では、高周波領域での周波数の利用が増えてきている。このような高周波領域で用いられる機器に使用されるプリント配線板としては誘電損失が低いものが必要である。
また、通信機器の代表格である携帯電話と共に、近年発展がめざましいワイヤレスLANで使用されるマイクロ波領域の電磁波を利用する端末機器の分野では、小型化への要望がますます高くなっている。機器の小型化を実現するためには、機器を構成する高周波フィルタや共振器などの高周波デバイスを小型化する必要がある。かかる高周波デバイスは誘電体磁器組成物からなる積層体の内層部分にコンデンサやストリップラインを形成する内部電極を適宜配置することにより形成できることが知られている。同じ共振モードを利用する場合の高周波デバイスの大きさは、使用する誘電体材料の比誘電率(εr)の平方根に逆比例する。そのため、小型の共振デバイスを作製するには、高い比誘電率を有する材料が必要となってきている。
Currently, in the fields of the electronics industry and the communication industry, the use of frequencies in the high frequency region is increasing. A printed wiring board used in such a device used in a high frequency region needs to have a low dielectric loss.
In addition to mobile phones, which are representative of communication devices, there is an increasing demand for miniaturization in the field of terminal devices that use electromagnetic waves in the microwave region used in wireless LANs, which are rapidly developing in recent years. In order to realize downsizing of equipment, it is necessary to downsize high frequency devices such as a high frequency filter and a resonator constituting the equipment. It is known that such a high-frequency device can be formed by appropriately arranging internal electrodes for forming capacitors and strip lines in the inner layer portion of a laminate made of a dielectric ceramic composition. The size of the high-frequency device when using the same resonance mode is inversely proportional to the square root of the relative dielectric constant (εr) of the dielectric material used. For this reason, a material having a high relative dielectric constant has been required to produce a small resonant device.

例えば、特許文献1には、高誘電率化による小型化の例として、共振器を埋設した高誘電体層の両面に低誘電体層を積層した共振器が開示されている。かかる発明では高誘電体層が小型化の役割を持つ一方で、両面に配置された低誘電体層が寄生容量を抑制するための役割を持っている。しかしながら、誘電体層が吸水率の大きいエポキシ系の材料を用いて形成される為、高湿度雰囲気下での信頼性に問題があった。かかる問題を改善する方策として、特許文献2には、熱硬化型のポリフェニレンエーテルとシリカまたは/およびガラスとからなる低誘電率層と、熱硬化型のポリフェニレンエーテルとチタン酸ストロンチウムとからなる高誘電率層とを含む積層板を用いた多層配線基板が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a resonator in which a low dielectric layer is stacked on both surfaces of a high dielectric layer in which a resonator is embedded as an example of downsizing by increasing the dielectric constant. In such an invention, the high dielectric layer has a role of miniaturization, while the low dielectric layer disposed on both sides has a role of suppressing parasitic capacitance. However, since the dielectric layer is formed using an epoxy-based material having a large water absorption rate, there is a problem in reliability in a high humidity atmosphere. As a measure for improving such a problem, Patent Document 2 discloses a low dielectric constant layer composed of a thermosetting polyphenylene ether and silica or / and glass, a high dielectric composed of a thermosetting polyphenylene ether and strontium titanate. A multilayer wiring board using a laminated board including a rate layer is disclosed.

特開平05−299913号公報JP 05-299913 A 特開2003−17861号公報JP 2003-17861 A

しかしながら、特許文献2の多層配線基板は高湿雰囲気下でも静電容量の変化が小さい等の誘電特性を有するが、当該多層配線基板に使用されるポリフェニレンエーテルは粘度が高い為に、流動性が低く、成形性に乏しいため、層間密着性に優れた多層配線基板を得るのは難しいことが、本発明者らの検討により明らかにとなった。   However, the multilayer wiring board of Patent Document 2 has dielectric characteristics such as a small change in capacitance even under a high humidity atmosphere. However, since the polyphenylene ether used in the multilayer wiring board has a high viscosity, it has fluidity. As a result of studies by the present inventors, it is difficult to obtain a multilayer wiring board that is low and has poor moldability, and thus has excellent interlayer adhesion.

本発明の目的は、層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が少なく、伝送損失の小さい電子部品内蔵型多層基板を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a multilayer substrate with a built-in electronic component that has excellent interlayer adhesion, little variation in dielectric characteristics even in a high temperature and high humidity environment, and low transmission loss.

本発明者らは、前記課題を解決すべく、キャパシタの形成に使われる高誘電体を構成する樹脂材料に着目して鋭意検討した結果、高誘電体層を脂環式構造含有ポリマーおよび無機充填剤を含む組成物により形成すると、層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が抑制され、信頼性が高く、誘電損失の小さい、キャパシタ内蔵型の多層基板が得られることを見出した。本発明者らは、かかる知見に基づき、本発明を完成させるに至った。   In order to solve the above problems, the present inventors have intensively studied a resin material constituting a high dielectric used for forming a capacitor. As a result, the high dielectric layer is formed of an alicyclic structure-containing polymer and an inorganic filling. When formed with a composition containing an agent, it is possible to obtain a multilayer substrate with a built-in capacitor that has excellent interlayer adhesion, suppresses fluctuations in dielectric properties even in a high-temperature and high-humidity environment, has high reliability, and has low dielectric loss. I found out. Based on this finding, the present inventors have completed the present invention.

かくして、本発明によれば、
〔1〕第一の誘電体層の少なくとも片面に回路パターンにより受動素子を形成してなる回路板の両面に、第一の誘電体層よりも低い比誘電率を有する第二の誘電体層を積層してなる積層板を含んでなり、第一の誘電体層は脂環式構造含有ポリマー及び無機充填剤を含む架橋性樹脂成形体(I)を硬化してなるものである、電子部品内蔵型多層基板、
〔2〕架橋性樹脂成形体(I)が、少なくとも一つの架橋性基を有するカップリング剤をさらに含むものである前記〔1〕記載の電子部品内蔵型多層基板、
〔3〕回路パターンが、表面粗度(Rz)2μm以下の金属箔からなる前記〔1〕又は〔2〕記載の電子部品内蔵型多層基板、
〔4〕第二の誘電体層が、脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体(II)を硬化してなるものである前記〔1〕〜〔3〕いずれか記載の電子部品内蔵型多層基板、
〔5〕架橋性樹脂成形体(I)の無機充填剤中、比誘電率5以下の無機充填剤の含有量が20重量%以下である前記〔1〕〜〔4〕いずれか記載の電子部品内蔵型多層基板、
並びに
〔6〕第一の誘電体層の厚さが第二の誘電体層の厚さよりも小さい前記〔1〕〜〔5〕いずれか記載の電子部品内蔵型多層基板、
が提供される。
Thus, according to the present invention,
[1] A second dielectric layer having a relative dielectric constant lower than that of the first dielectric layer is formed on both surfaces of a circuit board formed by forming a passive element with a circuit pattern on at least one surface of the first dielectric layer. An electronic component is built-in, comprising a laminated board formed by laminating, and the first dielectric layer is formed by curing a crosslinkable resin molded article (I) containing an alicyclic structure-containing polymer and an inorganic filler. Type multilayer board,
[2] The electronic component built-in multilayer substrate according to [1], wherein the crosslinkable resin molded article (I) further contains a coupling agent having at least one crosslinkable group,
[3] The electronic component built-in multilayer substrate according to [1] or [2], wherein the circuit pattern is made of a metal foil having a surface roughness (Rz) of 2 μm or less.
[4] The electronic component according to any one of [1] to [3], wherein the second dielectric layer is formed by curing a crosslinkable resin molded body (II) containing an alicyclic structure-containing polymer. Type multilayer board,
[5] The electronic component according to any one of [1] to [4], wherein the content of the inorganic filler having a relative dielectric constant of 5 or less is 20% by weight or less in the inorganic filler of the crosslinkable resin molding (I). Built-in multilayer board,
And [6] the electronic component built-in multilayer substrate according to any one of [1] to [5], wherein the thickness of the first dielectric layer is smaller than the thickness of the second dielectric layer,
Is provided.

本発明により提供される電子部品内蔵型多層基板は、層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が少なく、伝送損失が小さい。当該多層基板は、例えば、高周波用多層回路板の製造に好適に用いられる。   The multi-layer substrate with built-in electronic components provided by the present invention has excellent interlayer adhesion, little variation in dielectric characteristics even in a high temperature and high humidity environment, and small transmission loss. The multilayer substrate is suitably used for manufacturing a multilayer circuit board for high frequency, for example.

本発明の電子部品内蔵型多層基板の一態様を示す図である。It is a figure which shows the one aspect | mode of the electronic component built-in type multilayer substrate of this invention. 本発明の電子部品内蔵型多層基板の一態様を示す図である。It is a figure which shows the one aspect | mode of the electronic component built-in type multilayer substrate of this invention.

本発明の電子部品内蔵型多層基板(以下、多層基板という。)は、第一の誘電体層の少なくとも片面に回路パターン(電子回路パターン)により受動素子を形成してなる回路板の両面に、第一の誘電体層よりも低い比誘電率を有する第二の誘電体層を積層してなる積層板を含んでなり、第一の誘電体層は脂環式構造含有ポリマー及び無機充填剤を含む架橋性樹脂成形体(I)を硬化してなるものである。   An electronic component built-in type multilayer substrate of the present invention (hereinafter referred to as a multilayer substrate) is provided on both sides of a circuit board formed by forming a passive element with a circuit pattern (electronic circuit pattern) on at least one side of a first dielectric layer. A laminate comprising a second dielectric layer having a relative dielectric constant lower than that of the first dielectric layer, the first dielectric layer comprising an alicyclic structure-containing polymer and an inorganic filler; It is obtained by curing the crosslinkable resin molded product (I).

(受動素子)
本明細書において、受動素子とは、エネルギー供給源及びエネルギーの変換機能を持たない、電子回路に用いられる電子部品をいう。
(Passive element)
In this specification, a passive element refers to an electronic component used in an electronic circuit that does not have an energy supply source and an energy conversion function.

図1は、本発明の多層基板の一態様を示す図であり、第一の誘電体層の両面に形成された、受動素子を構成する平面線路を含む回路パターンを有する回路板を含む構成となっている。図1の多層基板は、第二の誘電体層2、受動素子を構成する平面線路3aを含む回路パターン3、第一の誘電体層4、受動素子を構成する平面線路5aを含む回路パターン5、第二の誘電体層6をこの順に有する。本態様においては第一の誘電体層4を介して対向する回路パターン3aと5aとが電極として機能し、回路パターン3a、5a及び第一の誘電体層4によって受動素子7が形成される。本態様における受動素子の例としてはキャパシタが挙げられる。キャパシタの容量は導体パターンの設計に依存するが、例えば、面積S=1mm、誘電体層の厚さd=50μmで設計した場合、キャパシタの誘電体デバイスとしてのQ値〔Q値=(誘電損失+導体損失)−1〕は、1GHzで20℃の条件で、通常、150以上であり、好ましくは200以上である。 FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a multilayer substrate according to the present invention, which includes a circuit board having a circuit pattern including a planar line constituting a passive element formed on both surfaces of a first dielectric layer. It has become. 1 includes a second dielectric layer 2, a circuit pattern 3 including a planar line 3a constituting a passive element, a first dielectric layer 4, and a circuit pattern 5 including a planar line 5a constituting a passive element. The second dielectric layer 6 is provided in this order. In this embodiment, the circuit patterns 3 a and 5 a facing each other through the first dielectric layer 4 function as electrodes, and the passive elements 7 are formed by the circuit patterns 3 a and 5 a and the first dielectric layer 4. An example of the passive element in this embodiment is a capacitor. The capacitance of the capacitor depends on the design of the conductor pattern. For example, when the capacitor is designed with an area S = 1 mm 2 and a dielectric layer thickness d = 50 μm, the Q value [Q value = (dielectric Loss + conductor loss) -1] is usually 150 or more and preferably 200 or more under the condition of 1 GHz and 20 ° C.

図2は、本発明の多層基板の別の一態様を示す図であり、第一の誘電体層の一方の面に形成された受動素子を構成する平面線路を含む回路パターンを有する回路板を含む構成となっている。図2の多層基板は、第二の誘電体層2、受動素子を構成する平面線路3cを含む回路パターン3、第一の誘電体層4、回路パターン5、第二の誘電体層6をこの順に有する。本態様においては回路パターン3cにより受動素子8が形成される。
本態様における受動素子としては、例えば、インダクタ、抵抗、共振回路、及びこれらの組合せからなる各種フィルタが挙げられる。インダクタ(L)としては、インダクタンスは回路パターンの設計に依存するが、L/S=80/80の5巻きインダクタを1mm内に作製した場合、インダクタの誘電体デバイスとしてのQ値は、1GHzで20℃の条件で、通常、35以上であり、好ましくは40以上である。共振回路はインダクタ素子などの集中定数素子の組合せに限らず、配線パターンを素子として使用する分布定数素子を組み合わせて形成することも可能である。分布定数素子の例としては、オープンスタブ、ショートスタブ、カプラ、ハイブリッド(ブランチライン)、パラレルカプラ、及びウィルキンソンカプラが挙げられ、これらはストリップライン等によって形成することができる。分布定数素子によるパラレルカプラ型共振器を用いたバンドパスフィルタの例としてはλ/4共振器によるバンドパスフィルタやλ/2共振器によるバンドパスフィルタ等が挙げられる。
FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the multilayer substrate of the present invention, and shows a circuit board having a circuit pattern including a planar line constituting a passive element formed on one surface of a first dielectric layer. It is a configuration that includes. 2 includes a second dielectric layer 2, a circuit pattern 3 including a planar line 3c constituting a passive element, a first dielectric layer 4, a circuit pattern 5, and a second dielectric layer 6. Have in order. In this embodiment, the passive element 8 is formed by the circuit pattern 3c.
As a passive element in this aspect, various filters which consist of an inductor, resistance, a resonance circuit, and these combinations are mentioned, for example. As the inductor (L), the inductance depends on the design of the circuit pattern, but when a 5-winding inductor of L / S = 80/80 is manufactured within 1 mm 2 , the Q value of the inductor as a dielectric device is 1 GHz. The temperature is usually 35 or more and preferably 40 or more at 20 ° C. The resonance circuit is not limited to a combination of lumped constant elements such as inductor elements, but can be formed by combining distributed constant elements that use a wiring pattern as an element. Examples of the distributed constant element include an open stub, a short stub, a coupler, a hybrid (branch line), a parallel coupler, and a Wilkinson coupler, which can be formed by a strip line or the like. Examples of bandpass filters using parallel coupler type resonators using distributed constant elements include bandpass filters using λ / 4 resonators and bandpass filters using λ / 2 resonators.

受動素子の種類は使用する周波数に応じて適宜選択することができる。ストリップライン型の受動素子では線路長が共振周波数に対して反比例的に増加するため、GHz以下の周波数帯では小型化の妨げになる恐れがある。一方、波長に対して線路長が無視できないミリ波の領域では(数GHz)線路自身が持つキャパシタンス及びインダクタンス成分が無視できなくなり、集中定数のみでの設計が難しくなる傾向がある。   The type of the passive element can be appropriately selected according to the frequency to be used. In the stripline type passive element, the line length increases in inverse proportion to the resonance frequency, and therefore there is a possibility that miniaturization may be hindered in a frequency band of GHz or lower. On the other hand, in the millimeter wave region where the line length cannot be ignored with respect to the wavelength (several GHz), the capacitance and inductance components of the line itself cannot be ignored, and it tends to be difficult to design with only a lumped constant.

受動素子を構成する平面線路は、第一の誘電体層上に所定の形状を有する導体パターンで形成される回路パターンの内、導体パターン単独又は導体パターンと第一の誘電体層との組合せで受動素子としての機能を発現する導体パターン部分を指す。受動素子を構成する平面線路以外の導体パターンとしては、受動素子としての機能を持たず、シールドや、端子、伝送路等の電気的接続をするために用いられる導体パターンを指す。電気的接続をするために用いられる導体パターンとしては、ランドやストリップライン型等の伝送路が挙げられる。回路パターンを構成する材料としては特に制限されない。当該材料としては、銅、金、銀又はこれらの合金等、及び炭素系材料が挙げられる。中でも銅が好ましい。受動素子の誘電体デバイスとしてのQ値を向上させる観点から、回路パターンは、表面粗度(Rz)2μm以下の金属箔からなるのが好ましい。本明細書において表面粗度(Rz)は、AFM(原子間力顕微鏡)により測定することができる。   The planar line constituting the passive element is a conductor pattern alone or a combination of the conductor pattern and the first dielectric layer among the circuit patterns formed by the conductor pattern having a predetermined shape on the first dielectric layer. The conductor pattern portion that expresses the function as a passive element. The conductor pattern other than the planar line constituting the passive element refers to a conductor pattern that does not have a function as a passive element and is used for electrical connection of a shield, a terminal, a transmission line, and the like. Examples of the conductor pattern used for electrical connection include land and stripline type transmission lines. The material constituting the circuit pattern is not particularly limited. Examples of the material include copper, gold, silver, or alloys thereof, and carbon-based materials. Of these, copper is preferred. From the viewpoint of improving the Q value of a passive element as a dielectric device, the circuit pattern is preferably made of a metal foil having a surface roughness (Rz) of 2 μm or less. In this specification, the surface roughness (Rz) can be measured by AFM (atomic force microscope).

(第一の誘電体層)
本発明における第一の誘電体層は、脂環式構造含有ポリマー及び無機充填剤を含む架橋性樹脂成形体(I)を硬化してなるものである。
(First dielectric layer)
The first dielectric layer in the present invention is formed by curing a crosslinkable resin molded article (I) containing an alicyclic structure-containing polymer and an inorganic filler.

(脂環式構造含有ポリマー)
本発明に用いる脂環式構造含有ポリマーとは、主鎖及び/又は側鎖に脂環式構造を有するポリマーをいう。機械的強度や耐熱性などを高める観点から、主鎖に脂環式構造を有するものが好ましい。
前記脂環式構造としては、飽和環状炭化水素(シクロアルカン)構造、不飽和環状炭化水素(シクロアルケン)構造などが挙げられるが、機械的強度や耐熱性などを向上させる観点から、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造が好ましく、中でもシクロアルカン構造がより好ましい。脂環式構造を構成する炭素原子数には、格別な制限はないが、同様の観点より、通常、4〜30個、好ましくは5〜20個、より好ましくは5〜15個の範囲である。脂環式構造含有ポリマー中の、脂環式構造を含有してなる繰り返し単位の割合は、目的に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは50重量%以上、より好ましくは70重量%以上、さらに好ましくは90重量%以上である。脂環式構造含有ポリマー中の、脂環式構造を含有してなる繰り返し単位の割合がこの範囲にあると、得られるポリマーの透明性や耐熱性が向上し、好ましい。
(Aricyclic structure-containing polymer)
The alicyclic structure-containing polymer used in the present invention refers to a polymer having an alicyclic structure in the main chain and / or side chain. From the viewpoint of improving mechanical strength, heat resistance, etc., those having an alicyclic structure in the main chain are preferred.
Examples of the alicyclic structure include a saturated cyclic hydrocarbon (cycloalkane) structure and an unsaturated cyclic hydrocarbon (cycloalkene) structure. From the viewpoint of improving mechanical strength, heat resistance, etc., a cycloalkane structure. And a cycloalkene structure is preferable, and a cycloalkane structure is more preferable. Although the number of carbon atoms constituting the alicyclic structure is not particularly limited, it is usually in the range of 4 to 30, preferably 5 to 20, more preferably 5 to 15 from the same viewpoint. . The proportion of the repeating unit containing the alicyclic structure in the alicyclic structure-containing polymer may be appropriately selected according to the purpose, but is preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight or more, More preferably, it is 90 weight% or more. When the ratio of the repeating unit containing the alicyclic structure in the alicyclic structure-containing polymer is in this range, the transparency and heat resistance of the resulting polymer are improved, which is preferable.

脂環式構造含有ポリマーとしては、特に限定はないが、例えば、シクロオレフィンモノマーの開環重合体、シクロオレフィンモノマーとこれと開環共重合可能なその他のモノマーとの開環共重合体、シクロオレフィンモノマーの付加重合体、シクロオレフィンモノマーとこれと共重合可能なその他のモノマーとの付加共重合体、及びスチレンやα−メチルスチレンなどのビニル芳香族系モノマーからなるポリマーの芳香環部分の水素添加物などが挙げられる。中でも、機械的強度や耐熱性に優れることから、シクロオレフィンモノマーの開環重合体が好ましい。本発明に用いる架橋性樹脂成形体中、これらの脂環式構造含有ポリマーは、それぞれ単独で、又は2種以上が含まれていてもよい。なお、本明細書において、シクロオレフィンとは、炭素−炭素二重結合を含む脂環式構造を有するオレフィンを、シクロオレフィンモノマーとは、シクロオレフィンからなる単量体をいう。   The alicyclic structure-containing polymer is not particularly limited, and examples thereof include ring-opening polymers of cycloolefin monomers, ring-opening copolymers of cycloolefin monomers and other monomers capable of ring-opening copolymerization, Hydrogen of aromatic ring portion of polymer comprising addition polymer of olefin monomer, addition copolymer of cycloolefin monomer and other monomer copolymerizable therewith, and vinyl aromatic monomer such as styrene and α-methylstyrene An additive etc. are mentioned. Especially, since it is excellent in mechanical strength and heat resistance, the ring-opening polymer of a cycloolefin monomer is preferable. In the crosslinkable resin molded product used in the present invention, these alicyclic structure-containing polymers may be used alone or in combination of two or more. In the present specification, cycloolefin refers to an olefin having an alicyclic structure containing a carbon-carbon double bond, and cycloolefin monomer refers to a monomer composed of cycloolefin.

脂環式構造含有ポリマーの分子量は、目的に応じて適宜選択すればよいが、テトラヒドロフランを溶離液とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量で、通常、1,000〜1,000,000、好ましくは5,000〜500,000、より好ましくは10,000〜100,000の範囲であれば、機械的強度と樹脂加工性とが良好にバランスされ好適である。   The molecular weight of the alicyclic structure-containing polymer may be appropriately selected according to the purpose, but is a polystyrene-equivalent weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography using tetrahydrofuran as an eluent, usually 1,000. If it is in the range of ˜1,000,000, preferably 5,000 to 500,000, more preferably 10,000 to 100,000, the mechanical strength and the resin processability are well balanced and suitable.

