JP2012173276A - 放射線画像検出装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 212
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 112
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 74
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 28
- 239000004760 aramid Substances 0.000 claims description 25
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 42
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 23
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical class C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 6
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 5
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical class C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 3
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002749 Bacterial cellulose Polymers 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001601 aromatic carbocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005016 bacterial cellulose Substances 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000412 polyarylene Chemical class 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPFDTWHBEBJTLE-UHFFFAOYSA-N 2h-acridin-1-one Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(=O)CC=CC3=NC2=C1 IPFDTWHBEBJTLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 2h-triazolo[4,5-c]pyridazine Chemical compound N1=NC=CC2=C1N=NN2 CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 4-azabenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=N1 GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 5H-dibenzo[b,f]azepine Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2NC2=CC=CC=C21 LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000660 7-membered heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000002837 Acetobacter xylinum Nutrition 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001136169 Komagataeibacter xylinus Species 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000000999 acridine dye Substances 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004646 arylidenes Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229930002875 chlorophyll Natural products 0.000 description 1
- 235000019804 chlorophyll Nutrition 0.000 description 1
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical compound C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 210000001724 microfibril Anatomy 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 150000004291 polyenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O triazolopyrimidine Chemical compound BrC1=CC=CC(C=2N=C3N=CN[N+]3=C(NCC=3C=CN=CC=3)C=2)=C1 YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】X線画像検出装置1の製造方法は、シンチレータ10と、シンチレータ10のX線入射側に設けられた光検出部50とを備えるX線画像検出装置1を製造する方法であって、基板51上に、ガラス材料よりもX線吸収率が低い低X線吸収性材料により形成された保護部材49を積層し、保護部材49上に、薄膜部40を形成して光検出部50を作製する光検出部作製工程と、光検出部50の保護部材49から基板51を剥離・除去する基板剥離・除去工程と、基板剥離・除去工程の前に、シンチレータ10と、光検出部50とを一体化するシンチレータ・光検出部一体化工程とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明の目的は、光検出部が基板を有しない放射線画像検出装置における上記課題を解決しうるとともに、光検出部における放射線吸収の低減が可能であり、これによりシンチレータへの入射放射線量を増大させうる放射線画像検出装置及びその製造方法、並びに当該放射線画像検出装置を備えた放射線撮影用カセッテを提供することにある。
放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、
前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、
基板上に、前記基板よりも放射線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、
前記保護部材から前記基板を剥離・除去する基板剥離・除去工程と、
前記基板剥離・除去工程の前又は後に、予め作製された前記シンチレータと、前記光検出部とを一体化するシンチレータ・光検出部一体化工程とを備える。
放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、
前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、
基板上に、前記基板よりも放射線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、
前記光検出部の前記薄膜部上に前記シンチレータを形成し、当該シンチレータの前記薄膜部側とは反対側に支持部材を設けるシンチレータ作製工程と、
前記シンチレータ作製工程により前記シンチレータと一体化された前記保護部材から前記基板を剥離・除去する基板剥離・除去工程とを備える。
放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、
前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備え、
前記光検出部は、ガラス材料よりも放射線吸収率が低い低放射線吸収性材料により形成された保護部材と、前記保護部材の前記シンチレータ側で前記保護部材上に形成され前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部と、を有する。
上述の放射線画像検出装置を備え、
当該放射線画像検出装置は、被写体が載置される天板を有する筐体内に、前記薄膜部が前記保護部材を介して前記天板の裏面に対向するように収納される。
なお、既に述べた構成と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略又は簡略化する。
図1は、間接変換方式のX線撮影用カセッテ100の概略構成を模式的に示す側断面図である。X線撮影用カセッテ100は、X線画像検出装置1と、X線画像検出装置1を収納する筺体60とを備えている。X線画像検出装置1は、X線(図1の白抜き矢印)の照射により蛍光を発する蛍光物質を含有するシンチレータ10と、シンチレータ10のX線入射側に配置され、シンチレータ10から発せられた蛍光を電気信号として検出する光検出部50と、シンチレータ10のX線入射側とは反対側に設けられる制御モジュール70とを備えている。
筐体60は、シンチレータ10、光検出部50、及び制御モジュール70を収容する。シンチレータ10及び光検出部50のそれぞれの厚みは、模式図である図1とは違って薄いため、筺体も図1に示したものよりも薄型に形成されている。筺体60は、被写体が載置される天板60Aを有しており、この天板60Aの裏面に光検出部50が対向するようにX線画像検出装置1が配置されている。
図2は、光検出部50を模式的に示す側断面図である。図3は、素子が二次元配列された光検出部50の構成を模式的に示す平面図である。
光検出部50は、保護部材49と、保護部材49上に形成された薄膜部40とを備えている。
薄膜部40は、a−Si等で形成されたPD(Photodiode)41、及びa−Si等で形成された薄膜スイッチング素子であるTFT42を有する。これらPD41及びTFT42は、図2に示すように光検出部50の厚み方向に重ねられている。
各PD41には、図3に示すように、TFT42、ゲート線43、及びデータ線44がそれぞれ設けられている。各ゲート線43及び各データ線44は、接続端子45まで延設され、この接続端子45に接続された異方性導電膜等のフレキシブル配線46を介して制御モジュール70の回路基板に接続されている。その回路基板に実装された制御部からゲート線43を通じて送られる制御信号により、各TFT42のオンオフが行単位で切り替えられ、TFT42がオン状態にあるPD41の電荷が、データ線44を介して回路基板の信号処理部に画像信号として読み出される。PD41の電荷が行単位で順に読み出されることにより、二次元画像が検出される。
図2では、光検出部50の厚み方向両側の面は、平坦化層(樹脂製の膜)47によって平坦化されている。この平坦化層47は、設けられるのが好ましいが、設けられなくてもよい。
なお、シンチレータ10と光検出部50との間には、接着層48や平坦化層47がなくてもよく、光検出部50の表面にシンチレータ10を押し当てて直接密着させてもよい。
