JP2012177151A - Film deposition device, and method for producing film deposition substrate - Google Patents

Film deposition device, and method for producing film deposition substrate Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition device capable of inhibiting the temperature difference in the substrate and of alleviating the stress generated on the substrate, and to provide a method for producing a film deposition substrate.SOLUTION: In the film deposition device, the substrate is reciprocated while heating or cooling the substrate by normally and reversely switching the rotation of a freely rotatable conveying roller for conveying the substrate by contact therewith. Thereby, the position of a contact point of the substrate with the conveying roller is changed, and a specific region is prevented from only contacting the conveying roller, thereby inhibit generation of temperature difference in the substrate. Further, heating/cooling of the substrate can be performed without expanding the setting area of a heating/cooling unit by reciprocating the substrate. Furthermore, since the substrate is heated or cooled while rotating the conveying roller, the friction coefficient of the substrate with the roller can be reduced, the contact point of the substrate with the roller is heaved, and thus stretch and compression of the substrate become permissible.

Description

本発明は、成膜装置、及び成膜基板製造方法に関するものである。   The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming substrate manufacturing method.

従来、例えば、真空チャンバー内で基板の処理などを行う成膜装置は、チャンバー内に設置された蒸着装置により成膜材料を基板上に蒸着させることで成膜を行っている。このような成膜装置において、搬送方向に回転自在の搬送ローラーを用いて、基板を直接搬送するものが知られている。   Conventionally, for example, a film forming apparatus for processing a substrate in a vacuum chamber performs film formation by depositing a film forming material on the substrate by a vapor deposition apparatus installed in the chamber. In such a film forming apparatus, one that directly transports a substrate using a transport roller that is rotatable in the transport direction is known.

特開２０１０−１４７２５６号公報JP 2010-147256 A

上記のような成膜装置では、成膜を行う前に基板を加熱し、成膜後に基板を冷却することが行われている。従来技術では、搬送ローラーを用いて直に基板を搬送しているため、基板を加熱または冷却する工程において、基板の搬送ローラーと接触している部分から搬送ローラーへ伝熱してしまう。これにより、基板の搬送ローラーと接触している部分と接触していない部分とで温度差が生じることにより、基板にひずみ等が発生して応力が高くなり割れに至るおそれがある。   In the film forming apparatus as described above, the substrate is heated before film formation, and the substrate is cooled after film formation. In the prior art, since the substrate is directly transported using the transport roller, heat is transferred from the portion of the substrate in contact with the transport roller to the transport roller in the process of heating or cooling the substrate. As a result, a temperature difference is generated between the portion of the substrate that is in contact with the conveyance roller and the portion that is not in contact with the substrate, so that strain or the like is generated in the substrate, which may increase the stress and lead to cracking.

本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、基板内の温度差を抑制し、基板に生じる応力を緩和することが可能な成膜装置、及び成膜基板製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and provides a film forming apparatus and a film forming substrate manufacturing method capable of suppressing a temperature difference in the substrate and relieving stress generated in the substrate. The purpose is to provide.

本発明による成膜装置は、基板に成膜材料を成膜する成膜装置であって、基板が導入されるチャンバーと、当該チャンバー内で基板を加熱する加熱手段と、チャンバー内に設置され基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーと、当該搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、加熱手段による加熱中に基板を往復動させる制御手段と、を備えることを特徴としている。   A film forming apparatus according to the present invention is a film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate, and a chamber into which the substrate is introduced, a heating means for heating the substrate in the chamber, and a substrate installed in the chamber. A rotatable transport roller that contacts the substrate and transports the substrate, and a control unit that reciprocates the substrate during heating by the heating unit by switching the rotation of the transport roller between forward rotation and reverse rotation. It is a feature.

このような成膜装置によれば、基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱しながら基板を往復動させることが可能であるため、基板と搬送ローラーとの接点が固定されず、接点の位置を変化させることができる。すなわち、加熱される基板と、基板より温度が低い搬送ローラーとの接点をずらすことで、基板の特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制することができる。また、基板を往復動させることで、加熱手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、加熱によって生じる基板の伸びを許容することができる。搬送ローラーが静止している状態で摩擦係数が高く基板の伸びを許容することができない場合であっても、搬送ローラーを回転させることで摩擦係数を低減し、基板がずれやすくことができる。そのため、基板が加熱されて伸びる場合に、基板がずれるので、基板に生じる熱応力を緩和することができる。   According to such a film forming apparatus, it is possible to reciprocate the substrate while heating the substrate by switching the rotation of the rotatable conveyance roller that conveys the substrate in contact with the substrate between forward rotation and reverse rotation. Therefore, the contact point between the substrate and the transport roller is not fixed, and the position of the contact point can be changed. That is, by shifting the contact between the substrate to be heated and the transport roller whose temperature is lower than that of the substrate, it is possible to avoid that only a specific portion of the substrate is in contact with the transport roller, and to suppress the temperature difference in the substrate. Further, by reciprocating the substrate, the substrate can be heated without expanding the installation range of the heating means. Further, since the substrate is heated while rotating the transport roller, the friction coefficient between the substrate and the transport roller can be reduced, and the elongation of the substrate caused by the heating can be allowed. Even when the conveyance roller is stationary and the friction coefficient is high and the substrate cannot be allowed to extend, the conveyance coefficient can be reduced by rotating the conveyance roller and the substrate can be easily displaced. Therefore, when the substrate is heated and stretched, the substrate is displaced, so that the thermal stress generated in the substrate can be relaxed.

また、加熱手段は、基板の搬送方向と交差する方向に延在し、搬送方向に所定の間隔を空けて配置された複数のヒーターを有することが好ましい。これにより、ヒーターの数を少なくしながらも、基板の往復動により温度分布の均一化を図ることができる。   The heating means preferably includes a plurality of heaters that extend in a direction intersecting the substrate transport direction and are arranged at predetermined intervals in the transport direction. Thereby, it is possible to make the temperature distribution uniform by reciprocating the substrate while reducing the number of heaters.

また、制御手段は、ヒーターの配置間隔の略６０％〜略１００％の距離分、基板を往復動させることが好適である。このような構成により、特に温度分布の均一化を図ることができる。   The control means preferably reciprocates the substrate by a distance of about 60% to about 100% of the heater arrangement interval. With such a configuration, the temperature distribution can be made particularly uniform.

また、本発明による成膜装置は、基板に成膜材料を成膜する成膜装置であって、基板を冷却する冷却手段と、基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーと、搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、冷却手段による冷却中に基板を往復動させる制御手段と、を備えることを特徴としている。   In addition, a film forming apparatus according to the present invention is a film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate, a cooling means for cooling the substrate, a rotatable transport roller for transporting the substrate in contact with the substrate, Control means for switching the rotation of the transport roller between forward rotation and reverse rotation and reciprocating the substrate during cooling by the cooling means.

このような成膜装置によれば、基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を冷却しながら基板を往復動させることが可能であるため、基板と搬送ローラーとの接点が固定されず、接点の位置を変化させることができる。すなわち、冷却される基板と、基板より温度が低い搬送ローラーとの接点をずらすことで、基板の特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制することができる。また、基板を往復動させることで、冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の冷却を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を冷却するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、冷却によって生じる基板の収縮を許容することができる。搬送ローラーが静止している状態で摩擦係数が高く基板の収縮を許容することができない場合であっても、搬送ローラーを回転させることで摩擦係数を低減し、基板がずれやすくことができる。そのため、基板が冷却されて縮む場合に、基板がずれるので、基板に生じる引張り応力を緩和することができる。   According to such a film forming apparatus, it is possible to reciprocate the substrate while cooling the substrate by switching the rotation of the rotatable conveyance roller that contacts the substrate to convey the substrate between the forward rotation and the reverse rotation. Therefore, the contact point between the substrate and the transport roller is not fixed, and the position of the contact point can be changed. That is, by shifting the contact between the substrate to be cooled and the transport roller having a temperature lower than that of the substrate, it is possible to avoid that only a specific portion of the substrate is in contact with the transport roller, and to suppress a temperature difference in the substrate. Also, by reciprocating the substrate, the substrate can be cooled without expanding the installation range of the cooling means. Further, since the substrate is cooled while rotating the transport roller, the friction coefficient between the substrate and the transport roller can be reduced, and the shrinkage of the substrate caused by the cooling can be allowed. Even when the transport roller is stationary and the friction coefficient is high and the substrate cannot be allowed to contract, the transport roller can be rotated to reduce the friction coefficient and easily shift the substrate. Therefore, when the substrate is cooled and contracts, the substrate is displaced, so that the tensile stress generated in the substrate can be relaxed.

また、制御手段は、搬送ローラーを３６０度分、回転させた後、逆方向に３６０度分、回転させることが好適である。これにより、搬送ローラーを１回転ずつ、正回転と逆回転とを繰り返しながら、基板を往復動させることができ、搬送ローラー内の温度差を抑制し、搬送ローラーと接触する基板内の温度差も抑制することができる。   Further, it is preferable that the control unit rotates the transport roller by 360 degrees and then rotates the transport roller by 360 degrees in the reverse direction. Thereby, the substrate can be reciprocated while repeating the forward rotation and the reverse rotation for each rotation of the conveyance roller, the temperature difference in the conveyance roller is suppressed, and the temperature difference in the substrate in contact with the conveyance roller is also reduced. Can be suppressed.