脂環式構造含有ポリマーとしては、得られる多層基板においてピール強度と配線埋め込み性を向上させる観点から、その主鎖及び/又は末端にカップリング剤の親水基を有する脂環式構造含有ポリマー(以下、脂環式構造含有ポリマー(A)という場合がある。)が好ましい。
脂環式構造含有ポリマー(A)中、ポリマーに結合しているカップリング剤の親水基は、特に限定されるものではない。カップリング剤の構造は一般に、TiやAl等の金属元素やSiなどに結合したアルコキシ基等からなる親水基と、樹脂などの疎水性表面と相互作用する疎水基とからなる。親水基中のアルコキシ基等の部分は加水分解し、縮合することで無機物表面と結合しうるため、脂環式構造含有ポリマーに結合しているカップリング剤の親水基は、得られる多層基板において層間密着性、例えば、樹脂層と金属箔との密着性の向上に寄与するものと推定される。
As the alicyclic structure-containing polymer, from the viewpoint of improving peel strength and wiring embedding property in the resulting multilayer substrate, an alicyclic structure-containing polymer having a hydrophilic group of a coupling agent in its main chain and / or terminal (hereinafter referred to as the alicyclic structure-containing polymer) And may be referred to as an alicyclic structure-containing polymer (A)).
In the alicyclic structure-containing polymer (A), the hydrophilic group of the coupling agent bonded to the polymer is not particularly limited. The structure of the coupling agent generally comprises a hydrophilic group composed of a metal element such as Ti or Al, an alkoxy group bonded to Si or the like, and a hydrophobic group interacting with a hydrophobic surface such as a resin. Since a portion such as an alkoxy group in the hydrophilic group can be hydrolyzed and condensed to bind to the inorganic surface, the hydrophilic group of the coupling agent bonded to the alicyclic structure-containing polymer is It is estimated that it contributes to the improvement of interlayer adhesion, for example, the adhesion between the resin layer and the metal foil.

本発明においてカップリング剤の親水基としては、無機物表面への結合反応性が良好であることから、Ti、Al、又はSiに結合した、ヘテロ原子が含まれていてもよい、直鎖又は分岐鎖の炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜5の、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキロイル基、又はアルケノイル基からなる親水基(X)が好ましく、Siに結合した、ヘテロ原子が含まれていてもよい、直鎖又は分岐鎖の炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜5の、アルコキシ基、又はアルケニルオキシ基からなる親水基(x)がより好ましい。へテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、リン原子、及びハロゲン原子が挙げられる。親水基部分にTiを含むカップリング剤としてはチタネートカップリング剤が、親水基部分にAlを含むカップリング剤としてはアルミネートカップリング剤が、親水基部分にSiを含むカップリング剤としてはシランカップリング剤が、それぞれ挙げられ、前記親水基(X)は、これらのカップリング剤の親水基部分に相当する。脂環式構造含有ポリマー(A)中、親水基は、1種類の親水基からなっても、相異なる2種類以上の親水基からなってもよい。   In the present invention, as the hydrophilic group of the coupling agent, since the bonding reactivity to the inorganic surface is good, it may contain a hetero atom bonded to Ti, Al, or Si, linear or branched A hydrophilic group (X) consisting of an alkoxy group, an alkenyloxy group, an alkyloyl group, or an alkenoyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 5 carbon atoms in the chain is preferable, and includes a hetero atom bonded to Si. The hydrophilic group (x) composed of an alkoxy group or an alkenyloxy group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 5 carbon atoms, which may be linear or branched, is more preferable. Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, and a halogen atom. The coupling agent containing Ti in the hydrophilic group part is a titanate coupling agent, the coupling agent containing Al in the hydrophilic group part is an aluminate coupling agent, and the coupling agent containing Si in the hydrophilic group part is silane. A coupling agent is mentioned, respectively, and the said hydrophilic group (X) is corresponded to the hydrophilic group part of these coupling agents. In the alicyclic structure-containing polymer (A), the hydrophilic group may be composed of one kind of hydrophilic group or two or more kinds of different hydrophilic groups.

前記チタネートカップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリステアロイルチタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルジアクリルチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネートなどが挙げられる。   Examples of the titanate coupling agent include isopropyl trioctanoyl titanate, isopropyl dimethacrylisostearoyl titanate, isopropyl tristearoyl titanate, isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl diacryl titanate, dicumylphenyloxyacetate titanate, diisostearoyl ethylene Examples include titanate.

前記アルミネートカップリング剤としては、例えば、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム等のアルコキシアルミニウムなどが挙げられる。   Examples of the aluminate coupling agent include alkoxyaluminums such as trimethoxyaluminum, triethoxyaluminum, tripropoxyaluminum, triisopropoxyaluminum, and tributoxyaluminum.

前記シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニル−トリ(β−メトキシエトキシ)シラン等のビニルシラン類;γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリルシラン類;β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシシラン類;γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(ジメトキシメチルシリルプロピル)エチレンジアミン、N−(トリメトキシシリルプロピル)エチレンジアミン等のアミノシラン類などが挙げられる。   Examples of the silane coupling agent include vinyl silanes such as vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, and vinyl-tri (β-methoxyethoxy) silane; acrylic silanes such as γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane; β -(3,4-epoxycyclohexyl) methyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and other epoxy silanes; γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β- ( And aminosilanes such as aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N- (dimethoxymethylsilylpropyl) ethylenediamine, and N- (trimethoxysilylpropyl) ethylenediamine.

カップリング剤の親水基は、当該親水基の、アルコキシ基等ではなく、アルコキシ基等が結合している、TiやAl等の金属元素やSiなどと脂環式構造含有ポリマーとが、直接的に、又は、例えば、2価の炭素数1〜20の有機基を介して間接的に結合することで、脂環式構造含有ポリマーの主鎖及び/又は末端に結合している。前記有機基としては、例えば、へテロ原子を含んでいてもよい、炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基、へテロ原子を含んでいてもよい、炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルケニレン基、及びアリーレン基などが挙げられる。へテロ原子は前記と同様である。脂環式構造含有ポリマー(A)中、カップリング剤の親水基は、1つのモノマー単位に2以上結合していてもよく、また、必ずしも脂環式構造を有するモノマー単位に結合していなくてもよい。   The hydrophilic group of the coupling agent is not an alkoxy group or the like of the hydrophilic group, but a metal element such as Ti or Al, Si or the like and an alicyclic structure-containing polymer directly bonded to the alkoxy group. Or, for example, by binding indirectly via a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, it is bound to the main chain and / or terminal of the alicyclic structure-containing polymer. Examples of the organic group include a straight or branched alkylene group having 1 to 20 carbon atoms which may contain a hetero atom, and a straight chain having 1 to 20 carbon atoms which may contain a hetero atom. Examples thereof include a chain or branched chain alkenylene group and an arylene group. The heteroatom is the same as described above. In the alicyclic structure-containing polymer (A), two or more hydrophilic groups of the coupling agent may be bonded to one monomer unit, and are not necessarily bonded to the monomer unit having an alicyclic structure. Also good.

脂環式構造含有ポリマー(A)の全モノマー単位100モル%中、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合は、特に限定されないが、得られる多層基板においてピール強度と配線埋め込み性とを効率よく高める観点から、通常、0.005〜15モル%、好ましくは0.01〜10モル%、より好ましくは0.05〜8モル%である。なお、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合が15モル%を超えると、得られる効果は、当該割合が15モル%の場合と実質的に同じである。カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合は、例えば、NMR(核磁気共鳴)法により求めることができる。かかる割合は、脂環式構造含有ポリマーへのカップリング剤の親水基の結合量を適宜調整することで調整可能である。   The ratio of the monomer unit to which the hydrophilic group of the coupling agent is bonded in 100 mol% of all the monomer units of the alicyclic structure-containing polymer (A) is not particularly limited, but in the resulting multilayer substrate, the peel strength and the wiring embedding property From the viewpoint of increasing the amount efficiently, it is usually 0.005 to 15 mol%, preferably 0.01 to 10 mol%, more preferably 0.05 to 8 mol%. In addition, when the ratio of the monomer unit to which the hydrophilic group of the coupling agent is bonded exceeds 15 mol%, the obtained effect is substantially the same as the case where the ratio is 15 mol%. The ratio of the monomer unit to which the hydrophilic group of the coupling agent is bonded can be determined by, for example, NMR (nuclear magnetic resonance) method. This ratio can be adjusted by appropriately adjusting the amount of coupling of the hydrophilic group of the coupling agent to the alicyclic structure-containing polymer.

脂環式構造含有ポリマー(A)中、末端にカップリング剤の親水基が結合した脂環式構造含有ポリマーの割合は、特に限定されないが、例えば、後述の連鎖移動基を有するカップリング剤を用いる架橋性樹脂成形体の製造方法において、連鎖移動基を有するカップリング剤と、当該カップリング剤を除く他の連鎖移動剤との配合割合を適宜調整することで調整可能である。   In the alicyclic structure-containing polymer (A), the ratio of the alicyclic structure-containing polymer in which the hydrophilic group of the coupling agent is bonded to the terminal is not particularly limited. For example, a coupling agent having a chain transfer group described later is used. In the manufacturing method of the crosslinkable resin molding to be used, it can be adjusted by appropriately adjusting the blending ratio of the coupling agent having a chain transfer group and the other chain transfer agent excluding the coupling agent.

(無機充填剤)
本発明に用いる無機充填剤としては、特に限定されないが、所望の誘電率を得る為に無機充填剤を第一の誘電体層に高濃度に配合することによる層平坦性の低下および機械的強度の低下を防止する観点から、架橋性樹脂成形体(I)に用いる無機充填剤中、比誘電率5以下の無機充填剤の含有量を20重量%以下とするのが好ましい。無機充填剤としては、通常、高誘電フィラーが好適に用いられる。高誘電フィラー以外の無機充填剤としては、例えば、低線膨張フィラーや非ハロゲン難燃剤などが挙げられる。
(Inorganic filler)
The inorganic filler used in the present invention is not particularly limited, but the layer flatness and mechanical strength are reduced by blending the inorganic filler in the first dielectric layer at a high concentration in order to obtain a desired dielectric constant. From the viewpoint of preventing the decrease in the content, the content of the inorganic filler having a relative dielectric constant of 5 or less is preferably 20% by weight or less in the inorganic filler used for the crosslinkable resin molded product (I). As the inorganic filler, a high dielectric filler is usually preferably used. Examples of the inorganic filler other than the high dielectric filler include a low linear expansion filler and a non-halogen flame retardant.

高誘電フィラーとは誘電性が概して高い無機フィラーである。高誘電フィラーを架橋性樹脂成形体(I)に配合することで、得られる多層基板において誘電正接は小さく、かつ誘電率を大きくできるため、例えば、かかる多層基板によれば、誘電損失が低く、デバイス設計の小さな回路基板等が得られ、好適である。
高誘電フィラーとしては、工業的に使用されるものであれば格別な限定なく用いることができるが、特に1GHzにて20℃で測定される比誘電率が、通常、5以上、好ましくは10以上、より好ましくは15以上のものが好適である。比誘電率は、インピーダンスアナライザー(アジレントテクノロジー社製)により測定することが出来る。かかる高誘電フィラーとしては、例えば、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸鉛、及びジルコニアなどのジルコン酸化物;チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸コバルト、チタン酸亜鉛、及びチタニアなどのチタン酸化物;などを挙げることができる。
High dielectric fillers are inorganic fillers that are generally highly dielectric. By blending the high dielectric filler into the crosslinkable resin molded product (I), the dielectric loss tangent can be reduced and the dielectric constant can be increased in the obtained multilayer substrate. For example, according to such multilayer substrate, the dielectric loss is low, A circuit board or the like having a small device design can be obtained and is preferable.
The high dielectric filler can be used without particular limitation as long as it is industrially used, but the relative dielectric constant measured particularly at 1 GHz at 20 ° C. is usually 5 or more, preferably 10 or more. More preferably, 15 or more are suitable. The relative dielectric constant can be measured with an impedance analyzer (manufactured by Agilent Technologies). Such high dielectric fillers include, for example, zircon oxides such as calcium zirconate, strontium zirconate, lead zirconate, and zirconia; barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, cobalt titanate, zinc titanate, and And titanium oxides such as titania;

低線膨張フィラーとは線膨張係数が概して低い無機フィラーである。低線膨張フィラーを架橋性樹脂成形体(I)に配合することで、得られる多層基板において機械的強度が向上し、線膨張係数を低減させることができ、好適である。
低線膨張フィラーの線膨張係数としては、通常、15ppm/℃以下である。線膨張係数は、熱機械分析装置(TMA)により測定することができる。かかる低線膨張フィラーとしては、工業的に用いられるものであれば格別な限定なく用いることができる。例えば、シリカ、シリカバルーン、アルミナ、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化すず、酸化ベリリウム、バリウムフェライト、及びストロンチウムフェライト等の無機酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、及び炭酸水素ナトリウム等の無機炭酸塩;硫酸カルシウム等の無機硫酸塩;タルク、クレー、マイカ、カオリン、フライアッシュ、モンモリロナイト、ケイ酸カルシウム、ガラス、及びガラスバルーン等の無機ケイ酸塩;などが挙げられ、好ましくはシリカである。
A low linear expansion filler is an inorganic filler having a generally low linear expansion coefficient. By blending the low linear expansion filler into the crosslinkable resin molded body (I), the mechanical strength of the resulting multilayer substrate can be improved, and the linear expansion coefficient can be reduced, which is preferable.
The linear expansion coefficient of the low linear expansion filler is usually 15 ppm / ° C. or less. The linear expansion coefficient can be measured by a thermomechanical analyzer (TMA). As such a low linear expansion filler, any industrially used filler can be used without any particular limitation. For example, inorganic oxides such as silica, silica balloon, alumina, iron oxide, zinc oxide, magnesium oxide, tin oxide, beryllium oxide, barium ferrite, and strontium ferrite; inorganic carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate, and sodium bicarbonate Salt; inorganic sulfates such as calcium sulfate; inorganic silicates such as talc, clay, mica, kaolin, fly ash, montmorillonite, calcium silicate, glass, and glass balloon; and the like, preferably silica.

非ハロゲン難燃剤は、ハロゲン原子を含まない難燃性化合物からなる。非ハロゲン難燃剤を架橋性樹脂成形体(I)に配合すれば、得られる多層基板の難燃性を向上でき、しかも多層基板の燃焼時にダイオキシン発生の心配がなく、好適である。非ハロゲン難燃剤としては、工業的に用いられるものであれば格別な限定なく用いることができる。例えば、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の金属水酸化物難燃剤;ジメチルホスフィン酸アルミニウムやジエチルホスフィン酸アルミニウムなどのホスフィン酸塩難燃剤;酸化マグネシウムや酸化アルミニウム等の金属酸化物難燃剤;トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、レゾルシノールビス(ジフェニル)ホスフェート、ビスフェノールAビス(ジフェニル)ホスフェート、及びビスフェノールAビス(ジクレジル)ホスフェートなどの、ホスフィン酸塩以外の含燐難燃剤;メラミン誘導体類、グアニジン類、及びイソシアヌル類等の含窒素難燃剤;ポリ燐酸アンモニウム、燐酸メラミン、ポリ燐酸メラミン、ポリ燐酸メラム、燐酸グアニジン、及びフォスファゼン類等の燐及び窒素の双方を含有する難燃剤;などが挙げられる。非ハロゲン難燃剤としては、金属水酸化物難燃剤、ホスフィン酸塩難燃剤、及びホスフィン酸塩以外の含燐難燃剤が好ましい。含燐難燃剤としては、トリクレジルホスフェート、レゾルシノールビス(ジフェニル)ホスフェート、ビスフェノールAビス(ジフェニル)ホスフェート、及びビスフェノールAビス(ジクレジル)ホスフェートが特に好ましい。   Non-halogen flame retardants consist of flame retardant compounds that do not contain halogen atoms. If a non-halogen flame retardant is blended with the crosslinkable resin molding (I), the flame retardance of the resulting multilayer substrate can be improved, and there is no fear of dioxin generation when the multilayer substrate is combusted. Any non-halogen flame retardant can be used without particular limitation as long as it is industrially used. For example, metal hydroxide flame retardants such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide; phosphinate flame retardants such as aluminum dimethylphosphinate and aluminum diethylphosphinate; metal oxide flame retardants such as magnesium oxide and aluminum oxide; triphenyl Phosphorus containing other than phosphinates such as phosphate, tricresyl phosphate, trixylenyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, resorcinol bis (diphenyl) phosphate, bisphenol A bis (diphenyl) phosphate, and bisphenol A bis (dicresyl) phosphate Flame retardants; Nitrogen-containing flame retardants such as melamine derivatives, guanidines and isocyanurs; ammonium polyphosphate, melamine phosphate, melamine polyphosphate, melam polyphosphate, guanidinium phosphate , And flame retardants containing both phosphorus and nitrogen phosphazene and the like; and the like. As the non-halogen flame retardant, metal hydroxide flame retardant, phosphinate flame retardant, and phosphorus-containing flame retardant other than phosphinate are preferable. As the phosphorus-containing flame retardant, tricresyl phosphate, resorcinol bis (diphenyl) phosphate, bisphenol A bis (diphenyl) phosphate, and bisphenol A bis (dicresyl) phosphate are particularly preferable.

また、本発明においては、比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤、及び比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤を組み合わせて用いることが好ましい。かかる2種類の無機充填剤を配合することで、第一の誘電体層が高比誘電率かつ低誘電正接であり、比誘電率の温度変化が効果的に抑制され、好適である。   Further, in the present invention, it is preferable to use a combination of an inorganic filler having a positive relative dielectric constant temperature change rate and an inorganic filler having a negative relative dielectric constant temperature change rate. By blending these two kinds of inorganic fillers, the first dielectric layer has a high dielectric constant and a low dielectric loss tangent, and the temperature change of the dielectric constant is effectively suppressed, which is preferable.

本発明において、比誘電率の温度変化率とは、2GHzでの−30〜100℃の温度範囲における比誘電率の温度変化率をいう。比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤としては、1GHzにて20℃で測定した時、その比誘電率が、通常、30以下のものが好適に用いられる。また、比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤としては、1GHzにて20℃で測定した時、その比誘電率が、通常、30以上のものが好適に用いられる。
無機充填剤の比誘電率の温度変化率は、試料をオーブンに導入して所定の温度範囲にて誘電率を測定し、該誘電率を比誘電率に変換し、温度変化に対する比誘電率変化の割合として求めることができる。本明細書において、比誘電率の温度変化率が正の値となる場合を、比誘電率の温度変化率が正と、比誘電率の温度変化率が負の値となる場合を、比誘電率の温度変化率が負と、それぞれいう。
In the present invention, the temperature change rate of the dielectric constant refers to the temperature change rate of the dielectric constant in the temperature range of −30 to 100 ° C. at 2 GHz. As the inorganic filler having a positive relative dielectric constant temperature change rate, those having a relative dielectric constant of 30 or less when measured at 20 ° C. at 1 GHz are preferably used. In addition, as the inorganic filler having a negative relative dielectric constant temperature change rate, those having a relative dielectric constant of usually 30 or more when measured at 1 GHz at 20 ° C. are preferably used.
The temperature change rate of the relative permittivity of the inorganic filler is measured by introducing the sample into the oven, measuring the permittivity within a predetermined temperature range, converting the permittivity to the relative permittivity, and changing the relative permittivity with respect to the temperature change. As a percentage of In this specification, the case where the temperature change rate of the relative permittivity is a positive value, the case where the temperature change rate of the relative permittivity is a positive value, and the case where the temperature change rate of the relative permittivity is a negative value. The rate of change in temperature is negative.

かかる無機充填剤の具体例としては、特開平8−269229号公報に記載されるものを格別な限定なく用いることができる。比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤としては、例えば、アルミナ(比誘電率11)、シリカ(比誘電率3.8)、酸化マグネシウム(比誘電率12)、チタン酸マグネシウム(比誘電率18)、水酸化アルミニウム(比誘電率9)、水酸化マグネシウム(比誘電率11)などが挙げられる。これらの比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤は、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。かかる無機充填剤は、難燃効果を発揮する場合、難燃剤としての機能を兼ねてもよい。   As specific examples of such inorganic fillers, those described in JP-A-8-269229 can be used without any particular limitation. Examples of the inorganic filler having a positive relative dielectric constant temperature change rate include alumina (relative dielectric constant 11), silica (relative dielectric constant 3.8), magnesium oxide (relative dielectric constant 12), and magnesium titanate (ratio). Dielectric constant 18), aluminum hydroxide (relative dielectric constant 9), magnesium hydroxide (relative dielectric constant 11) and the like. These inorganic fillers having a positive dielectric constant temperature change rate can be used alone or in combination of two or more. Such an inorganic filler may also serve as a flame retardant when exhibiting a flame retardant effect.

比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤としては、例えば、チタニア(比誘電率90)、チタン酸カルシウム(比誘電率180)、チタン酸ストロンチウム(比誘電率250)などが挙げられる。これらの比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤は、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。かかる無機充填剤は、難燃効果を発揮する場合、難燃剤としての機能を兼ねてもよい。   Examples of the inorganic filler having a negative relative dielectric constant temperature change rate include titania (relative permittivity 90), calcium titanate (relative permittivity 180), and strontium titanate (relative permittivity 250). These inorganic fillers having a negative relative dielectric constant temperature change rate can be used alone or in combination of two or more. Such an inorganic filler may also serve as a flame retardant when exhibiting a flame retardant effect.

比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤と比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤の好適な組合せとしては、本発明の所望の効果を向上させる観点から、前者としてチタン酸マグネシウム、水酸化アルミニウム及び水酸化マグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも1種と、後者としてチタン酸カルシウム及び/又はチタン酸ストロンチウムとの組合せが挙げられる。   As a suitable combination of an inorganic filler having a positive relative dielectric constant temperature change rate and an inorganic filler having a negative relative dielectric constant temperature change rate, from the viewpoint of improving the desired effect of the present invention, the former is titanic acid. A combination of at least one selected from the group consisting of magnesium, aluminum hydroxide and magnesium hydroxide and the latter as calcium titanate and / or strontium titanate can be given.

