JPH11274460A - 二次元画像検出器 - Google Patents
二次元画像検出器Info
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Abstract
めに、アクティブマトリクス基板上に300℃以下の低
温でCdTeやCdZnTe等の半導体を形成する方法
を提供するとともに、信頼性を向上させた二次元画像検
出器を提供すること。 【解決手段】 格子状の電極配線と前記電極配線の各格
子点毎に設けられた複数の薄膜トランジスタ7および複
数の画素電極12が具備されたアクティブマトリクス基
板1と、光導電性を有する半導体がほぼ全面に具備され
た対向基板2とが、画素毎に独立して設けられた導電性
材料3で平面的に接続された構造の二次元画像検出器で
あって、前記アクティブマトリクス基板1と前記対向基
板2の間隙の内、前記導電性材料3が存在する場所以外
の領域に不活性ガス20が充填されている。
Description
可視光、赤外光等の画像を検出できる二次元画像検出器
の構造に関するものである。
して、X線を感知して電荷(電子−正孔)を発生する半
導体センサーを二次元状に配置し、これらのセンサーに
それぞれ電気スイッチを設けて、各行毎に電気スイッチ
を順次オンにして各列毎にセンサの電荷を読み出すもの
が知られている。このような二次元画像検出器は、例え
ば、文献「D.L.Lee,et al.,"A New Digital Detector f
or Projection Radiography",SPIE,2432,pp.237-249,19
95」、「L.S.Jeromin,et al.,"Application of a-Si Ac
tive-Matrix Technology in a X-Ray Detector Panel",
SID 97 DIGEST,pp.91-94,1997」、および特開平6−3
42098号公報等に具体的な構造や原理が記載されて
いる。
の構成と原理について説明する。
器の構造を模式的に示した図である。また図8は、1画
素当たりの構成断面を模式的に示した図である。
び図8に示すように、ガラス基板51上にXYマトリク
ス状の電極配線(ゲート電極52およびソース電極5
3)、薄膜トランジスタ(TFT)54、電荷蓄積容量
(Cs)55等が形成されたアクティブマトリクス基板
と、該アクティブマトリクス基板上のほぼ全面に形成さ
れた光導電膜56、誘電体層57、上部電極58によっ
て構成されている。
と、上記TFT54のドレイン電極に接続された画素電
極60とが、絶縁膜61を介して対向している構成であ
る。
射されることで電荷(電子−正孔)が発生する半導体材
料が用いられるが、上記文献によれば暗抵抗が高く、X
線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルファスセ
レニウム(a−Se)が用いられている。前記光導電膜
(a−Se)56は、真空蒸着法によって300μm〜
600μmの厚みで形成されている。
液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマ
トリクス基板を流用することが可能である。例えば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置(AMLCD)に用
いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシ
リコン(a−Si)やポリシリコン(p−Si)によっ
て形成された薄膜トランジスタ(TFT)や、XYマト
リクス電極、電荷蓄積容量(Cs)を備えた構造になっ
ており、若干の設計変更を行うだけで、放射線二次元画
像検出器用のアクティブマトリクス基板として利用する
ことが容易である。
の動作原理について説明する。
照射されると、光導電膜56内に電荷(電子−正孔)が
発生する。図7および図8に示すように、光導電膜56
と電荷蓄積容量(Cs)55は電気的に直列に接続され
た構造になっているので、上部電極58とCs電極59
間に電圧を印加しておくと、光導電膜56で発生した電
荷(電子−正孔)がそれぞれ+電極側と−電極側に移動
し、その結果、電荷蓄積容量(Cs)55に電荷が蓄積
される仕組みになっている。なお、光導電膜56と電荷
蓄積容量(Cs)55の間には、薄い絶縁層からなる電
子阻止層62が形成されており、これが一方側からの電
荷の注入を阻止する阻止型フォトダイオードの役割を果
たしている。
に蓄積された電荷は、ゲート電極52G1、G2、G
3、・・・、Gnの入力信号によってTFT54をオー
プン状態にすることでソース電極53S1、S2、S
3、・・・、Snより外部に取り出すことが可能であ
る。電極配線(ゲート電極52およびソース電極5
3)、薄膜トランジスタ(TFT)54、電荷蓄積容量
(Cs)55等は、すべてXYマトリクス状に設けられ
ているため、ゲート電極52G1、G2、G3、・・
・、Gnに入力する信号を線順次に走査することで、二
次元的にX線の画像情報を得ることが可能となる。
光導電膜56がX線等の放射線に対する光導電性だけで
なく、可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合
は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作用す
る。
検出器では、光導電膜56としてa−Seを用いてい
る。しかしながら、a−Seは、アモルファス材料特有
の光電流の分散型伝導特性を有していることから応答性
が悪い、またa−SeのX線に対する感度(S/N比)
が十分でないことから、長時間X線を照射して、電荷蓄
積容量(Cs)55を十分に充電してからでないと情報
を読み出すことができない、といった欠点を持ち合わせ
ている。
荷が電荷蓄積容量55に蓄積することへの防止、及びリ
ーク電流(暗電流)の低減の目的で光導電膜(a−S
e)56と上部電極58の間に誘電体層57が設けられ
ているが、この誘電体層57に残留する電荷を1フレー
ム毎に除去するシーケンスを付加する必要があるため、
上記放射線二次元画像検出器は静止画の撮影にしか利用
することができないといった問題を生じていた。
得るためには、結晶材料で、かつX線に対する感度(S
/N比)の優れた光導電膜56を利用する必要がある。