また、本発明による成膜装置は、基板に成膜材料を成膜する成膜装置であって、基板が導入されるチャンバーと、当該チャンバー内で基板を加熱する加熱手段と、チャンバー内に設置され基板と接触して基板を搬送する回転自在の第１の搬送ローラーと、当該第１の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、加熱手段による加熱中に基板を往復動させる加熱搬送制御手段と、基板を冷却する冷却手段と、基板と接触して基板を搬送する回転自在の第２の搬送ローラーと、当該第２の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、冷却手段による冷却中に基板を往復動させる冷却搬送制御手段と、を備えることを特徴としている。   The film forming apparatus according to the present invention is a film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate, and is provided with a chamber into which the substrate is introduced, a heating means for heating the substrate in the chamber, and a chamber. The substrate is reciprocated during heating by the heating means by switching the rotation of the first conveyance roller between the first conveyance roller and the first conveyance roller which contacts the substrate and conveys the substrate between forward rotation and reverse rotation. Heating and conveying control means, cooling means for cooling the substrate, a rotatable second conveying roller that contacts the substrate and conveys the substrate, and the rotation of the second conveying roller is switched between forward rotation and reverse rotation And cooling conveyance control means for reciprocating the substrate during cooling by the cooling means.

このような成膜装置によれば、基板と接触して基板を搬送する回転自在の第１の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱しながら基板を往復動させることが可能であるため、基板と第１の搬送ローラーとの接点が固定されず、接点の位置を変化させることができる。すなわち、加熱される基板と、基板より温度が低い第１の搬送ローラーとの接点をずらすことで、基板の特定部位のみが第１の搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制することができる。また、基板を往復動させることで、加熱手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱を行うことができる。また、第１の搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱するため、基板と第１の搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、加熱によって生じる基板の伸びを許容することができる。搬送ローラーが静止している状態で摩擦係数が高く基板の伸びを許容することができない場合であっても、第１の搬送ローラーを回転させることで摩擦係数を低減し、基板がずれやすくことができる。そのため、基板が加熱されて伸びる場合に、基板がずれるので、基板に生じる熱応力を緩和することができる。   According to such a film forming apparatus, the rotation of the rotatable first transport roller that contacts the substrate and transports the substrate is switched between forward rotation and reverse rotation, and the substrate is reciprocated while heating the substrate. Since the contact between the substrate and the first transport roller is not fixed, the position of the contact can be changed. That is, by shifting the contact point between the substrate to be heated and the first transport roller whose temperature is lower than that of the substrate, only a specific part of the substrate is prevented from coming into contact with the first transport roller, and the temperature difference in the substrate is reduced. Can be suppressed. Further, by reciprocating the substrate, the substrate can be heated without expanding the installation range of the heating means. Further, since the substrate is heated while rotating the first transport roller, the friction coefficient between the substrate and the first transport roller can be reduced, and the elongation of the substrate caused by the heating can be allowed. Even when the transport roller is stationary and the friction coefficient is high and the substrate cannot be allowed to stretch, rotating the first transport roller can reduce the friction coefficient and make the substrate easily misaligned. it can. Therefore, when the substrate is heated and stretched, the substrate is displaced, so that the thermal stress generated in the substrate can be relaxed.

また、このような成膜装置によれば、基板と接触して基板を搬送する回転自在の第２の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を冷却しながら基板を往復動させることが可能であるため、基板と第２の搬送ローラーとの接点が固定されず、接点の位置を変化させることができる。すなわち、冷却される基板と、基板より温度が低い第２の搬送ローラーとの接点をずらすことで、基板の特定部位のみが第２の搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制することができる。また、基板を往復動させることで、冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の冷却を行うことができる。また、第２の搬送ローラーを回転させながら、基板を冷却するため、基板と第２の搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、冷却によって生じる基板の収縮を許容することができる。搬送ローラーが静止している状態で摩擦係数が高く基板の収縮を許容することができない場合であっても、搬送ローラーを回転させることで摩擦係数を低減し、基板がずれやすくことができる。そのため、基板が冷却されて縮む場合に、基板がずれるので、基板に生じる引張り応力を緩和することができる。   Also, according to such a film forming apparatus, the rotation of the rotatable second transport roller that contacts the substrate and transports the substrate is switched between forward rotation and reverse rotation, and the substrate is reciprocated while cooling the substrate. Since the contact between the substrate and the second transport roller is not fixed, the position of the contact can be changed. That is, by shifting the contact point between the substrate to be cooled and the second transport roller whose temperature is lower than that of the substrate, only a specific part of the substrate is prevented from contacting the second transport roller, and the temperature difference in the substrate is reduced. Can be suppressed. Also, by reciprocating the substrate, the substrate can be cooled without expanding the installation range of the cooling means. Further, since the substrate is cooled while rotating the second transport roller, the coefficient of friction between the substrate and the second transport roller can be reduced, and the shrinkage of the substrate caused by the cooling can be allowed. Even when the transport roller is stationary and the friction coefficient is high and the substrate cannot be allowed to contract, the transport roller can be rotated to reduce the friction coefficient and easily shift the substrate. Therefore, when the substrate is cooled and contracts, the substrate is displaced, so that the tensile stress generated in the substrate can be relaxed.

また、本発明による成膜基板製造方法は、基板上に成膜材料が成膜された成膜基板を製造する方法であって、基板が導入されたチャンバー内で基板を加熱する加熱工程と、チャンバー内に設置され基板と接触する回転自在の搬送ローラーを用いて基板を搬送する搬送工程と、を備え、搬送工程では、加熱工程による加熱中に、搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を往復動させることを特徴としている。   Further, the film formation substrate manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing a film formation substrate in which a film formation material is formed on a substrate, and a heating step of heating the substrate in a chamber into which the substrate is introduced, And a transport process that transports the substrate using a rotatable transport roller that is installed in the chamber and is in contact with the substrate. In the transport process, the rotation of the transport roller is forward and reverse during heating by the heating process. And the substrate is moved back and forth.

このような成膜基板製造方法によれば、基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱しながら基板を往復動させることが可能であるため、基板と搬送ローラーとの接点が固定されず、接点の位置を変化させることができる。すなわち、加熱される基板と、基板より温度が低い搬送ローラーとの接点をずらすことで、基板の特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制することができる。また、基板を往復動させることで、加熱手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、加熱によって生じる基板の伸びを許容することができる。搬送ローラーが静止している状態で摩擦係数が高く基板の伸びを許容することができない場合であっても、搬送ローラーを回転させることで摩擦係数を低減し、基板がずれやすくことができる。そのため、基板が加熱されて伸びる場合に、基板がずれるので、基板に生じる熱応力を緩和することができる。   According to such a film formation substrate manufacturing method, the rotation of the rotatable transport roller that contacts the substrate and transports the substrate is switched between forward rotation and reverse rotation, and the substrate is reciprocated while heating the substrate. Therefore, the contact point between the substrate and the transport roller is not fixed, and the position of the contact point can be changed. That is, by shifting the contact between the substrate to be heated and the transport roller whose temperature is lower than that of the substrate, it is possible to avoid that only a specific portion of the substrate is in contact with the transport roller, and to suppress the temperature difference in the substrate. Further, by reciprocating the substrate, the substrate can be heated without expanding the installation range of the heating means. Further, since the substrate is heated while rotating the transport roller, the friction coefficient between the substrate and the transport roller can be reduced, and the elongation of the substrate caused by the heating can be allowed. Even when the conveyance roller is stationary and the friction coefficient is high and the substrate cannot be allowed to extend, the conveyance coefficient can be reduced by rotating the conveyance roller and the substrate can be easily displaced. Therefore, when the substrate is heated and stretched, the substrate is displaced, so that the thermal stress generated in the substrate can be relaxed.

また、加熱工程では、基板の搬送方向と交差する方向に延在し、搬送方向に所定の間隔を空けて配置された複数のヒーターを用いて、基板を加熱することが好ましい。これにより、ヒーターの数を少なくしながらも、基板の往復動により温度分布の均一化を図ることができる。   Further, in the heating step, it is preferable to heat the substrate using a plurality of heaters that extend in a direction intersecting the substrate transport direction and are arranged at predetermined intervals in the transport direction. Thereby, it is possible to make the temperature distribution uniform by reciprocating the substrate while reducing the number of heaters.

また、搬送工程では、ヒーターの配置間隔の略６０〜略１００％の距離分、基板を往復動させることが好適である。このような構成により、特に温度分布の均一化を図ることができる。   In the transporting process, it is preferable to reciprocate the substrate by a distance of about 60 to about 100% of the heater arrangement interval. With such a configuration, the temperature distribution can be made particularly uniform.

また、本発明による成膜基板製造方法は、基板上に成膜材料が成膜された成膜基板を製造する方法であって、基板を冷却する冷却工程と、基板と接触する回転自在の搬送ローラーを用いて前記基板を搬送する搬送工程と、を備え、搬送工程では、冷却工程による冷却中に、搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を往復動させることを特徴としている。   In addition, a method for manufacturing a film formation substrate according to the present invention is a method for manufacturing a film formation substrate in which a film formation material is formed on a substrate, and includes a cooling process for cooling the substrate, and a rotatable conveyance in contact with the substrate. A transfer step of transferring the substrate using a roller, wherein the transfer step reciprocates the substrate by switching the rotation of the transfer roller between forward rotation and reverse rotation during cooling by the cooling step. It is said.

このような成膜基板製造方法によれば、基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を冷却しながら基板を往復動させることが可能であるため、基板と搬送ローラーとの接点が固定されず、接点の位置を変化させることができる。すなわち、冷却される基板と、基板より温度が低い搬送ローラーとの接点をずらすことで、基板の特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制することができる。また、基板を往復動させることで、冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の冷却を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を冷却するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、冷却によって生じる基板の収縮を許容することができる。搬送ローラーが静止している状態で摩擦係数が高く基板の収縮を許容することができない場合であっても、搬送ローラーを回転させることで摩擦係数を低減し、基板がずれやすくことができる。そのため、基板が冷却されて縮む場合に、基板がずれるので、基板に生じる引張り応力を緩和することができる。   According to such a film formation substrate manufacturing method, the rotation of a rotatable transport roller that contacts the substrate and transports the substrate is switched between forward rotation and reverse rotation, and the substrate is reciprocated while cooling the substrate. Therefore, the contact point between the substrate and the transport roller is not fixed, and the position of the contact point can be changed. That is, by shifting the contact between the substrate to be cooled and the transport roller having a temperature lower than that of the substrate, it is possible to avoid that only a specific portion of the substrate is in contact with the transport roller, and to suppress a temperature difference in the substrate. Also, by reciprocating the substrate, the substrate can be cooled without expanding the installation range of the cooling means. Further, since the substrate is cooled while rotating the transport roller, the friction coefficient between the substrate and the transport roller can be reduced, and the shrinkage of the substrate caused by the cooling can be allowed. Even when the transport roller is stationary and the friction coefficient is high and the substrate cannot be allowed to contract, the transport roller can be rotated to reduce the friction coefficient and easily shift the substrate. Therefore, when the substrate is cooled and contracts, the substrate is displaced, so that the tensile stress generated in the substrate can be relaxed.