本発明の重合性組成物中での、比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤と比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤との配合割合は、得られる第一の誘電体層の比誘電率の温度変化が最低になるように適宜選択すればよいが、重量比(比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤/比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤)で、通常、5/95〜95/5、好ましくは10/90〜90/10、より好ましくは20/80〜80/20の範囲である。また、比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤と比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤との合計配合量は、所望により適宜選択すればよいが、シクロオレフィンモノマー100重量部に対して、通常、20〜600重量部、好ましくは40〜400重量部、より好ましくは60〜300重量部の範囲である。   In the polymerizable composition of the present invention, the blending ratio of the inorganic filler having a positive relative dielectric constant temperature change rate and the inorganic filler having a negative relative dielectric constant temperature change rate is the first dielectric constant obtained. The relative change in the relative dielectric constant of the body layer may be selected as appropriate, but the weight ratio (inorganic filler in which the relative dielectric constant temperature change rate is positive / inorganic in which the relative dielectric constant temperature change rate is negative) In the range of 5/95 to 95/5, preferably 10/90 to 90/10, more preferably 20/80 to 80/20. The total blending amount of the inorganic filler having a positive relative dielectric constant temperature change rate and the inorganic filler having a negative relative dielectric constant temperature change rate may be appropriately selected as desired. Usually, it is 20-600 weight part with respect to a part, Preferably it is 40-400 weight part, More preferably, it is the range of 60-300 weight part.

本発明に使用される無機充填剤の粒子径(平均粒子径)は、所望により適宜選択すればよいが、粒子を三次元的にみたときの長手方向と短手方向の長さの平均値として、通常、0.001〜50μm、好ましくは0.01〜10μm、より好ましくは0.1〜5μmの範囲である。   The particle size (average particle size) of the inorganic filler used in the present invention may be appropriately selected as desired, but as an average value of the lengths in the longitudinal direction and the short direction when the particles are viewed three-dimensionally. Usually, it is in the range of 0.001 to 50 μm, preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.1 to 5 μm.

以上の無機充填剤は、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの無機充填剤は、その表面が公知のカップリング剤で処理されたものであってもよい。   These inorganic fillers can be used alone or in combination of two or more. These inorganic fillers may have a surface treated with a known coupling agent.

本発明における第一の誘電体層は、以上の脂環式構造含有ポリマーや無機充填剤を含む架橋性樹脂成形体(I)を硬化してなるものである。架橋性樹脂成形体(I)には、本発明の効果の発現が阻害されない範囲であれば、樹脂成分として、脂環式構造含有ポリマー以外の公知の任意の樹脂が含まれていてもよい。当該樹脂成分は、架橋性樹脂成形体(I)の基材樹脂をなす。架橋性樹脂成形体(I)の基材樹脂は、通常、脂環式構造含有ポリマーを50重量%以上含有してなり、好ましくは脂環式構造含有ポリマーのみからなる。第一の誘電体層中の無機充填剤の含有量としては、通常、30重量%以上、好ましくは40〜90重量%、より好ましくは50〜70重量%の範囲である。なお、前記架橋性樹脂成形体(I)には、前記任意の樹脂の他、脂環式構造含有ポリマーや無機充填剤以外のその他の成分が含まれていてもよい。   The first dielectric layer in the present invention is obtained by curing the crosslinkable resin molded article (I) containing the above alicyclic structure-containing polymer and inorganic filler. The crosslinkable resin molded product (I) may contain any known resin other than the alicyclic structure-containing polymer as a resin component as long as the expression of the effect of the present invention is not inhibited. The said resin component makes base-material resin of crosslinkable resin molding (I). The base resin of the crosslinkable resin molded product (I) usually contains 50% by weight or more of the alicyclic structure-containing polymer, and preferably consists of only the alicyclic structure-containing polymer. The content of the inorganic filler in the first dielectric layer is usually 30% by weight or more, preferably 40 to 90% by weight, more preferably 50 to 70% by weight. In addition, in said crosslinkable resin molding (I), other components other than said arbitrary resin other than an alicyclic structure containing polymer and an inorganic filler may be contained.

本発明の多層基板において、そりを抑えるという観点から、第一の誘電体層の厚さは第二の誘電体層の厚さよりも小さいのが好ましい。第一の誘電体層の厚さとしては、通常、10〜300μm、好ましくは20〜100μmである。また、第一の誘電体層の1GHzで20℃の条件での比誘電率としては、好ましくは5以上、より好ましくは7以上、1GHzで20℃の条件での誘電正接としては、通常、0.008以下、好ましくは0.005以下、より好ましくは0.003以下、2GHzで−30〜100℃の範囲で温度変化する条件での比誘電率の温度変化率としては、絶対値で、好ましくは200ppm/℃以下、より好ましくは100ppm/℃以下である。   In the multilayer substrate of the present invention, from the viewpoint of suppressing warpage, the thickness of the first dielectric layer is preferably smaller than the thickness of the second dielectric layer. The thickness of the first dielectric layer is usually 10 to 300 μm, preferably 20 to 100 μm. The relative dielectric constant of the first dielectric layer at 1 GHz at 20 ° C. is preferably 5 or more, more preferably 7 or more, and the dielectric loss tangent at 1 GHz at 20 ° C. is usually 0. 0.008 or less, preferably 0.005 or less, more preferably 0.003 or less. The temperature change rate of the relative permittivity under the condition of temperature change in the range of −30 to 100 ° C. at 2 GHz is preferably an absolute value. Is 200 ppm / ° C. or less, more preferably 100 ppm / ° C. or less.

(第二の誘電体層)
第二の誘電体層は第一の誘電体層よりも低い比誘電率を持つ層である。第二の誘電体層を構成する材料は、第一の誘電体層よりも低い比誘電率となる材料であれば特に制限されず、無機材料、樹脂材料または無機材料と樹脂材料との複合材料が挙げられる。無機材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、フォルステライト、及びホウ珪酸ガラスなどが挙げられる。第一の誘電体層との線膨張率差を小さくできる観点から、樹脂材料または無機材料と樹脂材料との複合材料が好ましい。樹脂材料としては公知の材料を用いることができ、具体例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂、スチレン樹脂、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂、トリアジン樹脂、液晶樹脂などが挙げられる。第二の誘電体層の耐湿性を向上させる観点から、当該層は、脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体(II)を硬化してなるものが好ましい。第二の誘電体層の比誘電率は、第一の誘電体層の比誘電率よりも低くなるよう、無機充填剤の種類や配合量を適宜選択して調整すればよい。
(Second dielectric layer)
The second dielectric layer is a layer having a relative dielectric constant lower than that of the first dielectric layer. The material constituting the second dielectric layer is not particularly limited as long as it has a lower dielectric constant than that of the first dielectric layer, and is an inorganic material, a resin material, or a composite material of an inorganic material and a resin material. Is mentioned. Examples of the inorganic material include silica, alumina, forsterite, and borosilicate glass. From the viewpoint of reducing the difference in linear expansion coefficient with the first dielectric layer, a resin material or a composite material of an inorganic material and a resin material is preferable. Known materials can be used as the resin material. Specific examples include epoxy resins, acrylic resins, polyamide resins, polyimide resins, polyester resins, cyanate resins, polyphenylene ether resins, fluororesins, styrene resins, olefin resins, polyesters. Resins, phenol resins, maleimide resins, triazine resins, liquid crystal resins and the like can be mentioned. From the viewpoint of improving the moisture resistance of the second dielectric layer, the layer is preferably obtained by curing the crosslinkable resin molded article (II) containing the alicyclic structure-containing polymer. The relative dielectric constant of the second dielectric layer may be adjusted by appropriately selecting the type and blending amount of the inorganic filler so as to be lower than the relative dielectric constant of the first dielectric layer.

第二の誘電体層の厚さとしては、通常、20〜400μm、好ましくは50〜300μmである。
第二の誘電体層の表面および/または内部には能動素子および/または受動素子を設けても良い。能動素子は入力と出力を持ち、外部からのエネルギー供給によりエネルギーの変換を行う機能を有するものを指し、具体的にはトランジスタ、電界効果トランジスタ(FET)、集積回路(IC)、大規模集積回路(LSI)、送信増幅器(Power Amp)、低雑音増幅器(Low Noise AMP)、及び電圧制御発振器(VCO)等が挙げられる。受動素子としては前述したものが挙げられる。
The thickness of the second dielectric layer is usually 20 to 400 μm, preferably 50 to 300 μm.
An active element and / or a passive element may be provided on the surface and / or inside of the second dielectric layer. An active element has an input and an output and has a function of converting energy by supplying energy from the outside. Specifically, a transistor, a field effect transistor (FET), an integrated circuit (IC), a large-scale integrated circuit (LSI), transmission amplifier (Power Amp), low noise amplifier (Low Noise AMP), voltage controlled oscillator (VCO), and the like. Examples of the passive element include those described above.

(架橋性樹脂成形体)
本発明に用いる架橋性樹脂成形体(I)は脂環式構造含有ポリマー及び無機充填剤を必須成分としてなり、所望によりその他の成分を含む。前記架橋性樹脂成形体(II)は、無機充填剤を必須成分としないこと以外、架橋性樹脂成形体(I)と同様であり、架橋性樹脂成形体(I)の製造方法に準じて製造することができる。以下、架橋性樹脂成形体(I)と(II)とをまとめて架橋性樹脂成形体という場合がある。
(Crosslinkable resin molding)
The crosslinkable resin molded product (I) used in the present invention comprises an alicyclic structure-containing polymer and an inorganic filler as essential components, and optionally contains other components. The crosslinkable resin molded body (II) is the same as the crosslinkable resin molded body (I) except that the inorganic filler is not an essential component, and is produced according to the method for producing the crosslinkable resin molded body (I). can do. Hereinafter, the crosslinkable resin molded bodies (I) and (II) may be collectively referred to as a crosslinkable resin molded body.

本発明に用いられる架橋性樹脂成形体(I)の製造方法としては、特に限定されないが、当該成形体を効率的に製造可能であることから、シクロオレフィンモノマー、メタセシス重合触媒、無機充填剤、及び架橋剤を含む重合性組成物を開環重合する方法が好ましい。脂環式構造含有ポリマーを脂環式構造含有ポリマー(A)とする場合は、例えば、少なくとも1つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤及び/又は少なくとも1つの連鎖移動基を有するカップリング剤を重合性組成物に配合し開環重合すればよい。   Although it does not specifically limit as a manufacturing method of the crosslinkable resin molding (I) used for this invention, Since the said molding can be manufactured efficiently, a cycloolefin monomer, a metathesis polymerization catalyst, an inorganic filler, And a method of ring-opening polymerization of a polymerizable composition containing a crosslinking agent. When the alicyclic structure-containing polymer is used as the alicyclic structure-containing polymer (A), for example, a coupling agent having at least one cycloolefin structure and / or a coupling agent having at least one chain transfer group is polymerized. It may be blended into the functional composition and subjected to ring-opening polymerization.

(シクロオレフィンモノマー)
前記シクロオレフィンモノマーの脂環構造としては、単環、多環、縮合多環、橋かけ環及びこれらの組み合わせ多環などが挙げられる。シクロオレフィンモノマーとしては、得られる多層基板の機械的強度を向上させる観点から、多環のシクロオレフィンモノマーが好ましい。各環構造を構成する炭素原子数に特に限定はないが、通常、4〜30個、好ましくは5〜20個、より好ましくは5〜15個である。シクロオレフィンモノマーは、アルキル基、アルケニル基、アルキリデン基、及びアリール基などの炭素数1〜30の炭化水素基や、カルボキシル基や酸無水物基などの極性基を置換基として有していてもよい。
(Cycloolefin monomer)
Examples of the alicyclic structure of the cycloolefin monomer include monocycles, polycycles, condensed polycycles, bridged rings, and combination polycycles thereof. The cycloolefin monomer is preferably a polycyclic cycloolefin monomer from the viewpoint of improving the mechanical strength of the resulting multilayer substrate. Although there is no limitation in particular in the carbon atom number which comprises each ring structure, Usually, 4-30 pieces, Preferably it is 5-20 pieces, More preferably, it is 5-15 pieces. The cycloolefin monomer may have a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms such as an alkyl group, an alkenyl group, an alkylidene group, and an aryl group, or a polar group such as a carboxyl group or an acid anhydride group as a substituent. Good.

本発明において、前記シクロオレフィンモノマーとしては、得られる多層基板の機械的強度を向上させる観点から、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するものが好適に用いられる。本明細書において架橋性炭素−炭素不飽和結合とは、メタセシス開環重合には関与せず、架橋反応に関与する炭素−炭素不飽和結合をいう。   In the present invention, as the cycloolefin monomer, those having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond are preferably used from the viewpoint of improving the mechanical strength of the resulting multilayer substrate. In the present specification, the crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond refers to a carbon-carbon unsaturated bond that does not participate in metathesis ring-opening polymerization and participates in a crosslinking reaction.

前記架橋性炭素−炭素不飽和結合としては、芳香族炭素−炭素不飽和結合を除く炭素−炭素不飽和結合、すなわち、脂肪族炭素−炭素二重結合又は三重結合が挙げられ、本発明においては、通常、脂肪族炭素−炭素二重結合をいう。架橋性炭素−炭素不飽和結合を有するシクロオレフィンモノマー中、該不飽和結合の位置は特に限定されるものではなく、炭素原子で形成される脂環構造内の他、該脂環構造以外の任意の位置、例えば、側鎖の末端や内部に存在していてもよい。例えば、前記脂肪族炭素−炭素二重結合は、ビニル基、ビニリデン基、又はビニレン基として存在し得、良好にラジカル架橋性を発揮することから、ビニル基及び/又はビニリデン基として存在するのが好ましく、ビニリデン基として存在するのがより好ましい。   Examples of the crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond include carbon-carbon unsaturated bonds other than aromatic carbon-carbon unsaturated bonds, that is, aliphatic carbon-carbon double bonds or triple bonds. Usually refers to an aliphatic carbon-carbon double bond. In the cycloolefin monomer having a crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond, the position of the unsaturated bond is not particularly limited, and other than the alicyclic structure other than the alicyclic structure formed by carbon atoms. For example, at the end or inside of the side chain. For example, the aliphatic carbon-carbon double bond may exist as a vinyl group, a vinylidene group, or a vinylene group, and exhibits a radical crosslinkability, so that it exists as a vinyl group and / or a vinylidene group. Preferably, it exists as a vinylidene group.

架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーとしては、特に、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するノルボルネン系モノマーが好ましい。ノルボルネン系モノマーとは、ノルボルネン環構造を分子内に有するシクロオレフィンモノマーをいう。例えば、ノルボルネン類、ジシクロペンタジエン類、及びテトラシクロドデセン類などが挙げられる。   As the cycloolefin monomer having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond, a norbornene monomer having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond is particularly preferable. The norbornene-based monomer refers to a cycloolefin monomer having a norbornene ring structure in the molecule. Examples include norbornenes, dicyclopentadiene, and tetracyclododecene.

架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーとしては、例えば、3−ビニルシクロヘキセン、4−ビニルシクロヘキセン、1,3−シクロペンタジエン、1,3−シクロへキサジエン、1,4−シクロへキサジエン、5−エチル−1,3−シクロへキサジエン、1,3−シクロへプタジエン、1,3−シクロオクタジエンなどの単環シクロオレフィンモノマー;5−エチリデン−2−ノルボルネン、5−メチリデン−2−ノルボルネン、5−イソプロピリデン−2−ノルボルネン、5−ビニルノルボルネン、5−アリルノルボルネン、5,6−ジエチリデン−2−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、2,5−ノルボルナジエンなどのノルボルネン系モノマー;を挙げることができる。これらの中では、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するノルボルネン系モノマーが好ましい。   Examples of the cycloolefin monomer having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond include 3-vinylcyclohexene, 4-vinylcyclohexene, 1,3-cyclopentadiene, 1,3-cyclohexadiene, 1,4- Monocyclic cycloolefin monomers such as cyclohexadiene, 5-ethyl-1,3-cyclohexadiene, 1,3-cycloheptadiene, 1,3-cyclooctadiene; 5-ethylidene-2-norbornene, 5-methylidene Norbornene monomers such as 2-norbornene, 5-isopropylidene-2-norbornene, 5-vinylnorbornene, 5-allylnorbornene, 5,6-diethylidene-2-norbornene, dicyclopentadiene, 2,5-norbornadiene; Can be mentioned. Among these, norbornene monomers having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond are preferable.

本発明においてシクロオレフィンモノマーとしては、前記架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーの他、架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーが用いられる。   In the present invention, as the cycloolefin monomer, in addition to the cycloolefin monomer having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond, a cycloolefin monomer having no crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond is used.

架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとしては、例えば、シクロペンテン、3−メチルシクロペンテン、4−メチルシクロペンテン、3,4−ジメチルシクロペンテン、3,5−ジメチルシクロペンテン、3−クロロシクロペンテン、シクロへキセン、3−メチルシクロへキセン、4−メチルシクロヘキセン、3,4−ジメチルシクロヘキセン、3−クロロシクロヘキセン、シクロへプテンなどの単環シクロオレフィンモノマー;ノルボルネン、5−メチルノルボルネン、5−エチルノルボルネン、5−プロピルノルボルネン、5,6−ジメチルノルボルネン、1−メチルノルボルネン、7−メチルノルボルネン、5,5,6−トリメチルノルボルネン、5−フェニルノルボルネン、テトラシクロドデセン、1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、2−メチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、2−エチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、2,3−ジメチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、2−ヘキシル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、2−エチリデン−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、2−フルオロ−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、1,5−ジメチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、2−シクロへキシル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、2,3−ジクロロ−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、2−イソブチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン、1,2−ジヒドロジシクロペンタジエン、5−クロロノルボルネン、5,5−ジクロロノルボルネン、5−フルオロノルボルネン、5,5,6−トリフルオロ−6−トリフルオロメチルノルボルネン、5−クロロメチルノルボルネン、5−メトキシノルボルネン、5,6−ジカルボキシルノルボルネンアンハイドレート、5−ジメチルアミノノルボルネン、5−シアノノルボルネンなどのノルボルネン系モノマー;を挙げることができる。これらの中でも、架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないノルボルネン系モノマーが好ましい。   Examples of the cycloolefin monomer having no crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond include cyclopentene, 3-methylcyclopentene, 4-methylcyclopentene, 3,4-dimethylcyclopentene, 3,5-dimethylcyclopentene, 3-chlorocyclopentene, Monocyclic cycloolefin monomers such as cyclohexene, 3-methylcyclohexene, 4-methylcyclohexene, 3,4-dimethylcyclohexene, 3-chlorocyclohexene, cycloheptene; norbornene, 5-methylnorbornene, 5-ethylnorbornene, 5-propylnorbornene, 5,6-dimethylnorbornene, 1-methylnorbornene, 7-methylnorbornene, 5,5,6-trimethylnorbornene, 5-phenylnorbornene, tetracyclododecene, 1, , 5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octahydronaphthalene, 2-methyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a , 5,8,8a-octahydronaphthalene, 2-ethyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octahydronaphthalene, 2,3-dimethyl -1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octahydronaphthalene, 2-hexyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3 , 4,4a, 5,8,8a-octahydronaphthalene, 2-ethylidene-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octahydronaphthalene, 2, -Fluoro-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octa Dronaphthalene, 1,5-dimethyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octahydronaphthalene, 2-cyclohexyl-1,4,5 , 8-Dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octahydronaphthalene, 2,3-dichloro-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a , 5,8,8a-octahydronaphthalene, 2-isobutyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octahydronaphthalene, 1,2-dihydro Dicyclopentadiene, 5-chloronorbornene, 5,5-dichloronorbornene, 5-fluoronorbornene, 5,5,6-trifluoro-6-trifluoromethylnorbornene, 5-chloromethylnorbornene, 5-methoxynorbornene And norbornene monomers such as 5,6-dicarboxyl norbornene anhydrate, 5-dimethylamino norbornene and 5-cyanonorbornene. Among these, norbornene-based monomers having no crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond are preferable.

以上のシクロオレフィンモノマーは、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。例えば、シクロオレフィンモノマーとして、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーと架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとの混合物が用いられる。   The above cycloolefin monomers can be used alone or in combination of two or more. For example, a mixture of a cycloolefin monomer having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond and a cycloolefin monomer having no crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond is used as the cycloolefin monomer.

重合性組成物に用いるシクロオレフィンモノマー中、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーと架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとの配合割合は所望により適宜選択すればよいが、重量比(架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマー/架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマー)で、通常、5/95〜100/0、好ましくは10/90〜95/10、より好ましくは15/85〜90/15の範囲である。当該配合割合がかかる範囲にあれば、得られる多層基板において耐熱性や機械的強度がバランス良く向上し、好適である。   In the cycloolefin monomer used for the polymerizable composition, the mixing ratio of the cycloolefin monomer having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond and the cycloolefin monomer having no crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond is appropriately determined as desired. The weight ratio (cycloolefin monomer having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond / cycloolefin monomer having no crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond) is usually 5 / 95-100 / 0, preferably 10/90 to 95/10, more preferably 15/85 to 90/15. If the said mixture ratio exists in this range, in the multilayer substrate obtained, heat resistance and mechanical strength will improve with good balance, and it is suitable.

なお、本発明に用いる重合性組成物には、本発明の効果の発現が阻害されない限り、以上のシクロオレフィンモノマーと共重合可能な任意のモノマーが含まれていてもよい。   The polymerizable composition used in the present invention may contain any monomer copolymerizable with the above cycloolefin monomer as long as the expression of the effect of the present invention is not inhibited.

(メタセシス重合触媒)
本発明に用いるメタセシス重合触媒は、前記シクロオレフィンモノマーをメタセシス開環重合可能なものであれば、特に限定されない。
メタセシス重合触媒としては、遷移金属原子を中心にして、複数のイオン、原子、多原子イオン及び/又は化合物が結合してなる錯体が挙げられる。遷移金属原子としては、5族、6族及び8族(長周期型周期表、以下同じ。)の原子が使用される。それぞれの族の原子は特に限定されないが、5族の原子としては、好ましくはタンタルが挙げられ、6族の原子としては、好ましくは、モリブデン及びタングステンが挙げられ、8族の原子としては、好ましくは、ルテニウム及びオスミウムが挙げられる。
(Metathesis polymerization catalyst)
The metathesis polymerization catalyst used in the present invention is not particularly limited as long as the cycloolefin monomer can be subjected to metathesis ring-opening polymerization.
Examples of the metathesis polymerization catalyst include a complex formed by bonding a plurality of ions, atoms, polyatomic ions and / or compounds around a transition metal atom. As transition metal atoms, atoms of Group 5, Group 6, and Group 8 (long-period periodic table, the same shall apply hereinafter) are used. Although the atoms of each group are not particularly limited, the group 5 atom is preferably tantalum, the group 6 atom is preferably molybdenum and tungsten, and the group 8 atom is preferably May include ruthenium and osmium.