光導電膜56の感度が向上すれば、短時間のX線照射で
も電荷蓄積容量55を十分に充電できるようになり、ま
た、光導電膜56に高電圧を印加する必要がなくなるた
め、誘電体層57も不要となる。
電材料としては、CdTeやCdZnTe等が知られて
いる。一般に、X線の光電吸収は吸収物質の実効原子番
号の5乗に比例するため、例えば、Seの原子番号が3
4、CdTeの実効原子番号を50とすると、約6.9
倍の感度の向上が期待できる。ところが、上記放射線二
次元画像検出器の光導電膜56として、a−Seの代わ
りにCdTe、CdZnTeを利用しようとすると、以
下のような問題が生じる。
真空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常
温で可能なため、上述のアクティブマトリクス基板上へ
の成膜が容易であった。これに対し、CdTeやCdZ
nTeは、MBE法やMOCVD法による成膜法が知ら
れており、特に大面積基板への成膜を考慮するとMOC
VDが適した方法と考えられる。
CdZnTeを成膜する場合、原料である有機カドミウ
ム(DMCd)の熱分解温度が約300℃、有機テルル
(DETeやDiPTe)の熱分解温度が各々約400
℃、約350℃であるため、成膜には約400℃の高温
が要求される。
れている前述のTFT54は、半導体層としてa−Si
膜やp−Si膜を用いているが、半導体特性を向上させ
るために300℃〜350℃程度の成膜温度で水素(H
2)を付加しながら成膜されている。このようにして形
成されるTFT素子の耐熱温度は約300℃であり、T
FT素子をこれ以上の高温で処理するとa−Si膜やp
−Si膜から水素が抜け出し半導体特性が劣化してしま
う。
基板上にMOCVD法を用いてCdTeやCdZnTe
を成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難であ
った。
されたものであり、動画に対応できる二次元画像検出器
を得るために、アクティブマトリクス基板上に300℃
以下の低温でCdTeやCdZnTe等の半導体を形成
する方法を提供すると共に、信頼性を向上させた二次元
画像検出器を提供することにある。
二次元画像検出器は、格子状の電極配線と前記電極配線
の各格子点毎に設けられた複数の薄膜トランジスタおよ
び複数の画素電極が具備されたアクティブマトリクス基
板と、光導電性を有する半導体がほぼ全面に具備された
対向基板とが、画素毎に独立して設けられた導電性材料
で平面的に接続された構造の二次元画像検出器であっ
て、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の間
隙の内、前記導電性材料が存在する場所以外の領域に絶
縁材が充填されていることを特徴としている。
は、請求項1記載の二次元画像検出器であって、前記絶
縁材が不活性ガスであることを特徴としている。
は、請求項1記載の二次元画像検出器であって、前記絶
縁材がシリコーンオイルであることを特徴としている。
は、請求項1記載の二次元画像検出器であって、前記絶
縁材が光重合性高分子であることを特徴としている。
は、格子状の電極配線と前記電極配線の各格子点毎に設
けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数の画素電極
が具備されたアクティブマトリクス基板と、光導電性を
有する半導体がほぼ全面に具備された対向基板とが、画
素毎に独立して設けられた導電性材料で平面的に接続さ
れた構造の二次元画像検出器であって、前記アクティブ
マトリクス基板と前記対向基板の間隙の内、前記導電性
材料が存在する場所以外の領域が大気圧に比べて減圧さ
れていることを特徴としている。
は、格子状の電極配線と前記電極配線の各格子点毎に設
けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数の画素電極
が具備されたアクティブマトリクス基板と、光導電性を
有する半導体がほぼ全面に具備された対向基板とが、画
素毎に独立して設けられた導電性材料で平面的に接続さ
れた構造の二次元画像検出器であって、前記アクティブ
マトリクス基板と前記対向基板の貼り合せ領域の周辺部
が、シールされていることを特徴としている。
求項1に記載の二次元画像検出器は、格子状の電極配線
と前記電極配線の各格子点毎に設けられた複数の薄膜ト
ランジスタおよび複数の画素電極が具備されたアクティ
ブマトリクス基板と、光導電性を有する半導体がほぼ全
面に具備された対向基板が、画素毎に独立して設けられ
た導電性材料で平面的に接続された構造の二次元画像検
出器であって、前記アクティブマトリクス基板と前記対
向基板の間隙の内、前記導電性材料が存在する場所以外
の領域に絶縁材が充填されていることを特徴としてい
る。したがって、従来、半導体の成膜温度とアクティブ
マトリクス基板の耐熱性の関係で、アクティブマトリク
ス基板上に直接成膜できなかった半導体材料を、画像検
出器に使用することが可能である。またさらに、前記ア
クティブマトリクス基板と対向基板の間隙の内、導電性
材料が存在する場所以外の領域に絶縁材が充填されてい
るので、導電性材料が湿気等を含む外気に触れることが
なく、導電性材料の防湿、あるいは接着性や導電性の経
時劣化を防ぐことが可能になる。すなわち、二次元画像
検出器の信頼性を向上させることが可能になる。また絶
縁材を充填するため、隣接画素同士が導電性材料を介し
て電気的にクロストークを発生する心配もない。
記絶縁材が不活性ガスであることを特徴としている(但
し、ここで述べる不活性ガスとは、アルゴン等の希ガス
の他に、窒素等反応性の乏しいガスも含むものとす
る。)。したがって、導電性材料は湿気等を含む外気に
触れることがなく、常時不活性ガスに接触している状態
になるため、導電性材料の防湿、あるいは接着性や導電
性の経時劣化を防ぐことが可能になる。
記絶縁材がシリコーンオイルであることを特徴としてい
る。したがって、導電性材料は湿気等を含む外気に触れ
ることがなく、常時、シリコーンオイルに接触している
状態になる。シリコーンオイルは、周知のように化学的
に不活性な液体であるため、導電性材料の防湿、あるい
は接着性や導電性の経時劣化を防ぐことが可能になる。
記絶縁材が光重合性高分子であることを特徴とする。し
たがって、導電性材料は常時光重合性高分子に接触して