また、搬送工程では、搬送ローラーを３６０度分、回転させた後、逆方向に３６０度分、回転させることが好適である。これにより、搬送ローラーを１回転ずつ、正回転と逆回転とを繰り返しながら、基板を往復動させることができ、搬送ローラー内の温度差を抑制し、搬送ローラーと接触する基板内の温度差も抑制することができる。   In the transporting process, it is preferable to rotate the transport roller by 360 degrees and then rotate the transport roller by 360 degrees in the reverse direction. Thereby, the substrate can be reciprocated while repeating the forward rotation and the reverse rotation for each rotation of the conveyance roller, the temperature difference in the conveyance roller is suppressed, and the temperature difference in the substrate in contact with the conveyance roller is also reduced. Can be suppressed.

また、本発明による成膜基板製造方法は、基板上に成膜材料が成膜された成膜基板を製造する方法であって、基板が導入されたチャンバー内で基板を加熱する加熱工程と、チャンバー内に設置され基板と接触する回転自在の第１の搬送ローラーを用いて基板を搬送する第１の搬送工程と、基板を冷却する冷却工程と、基板と接触する回転自在の第２の搬送ローラーを用いて基板を搬送する第２の搬送工程と、を備え、第１の搬送工程では、加熱工程による加熱中に、第１の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を往復動させ、第２の搬送工程では、冷却工程による冷却中に、第２の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を往復動させることを特徴としている。   Further, the film formation substrate manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing a film formation substrate in which a film formation material is formed on a substrate, and a heating step of heating the substrate in a chamber into which the substrate is introduced, A first transport process for transporting the substrate using a first transport roller that is installed in the chamber and is in contact with the substrate, a cooling process for cooling the substrate, and a second transport that is in contact with the substrate. A second transport step for transporting the substrate using a roller, and in the first transport step, during the heating by the heating step, the rotation of the first transport roller is switched between forward rotation and reverse rotation, The substrate is reciprocated, and the second transport step is characterized in that the substrate is reciprocated by switching the rotation of the second transport roller between forward rotation and reverse rotation during cooling in the cooling step.

このような成膜基板製造方法によれば、基板と接触して基板を搬送する回転自在の第１の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱しながら基板を往復動させることが可能であるため、基板と第１の搬送ローラーとの接点が固定されず、接点の位置を変化させることができる。すなわち、加熱される基板と、基板より温度が低い第１の搬送ローラーとの接点をずらすことで、基板の特定部位のみが第１の搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制することができる。また、基板を往復動させることで、加熱手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱を行うことができる。また、第１の搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱するため、基板と第１の搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、加熱によって生じる基板の伸びを許容することができる。搬送ローラーが静止している状態で摩擦係数が高く基板の伸びを許容することができない場合であっても、第１の搬送ローラーを回転させることで摩擦係数を低減し、基板がずれやすくことができる。そのため、基板が加熱されて伸びる場合に、基板がずれるので、基板に生じる熱応力を緩和することができる。   According to such a deposition substrate manufacturing method, the rotation of the rotatable first transport roller that contacts the substrate and transports the substrate is switched between forward rotation and reverse rotation, and the substrate is reciprocated while heating the substrate. Since the contact between the substrate and the first transport roller is not fixed, the position of the contact can be changed. That is, by shifting the contact point between the substrate to be heated and the first transport roller whose temperature is lower than that of the substrate, only a specific part of the substrate is prevented from coming into contact with the first transport roller, and the temperature difference in the substrate is reduced. Can be suppressed. Further, by reciprocating the substrate, the substrate can be heated without expanding the installation range of the heating means. Further, since the substrate is heated while rotating the first transport roller, the friction coefficient between the substrate and the first transport roller can be reduced, and the elongation of the substrate caused by the heating can be allowed. Even when the transport roller is stationary and the friction coefficient is high and the substrate cannot be allowed to stretch, rotating the first transport roller can reduce the friction coefficient and make the substrate easily misaligned. it can. Therefore, when the substrate is heated and stretched, the substrate is displaced, so that the thermal stress generated in the substrate can be relaxed.

また、このような成膜基板製造方法によれば、基板と接触して基板を搬送する回転自在の第２の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を冷却しながら基板を往復動させることが可能であるため、基板と第２の搬送ローラーとの接点が固定されず、接点の位置を変化させることができる。すなわち、冷却される基板と、基板より温度が低い第２の搬送ローラーとの接点をずらすことで、基板の特定部位のみが第２の搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制することができる。また、基板を往復動させることで、冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の冷却を行うことができる。また、第２の搬送ローラーを回転させながら、基板を冷却するため、基板と第２の搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、冷却によって生じる基板の収縮を許容することができる。搬送ローラーが静止している状態で摩擦係数が高く基板の収縮を許容することができない場合であっても、搬送ローラーを回転させることで摩擦係数を低減し、基板がずれやすくことができる。そのため、基板が冷却されて縮む場合に、基板がずれるので、基板に生じる引張り応力を緩和することができる。   Further, according to such a film formation substrate manufacturing method, the rotation of the rotatable second transport roller that contacts the substrate and transports the substrate is switched between forward rotation and reverse rotation, and the substrate is cooled while being cooled. Since the contact point between the substrate and the second transport roller is not fixed, the position of the contact point can be changed. That is, by shifting the contact point between the substrate to be cooled and the second transport roller whose temperature is lower than that of the substrate, only a specific part of the substrate is prevented from contacting the second transport roller, and the temperature difference in the substrate is reduced. Can be suppressed. Also, by reciprocating the substrate, the substrate can be cooled without expanding the installation range of the cooling means. Further, since the substrate is cooled while rotating the second transport roller, the coefficient of friction between the substrate and the second transport roller can be reduced, and the shrinkage of the substrate caused by the cooling can be allowed. Even when the transport roller is stationary and the friction coefficient is high and the substrate cannot be allowed to contract, the transport roller can be rotated to reduce the friction coefficient and easily shift the substrate. Therefore, when the substrate is cooled and contracts, the substrate is displaced, so that the tensile stress generated in the substrate can be relaxed.

本発明の成膜装置、及び成膜基板製造方法によれば、基板内の温度差を抑制し、基板に生じる応力を緩和することが可能であるため、基板が割れる可能性を低減することができる。   According to the film formation apparatus and the film formation substrate manufacturing method of the present invention, the temperature difference in the substrate can be suppressed and the stress generated in the substrate can be relaxed, so that the possibility of the substrate breaking is reduced. it can.

本発明の実施形態に係る成膜装置を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows the film-forming apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る成膜装置のバッファチャンバー（加熱用）の断面図であり、基板搬送方向に切った状態を示すものである。It is sectional drawing of the buffer chamber (for heating) of the film-forming apparatus which concerns on embodiment of this invention, and shows the state cut in the board | substrate conveyance direction. 本発明の実施形態に係る成膜装置のバッファチャンバー（加熱用）の断面図であり、基板搬送方向と直交する方向に切った状態を示すものである。It is sectional drawing of the buffer chamber (for heating) of the film-forming apparatus which concerns on embodiment of this invention, and shows the state cut in the direction orthogonal to a substrate conveyance direction. 図３中の基板、搬送ローラーを拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the board | substrate and conveyance roller in FIG. 本発明の実施形態に係る成膜装置のバッファチャンバー（冷却用）の断面図であり、基板搬送方向に切った状態を示すものである。It is sectional drawing of the buffer chamber (for cooling) of the film-forming apparatus which concerns on embodiment of this invention, and shows the state cut in the board | substrate conveyance direction. 本発明の実施形態に係る成膜装置の基板搬送制御ユニットを示すブロック構成図である。It is a block block diagram which shows the board | substrate conveyance control unit of the film-forming apparatus which concerns on embodiment of this invention. 基板の平面図であり、基板と搬送ローラーとの接点の位置を示す図である。It is a top view of a board | substrate and is a figure which shows the position of the contact of a board | substrate and a conveyance roller.

本発明に係る成膜装置について図面を参照して説明する。なお、「上」、「下」等の方向を示す語は、図面に示される状態に基づいており、便宜的なものである。   A film forming apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that words indicating directions such as “up” and “down” are based on the state shown in the drawings and are for convenience.

（成膜装置）
図１は、本発明の実施形態に係る成膜装置を示す概略側面図である。図１に示す成膜装置１００は、基板（例えばガラス基板）に対して成膜等の処理を施すためのものである。成膜装置１００は、スパッタリング法による成膜を行う装置であり、真空中の希薄アルゴン雰囲気下でプラズマを発生させて、プラズマ中のプラスイオンを成膜材料に衝突させることで金属原子をはじき出し、基板上に付着させて成膜を行うものである。 (Deposition system)
FIG. 1 is a schematic side view showing a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. A film forming apparatus 100 shown in FIG. 1 is for performing a process such as film formation on a substrate (for example, a glass substrate). The film formation apparatus 100 is an apparatus for performing film formation by a sputtering method, generates plasma in a dilute argon atmosphere in a vacuum, and ejects metal atoms by causing positive ions in the plasma to collide with a film formation material. The film is deposited on a substrate.