光検出部50とシンチレータ10との間に設けられる平坦化層、接着層、透明な液体又はゲルであるマッチングオイル層などの樹脂層を構成する樹脂は、シンチレータ10から発せられるシンチレーション光を実質的に減衰させることなく光検出部50に到達させうるものであれば特に制限はない。
接着層を形成する接着剤としてはシンチレータ10から発せられるシンチレーション光に対して光学的に透明なものが好ましく、例えば、熱可塑性樹脂、UV硬化接着剤、加熱硬化型接着剤、室温硬化型接着剤、両面接着基板、などが挙げられるが、画像の鮮鋭度を低下させないという観点からは、光検出部50の画素サイズに対して十分に薄い接着層を形成しうるという点で、低粘度エポキシ樹脂製の接着剤を用いることが好ましい。
また、平坦化層、接着層等の樹脂層の厚みは、感度、画質の観点からは50μm以下であることが好ましく、5μm〜30μmの範囲であることがより好ましい。
保護部材49は、薄膜部40におけるX線入射側に設けられている。この保護部材49は、ガラス材料よりもX線吸収率が低くかつ、後述する基板51よりもX線吸収率が低い低X線吸収性材料により形成されており、管電圧60kVのX線に対する保護部材49のAl当量は、1.8mm未満である。
一方、保護部材49は薄膜部40を支持するものであるため一定の強度は必要であり、この点と、被写体の被曝量低減とを考慮すると、保護部材49の管電圧60kVのX線に対するAl当量が0.1mm以上、1.0mm以下であるのが好ましい。
保護部材49上には、薄膜部40を構成する複数のPD41及び複数のTFT42がそれぞれフォトエッチングプロセス等によって形成されている。これら薄膜部40と保護部材49との間には接着層などが無く、薄膜部40は保護部材49の表面に密着している。
また、基板51によるX線吸収を考慮しなくて良いため、基板51の厚みを大きくして、製造中のハンドリング性を十分に確保することが可能となる。
また更に、基板剥離により、剥離した基板51を再利用することが可能となるので、コストダウンできる。
なお、保護部材49は、複数の画素毎に設けられていてもよいが、補強の観点からは、薄膜部40の全面に一体に設けられることが好ましい。
シンチレータ10は、光を反射するAl等の材料からなる支持体11上に蒸着されている。支持体11としては、Al製の板に限らず、カーボン板、CFRP(carbon fiber reinforced plastic)、ガラス板、石英基板、サファイア基板などから適宜選ぶことができ、支持体表面にシンチレータを形成させうる限りにおいて特にこれらに限定されない。ただし、支持体11が光の反射部材を兼ねる場合には、Alなどの軽金属を支持体の材料として用いるとよい。支持体11は、X線画像検出装置1においてX線入射側とは反対側に配置されるため、X線透過率が低い材料で形成されていてもよい。
なお、X線画像検出装置1において、支持体11は必須ではない。つまり、支持体11上にシンチレータを蒸着形成した後、支持体11からシンチレータを剥離して用いることも可能である。シンチレータ10の光検出部50側とは反対側に、光の反射部材が設けられてもよい。
シンチレータ10は、蛍光物質を柱状に成長させた柱状結晶の群で形成されており、蛍光物質としてCsI:Tl(タリウム付活ヨウ化セシウム)が用いられている。その他、シンチレータ10の蛍光物質として、NaI:Tl(タリウム付活ヨウ化ナトリウム)、CsI:Na(ナトリウム付活ヨウ化セシウム)等を用いることも可能である。発光スペクトルがa−Siフォトダイオードの分光感度の極大値(550nm付近)と適合する点で、CsI:Tlを材料に用いることが好ましい。
X線の照射によってシンチレータ10から発せられた蛍光は、柱状結晶12Aによって柱の高さ方向(結晶成長方向)にガイドされ、光検出部50に入射する。このとき、支持体11側に向かって進行した光は、非柱状部13及び支持体11によって反射されて光検出部50に入射する。
柱状部12は、多数の柱状結晶12Aの集合体であり、図4に示した例では、各柱状結晶12Aは支持体11上にほぼ垂直に起立する。柱状結晶12Aは、先端側がすぼまった形状とされている。柱状結晶12Aの先端部は研磨されていてもよい。光検出部50の1つの画素(PD41)に対して、複数の柱状結晶12Aが対向する。
図5は、図4のA−A断面(柱状部12の高さ方向略中央の断面)における柱状部12の電子顕微鏡写真である。隣り合う柱状結晶12Aの間には、空隙がある(図5で濃く見える部分)。柱状結晶12Aは、結晶の成長方向に対しほぼ均一な断面径を有する。柱状部12の領域の一部では、隣り合う柱状結晶12Aが互いに結合して一体の柱状体を構成している(例えば、図5のP)。
非柱状部13は、略球形あるいは不定形の非柱状結晶13Aを含んで構成されている。なお、非柱状部13は、アモルファス(非晶質)の部分を含むことがある。
非柱状結晶13Aの形状は、結晶間に空隙が維持され易く、反射効率を高くできる観点から、略球状であることが好ましい。すなわち、非柱状部13は、球状に近い結晶(略球状結晶である非柱状結晶13A)の集合体で構成されることが好ましい。
非柱状部13の空隙率は、非柱状部13の支持体11への蒸着面積、非柱状部13の厚み、CsI密度、及び実際に測定したシンチレータパネルの重量などに基づいて算出される。そのようにして算出された非柱状部13の厚み方向全体の空隙率は、10%以下である。
非柱状部13の厚みは、柱状部12の厚みよりも薄く、5μm以上、125μm以下であることが好ましい。すなわち、支持体11との密着性を確保するためには、非柱状部13の厚みは5μm以上あることが好ましい。また、光ガイド効果を有しない非柱状部13の厚みが厚すぎると、非柱状部13において光が画素間で交錯して画像ボケが生じ易くなるので、非柱状部13の厚みは125μm以下であることが好ましい。
また、非柱状部13の厚みは、支持体11との密着性と光の反射機能とが得られる最小の厚みで足りる。
非柱状部13の非柱状結晶13Aの径は、0.5μm以上7.0μm以下であることが、効率的な反射特性、及び支持体11との密着性を与える観点から好ましい。非柱状結晶13Aの径は、柱状結晶12Aの径よりも小さい。
