JP2012199308A - Substrate connection method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate connection method capable of simply checking a distance between substrates.SOLUTION: A substrate connection method includes: a step of preparing a first structure including a first substrate having a first surface, an electrode positioned on the first surface, a first resin projection positioned on the first surface, a wiring which is connected to the electrode and covers a first part of the first resin projection, and a second resin projection which is positioned in an inspection region of the first surface and whose height from the first surface is lower than the first resin projection, and a second structure including a second substrate which is composed of a light transmissive material and has a second surface and an electrical connection part positioned on the second surface; a step of positioning the first structure and the second structure so that the first surface faces the second surface and connecting the wiring on the first resin projection and the electrical connection part; and an inspection step of checking the distance between the first substrate and the second substrate by checking whether the second resin projection is in contact with the second surface.

Description

本発明は、基板の接続方法に関する。   The present invention relates to a method for connecting substrates.

例えば、液晶表示装置等の電子部品では、配線基板となるガラス基板に、集積回路が搭載された半導体基板が接続（ＣＯＧ実装）されている。このような半導体基板には、樹脂突起と、その上に形成された複数の配線から構成された外部端子を設けることが知られている（特許文献１）。このような半導体基板を用いることで、外部端子をガラス基板に押し当てて電気的に接続する押圧工程において、外部端子の樹脂突起の弾性力でもって物理的ダメージを回避しながら半導体基板を配線基板に電気的に接続することができる。電子部品の製造工程では、当該半導体基板と配線基板との電気的接続の信頼性を担保することが重要となる。   For example, in an electronic component such as a liquid crystal display device, a semiconductor substrate on which an integrated circuit is mounted is connected (COG mounting) to a glass substrate serving as a wiring substrate. It is known that such a semiconductor substrate is provided with an external terminal composed of a resin protrusion and a plurality of wirings formed thereon (Patent Document 1). By using such a semiconductor substrate, the semiconductor substrate can be connected to the wiring substrate while avoiding physical damage by the elastic force of the resin protrusion of the external terminal in the pressing step of electrically connecting the external terminal to the glass substrate. Can be electrically connected. In the manufacturing process of electronic components, it is important to ensure the reliability of electrical connection between the semiconductor substrate and the wiring substrate.

特許文献１には、半導体基板と配線基板との接続信頼性を確保するため、ダミー樹脂突起を半導体基板側に設け、確認用マークを配線基板側に設け、確認工程でダミー樹脂突起の潰れ度合いを確認することにより、半導体基板と配線基板との間の距離を測定し、接続信頼性を担保する方法が開示される。しかしながら、このような確認方法では、ダミー樹脂突起の中心位置が配線基板側の確認用マークの中心位置と一致する必要があるため、高いアライメント精度が要求される。したがって、商業的な製造ラインで採用した場合、半導体基板と配線基板との間の距離を測定する検査工程において、歩留まりが低下する可能性がある。   In Patent Document 1, in order to ensure the connection reliability between the semiconductor substrate and the wiring substrate, dummy resin protrusions are provided on the semiconductor substrate side, and confirmation marks are provided on the wiring substrate side. A method for measuring the distance between the semiconductor substrate and the wiring substrate by confirming the above and ensuring connection reliability is disclosed. However, in such a confirmation method, since the center position of the dummy resin protrusion needs to coincide with the center position of the confirmation mark on the wiring board side, high alignment accuracy is required. Therefore, when employed in a commercial production line, there is a possibility that the yield will be reduced in the inspection process for measuring the distance between the semiconductor substrate and the wiring substrate.

以上から、例えば上述された電子部品等の製造方法において、より容易に基板間の距離を確認し、電子部品の電気的接続信頼性を担保することができる、基板の接続方法が望まれている。   From the above, for example, in the above-described method for manufacturing an electronic component or the like, there is a demand for a method for connecting a substrate that can more easily confirm the distance between the substrates and ensure the electrical connection reliability of the electronic components. .

特開２００８−１８２００８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2008-182008

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and according to some aspects of the present invention, a method for connecting substrates that can easily check the distance between substrates is provided. Can do.

（１）本形態に係る基板の接続方法は、第１の面を有する第１基板と、前記第１の面に位置する電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起と、前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆う配線と、前記第１の面の検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも低い第２樹脂突起と、を含む第１構造体と、光透過性の材質からなり、第２の面を有する第２基板と、前記第２の面に位置する電気的接続部と、を含む第２構造体と、を用意する工程と、前記第１の面と前記第２の面とが対向するように、前記第１構造体および前記第２構造体を配置し、前記第１樹脂突起上の前記配線と前記電気的接続部を接続する工程と、前記第２樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することで、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する検査工程と、を有する。   (1) A substrate connection method according to this embodiment includes a first substrate having a first surface, an electrode positioned on the first surface, a first resin protrusion positioned on the first surface, A wiring that is connected to the electrode and covers the first portion of the first resin protrusion, and is located in the inspection area of the first surface, the height from the first surface being lower than that of the first resin protrusion A first structure including a second resin protrusion, a second substrate made of a light-transmitting material and having a second surface, and an electrical connection portion located on the second surface. And arranging the first structure and the second structure so that the first surface and the second surface face each other, and on the first resin protrusion A step of connecting the wiring and the electrical connection portion, and the presence or absence of contact between the second resin protrusion and the second surface, thereby the first substrate. Having a test step of confirming the distance between the second substrate.

本発明によれば、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the connection method of the board | substrate which can confirm the distance between board | substrates simply can be provided.

なお、本発明に係る記載では、「〜の上」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」等と用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「〜の上」という文言を用いている。同様に、「〜の下」という文言は、Ａ下に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ下に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとする。   In the description according to the present invention, the word “above” is used to form, for example, “above” a “specific thing” (hereinafter referred to as “A”) and another specific thing (hereinafter referred to as “B”). And so on. In the description according to the present invention, in the case of this example, the case where B is directly formed on A and the case where B is formed on A via another are included. , The word “above” is used. Similarly, the term “under” includes a case where B is directly formed under A and a case where B is formed under A via another.

（２）本形態に係る基板の接続方法において、前記第１構造体は、前記第１の面の前記検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが、前記第２樹脂突起よりも高く、かつ、前記第１樹脂突起よりも低い第３樹脂突起を含み、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する工程は、前記第３樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することを含んでもよい。   (2) In the substrate connecting method according to this embodiment, the first structure is located in the inspection region of the first surface, and the height from the first surface is higher than that of the second resin protrusion. And a third resin protrusion including a third resin protrusion lower than the first resin protrusion, and the step of confirming the distance between the first substrate and the second substrate includes the third resin protrusion and the second surface. Confirming the presence or absence of contact.

これによれば、より定量的に基板間の距離を確認することができる。   According to this, the distance between the substrates can be confirmed more quantitatively.

（３）本形態に係る基板の接続方法において、前記第１構造体は、前記第１の面の前記検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも高い第４樹脂突起を含み、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する工程は、前記第４樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することを含んでもよい。これによれば、より定量的に基板間の距離を確認することができる。   (3) In the substrate connection method according to this embodiment, the first structure is located in the inspection region of the first surface, and the height from the first surface is higher than that of the first resin protrusion. The step of checking the distance between the first substrate and the second substrate including a high fourth resin protrusion may include checking whether the fourth resin protrusion is in contact with the second surface. . According to this, the distance between the substrates can be confirmed more quantitatively.

（４）本形態に係る基板の接続方法において、前記第１基板の前記第１の面は４つの角部を有する矩形であり、前記検査領域は、前記角部にそれぞれ設けられてもよい。   (4) In the substrate connection method according to this embodiment, the first surface of the first substrate may be a rectangle having four corners, and the inspection area may be provided at each corner.

これによれば、第２基板に対する第１基板の平坦度を確認することができる。   According to this, the flatness of the first substrate with respect to the second substrate can be confirmed.

（５）本形態に係る基板の接続方法において、前記配線と前記電気的接続部を接続する工程は、前記第１構造体と前記第２構造体との間に接着剤を設けることを含み、前記第１基板の前記第１の面は長辺及び前記長辺よりも短い短辺を有する矩形であり、前記第１樹脂突起は、前記第１の面の前記長辺に沿った第１方向に沿って形成され、前記検査領域は、前記第１方向に沿って前記第１樹脂突起と並設されてもよい。   (5) In the substrate connection method according to the present embodiment, the step of connecting the wiring and the electrical connection portion includes providing an adhesive between the first structure and the second structure, The first surface of the first substrate is a rectangle having a long side and a short side shorter than the long side, and the first resin protrusion is in a first direction along the long side of the first surface. The inspection area may be arranged alongside the first resin protrusion along the first direction.

これによれば、接着剤の排出性を向上させることができる。   According to this, the discharge property of the adhesive can be improved.

（６）本形態に係る基板の接続方法において、前記配線と前記電気的接続部を接続する工程は、前記第１構造体と前記第２構造体との間に接着剤を設けることを含み、前記第１基板の前記第１の面は矩形であり、前記検査領域は、前記第１の面の辺と前記第１樹脂突起との間に設けられ、前記第２樹脂突起は、前記辺と前記第１樹脂突起の前記第１の部分との間に配置されてもよい。   (6) In the substrate connection method according to the present embodiment, the step of connecting the wiring and the electrical connection portion includes providing an adhesive between the first structure and the second structure, The first surface of the first substrate is rectangular, the inspection region is provided between a side of the first surface and the first resin protrusion, and the second resin protrusion is You may arrange | position between the said 1st part of the said 1st resin protrusion.