成膜装置１００は、例えば、太陽電池を製造する太陽電池製造装置、液晶表示素子を製造する液晶表示素子製造装置、平面入力素子（タッチパネル）を製造する平面入力素子製造装置などに適用することができる。   The film forming apparatus 100 can be applied to, for example, a solar cell manufacturing apparatus that manufactures solar cells, a liquid crystal display element manufacturing apparatus that manufactures liquid crystal display elements, and a flat input element manufacturing apparatus that manufactures flat input elements (touch panels). it can.

成膜装置１００は、ロードロックチャンバー１２１、バッファチャンバー１２２、成膜チャンバー（成膜室）１２３、バッファチャンバー１２４、ロードロックチャンバー１２５を備えている。これらのチャンバー１２１〜１２５は、この順に並んで配置されている。全てのチャンバー１２１〜１２５が真空容器にて構成され、チャンバー１２１〜１２５の出入口には、開閉ゲート１３１〜１３６が設けられている。   The film forming apparatus 100 includes a load lock chamber 121, a buffer chamber 122, a film forming chamber (film forming chamber) 123, a buffer chamber 124, and a load lock chamber 125. These chambers 121 to 125 are arranged in this order. All the chambers 121 to 125 are constituted by vacuum containers, and open / close gates 131 to 136 are provided at the entrances and exits of the chambers 121 to 125.

成膜装置１００には、基板を搬送するための搬送装置９１（図２，３参照）が設けられている。搬送装置９１は例えば公知のローラー９１ａとこのローラー９１ａを回転させる駆動機構（図示せず）から構成されている。そして、基板は、搬送装置９１によって搬送され、チャンバー１２１〜１２５内を順次通過する。ローラー９１ａは、図４に示すように、基板１０１の幅方向（図示Ｘ方向）の両側の端部を下方から支持するように配置されている。また、ローラー９１ａは、基板１０１の幅方向に延在する所定の軸線周りに回転自在の構成とされている。   The film forming apparatus 100 is provided with a transfer device 91 (see FIGS. 2 and 3) for transferring the substrate. The transport device 91 includes, for example, a known roller 91a and a drive mechanism (not shown) that rotates the roller 91a. Then, the substrate is transported by the transport device 91 and sequentially passes through the chambers 121 to 125. As shown in FIG. 4, the rollers 91 a are disposed so as to support end portions on both sides in the width direction (X direction in the drawing) of the substrate 101 from below. In addition, the roller 91a is configured to be rotatable around a predetermined axis extending in the width direction of the substrate 101.

成膜装置１００は、基板１０１を載置するトレイを使用せず、基板１０１とローラー９１ａとを直接接触させて搬送するトレイレスタイプの装置である。   The film forming apparatus 100 is a trayless type apparatus that transports the substrate 101 and the roller 91a in direct contact without using a tray on which the substrate 101 is placed.

各真空チャンバー１２１〜１２５には、内部を適切な圧力とするための真空ポンプ（不図示）が接続されている。また、各真空チャンバー１２１〜１２５には、チャンバー内の圧力を監視するための真空計９５（図２参照）が複数（例えば２個）設置されている。各チャンバー１２１〜１２５には、真空ポンプに接続された真空排気管９６が連通され、この真空排気管９６に真空計９５が設置されている。   A vacuum pump (not shown) is connected to each of the vacuum chambers 121 to 125 to bring the inside to an appropriate pressure. Each of the vacuum chambers 121 to 125 is provided with a plurality (for example, two) of vacuum gauges 95 (see FIG. 2) for monitoring the pressure in the chamber. A vacuum exhaust pipe 96 connected to a vacuum pump is communicated with each chamber 121 to 125, and a vacuum gauge 95 is installed in the vacuum exhaust pipe 96.

ロードロックチャンバー１２１は、入口側に設けられた開閉ゲート１３１を開放することで、大気開放され、処理される基板が導入されるチャンバーである。ロードロックチャンバー１２１の出口側は、開閉ゲート１３２を介して、バッファチャンバー１２２の入口側に接続されている。   The load lock chamber 121 is a chamber into which the substrate to be processed is introduced by opening the open / close gate 131 provided on the inlet side to open the atmosphere. The outlet side of the load lock chamber 121 is connected to the inlet side of the buffer chamber 122 via the open / close gate 132.

図２及び図３は、本発明の実施形態に係る成膜装置のバッファチャンバー（加熱用）を示す断面図である。バッファチャンバー１２２は、入口側に設けられた開閉ゲート１３２を開放することで、ロードロックチャンバー１２１と連通され、ロードロックチャンバー１２１を通過した基板１０１が導入される圧力調整用チャンバーである。バッファチャンバー１２２の出口側は、開閉ゲート１３３を介して、成膜チャンバー１２３の入口側に接続されている。また、バッファチャンバー１２２には、基板１０１を加熱するためのヒーター９２が設けられている。このヒーター９２は、基板１０１の上面を加熱すべく、基板１０１の上方に設置されている。バッファチャンバー１２２では、基板温度が例えば２００℃程度になるように加熱される。バッファチャンバー１２２は、成膜チャンバー１２３の前段に設置され、基板１０１を加熱する加熱用チャンバーとして機能する。   2 and 3 are cross-sectional views showing a buffer chamber (for heating) of the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention. The buffer chamber 122 is a pressure adjusting chamber that is communicated with the load lock chamber 121 by opening the open / close gate 132 provided on the inlet side and into which the substrate 101 that has passed through the load lock chamber 121 is introduced. The outlet side of the buffer chamber 122 is connected to the inlet side of the film forming chamber 123 through an open / close gate 133. The buffer chamber 122 is provided with a heater 92 for heating the substrate 101. The heater 92 is installed above the substrate 101 in order to heat the upper surface of the substrate 101. In the buffer chamber 122, the substrate temperature is heated to about 200 ° C., for example. The buffer chamber 122 is installed in front of the film formation chamber 123 and functions as a heating chamber for heating the substrate 101.

ヒーター９２は、ランプヒーターであり、基板１０１の搬送方向Ｙと交差する方向Ｘに延在している。ヒーター９２は、バッファチャンバー１２２内に複数本（例えば１２本）設置され、搬送方向Ｙに所定の間隔Ｐを空けて配置されている。ヒーター９２の熱は基板１０１に伝熱され、基板１０１が加熱される。   The heater 92 is a lamp heater and extends in a direction X that intersects the transport direction Y of the substrate 101. A plurality of (for example, twelve) heaters 92 are installed in the buffer chamber 122 and are arranged at a predetermined interval P in the transport direction Y. The heat of the heater 92 is transferred to the substrate 101, and the substrate 101 is heated.

成膜チャンバー１２３は、入口側に設けられた開閉ゲート１３３を開放することで、バッファチャンバー１２２と連通され、バッファチャンバー１２２を通過した基板１０１が導入され、基板１０１に薄膜層を成膜する処理チャンバーである。成膜チャンバー１２３の出口側は、開閉ゲート１３４を介して、バッファチャンバー１２４の入口側に接続されている。成膜チャンバー１２３内には、基板１０１に成膜材料（薄膜層）を成膜するための蒸着装置（図示せず）が設置されている。また、成膜チャンバー１２３には、基板１０１を加熱するためのヒーターが設けられている。このヒーターは、基板１０１の上面を加熱すべく、基板１０１よりも上方に設置されている。成膜チャンバー１２３では、基板温度が例えば２００℃程度に維持されている。   The film formation chamber 123 is connected to the buffer chamber 122 by opening the open / close gate 133 provided on the entrance side, and the substrate 101 that has passed through the buffer chamber 122 is introduced to form a thin film layer on the substrate 101. It is a chamber. The outlet side of the film forming chamber 123 is connected to the inlet side of the buffer chamber 124 via an open / close gate 134. In the film formation chamber 123, a vapor deposition apparatus (not shown) for forming a film formation material (thin film layer) on the substrate 101 is installed. In addition, the film formation chamber 123 is provided with a heater for heating the substrate 101. This heater is installed above the substrate 101 in order to heat the upper surface of the substrate 101. In the film forming chamber 123, the substrate temperature is maintained at about 200 ° C., for example.

図５は、本発明の実施形態に係る成膜装置のバッファチャンバー（冷却用）を示す断面図である。バッファチャンバー１２４は、入口側に設けられた開閉ゲート１３４を開放することで、成膜チャンバー１２３と連通され、成膜チャンバー１２３によって成膜された基板１０１が導入される圧力調整用チャンバーである。バッファチャンバー１２４の出口側は、開閉ゲート１３５を介して、ロードロックチャンバー１２５の入口側に接続されている。また、バッファチャンバー１２４には、基板１０１を冷却するための冷却板９３が設けられている。この冷却板は、基板１０１の上面を冷却すべく、基板１０１の上方に設置されている。バッファチャンバー１２４では、基板温度が例えば１２０℃程度になるように冷却される。バッファチャンバー１２４は、成膜チャンバー１２３の後段に設置され、基板１０１を冷却する冷却用チャンバーとして機能する。なお、バッファチャンバー１２４に冷却手段が設置されていない構成でもよい。真空チャンバーから出た後の大気圧環境において、基板１０１を大気により冷却（空冷）する構成でもよい。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing a buffer chamber (for cooling) of the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention. The buffer chamber 124 is a pressure adjusting chamber that is communicated with the film forming chamber 123 by opening the open / close gate 134 provided on the inlet side, and into which the substrate 101 formed by the film forming chamber 123 is introduced. The outlet side of the buffer chamber 124 is connected to the inlet side of the load lock chamber 125 through an open / close gate 135. The buffer chamber 124 is provided with a cooling plate 93 for cooling the substrate 101. The cooling plate is installed above the substrate 101 in order to cool the upper surface of the substrate 101. In the buffer chamber 124, the substrate temperature is cooled to about 120 ° C., for example. The buffer chamber 124 is installed after the film forming chamber 123 and functions as a cooling chamber for cooling the substrate 101. The buffer chamber 124 may not be provided with a cooling unit. The substrate 101 may be cooled (air cooled) with the atmosphere in an atmospheric pressure environment after exiting the vacuum chamber.