これらの中でも、8族のルテニウムやオスミウムの錯体が好ましく、ルテニウムカルベン錯体が特に好ましい。ルテニウムカルベン錯体は、塊状重合時の触媒活性に優れるため、残留未反応モノマーに由来する臭気が少ないプリプレグを効率的に生産することができる。また、8族のルテニウムやオスミウムの錯体は、酸素や空気中の水分に対して比較的安定であって、失活しにくいので、大気下でもプリプレグの生産が可能である。   Among these, a group 8 ruthenium or osmium complex is preferable, and a ruthenium carbene complex is particularly preferable. Since the ruthenium carbene complex is excellent in catalytic activity during bulk polymerization, it is possible to efficiently produce a prepreg with less odor originating from the residual unreacted monomer. Moreover, since the group 8 ruthenium and osmium complexes are relatively stable to oxygen and moisture in the air and are not easily deactivated, prepregs can be produced even in the atmosphere.

ルテニウムカルベン錯体の具体例としては、以下の式(1)又は式(2)で表される錯体が挙げられる。   Specific examples of the ruthenium carbene complex include complexes represented by the following formula (1) or formula (2).

Figure 2012216686
Figure 2012216686

式(1)及び(2)において、R及びRは、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子若しくは珪素原子を含んでもよい、環状又は鎖状の、炭素数1〜20の炭化水素基を表す。X及びXは、それぞれ独立して任意のアニオン性配位子を示す。L及びLはそれぞれ独立して、ヘテロ原子含有カルベン化合物又はヘテロ原子含有カルベン化合物以外の中性電子供与性化合物を表す。また、RとRは互いに結合して、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂肪族環又は芳香族環を形成してもよい。さらに、R、R、X、X、L及びLは、任意の組合せで互いに結合して多座キレート化配位子を形成してもよい。 In the formulas (1) and (2), R 1 and R 2 may each independently contain a hydrogen atom, a halogen atom, or a halogen atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, or a silicon atom. A cyclic or chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms is represented. X 1 and X 2 each independently represent an arbitrary anionic ligand. L 1 and L 2 each independently represent a hetero atom-containing carbene compound or a neutral electron donating compound other than the hetero atom-containing carbene compound. R 1 and R 2 may be bonded to each other to form an aliphatic ring or an aromatic ring that may contain a hetero atom. Furthermore, R 1 , R 2 , X 1 , X 2 , L 1 and L 2 may be bonded together in any combination to form a multidentate chelating ligand.

ヘテロ原子とは、周期表15族及び16族の原子をいう。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、砒素原子、及びセレン原子などが挙げられる。これらの中でも、安定なカルベン化合物が得られる観点から、窒素原子、酸素原子、リン原子、及び硫黄原子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。   A hetero atom refers to an atom of Groups 15 and 16 of the periodic table. Specific examples of the hetero atom include a nitrogen atom, an oxygen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom, an arsenic atom, and a selenium atom. Among these, from the viewpoint of obtaining a stable carbene compound, a nitrogen atom, an oxygen atom, a phosphorus atom, and a sulfur atom are preferable, and a nitrogen atom is particularly preferable.

ヘテロ原子含有カルベン化合物は、カルベン炭素原子の両側にヘテロ原子が隣接して結合した構造を有するものが好ましく、さらにカルベン炭素原子とその両側のヘテロ原子とを含んでヘテロ環が形成された構造を有するものがより好ましい。また、カルベン炭素原子に隣接するヘテロ原子に嵩高い置換基を有するものが好ましい。   The heteroatom-containing carbene compound preferably has a structure in which heteroatoms are adjacently bonded to both sides of the carbene carbon atom, and further has a structure in which a heterocycle is formed including the carbene carbon atom and heteroatoms on both sides thereof. What has is more preferable. Moreover, what has a bulky substituent in the hetero atom adjacent to a carbene carbon atom is preferable.

ヘテロ原子含有カルベン化合物としては、以下の式(3)又は式(4)で示される化合物が挙げられる。   Examples of the heteroatom-containing carbene compound include compounds represented by the following formula (3) or formula (4).

Figure 2012216686
Figure 2012216686

式(3)又は式(4)において、R〜Rは、それぞれ独立して水素原子;ハロゲン原子;又はハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子若しくは珪素原子を含んでもよい、環状又は鎖状の、炭素数1〜20個の炭化水素基を表す。また、R〜Rは任意の組合せで互いに結合して環を形成していてもよい。 In Formula (3) or Formula (4), R 3 to R 6 may each independently include a hydrogen atom; a halogen atom; or a halogen atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, or a silicon atom. Represents a cyclic or chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R 3 to R 6 may be bonded to each other in any combination to form a ring.

前記式(3)又は式(4)で表される化合物の具体例としては、1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン、1,3−ジ(1−アダマンチル)イミダゾリジン−2−イリデン、1−シクロヘキシル−3−メシチルイミダゾリジン−2−イリデン、1,3−ジメシチルオクタヒドロベンズイミダゾール−2−イリデン、1,3−ジイソプロピル−4−イミダゾリン−2−イリデン、1,3−ジ(1−フェニルエチル)−4−イミダゾリン−2−イリデン、1,3−ジメシチル−2,3−ジヒドロベンズイミダゾール−2−イリデンなどが挙げられる。   Specific examples of the compound represented by Formula (3) or Formula (4) include 1,3-dimesitylimidazolidin-2-ylidene and 1,3-di (1-adamantyl) imidazolidine-2- Iridene, 1-cyclohexyl-3-mesitylimidazolidine-2-ylidene, 1,3-dimesityloctahydrobenzimidazol-2-ylidene, 1,3-diisopropyl-4-imidazoline-2-ylidene, 1,3 -Di (1-phenylethyl) -4-imidazoline-2-ylidene, 1,3-dimesityl-2,3-dihydrobenzimidazol-2-ylidene and the like.

また、前記式(3)又は式(4)で示される化合物のほかに、1,3,4−トリフェニル−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−1,2,4−トリアゾール−5−イリデン、1,3−ジシクロヘキシルヘキサヒドロピリミジン−2−イリデン、N,N,N’,N’−テトライソプロピルホルムアミジニリデン、1,3,4−トリフェニル−4,5−ジヒドロ−1H−1,2,4−トリアゾール−5−イリデン、3−(2,6−ジイソプロピルフェニル)−2,3−ジヒドロチアゾール−2−イリデンなどのヘテロ原子含有カルベン化合物も用い得る。   In addition to the compound represented by the formula (3) or formula (4), 1,3,4-triphenyl-2,3,4,5-tetrahydro-1H-1,2,4-triazole-5 -Iridene, 1,3-dicyclohexylhexahydropyrimidin-2-ylidene, N, N, N ', N'-tetraisopropylformamidinylidene, 1,3,4-triphenyl-4,5-dihydro-1H- Heteroatom-containing carbene compounds such as 1,2,4-triazole-5-ylidene and 3- (2,6-diisopropylphenyl) -2,3-dihydrothiazol-2-ylidene can also be used.

前記式(1)及び式(2)において、アニオン(陰イオン)性配位子XとXは、中心金属原子から引き離されたときに負の電荷を持つ配位子であり、例えば、弗素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、ジケトネート基、置換シクロペンタジエニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基などを挙げることができる。これらの中でもハロゲン原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。 In the formulas (1) and (2), the anionic (anionic) ligands X 1 and X 2 are ligands having a negative charge when separated from the central metal atom, for example, Examples thereof include halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom, diketonate group, substituted cyclopentadienyl group, alkoxy group, aryloxy group and carboxyl group. Among these, a halogen atom is preferable and a chlorine atom is more preferable.

また、中性電子供与性化合物は、中心金属から引き離されたときに中性の電荷を持つ配位子であればいかなるものでもよい。その具体例としては、カルボニル類、アミン類、ピリジン類、エーテル類、ニトリル類、エステル類、ホスフィン類、チオエーテル類、芳香族化合物、オレフィン類、イソシアニド類、及びチオシアネート類などが挙げられる。これらの中でも、ホスフィン類、エーテル類及びピリジン類が好ましく、トリアルキルホスフィンがより好ましい。   Further, the neutral electron donating compound may be any ligand as long as it has a neutral charge when pulled away from the central metal. Specific examples thereof include carbonyls, amines, pyridines, ethers, nitriles, esters, phosphines, thioethers, aromatic compounds, olefins, isocyanides, and thiocyanates. Among these, phosphines, ethers and pyridines are preferable, and trialkylphosphine is more preferable.

前記式(1)で表される錯体化合物としては、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−4,5−ジブロモ−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(3−フェニル−1H−インデン−1−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリジン−2−イリデン)(3−メチル−2−ブテン−1−イリデン)(トリシクロペンチルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−オクタヒドロベンズイミダゾール−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン[1,3−ジ(1−フェニルエチル)−4−イミダゾリン−2−イリデン](トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−2,3−ジヒドロベンズイミダゾール−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(トリシクロヘキシルホスフィン)(1,3,4−トリフェニル−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−1,2,4−トリアゾール−5−イリデン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジイソプロピルヘキサヒドロピリミジン−2−イリデン)(エトキシメチレン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリジン−2−イリデン)ピリジンルテニウムジクロリド、(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリジン−2−イリデン)(2−フェニルエチリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(2−フェニルエチリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジメシチル−4,5−ジブロモ−4−イミダゾリン−2−イリデン)[(フェニルチオ)メチレン](トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジメシチル−4,5−ジブロモ−4−イミダゾリン−2−イリデン)(2−ピロリドン−1−イルメチレン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリドなどの、ヘテロ原子含有カルベン化合物及びヘテロ原子含有カルベン化合物以外の中性電子供与性化合物が各々1つ結合したルテニウム錯体化合物;   Examples of the complex compound represented by the formula (1) include benzylidene (1,3-dimesityl-4-imidazolidin-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3-dimesityl-4,5 -Dibromo-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (1,3-dimesityl-4-imidazoline-2-ylidene) (3-phenyl-1H-indene-1-ylidene) (tricyclohexyl) Phosphine) ruthenium dichloride, (1,3-dimesityl-4-imidazolidin-2-ylidene) (3-methyl-2-buten-1-ylidene) (tricyclopentylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3-dimesityl- Octahydrobenzimidazo Ru-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene [1,3-di (1-phenylethyl) -4-imidazoline-2-ylidene] (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3- Dimesityl-2,3-dihydrobenzimidazol-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (tricyclohexylphosphine) (1,3,4-triphenyl-2,3,4,5-tetrahydro-1H- 1,2,4-triazole-5-ylidene) ruthenium dichloride, (1,3-diisopropylhexahydropyrimidin-2-ylidene) (ethoxymethylene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene ( , 3-Dimesityl-4-imidazolidin-2-ylidene) pyridine ruthenium dichloride, (1,3-Dimesityl-4-imidazolidin-2-ylidene) (2-phenylethylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (1 , 3-Dimesityl-4-imidazoline-2-ylidene) (2-phenylethylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (1,3-dimesityl-4,5-dibromo-4-imidazoline-2-ylidene) [( Phenylthio) methylene] (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (1,3-dimesityl-4,5-dibromo-4-imidazoline-2-ylidene) (2-pyrrolidone-1-ylmethylene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride A ruthenium complex compound in which a hetero atom-containing carbene compound and a neutral electron donating compound other than a hetero atom-containing carbene compound are bonded to each other;

ベンジリデンビス(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(3−メチル−2−ブテン−1−イリデン)ビス(トリシクロペンチルホスフィン)ルテニウムジクロリドなどの、ヘテロ原子含有カルベン化合物以外の2つの中性電子供与性化合物が結合したルテニウム錯体化合物;   Two neutral electron donating compounds other than hetero atom-containing carbene compounds such as benzylidenebis (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride and (3-methyl-2-buten-1-ylidene) bis (tricyclopentylphosphine) ruthenium dichloride Bound ruthenium complex compounds;

ベンジリデンビス(1,3−ジシクロヘキシル−4−イミダゾリジン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデンビス(1,3−ジイソプロピル−4−イミダゾリン−2−イリデン)ルテニウムジクロリドなどの、2つのヘテロ原子含有カルベン化合物が結合したルテニウム錯体化合物;などが挙げられる。   Two heteroatom-containing carbene compounds such as benzylidenebis (1,3-dicyclohexyl-4-imidazolidin-2-ylidene) ruthenium dichloride and benzylidenebis (1,3-diisopropyl-4-imidazoline-2-ylidene) ruthenium dichloride Ruthenium complex compound in which is bonded; and the like.

前記式(2)で表される錯体化合物としては、(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリジン−2−イリデン)(フェニルビニリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(t−ブチルビニリデン)(1,3−ジイソプロピル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロペンチルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ビス(1,3−ジシクロヘキシル−4−イミダゾリン−2−イリデン)フェニルビニリデンルテニウムジクロリドなどが挙げられる。   Examples of the complex compound represented by the formula (2) include (1,3-dimesityl-4-imidazolidin-2-ylidene) (phenylvinylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (t-butylvinylidene) (1 , 3-diisopropyl-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclopentylphosphine) ruthenium dichloride, bis (1,3-dicyclohexyl-4-imidazoline-2-ylidene) phenylvinylidene ruthenium dichloride, and the like.

これらの錯体化合物の中でも、前記式(1)で表され、かつ配位子として前記式(4)で表される化合物を1つ有するものが最も好ましい。   Among these complex compounds, those having one compound represented by the formula (1) and represented by the formula (4) as a ligand are most preferable.

メタセシス重合触媒の使用量は、(触媒中の金属原子:シクロオレフィンモノマー)のモル比で、通常、1:2,000〜1:2,000,000、好ましくは1:5,000〜1:1,000,000、より好ましくは1:10,000〜1:500,000の範囲である。   The used amount of the metathesis polymerization catalyst is usually 1: 2,000 to 1: 2,000,000, preferably 1: 5,000 to 1: in a molar ratio of (metal atom in the catalyst: cycloolefin monomer). The range is 1,000,000, more preferably 1: 10,000 to 1: 500,000.

メタセシス重合触媒は所望により、少量の不活性溶剤に溶解又は懸濁して使用することができる。かかる溶剤としては、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、流動パラフィン、ミネラルスピリットなどの鎖状脂肪族炭化水素;シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ジシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタンなどの脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素;ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリルなどの含窒素炭化水素;ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどの含酸素炭化水素;などが挙げられる。これらの中では、工業的に汎用な芳香族炭化水素や脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素の使用が好ましい。また、メタセシス重合触媒としての活性を低下させないものであれば、液状の老化防止剤、液状の可塑剤、液状のエラストマーを溶剤として用いてもよい。   If desired, the metathesis polymerization catalyst can be used dissolved or suspended in a small amount of an inert solvent. Such solvents include chain aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, n-hexane, n-heptane, liquid paraffin and mineral spirits; cyclopentane, cyclohexane, methylcyclohexane, dimethylcyclohexane, trimethylcyclohexane, ethylcyclohexane, diethylcyclohexane , Cycloaliphatic hydrocarbons such as decahydronaphthalene, dicycloheptane, tricyclodecane, hexahydroindene and cyclooctane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; nitrogen-containing hydrocarbons such as nitromethane, nitrobenzene and acetonitrile Oxygen-containing hydrocarbons such as diethyl ether and tetrahydrofuran; Among these, it is preferable to use industrially general-purpose aromatic hydrocarbons, aliphatic hydrocarbons, and alicyclic hydrocarbons. Further, as long as the activity as a metathesis polymerization catalyst is not lowered, a liquid anti-aging agent, a liquid plasticizer, or a liquid elastomer may be used as a solvent.

メタセシス重合触媒は、重合活性を制御し、重合反応率を向上させる目的で活性剤(共触媒)と併用することもできる。   The metathesis polymerization catalyst can be used in combination with an activator (cocatalyst) for the purpose of controlling the polymerization activity and improving the polymerization reaction rate.

活性剤としては、アルミニウム、スカンジウム、スズの、アルキル化物、ハロゲン化物、アルコキシ化物及びアリールオキシ化物などを用いることができる。その具体例としては、トリアルコキシアルミニウム、トリフェノキシアルミニウム、ジアルコキシアルキルアルミニウム、アルコキシジアルキルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム、ジアルコキシアルミニウムクロリド、アルコキシアルキルアルミニウムクロリド、ジアルキルアルミニウムクロリド、トリアルコキシスカンジウム、テトラアルコキシチタン、テトラアルコキシスズ、テトラアルコキシジルコニウムなどが挙げられる。   As the activator, aluminum, scandium, tin alkylates, halides, alkoxylates, aryloxylates, and the like can be used. Specific examples thereof include trialkoxyaluminum, triphenoxyaluminum, dialkoxyalkylaluminum, alkoxydialkylaluminum, trialkylaluminum, dialkoxyaluminum chloride, alkoxyalkylaluminum chloride, dialkylaluminum chloride, trialkoxyscandium, tetraalkoxytitanium, tetra Examples thereof include alkoxy tin and tetraalkoxy zirconium.

活性剤の使用量は、(触媒中の金属原子:活性剤)のモル比で、通常、1:0.05〜1:100、好ましくは1:0.2〜1:20、より好ましくは1:0.5〜1:10の範囲である。   The use amount of the activator is usually 1: 0.05 to 1: 100, preferably 1: 0.2 to 1:20, more preferably 1 in terms of a molar ratio of (metal atom in the catalyst: activator). : It is the range of 0.5-1: 10.

また、メタセシス重合触媒として、5族及び6族の遷移金属原子の錯体を用いる場合には、メタセシス重合触媒及び活性剤は、いずれもモノマーに溶解して用いるのが好ましいが、生成物の性質を本質的に損なわない範囲であれば少量の溶剤に懸濁又は溶解させて用いることができる。   In addition, when using a complex of transition metal atoms of Group 5 and Group 6 as the metathesis polymerization catalyst, it is preferable that both the metathesis polymerization catalyst and the activator are used by dissolving them in the monomer. As long as it is essentially not damaged, it can be suspended or dissolved in a small amount of solvent.

(架橋剤)
架橋剤は、本発明に用いられる架橋性樹脂成形体中、基材樹脂において架橋反応を誘起する目的で用いられる。本発明において、架橋剤としては、特に限定されないが、通常、ラジカル発生剤が好適に用いられる。ラジカル発生剤としては、有機過酸化物、ジアゾ化合物、及び非極性ラジカル発生剤などが挙げられる。
(Crosslinking agent)
The crosslinking agent is used for the purpose of inducing a crosslinking reaction in the base resin in the crosslinkable resin molded product used in the present invention. In the present invention, the crosslinking agent is not particularly limited, but usually a radical generator is suitably used. Examples of the radical generator include organic peroxides, diazo compounds, and nonpolar radical generators.

有機過酸化物としては、例えば、t−ブチルヒドロペルオキシド、p−メンタンヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシドなどのヒドロペルオキシド類;ジクミルペルオキシド、t−ブチルクミルペルオキシド、α,α’−ビス(t−ブチルペルオキシ−m−イソプロピル)ベンゼン、ジ−t−ブチルペルオキシド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルペルオキシ)−3−ヘキシン、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルペルオキシ)ヘキサンなどのジアルキルペルオキシド類;ジプロピオニルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシドなどのジアシルペルオキシド類;2,2−ジ(t−ブチルペルオキシ)ブタン、1,1−ジ(t−ヘキシルペルオキシ)シクロヘキサン、1,1−ジ(t−ブチルペルオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、1,1−ジ(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサンなどのペルオキシケタール類;t−ブチルペルオキシアセテート、t−ブチルペルオキシベンゾエートなどのペルオキシエステル類;t−ブチルペルオキシイソプロピルカルボナート、ジ(イソプロピルペルオキシ)ジカルボナートなどのペルオキシカルボナート類;t−ブチルトリメチルシリルペルオキシドなどのアルキルシリルペルオキシド類;などが挙げられる。中でも、開環重合反応に対する障害が少ない点で、ジアルキルペルオキシド類及びペルオキシケタール類が好ましい。   Examples of the organic peroxide include hydroperoxides such as t-butyl hydroperoxide, p-menthane hydroperoxide, cumene hydroperoxide; dicumyl peroxide, t-butylcumyl peroxide, α, α′-bis (t- Butylperoxy-m-isopropyl) benzene, di-t-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) -3-hexyne, 2,5-dimethyl-2,5-di ( dialkyl peroxides such as t-butylperoxy) hexane; diacyl peroxides such as dipropionyl peroxide and benzoyl peroxide; 2,2-di (t-butylperoxy) butane, 1,1-di (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-di (t-butylperoxy) -2-methyl Peroxyketals such as chlorocyclohexane and 1,1-di (t-butylperoxy) cyclohexane; peroxyesters such as t-butylperoxyacetate and t-butylperoxybenzoate; t-butylperoxyisopropylcarbonate, di (isopropylperoxy) ) Peroxycarbonates such as dicarbonate; alkylsilyl peroxides such as t-butyltrimethylsilyl peroxide; and the like. Of these, dialkyl peroxides and peroxyketals are preferred in that they have little obstacle to the ring-opening polymerization reaction.

ジアゾ化合物としては、例えば、4,4’−ビスアジドベンザル(4−メチル)シクロヘキサノン、4,4’−ジアジドカルコン、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、4,4’−ジアジドジフェニルスルホン、4,4’−ジアジドジフェニルメタン、2,2’−ジアジドスチルベンなどが挙げられる。   Examples of the diazo compound include 4,4′-bisazidobenzal (4-methyl) cyclohexanone, 4,4′-diazidochalcone, 2,6-bis (4′-azidobenzal) cyclohexanone, and 2,6-bis. (4′-azidobenzal) -4-methylcyclohexanone, 4,4′-diazidodiphenylsulfone, 4,4′-diazidodiphenylmethane, 2,2′-diazidostilbene and the like.