これによれば、接着剤の排出性を向上させることができる。   According to this, the discharge property of the adhesive can be improved.

本実施形態に係る基板の接続方法のフローチャート。The flowchart of the connection method of the board | substrate which concerns on this embodiment. 第１の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。The figure which illustrates typically the connection method of the board | substrate which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。The figure which illustrates typically the connection method of the board | substrate which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。The figure which illustrates typically the connection method of the board | substrate which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。The figure which illustrates typically the connection method of the board | substrate which concerns on 1st Embodiment. 本実施形態に係る基板の接続方法を適用した電子部品の一例を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically an example of the electronic component to which the board | substrate connection method which concerns on this embodiment is applied. 第２の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。The figure which illustrates typically the connection method of the board | substrate concerning 2nd Embodiment. 第２の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。The figure which illustrates typically the connection method of the board | substrate concerning 2nd Embodiment. 第３の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。The figure which illustrates typically the connection method of the board | substrate concerning 3rd Embodiment. 第３の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。The figure which illustrates typically the connection method of the board | substrate concerning 3rd Embodiment.

以下に、本発明を適用した実施形態の一例について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態及びその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。   An example of an embodiment to which the present invention is applied will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited only to the following embodiments. The present invention includes any combination of the following embodiments and modifications thereof.

１． 第１の実施形態
以下、図面を参照して、本実施形態に係る基板の接続方法について説明する。 1. First Embodiment A substrate connection method according to the present embodiment will be described below with reference to the drawings.

図１は、本実施形態に係る基板の接続方法のフローチャートであり、図２（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本実施形態に係る基板の接続方法の一例を模式的に説明する要部の平面図及び断面図である。   FIG. 1 is a flowchart of a substrate connection method according to the present embodiment. FIGS. 2A to 5B schematically illustrate an example of a substrate connection method according to the present embodiment. It is the top view and sectional drawing of these.

本実施形態に係る基板の接続方法は、図１に示すように、第１構造体及び第２構造体を準備する工程（Ｓ１）と、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）と、検査工程（Ｓ３）と、を有する。   As shown in FIG. 1, the substrate connection method according to the present embodiment includes a step of preparing a first structure and a second structure (S1), and a step of connecting the first structure and the second structure (S2). ) And an inspection step (S3).

第１構造体及び第２構造体を準備する工程（Ｓ１）は、図２（Ａ）〜図４（Ａ）に示すように、第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）と、第２構造体８０を準備する工程（Ｓ１−２）と、を含む。   The step (S1) of preparing the first structure and the second structure includes the step of preparing the first structure 50 (S1-1), as shown in FIGS. 2 (A) to 4 (A). A step of preparing the second structure 80 (S1-2).

図２（Ａ）は、準備される第１構造体５０を模式的に説明する平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ａ）のＩＩＣ−ＩＩＣ線における断面図であり、図２（Ｄ）は、図２（Ａ）のＩＩＤ−ＩＩＤ線における断面図である。図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）に示す第１構造体５０を準備する工程（製造する工程）の一例を模式的に説明する断面図であり、図２（Ｂ）に対応する。   2A is a plan view schematically illustrating the first structure 50 to be prepared, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIB-IIB in FIG. 2 (C) is a cross-sectional view taken along line IIC-IIC in FIG. 2 (A), and FIG. 2 (D) is a cross-sectional view taken along line IID-IID in FIG. 2 (A). FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views schematically illustrating an example of a process (manufacturing process) for preparing the first structure 50 shown in FIGS. 2A to 2D. And corresponds to FIG.

第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）において準備される第１構造体５０は、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、第１の面１１を有する第１基板１０と、第１の面１１に位置する電極１４と、第１の面１１の上方に位置する第１樹脂突起２０と、電極１４と接続し、第１樹脂突起２０の少なくとも一部を覆う配線３０と、第１の面１１の上方の検査領域４０に位置し、第１の面１１（または、絶縁膜１６の上面１６ｂ）からの高さが第１樹脂突起２０よりも低い第２樹脂突起４１と、を含む。   The first structure 50 prepared in the step (S1-1) of preparing the first structure 50 has a first surface 11 as shown in FIGS. 2 (A) to 2 (C). The substrate 10, the electrode 14 positioned on the first surface 11, the first resin protrusion 20 positioned above the first surface 11, and the electrode 14 are connected to cover at least a part of the first resin protrusion 20. The second resin located in the inspection region 40 above the wiring 30 and the first surface 11 and having a height from the first surface 11 (or the upper surface 16b of the insulating film 16) lower than that of the first resin protrusion 20 And a protrusion 41.

図２（Ａ）に示すように、準備される第１基板１０は、後述される電極１４等が設けられる第１の面１１を有する。第１の面１１は、例えば、長手方向の２つの長辺１０ａと短手方向の２つの短辺１０ｂ（長手方向の辺よりも短い辺）とを有してもよい。第１の面１１は、長辺１０ａと短辺１０ｂとが形成する４つの角部１０ｂを有する矩形であってもよい。第１基板１０はチップ状をなしてもよい。   As shown in FIG. 2A, the first substrate 10 to be prepared has a first surface 11 on which an electrode 14 and the like to be described later are provided. The first surface 11 may have, for example, two long sides 10a in the longitudinal direction and two short sides 10b in the lateral direction (sides shorter than the sides in the longitudinal direction). The first surface 11 may be a rectangle having four corners 10b formed by the long side 10a and the short side 10b. The first substrate 10 may have a chip shape.

第１基板１０の材質は、特に限定されず、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板等を挙げることができる。また、第１基板１０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、第１基板１０は、ポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。第１基板１０に、フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープ基板を使用してもよい。   The material of the 1st board | substrate 10 is not specifically limited, A silicon substrate, a glass substrate, a ceramic substrate, a plastic substrate etc. can be mentioned. The first substrate 10 may be a substrate or film made of polyethylene terephthalate (PET). Alternatively, the first substrate 10 may be a flexible substrate made of a polyimide resin. As the first substrate 10, a flexible printed circuit board (FPC) or a tape substrate used in TAB (Tape Automated Bonding) technology may be used.

第１基板１０は、図２（Ａ）に示すように、集積回路１が形成されている半導体基板であってもよい。集積回路１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスター等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサー等の受動素子を含んでもよい。あるいは、第１基板１０は、複数の第１基板１０からなる半導体ウエハーであってもよい。   As shown in FIG. 2A, the first substrate 10 may be a semiconductor substrate on which the integrated circuit 1 is formed. The configuration of the integrated circuit 1 is not particularly limited, and may include, for example, an active element such as a transistor or a passive element such as a resistor, a coil, or a capacitor. Alternatively, the first substrate 10 may be a semiconductor wafer composed of a plurality of first substrates 10.

図２（Ａ）に示すように、準備される第１基板１０の第１の面１１には、検査領域４０が設けられる。検査領域４０は、その上方に後述される第２樹脂突起４１が位置する領域であって、検査工程（Ｓ３）において、視覚的な検査を行うために設計上で設けられる仮想領域である。   As shown in FIG. 2A, an inspection region 40 is provided on the first surface 11 of the first substrate 10 to be prepared. The inspection area 40 is an area in which a second resin protrusion 41 (described later) is located above, and is a virtual area provided by design for visual inspection in the inspection step (S3).

検査領域４０が設けられる領域は、特に限定されない。例えば、第１の面１１には、１つの検査領域４０が設けられてもよい（図示せず）。また、例えば、図２（Ａ）に示すように、第１の面１１には、複数の検査領域４０が設けられてもよい。例えば、検査領域４０は、第１基板１０の角部１０ｂにそれぞれ設けられてもよい。また、例えば、検査領域４０は、第１の面１１の中央領域（集積回路１の上方）に配置されてもよい。また、例えば、図２（Ａ）に示すように、後述される第１樹脂突起２０が、前記第１の面の長辺に沿った方向Ａに沿って形成されている場合、検査領域４０は、方向Ａに沿って第１樹脂突起２０と並設されてもよい。また、例えば、図２（Ａ）に示すように、検査領域４０は、第１の面１１の辺（例えば、長辺１０ａ）と後述される第１樹脂突起２０との間に設けられてもよい。   The area where the inspection area 40 is provided is not particularly limited. For example, one inspection region 40 may be provided on the first surface 11 (not shown). Further, for example, as shown in FIG. 2A, a plurality of inspection regions 40 may be provided on the first surface 11. For example, the inspection region 40 may be provided in each corner 10b of the first substrate 10. Further, for example, the inspection region 40 may be disposed in the central region of the first surface 11 (above the integrated circuit 1). Further, for example, as shown in FIG. 2A, when the first resin protrusion 20 described later is formed along the direction A along the long side of the first surface, the inspection region 40 is The first resin protrusions 20 may be juxtaposed along the direction A. Further, for example, as shown in FIG. 2A, the inspection region 40 may be provided between the side (for example, the long side 10a) of the first surface 11 and the first resin protrusion 20 described later. Good.

図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、第１基板１０は、第１の面１１上に電極１４が位置する。電極１４は、第１基板１０の内部に形成された集積回路１と内部配線（図示せず）によって電気的に接続されてもよい。電極１４は、第１基板１０の内部配線の一部であってもよい。第１の面１１には、複数の電極１４が設けられてもよい。複数の電極１４は、図２（Ａ）第１基板１０の周縁部（例えば、長辺１０ａ）に沿って設けられてもよい。電極１４の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、電極１４は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の金属で形成されてもよい。電極１４は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the electrode 14 is positioned on the first surface 11 of the first substrate 10. The electrode 14 may be electrically connected to the integrated circuit 1 formed inside the first substrate 10 by an internal wiring (not shown). The electrode 14 may be a part of the internal wiring of the first substrate 10. A plurality of electrodes 14 may be provided on the first surface 11. The plurality of electrodes 14 may be provided along the peripheral edge (for example, the long side 10a) of the first substrate 10 in FIG. The material of the electrode 14 is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, the electrode 14 may be formed of a metal such as aluminum (Al) or copper (Cu). The electrode 14 may be a single conductive layer or a laminate of a plurality of conductive layers including a barrier layer that prevents metal such as aluminum from diffusing.