冷却板９３は、基板１０１を冷却する冷却手段として機能するものである。冷却板９３は、例えば銅板から形成され、板状を成し、基板１０１と対面するように配置されている。冷却板９３には、冷却水が通水される冷却管（不図示）が設けられている。基板１０１の熱は、冷却板９３に伝熱され、冷却板９３に伝達された熱が冷却管に伝熱され、冷却管は管内を流れる冷却水により冷却される。これにより、冷却板９３が冷却されて基板１０１が冷却される。   The cooling plate 93 functions as a cooling means for cooling the substrate 101. The cooling plate 93 is made of, for example, a copper plate, has a plate shape, and is disposed so as to face the substrate 101. The cooling plate 93 is provided with a cooling pipe (not shown) through which cooling water is passed. The heat of the substrate 101 is transferred to the cooling plate 93, the heat transferred to the cooling plate 93 is transferred to the cooling pipe, and the cooling pipe is cooled by the cooling water flowing in the pipe. Thereby, the cooling plate 93 is cooled and the substrate 101 is cooled.

ロードロックチャンバー１２５は、入口側に設けられた開閉ゲート３５を開放することで、バッファチャンバー１２４と連通され、バッファチャンバー１２４を通過した基板１０１が導入されるチャンバである。ロードロックチャンバー１２５の出口側には、開閉ゲート３６が設けられ、開閉ゲート３６を開放することで、ロードロックチャンバー１２５が大気開放される。ロードロックチャンバー１２５では、大気開放により空冷し、チャンバー外へ基板１０１が搬送される時点で、１００℃以下に冷却されます。   The load lock chamber 125 is a chamber that communicates with the buffer chamber 124 by opening the open / close gate 35 provided on the inlet side, and into which the substrate 101 that has passed through the buffer chamber 124 is introduced. An opening / closing gate 36 is provided on the exit side of the load lock chamber 125, and the load lock chamber 125 is opened to the atmosphere by opening the opening / closing gate 36. In the load lock chamber 125, air is cooled by opening to the atmosphere, and when the substrate 101 is transferred to the outside of the chamber, it is cooled to 100 ° C or lower.

（基板搬送制御ユニット）
図６は、本発明の実施形態に係る成膜装置の基板搬送制御ユニットを示すブロック構成図である。成膜装置１００は、搬送ローラー９１ａの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、バッファチャンバー１２２，１２４内で基板１０１を往復動させる基板搬送制御ユニット２０を備えている。 (Board transfer control unit)
FIG. 6 is a block diagram showing a substrate transfer control unit of the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention. The film forming apparatus 100 includes a substrate transfer control unit 20 that reciprocates the substrate 101 in the buffer chambers 122 and 124 by switching the rotation of the transfer roller 91a between forward rotation and reverse rotation.

基板搬送制御ユニット２０は、演算処理を行うＣＰＵ、記憶部となるＲＯＭ及びＲＡＭ、入力信号回路、出力信号回路、電源回路などにより構成されている。基板搬送制御ユニット２０では、記憶部に記憶されたプログラムを実行することで、駆動制御部２１Ａ，２１Ｂが構築される。   The substrate transfer control unit 20 includes a CPU that performs arithmetic processing, a ROM and a RAM that are storage units, an input signal circuit, an output signal circuit, a power supply circuit, and the like. In the substrate transfer control unit 20, the drive control units 21A and 21B are constructed by executing the program stored in the storage unit.

駆動制御部２１Ａは、バッファチャンバー１２２に設置された搬送ローラー９１ａを回転駆動するための駆動モータ（電動モータ）２２Ａを制御するものである。駆動モータ２２Ａは、駆動制御部２１Ａから出力された指令信号に従い作動する。駆動制御部２１Ａは、駆動モータ２２Ａの回転方向、回転量を制御し、バッファチャンバー１２２に設置された搬送ローラー（第１の搬送ローラー）９１ａの正回転または逆回転、回転角度を制御する。駆動制御部２１Ａは、搬送ローラー９１ａの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、ヒーター９２による加熱中に基板１０１を往復動させる（加熱搬送）制御手段として機能する。なお、バッファチャンバー１２２に設置された搬送ローラー９１ａの正回転とは、成膜チャンバー１２３側へ、基板１０１を搬送する場合の回転である。バッファチャンバー１２２に設置された搬送ローラー９１ａの逆回転とは、成膜チャンバー１２３とは反対側へ、基板１０１を搬送する場合の回転である。   The drive control unit 21 </ b> A controls a drive motor (electric motor) 22 </ b> A for rotationally driving the transport roller 91 a installed in the buffer chamber 122. The drive motor 22A operates according to a command signal output from the drive control unit 21A. The drive control unit 21A controls the rotation direction and the rotation amount of the drive motor 22A, and controls the forward rotation or reverse rotation and rotation angle of the transport roller (first transport roller) 91a installed in the buffer chamber 122. The drive control unit 21A functions as a control unit that switches the rotation of the transport roller 91a between forward rotation and reverse rotation and reciprocates the substrate 101 during heating by the heater 92 (heating transport). Note that the forward rotation of the transport roller 91a installed in the buffer chamber 122 is rotation when the substrate 101 is transported to the film forming chamber 123 side. The reverse rotation of the transport roller 91 a installed in the buffer chamber 122 is a rotation for transporting the substrate 101 to the side opposite to the film formation chamber 123.

駆動制御部２１Ａは、ヒーター９２の配置間隔の６０％〜１００％の距離分、基板１０１を往復動させることが好ましい。例えば、基板搬送方向Ｙに隣り合うヒーター９２の配置間隔が、８０ｍｍである場合に、搬送ローラー９１ａの設置位置に対して、前後方向に８０ｍｍ移動させることが好適である。   The drive control unit 21A preferably reciprocates the substrate 101 by a distance of 60% to 100% of the arrangement interval of the heaters 92. For example, when the arrangement interval of the heaters 92 adjacent to each other in the substrate transport direction Y is 80 mm, it is preferable to move 80 mm in the front-rear direction with respect to the installation position of the transport roller 91a.

駆動制御部２１Ｂは、バッファチャンバー１２４に設置された搬送ローラー９１ａを回転駆動するための駆動モータ（電動モータ）２２Ｂを制御するものである。駆動モータ２２Ｂは、駆動制御部２１Ｂから出力された指令信号に従い作動する。駆動制御部２１Ｂは、駆動モータ２２Ｂの回転方向、回転角度を制御し、バッファチャンバー１２４に設置された搬送ローラー（第２の搬送ローラー）９１ａの正回転または逆回転、回転角度を制御する。駆動制御部２１Ｂは、搬送ローラー９１ａの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、ヒーター９２による冷却中に基板１０１を往復動させる（冷却搬送）制御手段として機能する。なお、バッファチャンバー１２４に設置された搬送ローラー９１ａの正回転とは、成膜チャンバー１２３とは反対側へ、基板１０１を搬送する場合の回転である。バッファチャンバー１２４に設置された搬送ローラー９１ａの逆回転とは、成膜チャンバー１２３側へ、基板１０１を搬送する場合の回転である。   The drive control unit 21B controls a drive motor (electric motor) 22B for rotationally driving the transport roller 91a installed in the buffer chamber 124. The drive motor 22B operates according to a command signal output from the drive control unit 21B. The drive control unit 21B controls the rotation direction and rotation angle of the drive motor 22B, and controls the forward rotation or reverse rotation and rotation angle of the transport roller (second transport roller) 91a installed in the buffer chamber 124. The drive control unit 21B functions as a control unit that switches the rotation of the transport roller 91a between forward rotation and reverse rotation and reciprocates the substrate 101 during cooling by the heater 92 (cooling transport). Note that the forward rotation of the transport roller 91 a installed in the buffer chamber 124 is rotation when the substrate 101 is transported to the opposite side of the film formation chamber 123. The reverse rotation of the transport roller 91a installed in the buffer chamber 124 is a rotation for transporting the substrate 101 to the film forming chamber 123 side.

駆動制御部２１Ｂは、搬送ローラー９１ａを１回転（３６０度）分、回転させた後、逆方向に１回転させて、基板１０１を往復動させることが好ましい。例えば、搬送ローラー９１ａの外径が、６０ｍｍｍｍである場合に、搬送ローラーの設置位置に対して、前後方向に１８０ｍｍ移動させることが好適である。   The drive control unit 21B preferably rotates the transport roller 91a by one rotation (360 degrees) and then makes one rotation in the opposite direction to reciprocate the substrate 101. For example, when the outer diameter of the conveyance roller 91a is 60 mm, it is preferable to move the conveyance roller by 180 mm in the front-rear direction with respect to the installation position of the conveyance roller.

（成膜基板の製造方法）
次に、本発明の実施形態に係る成膜基板の製造方法について説明する。本実施形態では、図１に示す成膜装置１００を用いた成膜基板の製造方法について説明する。この製造方法は、加熱工程（第１の搬送工程）、成膜工程、及び冷却工程（第２の搬送工程）を備えている。 (Method for manufacturing a film formation substrate)
Next, a method for manufacturing a film formation substrate according to an embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, a method for manufacturing a film formation substrate using the film formation apparatus 100 shown in FIG. 1 will be described. This manufacturing method includes a heating step (first transfer step), a film forming step, and a cooling step (second transfer step).

（搬送工程）
まず、基板１０１は、ロードロックチャンバー１２１内に導入される。ロードロックチャンバー１２１内は、開閉ゲート１３１，１３２が閉じられて密閉状態とされ、所定の圧力まで減圧される。基板は、ロードロックチャンバー１２１内を搬送され、隣接するバッファチャンバー１２２内に導入される。 (Conveying process)
First, the substrate 101 is introduced into the load lock chamber 121. In the load lock chamber 121, the open / close gates 131 and 132 are closed to be sealed, and the pressure is reduced to a predetermined pressure. The substrate is transported in the load lock chamber 121 and introduced into the adjacent buffer chamber 122.