いる状態になるため、湿気等を含む外気に触れることが
なく、導電性材料の防湿、あるいは接着性や導電性の経
時劣化を防ぐことが可能になる。また、光重合性高分子
は、紫外線硬化型接着剤として使用されるように、優れ
た接着性を有する。前記導電性材料自身が、アクティブ
マトリクス基板と対向基板の接着材としても作用すれば
理想的であるが、導電性材料の接着性が乏しい場合は、
両基板が簡単に剥がれてしまう場合がある。そこで、上
記の如く、両基板間隙の導電性材料が存在する場所以外
の領域に光重合性高分子を充填しておくことで、前記光
重合性高分子が接着剤の役割を果たすため、機械的強度
の点でも信頼性の向上を図ることが可能になる。
子状の電極配線と前記電極配線の各格子点毎に設けられ
た複数の薄膜トランジスタおよび複数の画素電極が具備
されたアクティブマトリクス基板と、光導電性を有する
半導体がほぼ全面に具備された対向基板とが、画素毎に
独立して設けられた導電性材料で平面的に接続された構
造の二次元画像検出器であって、前記アクティブマトリ
クス基板と前記対向基板の間隙の内、前記導電性材料が
存在する場所以外の領域が大気圧に比べて減圧されてい
ることを特徴としている。したがって、導電性材料は湿
気等を含む外気に触れることがなく、導電性材料の防
湿、あるいは接着性や導電性の経時劣化を防ぐことが可
能になる。また、前記導電性材料自身が、アクティブマ
トリクス基板と対向基板の接着材としても作用すれば理
想的であるが、導電性材料の接着性が乏しい場合は、両
基板が簡単に剥がれてしまう場合がある。そこで、上記
の如く、両基板間隙を大気圧より減圧しておくことで、
両基板の外側に常時大気圧が加わるため、機械的強度の
点でも信頼性の向上を図ることが可能になる。
子状の電極配線と前記電極配線の各格子点毎に設けられ
た複数の薄膜トランジスタおよび複数の画素電極が具備
されたアクティブマトリクス基板と、光導電性を有する
半導体がほぼ全面に具備された対向基板とが、画素毎に
独立して設けられた導電性材料で平面的に接続された構
造の二次元画像検出器であって、前記アクティブマトリ
クス基板と前記対向基板の貼り合せ領域の周辺部が、シ
ールされていることを特徴としている。したがって、導
電性材料は湿気等を含む外気に触れることがなく、導電
性材料の防湿、あるいは接着性や導電性の経時劣化を防
ぐことが可能になる。また、請求項1〜4の如く、前記
アクティブマトリクス基板と前記対向基板間隙に、不活
性ガス、シリコーンオイル、光重合性高分子等の絶縁材
を充填する際においては、これら充填物を容易に封止す
ることが可能になる。また、請求項5の如く、前記アク
ティブマトリクス基板と前記対向基板の間隙を減圧する
場合においては、両基板間隙を密封することが可能にな
る。
実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明す
る。
出器の基本構成断面図である(図1は全体断面図、図2
は1画素当たりの詳細断面図)。アクティブマトリクス
基板1と対向基板2が、図に示すように導電性材料3を
介して対向配置した構成をなしている。
装置を製造する過程で形成されるアクティブマトリクス
基板と同じプロセスで形成することが可能である。具体
的に説明すれば、ガラス基板4上にXYマトリクス状の
電極配線(ゲート電極5およびソース電極6)、薄膜ト
ランジスタ(TFT)7、電荷蓄積容量電極(Cs電
極)8等が形成されている。ガラス基板4には、無アル
カリガラス基板(例えば、コーニング社製#7059や
#1737)を用い、その上にTa等の金属膜からなる
ゲート電極5を形成する。ゲート電極5はスパッタ蒸着
で約3000オングストローム成膜した後、所望の形状
にパターニングする。この際同時に蓄積容量電極(Cs
電極)8も形成しておく。
9をCVD法で約3500オングストローム成膜して形
成する。該絶縁膜9は、ゲート絶縁膜あるいは、蓄積容
量(Cs)として作用する。なお絶縁膜9として、Si
NxやSiOxだけでなく、ゲート電極5とCs電極8
を陽極酸化した陽極酸化膜を併用する場合もある。
ャネル部となるa−Si膜(i層)10と、ソース・ド
レイン電極とのコンタクトを図るa−Si膜(n+層)
11を、CVD法で各々約1000オングストローム、
約400オングストローム成膜した後、所望の形状にパ
ターニングする。
ス電極6とドレイン電極(画素電極12にも兼用)を形
成する。ソース電極6と画素電極12は、スパッタ蒸着
で約3000オングストローム成膜した後、所望の形状
にパターニングする。なお、画素電極12とドレイン電
極を別々に形成しても良く、画素電極12にITOなど
の透明電極を使用することも可能である。
の領域を絶縁保護する目的で絶縁保護膜13を形成す
る。絶縁保護膜13は、SiNxやSiOxの絶縁膜を
CVD法で約6000オングストローム成膜した後、所
望の形状にパターニングする。絶縁保護膜13には、無
機の絶縁膜の他に、アクリルやポリイミド等の有機膜を
使用することも可能である。
板1が形成される。なお、ここでは、TFT素子とし
て、a−Siを用いた逆スタガ構造のTFTを用いた
が、これに限定されるものではなく、p−Siを用いて
も良いし、スタガ構造にしてもよい。
性を有する基板を支持基板14としている。ここでは厚
み約0.7mm〜1.1mmのガラス基板を用いてい
る。
面に、Ti、Ag、ITO等の導電膜によって上部電極
15を形成する。但し、可視光に対する画像検出器に用
いる場合は、可視光に対して透明なITO電極を用いる
必要がある。
を用いてCdTeやCdZnTeの半導体層16を約
0.3mm〜0.5mmの厚みで形成する。MOCVD
法は大面積基板への成膜に適しており、原料である有機
カドミウム(ジメチルカドミウム[DMCd])、有機
テルル(ジエチルテルル[DETe]やジイソプロピル
テルル[DiPTe])、有機亜鉛(ジエチル亜鉛[D
EZn]やジイソプロピル亜鉛[DiPZn]やジメチ
ル亜鉛[DMZn])を用いて、400℃〜500℃の
成膜温度で多結晶膜の成膜が可能である。
らなる電子阻止層17をほぼ全面に形成した後、Taや
Al、ITO等の導電膜を約2000オングストローム
成膜し、所望の形状にパターニングすることで接続電極
18を形成する。接続電極18は、アクティブマトリク
ス基板1に形成された画素電極12と対応する位置に形
成すると良い。