非極性ラジカル発生剤としては、2,3−ジメチル−2,3−ジフェニルブタン、2,3−ジフェニルブタン、1,4−ジフェニルブタン、3,4−ジメチル−3,4−ジフェニルヘキサン、1,1,2,2−テトラフェニルエタン、2,2,3,3−テトラフェニルブタン、3,3,4,4−テトラフェニルヘキサン、1,1,2−トリフェニルプロパン、1,1,2−トリフェニルエタン、トリフェニルメタン、1,1,1−トリフェニルエタン、1,1,1−トリフェニルプロパン、1,1,1−トリフェニルブタン、1,1,1−トリフェニルペンタン、1,1,1−トリフェニル−2−プロペン、1,1,1−トリフェニル−4−ペンテン、1,1,1−トリフェニル−2−フェニルエタンなどが挙げられる。   Non-polar radical generators include 2,3-dimethyl-2,3-diphenylbutane, 2,3-diphenylbutane, 1,4-diphenylbutane, 3,4-dimethyl-3,4-diphenylhexane, 1, 1,2,2-tetraphenylethane, 2,2,3,3-tetraphenylbutane, 3,3,4,4-tetraphenylhexane, 1,1,2-triphenylpropane, 1,1,2- Triphenylethane, triphenylmethane, 1,1,1-triphenylethane, 1,1,1-triphenylpropane, 1,1,1-triphenylbutane, 1,1,1-triphenylpentane, 1, Examples include 1,1-triphenyl-2-propene, 1,1,1-triphenyl-4-pentene, 1,1,1-triphenyl-2-phenylethane, and the like.

これらのラジカル発生剤は、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。2種以上のラジカル発生剤を併用し、その量比を調整することで、架橋性樹脂成形体の基材樹脂のガラス転移温度や溶融状態を任意に制御することが可能である。ラジカル発生剤の1分間半減期温度としては、特に限定はないが、通常、150〜300℃、好ましくは180〜250℃の範囲である。ここで1分間半減期温度とは、ラジカル発生剤の半量が1分間で分解する温度である。ラジカル発生剤の1分間半減期温度は、例えば、各ラジカル発生剤メーカー(例えば、日本油脂株式会社)のカタログやホームページを参照すればよい。   These radical generators can be used alone or in combination of two or more. It is possible to arbitrarily control the glass transition temperature and the molten state of the base resin of the crosslinkable resin molded article by using two or more kinds of radical generators together and adjusting the amount ratio thereof. The 1-minute half-life temperature of the radical generator is not particularly limited, but is usually in the range of 150 to 300 ° C, preferably 180 to 250 ° C. Here, the 1-minute half-life temperature is a temperature at which half of the radical generator decomposes in 1 minute. The 1-minute half-life temperature of the radical generator may be referred to, for example, a catalog or homepage of each radical generator manufacturer (for example, Nippon Oil & Fats Co., Ltd.).

架橋剤の配合量は、シクロオレフィンモノマー100重量部に対して、通常、0.1〜10重量部、好ましくは0.5〜5重量部である。架橋剤の配合量がかかる範囲にあれば、架橋性樹脂成形体の硬化時に基材樹脂が充分な架橋密度を有し、所望の物性を有する多層基板が効率的に得られるので、好適である。   The compounding quantity of a crosslinking agent is 0.1-10 weight part normally with respect to 100 weight part of cycloolefin monomers, Preferably it is 0.5-5 weight part. If the blending amount of the cross-linking agent is within such a range, the base resin has a sufficient cross-linking density when the cross-linkable resin molded body is cured, and thus a multilayer substrate having desired physical properties can be obtained efficiently. .

(シクロオレフィン構造を有するカップリング剤)
前記少なくとも1つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤とは、カップリング剤の疎水基部分に少なくとも1つのシクロオレフィン構造を含むカップリング剤をいう。かかるカップリング剤は、シクロオレフィン構造の存在によりシクロオレフィンモノマーとして機能し、その存在下にシクロオレフィンモノマーを開環重合すると、得られるポリマー鎖中にモノマー単位として組み込まれうる。シクロオレフィン構造を有するカップリング剤としては、特に限定されないが、シクロオレフィンモノマーとして前記したシクロオレフィンに、カップリング剤の親水基が、好ましくは前記親水基(X)が、より好ましくは前記親水基(x)が、結合してなる化合物が挙げられる。シクロオレフィンとカップリング剤の親水基との結合様式は、脂環式構造含有ポリマーとカップリング剤の親水基との結合様式と同様である。少なくとも1つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤としては、例えば、6−トリエトキシシリル−2−ノルボルネンや2−(ビシクロヘプタ−5−エン−2−イル)エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。少なくとも1つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤の配合量は、特に限定されないが、得られる脂環式構造含有ポリマー(A)の全モノマー単位100モル%中、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合が前記範囲となるように重合性組成物に配合するのが好ましい。
(Coupling agent having cycloolefin structure)
The coupling agent having at least one cycloolefin structure refers to a coupling agent having at least one cycloolefin structure in the hydrophobic group portion of the coupling agent. Such a coupling agent functions as a cycloolefin monomer due to the presence of the cycloolefin structure, and can be incorporated as a monomer unit into the resulting polymer chain when the cycloolefin monomer is subjected to ring-opening polymerization in the presence of the cycloolefin structure. Although it does not specifically limit as a coupling agent which has a cycloolefin structure, The hydrophilic group of a coupling agent to the above-mentioned cycloolefin as a cycloolefin monomer, Preferably the said hydrophilic group (X), More preferably, the said hydrophilic group Examples include compounds in which (x) is bonded. The bonding mode between the cycloolefin and the hydrophilic group of the coupling agent is the same as the bonding mode between the alicyclic structure-containing polymer and the hydrophilic group of the coupling agent. Examples of the coupling agent having at least one cycloolefin structure include 6-triethoxysilyl-2-norbornene and 2- (bicyclohept-5-en-2-yl) ethyltrimethoxysilane. The blending amount of the coupling agent having at least one cycloolefin structure is not particularly limited, but the hydrophilic group of the coupling agent is bonded to 100 mol% of all monomer units of the resulting alicyclic structure-containing polymer (A). It is preferable to mix | blend with a polymeric composition so that the ratio of a monomer unit may become the said range.

(連鎖移動基を有するカップリング剤)
前記少なくとも1つの連鎖移動基を有するカップリング剤とは、カップリング剤の疎水基部分に少なくとも1つの連鎖移動基を含むカップリング剤をいう。かかるカップリング剤は、連鎖移動基の存在により、その存在下にシクロオレフィンモノマーを開環重合すると、連鎖移動剤として機能し、得られるポリマーにおいて末端に位置するモノマー単位に結合しうる。連鎖移動基としては、例えば、ビニル基などが挙げられる。連鎖移動基を有するカップリング剤としては、特に限定されないが、連鎖移動剤として後述する化合物に、カップリング剤の親水基が、好ましくは前記親水基(X)が、より好ましくは前記親水基(x)が、結合してなる化合物が挙げられる。連鎖移動剤として後述する化合物とカップリング剤の親水基との結合様式は、脂環式構造含有ポリマーとカップリング剤の親水基との結合様式と同様である。連鎖移動基を有するカップリング剤としては、例えば、スチリルシラン、アリルシラン、及びアクリロキシシランなどが挙げられる。少なくとも1つの連鎖移動基を有するカップリング剤は、得られる脂環式構造含有ポリマー(A)中の、末端にカップリング剤の親水基が結合した脂環式構造含有ポリマーの割合を調整する観点から、連鎖移動基を有するカップリング剤を除く他の連鎖移動剤と併用してもよい。
(Coupling agent having a chain transfer group)
The coupling agent having at least one chain transfer group refers to a coupling agent containing at least one chain transfer group in the hydrophobic group portion of the coupling agent. Such a coupling agent functions as a chain transfer agent when the cycloolefin monomer is ring-opening polymerized in the presence of the chain transfer group, and can be bonded to a terminal monomer unit in the obtained polymer. Examples of the chain transfer group include a vinyl group. Although it does not specifically limit as a coupling agent which has a chain transfer group, The hydrophilic group of a coupling agent to the compound mentioned later as a chain transfer agent, Preferably the said hydrophilic group (X), More preferably, the said hydrophilic group ( x) is a compound formed by bonding. The bonding mode between the compound described later as the chain transfer agent and the hydrophilic group of the coupling agent is the same as the bonding mode of the alicyclic structure-containing polymer and the hydrophilic group of the coupling agent. Examples of the coupling agent having a chain transfer group include styryl silane, allyl silane, and acryloxy silane. The coupling agent having at least one chain transfer group is a viewpoint of adjusting the ratio of the alicyclic structure-containing polymer in which the hydrophilic group of the coupling agent is bonded to the terminal in the obtained alicyclic structure-containing polymer (A). From these, other chain transfer agents other than the coupling agent having a chain transfer group may be used in combination.

(その他の成分)
本発明の架橋性樹脂成形体の製造に用いられる重合性組成物には、前述の、シクロオレフィンモノマー、メタセシス重合触媒、無機充填剤、架橋剤、少なくとも1つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤、及び少なくとも1つの連鎖移動基を有するカップリング剤の他、所望により、少なくとも1つの架橋性基を有するカップリング剤、重合調整剤、重合反応遅延剤、連鎖移動剤、反応性流動化剤、架橋助剤、老化防止剤、及び着色料等のその他の成分を配合してもよい。
(Other ingredients)
The polymerizable composition used for the production of the crosslinkable resin molded article of the present invention includes the above-mentioned cycloolefin monomer, metathesis polymerization catalyst, inorganic filler, crosslinking agent, coupling agent having at least one cycloolefin structure, In addition to a coupling agent having at least one chain transfer group, if desired, a coupling agent having at least one crosslinkable group, a polymerization modifier, a polymerization reaction retarding agent, a chain transfer agent, a reactive fluidizing agent, and a crosslinking. You may mix | blend other components, such as an adjuvant, anti-aging agent, and a coloring agent.

(架橋性基を有するカップリング剤)
本発明に用いる少なくとも1つの架橋性基を有するカップリング剤とは、カップリング剤の疎水基部分に少なくとも1つの架橋性基を含むカップリング剤をいう。かかるカップリング剤は、架橋性基の存在により、本発明の架橋性樹脂成形体の架橋時に架橋反応に関与して脂環式構造含有ポリマーに結合しうる。従って、架橋性基を有するカップリング剤を含む架橋性樹脂成形体を硬化してなる第一の誘電体層の基材樹脂は脂環式構造含有ポリマー(A)の硬化物と実質的に同じものとなる。脂環式構造含有ポリマーに結合しているカップリング剤の親水基は無機物表面と結合しうるため、得られる多層基板において層間密着性の向上に寄与するものと推定される。
少なくとも1つの架橋性基を有するカップリング剤としては、特に限定されないが、架橋性基と、カップリング剤の親水基、好ましくは前記親水基(X)、より好ましくは前記親水基(x)とが結合してなる化合物が挙げられる。架橋性基としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ基、アミノ基、ラジカル重合性不飽和基、カルボキシル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、アルコキシシリル基等が挙げられる。中でも、脂環式構造含有ポリマーとの架橋反応性に優れることから、ラジカル重合性不飽和基が好ましく、ビニリデン基がより好ましい。ビニリデン基を含む架橋性基としては、イソプロペニル基やメタクリル基などが挙げられる。架橋性基とカップリング剤の親水基との結合様式は、脂環式構造含有ポリマーとカップリング剤の親水基との結合様式と同様である。架橋性基を有するカップリング剤としては、例えば、メタクリルシランなどが挙げられる。架橋性基を有するカップリング剤の配合量は、特に限定されないが、脂環式構造含有ポリマー(A)の全モノマー単位100モル%中、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合が前記範囲となるように架橋性樹脂成形体に配合するのが好ましい。
(Coupling agent having a crosslinkable group)
The coupling agent having at least one crosslinkable group used in the present invention refers to a coupling agent containing at least one crosslinkable group in the hydrophobic group portion of the coupling agent. Due to the presence of the crosslinkable group, such a coupling agent can participate in the crosslinking reaction during the crosslinking of the crosslinkable resin molded article of the present invention and bind to the alicyclic structure-containing polymer. Accordingly, the base resin of the first dielectric layer formed by curing the crosslinkable resin molded body containing the coupling agent having a crosslinkable group is substantially the same as the cured product of the alicyclic structure-containing polymer (A). It will be a thing. Since the hydrophilic group of the coupling agent bonded to the alicyclic structure-containing polymer can be bonded to the inorganic surface, it is presumed that the resulting multilayer substrate contributes to improvement of interlayer adhesion.
The coupling agent having at least one crosslinkable group is not particularly limited, but the crosslinkable group and the hydrophilic group of the coupling agent, preferably the hydrophilic group (X), more preferably the hydrophilic group (x). And a compound formed by bonding. Although it does not specifically limit as a crosslinkable group, For example, an epoxy group, an amino group, a radically polymerizable unsaturated group, a carboxyl group, an isocyanate group, a hydroxyl group, an alkoxysilyl group etc. are mentioned. Especially, since it is excellent in crosslinking reactivity with an alicyclic structure containing polymer, a radically polymerizable unsaturated group is preferable and a vinylidene group is more preferable. Examples of the crosslinkable group containing a vinylidene group include an isopropenyl group and a methacryl group. The bonding mode between the crosslinkable group and the hydrophilic group of the coupling agent is the same as the bonding mode between the alicyclic structure-containing polymer and the hydrophilic group of the coupling agent. Examples of the coupling agent having a crosslinkable group include methacryl silane. The blending amount of the coupling agent having a crosslinkable group is not particularly limited, but the ratio of the monomer unit to which the hydrophilic group of the coupling agent is bonded in 100 mol% of all monomer units of the alicyclic structure-containing polymer (A). It is preferable to blend in the crosslinkable resin molded body so as to be in the above range.

また、本発明の架橋性樹脂成形体には、得られる多層基板においてピール強度と配線埋め込み性をバランスよく高める観点から、テトラアルコキシシラン化合物、テトラアルケニロキシシラン化合物、及びテトラアリーロキシシラン化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物を含有させるのが好ましい。シラン化合物において、アルコキシ基、アルケニロキシ基、及びアリーロキシ基の炭素数としては、通常、1〜10の範囲である。シラン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、及びテトラフェノキシシランなどが挙げられ、加水分解及び縮合の反応性に優れることから、テトラエトキシシランが好ましい。シラン化合物の配合量は、特に限定されないが、シクロオレフィンモノマー100重量部に対し、通常、0.1〜10重量部、好ましくは0.5〜5重量部である。   The crosslinkable resin molded article of the present invention includes a tetraalkoxysilane compound, a tetraalkenyloxysilane compound, and a tetraaryloxysilane compound from the viewpoint of improving the peel strength and wiring embedding property in a balanced manner in the resulting multilayer substrate. It is preferable to contain at least one silane compound selected from the group consisting of: In the silane compound, the carbon number of the alkoxy group, alkenyloxy group, and aryloxy group is usually in the range of 1-10. Specific examples of the silane compound include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, and tetraphenoxysilane. Tetraethoxysilane is preferable because of excellent reactivity of hydrolysis and condensation. Although the compounding quantity of a silane compound is not specifically limited, It is 0.1-10 weight part normally with respect to 100 weight part of cycloolefin monomers, Preferably it is 0.5-5 weight part.

(連鎖移動剤)
本発明に用いる重合性組成物には、所望により連鎖移動剤を配合してもよい。得られる架橋性樹脂成形体では、加熱硬化時に表面の樹脂追従性が向上しうるため、かかる成形体を積層し、加熱して溶融、架橋して得られる多層基板では、層間密着性及び配線埋め込み性が高まり、好ましい。
(Chain transfer agent)
A chain transfer agent may be blended in the polymerizable composition used in the present invention as desired. In the resulting crosslinkable resin molded body, the resin followability of the surface can be improved during heat curing. Therefore, in multilayer boards obtained by laminating, heating, melting and crosslinking such a molded body, interlayer adhesion and wiring embedding Increased properties are preferable.

連鎖移動剤は、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を1以上有していてもよい。連鎖移動剤の具体例としては、1−ヘキセン、2−ヘキセン、スチレン、ビニルシクロヘキサン、アリルアミン、アクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルビニルエーテル、メチルビニルケトン、2−(ジエチルアミノ)エチルアクリレート、及び4−ビニルアニリンなどの、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を持たない連鎖移動剤;ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、メタクリル酸アリル、メタクリル酸スチリル、アクリル酸アリル、メタクリル酸ウンデセニル、アクリル酸スチリル、及びエチレングリコールジアクリレートなどの、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を1つ有する連鎖移動剤;アリルトリビニルシランやアリルメチルジビニルシランなどの、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を2以上有する連鎖移動剤などが挙げられる。これらの中でも、得られる多層基板において、配線埋め込み性と耐熱性とを高度にバランスさせる観点から、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を1以上有するものが好ましく、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を1つ有するものがより好ましい。かかる連鎖移動剤の中でも、ビニル基とメタクリル基とを1つずつ有する連鎖移動剤が好ましく、メタクリル酸ビニル、メタクリル酸アリル、メタクリル酸スチリル、及びメタクリル酸ウンデセニルなどが特に好ましい。
これらの連鎖移動剤は、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。本発明に用いる重合性組成物への連鎖移動剤の配合量としては、得られる多層基板の配線埋め込み性と耐熱性とのバランスを考慮し、シクロオレフィンモノマー100重量部に対して、通常、0.01〜10重量部、好ましくは0.1〜5重量部である。
The chain transfer agent may have one or more crosslinkable carbon-carbon unsaturated bonds. Specific examples of the chain transfer agent include 1-hexene, 2-hexene, styrene, vinylcyclohexane, allylamine, glycidyl acrylate, allyl glycidyl ether, ethyl vinyl ether, methyl vinyl ketone, 2- (diethylamino) ethyl acrylate, and 4- Chain transfer agents having no crosslinkable carbon-carbon unsaturated bonds, such as vinylaniline; divinylbenzene, vinyl methacrylate, allyl methacrylate, styryl methacrylate, allyl acrylate, undecenyl methacrylate, styryl acrylate, and ethylene Chain transfer agent having one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond, such as glycol diacrylate; Chain transfer agent having two or more crosslinkable carbon-carbon unsaturated bonds, such as allyltrivinylsilane and allylmethyldivinylsilane Na And the like. Among these, in the obtained multilayer substrate, those having at least one crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond are preferable from the viewpoint of highly balancing wiring embedding property and heat resistance, and the crosslinkable carbon-carbon unsaturation is preferable. Those having one bond are more preferred. Among such chain transfer agents, chain transfer agents having one vinyl group and one methacryl group are preferable, and vinyl methacrylate, allyl methacrylate, styryl methacrylate, and undecenyl methacrylate are particularly preferable.
These chain transfer agents can be used alone or in combination of two or more. The amount of chain transfer agent added to the polymerizable composition used in the present invention is usually 0 with respect to 100 parts by weight of the cycloolefin monomer in consideration of the balance between wiring embedding property and heat resistance of the resulting multilayer substrate. 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight.

(反応性流動化剤)
本発明に用いられる反応性流動化剤とは、本発明の架橋性樹脂成形体の基材樹脂において、流動化剤として該樹脂のガラス転移温度(Tg)を低下させ、かつ架橋剤により架橋反応が誘起された後においては当該反応に関与して該樹脂に結合反応性を示す化合物をいう。例えば、本発明の架橋性樹脂成形体が反応性流動化剤を含む場合、当該成形体を金属箔などと積層する際、当該成形体を加熱することで容易に溶融積層することができ、しかも得られる多層基板においては充分な層間密着性が得られる。さらに、反応性流動化剤は、積層する際の加熱で架橋剤により誘起される架橋反応に関与して基材樹脂に結合し得るため、当該加熱以後は、該樹脂中で実質的に遊離の状態で存在することはなく、従って、いわゆる可塑剤のように、得られる多層基板の耐熱性を低下させる因子となることもない。むしろ、得られる多層基板において耐熱性や耐クラック性を高める効果を奏し得る。
(Reactive fluidizer)
The reactive fluidizing agent used in the present invention is a base resin of the crosslinkable resin molded body of the present invention, which lowers the glass transition temperature (Tg) of the resin as a fluidizing agent and crosslinks with the crosslinking agent. After the induction, the compound is involved in the reaction and exhibits binding reactivity to the resin. For example, when the crosslinkable resin molded body of the present invention contains a reactive fluidizing agent, when the molded body is laminated with a metal foil or the like, it can be easily melt-laminated by heating the molded body, In the obtained multilayer substrate, sufficient interlayer adhesion can be obtained. Furthermore, since the reactive fluidizing agent can participate in the crosslinking reaction induced by the crosslinking agent upon heating during lamination, it can bind to the base resin, so that after the heating, the reactive fluidizing agent is substantially free in the resin. Therefore, unlike a so-called plasticizer, it does not become a factor that reduces the heat resistance of the resulting multilayer substrate. Rather, the resulting multilayer substrate can have the effect of increasing heat resistance and crack resistance.

本発明に使用される反応性流動化剤としては、シクロオレフィンモノマー中の重合性の炭素−炭素二重結合や、ビニル基などの、開環重合反応に関与し得る脂肪族炭素−炭素不飽和結合を持たず、かつ架橋剤により誘起される架橋反応に関与して重合体に結合し得る脂肪族炭素−炭素不飽和結合や有機基を1つ有する単官能化合物、中でも、重合性の脂肪族炭素−炭素不飽和結合を持たず、かつ架橋性の脂肪族炭素−炭素不飽和結合を1つ有する単官能化合物が好ましい。架橋剤により誘起される架橋反応に関与して脂環式構造含有ポリマーに結合し得る、架橋性の脂肪族炭素−炭素不飽和結合としては、反応性流動化剤を構成する化合物中、例えば、末端ビニリデン基として、特に、イソプロペニル基やメタクリル基として存在するのが好ましく、メタクリル基として存在するのがより好ましい。前記有機基としては、エポキシ基、イソシアネート基、及びスルホ基などが挙げられる。   As the reactive fluidizing agent used in the present invention, an aliphatic carbon-carbon unsaturation that can participate in a ring-opening polymerization reaction such as a polymerizable carbon-carbon double bond or a vinyl group in a cycloolefin monomer. Monofunctional compound having no bond and one aliphatic carbon-carbon unsaturated bond or one organic group that can be bonded to a polymer by participating in a crosslinking reaction induced by a crosslinking agent, among which a polymerizable aliphatic group A monofunctional compound having no carbon-carbon unsaturated bond and one crosslinkable aliphatic carbon-carbon unsaturated bond is preferred. As the crosslinkable aliphatic carbon-carbon unsaturated bond that can be bonded to the alicyclic structure-containing polymer by participating in the crosslinking reaction induced by the crosslinking agent, among the compounds constituting the reactive fluidizing agent, for example, The terminal vinylidene group is particularly preferably present as an isopropenyl group or a methacryl group, and more preferably as a methacryl group. Examples of the organic group include an epoxy group, an isocyanate group, and a sulfo group.