（加熱工程、第１の搬送工程）
加熱工程では、基板１０１が導入されたバッファチャンバー１２２内で基板１０１を加熱する。第１の搬送工程（搬送工程）では、加熱工程による加熱中に、（第１の）搬送ローラー９１ａを正回転または逆回転させて、基板１０１を往復動させる。例えば、バッファチャンバー１２２内は、基板１０１が導入される前に所定の温度まで加熱されている。 (Heating step, first transfer step)
In the heating step, the substrate 101 is heated in the buffer chamber 122 into which the substrate 101 is introduced. In the first transport process (transport process), the substrate 101 is reciprocated by rotating the (first) transport roller 91a forward or reverse during heating in the heating process. For example, the inside of the buffer chamber 122 is heated to a predetermined temperature before the substrate 101 is introduced.

基板１０１は、バッファチャンバー１２２内に導入され、基準位置（例えば、バッファチャンバー１２２の中央）まで搬送される。バッファチャンバー１２２内は、開閉ゲート１３２，１３３が閉じられて密閉状態とされ、所定の圧力（成膜チャンバー１２３と同圧）まで減圧される。基板搬送制御ユニット２０の駆動制御部２１Ａは、駆動モータ２２Ａに指令信号を送信して、バッファチャンバー１２２に設置された搬送ローラー９１ａを正回転または逆回転させる。これにより、基板１０１は、ヒーター９２による加熱中に、基準位置を中心として搬送方向Ｙに往復動する（第１の搬送工程）。ここでは、例えば、２０秒間、２０ｍｍ／ｓの速度で１０往復させる。第１の搬送工程では、ヒーター９２の配置間隔Ｐの６０％〜１００％（略６０％〜略１００％）の距離分、基板１０１を往復動させることが好ましい。基板１０１が、成膜に適した温度まで加熱された後、基板１０１の往復動が停止される。その後、基板１０１は、バッファチャンバー１２２内を搬送され、隣接する成膜チャンバー１２３内に導入される。   The substrate 101 is introduced into the buffer chamber 122 and transferred to a reference position (for example, the center of the buffer chamber 122). In the buffer chamber 122, the open / close gates 132 and 133 are closed and hermetically sealed, and the pressure is reduced to a predetermined pressure (the same pressure as the film forming chamber 123). The drive control unit 21A of the substrate transfer control unit 20 transmits a command signal to the drive motor 22A to rotate the transfer roller 91a installed in the buffer chamber 122 forward or backward. Thus, the substrate 101 reciprocates in the transport direction Y around the reference position during heating by the heater 92 (first transport step). Here, for example, 10 reciprocations are performed at a speed of 20 mm / s for 20 seconds. In the first transport step, it is preferable to reciprocate the substrate 101 by a distance of 60% to 100% (approximately 60% to approximately 100%) of the arrangement interval P of the heaters 92. After the substrate 101 is heated to a temperature suitable for film formation, the reciprocation of the substrate 101 is stopped. Thereafter, the substrate 101 is transported in the buffer chamber 122 and introduced into the adjacent film forming chamber 123.

（成膜工程）
成膜チャンバー１２３内は、基板１０１が導入される前に、成膜に適正な減圧状態とされている。基板１０１が成膜チャンバー１２３内に導入されると、開閉ゲート１３３，１３４が閉じられて密閉状態とされる。また、成膜チャンバ１２３内は、ヒーター９２によって加熱されて、基板温度が維持された状態となる。そして、基板１０１上に成膜処理が行われ、基板１０１上に金属膜（薄膜層）が成膜される（成膜工程）。 (Film formation process)
The inside of the film formation chamber 123 is in a reduced pressure state suitable for film formation before the substrate 101 is introduced. When the substrate 101 is introduced into the film formation chamber 123, the open / close gates 133 and 134 are closed and hermetically sealed. Further, the inside of the film forming chamber 123 is heated by the heater 92 so that the substrate temperature is maintained. Then, a film forming process is performed on the substrate 101, and a metal film (thin film layer) is formed on the substrate 101 (film forming process).

（冷却工程、第２の搬送工程）
冷却工程では、基板１０１が導入されたバッファチャンバー１２４内で基板１０１を冷却する。第２の搬送工程（搬送工程）では、冷却工程による冷却中に、（第２の）搬送ローラー９１ａを正回転または逆回転させて、基板１０１を往復動させる。例えば、バッファチャンバー１２４内は、基板１０１が導入される前に所定の温度まで冷却されている。なお、冷却工程は、チャンバー内で実行されなくてもよい。 (Cooling process, second transport process)
In the cooling process, the substrate 101 is cooled in the buffer chamber 124 into which the substrate 101 is introduced. In the second transport process (transport process), during cooling in the cooling process, the (second) transport roller 91a is rotated forward or backward to reciprocate the substrate 101. For example, the buffer chamber 124 is cooled to a predetermined temperature before the substrate 101 is introduced. Note that the cooling step may not be performed in the chamber.

基板１０１は、バッファチャンバー１２４内に導入され、基準位置（例えば、バッファチャンバー１２４の中央）まで搬送される。バッファチャンバー１２４内は、開閉ゲート１３４，１３５が閉じられて密閉状態とされ、所定の圧力に減圧されている。基板搬送制御ユニット２０の駆動制御部２１Ｂは、駆動モータ２２Ｂに指令信号を送信して、バッファチャンバー１２４に設置された搬送ローラー９１ａを正回転または逆回転させる。これにより、基板１０１は、冷却板９３による冷却中に、基準位置を中心として搬送方向Ｙに往復動する（第２の搬送工程）。第２の搬送工程では、搬送ローラー９１ａを１回転させた後、逆方向に１回転させ、これを繰り返し、基板１０１を往復動することが好ましい。基板１０１が、冷却された後、基板１０１の往復動が停止される。その後、基板は、バッファチャンバー１２４内を搬送され、隣接するロードロックチャンバー１２５内に導入される。   The substrate 101 is introduced into the buffer chamber 124 and conveyed to a reference position (for example, the center of the buffer chamber 124). Inside the buffer chamber 124, the open / close gates 134 and 135 are closed to be sealed, and the pressure is reduced to a predetermined pressure. The drive control unit 21B of the substrate transfer control unit 20 transmits a command signal to the drive motor 22B to rotate the transfer roller 91a installed in the buffer chamber 124 forward or backward. Thus, the substrate 101 reciprocates in the transport direction Y around the reference position during cooling by the cooling plate 93 (second transport step). In the second transport step, it is preferable that the transport roller 91a is rotated once, then rotated in the opposite direction, repeated, and the substrate 101 is reciprocated. After the substrate 101 is cooled, the reciprocation of the substrate 101 is stopped. Thereafter, the substrate is transported through the buffer chamber 124 and introduced into the adjacent load lock chamber 125.

ロードロックチャンバー１２５内は、開閉ゲート１３６が開放されて、大気開放により基板１０１が、冷却される。基板１０１が、冷却された後、基板１０１は、ロードロックチャンバー１２５内を搬送され、ロードロックチャンバー１２５外へ導出される。   In the load lock chamber 125, the open / close gate 136 is opened, and the substrate 101 is cooled by opening to the atmosphere. After the substrate 101 is cooled, the substrate 101 is transported through the load lock chamber 125 and led out of the load lock chamber 125.

このような本実施形態の成膜装置１００及び成膜基板製造方法によれば、基板１０１と接触して基板１０１を搬送する回転自在の搬送ローラー９１ａの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板１０１を加熱しながら基板１０１を往復動させることが可能であるため、基板１０１と搬送ローラー９１ａとの接点が固定されず（図７参照）、接点の位置を変化させることができる。すなわち、加熱される基板１０１と、基板１０１より温度が低い搬送ローラー９１ａとの接点をずらすことで、基板１０１の特定部位のみが搬送ローラー９１ａと接触すること回避し、基板１０１内の温度差を抑制することができる。搬送ローラー９１ａと接している部分と、搬送ローラー９１ａと接していない部分との温度差を小さくすることができる。   According to the film forming apparatus 100 and the film forming substrate manufacturing method of this embodiment, the rotation of the rotatable transport roller 91a that contacts the substrate 101 and transports the substrate 101 is switched between forward rotation and reverse rotation. Since the substrate 101 can be reciprocated while heating the substrate 101, the contact between the substrate 101 and the transport roller 91a is not fixed (see FIG. 7), and the position of the contact can be changed. That is, by shifting the contact between the substrate 101 to be heated and the transport roller 91a having a temperature lower than that of the substrate 101, only a specific part of the substrate 101 is prevented from coming into contact with the transport roller 91a, and the temperature difference in the substrate 101 is reduced. Can be suppressed. The temperature difference between the portion in contact with the transport roller 91a and the portion not in contact with the transport roller 91a can be reduced.

また、基板加熱中に基板１０１を往復動させることで、ヒーター９２の設置範囲を拡大せずに基板１０１を加熱することができる。また、搬送ローラー９１ａを回転させながら、基板１０１を加熱するため、基板１０１と搬送ローラー９１ａとの摩擦係数を低減することができ、加熱によって生じる基板１０１の幅方向Ｘの伸びを許容することができる。搬送ローラー９１ａが静止している状態では、摩擦係数が高く基板１０１の伸びを許容することができず、基板１０１は幅方向Ｘの中央で大きくたわんでしまう。そこで、搬送ローラー９１ａを回転させることで摩擦係数を低減し、基板１０１が幅方向Ｘにずれやすくすることができる。そのため、基板１０１が加熱されて幅方向Ｘへ伸びる場合に、基板１０１の幅方向Ｘの端部が外側へずれるので、圧縮力による基板１０１の板厚方向へのたわみを緩和することができる。その結果、基板１０１の割れや、たわんだ基板１０１と他の部品（例えば基板１０１が搬送される経路の近傍に設けられる反射板）との干渉の可能性を低減することができる。   Further, by reciprocating the substrate 101 during substrate heating, the substrate 101 can be heated without expanding the installation range of the heater 92. Further, since the substrate 101 is heated while rotating the transport roller 91a, the friction coefficient between the substrate 101 and the transport roller 91a can be reduced, and the elongation in the width direction X of the substrate 101 caused by the heating can be allowed. it can. When the transport roller 91a is stationary, the coefficient of friction is high and the substrate 101 cannot be allowed to stretch, and the substrate 101 is greatly bent at the center in the width direction X. Therefore, by rotating the transport roller 91a, the friction coefficient can be reduced and the substrate 101 can be easily displaced in the width direction X. Therefore, when the substrate 101 is heated and extends in the width direction X, the end in the width direction X of the substrate 101 is shifted outward, so that the deflection in the thickness direction of the substrate 101 due to the compressive force can be reduced. As a result, it is possible to reduce the possibility of breakage of the substrate 101 and interference between the bent substrate 101 and other components (for example, a reflection plate provided in the vicinity of the path along which the substrate 101 is conveyed).