光導電性を有する半導体基板(光導電体基板)自身を支
持基板14とすることも可能である。例えば、CdTe
もしくはCdZnTeといった化合物半導体の結晶基板
(厚みが約0.3mm〜0.5mm)を用いることが可
能である。この種の半導体基板はブリッジマン法やグラ
ディエントフリーズ法、トラベルヒーティング法等によ
って、容易に結晶基板を形成することが可能である。こ
の場合、半導体基板の一方面のほぼ全面に、Al、IT
O等のX線を透過しやすい導電膜によって上部電極15
を形成し、他方の面には、約1000オングストローム
厚のAlOxからなる絶縁層(電子阻止層17)をほぼ
全面に形成した後、TaやAl、ITO等の導電膜をス
パッタ蒸着で約2000オングストローム成膜し、所望
の形状にパターニングすることで接続電極を形成すると
良い。
両基板のうち一方の基板側(本実施の形態の場合、アク
ティブマトリクス基板1側)に、導電性材料3として導
電性および接着性を有する感光性樹脂を塗布もしくは圧
着し、フォトリソグラフ技術を用いて所望の形状にパタ
ーニングする。そして両基板を、画素電極12と接続電
極18が各々対応するように貼り合わせて圧着すること
により、上下基板を電気的及び物理的に接続しパネル化
する。導電性材料(導電性および接着性を有する感光性
樹脂)3としては、感光性樹脂にカーボン、ITO、金
属等の導電性微粒子を分散させたものが適している。
と対向基板2の貼り合せ領域の周辺部を封止できるよう
にシール材19を形成しておく。ただし、後の工程でパ
ネル間隙に不活性ガス20を充填できるよう、シール材
19の一部に複数の開口部を設けておく。シール材19
としては、光硬化性接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性
接着剤、シリコーンゴム等、各種シーリング材料を用い
ることが可能である。
向基板2とシール材19に囲まれた領域の中で、導電性
材料3が存在しない空間に、不活性ガス20の充填を行
う。具体的には、シール材19の一方の開口部よりパネ
ル間隙の既存のガスを排出し、他方の開口部より不活性
ガス20を充填する。そして、ガスの置換が終了した時
点でシール開口部を封止する。不活性ガス20として
は、希ガス(アルゴンガス、ヘリウムガス等)や、反応
性の乏しいガス(窒素ガス等)を使用すると良い。
および図2に示す二次元画像検出器の基本構成が完成す
る。
等価回路図であるが、図2および図3をもとに上記画像
検出器の動作原理を説明する。
導体層16にX線が入射すると、光導電効果により電荷
(電子−正孔)が発生する。この時、蓄積容量(Cs)
8と半導体層16は画素電極12/導電性材料3/接続
電極18を介して直列に接続された構造になっているの
で、上部電極15とCs電極8間に電圧を印加しておく
と、半導体層16内で発生した電荷(電子−正孔)がそ
れぞれ+電極側と−電極側に移動し、その結果、電荷蓄
積容量(Cs)21に電荷が蓄積される仕組みになって
いる。なお、半導体層16と接続電極18の間には、薄
い絶縁層からなる電子阻止層17が形成されており、こ
れが一方側からの電荷の注入を阻止するMIS(Met
al−Insulator−Semiconducto
r)構造の阻止型フォトダイオードの役割を果たしてお
り、X線が入射しない時の暗電流の低減に寄与してい
る。すなわち、上部電極15側に正電圧を印加した場
合、電子阻止層17は接続電極18から半導体層16へ
の電子の注入を阻止する働きをする。なお、半導体層1
6と上部電極15の間にも絶縁層を設け、上部電極15
から半導体層16への正孔の注入も阻止し、さらなる暗
電流低減を図る場合もある。また、阻止型フォトダイオ
ードの構造としては、上記MIS構造の他にPIN接合
構造、ヘテロ接合構造、ショットキー接合構造を用いる
ことも、もちろん可能である。
21に蓄積された電荷は、ゲート電極5の入力信号によ
ってTFT7をオープン状態にすることでソース電極6
より外部に取り出すことが可能である。電極配線(ゲー
ト電極5とソース電極6)、薄膜トランジスタ(TF
T)7、電荷蓄積容量(Cs)21等は、従来例の図7
にも示すように、すべてXYマトリクス状に設けられて
いるため、ゲート電極52G1、G2、G3、・・・、
Gnに入力する信号を線順次に走査することで、二次元
的にX線の画像情報を得ることが可能となる。このよう
に基本的な動作原理は従来例に示した二次元画像検出器
と同様である。また、上記理由により、半導体層16と
してCdTeやCdZnTeを用いることができるの
で、従来のa−Seを用いた二次元画像検出器に比べて
X線に対する感度が向上し、動画に対応する画像デー
タ、すなわち33msec/framのレートで画像デ
ータを得ることが可能である。
特徴は、アクティブマトリクス基板1と対向基板2が、
導電性材料3で平面的に接続されており、さらに、前記
アクティブマトリクス基板1と対向基板2の間隙の内、
導電性材料3が存在する場所以外の領域に絶縁材とし
て、不活性ガス20が充填されていることである。した
がって、従来、半導体の成膜温度とアクティブマトリク
ス基板の耐熱性の関係で、アクティブマトリクス基板上
に直接成膜できなかった半導体材料を、画像検出器に使
用することが可能である。
ブマトリクス基板1と対向基板2の間隙の内、導電性材
料3が存在する場所以外の領域に絶縁材として不活性ガ
ス20が充填されているので、導電性材料3が湿気等を
含む外気に触れることがなく、導電性材料3の防湿、あ
るいは接着性や導電性の経時劣化を防ぐことが可能にな
る。
り、大気中に浮遊している活性なイオンに触れると、特
性が経時変化してしまうといった問題が発生する場合が
ある。具体的には、上記のように、両基板間隙に形成さ
れた導電性材料3として感光性樹脂を用いると、導電性
材料3の導電特性や接着特性が劣化する現象が見られ
る。これは、特に、大気に触れ易い基板(パネル)周辺
部で顕著に見られる。
させた不活性ガス20を充填しておくことで、このよう
な導電性材料3の経時変化を解消することができる。す
なわち、信頼性を向上させることができる。もちろんシ
ール材を設けるだけでも、大気との接触を防ぐことは可
能であり、それなりの効果を得ることができるが、両基
板貼り合せ時に基板間隙に閉じ込められたガスが存在す
るため、このガスを上記のように不活性ガス20で置換
してしまう方が、さらに効果があがる。