非柱状部13を設けることにより、支持体11とシンチレータ10との密着性が向上するので、制御モジュール70からの熱の伝搬があるような場合でも、シンチレータ10が支持体11から剥離しにくくなる。
上述した各構成を備えるX線画像検出装置1の製造方法の一例について、図7〜図10を参照して説明する。
X線画像検出装置1を製造する際には、図7に示すような積層体55を用いる。積層体55を製造する際には、無アルカリガラス等の基板51上に、解体型接着剤などで形成される剥離層52を介して保護部材49を積層する。そして、保護部材49上に、フォトリソグラフィー及びエッチング等のプロセスを用いて、薄膜部40を構成するPD41及びTFT42(図2)を形成する(光検出部作製工程)。このようにして製造された積層体55は、基板51、剥離層52、保護部材49、及び薄膜部40を有している。
なお、シンチレータ10と薄膜部40とを密着させる方法に特に制限はなく、両者が光学的に結合されればよい。両者を密着させる方法としては、両者を直接対向させて密着させる方法と、樹脂層を介して密着させる方法とのいずれをとってもよい。
以上により、基板51を有しない光検出部50を備えたX線画像検出装置1が製造される。
以上により、X線撮影用カセッテ100が製造される。
以上説明したX線画像検出装置1及びX線撮影用カセッテ100によれば、次のような作用及び効果が得られる。
光検出部50に保護部材49が内蔵されており、基板51の剥離後(図9)、薄膜部40はこの保護部材49によって保護される。このように保護部材49が設けられていることにより、外気の水分等から薄膜部40を保護できるとともに、外部からの荷重等に対する薄膜部40の補強も可能となる。すなわち、光検出部積層体55の基板51を剥離したことによって生じる問題が解決されるので、シンチレータに対して光検出部側からX線が照射される構成による高画質化の効果を十分に享受できる。また、保護部材49のAl当量は1.8mm未満であって、このようにX線吸収率の低い保護部材49を用いることによってシンチレータ10のX線入射側におけるX線吸収を極力低減させることができるので、シンチレータ10への入射X線量増大により検出画像の高画質化を達成することができる。更に、製造時に基板51と薄膜部40との間に保護部材49が介在していることで、薄膜部40を形成する際、基板51の影響(Na汚染など)による薄膜部40の性能劣化を防止できる。そして、基板上に直接形成された薄膜部を基板から剥離する場合と比較して基板51を剥離し易いので、薄膜部40や、薄膜部40に密着させたシンチレータ10を損傷させることなく、基板51を剥離することが可能となる。保護部材49の厚みを適宜決めることによって、光検出部におけるX線吸収の低減と、光検出部に必要とされる強度の維持とを両立させることができる。
以上から、X線が光検出部50を介してシンチレータ10に入射する構成において、より一層の高画質化を促進できる。
光検出部が備える保護部材の構成は、上述に限らず、例えば、図11のように、樹脂製の基体(樹脂層)49Aと、この基体49AのX線入射側に積層されたAl製等の光反射膜(光反射層)49Bとを有するものであってもよい。
〔7−1.有機光電変換(OPC;Organic photoelectric conversion)材料〕
上述したPD41(図2)等に、例えば特開2009−32854号公報に記載されたOPC(有機光電変換)材料を用いることができる。このOPC材料により形成された膜(以下、OPC膜という)をPD41の光導電層として使用できる。OPC膜は、有機光電変換材料を含み、シンチレータから発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含むOPC膜であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータによる発光以外の電磁波がOPC膜に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線がOPC膜で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
上述したOPC膜に関するその他の構成は、例えば、特開2009−32854号公報の記載が参考となる。
上述したTFT42等には、無機材料が使われることが多いが、例えば特開2009−212389号公報に記載されたように、有機材料を使用することができる。有機TFTはいかなるタイプの構造でもよいが、最も好ましいのは電界効果型トランジスタ(FET)構造である。このFET構造は、最下層に基板を配置し、その上面の一部にゲート電極を設け、更に該電極を覆い、かつ電極以外の部分で基板と接するように絶縁体層を設けている。更に絶縁体層の上面に半導体活性層を設け、その上面の一部にソース電極とドレイン電極とを隔離して配置している。なお、この構成はトップコンタクト型素子と呼ばれるが、ソース電極とドレイン電極とが半導体活性層の下部にあるボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。また、キャリアが有機半導体膜の膜厚方向に流れる縦型トランジスタ構造であってもよい。
半導体活性層は、p型有機半導体材料を用いてなる。このp型有機半導体材料は実質的に無色透明である。有機半導体薄膜の膜厚は、例えば触針式膜厚計により測定できる。膜厚の異なる薄膜を複数作製して吸収スペクトルを測定し、検量線から膜厚30nmあたりの最大吸光度に換算してもよい。
以下に、有機薄膜トランジスタにおける半導体活性層以外の素子構成材料について説明する。これらの各材料は、いずれも可視光又は赤外光の透過率が60%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましく、80%以上であることが更に好ましい。
上述した有機TFTに関するその他の構成は、例えば、特開2009−212389号公報の記載が参考となる。
