JP2008101254A - Vapor deposition apparatus and vapor deposition method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板上に蒸着を行う蒸着装置及び蒸着方法に関する。 The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method for performing vapor deposition on a substrate.
蒸着窓を有する蒸着マスク上にガラス基板を載置し、蒸着マスクの蒸着窓を通して、蒸着材料の蒸気をガラス基板に付着して、ガラス基板上に成膜を行う方法が知られている(特許文献1)。 A method is known in which a glass substrate is placed on a vapor deposition mask having a vapor deposition window, vapor of a vapor deposition material is attached to the glass substrate through the vapor deposition window of the vapor deposition mask, and a film is formed on the glass substrate (patent). Reference 1).
図7、図8に、従来の蒸着装置として、インライン式の真空蒸着装置を示して、その構成を説明する。
なお、図7(a)は、従来のインライン式の真空蒸着装置の一部を示す概略側面図であり、図7(b)は、従来のインライン式の真空蒸着装置で用いられる蒸着マスクの平面図であり、図7(c)は、蒸着マスクの断面図(図7(b)のC−C’線矢視断面図)である。又、図8(a)は、従来のインライン式の真空蒸着装置で用いられる蒸着源の斜視図であり、図8(b)は、蒸着源からの輻射熱により加熱されるガラス基板の温度プロファイルを説明する図である。
FIG. 7 and FIG. 8 show an in-line vacuum vapor deposition apparatus as a conventional vapor deposition apparatus, and the configuration thereof will be described.
FIG. 7A is a schematic side view showing a part of a conventional in-line type vacuum deposition apparatus, and FIG. 7B is a plan view of a deposition mask used in the conventional in-line type vacuum deposition apparatus. FIG. 7C is a cross-sectional view of the vapor deposition mask (a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 7B). FIG. 8A is a perspective view of a vapor deposition source used in a conventional in-line type vacuum vapor deposition apparatus, and FIG. 8B shows a temperature profile of a glass substrate heated by radiant heat from the vapor deposition source. It is a figure explaining.
図7(a)に示すように、従来のインライン式の真空蒸着装置は、複数の成膜チャンバ51、52が一直線上に配置されて構成されるものである。成膜チャンバ51、52の内部には、各々搬送ベルト53が設けられており、ガラス基板54が蒸着マスクを支持するホルダ60上に載置されて、搬送ベルト53により矢印方向へ順次搬送される構成である。又、成膜チャンバ51、52には、各々真空ポンプ、ガス供給系(図示省略)が設けられ、内部を所望の雰囲気、圧力に制御可能な構成である。
As shown in FIG. 7A, a conventional in-line vacuum deposition apparatus is configured by arranging a plurality of
又、成膜チャンバ51、52の下方側には、搬送ベルト53に搬送されるガラス基板54の蒸着面に対向して、ガラス基板54を下方から臨む蒸着源55、56が設けられている。蒸着源55、56の上方には、ガラス基板54の搬送方向に垂直な方向に長い開口部57が設けられており(後述の図8参照)、この開口部57から蒸着材料の蒸気をガラス基板54へ供給し、ホルダ60の蒸着マスクを通してガラス基板54に所望の成膜を行う構成である。従って、搬送ベルト53によりとホルダ60共にガラス基板54を矢印方向へ順次搬送しながら、各々の成膜チャンバ51、52において、所望の雰囲気、圧力下で、所望の成膜することが可能である。
Further, on the lower side of the
又、図7(b)、(c)に示すように、ホルダ60は、互いに格子状に交差して配置された複数の横格子部材60a及び縦格子部材60bと、4辺に配置されて、内側に横格子部材60a及び縦格子部材60bを支持すると共にL字断面形状を有する横枠部材60c及び縦枠部材60dとから構成されている。ガラス基板54は、L字断面形状の横枠部材60c及び縦枠部材60dの内側に載置されており、横格子部材60a、縦格子部材60b、横枠部材60c、縦枠部材60dによって形成される窓部分の蒸着マスクを通して、ガラス基板54に蒸着材料の蒸気を付着させて、所望の成膜を行う構成である。