ス20として、窒素ガスとアルゴンガスを用いて上記二
次元画像検出器を試作したが、両者とも、高温高湿の環
境エージング試験を施しても導電性材料3の顕著な経時
変化は見られなかった。もちろん、不活性ガス20とし
ては、これに限るものではなく、ヘリウムガス等の希ガ
ス、あるいはその他比較的不活性なガスであれば、原理
的に同様の効果が期待できる。また絶縁材として不活性
ガス20を充填するため、隣接画素同士が導電性材料3
を介して電気的にクロストークを発生する心配もない。
ティブマトリクス基板1と対向基板2の間隙の内、導電
性材料3が存在する場所以外の領域に絶縁材として、不
活性ガス20を充填させることで、導電性材料3の信頼
性を向上させた例を示したが、不活性ガス20でなくて
も、不活性な液体を充填することでも同様の効果を得る
ことができる。
ーンオイル22を充填させた場合の、二次元画像検出器
の基本構成断面図である。充填物が異なる点以外は、実
施の形態1で示した構造と同じである。シリコーンオイ
ル22は、シリコーン(分子構造の骨格がシロキサン結
合(−Si−O−)からできており、ケイ素原子にさら
にアルキル、アリールまたはそれらの誘導基が結合した
側鎖をもつ物質)のうち、重合度が小さく常温で液体の
ものを指すが、電気的絶縁性、耐老化性に優れており、
化学的に不活性である。
と対向基板2の間隙の内、導電性材料3が存在する場所
以外の領域に絶縁材として、不活性な液体であるシリコ
ーンオイル22を充填することで、導電性材料3と大気
を完全に遮断することができ、実施の形態1と同様に導
電性材料3の信頼性を向上させることができる。もちろ
ん、不活性な液体としては、これに限るものではなく、
その他比較的不活性な液体であれば、原理的に同様の効
果が期待できる。
ティブマトリクス基板1と対向基板2の間隙の内、導電
性材料3が存在する場所以外の領域に絶縁材として、不
活性ガス20を充填させることで、導電性材料3の信頼
性を向上させた例を示したが、不活性ガス20ではな
く、光重合性高分子23を充填することで、導電性材料
3の信頼性向上の他に、新たな効果を得ることも可能に
なる。
性高分子23を充填させた場合の、二次元画像検出器の
基本構成断面図である。充填物が異なる点以外は、実施
の形態1で示した構造と同じである。光重合性高分子2
3とは、アクリル系、あるいはエン/チオール等の二重
結合した部位を持ち、光を照射することにより二重結合
が開裂して重合が促進するものであり、一般的に、光硬
化性樹脂(接着剤)として広く使用されているものであ
る。
子材料を注入し、その後、アクティブマトリクス基板1
側から光を照射し、重合を促進させると良い。このよう
に、アクティブマトリクス基板1と対向基板2の間隙の
内、導電性材料3が存在する場所以外の領域に絶縁材と
して、光重合性高分子23を充填することで、導電性材
料3と大気を完全に遮断することができ、実施の形態1
と同様に導電性材料3の信頼性を向上させることができ
ると共に、上下基板の接着剤としても作用し、機械的接
着強度を増す効果も得ることができる。特に、導電性材
料3自身の接着力が弱い場合に有効である。
光を照射する際、アクティブマトリクス基板1上に設け
られた金属配線によって光が遮られ、その場所で光重合
が促進しない場合は、あらかじめ光重合性高分子材料に
熱重合性を付加した材料を用いておき光照射後に加熱処
理を施すことで、光が照射されない部分においても完全
に重合を促進することができる。
ティブマトリクス基板1と対向基板2の間隙の内、導電
性材料3が存在する場所以外の領域に絶縁材として、不
活性ガス20を充填させることで、導電性材料3の信頼
性を向上させた例を示したが、その領域を減圧24する
だけでも同様の効果を得ることが可能である。
する場所以外の領域を、大気圧の約1/10減圧24さ
せた場合の、二次元画像検出器の基本構成断面図であ
る。それ以外の構造は、実施の形態1で示した構造と同
じである。
に形成するシール材(封止材)19の一部に開口部を設
けておき、そこからロータリーポンプやイジェクターを
用いて減圧24し、減圧24した状態で開口部を封止す
れば良い。減圧度は、上記に限定するものではなく、適
度に調整すれば良い。
と対向基板2の間隙の内、導電性材料3が存在する場所
以外の領域を減圧24することで、導電性材料3と大気
を完全に遮断することができ、実施の形態1と同様に導
電性材料3の信頼性を向上させることができると共に、
基板間隙が減圧24されている分だけ、基板の外側から
大気圧に押された状態になり、上下基板の機械的接着強
度を増す効果も得ることができる。特に、導電性材料3
自身の接着力が弱い場合に有効である。また、減圧24
領域では、気体の密度が小さいため温度変化に対する気
体の体積変化(膨張や収縮)も生じず、環境温度変化に
対する機械的接着強度を増すことができる。
線(放射線)に対する画像検出器の場合について説明し
てきたが、使用する半導体(光導電体)がX線等の放射
線に対する光導電性だけでなく、可視光や赤外光に対し
ても光導電性を示す場合は、可視光や赤外光の二次元画
像検出器として使用することも可能である。ただし、こ
の時は、半導体(光導電体)からみて光入射側に配置さ
れる上部電極材料としては、ITO等の可視光や赤外光
を透過する透明電極材料を用いる必要がある。また、半
導体(光導電体)の厚みも、可視光、赤外光の吸収効率
に応じて最適化する必要がある。
格子状の電極配線と前記電極配線の各格子点毎に設けら
れた複数の薄膜トランジスタおよび複数の画素電極が具
備されたアクティブマトリクス基板と、光導電性を有す
る半導体がほぼ全面に具備された対向基板が、画素毎に
独立して設けられた導電性材料で平面的に接続された構
造の二次元画像検出器であって、前記アクティブマトリ
クス基板と前記対向基板の間隙の内、前記導電性材料が
存在する場所以外の領域に絶縁材が充填されていること
を特徴としている。したがって、従来、半導体の成膜温
度とアクティブマトリクス基板の耐熱性の関係で、アク
ティブマトリクス基板上に直接成膜できなかった半導体
材料を、画像検出器に使用することが可能である。また
さらに、前記アクティブマトリクス基板と対向基板の間
隙の内、導電性材料が存在する場所以外の領域に絶縁材
が充填されているので、導電性材料が湿気等を含む外気
に触れることがなく、導電性材料の防湿、あるいは接着
性や導電性の経時劣化を防ぐことが可能になる。すなわ