上述したTFT42には、例えば特開2010−186860号公報に記載された非晶質酸化物を使用することができる。ここで、特開2010−186860号に記載された電界効果型トランジスタが有する非晶質酸化物含有の活性層について示す。この活性層は、電子又はホールの移動する電界効果型トランジスタのチャネル層として機能する。
活性層に用いられる非晶質酸化物半導体としては、好ましくはIn、Sn、Zn、又はCdよりなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含む非晶質酸化物であり、より好ましくは、In、Sn、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物、更に好ましくは、In、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物である。
上述した非晶質酸化物に関するその他の構成は、例えば、特開2010−186860号公報の記載が参考となる。
フレキシブルでかつ低熱膨張、高強度といった、既存のガラスやプラスチックでは得られない特性を有するアラミド、バイオナノファイバー等を放射線画像検出装置に用いることも考えられる。
(1)アラミド
上述した支持体11や、制御モジュール70の回路基板などとして、フレキシブル材料であるアラミドによって形成されたフィルムを使用することができる。アラミド材料は、ガラス転移温度315℃という高い耐熱性、ヤング率が10GPaという高い剛性、熱膨張率が−3〜5ppm/℃という高い寸法安定性を有する。このため、アラミド製のフィルムを用いると、一般的な樹脂フィルムを用いる場合と比べて、半導体層やシンチレータの高品質の成膜が容易に行える。また、アラミド材料の高耐熱性により、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化できる。更に、ハンダのリフロー工程を含むICの自動実装にも対応できる。また更に、ITO(indium tin oxide)やガス・バリア膜、ガラス基板と熱膨張係数が近いために、製造後の反りが少ない。そして,割れにくい。ここで、ハロゲンを含まないハロゲンフリー(JPCA−ES01−2003の規定に適合)なアラミド材料を用いることが環境負荷低減の点で好ましい。
アラミドフィルムは、ガラス基板やPET基板と積層されてもよいし、デバイスの筐体に貼り付けられてもよい。
光の波長に対して十分に小さなコンポーネントは光散乱を生じないことから、ナノファイバーによって補強されたフレキシブルなプラスチック材料などを絶縁性基板や、制御モジュール70の回路基板などに好適に使用することができる。ナノファイバーの中でも、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束が幅50nmと、可視光波長に対して約1/10のサイズでかつ、高強度、高弾性、低熱膨である特徴を有するバクテリアセルロースと透明樹脂との複合材料(バイオナノファイバーということがある)を好適に使用できる。
上述したバイオナノファイバーに関する構成は、例えば、特開2008−34556号公報の記載が参考となる。
また、上述のX線画像検出装置は、医療用のX線撮影装置のほか、例えば、工業用のX線撮影装置として非破壊検査に用いることができる。更に、前述の実施形態の説明では、X線を用いるX線画像検出装置を例に挙げたが、X線以外の放射線(電磁波以外の粒子線であるα線、β線、γ線等)の検出装置についても、前述のX線画像検出装置1等とほぼ同様に構成することができる。
以上、説明したように、本明細書には、
X線の照射によって蛍光を発する蛍光物質を有するシンチレータと、
前記シンチレータのX線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、
基板上に、前記基板よりもX線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、
前記保護部材から前記基板を剥離・除去する基板剥離・除去工程と、
前記基板剥離・除去工程の前又は後に、予め作製された前記シンチレータと、前記光検出部とを一体化するシンチレータ・光検出部一体化工程とを備える、放射線画像検出装置の製造方法が開示されている。
X線の照射によって蛍光を発する蛍光物質を有するシンチレータと、
前記シンチレータのX線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、
基板上に、前記基板よりもX線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、
前記光検出部の前記薄膜部上に前記シンチレータを形成し、当該シンチレータの前記薄膜部側とは反対側に支持部材を設けるシンチレータ作製工程と、
前記シンチレータ作製工程により前記シンチレータと一体化された前記保護部材から前記基板を剥離・除去する基板剥離・除去工程とを備える、放射線画像検出装置の製造方法が開示されている。
管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満となるように、前記保護部材を設ける、ことが好ましい。
X線の照射によって蛍光を発する蛍光物質を有するシンチレータと、
前記シンチレータのX線入射側に設けられた光検出部とを備え、
前記光検出部は、ガラス材料よりもX線吸収率が低い低X線吸収性材料により形成された保護部材と、前記保護部材の前記シンチレータ側で前記保護部材上に形成され前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部と、を有する、放射線画像検出装置が開示されている。
前記保護部材の管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満である、ことが好ましい。
前記保護部材の管電圧60kVのX線に対するAl当量が、0.1mm以上、1.0mm以下である、ことが好ましい。