かかる反応性流動化剤としては、例えば、ラウリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、及びメトキシジエチレングリコールメタクリレートなどの、メタクリル基を1つ有する単官能化合物;イソプロペニルベンゼンなどの、イソプロペニル基を1つ有する単官能化合物;などが挙げられ、好ましくはメタクリル基を1つ有する単官能化合物である。これらの反応性流動化剤は、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。反応性流動化剤の配合量は、所望により適宜選択すればよいが、シクロオレフィンモノマー100重量部に対し、通常、0.1〜100重量部、好ましくは0.5〜50重量部、より好ましくは1〜30重量部である。   Examples of such reactive fluidizing agents include monofunctional compounds having one methacrylic group such as lauryl methacrylate, benzyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, and methoxydiethylene glycol methacrylate; 1 isopropenyl group such as isopropenylbenzene. A monofunctional compound having one methacryl group, and the like. These reactive fluidizing agents can be used alone or in combination of two or more. The blending amount of the reactive fluidizing agent may be appropriately selected as desired, but is usually 0.1 to 100 parts by weight, preferably 0.5 to 50 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the cycloolefin monomer. Is 1-30 parts by weight.

(架橋助剤)
本発明に用いられる架橋助剤は、開環重合に関与せず、架橋剤により誘起される架橋反応に関与可能な架橋性炭素−炭素不飽和結合を2以上有する化合物が好ましい。かかる架橋性炭素−炭素不飽和結合は、架橋助剤を構成する化合物中、例えば、末端ビニリデン基として、特に、イソプロペニル基やメタクリル基として存在するのが好ましく、メタクリル基として存在するのがより好ましい。
(Crosslinking aid)
The crosslinking aid used in the present invention is preferably a compound having two or more crosslinkable carbon-carbon unsaturated bonds that do not participate in ring-opening polymerization and can participate in a crosslinking reaction induced by the crosslinking agent. Such a crosslinkable carbon-carbon unsaturated bond is preferably present as a terminal vinylidene group, particularly as an isopropenyl group or a methacryl group, more preferably as a methacryl group, in the compound constituting the crosslinking aid. preferable.

架橋助剤の具体例としては、p−ジイソプロペニルベンゼン、m−ジイソプロペニルベンゼン、o−ジイソプロペニルベンゼンなどの、イソプロペニル基を2以上有する多官能化合物;エチレンジメタクリレート、1,3−ブチレンジメタクリレート、1,4−ブチレンジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、2,2’−ビス(4−メタクリロキシジエトキシフェニル)プロパン、トリメチロ−ルプロパントリメタクリレート、ペンタエリトリトールトリメタクリレートなどの、メタクリル基を2以上有する多官能化合物などを挙げることができる。中でも、架橋助剤としては、得られる多層基板の耐熱性や耐クラック性を向上させる観点から、メタクリル基を2以上有する多官能化合物が好ましい。メタクリル基を2以上有する多官能化合物の中では、特に、トリメチロ−ルプロパントリメタクリレートやペンタエリトリトールトリメタクリレートなどの、メタクリル基を3つ有する多官能化合物がより好適である。   Specific examples of the crosslinking aid include polyfunctional compounds having two or more isopropenyl groups, such as p-diisopropenylbenzene, m-diisopropenylbenzene, o-diisopropenylbenzene; ethylene dimethacrylate, 1, 3 -Butylene dimethacrylate, 1,4-butylene dimethacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, polyethylene glycol dimethacrylate, polyethylene glycol dimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, 2,2 2 or more methacrylic groups such as' -bis (4-methacryloxydiethoxyphenyl) propane, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate Such as a polyfunctional compound having may be mentioned. Among these, as the crosslinking aid, a polyfunctional compound having two or more methacryl groups is preferable from the viewpoint of improving the heat resistance and crack resistance of the resulting multilayer substrate. Among polyfunctional compounds having two or more methacryl groups, polyfunctional compounds having three methacryl groups such as trimethylolpropane trimethacrylate and pentaerythritol trimethacrylate are more preferable.

前記架橋助剤は、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。架橋助剤の配合量としては、シクロオレフィンモノマー100重量部に対して、通常、0.1〜100重量部、好ましくは0.5〜50重量部、より好ましくは1〜30重量部である。   The crosslinking aids can be used alone or in combination of two or more. As a compounding quantity of a crosslinking adjuvant, it is 0.1-100 weight part normally with respect to 100 weight part of cycloolefin monomers, Preferably it is 0.5-50 weight part, More preferably, it is 1-30 weight part.

反応性流動化剤と架橋助剤とを共に配合する場合、両者の配合割合は、所望により適宜選択すればよいが、重量比(反応性流動化剤/架橋助剤)で、通常、5/95〜90/10、好ましくは10/90〜70/30、より好ましくは15/85〜70/30の範囲である。配合割合がかかる範囲にあれば、架橋性樹脂成形体においては樹脂の流動性が向上し、また、多層基板においては配線埋め込み性と耐熱性とがバランスされ、好適である。本発明において特に好適な反応性流動化剤と架橋助剤との組合せとしては、ベンジルメタクリレート(反応性流動化剤)とトリメチロ−ルプロパントリメタクリレート(架橋助剤
)とからなる組合せが挙げられる。
When both the reactive fluidizing agent and the crosslinking aid are blended, the blending ratio of the two may be appropriately selected as desired, but the weight ratio (reactive fluidizing agent / crosslinking aid) is usually 5 / The range is 95 to 90/10, preferably 10/90 to 70/30, and more preferably 15/85 to 70/30. If the blending ratio is within such a range, the resin flowability is improved in the crosslinkable resin molded article, and the wiring embedding property and heat resistance are balanced in the multilayer substrate, which is preferable. A particularly preferred combination of the reactive fluidizing agent and the crosslinking aid in the present invention includes a combination of benzyl methacrylate (reactive fluidizing agent) and trimethylolpropane trimethacrylate (crosslinking aid).

反応性流動化剤と架橋助剤とからなる組合せの、重合性組成物への配合量(反応性流動化剤と架橋助剤との合計配合量)としては、シクロオレフィンモノマー100重量部に対して、通常、0.2〜200重量部、好ましくは1〜100重量部、より好ましくは2〜60重量部である。   The combination amount of the reactive fluidizing agent and the crosslinking aid in the polymerizable composition (total amount of the reactive fluidizing agent and the crosslinking aid) is based on 100 parts by weight of the cycloolefin monomer. The amount is usually 0.2 to 200 parts by weight, preferably 1 to 100 parts by weight, more preferably 2 to 60 parts by weight.

本発明に用いる重合性組成物は、上記成分を適宜混合して得ることができる。混合方法としては、常法に従えばよく、例えば、メタセシス重合触媒を適当な溶媒に溶解若しくは分散させた液(触媒液)を、シクロオレフィンモノマー、及び適宜、その他の成分等を配合した液(モノマー液)に添加し、攪拌することによって調製することができる。   The polymerizable composition used in the present invention can be obtained by appropriately mixing the above components. As a mixing method, a conventional method may be used. For example, a liquid (catalyst liquid) in which a metathesis polymerization catalyst is dissolved or dispersed in an appropriate solvent is mixed with a cycloolefin monomer and other components as appropriate ( It can be prepared by adding to the monomer solution and stirring.

(架橋性樹脂成形体の製造方法)
架橋性樹脂成形体は、前記重合性組成物を開環重合することにより効率よく調製可能である。重合性組成物を開環重合して架橋性樹脂成形体を得る方法としては、例えば、(a)重合性組成物を支持体上に塗布し、次いで塊状重合する方法、(b)重合性組成物を成形型内に注入し、次いで塊状重合する方法、(c)重合性組成物を繊維状強化材に含浸させ、次いで塊状重合する方法などが挙げられる。
(Method for producing crosslinkable resin molded article)
The crosslinkable resin molded product can be efficiently prepared by ring-opening polymerization of the polymerizable composition. Examples of a method for obtaining a crosslinkable resin molded article by ring-opening polymerization of the polymerizable composition include, for example, (a) a method in which a polymerizable composition is applied on a support and then bulk polymerization, and (b) a polymerizable composition. Examples thereof include a method of injecting a product into a mold and then bulk polymerization, (c) a method in which a fibrous reinforcing material is impregnated with a polymerizable composition, and then bulk polymerization.

(a)の方法によれば、フィルム状や板状等の架橋性樹脂成形体が得られる。支持体としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、及びナイロンなどの樹脂からなるフィルムや板;鉄、ステンレス、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、金、及び銀などの金属材料からなるフィルムや板;などが挙げられる。中でも、金属箔又は樹脂フィルムの使用が好ましい。金属箔又は樹脂フィルムの厚さは、作業性などの観点から、通常、1〜150μm、好ましくは2〜100μm、より好ましくは3〜75μmである。金属箔としては、その表面が平滑であるものが好ましく、その表面粗度(Rz)としては、通常、10μm以下、好ましくは5μm以下、より好ましくは3μm以下、さらに好ましくは2μm以下である。金属箔の表面粗度が上記範囲にあれば、例えば、得られる高周波回路基板において、高周波伝送におけるノイズ、遅延、及び伝送ロス等の発生が抑えられ、好ましい。金属箔の表面は、シランカップリング剤、チオールカップリング剤、及びチタネートカップリング剤などの公知のカップリング剤や接着剤などで処理されていてもよい。(a)の方法によれば、例えば、支持体として銅箔を用いた場合、樹脂付き銅箔〔Resin Coated Copper (RCC)〕を得ることができる。   According to the method (a), a crosslinkable resin molded product such as a film or plate can be obtained. Examples of the support include films and plates made of resins such as polytetrafluoroethylene, polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyarylate, and nylon; iron, stainless steel, copper, aluminum, nickel, chromium And films and plates made of metal materials such as gold, silver, and the like. Among these, use of a metal foil or a resin film is preferable. The thickness of the metal foil or resin film is usually 1 to 150 μm, preferably 2 to 100 μm, more preferably 3 to 75 μm, from the viewpoint of workability and the like. The metal foil preferably has a smooth surface, and the surface roughness (Rz) is usually 10 μm or less, preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less, and even more preferably 2 μm or less. If the surface roughness of the metal foil is in the above range, for example, in the obtained high-frequency circuit board, generation of noise, delay, transmission loss and the like in high-frequency transmission is suppressed, which is preferable. The surface of the metal foil may be treated with a known coupling agent or adhesive such as a silane coupling agent, a thiol coupling agent, and a titanate coupling agent. According to the method (a), for example, when a copper foil is used as the support, a resin-coated copper foil (Resin Coated Copper (RCC)) can be obtained.

支持体上に重合性組成物を塗布する方法としては、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ダイコート法、及びスリットコート法などの公知の塗布方法が挙げられる。   Examples of the method for applying the polymerizable composition on the support include known coating methods such as spray coating, dip coating, roll coating, curtain coating, die coating, and slit coating.

支持体上に塗布された重合性組成物を所望により乾燥させ、次いで塊状重合する。塊状重合は重合性組成物を所定の温度で加熱して行われる。重合性組成物の加熱方法としては特に制約されず、支持体に塗布された重合性組成物を、加熱プレート上に載せて加熱する方法、プレス機を用いて加圧しながら加熱(熱プレス)する方法、加熱したローラーで押圧する方法、加熱炉内で加熱する方法などが挙げられる。   The polymerizable composition coated on the support is optionally dried and then bulk polymerized. Bulk polymerization is performed by heating the polymerizable composition at a predetermined temperature. The method for heating the polymerizable composition is not particularly limited, and the polymerizable composition applied to the support is heated on a heating plate, and heated (hot press) while being pressed using a press. Examples thereof include a method, a method of pressing with a heated roller, and a method of heating in a heating furnace.

(b)の方法によれば、任意の形状の架橋性樹脂成形体を得ることができる。その形状としては、シート状、フィルム状、柱状、円柱状、及び多角柱状等が挙げられる。   According to the method (b), a crosslinkable resin molded body having an arbitrary shape can be obtained. Examples of the shape include a sheet shape, a film shape, a column shape, a columnar shape, and a polygonal column shape.

ここで用いる型としては、従来公知の成形型、例えば、割型構造、すなわち、コア型とキャビティー型を有する成形型を用いることができ、それらの空隙部(キャビティー)に重合性組成物を注入して塊状重合させる。コア型とキャビティー型は、目的とする成形品の形状にあった空隙部を形成するように作製される。成形型の形状、材質、大きさなどは特に制限されない。さらに、ガラス板や金属板などの板状成形型と所定の厚さのスペーサーとを用意し、スペーサーを2枚の板状成形型で挟んで形成される空間内に重合性組成物を注入し塊状重合することにより、シート状又はフィルム状の架橋性樹脂成形体を得ることもできる。   As the mold used here, a conventionally known mold, for example, a split mold structure, that is, a mold having a core mold and a cavity mold, can be used, and a polymerizable composition is formed in these voids (cavities). Is injected to cause bulk polymerization. The core mold and the cavity mold are produced so as to form a gap that matches the shape of the target molded product. The shape, material, size, etc. of the mold are not particularly limited. Furthermore, a plate-shaped mold such as a glass plate or a metal plate and a spacer having a predetermined thickness are prepared, and the polymerizable composition is injected into a space formed by sandwiching the spacer between two plate-shaped molds. By carrying out bulk polymerization, a sheet-like or film-like crosslinkable resin molded article can also be obtained.

重合性組成物を成形型のキャビティー内に充填する際の充填圧力(注入圧)は、通常、0.01〜10MPa、好ましくは0.02〜5MPaである。充填圧力が低すぎると、キャビティー内周面に形成された転写面の転写が良好に行われない傾向にあり、充填圧が高すぎると、成形型の剛性を高くしなければならず経済的ではない。型締圧力は、通常、0.01〜10MPaの範囲内である。重合性組成物の加熱方法としては、成形型に配設された電熱器やスチームなどの加熱手段を利用する方法や、成形型を電気炉内で加熱する方法などが挙げられる。   The filling pressure (injection pressure) when filling the polymerizable composition into the cavity of the mold is usually 0.01 to 10 MPa, preferably 0.02 to 5 MPa. If the filling pressure is too low, the transfer surface formed on the inner peripheral surface of the cavity tends not to be transferred well. If the filling pressure is too high, the mold must be rigid and economical. is not. The mold clamping pressure is usually in the range of 0.01 to 10 MPa. Examples of the method for heating the polymerizable composition include a method using a heating means such as an electric heater and steam disposed in the mold, and a method for heating the mold in an electric furnace.

(c)の方法は、シート状又はフィルム状の架橋性樹脂成形体を得るのに好適に使用される。得られる成形体の厚さは、通常、0.001〜10mm、好ましくは0.005〜1mm、より好ましくは0.01〜0.5mmの範囲である。この範囲にあれば、積層時の賦形性、及び多層基板の機械的強度や靭性などが向上し、好適である。例えば、重合性組成物の繊維状強化材への含浸は、重合性組成物の所定量を、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ダイコート法、及びスリットコート法等の公知の方法により繊維状強化材に塗布し、所望によりその上に保護フィルムを重ね、上側からローラーなどで押圧することにより行うことができる。重合性組成物を繊維状強化材に含浸させた後、含浸物を所定温度に加熱することで重合性組成物を塊状重合させ、所望の架橋性樹脂成形体を得る。架橋性樹脂成形体中、繊維状強化材の含有量としては、通常、10〜90重量%、好ましくは20〜80重量%、より好ましくは30〜70重量%の範囲である。この範囲にあれば、得られる多層基板の誘電特性と機械的強度がバランスされ、好適である。   The method (c) is suitably used for obtaining a sheet-like or film-like crosslinkable resin molded article. The thickness of the obtained molded body is usually in the range of 0.001 to 10 mm, preferably 0.005 to 1 mm, more preferably 0.01 to 0.5 mm. If it exists in this range, the shaping property at the time of lamination | stacking and the mechanical strength, toughness, etc. of a multilayer substrate will improve, and it is suitable. For example, the impregnation of the polymerizable composition into the fibrous reinforcing material is performed by using a predetermined amount of the polymerizable composition such as a spray coating method, a dip coating method, a roll coating method, a curtain coating method, a die coating method, and a slit coating method. It can apply by apply | coating to a fibrous reinforcement by a well-known method, stacking a protective film on it as needed, and pressing with a roller etc. from an upper side. After impregnating the polymerizable composition with the fibrous reinforcing material, the impregnated material is heated to a predetermined temperature to cause the polymerizable composition to undergo bulk polymerization to obtain a desired crosslinkable resin molded article. The content of the fibrous reinforcing material in the crosslinkable resin molded body is usually in the range of 10 to 90% by weight, preferably 20 to 80% by weight, more preferably 30 to 70% by weight. Within this range, the dielectric properties and mechanical strength of the resulting multilayer substrate are balanced, which is preferable.

繊維状強化材としては、無機系及び/又は有機系の繊維が使用できる。例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)繊維、アラミド繊維、超高分子ポリエチレン繊維、ポリアミド(ナイロン)繊維、及び液晶ポリエステル繊維などの有機繊維;ガラス繊維、炭素繊維、アルミナ繊維、タングステン繊維、モリブデン繊維、ブデン繊維、チタン繊維、スチール繊維、ボロン繊維、シリコンカーバイド繊維、及びシリカ繊維などの無機繊維;などが挙げられる。これらの中でも、有機繊維やガラス繊維が好ましく、特にアラミド繊維、液晶ポリエステル繊維、及びガラス繊維が好ましい。ガラス繊維としては、Eガラス、NEガラス、Sガラス、Dガラス、及びHガラス等の繊維を好適に用いることができる。これらは1種単独で、又は2種以上を組合せて用いることができる。繊維状強化材の形態としては、特に限定されず、例えば、マット、クロス、及び不織布などが挙げられる。   As the fibrous reinforcing material, inorganic and / or organic fibers can be used. For example, organic fibers such as PET (polyethylene terephthalate) fiber, aramid fiber, ultra-high molecular polyethylene fiber, polyamide (nylon) fiber, and liquid crystal polyester fiber; glass fiber, carbon fiber, alumina fiber, tungsten fiber, molybdenum fiber, and budene fiber , Inorganic fibers such as titanium fiber, steel fiber, boron fiber, silicon carbide fiber, and silica fiber. Among these, organic fibers and glass fibers are preferable, and aramid fibers, liquid crystal polyester fibers, and glass fibers are particularly preferable. As the glass fiber, fibers such as E glass, NE glass, S glass, D glass, and H glass can be suitably used. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The form of the fibrous reinforcing material is not particularly limited, and examples thereof include mats, cloths, and nonwoven fabrics.

繊維状強化材に重合性組成物を含浸させてなる含浸物の加熱方法としては、例えば、含浸物を支持体上に設置して前記(a)の方法のようにして加熱する方法、予め型内に繊維状強化材を設置しておき、該型内で重合性組成物を含浸させて含浸物を得、前記(b)の方法のようにして加熱する方法などが挙げられる。   Examples of the heating method of the impregnated product obtained by impregnating the fibrous reinforcing material with the polymerizable composition include, for example, a method in which the impregnated product is placed on a support and heated as in the method (a) above, Examples thereof include a method in which a fibrous reinforcing material is placed in the mold, an impregnated product is obtained by impregnating the polymerizable composition in the mold, and heating is performed as in the method (b).

前記(a)、(b)及び(c)のいずれの方法においても、重合性組成物を重合させるための加熱温度は、通常、30〜250℃、好ましくは50〜200℃、より好ましくは90〜150℃の範囲であって、かつ架橋剤、通常、ラジカル発生剤の1分間半減期温度以下、好ましくは1分間半減期温度の10℃以下、より好ましくは1分間半減期温度の20℃以下である。また、重合時間は適宜選択すればよいが、通常、1秒間〜20分間、好ましくは10秒間〜5分間である。重合性組成物をかかる条件で加熱することにより未反応モノマーの少ない架橋性樹脂成形体が得られるので好適である。   In any of the methods (a), (b) and (c), the heating temperature for polymerizing the polymerizable composition is usually 30 to 250 ° C, preferably 50 to 200 ° C, more preferably 90. In the range of ˜150 ° C. and not more than 1 minute half-life temperature of the crosslinking agent, usually radical generator, preferably not more than 10 ° C. of 1 minute half-life temperature, more preferably not more than 20 ° C. of 1 minute half-life temperature It is. The polymerization time may be appropriately selected, but is usually 1 second to 20 minutes, preferably 10 seconds to 5 minutes. Heating the polymerizable composition under such conditions is preferable because a crosslinkable resin molded article with less unreacted monomer can be obtained.

本発明に用いる架橋性樹脂成形体は、その構成樹脂の一部分が架橋されたものであってもよい。例えば、型内で重合性組成物を塊状重合したときには、型の中心部分は重合反応熱が発散しにくいので、型内の一部の温度が高くなりすぎる場合がある。高温部では架橋反応が起き、架橋が生ずることがある。しかし、熱を発散しやすい表面部が架橋性の樹脂で形成されていれば、本発明に用いられる架橋性樹脂成形体は所望の効果を充分に発揮し得る。   The crosslinkable resin molded product used in the present invention may be one in which a part of the constituent resin is crosslinked. For example, when the polymerizable composition is bulk-polymerized in the mold, the temperature of a part of the mold may become too high because the polymerization reaction heat hardly diffuses in the central part of the mold. In the high temperature part, a cross-linking reaction occurs, and cross-linking may occur. However, if the surface part that easily radiates heat is formed of a crosslinkable resin, the crosslinkable resin molded article used in the present invention can sufficiently exhibit the desired effect.

以上のようにして得られる架橋性樹脂成形体は、例えば、プリプレグとして、本発明の多層基板の製造に好適に用いられる。   The crosslinkable resin molded body obtained as described above is suitably used for the production of the multilayer substrate of the present invention, for example, as a prepreg.