図２（Ｂ）に示すように、第１基板１０の第１の面１１の上に絶縁膜１６が設けられてもよい。絶縁膜１６はパッシベーション膜であってもよい。絶縁膜１６は、第１基板１０の第１の面１１側の面とは反対側の上面１６ｂを有する。絶縁膜１６は、電極１４の少なくとも一部を、それぞれ露出させるように形成される。つまりは、絶縁膜１６は、電極１４とオーバーラップする位置に開口部１６ａを有する。絶縁膜１６は、電気的絶縁性を有する膜であれば、特に限定されない。例えば、絶縁膜１６は、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、絶縁膜１６は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜であってもよい。 As shown in FIG. 2B, an insulating film 16 may be provided on the first surface 11 of the first substrate 10. The insulating film 16 may be a passivation film. The insulating film 16 has an upper surface 16 b opposite to the surface on the first surface 11 side of the first substrate 10. The insulating film 16 is formed so as to expose at least a part of the electrode 14. That is, the insulating film 16 has an opening 16 a at a position overlapping the electrode 14. The insulating film 16 is not particularly limited as long as it is an electrically insulating film. For example, the insulating film 16 may be an inorganic insulating film such as SiO 2 or SiN. Alternatively, the insulating film 16 may be an organic insulating film such as polyimide resin.

第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）は、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）に示すように、第１の面１１の上方（上面１６ｂ）に、第１樹脂突起２０および第２樹脂突起４１を形成する工程を含む。この工程は、電極１４が露出した絶縁膜１６の上面１６ｂに、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材質膜２６を形成する工程（図３（Ａ）及び図３（Ｂ）参照）と、樹脂材質膜２６をパターニングする工程（図３（Ｃ）参照）と、パターニング後、熱処理する工程（図３（Ｄ）参照）と、を含む。   In the step (S1-1) of preparing the first structure 50, as shown in FIGS. 3 (A) to 3 (D), the first resin protrusion 20 is formed above the first surface 11 (upper surface 16b). And a step of forming the second resin protrusion 41. In this step, a resin material film 26 made of a resin precursor composition is formed on the upper surface 16b of the insulating film 16 where the electrodes 14 are exposed (see FIGS. 3A and 3B), and a resin material. A step of patterning the film 26 (see FIG. 3C) and a step of heat treatment after patterning (see FIG. 3D) are included.

図３（Ｂ）に示すように、電極１４及び絶縁膜１６の上に、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材質膜２６が形成する。樹脂材質膜２６は、熱硬化性を有した熱硬化性樹脂組成物であってもよいし、感光性を有した感光性樹脂組成物であってもよい。以下の本実施形態では、感光性を有した樹脂材質膜２６を用いた場合の製造方法の一例について説明する。   As shown in FIG. 3B, a resin material film 26 made of a resin precursor composition is formed on the electrode 14 and the insulating film 16. The resin material film 26 may be a thermosetting resin composition having thermosetting properties, or may be a photosensitive resin composition having photosensitivity. In the following embodiment, an example of a manufacturing method using a resin material film 26 having photosensitivity will be described.

樹脂材質膜２６は、半導体装置１０の第１の面１１の上方において全面に塗布されて形成されてもよい。また、樹脂材質膜２６は、塗布された後、プリベークされてもよい。また、樹脂材質膜２６は、例えばシート状物であってもよい。樹脂材質膜２６は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の樹脂であってもよい。   The resin material film 26 may be formed by being applied to the entire surface above the first surface 11 of the semiconductor device 10. The resin material film 26 may be pre-baked after being applied. The resin material film 26 may be a sheet-like material, for example. The resin material film 26 is a resin such as polyimide resin, silicone-modified polyimide resin, epoxy resin, silicone-modified epoxy resin, benzocyclobutene (BCB), polybenzoxazole (PBO), phenol resin, or acrylic resin. May be.

次に、パターニング工程においては、図３（Ｃ）に示すように、樹脂材質膜２６の樹脂突起を形成する領域の上に所望の形状を有したマスク層（図示せず）を形成し、露光装置（図示せず）によって露光した後、現像液によって現像し、パターニングを行って、第１樹脂層２７および第２樹脂層４５を形成する。第１樹脂層２７は、キュアリングの後に第１樹脂突起２０となる樹脂層であり、第２樹脂層４５は、キュアリングの後に第２樹脂突起４１となる樹脂層である。第１樹脂層２７は、電極１４と隣り合うように形成される。図示はされないが、第１樹脂層２７は、例えば、第１の面１１の長辺に沿って延びるように形成されてもよい。また、第２樹脂層４５は、第１の面１１の検査領域４０に形成される。このパターニング工程では、図３（Ｃ）に示すように、第１樹脂層２７の幅Ｗ１（例えば、第１樹脂層２７が延びる方向における幅）よりも第２樹脂層４５の幅Ｗ２が小さくなるようにパターニングを行う。   Next, in the patterning step, as shown in FIG. 3C, a mask layer (not shown) having a desired shape is formed on the region of the resin material film 26 where the resin protrusion is to be formed, and exposure is performed. After exposure by an apparatus (not shown), development is performed with a developer and patterning is performed to form the first resin layer 27 and the second resin layer 45. The first resin layer 27 is a resin layer that becomes the first resin protrusion 20 after curing, and the second resin layer 45 is a resin layer that becomes the second resin protrusion 41 after curing. The first resin layer 27 is formed so as to be adjacent to the electrode 14. Although not shown, the first resin layer 27 may be formed to extend along the long side of the first surface 11, for example. The second resin layer 45 is formed in the inspection region 40 of the first surface 11. In this patterning step, as shown in FIG. 3C, the width W2 of the second resin layer 45 is smaller than the width W1 of the first resin layer 27 (for example, the width in the direction in which the first resin layer 27 extends). Patterning is performed as described above.

本工程における露光現像処理は、公知のフォトリソグラフィー技術を用いることができる。例えば、樹脂材質膜２６がポジ型のレジストである場合、マスク層（図示せず）は、樹脂突起２０が形成される領域において、樹脂材質膜２６が露光処理されるように配置される。また、樹脂材質膜２６がネガ型のレジストである場合は、樹脂突起２０が形成される領域においてマスク層が配置されてもよい。   A known photolithography technique can be used for the exposure and development processing in this step. For example, when the resin material film 26 is a positive resist, the mask layer (not shown) is arranged so that the resin material film 26 is exposed in the region where the resin protrusions 20 are formed. Further, when the resin material film 26 is a negative resist, a mask layer may be disposed in a region where the resin protrusion 20 is formed.

次に、熱処理する工程においては、図３（Ｄ）に示すように、第１樹脂層２７および第２樹脂層４５を加熱する熱処理（キュアリング）をすることによって、変形させる工程をさらに含む。加熱する手段は特に限定されず、図示しない熱源から赤外線を照射することによって加熱してもよい。第１樹脂層２７および第２樹脂層４５は、加熱されることによって粘性が低下し、それぞれの自重と表面張力の作用によって、形状を変形することができる。その結果、図３（Ｄ）に示すように、上面形状が滑らかな曲線を有し、その断面が略半円形状である第１樹脂突起２０および第２樹脂突起４１が形成される。   Next, as shown in FIG. 3D, the heat treatment step further includes a step of deforming the first resin layer 27 and the second resin layer 45 by heat treatment (curing). The means for heating is not particularly limited, and heating may be performed by irradiating infrared rays from a heat source (not shown). The first resin layer 27 and the second resin layer 45 are reduced in viscosity by being heated, and can be deformed in shape by the action of their own weight and surface tension. As a result, as shown in FIG. 3D, the first resin protrusion 20 and the second resin protrusion 41 having a smooth curved upper surface shape and a substantially semicircular cross section are formed.

ここで、先のパターニング工程において、第１樹脂層２７の幅Ｗ１（例えば、第１樹脂層２７が延びる方向における幅）よりも第２樹脂層４５の幅Ｗ２が小さくなるようにパターニングが行われている。これにより、図２（Ｃ）および図３（Ｄ）に示すように、第２樹脂突起４１の第１の面１１（または、絶縁層１６の上面１６ｂ）からの高さｈ１（最も厚みを有する部分の厚さ）を、第１樹脂突起２０の第１の面１１（または、絶縁層１６の上面１６ｂ）からの高さＨ１（最も厚みを有する部分の厚さ）よりも低く形成することができる。   Here, in the previous patterning step, patterning is performed such that the width W2 of the second resin layer 45 is smaller than the width W1 of the first resin layer 27 (for example, the width in the direction in which the first resin layer 27 extends). ing. Accordingly, as shown in FIGS. 2C and 3D, the height h1 (having the greatest thickness) from the first surface 11 of the second resin protrusion 41 (or the upper surface 16b of the insulating layer 16) is obtained. The thickness of the portion) may be formed lower than the height H1 (the thickness of the thickest portion) from the first surface 11 of the first resin protrusion 20 (or the upper surface 16b of the insulating layer 16). it can.