ち、二次元画像検出器の信頼性を向上させることが可能
になる。また絶縁材を充填するため、隣接画素同士が導
電性材料を介して電気的にクロストークを発生する心配
もない。
記絶縁材が不活性ガスであることを特徴としている(但
し、ここで述べる不活性ガスとは、アルゴン等の希ガス
の他に、窒素等反応性の乏しいガスも含むものとす
る。)。したがって、導電性材料は湿気等を含む外気に
触れることがなく、常時不活性ガスに接触している状態
になるため、導電性材料の防湿、あるいは接着性や導電
性の経時劣化を防ぐことが可能になる。
記絶縁材がシリコーンオイルであることを特徴としてい
る。したがって、導電性材料は湿気等を含む外気に触れ
ることがなく、常時、シリコーンオイルに接触している
状態になる。シリコーンオイルは、周知のように化学的
に不活性な液体であるため、導電性材料の防湿、あるい
は接着性や導電性の経時劣化を防ぐことが可能になる。
記絶縁材が光重合性高分子であることを特徴とする。し
たがって、導電性材料は常時光重合性高分子に接触して
いる状態になるため、湿気等を含む外気に触れることが
なく、導電性材料の防湿、あるいは接着性や導電性の経
時劣化を防ぐことが可能になる。また、光重合性高分子
は、紫外線硬化型接着剤として使用されるように、優れ
た接着性を有する。前記導電性材料自身が、アクティブ
マトリクス基板と対向基板の接着材としても作用すれば
理想的であるが、導電性材料の接着性が乏しい場合は、
両基板が簡単に剥がれてしまう場合がある。そこで、上
記の如く、両基板間隙の導電性材料が存在する場所以外
の領域に光重合性高分子を充填しておくことで、前記光
重合性高分子が接着剤の役割を果たすため、機械的強度
の点でも信頼性の向上を図ることが可能になる。
子状の電極配線と前記電極配線の各格子点毎に設けられ
た複数の薄膜トランジスタおよび複数の画素電極が具備
されたアクティブマトリクス基板と、光導電性を有する
半導体がほぼ全面に具備された対向基板とが、画素毎に
独立して設けられた導電性材料で平面的に接続された構
造の二次元画像検出器であって、前記アクティブマトリ
クス基板と前記対向基板の間隙の内、前記導電性材料が
存在する場所以外の領域が大気圧に比べて減圧されてい
ることを特徴としている。したがって、導電性材料は湿
気等を含む外気に触れることがなく、導電性材料の防
湿、あるいは接着性や導電性の経時劣化を防ぐことが可
能になる。また、前記導電性材料自身が、アクティブマ
トリクス基板と対向基板の接着材としても作用すれば理
想的であるが、導電性材料の接着性が乏しい場合は、両
基板が簡単に剥がれてしまう場合がある。そこで、上記
の如く、両基板間隙を大気圧より減圧しておくことで、
両基板の外側に常時大気圧が加わるため、機械的強度の
点でも信頼性の向上を図ることが可能になる。
子状の電極配線と前記電極配線の各格子点毎に設けられ
た複数の薄膜トランジスタおよび複数の画素電極が具備
されたアクティブマトリクス基板と、光導電性を有する
半導体がほぼ全面に具備された対向基板とが、画素毎に
独立して設けられた導電性材料で平面的に接続された構
造の二次元画像検出器であって、前記アクティブマトリ
クス基板と前記対向基板の貼り合せ領域の周辺部が、シ
ールされていることを特徴としている。したがって、導
電性材料は湿気等を含む外気に触れることがなく、導電
性材料の防湿、あるいは接着性や導電性の経時劣化を防
ぐことが可能になる。また、請求項1〜4の如く、前記
アクティブマトリクス基板と前記対向基板間隙に、不活
性ガス、シリコーンオイル、光重合性高分子等の絶縁材
を充填する際においては、これら充填物を容易に封止す
ることが可能になる。また、請求項5の如く、前記アク
ティブマトリクス基板と前記対向基板の間隙を減圧する
場合においては、両基板間隙を密封することが可能にな
る。
器の全体の基本構成断面図である。
器の1画素当たりの基本構成断面図である。
器の1画素当たりの等価回路図である。
器の全体の基本構成断面図である。
器の全体の基本構成断面図である。
器の全体の基本構成断面図である。
成図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 格子状の電極配線と前記電極配線の各格
子点毎に設けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数
の画素電極が具備されたアクティブマトリクス基板と、
光導電性を有する半導体がほぼ全面に具備された対向基
板とが、画素毎に独立して設けられた導電性材料で平面
的に接続された構造の二次元画像検出器であって、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の間隙の
内、前記導電性材料が存在する場所以外の領域に絶縁材
が充填されていることを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項2】 前記絶縁材が不活性ガスであることを特
徴とする請求項1に記載の二次元画像検出器。 - 【請求項3】 前記絶縁材がシリコーンオイルであるこ
とを特徴とする請求項1に記載の二次元画像検出器。 - 【請求項4】 前記絶縁材が光重合性高分子であること
を特徴とする請求項1に記載の二次元画像検出器。 - 【請求項5】 格子状の電極配線と前記電極配線の各格
子点毎に設けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数
の画素電極が具備されたアクティブマトリクス基板と、
光導電性を有する半導体がほぼ全面に具備された対向基
板とが、画素毎に独立して設けられた導電性材料で平面
的に接続された構造の二次元画像検出器であって、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の間隙の
内、前記導電性材料が存在する場所以外の領域が大気圧
に比べて減圧されていることを特徴とする二次元画像検
出器。 - 【請求項6】 格子状の電極配線と前記電極配線の各格
子点毎に設けられた複数の薄膜トランジスタおよび複数
の画素電極が具備されたアクティブマトリクス基板と、
光導電性を有する半導体がほぼ全面に具備された対向基
板とが、画素毎に独立して設けられた導電性材料で平面
的に接続された構造の二次元画像検出器であって、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の貼り合