(多層基板の製造方法)
本発明の多層基板の製造は、生産効率を高める観点から、前述のようにして得られる架橋性樹脂成形体からなるプリプレグを用いて行うのが好適である。
架橋性樹脂成形体(I)からなるプリプレグの片面又は両面に金属箔を積層し、加熱プレスして基材樹脂を架橋し硬化することにより、片面又は両面に金属箔が積層された第一の誘電体層を形成する。多層基板のQ値を向上させる観点から、金属箔としては、表面粗度(Rz)が2μm以下であるものが好ましい。金属箔の厚さは、使用目的に応じて適宜選択すればよいが、通常、0.5〜50μm、好ましくは1〜30μm、より好ましくは2〜20μm、最も好ましくは2〜15μmの範囲である。金属箔は、その表面が、シランカップリング剤、チオールカップリング剤、チタネートカップリング剤、各種接着剤などで処理されていてもよく、シランカップリング剤で処理されていることが好ましい。、シランカップリング剤で処理されていることで架橋性樹脂成形体(I)との接着力が向上する。加熱プレス時の温度は、基材樹脂において、架橋剤により架橋反応が誘起される温度以上である。例えば、架橋剤としてラジカル発生剤を使用する場合、通常、1分間半減期温度以上、好ましくは1分間半減期温度より5℃以上高い温度、より好ましくは1分間半減期温度より10℃以上高い温度である。典型的には、100〜300℃、好ましくは150〜250℃の範囲である。加熱時間は、通常、0.1〜180分間、好ましくは0.5〜120分間、より好ましくは1〜60分間の範囲である。加熱プレス時の圧力は、通常、0.5〜20MPa、好ましくは3〜10MPaである。加熱プレスは、真空又は減圧雰囲気下で行ってもよい。加熱プレスは、平板成形用のプレス枠型を有する公知のプレス機、シートモールドコンパウンド(SMC)やバルクモールドコンパウンド(BMC)などのプレス成形機を用いて行なうことができる。
(Multilayer substrate manufacturing method)
The production of the multilayer substrate of the present invention is preferably carried out using a prepreg composed of a crosslinkable resin molded article obtained as described above from the viewpoint of increasing production efficiency.
A metal foil is laminated on one side or both sides of a prepreg made of the crosslinkable resin molded body (I), and heated and pressed to crosslink and cure the base resin, whereby the metal foil is laminated on one side or both sides. A dielectric layer is formed. From the viewpoint of improving the Q value of the multilayer substrate, the metal foil preferably has a surface roughness (Rz) of 2 μm or less. The thickness of the metal foil may be appropriately selected according to the purpose of use, but is usually in the range of 0.5 to 50 μm, preferably 1 to 30 μm, more preferably 2 to 20 μm, and most preferably 2 to 15 μm. . The surface of the metal foil may be treated with a silane coupling agent, a thiol coupling agent, a titanate coupling agent, various adhesives, or the like, and is preferably treated with a silane coupling agent. By being treated with the silane coupling agent, the adhesive force with the crosslinkable resin molded article (I) is improved. The temperature at the time of hot pressing is not less than the temperature at which the crosslinking reaction is induced by the crosslinking agent in the base resin. For example, when a radical generator is used as a crosslinking agent, it is usually at least 1 minute half-life temperature, preferably at least 5 ° C. above 1-minute half-life temperature, more preferably at least 10 ° C. above 1-minute half-life temperature. It is. Typically, it is in the range of 100 to 300 ° C, preferably 150 to 250 ° C. The heating time is usually in the range of 0.1 to 180 minutes, preferably 0.5 to 120 minutes, more preferably 1 to 60 minutes. The pressure at the time of hot pressing is usually 0.5 to 20 MPa, preferably 3 to 10 MPa. The heating press may be performed in a vacuum or a reduced pressure atmosphere. The heating press can be performed using a known press machine having a press frame mold for flat plate molding, a press molding machine such as a sheet mold compound (SMC) or a bulk mold compound (BMC).

回路パターンは、得られた第一の誘電体層の片面又は両面に積層された金属箔のベタパターン上に、フォトリソグラフィーの手法を用いて、受動素子を構成する導体パターンを含む回路パターンが形成されるようにパターニングされたエッチングレジストを形成し、続いて、エッチングを行うことにより形成することができる。これにより、第一の誘電体層の少なくとも片面に回路パターンにより受動素子を形成してなる回路板が得られる。回路板の回路パターンには、所望により、2以上の受動素子を構成する導体パターンを形成してもよい。   The circuit pattern is formed on the solid pattern of the metal foil laminated on one side or both sides of the obtained first dielectric layer, using a photolithography technique, including a conductor pattern constituting a passive element. It can be formed by forming an etching resist patterned as described above and then performing etching. As a result, a circuit board in which passive elements are formed by a circuit pattern on at least one surface of the first dielectric layer is obtained. If desired, the circuit pattern of the circuit board may be formed with a conductor pattern constituting two or more passive elements.

次に、得られた回路板の両面に架橋性樹脂成形体(II)からなるプリプレグを積層し、前記と同様にして加熱プレスを行い、当該プリプレグの基材樹脂を架橋し硬化することにより、回路板の両面に第二の誘電体層を積層してなる積層板が得られる。当該積層板は、そのまま本発明の多層基板として用いることができるが、通常、積層板を得る際、架橋性樹脂成形体(II)からなるプリプレグ上に、さらに金属箔を積層し加熱プレスを行い、金属箔に対し適宜所望の回路パターンを形成するのが好ましい。   Next, by laminating a prepreg composed of a crosslinkable resin molded body (II) on both surfaces of the obtained circuit board, performing a heat press in the same manner as described above, crosslinking and curing the base resin of the prepreg, A laminated board obtained by laminating the second dielectric layer on both sides of the circuit board is obtained. The laminate can be used as it is as the multilayer substrate of the present invention. Usually, when obtaining a laminate, a metal foil is further laminated on the prepreg composed of the crosslinkable resin molded body (II) and subjected to hot pressing. It is preferable to appropriately form a desired circuit pattern on the metal foil.

なお、前記積層板に対し、回路パターンの形成及び誘電体層の形成をそれぞれ1回以上繰り返して行ってもよい。その場合、回路パターンは、必ずしも受動素子を構成する導体パターンを含む必要はなく、また、誘電体層は、架橋性樹脂成形体(I)又は(II)を硬化して形成してもよいし、本発明の所望の効果の発現が阻害されない限り、公知の樹脂材料により形成してもよい。公知の樹脂材料としては、例えば、PPE(ポリフェニレンエーテル)、BTレジン(ビスマレイミドトリアジン)、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、及びポリアミドビスマレイミドなどが挙げられる。さらに、前記回路板、前記積層板、及び前記積層板に対し、回路パターンの形成及び誘電体層の形成をそれぞれ1回以上繰り返して行ったものに対し、所望により、公知の方法に従って、ビアホール及び/又はスルーホールを形成してもよい。また、形成されたホール内に導電性ペーストを充填して、層間の回路パターンを電気的に接続する為の電気的接続導体や放熱路を形成しても良い。   Note that the circuit pattern and the dielectric layer may be formed once or more times on the laminated plate. In that case, the circuit pattern does not necessarily include a conductor pattern constituting a passive element, and the dielectric layer may be formed by curing the crosslinkable resin molded body (I) or (II). As long as expression of the desired effect of the present invention is not inhibited, it may be formed of a known resin material. Examples of known resin materials include PPE (polyphenylene ether), BT resin (bismaleimide triazine), epoxy resin, polyimide resin, fluororesin, phenol resin, and polyamide bismaleimide. Further, for the circuit board, the laminated board, and the laminated board, the circuit pattern and the dielectric layer are formed one or more times, respectively. A through hole may be formed. Alternatively, the formed holes may be filled with a conductive paste to form an electrical connection conductor or a heat dissipation path for electrically connecting the circuit patterns between the layers.

以上のようにして本発明の多層基板は効率的に製造可能であるが、当該多層基板は、例えば、マイクロ波の周波数での使用に対応した回路基板、キャパシタ、インダクタ、LCフィルタ、ストリップライン共振フィルタ、及び誘電体アンテナ等の誘電体デバイスの製造に好適に用いることができる。キャパシタの用途としては、カップリングおよびデカップリング、バイパス、インピーダンスマッチングおよびシグナルマッチング等が挙げられる。中でも、本発明の多層基板は誘電特性の温度安定性に優れていることからインピーダンスマッチングおよびシグナルマッチングに好適である。デカップリング、バイパスなどの目的では大容量とすることが好ましい。例えば、図1の態様において、導体パターン3a、導体パターン3b及び第一の誘電体層4からなるキャパシタの容量を大きくするためには、導体パターン3aと導体パターン3bの重なり面積をできるだけ大きくし、また、第一の誘電体層4の厚さを薄くすることで実現できる。具体的には、第一の誘電体層4の厚さを50μm以下とすることが好ましい。但し、第一の誘電体層4を薄くしすぎると、充分な機械的強度を保てないおそれが生じることから、第一の誘電体層4の厚さとしては10〜50μmに設定することがより好ましく、20〜30μmに設定することが特に好ましい。   As described above, the multilayer substrate of the present invention can be efficiently manufactured. For example, the multilayer substrate may be a circuit substrate, a capacitor, an inductor, an LC filter, and a stripline resonance that are compatible with use at a microwave frequency. It can be suitably used for manufacturing dielectric devices such as filters and dielectric antennas. Applications of the capacitor include coupling and decoupling, bypass, impedance matching, signal matching, and the like. Among these, the multilayer substrate of the present invention is suitable for impedance matching and signal matching because of its excellent dielectric property temperature stability. A large capacity is preferable for the purpose of decoupling and bypassing. For example, in the embodiment of FIG. 1, in order to increase the capacitance of the capacitor composed of the conductor pattern 3a, the conductor pattern 3b, and the first dielectric layer 4, the overlapping area of the conductor pattern 3a and the conductor pattern 3b is increased as much as possible. Further, this can be realized by reducing the thickness of the first dielectric layer 4. Specifically, the thickness of the first dielectric layer 4 is preferably 50 μm or less. However, if the first dielectric layer 4 is made too thin, sufficient mechanical strength may not be maintained. Therefore, the thickness of the first dielectric layer 4 can be set to 10 to 50 μm. More preferably, it is particularly preferably set to 20 to 30 μm.

また、一つの多層基板に複数の誘電体デバイスを形成してモジュール化することで、電子機器の小型化が可能となる。組み合わせる誘電体デバイスは、適宜選択できる。モジュールの例としては、パワーアンプモジュール(PA)、マルチチップモジュール(MCM)、アンテナスイッチモジュール(ASM)、RF−ICモジュール(RFIC)、フロントエンドモジュール(FE)及びRFモジュール(RF)等が挙げられる。本発明の多層基板は低誘電正接を有することから、PA等の無線通信機器の送信部に適用されるモジュールの製造に好適に用いられる。   In addition, by forming a plurality of dielectric devices on a single multilayer substrate and forming a module, the electronic device can be downsized. The dielectric device to be combined can be selected as appropriate. Examples of modules include a power amplifier module (PA), a multi-chip module (MCM), an antenna switch module (ASM), an RF-IC module (RFIC), a front end module (FE), and an RF module (RF). It is done. Since the multilayer substrate of the present invention has a low dielectric loss tangent, it is suitably used for manufacturing a module applied to a transmission unit of a wireless communication device such as a PA.

本発明の多層基板の表面には固体電子部品を搭載し実装することができる。なお、本明細書において「実装」という場合、電子部品を多層基板の導体回路に接続することをいう。また、多層基板の表面とは、多層基板の上面、すなわち、種々のチップ部品が搭載される主面を言う。   Solid electronic components can be mounted and mounted on the surface of the multilayer substrate of the present invention. In the present specification, “mounting” refers to connecting an electronic component to a conductor circuit of a multilayer board. Further, the surface of the multilayer substrate refers to the upper surface of the multilayer substrate, that is, the main surface on which various chip components are mounted.

固体電子部品としては、特に限定はないが、例えば、大規模集積回路(LSI)、送信増幅器(Power Amp)、低雑音増幅器(Low Noise AMP)、電圧制御発振器(VCO)、又はそれらが多段に集積化されたICなどの能動素子、バンドパスフィルタを始めとする各種高周波フィルタ(バンドエミッションフィルタ、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、ダイプレクサ、及びデュプレクサ等)、及びバランやカプラなどの受動素子の他、ディスクリートタイプのトランジスタ、コンデンサ、レジスタ、コイルも含まれる。   The solid-state electronic component is not particularly limited. For example, a large-scale integrated circuit (LSI), a transmission amplifier (Power Amp), a low noise amplifier (Low Noise AMP), a voltage controlled oscillator (VCO), or those in multiple stages Active elements such as integrated ICs, various high-frequency filters such as bandpass filters (band emission filters, high-pass filters, low-pass filters, diplexers, duplexers, etc.), and passive elements such as baluns and couplers, as well as discrete elements Types of transistors, capacitors, resistors, coils are also included.

固体電子部品を多層基板の表面に搭載して実装する場合、実装領域が小さくて済み、高密度実装を可能にできることから、電子部品をチップ状態のまま基板上に実装するベアチップ実装によるのが好ましい。ベアチップ実装の方法としては、リード線を設けたフィルムを用いて基板側の電極とチップ側の電極とを接続するTAB(Tape Automated Bonding)実装、基板側の電極とチップ側の電極とをワイヤによって接続するワイヤボンディング実装、及びチップの電極部分にバンプ(突起電極)を形成して基板側の電極とチップ側の電極とを直接接続するフリップチップ実装等が挙げられる。中でも、フリップチップ実装によるのが好ましい。   When mounting by mounting a solid electronic component on the surface of a multilayer substrate, it is preferable to use bare chip mounting in which the electronic component is mounted on the substrate in a chip state because the mounting area is small and high-density mounting is possible. . As a bare chip mounting method, TAB (Tape Automated Bonding) mounting, in which a substrate-side electrode and a chip-side electrode are connected using a film provided with a lead wire, the substrate-side electrode and the chip-side electrode are connected by a wire. Examples include wire bonding mounting for connection, and flip chip mounting in which bumps (projection electrodes) are formed on the electrode portions of the chip to directly connect the substrate-side electrode and the chip-side electrode. Of these, flip-chip mounting is preferred.

例えば、本発明の多層基板の表面に、LSIチップなどの半導体部品を搭載し実装することにより半導体パッケージを製造することができる。本発明の多層基板の少なくとも片面上に、半導体部品を前記実装方法により実装し、半導体部品電極と多層基板との接続部分をエポキシ樹脂等の封止材料で封止する。なお、封止材料として、本発明に係る、前記重合性組成物を用いることもできる。次に、上記半導体部品が実装された基板には、片面に金属配線によって複数の電極がエリア上に配置され、例えば、ハンダボール等の接続部材が設置される。このような半導体パッケージとしては、例えば、2個以上の複数の半導体部品を実装してなるマルチ・チップ・モジュール(MCM)などが挙げられる。MCMは、例えば、コンピューターや通信機器に使用したり、接続部材を介して、さらにマザーボード(通常のプリント配線板)に接続したり、そのままマザーボードとして使用することができる。   For example, a semiconductor package can be manufactured by mounting and mounting a semiconductor component such as an LSI chip on the surface of the multilayer substrate of the present invention. A semiconductor component is mounted on at least one surface of the multilayer substrate of the present invention by the mounting method, and a connection portion between the semiconductor component electrode and the multilayer substrate is sealed with a sealing material such as epoxy resin. In addition, the said polymeric composition based on this invention can also be used as a sealing material. Next, on the substrate on which the semiconductor component is mounted, a plurality of electrodes are arranged on an area by metal wiring on one side, and for example, a connection member such as a solder ball is installed. An example of such a semiconductor package is a multi-chip module (MCM) in which two or more semiconductor components are mounted. For example, the MCM can be used for a computer or a communication device, or can be further connected to a mother board (ordinary printed wiring board) via a connecting member, or can be used as it is as a mother board.

以下、実施例により、比較例と対比して、本発明をより詳細に説明するが、本発明は当該実施例に限定されるものではない。なお、実施例及び比較例における「部」及び「%」は、特に断らない限り、重量基準である。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in more detail compared with a comparative example, this invention is not limited to the said Example. In the examples and comparative examples, “parts” and “%” are based on weight unless otherwise specified.

実施例及び比較例において積層体の物性評価はそれぞれ、以下の方法に従って行った。
(比誘電率)
インピーダンスアナライザー(アジレントテクノロジー社製、型番号E4991A)を用いて周波数1GHzで20℃における誘電率(ε)を容量法で測定し、比誘電率(εr)を算出して以下の基準で評価した。
A:7以上
B:5以上、7未満
C:5未満
(誘電正接)
インピーダンスアナライザー(アジレントテクノロジー社製、型番号E4991A)を用いて周波数1GHzで20℃における誘電正接を容量法にて測定し、以下の基準で評価した。
A:0.003以下
B:0.003超、0.008以下
C:0.008超
(温度変化率)
2GHzで共振するマイクロストリップライン共振器を設計し作製した。該共振器をネットワークアナライザー(アジレントテクノロジー社製)に接続し、周波数2GHzにおいて−30〜100℃の温度範囲での誘電率(ε)の温度変化を測定した後、真空の誘電率をεとして、
比誘電率の温度変化率=〔(ε−ε)/ε〕/〔100−(−30)〕
の式により、該変化率を求め、以下の基準で評価した。なお、数値は絶対値である。
A:100ppm/℃以下
B:100ppm/℃超、200ppm/℃以下
C:200ppm/℃超
(耐熱性)
積層体を20mm角に切断し、試験片を得た。該試験片を260℃の半田浴上に20秒間フローさせた。かかる操作を別々の試験片を用いて3回繰り返し(n=3)、それぞれの試験片表面の膨れを目視により観察し、以下の基準で評価した。
A:n=3で膨れなし
B:n=2で膨れなし
C:n=2以上で膨れ発生
(吸水率)
JIS K7209の方法に準拠して、積層体から40mm×20mm×厚み2mmの試験片(誘電体層)を切り出し、23℃、48時間、蒸留水に浸漬した。浸漬前後での試験片の重量変化を測定することにより、以下の基準に従って吸水率を評価した。
A:0.1%以下
B:0.1%超
(ピール強度)
積層体から銅箔を引き剥がすときの強度を、JIS C6481に準拠して測定し、以下の基準に従ってピール強度を評価した。
A:0.6kN/m超
B:0.4kN/m超0.6kN/m以下
C:0.4kN/m以下
(配線形成性)
積層体の銅箔をエッチングして、配線を形成し下記基準で評価した。ここで、配線形成ができなかったとは、エッチングした後の樹脂面に銅箔の残りが観測されることを表す。
A:25/25μmラインアンドスペース(L/S)の配線形成ができた。
B:30/30μmラインアンドスペース(L/S)の配線形成ができた。
C:40/40μmラインアンドスペース(L/S)の配線形成ができた。
D:配線ができなかった。
(容量変化)
積層体について、130℃、85%RH、100時間の高温高湿試験を行い、容量変化を、以下の基準で評価した。なお、試験は加速試験機(タバイエスペック社製 HASTチャンバー EHS−221MD)を用いて行った。変化率は、式:変化率(%)=〔(試験前の値−試験後の値)/試験前の値〕×100により求められる値である。
A:容量変化が5%以下
B:容量変化が5%超
(比誘電率の面内分布)
積層体を300mm×300mmに切り出し、任意の10箇所について比誘電率を測定し、ばらつきを以下の基準で評価した。
A:ばらつきが3%以下
B:ばらつきが3%を越え、5%以下
C:ばらつきが5%を超える
(線膨脹係数)
誘電体層のXY方向の線膨張係数はセイコーインスツル社製EXSTAR6000 TMA/SSを用いて、昇温速度5℃/分にて測定し、以下の基準で評価した。
A:30ppm/℃以下
B:30ppm/℃を超え50ppm/℃以下
C:50ppm/℃を超える
In the examples and comparative examples, the physical properties of the laminates were evaluated according to the following methods.
(Relative permittivity)
Using an impedance analyzer (manufactured by Agilent Technologies, model number E4991A), the dielectric constant (ε) at 20 ° C. was measured at a frequency of 1 GHz by the capacitance method, and the relative dielectric constant (εr) was calculated and evaluated according to the following criteria.
A: 7 or more B: 5 or more, less than 7 C: less than 5 (dielectric loss tangent)
A dielectric loss tangent at 20 ° C. was measured at a frequency of 1 GHz using an impedance analyzer (manufactured by Agilent Technologies, model number E4991A), and evaluated according to the following criteria.
A: 0.003 or less B: More than 0.003, 0.008 or less C: More than 0.008 (temperature change rate)
A microstrip line resonator that resonates at 2 GHz was designed and fabricated. After connecting the resonator to a network analyzer (manufactured by Agilent Technologies) and measuring the temperature change of the dielectric constant (ε) in the temperature range of −30 to 100 ° C. at a frequency of 2 GHz, the dielectric constant of vacuum is set to ε 0. ,
Temperature change rate of relative permittivity = [(ε−ε 0 ) / ε 0 ] / [100 − (− 30)]
The rate of change was determined by the following formula and evaluated according to the following criteria. The numerical value is an absolute value.
A: 100 ppm / ° C. or less B: More than 100 ppm / ° C., 200 ppm / ° C. or less C: More than 200 ppm / ° C. (heat resistance)
The laminate was cut into 20 mm squares to obtain test pieces. The test piece was allowed to flow on a solder bath at 260 ° C. for 20 seconds. This operation was repeated three times using separate test pieces (n = 3), and the swelling of the surface of each test piece was visually observed and evaluated according to the following criteria.
A: No swelling when n = 3 B: No swelling when n = 2 C: Swelling occurs when n = 2 or more (water absorption)
In accordance with the method of JIS K7209, a 40 mm × 20 mm × 2 mm thick test piece (dielectric layer) was cut out from the laminate, and immersed in distilled water at 23 ° C. for 48 hours. By measuring the weight change of the test piece before and after immersion, the water absorption was evaluated according to the following criteria.
A: 0.1% or less
B: Over 0.1% (peel strength)
The strength when peeling the copper foil from the laminate was measured according to JIS C6481, and the peel strength was evaluated according to the following criteria.
A: More than 0.6kN / m
B: More than 0.4 kN / m 0.6 kN / m or less C: 0.4 kN / m or less (wiring formability)
The copper foil of the laminate was etched to form a wiring and evaluated according to the following criteria. Here, the fact that the wiring could not be formed means that the remaining copper foil is observed on the resin surface after etching.
A: A 25/25 μm line and space (L / S) wiring was formed.
B: 30/30 μm line and space (L / S) wiring was formed.
C: 40/40 μm line and space (L / S) wiring was formed.
D: Wiring was not possible.
(Capacity change)
The laminate was subjected to a high-temperature and high-humidity test at 130 ° C. and 85% RH for 100 hours, and the change in capacity was evaluated according to the following criteria. The test was performed using an acceleration tester (HAST chamber EHS-221MD manufactured by Tabai Espec). The rate of change is a value determined by the formula: rate of change (%) = [(value before test−value after test) / value before test] × 100.
A: Capacitance change is 5% or less B: Capacitance change exceeds 5% (in-plane distribution of relative permittivity)
The laminate was cut out to 300 mm × 300 mm, the relative dielectric constant was measured at any 10 locations, and the variation was evaluated according to the following criteria.
A: Variation is 3% or less B: Variation is over 3% and 5% or less C: Variation is over 5% (Linear expansion coefficient)
The linear expansion coefficient in the XY direction of the dielectric layer was measured using an EXSTAR6000 TMA / SS manufactured by Seiko Instruments Inc. at a heating rate of 5 ° C./min and evaluated according to the following criteria.
A: 30 ppm / ° C. or less B: Over 30 ppm / ° C. and 50 ppm / ° C. or less C: Over 50 ppm / ° C.