第２樹脂突起４１の第１の面１１（または、絶縁層１６の上面１６ｂ）からの高さｈ１は、後述される第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が過多となり、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離が適正範囲を超えた場合に、第２基板６０と接触する高さとなるように設定される。詳細は後述される。   The height h1 of the second resin protrusion 41 from the first surface 11 (or the upper surface 16b of the insulating layer 16) is a pressing force in the connection step (S2) of the first structure and the second structure described later. When the distance between the first substrate 10 and the second substrate 60 exceeds the appropriate range, the height is set so as to be in contact with the second substrate 60. Details will be described later.

第１の面１１に複数の検査領域４０が設けられる場合、図２（Ａ）に示すように、第２樹脂突起４１は、各検査領域４０にそれぞれ設けられる。   When a plurality of inspection areas 40 are provided on the first surface 11, the second resin protrusions 41 are provided in the inspection areas 40 as shown in FIG.

また、ここで、図２（Ｄ）に示すように、第１樹脂突起２０は、後述される配線３０に覆われる第１の部分２１と配線３０が形成されない第２の部分２２を有してもよい。ここで、配線３０が形成されない第２の部分２２には、後述される第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において用いられる接着剤９０の押圧工程における排出性を向上させるため、上面が削られて凹部２４が形成されてもよい。これによれば、図２（Ａ）の矢印Ｂ方向における接着剤９０の排出性が向上する。   Here, as shown in FIG. 2D, the first resin protrusion 20 has a first portion 21 covered with a wiring 30 described later and a second portion 22 where the wiring 30 is not formed. Also good. Here, in order to improve the discharge | emission property in the press process of the adhesive agent 90 used in the connection process (S2) of the 1st structure and 2nd structure which are mentioned later in the 2nd part 22 in which the wiring 30 is not formed. The upper surface may be shaved to form the recess 24. According to this, the discharge property of the adhesive 90 in the direction of arrow B in FIG.

このとき、図２（Ａ）に示すように、検査領域４０が、第１の面１１の辺（例えば、長辺１０ａ）と第１樹脂突起２０との間に設けられる場合、第２樹脂突起４１は、第１の面１１の辺と第１樹脂突起２０の配線３０に覆われた部分（第１の部分２１）との間に配置される。言い換えれば、第２樹脂突起４１は、第１の面１１の辺と第１樹脂突起２０の第２の部分２２との間の領域は避けて配置される。これによれば、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、接着剤の排出性が阻害されないため、電子部品の信頼性を向上させることができる。   At this time, as shown in FIG. 2A, when the inspection region 40 is provided between the side of the first surface 11 (for example, the long side 10a) and the first resin protrusion 20, the second resin protrusion 41 is disposed between the side of the first surface 11 and the portion of the first resin protrusion 20 covered with the wiring 30 (first portion 21). In other words, the second resin protrusion 41 is arranged avoiding the region between the side of the first surface 11 and the second portion 22 of the first resin protrusion 20. According to this, in the connection step (S2) of the first structure and the second structure, the adhesive discharge performance is not hindered, and the reliability of the electronic component can be improved.

また、例えば、図２（Ａ）に示すように、検査領域４０が、第１樹脂突起２０が延びる方向Ａに沿って、第１樹脂突起２０と並設される場合、第２樹脂突起４１は、第１樹脂突起２０と方向Ａにおいて並設される。これによれば、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、方向Ａに沿った接着剤の排出性が阻害されないため、電子部品の信頼性を向上させることができる。   Further, for example, as shown in FIG. 2A, when the inspection region 40 is arranged in parallel with the first resin protrusion 20 along the direction A in which the first resin protrusion 20 extends, the second resin protrusion 41 is The first resin protrusion 20 is juxtaposed in the direction A. According to this, since the discharge property of the adhesive along the direction A is not hindered in the connection step (S2) of the first structure and the second structure, the reliability of the electronic component can be improved.

次に、第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、絶縁膜１６の上面１６ｂに、電極１４と接続し、第１樹脂突起２０の少なくとも一部を覆う配線３０を形成する工程を含む。配線３０の形状は特に限定されない。例えば、図２（Ａ）に示すように、第１樹脂突起２０が延びる方向Ｃと直交する方向に延びるように形成されてもよい。   Next, in the step of preparing the first structure 50 (S1-1), as shown in FIGS. 2A and 2B, the upper surface 16b of the insulating film 16 is connected to the electrode 14, 1 includes a step of forming a wiring 30 covering at least a part of the resin protrusion 20. The shape of the wiring 30 is not particularly limited. For example, as shown to FIG. 2 (A), you may form so that the 1st resin protrusion 20 may be extended in the direction orthogonal to the direction C extended.

ここで、図２（Ｂ）に示すように、配線３０は、複数の導電層の積層体であってもよい。したがって、配線３０を形成する工程は、第１の導電層３１と第２の導電層３２を積層して成膜し、所望の形状にパターニングする工程を含んでもよい。また、図示はされないが、配線３０は単層であってもよいし、図示されない第３の導電層を含んでもよい。   Here, as illustrated in FIG. 2B, the wiring 30 may be a stacked body of a plurality of conductive layers. Therefore, the step of forming the wiring 30 may include a step of stacking the first conductive layer 31 and the second conductive layer 32 and patterning them into a desired shape. Although not shown, the wiring 30 may be a single layer or may include a third conductive layer (not shown).

第１の導電層３１及び第２の導電層３２の成膜方法は特に限定されず、公知の成膜技術を用いることができる。例えば、第１の導電層３１及び第２の導電層３２は、スパッタ法にて形成してもよい。また、パターニングする方法は特に限定されず、所望のレジストを形成し、公知のフォトリソグラフィー技術によりパターニングしてもよい。   The method for forming the first conductive layer 31 and the second conductive layer 32 is not particularly limited, and a known film forming technique can be used. For example, the first conductive layer 31 and the second conductive layer 32 may be formed by a sputtering method. The patterning method is not particularly limited, and a desired resist may be formed and patterned by a known photolithography technique.

第１の導電層３１の材質は、例えば、絶縁膜１６の材質と密着性の高い導電性の材質から選択され、第２の導電層３２の材質は、第１の導電層３１よりも良好な導電性を有する材質から選択されてもよい。具体的には、第１の導電層３１は、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタン（Ｔｉ）及びニッケルクロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。第２の導電層３２は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。   The material of the first conductive layer 31 is selected from, for example, a conductive material having high adhesion with the material of the insulating film 16, and the material of the second conductive layer 32 is better than that of the first conductive layer 31. You may select from the material which has electroconductivity. Specifically, the first conductive layer 31 may be a layer including at least one of titanium tungsten (TiW), titanium (Ti), nickel chromium alloy (Ni—Cr), and the like. The second conductive layer 32 may be a layer containing at least one of gold (Au), platinum (Pt), silver (Ag), and copper (Cu).

以上から、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示す第１構造体５０を準備することができる。   From the above, the first structure 50 shown in FIGS. 2A to 2C can be prepared.

次に、図４（Ａ）は、第２構造体８０を準備する工程（Ｓ１−２）において準備される第２構造体８０の一部を模式的に示す断面図である。   Next, FIG. 4A is a cross-sectional view schematically showing a part of the second structure 80 prepared in the step of preparing the second structure 80 (S1-2).

準備される第２構造体８０は、図４（Ａ）に示すように、光透過性の材質からなり、第２の面６１を有する第２基板６０と、第２の面６１の上方に位置した電気的接続部７１と、を含む。   As shown in FIG. 4A, the prepared second structure 80 is made of a light-transmitting material, and is positioned above the second surface 61 and the second substrate 60 having the second surface 61. Electrical connection 71.

第２基板６０は、光透過性を有する材質からなる基板であれば特に限定されない。例えば、第２基板６０の材質は、無機系の材質であることができる。このとき、第２基板６０は、ガラス基板やセラミックス基板であってもよい。あるいは、第２基板６０は、有機系の材質であってもよく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、第２基板６０としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープを使用してもよい。第２基板６０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。つまりは、第２基板６０は配線基板であってもよい。   The 2nd board | substrate 60 will not be specifically limited if it is a board | substrate which consists of a material which has a light transmittance. For example, the material of the second substrate 60 can be an inorganic material. At this time, the second substrate 60 may be a glass substrate or a ceramic substrate. Alternatively, the second substrate 60 may be an organic material, or a substrate or film made of polyethylene terephthalate (PET). Alternatively, a flexible substrate made of a polyimide resin may be used as the second substrate 60. As a flexible substrate, a tape used in FPC (Flexible Printed Circuit) or TAB (Tape Automated Bonding) technology may be used. The second substrate 60 may be a part of an electro-optical panel (liquid crystal panel, electroluminescence panel, etc.). That is, the second substrate 60 may be a wiring substrate.

電気的接続部７１は、第２基板６０の第２の面６１の上に位置した配線パターン７０の一部である。配線パターン７０は、例えば、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されてもよい。配線パターン７０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）等の金属膜、金属化合物膜、又は、それらの複合膜によって形成されてもよい。また、配線パターン７０は、その一部が第２基板６０の内側を通るように形成されてもよい。   The electrical connection portion 71 is a part of the wiring pattern 70 located on the second surface 61 of the second substrate 60. For example, the wiring pattern 70 may be electrically connected to an electrode (scanning electrode, signal electrode, counter electrode, or the like) that drives liquid crystal. The wiring pattern 70 is a metal film such as ITO (Indium Tin Oxide), aluminum (Al), copper (Cu), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), titanium tungsten (Ti-W), metal It may be formed by a compound film or a composite film thereof. Further, the wiring pattern 70 may be formed so that a part thereof passes through the inside of the second substrate 60.