前記低放射線吸収性材料が、金属(金属化合物及び合金を含む)及び/又は樹脂である、ことが好ましい。
前記保護部材が、樹脂層と、当該樹脂層の放射線入射側に設けられ金属からなる光反射層とを含む、ことが好ましい。
前記金属が、Al、Mg、Cr、Zr、Ti、並びにMnの各単体金属、当該各単体金属の酸化物、及び当該各単体金属を含む合金のうちの少なくとも一種である、ことが好ましい。
前記樹脂が、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、及びアラミドのうちの少なくとも一種である、ことが好ましい。
前記保護部材が、前記薄膜部の前記シンチレータ側とは反対側に配置され前記蛍光を前記薄膜部に向けて反射する光反射部材である、ことが好ましい。
前記薄膜部の少なくとも一部は、非晶質酸化物あるいは有機材料により形成される、ことが好ましい。
前記保護部材の厚みが、0.01mm以上、1mm以下である、ことが好ましい。
前記シンチレータが、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部を含む、ことが好ましい。
前記シンチレータの前記柱状結晶の端部に、非柱状結晶を含む非柱状部が設けられる、ことが好ましい。
前記保護部材において前記薄膜部が形成された側とは反対側の部分は、前記保護部材を支持していた基板から剥離された際の当該保護部材の剥離面である、ことが好ましい。
上述の放射線画像検出装置を備え、
当該放射線画像検出装置は、被写体が載置される天板を有する筐体内に、前記薄膜部が前記保護部材を介して前記天板の裏面に対向するように収納された、放射線撮影用カセッテが開示されている。
前記保護部材が、前記天板に貼り付けられる、ことが好ましい。
前記保護部材と前記天板とを用いた際の管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満である、ことが好ましい。
10,15 シンチレータ
11,21 支持体
12 柱状部
12A 柱状結晶
13 非柱状部
13A 非柱状結晶
18, 48 接着層
21 支持部材
30,35 保護膜
40,65,66 薄膜部
41,651 PD
42,652,662 TFT
43 ゲート線
44 データ線
45 接続端子
46 フレキシブル配線
47 平坦化層
49 保護部材
49A 基体(樹脂層)
49B 光反射膜
50 光検出部
51 基板
52 剥離層
55 積層体
60 筐体
60A 天板
100, 101 X線撮影用カセッテ(放射線撮影用カセッテ)
661 光電変換素子
Claims (19)
- 放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、
前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、
基板上に、前記基板よりも放射線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、
前記保護部材から前記基板を剥離・除去する基板剥離・除去工程と、
前記基板剥離・除去工程の前又は後に、予め作製された前記シンチレータと、前記光検出部とを一体化するシンチレータ・光検出部一体化工程とを備える、放射線画像検出装置の製造方法。 - 放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、
前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、
基板上に、前記基板よりも放射線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、
前記光検出部の前記薄膜部上に前記シンチレータを形成し、当該シンチレータの前記薄膜部側とは反対側に支持部材を設けるシンチレータ作製工程と、
前記シンチレータ作製工程により前記シンチレータと一体化された前記保護部材から前記基板を剥離・除去する基板剥離・除去工程とを備える、放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満となるように、前記保護部材を設ける、放射線画像検出装置の製造方法。 - 放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、
前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備え、
前記光検出部は、ガラス材料よりも放射線吸収率が低い低放射線吸収性材料により形成された保護部材と、前記保護部材の前記シンチレータ側で前記保護部材上に形成され前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部と、を有する、放射線画像検出装置。 - 請求項4に記載の放射線画像検出装置であって、
前記保護部材の管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満である、放射線画像検出装置。 - 請求項5に記載の放射線画像検出装置であって、
前記保護部材の管電圧60kVのX線に対するAl当量が、0.1mm以上、1.0mm以下である、放射線画像検出装置。 - 請求項4から6のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記低放射線吸収性材料が、金属(金属間化合物及び合金を含む)及び/又は樹脂である、放射線画像検出装置。 - 請求項7に記載の放射線画像検出装置であって、
前記保護部材が、樹脂層と、当該樹脂層の放射線入射側に設けられ金属からなる光反射層とを含む、放射線画像検出装置。 - 請求項7または8に記載の放射線画像検出装置であって、