実施例及び比較例において多層板の物性評価はそれぞれ、以下の方法に従って行った。多層板の物性は多層基板の物性と同様である。
(耐クラック性)
多層板について、−65〜150℃の温度範囲で所定回数の冷熱衝撃試験を行った後に外観観察を行い、絶縁層の剥離の有無を以下の基準に従って評価した。なお、冷熱衝撃試験は、冷熱衝撃試験装置(エスペック社製、型番TSA−71H−W)により行った。
A:剥離なし
B:一部微小な剥離があり、実質上問題なし
C:一部微小な剥離があり、実質上使用不可
D:剥離、使用不可
(絶縁信頼性)
多層板に100μmの間隔をあけて一直線上に10個並んだ、互いに電気的に接続されたビアホールの列を、100μmの間隔をあけて平行に2列作製したものを、サンプル基板として用いた。
130℃で85%RHの環境下、互いに絶縁が確保されている、一方のビアホールの列と他方のビアホールの列との間に100Vの電圧を所定時間印加し、導通が確認されるまでの時間を測定し、以下の基準に従って絶縁信頼性を評価した。
A:500時間以上
B:200時間以上500時間未満
C:100時間以上200時間未満
D:100時間未満
(反り状態の評価)
多層板を300mm×300mmに切り出し、260℃の炉内に30秒投入した後、常温で3分間放置した。上記操作を3回繰り返した。反り量の測定は、配線板の凸面を下にして平面に置き、片方の端を1点で押さえ、最大の高さをデータとした。以下の基準で評価した。
A:2mm以下
B:2mmを超え、5mm以下
C:5mmを超える
(配線埋込性)
積層体の銅箔をエッチングしてL/S=15μmの配線を15本形成した面に架橋性樹脂成形体(II)を重ね、205℃で10分間、3MPaにて加熱プレスを行い試験用多層板を得た。該試験用多層板を、配線方向に対し垂直な方向で任意に3箇所で切断した。得られた試験用多層板の切断面を目視により観察し、回路基板上の樹脂層への微細配線埋め込み性について以下の基準で評価した。
A:埋込不良が2本以下
B:埋込不良が2本超え、5本以下
C:埋込不良が5本超え
In the examples and comparative examples, the physical properties of the multilayer board were evaluated according to the following methods. The physical properties of the multilayer board are the same as those of the multilayer substrate.
(Crack resistance)
The multilayer board was subjected to a thermal shock test a predetermined number of times in a temperature range of −65 to 150 ° C. and then observed for appearance, and the presence or absence of peeling of the insulating layer was evaluated according to the following criteria. In addition, the thermal shock test was done with the thermal shock test apparatus (Espec Co., Ltd. make, model number TSA-71H-W).
A: No peeling B: Partially fine peeling, virtually no problem C: Partially fine peeling, practically unusable D: Peeling, unusable (insulation reliability)
A sample substrate in which ten rows of via holes electrically connected to each other were formed on a multilayer board in a straight line with a spacing of 100 μm and parallel to each other with a spacing of 100 μm was used.
Time until a conduction is confirmed by applying a voltage of 100 V for a predetermined time between one via hole row and the other via hole row, which are insulated from each other in an environment of 85% RH at 130 ° C. The insulation reliability was evaluated according to the following criteria.
A: 500 hours or more B: 200 hours or more and less than 500 hours C: 100 hours or more and less than 200 hours D: Less than 100 hours (evaluation of warpage state)
The multilayer board was cut out to 300 mm × 300 mm, placed in a furnace at 260 ° C. for 30 seconds, and left at room temperature for 3 minutes. The above operation was repeated 3 times. The amount of warpage was measured by placing the wiring board on a flat surface with the convex surface down, pressing one end at one point, and using the maximum height as data. Evaluation was made according to the following criteria.
A: 2 mm or less B: Over 2 mm, 5 mm or less C: Over 5 mm (wiring embedding)
The test piece was tested by laminating the crosslinkable resin molded body (II) on the surface on which the copper foil of the laminated body was etched to form 15 wires of L / S = 15 μm, followed by heat pressing at 205 ° C. for 10 minutes at 3 MPa. I got a plate. The test multilayer board was arbitrarily cut at three points in a direction perpendicular to the wiring direction. The cut surface of the obtained test multilayer board was visually observed, and the fine wiring embedding property in the resin layer on the circuit board was evaluated according to the following criteria.
A: Embedding failure is 2 or less B: Embedding failure is more than 2 and 5 or less C: Embedding failure is more than 5

(製造例1)架橋性樹脂成形体(I)−1の作製
ベンジリデン(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド51部と、トリフェニルホスフィン79部とを、トルエン952部に溶解させて触媒液を調製した。これとは別に、シクロオレフィンモノマーとしてテトラシクロドデセン(TCD)80部及びジシクロペンタジエン20部、比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤として水酸化アルミニウム100部、比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤としてチタン酸カルシウム180部、連鎖移動剤としてスチレン0.74部、架橋剤としてジ−t−ブチルペルオキシド(1分間半減期温度186℃)2部、反応性流動化剤としてベンジルメタクリレート15部、架橋助剤としてトリメチロールプロパントリメタクリレート20部、フェノール系老化防止剤として3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシアニソール1部、並びにメタクリルシラン2部を混合してモノマー液を調製した。ここに上記触媒液をシクロオレフィンモノマー100gあたり0.12mLの割合で加えて撹拌し、重合性組成物を調製した。
Production Example 1 Production of Crosslinkable Resin Molded Body (I) -1 51 parts of benzylidene (1,3-dimesityl-4-imidazolidin-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride and 79 parts of triphenylphosphine Were dissolved in 952 parts of toluene to prepare a catalyst solution. Separately, 80 parts of tetracyclododecene (TCD) and 20 parts of dicyclopentadiene as cycloolefin monomers, 100 parts of aluminum hydroxide as an inorganic filler having a positive relative dielectric constant temperature change rate, temperature of relative dielectric constant 180 parts of calcium titanate as a negative inorganic filler, 0.74 parts of styrene as a chain transfer agent, 2 parts of di-t-butyl peroxide (1 minute half-life temperature 186 ° C.) as a crosslinking agent, reactive fluidization 15 parts of benzyl methacrylate as an agent, 20 parts of trimethylolpropane trimethacrylate as a crosslinking aid, 1 part of 3,5-di-t-butyl-4-hydroxyanisole as a phenolic antioxidant, and 2 parts of methacrylic silane A monomer solution was prepared. The said catalyst liquid was added here in the ratio of 0.12mL per 100g of cycloolefin monomers, and it stirred, and prepared the polymeric composition.

ついで、得られた重合性組成物をガラスクロス(Eガラス)に含浸させ、これを120℃にて5分間で重合反応を行い、厚さ0.15mmの架橋性樹脂成形体(I)−1を得た。   Subsequently, the obtained polymerizable composition was impregnated into glass cloth (E glass), and this was subjected to a polymerization reaction at 120 ° C. for 5 minutes to obtain a crosslinkable resin molded article (I) -1 having a thickness of 0.15 mm. Got.

(製造例2)架橋性樹脂成形体(I)−2の作製
重合性組成物にメタクリルシランを配合しなかった以外は製造例1と同様にして、厚さ0.15mmの架橋性樹脂成形体(I)−2を得た。
(Production Example 2) Production of crosslinkable resin molded product (I) -2 A crosslinkable resin molded product having a thickness of 0.15 mm in the same manner as in Production Example 1 except that methacrylsilane was not added to the polymerizable composition. (I) -2 was obtained.

(製造例3)架橋性樹脂成形体(I)−3の作製
ガラスクロスへの含浸を行わなかった以外は製造例1と同様にして、厚さ0.05mmの架橋性樹脂成形体(I)−3を得た。
(Production Example 3) Production of Crosslinkable Resin Molded Body (I) -3 Crosslinkable resin molded body (I) having a thickness of 0.05 mm in the same manner as in Production Example 1 except that the glass cloth was not impregnated. -3 was obtained.

(製造例4)架橋性樹脂成形体(I)−4の作製
多官能エポキシ20部、硬化剤5部、ジルコン酸化物75部を含むトルエン溶液を用いて、ダイコータにより厚さ0.15mmの架橋性樹脂成形体(I)−4を得た。
(Production Example 4) Production of Crosslinkable Resin Molded Body (I) -4 Using a toluene solution containing 20 parts of polyfunctional epoxy, 5 parts of curing agent, and 75 parts of zircon oxide, a 0.15 mm thick bridge by a die coater Resin molded product (I) -4 was obtained.

(製造例5)架橋性樹脂成形体(II)−1の作製
ジルコン酸化物100部、チタン酸化物180部に代えて、酸化ケイ素粒子(アドマテックス社製、商品名SOC02、平均粒子径0.5μm)200部を使用した以外は、製造例1と同様にして厚さ0.15mmの架橋性樹脂成形体(II)−1を得た。
Production Example 5 Preparation of Crosslinkable Resin Molded Body (II) -1 Instead of 100 parts of zircon oxide and 180 parts of titanium oxide, silicon oxide particles (manufactured by Admatechs, trade name: SOC02, average particle size: 0. 5 μm) A crosslinkable resin molded article (II) -1 having a thickness of 0.15 mm was obtained in the same manner as in Production Example 1, except that 200 parts were used.

(製造例6)架橋性樹脂成形体(II)−2の作製
多官能エポキシ20部、硬化剤5部、酸化ケイ素粒子75部を含むトルエン溶液を用いて、ダイコータにより厚さ0.15mmの架橋性樹脂成形体(II)−2を得た。
Production Example 6 Production of Crosslinkable Resin Molded Body (II) -2 Using a toluene solution containing 20 parts of a polyfunctional epoxy, 5 parts of a curing agent, and 75 parts of silicon oxide particles, a 0.15 mm thick bridge by a die coater. Resin molded product (II) -2 was obtained.

(実施例1)
(多層基板1の作成)
架橋性樹脂成形体(I)−1の両面を銅箔1(厚さ12μmF2銅箔、シランカップリング剤処理電解銅箔、光沢面粗度Rz=1,600nm、古河サーキットホイル社製)で挟み、210℃で20分間、3MPaにて加熱プレスを行い、第一の誘電体層を含む積層体1を得た。
Example 1
(Creation of multilayer substrate 1)
The both sides of the crosslinkable resin molding (I) -1 are sandwiched between copper foils 1 (thickness 12 μm F2 copper foil, silane coupling agent-treated electrolytic copper foil, glossy surface roughness Rz = 1,600 nm, manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.) The laminate 1 including the first dielectric layer was obtained by heating and pressing at 210 ° C. for 20 minutes at 3 MPa.

次に、リソグラフィー法を用いて積層体1の一方の銅箔に、所定のパターンでドライフィルムを被覆して、露光および現象プロセスによって、所望のエッチング部分のみを露出させた後、エッチング液でエッチングすることによって、下部コンデンサ電極およびその他の導体パターン含む第1回路層を形成した。   Next, a dry film is coated with a predetermined pattern on one copper foil of the laminated body 1 using a lithography method, and only a desired etching portion is exposed by exposure and a phenomenon process, and then etched with an etching solution. Thus, the first circuit layer including the lower capacitor electrode and other conductor patterns was formed.

次に、積層体1のもう一方の銅箔に、同様にリソグラフィー法を用いて、上部コンデンサ電極およびその他の導体パターンを含む第2回路層を形成した。   Next, a second circuit layer including the upper capacitor electrode and other conductor patterns was formed on the other copper foil of the multilayer body 1 in the same manner using the lithography method.

続いて、銅箔1、架橋性樹脂成形体(II)−1、積層体1、架橋性樹脂成形体(II)−1、銅箔1をこの順番で、210℃で20分間、3MPaにて加熱プレスを行い多層板1を得た。   Subsequently, the copper foil 1, the crosslinkable resin molded body (II) -1, the laminate 1, the crosslinkable resin molded body (II) -1, and the copper foil 1 are arranged in this order at 210 ° C. for 20 minutes at 3 MPa. The multilayer board 1 was obtained by performing a heat press.

次に、前記積層プロセスによって得られた多層板1の一方の外層銅箔に、通常のリソグラフィー法を用いて、回路層を形成した。   Next, the circuit layer was formed in one outer layer copper foil of the multilayer board 1 obtained by the said lamination process using the normal lithography method.

同様に、リソグラフィー法を用いて、前記多層板1の他方の銅箔に、回路層を形成した。   Similarly, a circuit layer was formed on the other copper foil of the multilayer board 1 by using a lithography method.

さらにドリルでスルーホールを形成した後、無電解メッキを施すことで、前スルーホールにメッキして層間回路を接続して多層基板1を得た。   Furthermore, after forming a through hole with a drill, by applying electroless plating, the front through hole was plated and an interlayer circuit was connected to obtain the multilayer substrate 1.

(実施例2)
実施例1において架橋性樹脂成形体(I)−1の代わりに架橋性樹脂成形体(I)−2を用いた以外は実施例1と同様にして、積層体2を得た。積層体1の代わりに積層体2を用いた以外は、実施例1と同様にして、多層板2を得た。多層板1の代わりに多層板2を用いた以外は、実施例1と同様にして、多層基板2を得た。
(Example 2)
A laminate 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the crosslinkable resin molded product (I) -2 was used instead of the crosslinkable resin molded product (I) -1. A multilayer board 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the laminate 2 was used instead of the laminate 1. A multilayer substrate 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the multilayer plate 2 was used instead of the multilayer plate 1.

(実施例3)
実施例1において銅箔1の代わりに銅箔2(厚さ12μmF3銅箔、シランカップリング剤処理電解銅箔、光沢面粗度Rz=2,100nm、古河サーキットホイル社製)を用いた以外は実施例1と同様にして、積層体3を得た。積層体1の代わりに積層体3を用いた以外は、実施例1と同様にして、多層板3を得た。多層板1の代わりに多層板3を用いた以外は、実施例1と同様にして、多層基板3を得た。
(Example 3)
Except for using copper foil 2 (thickness 12 μm F3 copper foil, silane coupling agent-treated electrolytic copper foil, glossy surface roughness Rz = 2,100 nm, manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.) instead of copper foil 1 in Example 1. In the same manner as in Example 1, a laminate 3 was obtained. A multilayer board 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the laminate 3 was used instead of the laminate 1. A multilayer substrate 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the multilayer plate 3 was used instead of the multilayer plate 1.

(実施例4)
実施例1において架橋性樹脂成形体(I)−1の代わりに架橋性樹脂成形体(I)−3を用いた以外は実施例1と同様にして、積層体4を得た。積層体1の代わりに積層体4を用いた以外は、実施例1と同様にして、多層板4を得た。多層板1の代わりに多層板4を用いた以外は、実施例1と同様にして、多層基板4を得た。
Example 4
A laminate 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the crosslinkable resin molded product (I) -3 was used instead of the crosslinkable resin molded product (I) -1. A multilayer board 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the laminate 4 was used instead of the laminate 1. A multilayer substrate 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the multilayer plate 4 was used instead of the multilayer plate 1.

(比較例1)
実施例1において架橋性樹脂成形体(I)−1の代わりに架橋性樹脂成形体(I)−4を用いた以外は実施例1と同様にして、積層体5を得た。積層体1の代わりに積層体5を用い、架橋性樹脂成形体(II)−1の代わりに架橋性樹脂成形体(II)−2を用いた以外は、実施例1と同様にして、多層板5を得た。多層板1の代わりに多層板5を用いた以外は、実施例1と同様にして、多層基板5を得た。
(Comparative Example 1)
A laminate 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the crosslinkable resin molded product (I) -4 was used instead of the crosslinkable resin molded product (I) -1. In the same manner as in Example 1, except that the laminate 5 was used instead of the laminate 1 and the crosslinkable resin molded body (II) -2 was used instead of the crosslinkable resin molded body (II) -1, a multilayer was obtained. A plate 5 was obtained. A multilayer substrate 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the multilayer plate 5 was used instead of the multilayer plate 1.

Figure 2012216686
Figure 2012216686

表1より、本発明の多層基板は、層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が少なく、伝送損失が小さい基板であることが分かる。   From Table 1, it can be seen that the multilayer substrate of the present invention is a substrate having excellent interlayer adhesion, little variation in dielectric properties even in a high temperature and high humidity environment, and small transmission loss.

Claims (6)

第一の誘電体層の少なくとも片面に回路パターンにより受動素子を形成してなる回路板の両面に、第一の誘電体層よりも低い比誘電率を有する第二の誘電体層を積層してなる積層板を含んでなり、第一の誘電体層は脂環式構造含有ポリマー及び無機充填剤を含む架橋性樹脂成形体(I)を硬化してなるものである、電子部品内蔵型多層基板。   A second dielectric layer having a relative dielectric constant lower than that of the first dielectric layer is laminated on both sides of a circuit board formed by forming a passive element with a circuit pattern on at least one side of the first dielectric layer. And a first dielectric layer formed by curing a crosslinkable resin molded product (I) containing an alicyclic structure-containing polymer and an inorganic filler. . 架橋性樹脂成形体(I)が、少なくとも一つの架橋性基を有するカップリング剤をさらに含むものである請求項1記載の電子部品内蔵型多層基板。   The electronic component built-in multilayer substrate according to claim 1, wherein the crosslinkable resin molded article (I) further contains a coupling agent having at least one crosslinkable group. 回路パターンが、表面粗度(Rz)2μm以下の金属箔からなる請求項1又は2記載の電子部品内蔵型多層基板。   The multilayered board with built-in electronic components according to claim 1 or 2, wherein the circuit pattern is made of a metal foil having a surface roughness (Rz) of 2 µm or less. 第二の誘電体層が、脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体(II)を硬化してなるものである請求項1〜3いずれか記載の電子部品内蔵型多層基板。   The electronic component built-in multilayer substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the second dielectric layer is formed by curing a crosslinkable resin molded body (II) containing an alicyclic structure-containing polymer. 架橋性樹脂成形体(I)の無機充填剤中、比誘電率5以下の無機充填剤の含有量が20重量%以下である請求項1〜4いずれか記載の電子部品内蔵型多層基板。   5. The electronic component built-in multilayer substrate according to claim 1, wherein the content of the inorganic filler having a relative dielectric constant of 5 or less in the inorganic filler of the crosslinkable resin molded article (I) is 20 wt% or less. 第一の誘電体層の厚さが第二の誘電体層の厚さよりも小さい請求項1〜5いずれか記載の電子部品内蔵型多層基板。   6. The electronic component built-in multilayer substrate according to claim 1, wherein the thickness of the first dielectric layer is smaller than the thickness of the second dielectric layer.
JP2011080942A 2011-03-31 2011-03-31 Electronic component built-in multilayer substrate Withdrawn JP2012216686A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011080942A JP2012216686A (en) 2011-03-31 2011-03-31 Electronic component built-in multilayer substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011080942A JP2012216686A (en) 2011-03-31 2011-03-31 Electronic component built-in multilayer substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012216686A true JP2012216686A (en) 2012-11-08

Family

ID=47269194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011080942A Withdrawn JP2012216686A (en) 2011-03-31 2011-03-31 Electronic component built-in multilayer substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012216686A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017520902A (en) * 2014-06-23 2017-07-27 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Circuit board and circuit board assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017520902A (en) * 2014-06-23 2017-07-27 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Circuit board and circuit board assembly

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20130235545A1 (en) Multilayer wiring board
US10913849B2 (en) Resin composition for semiconductor package, and prepreg and metal clad laminate using the same
CN109661421B (en) Resin composition for semiconductor encapsulation, prepreg using same, and metal clad laminate
JP5644501B2 (en) Polymerizable composition, resin molded body, and laminate
JP2012216685A (en) Multilayer substrate
TWI803657B (en) Resin composition for printed wiring board, prepreg, laminate, metal foil-clad laminate, printed wiring board, and multilayer printed wiring board
WO2010047349A1 (en) Polymerizable composition, resin molded article, laminated article, and dielectric device
CN109661422B (en) Resin composition for semiconductor encapsulation, prepreg using same, and metal clad laminate
JP2012216684A (en) Composite multilayer substrate
JP2012216686A (en) Electronic component built-in multilayer substrate
JP5617373B2 (en) Manufacturing method of prepreg
JP5278305B2 (en) Polymerizable composition, resin molded body, and laminate
JP5278306B2 (en) Polymerizable composition, resin molded body, and laminate
JP7305975B2 (en) Resin composition, carrier-attached resin film, prepreg, laminate, printed wiring board, and semiconductor device using the same
JP5212635B2 (en) High dielectric filler-containing polymerizable composition, prepreg, laminate, and dielectric device
TWI815938B (en) Aromatic amine resin having N-alkyl group, curable resin composition and cured product thereof
JP2012214602A (en) Method of producing metal-clad laminate
JP2010106218A (en) Phosphinate-containing polymerizable composition, prepreg and laminate
KR102058143B1 (en) Resin composition for semiconductor package, prepreg and metal clad laminate using the same
JP2012140540A (en) Crosslinkable resin molded product, crosslinked resin molded product, and laminate
JP2012140539A (en) Crosslinkable resin molded product, crosslinked resin molded product, and laminate
JP2024037319A (en) Resin compositions, cured products and their uses
TW202239868A (en) Resin composition, prepreg, resin-coated film, resin-coated metal foil, metal-clad laminate, and wiring board
CN115627112A (en) Resin sheet and method for manufacturing printed wiring board
JP2011132475A (en) Polymerizable composition, prepreg, and laminated form

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140603