以上から、第２構造体８０が準備される。   From the above, the second structure 80 is prepared.

第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、第１の面１１と第２の面６１とが対向するように、第１構造体５０および第２構造体６０を配置する工程（Ｓ２−１、図４（Ａ）参照）と、第１樹脂突起２０上の配線３０と電気的接続部７１を押圧力によって接続する工程（Ｓ２−２、図４（Ｂ）参照）を含む。本工程によって、第１基板１０が、第２構造体８０に電気的に接続される。   In the connecting step (S2) of the first structure and the second structure, as shown in FIGS. 4A and 4B, the first surface 11 and the second surface 61 face each other. The step of arranging the first structure 50 and the second structure 60 (see S2-1, FIG. 4A), and the wiring 30 on the first resin protrusion 20 and the electrical connection portion 71 are connected by pressing force. Step (S2-2, see FIG. 4B). Through this step, the first substrate 10 is electrically connected to the second structure 80.

本工程は、外部端子である第１樹脂突起２０の上の配線３０を、第２構造体８０の電気的接続部７１に押し当てることができる限り、特に限定されない。以下に第１構造体５０を第２構造体８０に搭載する方法の一例を説明する。   This step is not particularly limited as long as the wiring 30 on the first resin protrusion 20 that is an external terminal can be pressed against the electrical connection portion 71 of the second structure 80. Hereinafter, an example of a method for mounting the first structure 50 on the second structure 80 will be described.

図４（Ａ）に示すように、第１構造体５０および第２構造体６０を配置する工程においては、第１の面１１と第２の面６１とが対向するように、第１構造体５０を第２構造体８０上方に配置する。ここで、第１構造体５０の第１樹脂突起２０の上に形成された配線３０と、第２構造体８０の配線パターン７０（電気的接続部７１）とが対向するように位置合わせをする。   As shown in FIG. 4 (A), in the step of arranging the first structure 50 and the second structure 60, the first structure is so arranged that the first surface 11 and the second surface 61 face each other. 50 is disposed above the second structure 80. Here, alignment is performed so that the wiring 30 formed on the first resin protrusion 20 of the first structure 50 and the wiring pattern 70 (electrical connection portion 71) of the second structure 80 face each other. .

図４（Ａ）に示すように、第１構造体５０の第１の面１１と、第２構造体８０との間に接着剤９０を設ける。本工程では、予め、第２構造体８０側に接着剤９０を設けてもよいが、特に限定されるものではなく、第１構造体５０側に設けられてもよい。接着剤９０は、例えば、フィルム状の接着剤を利用してもよい。接着剤９０は、絶縁性の接着剤であってもよい。接着剤９０は、公知のＮＣＦ（Ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）接着剤であってもよい。   As shown in FIG. 4A, an adhesive 90 is provided between the first surface 11 of the first structure 50 and the second structure 80. In this step, the adhesive 90 may be provided in advance on the second structure 80 side, but is not particularly limited, and may be provided on the first structure 50 side. As the adhesive 90, for example, a film adhesive may be used. The adhesive 90 may be an insulating adhesive. The adhesive 90 may be a known NCF (Non-Conductive Film) adhesive.

次に、図４（Ｂ）に示すように、第１構造体５０と第２構造体８０との間に押圧力を加えることで押圧して、樹脂突起２０上の配線３０と配線パターン７０（電気的接続部７１）とをそれぞれ接触させる。これによれば、押圧力によって、配線３０と、第１樹脂突起２０を弾性変形させることができる。このとき、第１樹脂突起２０の弾性力によって、発生する応力を緩和しつつ、配線３０と電気的接続部７１（配線パターン７０）とを押し付けることができるため、半導体装置の信頼性を低下させることなく、電気的な接続信頼性の高い電子部品を提供することができる。   Next, as shown in FIG. 4B, the first structure 50 and the second structure 80 are pressed by applying a pressing force, and the wiring 30 on the resin protrusion 20 and the wiring pattern 70 ( The electrical connection 71) is brought into contact with each other. According to this, the wiring 30 and the first resin protrusion 20 can be elastically deformed by the pressing force. At this time, the elastic force of the first resin protrusion 20 can press the wiring 30 and the electrical connection portion 71 (wiring pattern 70) while relaxing the generated stress, thereby reducing the reliability of the semiconductor device. Therefore, an electronic component with high electrical connection reliability can be provided.

図４（Ｂ）に示すように、第１構造体５０を第２構造体８０に押圧する工程によって、過剰な接着剤が排出され、配線３０と電気的接続部７１との接触部分以外において、接着剤９０が充填された構造となる。   As shown in FIG. 4 (B), excessive adhesive is discharged by the process of pressing the first structure 50 against the second structure 80, and in a portion other than the contact portion between the wiring 30 and the electrical connection portion 71, The adhesive 90 is filled.

次に、第１構造体５０を第２構造体８０に搭載する工程の後に、接着剤９０を硬化させて、接着層を形成してもよい（図示せず）。接着層によって、第１構造体５０と第２構造体８０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着層によって、第１樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。また、図示はされないが、さらに切り出し工程等を経て、本実施の形態に係る第３構造体１０００を製造してもよい。切り出し工程は、後述される検査工程（Ｓ３）の後であってもよい。   Next, after the step of mounting the first structure 50 on the second structure 80, the adhesive 90 may be cured to form an adhesive layer (not shown). You may maintain the space | interval of the 1st structure 50 and the 2nd structure 80 with an contact bonding layer. That is, the first resin protrusion 20 may be elastically deformed by the adhesive layer. Although not shown, the third structure 1000 according to the present embodiment may be manufactured through a cutting process and the like. The cut-out process may be after the inspection process (S3) described later.

本工程において、第１構造体５０と第２構造体８０との間に加えられる押圧力の量または時間によって、第１基板１０と第２基板６０との距離Ｄ１が決定する。第１構造体５０と第２構造体８０とが確実に電気的に接続されるためには、本工程における実際の距離Ｄ１が適正な数値範囲内であることが要求される。押圧機器やアライメント等の問題から加えられた押圧力が過多となり、実際の距離Ｄ１が所定の距離よりも小さい場合、リーク電流の発生など基板間の電気的接続信頼性が低下する可能性がある。   In this step, the distance D1 between the first substrate 10 and the second substrate 60 is determined by the amount or time of the pressing force applied between the first structure 50 and the second structure 80. In order to ensure that the first structure 50 and the second structure 80 are electrically connected, the actual distance D1 in this step is required to be within an appropriate numerical range. If the pressing force applied due to problems with the pressing device, alignment, etc. becomes excessive and the actual distance D1 is smaller than the predetermined distance, the reliability of electrical connection between the substrates such as generation of leakage current may be reduced. .

次に、検査工程（Ｓ３）を行う。図５（Ａ）および図５（Ｂ）は本実施形態に係る検査工程（Ｓ３）を模式的に説明する平面図である。   Next, an inspection process (S3) is performed. FIG. 5A and FIG. 5B are plan views schematically illustrating the inspection process (S3) according to the present embodiment.

検査工程（Ｓ３）においては、第２樹脂突起４１と第２の面６１との接触の有無を確認することで、第１基板１０と第２基板６０との距離を確認する。上述のように、第２樹脂突起４１の第１の面１１からの高さｈ１は、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が過多となり、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離Ｄ１が適正範囲を超えた場合に、第２基板６０の第２の面６１と接触する高さとなるように設定されている。また、第２基板６０は、光透過性を有する材質からなる基板である。したがって、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、第２基板６０の検査領域４０と対向する領域を視覚的に検査し、第２樹脂突起４１と第２の面６１との接触の有無を確認することによって、第１基板１０と第２基板６０との距離を確認することができる。ここで、第２樹脂突起４１と第２の面６１との接触の有無を確認する方法は特に限定されず、例えば、レンズ、照明などの光源、およびＣＣＤ等を含む光学系（図示せず）を用いてモニタリングすることによって、本実施の形態に係る検査工程を行ってもよい。   In the inspection step (S3), the distance between the first substrate 10 and the second substrate 60 is confirmed by confirming whether or not the second resin protrusion 41 and the second surface 61 are in contact. As described above, the height h1 of the second resin protrusion 41 from the first surface 11 is excessive in the pressing step in the connection step (S2) of the first structure and the second structure, and the first substrate 10 When the distance D1 between the substrate and the second substrate 60 exceeds the appropriate range, the height is set to be in contact with the second surface 61 of the second substrate 60. The second substrate 60 is a substrate made of a light transmissive material. Therefore, as shown in FIG. 5A and FIG. 5B, a region facing the inspection region 40 of the second substrate 60 is visually inspected, and the second resin protrusion 41 and the second surface 61 are By confirming the presence or absence of contact, the distance between the first substrate 10 and the second substrate 60 can be confirmed. Here, a method for confirming whether or not the second resin protrusion 41 and the second surface 61 are in contact with each other is not particularly limited. The inspection process according to the present embodiment may be performed by monitoring using

例えば、図５（Ａ）に示すように、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１が第２の面６１との接触領域４１ａを形成していない場合、過剰な押圧力はかからず、基板間の距離Ｄ１は適正範囲内であり、潰れすぎた第１樹脂突起２０は形成されていないと判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、良好であると判断することができる。   For example, as shown in FIG. 5A, when the second resin protrusion 41 does not form the contact area 41a with the second surface 61 above the inspection area 40, no excessive pressing force is applied. The distance D1 between the substrates is within an appropriate range, and it may be determined that the excessively crushed first resin protrusion 20 is not formed. In other words, it can be determined that the electrical connection of the third structure 1000 is good.