Also, as shown in FIGS. 7B and 7C, the
又、図8(a)に示すように、蒸着源55、56は、その内部の下方側がるつぼ部分となっており、そのるつぼ部分に蒸着材料が収容されて、蒸着材料の蒸気が生成される構成である。生成された蒸気は、蒸着源55、56の上方に形成された開口部57からガラス基板54側へ供給される。この開口部57は、ガラス基板54の搬送方向の長さが短い短辺部57aと、ガラス基板54の搬送方向に垂直な方向の長さが長い長辺部57bとからなる矩形状となっており、図8(b)にも示すように、ガラス基板54から所定距離h離れて、ガラス基板54に平行に配置されている。上記構成により、ガラス基板54を搬送させながら、ガラス基板54の搬送方向に垂直な方向に均一に蒸気を供給して、均一な成膜が行えるようにしている。
Further, as shown in FIG. 8A, the
蒸着源55、56は、ガラス基板54の搬送方向に垂直な方向に均一に蒸気を供給して、均一な成膜が行えるように、図8(b)に示したように、蒸着源55、56の開口部57が、ガラス基板54から所定距離h離れた位置に配置されている。しかしながら、このような構成において、蒸着源55、56からガラス基板54への輻射熱による熱流束は、ガラス基板54の搬送方向に垂直な方向に均一ではないため、図8(b)に示すように、ガラス基板54の中央部で基板温度が高く、ガラス基板54の端部で基板温度が低くなり、ガラス基板54の面内で温度差ΔTbを生じさせていた。従来は、ガラス基板54の大きさが大きくなく、温度差ΔTbも大きなものではなかったが、ガラス基板54のサイズが大きくなってきている近年においては、その温度差ΔTbも益々大きくなり、その温度差による熱変形、熱応力が無視できない状況となっている。
As shown in FIG. 8B, the
更に、上記成膜においては、蒸着マスクを支持するホルダや蒸着マスク自身の陰になる部分のガラス基板の温度も低くなるため、ホルダや蒸着マスクによっても、ガラス基板の面内に温度差を生じさせることになり、その結果、ガラス基板の熱変形、熱応力を大きくさせていた。例えば、図9(a)に示すように、ガラス基板の面内温度分布は、ガラス基板の中央部が高く、周辺部が低いという傾向があるが、ホルダや蒸着マスクの陰になる部分(図9(a)中の格子形状の部分)は更に温度が低くなっていた。又、図9(b)に示すように、ガラス基板の面内温度分布に応じて、ガラス基板の中央部が鉛直下方へ下がり、周辺部が鉛直上方へ上がるという熱変形を生じていた。そして、ガラス基板の面内温度差が大きくなると、その熱変形、熱応力も大きくなり、熱応力が甚だしい場合には、ガラス基板の割れ(クラック等)や破損が生じるという問題が生じていた。 In addition, in the above film formation, the temperature of the glass substrate in the area behind the holder that supports the vapor deposition mask and the vapor deposition mask itself is also lowered. As a result, the thermal deformation and thermal stress of the glass substrate were increased. For example, as shown in FIG. 9A, the in-plane temperature distribution of the glass substrate tends to be high in the central portion and low in the peripheral portion of the glass substrate. The temperature of the lattice-shaped portion in 9 (a) was even lower. Further, as shown in FIG. 9B, thermal deformation has occurred in which the central portion of the glass substrate falls vertically downward and the peripheral portion rises vertically upward according to the in-plane temperature distribution of the glass substrate. When the in-plane temperature difference of the glass substrate is increased, the thermal deformation and thermal stress are also increased. When the thermal stress is excessive, there is a problem that the glass substrate is cracked (cracked) or broken.
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、ガラス基板面内の温度差を小さくして、ガラス基板の割れや破損を防止する蒸着装置及び蒸着方法を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of the said subject, and it aims at providing the vapor deposition apparatus and the vapor deposition method which make the temperature difference in a glass substrate surface small, and prevent a glass substrate from a crack and breakage.