せ領域の周辺部が、シールされていることを特徴とする
二次元画像検出器。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010043887A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線検出パネルの製造方法、放射線画像検出器の製造方法、放射線検出パネル、および放射線画像検出器 |
JP2012177624A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2320857A1 (en) * | 1998-02-18 | 1999-08-26 | Honeywell Data Instruments, Inc. | Electrically insulated strain gage |
JP3469143B2 (ja) * | 1999-11-02 | 2003-11-25 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びそれを備えた二次元画像検出器 |
JP2001313384A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
WO2003073159A1 (en) | 2002-02-20 | 2003-09-04 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
US7053967B2 (en) * | 2002-05-23 | 2006-05-30 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
US7009663B2 (en) | 2003-12-17 | 2006-03-07 | Planar Systems, Inc. | Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display |
US7023503B2 (en) * | 2002-02-20 | 2006-04-04 | Planar Systems, Inc. | Image sensor with photosensitive thin film transistors |
US20080084374A1 (en) | 2003-02-20 | 2008-04-10 | Planar Systems, Inc. | Light sensitive display |
US7773139B2 (en) | 2004-04-16 | 2010-08-10 | Apple Inc. | Image sensor with photosensitive thin film transistors |
JP2008131169A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Shimadzu Corp | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置 |
US9310923B2 (en) | 2010-12-03 | 2016-04-12 | Apple Inc. | Input device for touch sensitive devices |
KR101829777B1 (ko) * | 2011-03-09 | 2018-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광 감지 센서 |
US8928635B2 (en) | 2011-06-22 | 2015-01-06 | Apple Inc. | Active stylus |
US9329703B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-05-03 | Apple Inc. | Intelligent stylus |
US8638320B2 (en) | 2011-06-22 | 2014-01-28 | Apple Inc. | Stylus orientation detection |
US9557845B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation |
US9652090B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-05-16 | Apple Inc. | Device for digital communication through capacitive coupling |
US9176604B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-11-03 | Apple Inc. | Stylus device |
US10048775B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-08-14 | Apple Inc. | Stylus detection and demodulation |
US9939935B2 (en) | 2013-07-31 | 2018-04-10 | Apple Inc. | Scan engine for touch controller architecture |
US10061450B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-08-28 | Apple Inc. | Coarse scan and targeted active mode scan for touch |
US10474277B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-11-12 | Apple Inc. | Position-based stylus communication |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6413767A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPH04214669A (ja) * | 1990-02-09 | 1992-08-05 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 固体放射線検出装置 |