また、図５（Ｂ）に示すように、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１が第２の面６１との接触領域４１ａを形成している場合、過剰な押圧力が加わっており、基板間の距離Ｄ１は適正範囲を超え、潰れすぎた第１樹脂突起２０が形成されていると判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は不良であると判断することができる。   As shown in FIG. 5B, when the second resin protrusion 41 forms the contact area 41a with the second surface 61 above the inspection area 40, an excessive pressing force is applied. The distance D1 between the substrates may exceed the appropriate range, and it may be determined that the first resin protrusion 20 that has been crushed too much is formed. In other words, it can be determined that the electrical connection of the third structure 1000 is poor.

また、例えば、図２（Ａ）に示すように、検査領域４０が、４つの角部１０ｃに設けられている場合、４つ角部１０ｃにおける基板間の距離Ｄ１を確認することができるため、第２基板６０に対する第１基板１０の平坦度も確認することができる。   Further, for example, as shown in FIG. 2A, when the inspection region 40 is provided in the four corners 10c, the distance D1 between the substrates in the four corners 10c can be confirmed. The flatness of the first substrate 10 with respect to the second substrate 60 can also be confirmed.

以上の工程により、図４（Ｂ）に示すように、電気的接続信頼性が担保された第３構造体１０００を形成することができる。   Through the above steps, as shown in FIG. 4B, the third structure 1000 in which electrical connection reliability is ensured can be formed.

第３構造体１０００は、電子部品であってもよい。図６には、電子部品である第３構造体１０００の一例として、表示デバイスである場合の第３構造体１０００を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示デバイスであってもよい。そして、第１構造体５０は、表示デバイスである第３構造体１０００を制御するドライバーＩＣであってもよい。   The third structure 1000 may be an electronic component. FIG. 6 shows the third structure 1000 in the case of a display device as an example of the third structure 1000 that is an electronic component. The display device may be, for example, a liquid crystal display device or an EL (Electrical Luminescence) display device. The first structure 50 may be a driver IC that controls the third structure 1000 that is a display device.

本実施の形態に係る基板の接続方法は、例えば、以下の特徴を有する。   The substrate connection method according to the present embodiment has, for example, the following characteristics.

本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。以下、詳細を説明する。   According to the substrate connection method according to the present embodiment, it is possible to provide a substrate connection method capable of easily confirming the distance between the substrates. Details will be described below.

本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、第１の基板１０の所望の領域に、検査領域４０を設け、所定の高さの第２樹脂突起４１と第２の面６１との接触の有無を確認するだけで、検査工程（Ｓ３）を行う。したがって、第１構造体５０と、第２構造体８０との位置合わせの工程において、第２樹脂突起４１に対して、第２構造体５０を高いアライメント精度で位置合わせする必要がない。言い換えれば、第２樹脂突起４１に対する第２構造体５０の位置ずれによる歩留まりの低下の可能性がない。   According to the substrate connecting method according to the present embodiment, the inspection region 40 is provided in a desired region of the first substrate 10, and the second resin protrusion 41 having a predetermined height and the second surface 61 are in contact with each other. The inspection process (S3) is performed only by confirming the presence or absence. Therefore, in the process of aligning the first structure 50 and the second structure 80, it is not necessary to align the second structure 50 with high alignment accuracy with respect to the second resin protrusion 41. In other words, there is no possibility of a decrease in yield due to the displacement of the second structure 50 with respect to the second resin protrusion 41.

また、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、検査工程（Ｓ３）に必要となる部材は、第１構造体５０側において、所定の高さｈ１を有する第２樹脂突起４１を形成する工程のみであり、第２構造体８０側において、検査工程（Ｓ３）に必要な部材を形成する必要がない。また、第２樹脂突起４１は、第１樹脂突起２０を形成する工程において、同時に形成することができる。   Further, according to the substrate connecting method according to the present embodiment, the member necessary for the inspection step (S3) forms the second resin protrusion 41 having the predetermined height h1 on the first structure 50 side. It is only a process, and it is not necessary to form a member necessary for the inspection process (S3) on the second structure 80 side. Further, the second resin protrusion 41 can be formed at the same time in the step of forming the first resin protrusion 20.

以上から、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、より簡便に、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。また、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、簡便な検査方法により、電気的接続信頼性の高い電子部品等を製造することができる。   As mentioned above, according to the board | substrate connection method which concerns on this Embodiment, the board | substrate connection method which can confirm the distance between board | substrates more simply can be provided. In addition, according to the substrate connection method according to the present embodiment, an electronic component or the like having high electrical connection reliability can be manufactured by a simple inspection method.

２． 第２の実施形態
以下、図面を参照して、第２の実施の形態に係る基板の接続方法について説明する。 2. Second Embodiment A substrate connection method according to a second embodiment will be described below with reference to the drawings.

図７（Ａ）は、本実施形態に適用される第１構造体２００を模式的に示す平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す第１構造体２００のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線断面図である。図８（Ａ）〜図８（Ｃ）は本実施形態に係る検査工程（Ｓ３）を模式的に説明する平面図である。   FIG. 7A is a plan view schematically showing the first structure 200 applied to the present embodiment, and FIG. 7B is a VIIB of the first structure 200 shown in FIG. 7A. It is -VIIB sectional view taken on the line. FIG. 8A to FIG. 8C are plan views schematically illustrating the inspection process (S3) according to the present embodiment.

本実施の形態では、準備される第１構造体２００が、検査領域４０に位置し、第１の面１１からの高さｈ２が、第２樹脂突起４１よりも高く、かつ、第１樹脂突起２０よりも低い第３樹脂突起４２をさらに含む点と、検査工程（Ｓ３）において、第３樹脂突起４２と第２の面６１との接触の有無を確認することをさらに含む点で第１の実施形態と異なる。以下の説明では、第１の実施形態と本実施形態と異なる構成についてのみ説明する。なお、第１の実施形態と同様の構成と、その製造方法等は、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。   In the present embodiment, the first structure 200 to be prepared is located in the inspection region 40, the height h2 from the first surface 11 is higher than the second resin protrusion 41, and the first resin protrusion The first point in that it further includes a third resin protrusion 42 lower than 20, and further in the presence or absence of contact between the third resin protrusion 42 and the second surface 61 in the inspection step (S3). Different from the embodiment. In the following description, only a configuration different from the first embodiment will be described. Note that the same configuration as the first embodiment, the manufacturing method thereof, and the like are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

検査領域４０には、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、第３樹脂突起４２が位置している。第３樹脂突起４２は、検査領域４０において、第２樹脂突起４１と第１の面１１の辺に沿って隣り合うように形成されてもよい。また、第３樹脂突起４２は、４つの角部１０ｃにそれぞれ配置されてもよい。また、第３樹脂突起４２は、第１の面１１の中央領域に配置されてもよい。また、第３樹脂突起４２は、第１の面１１の辺と第１樹脂突起２０の配線３０に覆われた部分（第１の部分２１）との間に配置されてもよい。また、第３樹脂突起４２は、第１樹脂突起２０と方向Ａにおいて並設されてもよい。   As shown in FIGS. 7A and 7B, the third resin protrusion 42 is located in the inspection region 40. The third resin protrusion 42 may be formed to be adjacent to the second resin protrusion 41 along the side of the first surface 11 in the inspection region 40. Moreover, the 3rd resin protrusion 42 may be arrange | positioned at the four corner | angular parts 10c, respectively. Further, the third resin protrusion 42 may be disposed in the central region of the first surface 11. Further, the third resin protrusion 42 may be disposed between the side of the first surface 11 and the portion of the first resin protrusion 20 covered with the wiring 30 (first portion 21). Further, the third resin protrusion 42 may be arranged in parallel with the first resin protrusion 20 in the direction A.

第３樹脂突起４２は、図７（Ｂ）に示すように、第１の面１１（上面１６ｂ）からの高さｈ２が、第２樹脂突起４１よりも高く、かつ、第１樹脂突起２０よりも低い。ここで、第３樹脂突起４２の第１の面１１からの高さｈ２は、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が適切に加えられ、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離Ｄ１が適正範囲となった場合に、第３樹脂突起４２が第２基板６０の第２の面６１と接触する高さとなるように設定される。言い換えれば、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が不足し、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離Ｄ１が適正範囲となっていない場合には、第３樹脂突起４２が第２基板６０の第２の面６１と接触しない高さとなるようにｈ２は設定される。   As shown in FIG. 7B, the third resin protrusion 42 has a height h2 from the first surface 11 (upper surface 16b) higher than that of the second resin protrusion 41 and from the first resin protrusion 20. Is also low. Here, the height h <b> 2 of the third resin protrusion 42 from the first surface 11 is appropriately applied with a pressing force in the connection step (S <b> 2) of the first structure and the second structure, and the first substrate 10. When the distance D <b> 1 between the substrate and the second substrate 60 falls within an appropriate range, the third resin protrusion 42 is set so as to be in contact with the second surface 61 of the second substrate 60. In other words, in the connecting step (S2) of the first structure and the second structure, the pressing force is insufficient, and the distance D1 between the first substrate 10 and the second substrate 60 is not in the proper range. In this case, h2 is set so that the third resin protrusion 42 does not come into contact with the second surface 61 of the second substrate 60.

