JP2012215747A5 - - Google Patents

Description

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
本発明の一態様の電気光学装置は、基板と、トランジスターと、前記トランジスターと電気的に接続された画素電極と、前記画素電極に電気的に接続された保持容量と、を含み、前記保持容量は、容量配線を含み、前記容量配線は、前記基板と前記画素電極との間に配置された絶縁層に埋め込まれるように配置されたことを特徴とする。
本発明の一態様の電気光学装置の製造方法は、基板を覆うようにトランジスターを形成する工程と、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に埋め込まれるように容量配線を形成する工程と、前記トランジスターと電気的に接続された画素電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

Claims (13)

1. 基板と、
   トランジスターと、
   前記トランジスターと電気的に接続された画素電極と、
   前記画素電極に電気的に接続された保持容量と、
   を含み、
   前記保持容量は、容量配線を含み、
   前記容量配線は、前記基板と前記画素電極との間に配置された絶縁層に埋め込まれるように配置されたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記保持容量は、前記画素電極と前記容量配線との間に配置された誘電体層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記容量配線は、前記トランジスターのソースからドレインに向かう方向に交差するように延びていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記容量配線の前記画素電極の側の面は、前記絶縁層と共に平坦化されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置。
5. 前記容量配線は、第１導電層と、前記第１導電層を覆うように配置される第２導電膜と、を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置。
6. 前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、
   前記画素電極は、前記容量配線のうちの第１の容量配線と、前記第１の容量配線に隣り合う第２の容量配線に重なるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
8. 基板を覆うようにトランジスターを形成する工程と、
   絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層に埋め込まれるように容量配線を形成する工程と、
   前記トランジスターと電気的に接続された画素電極を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 前記容量配線を覆うように誘電体層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
10. 基板を覆うように容量配線を形成する工程と、
    前記容量配線を覆うように絶縁層を形成する工程と、
    前記絶縁層を除去して、前記絶縁層から前記容量配線を露出させ、露出した前記容量配線と前記絶縁層の表面とを平坦化する工程と、
    露出した前記容量配線および前記絶縁層を覆う誘電体層を形成する工程と、
    前記誘電体層を介して前記容量配線と一部が重なるように画素電極を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 前記絶縁層に埋め込まれるように容量配線を形成する工程は、
    前記絶縁層に溝を形成する工程と、
    前記溝を埋め、前記絶縁層を覆うように容量配線を形成する工程と、
    前記容量配線を除去して、前記容量配線と前記絶縁層の表面とを平坦化する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の電気光学装置の製造方法。
12. 前記前記絶縁層に埋め込まれるように容量配線を形成する工程は容量配線を形成する工程は、第１導電膜を形成する工程と、前記第１導電膜を覆うように第２導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項８、９、及び１１のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
13. 前記基板を覆うように容量配線を形成する工程は、第１導電膜を形成する工程と、前記第１導電膜を覆うように第２導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。