上記課題を解決する第1の発明に係る蒸着装置は、
ガラス基板の蒸着面をマスクするマスク部材を保持すると共に前記ガラス基板の周辺部を載置する枠部材を有する保持部材と、
前記ガラス基板が載置された前記保持部材を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段に搬送される前記ガラス基板の蒸着面に対向して設けられ、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に長い開口部から蒸着材料の蒸気を前記ガラス基板へ供給する蒸着源、又は、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に列状に並べた複数のるつぼの短い開口部から蒸着材料の蒸気を前記ガラス基板へ供給する蒸着源とを備え、
前記ガラス基板を搬送しながら、前記マスク部材を通して前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う蒸着装置において、
前記ガラス基板を挟んだ前記蒸着源の反対側であり、前記蒸着源の両側端部に対向する位置に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱する2組の第1加熱手段を設け、
前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記両側端部を、前記第1加熱手段により加熱するようにしたことを特徴とする。
The vapor deposition apparatus according to the first invention for solving the above-described problems is as follows.
A holding member having a frame member for holding the mask member for masking the vapor deposition surface of the glass substrate and mounting the peripheral portion of the glass substrate;
Conveying means for conveying the holding member on which the glass substrate is placed;
A vapor deposition source that is provided facing the vapor deposition surface of the glass substrate conveyed to the conveying means and supplies vapor of the vapor deposition material to the glass substrate from an opening that is long in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate; or A vapor deposition source for supplying vapor of vapor deposition material to the glass substrate from short openings of a plurality of crucibles arranged in a row in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate,
In the vapor deposition apparatus for performing vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate through the mask member while conveying the glass substrate,
Two sets of first sets that heat opposite side ends in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate at positions opposite to both side ends of the vapor deposition source on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate. Heating means,
When vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, the both end portions on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are heated by the first heating means.
上記課題を解決する第2の発明に係る蒸着装置は、
上記第1の発明に記載の蒸着装置において、
前記第1加熱手段は、複数に分割されて、分割部分が各々独立して前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に移動可能なものであり、
前記第1加熱手段と前記蒸着源との間に前記ガラス基板が存在しないときには、前記蒸着源の蒸着領域から前記第1加熱手段の各分割部分を逐次退避させるようにしたことを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to the second invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the first invention,
The first heating means is divided into a plurality of parts, and each of the divided parts is independently movable in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate,
When the glass substrate does not exist between the first heating unit and the vapor deposition source, each divided portion of the first heating unit is sequentially retracted from the vapor deposition region of the vapor deposition source.
上記課題を解決する第3の発明に係る蒸着装置は、
上記第1又は第2の発明に記載の蒸着装置において、
更に、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に、前記ガラス基板の搬送方向の後端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第2加熱手段と、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第3加熱手段と、
前記ガラス基板の搬送方向の後端部を追尾して、該後端部と共に前記第2加熱手段を移動させると共に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部を追尾して、該前端部と共に前記第3加熱手段を移動させる移動手段とを設け、
前記移動手段は、前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の搬送と共に前記第2加熱手段、第3加熱手段を移動させて、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面の前記後端部、前記前端部を、前記第2加熱手段、前記第3加熱手段により加熱することを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to a third invention for solving the above-described problem is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the first or second invention,
Furthermore,
A second heating means of a length capable of heating all or most or part of the rear end portion in the transport direction of the glass substrate on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate;
Third heating means of a length capable of heating all or most or part of the front end portion in the transport direction of the glass substrate on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate;
Tracking the rear end of the glass substrate in the transport direction, moving the second heating means together with the rear end, tracking the front end of the glass substrate in the transport direction, and moving the second end together with the front end. 3 moving means for moving the heating means,
The moving means moves the second heating means and the third heating means together with the conveyance of the glass substrate when vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, so that the surface of the glass substrate opposite to the vapor deposition surface is moved. The rear end portion and the front end portion are heated by the second heating means and the third heating means.