第３樹脂突起４２は、第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）の第１樹脂突起２０および第２樹脂突起４１を形成する工程において、同時に形成することができる。具体的には、樹脂材質膜２６をパターニングする際、第２樹脂層４５よりも大きく、かつ、第１樹脂層２７よりも小さい幅を有する第３樹脂層を形成し、該第３樹脂層を熱処理（キュアリング）することによって、第３樹脂突起４２を形成してもよい。   The third resin protrusion 42 can be formed simultaneously in the step of forming the first resin protrusion 20 and the second resin protrusion 41 in the step of preparing the first structure 50 (S1-1). Specifically, when patterning the resin material film 26, a third resin layer having a width larger than the second resin layer 45 and smaller than the first resin layer 27 is formed, and the third resin layer is formed. The third resin protrusions 42 may be formed by heat treatment (curing).

本実施形態における検査工程（Ｓ３）では、図８（Ａ）に示すように、検査領域４０の上方において、第３樹脂突起４２の第２の面６１との接触領域４２ａが形成され、かつ、第２樹脂突起４１が第２の面６１と接触していない場合、押圧力は過不足なく加えられ、基板間の距離Ｄ１は適正範囲内であり、潰れ度合いが不足している第１樹脂突起２０や潰れ過ぎた第１樹脂突起２０は形成されていないと判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、良好であると判断することができる。   In the inspection step (S3) in the present embodiment, as shown in FIG. 8A, a contact region 42a with the second surface 61 of the third resin protrusion 42 is formed above the inspection region 40, and When the second resin protrusion 41 is not in contact with the second surface 61, the pressing force is applied without excess or deficiency, the distance D1 between the substrates is within an appropriate range, and the degree of crushing is insufficient. It may be determined that 20 or the first resin protrusion 20 that has been crushed too much is not formed. In other words, it can be determined that the electrical connection of the third structure 1000 is good.

また、図８（Ｂ）に示すように、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１及び第３樹脂突起４２の両方ともが第２の面６１と接触していない場合、押圧力が不足し、基板間の距離Ｄ１は適正範囲に達しておらず、潰れ度合いが不足している第１樹脂突起２０が形成されていると判断してもよい。言い換えれば、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１が第２の面６１との接触領域４１ａを形成している場合、第３構造体１０００の電気的接続は、不良であると判断することができる。   Further, as shown in FIG. 8B, when both the second resin protrusion 41 and the third resin protrusion 42 are not in contact with the second surface 61 above the inspection region 40, the pressing force is insufficient. Then, it may be determined that the distance D1 between the substrates does not reach the proper range, and the first resin protrusions 20 having an insufficient crushing degree are formed. In other words, when the second resin protrusion 41 forms the contact region 41a with the second surface 61 above the inspection region 40, it is determined that the electrical connection of the third structure 1000 is defective. be able to.

また、図８（Ｃ）に示すように、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１及び第３樹脂突起４２の両方ともが第２の面６１と接触している場合、押圧力が過多となり、基板間の距離Ｄ１は適正範囲に超えており、潰れすぎた第１樹脂突起２０が形成されていると判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、不良であると判断することができる。   Further, as shown in FIG. 8C, when both the second resin protrusion 41 and the third resin protrusion 42 are in contact with the second surface 61 above the inspection region 40, the pressing force is excessive. Thus, the distance D1 between the substrates exceeds the appropriate range, and it may be determined that the first resin protrusion 20 that has been crushed too much is formed. In other words, it can be determined that the electrical connection of the third structure 1000 is defective.

本実施の形態に係る基板の接続方法は、例えば、以下の特徴をさらに有する。   The substrate connection method according to the present embodiment further has the following features, for example.

本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、高さがｈ２に設定された３樹脂突起４２をさらに備えることにより、検査工程（Ｓ３）において、押圧力が過不足なく加えられ、基板間の距離Ｄ１が適正範囲内である場合（図８（Ａ）参照）と、押圧力が不足し、基板間の距離Ｄ１が適正範囲内に達していない場合（図８（Ｂ）参照）とを明確に確認することができる。   According to the substrate connecting method according to the present embodiment, by further including the three resin protrusions 42 having a height set to h2, a pressing force is applied without excess or deficiency in the inspection step (S3). Clarified when the distance D1 is within the appropriate range (see FIG. 8A) and when the pressing force is insufficient and the distance D1 between the substrates does not reach the appropriate range (see FIG. 8B). Can be confirmed.

以上から、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、第１の実施形態の特徴に加えて、より定量的に、基板間の距離を確認することができる基板の接続方法を提供することができる。   As described above, according to the substrate connection method according to the present embodiment, in addition to the features of the first embodiment, a substrate connection method capable of confirming the distance between the substrates more quantitatively is provided. Can do.

３． 第３の実施形態
以下、図面を参照して、第３の実施の形態に係る基板の接続方法について説明する。 3. Third Embodiment Hereinafter, a substrate connecting method according to a third embodiment will be described with reference to the drawings.

図９（Ａ）は、本実施形態において準備される第１構造体３００を模式的に示す平面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示す第１構造体３００のＩＸＢ−ＩＸＢ線断面図である。図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）は本実施形態に係る検査工程（Ｓ３）を模式的に説明する平面図である。   FIG. 9A is a plan view schematically showing the first structure 300 prepared in the present embodiment, and FIG. 9B is an IXB of the first structure 300 shown in FIG. 9A. It is -IXB sectional view taken on the line. FIG. 10A and FIG. 10B are plan views schematically illustrating the inspection process (S3) according to the present embodiment.

本実施の形態では、準備される第１構造体３００が、第１の面１１の上方の検査領域４０に位置し、第１の面１１からの高さが第１樹脂突起２０よりも高い第４樹脂突起４３をさらに含む点と、検査工程（Ｓ３）において、第４樹脂突起４３と第２の面６１との接触の有無を確認することをさらに含む点で第１または第２の実施形態と異なる。以下の説明では、第１および第２の実施形態と本実施形態と異なる構成についてのみ説明する。なお、第１の実施形態と同様の構成と、その製造方法等は、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。なお、以下においては、第２の実施形態に本実施形態を組み合わせた形態を一例として説明するが、これに限定されず、第１の実施形態に本実施形態を組み合わせた形態であってもよい。   In the present embodiment, the first structure 300 to be prepared is positioned in the inspection region 40 above the first surface 11, and the height from the first surface 11 is higher than that of the first resin protrusion 20. 1st or 2nd embodiment by the point which further contains the point which further contains the 4 resin protrusion 43, and the presence or absence of the contact with the 4th resin protrusion 43 and the 2nd surface 61 in a test process (S3). And different. In the following description, only configurations different from the first and second embodiments and the present embodiment will be described. Note that the same configuration as the first embodiment, the manufacturing method thereof, and the like are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In the following description, the embodiment in which the present embodiment is combined with the second embodiment will be described as an example. However, the present embodiment is not limited to this, and the embodiment may be combined with the first embodiment. .

検査領域４０には、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、第４樹脂突起４３が位置している。第４樹脂突起４３は、検査領域４０において、第２樹脂突起４１及び第３樹脂突起４２と第１の面１１の辺に沿って隣り合うように形成されてもよい。また、第４樹脂突起４３は、４つの角部１０ｃにそれぞれ配置されてもよい。また、第４樹脂突起４３は、第１の面１１の中央領域に配置されてもよい。また、第４樹脂突起４３は、第１の面１１の辺と第１樹脂突起２０の配線３０に覆われた部分（第１の部分２１）との間に配置されてもよい。また、第４樹脂突起４３は、第１樹脂突起２０と方向Ａにおいて並設されてもよい。   As shown in FIGS. 9A and 9B, the fourth resin protrusion 43 is located in the inspection region 40. The fourth resin protrusion 43 may be formed to be adjacent to the second resin protrusion 41 and the third resin protrusion 42 along the side of the first surface 11 in the inspection region 40. Moreover, the 4th resin protrusion 43 may be arrange | positioned at the four corner | angular parts 10c, respectively. Further, the fourth resin protrusion 43 may be disposed in the central region of the first surface 11. Further, the fourth resin protrusion 43 may be disposed between the side of the first surface 11 and the portion of the first resin protrusion 20 covered with the wiring 30 (first portion 21). Further, the fourth resin protrusion 43 may be arranged in parallel with the first resin protrusion 20 in the direction A.

第４樹脂突起４３は、図９（Ｂ）に示すように、第１の面１１（上面１６ｂ）からの高さｈ３が、第１樹脂突起２０よりも高い。ここで、第４樹脂突起４３の第１の面１１からの高さｈ３は、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が不足し、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離Ｄ１が適正範囲に達していない場合に、第４樹脂突起４３が第２基板６０の第２の面６１と接触する高さとなるように設定される。   As shown in FIG. 9B, the height h3 of the fourth resin protrusion 43 from the first surface 11 (upper surface 16b) is higher than that of the first resin protrusion 20. Here, the height h3 of the fourth resin protrusion 43 from the first surface 11 is insufficient in the pressing force in the connection step (S2) of the first structure and the second structure, and the first substrate 10 and the first substrate 11 When the distance D <b> 1 between the two substrates 60 and the substrate does not reach the proper range, the fourth resin protrusion 43 is set so as to be in contact with the second surface 61 of the second substrate 60.

第４樹脂突起４３は、第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）の第１樹脂突起２０および第２樹脂突起４１を形成する工程において、同時に形成することができる。具体的には、樹脂材質膜２６をパターニングする際、第１樹脂層２７よりも大きい幅を有する第４樹脂層を形成し、該第４樹脂層を熱処理（キュアリング）することによって、第４樹脂突起４３を形成してもよい。   The fourth resin protrusion 43 can be formed simultaneously in the step of forming the first resin protrusion 20 and the second resin protrusion 41 in the step of preparing the first structure 50 (S1-1). Specifically, when the resin material film 26 is patterned, a fourth resin layer having a width larger than that of the first resin layer 27 is formed, and the fourth resin layer is subjected to heat treatment (curing) to thereby obtain a fourth resin layer. The resin protrusion 43 may be formed.