また、成膜装置１００の加熱手段及び成膜基板製造方法の加熱工程では、基板１０１の搬送方向Ｙと交差する方向Ｘに延在し、搬送方向Ｙに所定の間隔Ｐを空けて配置された複数のヒーター９２を用いて、基板１０１を加熱し、基板搬送制御ユニット２０及び搬送工程では、ヒーター９２の配置間隔Ｐの略６０％〜略１００％の距離分、基板１０１を往復動させるため、基板１０１の搬送方向Ｙにおける基板１０１内の温度差を抑制することができると共に、ヒーター９２の設置数量を削減することができる。例えば、基板を静止させて加熱する従来の装置と比較して、５０％の本数にヒーター９２を削減することができる。   Further, in the heating process of the film forming apparatus 100 and the film forming substrate manufacturing method, the substrate 101 extends in the direction X intersecting the transport direction Y of the substrate 101 and is arranged with a predetermined interval P in the transport direction Y. The substrate 101 is heated using a plurality of heaters 92, and in the substrate transfer control unit 20 and the transfer process, the substrate 101 is reciprocated by a distance of approximately 60% to approximately 100% of the arrangement interval P of the heaters 92. The temperature difference in the substrate 101 in the transport direction Y of the substrate 101 can be suppressed, and the number of heaters 92 installed can be reduced. For example, the number of heaters 92 can be reduced to 50% as compared with a conventional apparatus that heats the substrate while it is stationary.

また、本実施形態の成膜装置１００及び成膜基板製造方法によれば、基板１０１と接触して基板１０１を搬送する回転自在の搬送ローラー９１ａの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板１０１を冷却しながら基板１０１を往復動させることが可能であるため、基板１０１と搬送ローラー９１ａとの接点が固定されず（図７参照）、接点の位置を変化させることができる。すなわち、冷却される基板１０１と、基板１０１より温度が低い搬送ローラー９１ａとの接点をずらすことで、基板１０１の特定部位のみが搬送ローラー９１ａと接触すること回避し、基板１０１内の温度差を抑制することができる。搬送ローラー９１ａと接している部分と、搬送ローラー９１ａと接していない部分との温度差を小さくすることができる。   Further, according to the film forming apparatus 100 and the film forming substrate manufacturing method of the present embodiment, the rotation of the rotatable transport roller 91a that contacts the substrate 101 and transports the substrate 101 is switched between forward rotation and reverse rotation, Since the substrate 101 can be reciprocated while cooling the substrate 101, the contact between the substrate 101 and the transport roller 91a is not fixed (see FIG. 7), and the position of the contact can be changed. That is, by shifting the contact point between the substrate 101 to be cooled and the transport roller 91a having a temperature lower than that of the substrate 101, only a specific part of the substrate 101 is prevented from coming into contact with the transport roller 91a, and the temperature difference in the substrate 101 is reduced. Can be suppressed. The temperature difference between the portion in contact with the transport roller 91a and the portion not in contact with the transport roller 91a can be reduced.

また、基板冷却中に基板１０１を往復動させることで、冷却板９３の設置範囲を拡大せずに基板１０１を冷却することができる。また、搬送ローラー９１ａを回転させながら、基板１０１を冷却するため、基板１０１と搬送ローラー９１ａとの摩擦係数を低減することができ、冷却によって生じる基板１０１の幅方向Ｘの収縮を許容することができる。搬送ローラー９１ａが静止している状態では、摩擦係数が高く基板の収縮を許容することができない場合であっても、搬送ローラー９１ａを回転させることで摩擦係数を低減し、基板１０１が幅方向Ｘにずれやすくことができる。そのため、基板１０１が冷却されて縮む場合に、基板１０１の幅方向Ｘの端部が内側へずれるので、基板１０１に生じる引張り応力を緩和することができる。その結果、基板１０１が割れる可能性を低減することができる。   Further, by reciprocating the substrate 101 during the cooling of the substrate, the substrate 101 can be cooled without expanding the installation range of the cooling plate 93. Further, since the substrate 101 is cooled while rotating the transport roller 91a, the friction coefficient between the substrate 101 and the transport roller 91a can be reduced, and the contraction in the width direction X of the substrate 101 caused by the cooling can be allowed. it can. In the state where the transport roller 91a is stationary, even if the friction coefficient is high and the contraction of the substrate cannot be permitted, the friction coefficient is reduced by rotating the transport roller 91a, and the substrate 101 is moved in the width direction X. It can be easily shifted. Therefore, when the substrate 101 is cooled and contracts, the end portion in the width direction X of the substrate 101 is shifted inward, so that the tensile stress generated in the substrate 101 can be relaxed. As a result, the possibility that the substrate 101 will break can be reduced.

また、成膜装置１００の基板搬送制御ユニット２０は、搬送ローラー９１ａを３６０度分、回転させた後、逆方向に３６０度分、回転させるため、搬送ローラー９１ａを１回転ずつ、正回転と逆回転とを繰り返しながら、基板１０１を往復動させることができ、搬送ローラー９１ａの周面における温度差を抑制し、搬送ローラー９１ａと接触する基板１０１内の温度差も抑制することができる。   In addition, since the substrate transfer control unit 20 of the film forming apparatus 100 rotates the transfer roller 91a by 360 degrees and then rotates the transfer roller 91a by 360 degrees in the reverse direction, the transfer roller 91a is rotated by one rotation and reverse to the normal rotation. The substrate 101 can be reciprocated while repeating the rotation, the temperature difference in the peripheral surface of the transport roller 91a can be suppressed, and the temperature difference in the substrate 101 in contact with the transport roller 91a can also be suppressed.

また、成膜基板製造方法の（第２の）搬送工程では、搬送ローラー９１ａを３６０度分、回転させた後、逆方向に３６０度分、回転させるため、搬送ローラー９１ａを１回転ずつ、正回転と逆回転とを繰り返しながら、基板１０１を往復動させることができ、搬送ローラー９１ａの周面における温度差を抑制し、搬送ローラー９１ａと接触する基板１０１内の温度差も抑制することができる。   Further, in the (second) transport process of the film formation substrate manufacturing method, since the transport roller 91a is rotated 360 degrees and then rotated 360 degrees in the reverse direction, the transport roller 91a is rotated one rotation at a time. The substrate 101 can be reciprocated while repeating the rotation and reverse rotation, the temperature difference in the peripheral surface of the transport roller 91a can be suppressed, and the temperature difference in the substrate 101 in contact with the transport roller 91a can also be suppressed. .

以上、本発明をその実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では、バッファチャンバー１２２内に設置された搬送ローラー９１ａの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板１０１を往復動させているが、その他のチャンバー内に設置された搬送ローラー９１ａの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板１０１を往復させてもよい。例えばロードロックチャンバー１２１内において、基板加熱中に基板１０１を往復動させてもよい。   As mentioned above, although this invention was concretely demonstrated based on the embodiment, this invention is not limited to the said embodiment. In the above embodiment, the substrate 101 is reciprocated by switching the rotation of the transport roller 91a installed in the buffer chamber 122 between forward rotation and reverse rotation, but the transport roller 91a installed in other chambers. The substrate 101 may be reciprocated by switching the rotation between forward rotation and reverse rotation. For example, the substrate 101 may be reciprocated while heating the substrate in the load lock chamber 121.

また、上記実施形態では、バッファチャンバー１２４内に設置された搬送ローラー９１ａの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板１０１を往復動させているが、その他のチャンバー内に設置された搬送ローラー９１ａの回転を正回転と逆回転とで切り替えることで、基板１０１を往復させてもよい。   In the above embodiment, the substrate 101 is reciprocated by switching the rotation of the transport roller 91a installed in the buffer chamber 124 between the forward rotation and the reverse rotation, but the transport installed in the other chambers. The substrate 101 may be reciprocated by switching the rotation of the roller 91a between forward rotation and reverse rotation.

また、上記実施形態では、ヒーター９２には基板１０１の幅方向Ｘに延在するランプヒーターを用いて、加熱しているが、その他の加熱手段（例えばカーボンヒーター）を用いて、基板１０１を加熱してもよい。また、ヒーター９２の延在する方向は、基板１０１の幅方向Ｘに限定されず、搬送方向Ｙに延在するヒーターを用いて、基板１０１を加熱してもよい。また、基板１０１の下面を加熱する構成でもよい。   In the above embodiment, the heater 92 is heated by using a lamp heater extending in the width direction X of the substrate 101. However, the substrate 101 is heated by using other heating means (for example, a carbon heater). May be. The direction in which the heater 92 extends is not limited to the width direction X of the substrate 101, and the substrate 101 may be heated using a heater that extends in the transport direction Y. Alternatively, the lower surface of the substrate 101 may be heated.