前記金属が、Al、Mg、Cr、Zr、Ti、並びにMnの各単体金属、当該各単体金属の酸化物、および当該各単体金属を含む合金のうちの少なくとも一種である、放射線画像検出装置。 - 請求項7から9のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記樹脂が、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、およびアラミドのうちの少なくとも一種である、放射線画像検出装置。 - 請求項4から10のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記保護部材が、前記薄膜部の前記シンチレータ側とは反対側に配置され前記蛍光を前記薄膜部に向けて反射する光反射部材である、放射線画像検出装置。 - 請求項4から11のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記薄膜部の少なくとも一部は、非晶質酸化物あるいは有機材料により形成される、放射線画像検出装置。 - 請求項4から12のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記保護部材の厚みが、0.01mm以上、1mm以下である、放射線画像検出装置。 - 請求項4から13のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記シンチレータが、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部を含む、放射線画像検出装置。 - 請求項14に記載の放射線画像検出装置であって、
前記シンチレータの前記柱状結晶の端部に、非柱状結晶を含む非柱状部が設けられる、放射線画像検出装置。 - 請求項4から15のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記保護部材において前記薄膜部が形成された側とは反対側の部分は、前記保護部材を支持していた基板から剥離された際の当該保護部材の剥離面である、放射線画像検出装置。 - 請求項4から16のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置を備え、
当該放射線画像検出装置は、被写体が載置される天板を有する筐体内に、前記薄膜部が前記保護部材を介して前記天板の裏面に対向するように収納された、放射線撮影用カセッテ。 - 請求項17に記載の放射線撮影用カセッテであって、
前記保護部材が、前記天板に貼り付けられる、放射線撮影用カセッテ。 - 請求項17または18に記載の放射線撮影用カセッテであって、
前記保護部材と前記天板とを用いた際の管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満である、放射線撮影用カセッテ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011038954A JP5677136B2 (ja) | 2011-02-24 | 2011-02-24 | 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ |
US13/402,803 US8642967B2 (en) | 2011-02-24 | 2012-02-22 | Radiological image detection apparatus and method of manufacturing the same |
CN201210045716.4A CN102650697B (zh) | 2011-02-24 | 2012-02-24 | 放射图像检测设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011038954A JP5677136B2 (ja) | 2011-02-24 | 2011-02-24 | 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012173276A true JP2012173276A (ja) | 2012-09-10 |
JP5677136B2 JP5677136B2 (ja) | 2015-02-25 |
Family
ID=46692737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011038954A Active JP5677136B2 (ja) | 2011-02-24 | 2011-02-24 | 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8642967B2 (ja) |
JP (1) | JP5677136B2 (ja) |
CN (1) | CN102650697B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2011
- 2011-02-24 JP JP2011038954A patent/JP5677136B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-22 US US13/402,803 patent/US8642967B2/en active Active
- 2012-02-24 CN CN201210045716.4A patent/CN102650697B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5677136B2 (ja) | 2015-02-25 |
CN102650697B (zh) | 2016-09-07 |
US20120217404A1 (en) | 2012-08-30 |
US8642967B2 (en) | 2014-02-04 |
CN102650697A (zh) | 2012-08-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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