本実施形態における検査工程（Ｓ３）では、図１０（Ａ）に示すように、検査領域４０の上方において、第４樹脂突起４３の第２の面６１との接触領域４３ａが形成され、かつ、第３樹脂突起４２の第２の面６１との接触領域４２ａが形成されている場合、押圧力は過不足なく加えられ、基板間の距離Ｄ１は適正範囲内であり、潰れ度合いが不足している第１樹脂突起２０や潰れ過ぎた第１樹脂突起２０は形成されていないと判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、良好であると判断することができる。   In the inspection step (S3) in the present embodiment, as shown in FIG. 10A, a contact region 43a with the second surface 61 of the fourth resin protrusion 43 is formed above the inspection region 40, and When the contact area 42a with the second surface 61 of the third resin protrusion 42 is formed, the pressing force is applied without excess or deficiency, the distance D1 between the substrates is within an appropriate range, and the degree of crushing is insufficient. It may be determined that the first resin protrusion 20 or the first resin protrusion 20 that is too crushed is not formed. In other words, it can be determined that the electrical connection of the third structure 1000 is good.

また、図１０（Ｂ）に示すように、検査領域４０の上方において、検査領域４０の上方において、第４樹脂突起４３の第２の面６１との接触領域４３ａが形成され、かつ、第３樹脂突起４２が第２の面６１と接触していない場合、押圧力が不足し、基板間の距離Ｄ１は適正範囲に達しておらず、潰れ度合いが不足している第１樹脂突起２０が形成されていると判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、不良であると判断することができる。   Further, as shown in FIG. 10B, a contact region 43a with the second surface 61 of the fourth resin protrusion 43 is formed above the inspection region 40 and above the inspection region 40, and the third region When the resin protrusions 42 are not in contact with the second surface 61, the pressing force is insufficient, the distance D1 between the substrates does not reach the appropriate range, and the first resin protrusions 20 that are not sufficiently crushed are formed. It may be determined that In other words, it can be determined that the electrical connection of the third structure 1000 is defective.

本実施の形態に係る基板の接続方法は、例えば、以下の特徴をさらに有する。   The substrate connection method according to the present embodiment further has the following features, for example.

本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、高さがｈ２に設定された３樹脂突起４２をさらに備えることにより、検査工程（Ｓ３）において、押圧力が不足し、基板間の距離Ｄ１が適正範囲内に達していない場合（図１０（Ｂ）参照）であっても、どの程度押圧力が不足しているのかという点も確認することができる。また、押圧力が不足している場合であっても、接触領域４３ａが形成されるため、視覚的に判断を行いやすくなる。   According to the substrate connecting method according to the present embodiment, by further including the three resin protrusions 42 having a height set to h2, the pressing force is insufficient in the inspection step (S3), and the distance D1 between the substrates is Even if it is not within the appropriate range (see FIG. 10B), it can be confirmed how much the pressing force is insufficient. Even when the pressing force is insufficient, the contact region 43a is formed, so that it is easy to make a visual decision.

以上から、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、第１および第２の実施形態の特徴に加えて、より定量的に、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。   From the above, according to the substrate connection method according to the present embodiment, in addition to the features of the first and second embodiments, the substrate connection that can more easily confirm the distance between the substrates more quantitatively. A method can be provided.

なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、複数を適宜組み合わせることが可能である。   In addition, embodiment mentioned above and a modification are examples, Comprising: It is not necessarily limited to these. For example, a plurality of embodiments and modifications can be combined as appropriate.

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes substantially the same configuration (for example, a configuration having the same function, method and result, or a configuration having the same purpose and effect) as the configuration described in the embodiment. In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. In addition, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

１ 集積回路、１０ 第１基板、１１ 第１の面、１４ 電極、１６ 絶縁膜、
１６ａ 開口部、１６ｂ 上面、２０ 第１樹脂突起、２１ 第１の部分、
２２ 第２の部分、２４ 凹部、２６ 樹脂材質膜、２７ 第１樹脂層、
３０ 配線、３１ 第１の導電層、３２ 第２の導電層、４０ 検査領域、
４１ 第２樹脂突起、４２ 第３樹脂突起、４３ 第４樹脂突起、
５０（２００、３００） 第１構造体、６０ 第２基板、６１ 第２の面、
７０ 配線パターン、７１ 電気的接続部、８０ 第２構造体、９０ 接着剤、
１０００ 第３構造体。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Integrated circuit, 10 1st board | substrate, 11 1st surface, 14 electrode, 16 insulating film,
16a opening, 16b upper surface, 20 first resin protrusion, 21 first portion,
22 second portion, 24 recess, 26 resin material film, 27 first resin layer,
30 wiring, 31 first conductive layer, 32 second conductive layer, 40 inspection region,
41 second resin protrusion, 42 third resin protrusion, 43 fourth resin protrusion,
50 (200, 300) first structure, 60 second substrate, 61 second surface,
70 wiring pattern, 71 electrical connection, 80 second structure, 90 adhesive,
1000 Third structure.

Claims (6)

第１の面を有する第１基板と、前記第１の面に位置する電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起と、前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆う配線と、前記第１の面の検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも低い第２樹脂突起と、を含む第１構造体と、光透過性の材質からなり、第２の面を有する第２基板と、前記第２の面に位置する電気的接続部と、を含む第２構造体と、を用意する工程と、
前記第１の面と前記第２の面とが対向するように、前記第１構造体および前記第２構造体を配置し、前記第１樹脂突起上の前記配線と前記電気的接続部を接続する工程と、
前記第２樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することで、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する検査工程と、
を有する基板の接続方法。 A first substrate having a first surface; an electrode positioned on the first surface; a first resin protrusion positioned on the first surface; and a first resin protrusion connected to the electrode. A first structure including: a wiring covering the portion; and a second resin protrusion positioned in the inspection region of the first surface and having a height from the first surface lower than that of the first resin protrusion; Preparing a second structure made of a light-transmitting material and including a second substrate having a second surface and an electrical connection portion located on the second surface;
The first structure and the second structure are arranged so that the first surface and the second surface face each other, and the wiring on the first resin protrusion and the electrical connection portion are connected. And a process of
An inspection step of confirming the distance between the first substrate and the second substrate by confirming the presence or absence of contact between the second resin protrusion and the second surface;
A method of connecting a substrate having 請求項１において、
前記第１構造体は、前記第１の面の前記検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが、前記第２樹脂突起よりも高く、かつ、前記第１樹脂突起よりも低い第３樹脂突起を含み、
前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する工程は、前記第３樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することを含む、基板の接続方法。 In claim 1,
The first structure is located in the inspection region of the first surface, and a height from the first surface is higher than the second resin protrusion and lower than the first resin protrusion. Including a third resin protrusion,
The step of confirming the distance between the first substrate and the second substrate includes confirming whether or not the third resin protrusion is in contact with the second surface. 請求項１または２において、
前記第１構造体は、前記第１の面の前記検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも高い第４樹脂突起を含み、
前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する工程は、前記第４樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することを含む、基板の接続方法。 In claim 1 or 2,
The first structure includes a fourth resin protrusion located in the inspection region of the first surface and having a height from the first surface higher than that of the first resin protrusion,
The step of confirming the distance between the first substrate and the second substrate includes confirming whether or not the fourth resin protrusion is in contact with the second surface. 請求項１から３のいずれか１項において、
前記第１基板の前記第１の面は４つの角部を有する矩形であり、前記検査領域は、前記角部にそれぞれ設けられる、基板の接続方法。 In any one of Claim 1 to 3,
The substrate connection method, wherein the first surface of the first substrate is a rectangle having four corners, and the inspection region is provided at each of the corners. 請求項１から４のいずれか１項において、
前記配線と前記電気的接続部を接続する工程は、前記第１構造体と前記第２構造体との間に接着剤を設けることを含み、
前記第１基板の前記第１の面は長辺及び前記長辺よりも短い短辺を有する矩形であり、前記第１樹脂突起は、前記第１の面の前記長辺に沿った第１方向に沿って形成され、前記検査領域は、前記第１方向に沿って前記第１樹脂突起と並設される、基板の接続方法。 In any one of Claims 1-4,
The step of connecting the wiring and the electrical connection portion includes providing an adhesive between the first structure and the second structure,
The first surface of the first substrate is a rectangle having a long side and a short side shorter than the long side, and the first resin protrusion is in a first direction along the long side of the first surface. And the inspection region is arranged in parallel with the first resin protrusion along the first direction. 請求項１から４のいずれか１項において、
前記配線と前記電気的接続部を接続する工程は、前記第１構造体と前記第２構造体との間に接着剤を設けることを含み、
前記第１基板の前記第１の面は矩形であり、前記検査領域は、前記第１の面の辺と前記第１樹脂突起との間に設けられ、前記第２樹脂突起は、前記辺と前記第１樹脂突起の前記第１の部分との間に配置される、基板の接続方法。 In any one of Claims 1-4,
The step of connecting the wiring and the electrical connection portion includes providing an adhesive between the first structure and the second structure,
The first surface of the first substrate is rectangular, the inspection region is provided between a side of the first surface and the first resin protrusion, and the second resin protrusion is A method for connecting a board, which is disposed between the first resin protrusion and the first portion.
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