また、上記実施形態では、冷却板９３を用いて、基板１０１を冷却しているが、その他の冷却手段を用いて、基板１０１を冷却してもよい。また、基板１０１の下面を冷却する構成でもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the board | substrate 101 is cooled using the cooling plate 93, you may cool the board | substrate 101 using another cooling means. In addition, the lower surface of the substrate 101 may be cooled.

また、上記実施形態では、基板加熱時において、ヒーター９２の配置間隔Ｐの略６０％〜略１００％の距離分、基板１０１を往復動させているが、基板１０１が往復動する距離は、間隔Ｐの６０％以下でもよく、間隔Ｐ以上でもよい。   Further, in the above embodiment, when the substrate is heated, the substrate 101 is reciprocated by a distance of about 60% to about 100% of the arrangement interval P of the heaters 92. It may be 60% or less of P, and may be more than P.

また、上記実施形態では、基板冷却時において、搬送ローラー９１ａを３６０度分、回転させた後、逆方向に３６０度分、回転させているが、搬送ローラー９１ａの回転角度は３６０度に限定されず、１回転未満の回転角度で、基板１０１を往復動させてもよく、１回転よりも大きい回転角度で、基板１０１を往復動させてもよい。   In the above embodiment, when the substrate is cooled, the transport roller 91a is rotated 360 degrees and then rotated 360 degrees in the reverse direction. However, the rotation angle of the transport roller 91a is limited to 360 degrees. Instead, the substrate 101 may be reciprocated at a rotation angle of less than one rotation, or the substrate 101 may be reciprocated at a rotation angle greater than one rotation.

また、成膜チャンバー及び成膜工程における成膜法は、スパッタリング法に限定されず、その他の成膜法（例えばイオンプレーティング法など）を適用してもよい。   Further, the film formation method in the film formation chamber and the film formation process is not limited to the sputtering method, and other film formation methods (for example, an ion plating method) may be applied.

また、加熱時または冷却時のみにおいて、基板１０１を往復動させる構成でもよい。   Alternatively, the substrate 101 may be reciprocated only during heating or cooling.

２０…基板搬送制御ユニット、９１ａ…搬送ローラー、９２…ヒーター（加熱手段）、９３…冷却板（冷却手段）、１００…成膜装置、１０１…基板、１２１，１２５…ロードロックチャンバー、１２２，１２４…バッファチャンバー、１２３…成膜チャンバー。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... Substrate conveyance control unit, 91a ... Conveyance roller, 92 ... Heater (heating means), 93 ... Cooling plate (cooling means), 100 ... Deposition device, 101 ... Substrate, 121, 125 ... Load lock chamber, 122, 124 ... buffer chamber, 123 ... deposition chamber.

Claims (12)

基板に成膜材料を成膜する成膜装置であって、
前記基板が導入されるチャンバーと、
前記チャンバー内で前記基板を加熱する加熱手段と、
前記チャンバー内に設置され前記基板と接触して前記基板を搬送する回転自在の搬送ローラーと、
前記搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、前記加熱手段による加熱中に前記基板を往復動させる制御手段と、を備えることを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate,
A chamber into which the substrate is introduced;
Heating means for heating the substrate in the chamber;
A rotatable transport roller installed in the chamber to transport the substrate in contact with the substrate;
And a control unit that switches the rotation of the transport roller between forward rotation and reverse rotation, and reciprocates the substrate during heating by the heating unit. 前記加熱手段は、前記基板の搬送方向と交差する方向に延在し、前記搬送方向に所定の間隔を空けて配置された複数のヒーターを有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。   2. The film formation according to claim 1, wherein the heating unit includes a plurality of heaters that extend in a direction intersecting a transport direction of the substrate and are arranged at a predetermined interval in the transport direction. apparatus. 前記制御手段は、前記ヒーターの配置間隔の略６０％〜略１００％の距離分、前記基板を往復動させることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 2, wherein the control unit reciprocates the substrate by a distance of approximately 60% to approximately 100% of the arrangement interval of the heaters. 基板に成膜材料を成膜する成膜装置であって、
前記基板を冷却する冷却手段と、
前記基板と接触して前記基板を搬送する回転自在の搬送ローラーと、
前記搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、前記冷却手段による冷却中に前記基板を往復動させる制御手段と、を備えることを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate,
Cooling means for cooling the substrate;
A rotatable transport roller for transporting the substrate in contact with the substrate;
And a control unit that switches the rotation of the transport roller between forward rotation and reverse rotation, and reciprocates the substrate during cooling by the cooling unit. 前記制御手段は、前記搬送ローラーを略３６０度分、回転させた後、逆方向に略３６０度分、回転させることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 4, wherein the control unit rotates the transport roller by approximately 360 degrees and then rotates the transport roller by approximately 360 degrees in the reverse direction. 基板に成膜材料を成膜する成膜装置であって、
前記基板が導入されるチャンバーと、
前記チャンバー内で前記基板を加熱する加熱手段と、
前記チャンバー内に設置され前記基板と接触して前記基板を搬送する回転自在の第１の搬送ローラーと、
前記第１の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、前記加熱手段による加熱中に前記基板を往復動させる加熱搬送制御手段と、
前記基板を冷却する冷却手段と、
前記基板と接触して前記基板を搬送する回転自在の第２の搬送ローラーと、
前記第２の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、前記冷却手段による冷却中に前記基板を往復動させる冷却搬送制御手段と、を備えること特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate,
A chamber into which the substrate is introduced;
Heating means for heating the substrate in the chamber;
A rotatable first transport roller installed in the chamber and transporting the substrate in contact with the substrate;
A heating and conveying control means for switching the rotation of the first conveying roller between forward rotation and reverse rotation and reciprocating the substrate during heating by the heating means;
Cooling means for cooling the substrate;
A rotatable second transport roller for transporting the substrate in contact with the substrate;
A film forming apparatus comprising: a cooling and conveying control unit that switches the rotation of the second conveying roller between a normal rotation and a reverse rotation and reciprocates the substrate during cooling by the cooling unit. 基板上に成膜材料が成膜された成膜基板を製造する方法であって、
前記基板が導入されたチャンバー内で前記基板を加熱する加熱工程と、
前記チャンバー内に設置され前記基板と接触する回転自在の搬送ローラーを用いて前記基板を搬送する搬送工程と、を備え、
前記搬送工程では、前記加熱工程による加熱中に、前記搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、前記基板を往復動させることを特徴とする成膜基板製造方法。 A method of manufacturing a film formation substrate in which a film formation material is formed on a substrate,
A heating step of heating the substrate in a chamber into which the substrate is introduced;
A transfer step of transferring the substrate using a rotatable transfer roller installed in the chamber and in contact with the substrate;
In the carrying step, during the heating in the heating step, the rotation of the carrying roller is switched between forward rotation and reverse rotation, and the substrate is reciprocated. 前記加熱工程では、前記基板の搬送方向と交差する方向に延在し、前記搬送方向に所定の間隔を空けて配置された複数のヒーターを用いて、前記基板を加熱することを特徴とする請求項７に記載の成膜基板製造方法。   The heating step includes heating the substrate by using a plurality of heaters that extend in a direction intersecting with the transport direction of the substrate and are arranged at predetermined intervals in the transport direction. Item 8. The method for producing a film formation substrate according to Item 7. 前記搬送工程では、前記ヒーターの配置間隔の略６０〜略１００％の距離分、前記基板を往復動させることを特徴とする請求項８に記載の成膜基板製造方法。   9. The method of manufacturing a film-formed substrate according to claim 8, wherein, in the transporting step, the substrate is reciprocated by a distance of about 60 to about 100% of the arrangement interval of the heaters. 基板上に成膜材料が成膜された成膜基板を製造する方法であって、
前記基板を冷却する冷却工程と、
前記基板と接触する回転自在の搬送ローラーを用いて前記基板を搬送する搬送工程と、を備え、
前記搬送工程では、前記冷却工程による冷却中に、前記搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、前記基板を往復動させることを特徴とする成膜基板製造方法。 A method of manufacturing a film formation substrate in which a film formation material is formed on a substrate,
A cooling step for cooling the substrate;
A transport step of transporting the substrate using a rotatable transport roller in contact with the substrate,
In the transporting process, during the cooling in the cooling process, the transport roller is switched between forward rotation and reverse rotation to reciprocate the substrate. 前記搬送工程では、前記搬送ローラーを略３６０度分、回転させた後、逆方向に略３６０度分、回転させることを特徴とする請求項１０に記載の成膜基板製造方法。   The film forming substrate manufacturing method according to claim 10, wherein, in the transporting step, the transport roller is rotated by approximately 360 degrees and then rotated in the reverse direction by approximately 360 degrees. 基板上に成膜材料が成膜された成膜基板を製造する方法であって、
前記基板が導入されたチャンバー内で前記基板を加熱する加熱工程と、
前記チャンバー内に設置され前記基板と接触する回転自在の第１の搬送ローラーを用いて前記基板を搬送する第１の搬送工程と、
前記基板を冷却する冷却工程と、
前記基板と接触する回転自在の第２の搬送ローラーを用いて前記基板を搬送する第２の搬送工程と、を備え、
前記第１の搬送工程では、前記加熱工程による加熱中に、前記第１の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、前記基板を往復動させ、
前記第２の搬送工程では、前記冷却工程による冷却中に、前記第２の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、前記基板を往復動させることを特徴とする成膜基板製造方法。 A method of manufacturing a film formation substrate in which a film formation material is formed on a substrate,
A heating step of heating the substrate in a chamber into which the substrate is introduced;
A first transport step of transporting the substrate using a rotatable first transport roller installed in the chamber and in contact with the substrate;
A cooling step for cooling the substrate;
A second transport step of transporting the substrate using a rotatable second transport roller in contact with the substrate,
In the first transport step, during the heating by the heating step, the rotation of the first transport roller is switched between forward rotation and reverse rotation, and the substrate is reciprocated.
In the second transfer step, during the cooling by the cooling step, the rotation of the second transfer roller is switched between the normal rotation and the reverse rotation, and the substrate is reciprocated. Method.
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