上記課題を解決する第4の発明に係る蒸着装置は、
上記第3の発明に記載の蒸着装置において、
前記移動手段は、
前記第2加熱手段を、前記第1加熱手段の近傍までの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第1加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させると共に、
前記第3加熱手段を、前記第1加熱手段の近傍からの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第1加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させることを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to a fourth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the third invention,
The moving means is
Reciprocating the second heating means within a predetermined range up to the vicinity of the first heating means, or reciprocating within a predetermined range before and after the position of the first heating means,
The third heating unit is reciprocated within a predetermined range from the vicinity of the first heating unit, or is reciprocated within a predetermined range before and after the position of the first heating unit. And
上記課題を解決する第5の発明に係る蒸着装置は、
上記第4の発明に記載の蒸着装置において、
前記第2加熱手段、前記第3加熱手段は、前記ガラス基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、加熱を停止することを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to a fifth invention for solving the above-mentioned problem is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the fourth invention,
The second heating unit and the third heating unit stop heating when moving in the direction opposite to the conveying direction of the glass substrate.
上記課題を解決する第6の発明に係る蒸着装置は、
上記第1〜第5のいずれかの発明に記載の蒸着装置において、
前記保持部材の前記枠部材又は前記マスク部材に、前記ガラス基板の端部を前記蒸着源からの輻射熱に曝す開口部若しくは切欠部を設けたことを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to a sixth invention for solving the above-described problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to any one of the first to fifth inventions,
The frame member or the mask member of the holding member is provided with an opening or a notch for exposing an end of the glass substrate to radiant heat from the vapor deposition source.
上記課題を解決する第7の発明に係る蒸着装置は、
上記第1〜第6のいずれかの発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源の両側端部の温度を、前記蒸着源の他の部分より高くしたことを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to a seventh invention for solving the above-described problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to any one of the first to sixth inventions,
The temperature at both end portions of the vapor deposition source is higher than the other portions of the vapor deposition source.
上記課題を解決する第8の発明に係る蒸着装置は、
上記第1〜第6のいずれかの発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源の両側端部の近傍に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱する2つの第4加熱手段を設けたことを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to an eighth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to any one of the first to sixth inventions,
Two fourth heating means for heating both side end portions in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate are provided in the vicinity of both side end portions of the vapor deposition source.
上記課題を解決する第9の発明に係る蒸着装置は、
上記第1〜第6のいずれかの発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源の両側端部における前記ガラス基板への輻射熱が発生する面積を、前記蒸着源の他の部分より大きくしたことを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to a ninth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to any one of the first to sixth inventions,
An area where radiant heat to the glass substrate is generated at both end portions of the vapor deposition source is made larger than other portions of the vapor deposition source.
上記課題を解決する第10の発明に係る蒸着装置は、
上記第9の発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to a tenth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the ninth aspect,
The vapor deposition source is characterized in that the area at which radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in the transport direction of the glass substrate.
上記課題を解決する第11の発明に係る蒸着装置は、
上記第9の発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部の開口面積を他の部分より大きくすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする。
An evaporation apparatus according to an eleventh invention for solving the above-described problem is
In the vapor deposition apparatus according to the ninth aspect,
The vapor deposition source is characterized in that an area in which radiant heat is generated is increased by making an opening area of both end portions of the vapor deposition source larger than that of other portions.
上記課題を解決する第12の発明に係る蒸着装置は、
上記第9の発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする。
A vapor deposition apparatus according to a twelfth invention for solving the above-mentioned problems is
In the vapor deposition apparatus according to the ninth aspect,
The vapor deposition source is characterized in that the area at which the radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate.
上記課題を解決する第13の発明に係る蒸着方法は、
ガラス基板の蒸着面をマスクするマスク部材を保持すると共に前記ガラス基板の周辺部を載置する枠部材を有する保持部材に、前記ガラス基板を載置し、
前記ガラス基板が載置された前記保持部材を搬送手段により搬送し、
前記搬送手段に搬送される前記ガラス基板の蒸着面に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に長い開口部から、又は、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に列状に並べた複数の短い開口部から蒸着源の蒸着材料の蒸気を供給し、
前記ガラス基板を搬送しながら、前記マスク部材を通して前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う蒸着方法において、
前記ガラス基板を挟んだ前記蒸着源の反対側であり、前記蒸着源の両側端部に対向する位置に設けた2組の第1加熱手段を用いて、前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱することを特徴とする。
A vapor deposition method according to a thirteenth invention for solving the above-mentioned problems is
Holding the mask member that masks the vapor deposition surface of the glass substrate and placing the glass substrate on a holding member having a frame member for placing the peripheral portion of the glass substrate;
The holding member on which the glass substrate is placed is conveyed by a conveying means,
Plural arranged in a row on the vapor deposition surface of the glass substrate conveyed to the conveying means from an opening long in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate or in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate Supply vapor of the vapor deposition material of the vapor deposition source through a short opening of
In the vapor deposition method of performing vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate through the mask member while conveying the glass substrate,
Vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate by using two sets of first heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and facing the both side ends of the vapor deposition source. In this case, both end portions in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are heated.