JPH056989A (ja) * | 1990-11-05 | 1993-01-14 | Matsushita Electron Corp | 撮像装置およびその製造方法 |
JPH05259420A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH06124952A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Fujitsu Ltd | 半導体チップのバンプ形成方法 |
JPH06151439A (ja) * | 1992-11-10 | 1994-05-31 | Fujitsu Ltd | バンプの形成方法 |
JPH06342098A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-12-13 | E I Du Pont De Nemours & Co | ソリッド・ステート・デバイスを用いたx線イメージ捕獲エレメントおよび方法 |
JPH08172176A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Toshiba Corp | 固体撮像モジュールおよび内視鏡装置 |
JPH09243449A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線検出器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5818052A (en) * | 1996-04-18 | 1998-10-06 | Loral Fairchild Corp. | Low light level solid state image sensor |
US5723866A (en) * | 1996-06-26 | 1998-03-03 | He Holdings, Inc. | Method for yield and performance improvement of large area radiation detectors and detectors fabricated in accordance with the method |
US6107618A (en) * | 1997-07-14 | 2000-08-22 | California Institute Of Technology | Integrated infrared and visible image sensors |
US6020590A (en) * | 1998-01-22 | 2000-02-01 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Large area imager with UV blocking layer |
JPH11274453A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Sharp Corp | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-23 JP JP07397398A patent/JP3549039B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-23 US US09/274,316 patent/US6242729B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6413767A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPH04214669A (ja) * | 1990-02-09 | 1992-08-05 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 固体放射線検出装置 |
JPH056989A (ja) * | 1990-11-05 | 1993-01-14 | Matsushita Electron Corp | 撮像装置およびその製造方法 |
JPH05259420A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH06124952A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Fujitsu Ltd | 半導体チップのバンプ形成方法 |
JPH06151439A (ja) * | 1992-11-10 | 1994-05-31 | Fujitsu Ltd | バンプの形成方法 |
JPH06342098A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-12-13 | E I Du Pont De Nemours & Co | ソリッド・ステート・デバイスを用いたx線イメージ捕獲エレメントおよび方法 |
JPH08172176A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Toshiba Corp | 固体撮像モジュールおよび内視鏡装置 |
JPH09243449A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線検出器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010043887A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線検出パネルの製造方法、放射線画像検出器の製造方法、放射線検出パネル、および放射線画像検出器 |
JP2012177624A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6242729B1 (en) | 2001-06-05 |
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