上記課題を解決する第14の発明に係る蒸着方法は、
上記第13の発明に記載の蒸着方法において、
前記第1加熱手段として、複数に分割されて、分割部分が各々独立して前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に移動可能なものを用いて、
前記第1加熱手段と前記蒸着源との間に前記ガラス基板が存在しないときには、前記蒸着源の蒸着領域から前記第1加熱手段の各分割部分を逐次退避させることを特徴とする。
A vapor deposition method according to a fourteenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the thirteenth invention,
The first heating means is divided into a plurality of parts, and each of the divided parts is independently movable in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate,
When the glass substrate is not present between the first heating unit and the vapor deposition source, each divided portion of the first heating unit is sequentially retracted from the vapor deposition region of the vapor deposition source.
上記課題を解決する第15の発明に係る蒸着方法は、
上記第13又は第14の発明に記載の蒸着方法において、
更に、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に設けた、前記ガラス基板の搬送方向の後端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第2加熱手段と、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に設けた、前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第3加熱手段と、
前記ガラス基板の搬送方向の後端部を追尾して、該後端部と共に前記第2加熱手段を移動させると共に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部を追尾して、該前端部と共に前記第3加熱手段を移動させる移動手段とを用いて、
前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て及び後端部の全てを、前記ガラス基板を搬送させながら加熱することを特徴とする。
A vapor deposition method according to a fifteenth aspect of the present invention for solving the above-described problem is
In the vapor deposition method according to the thirteenth or fourteenth aspect,
Furthermore,
A second heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and having a length capable of heating all or most or part of the rear end portion in the transport direction of the glass substrate;
A third heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and having a length capable of heating all or most or part of the front end in the transport direction of the glass substrate;
Tracking the rear end of the glass substrate in the transport direction, moving the second heating means together with the rear end, tracking the front end of the glass substrate in the transport direction, and moving the second end together with the front end. 3 Using the moving means for moving the heating means,
When vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, all the front end portion and all the rear end portions in the conveyance direction of the glass substrate on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are conveyed with the glass substrate. It is characterized by heating.
上記課題を解決する第16の発明に係る蒸着方法は、
上記第15の発明に記載の蒸着方法において、
前記第2加熱手段を、前記第1加熱手段の近傍までの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第1加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させると共に、
前記第3加熱手段を、前記第1加熱手段の近傍からの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第1加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させることを特徴とする。
A vapor deposition method according to a sixteenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the fifteenth aspect,
Reciprocating the second heating means within a predetermined range up to the vicinity of the first heating means, or reciprocating within a predetermined range before and after the position of the first heating means,
The third heating unit is reciprocated within a predetermined range from the vicinity of the first heating unit, or is reciprocated within a predetermined range before and after the position of the first heating unit. And
上記課題を解決する第17の発明に係る蒸着方法は、
上記第16の発明に記載の蒸着方法において、
前記第2加熱手段、前記第3加熱手段が前記ガラス基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、前記第2加熱手段、前記第3加熱手段による加熱を停止することを特徴とする。
The vapor deposition method according to the seventeenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the sixteenth aspect,
When the second heating unit and the third heating unit move in the direction opposite to the conveyance direction of the glass substrate, heating by the second heating unit and the third heating unit is stopped. .
上記課題を解決する第18の発明に係る蒸着方法は、
上記第13〜第17のいずれかの発明に記載の蒸着方法において、
前記保持部材の前記枠部材又は前記マスク部材に設けた開口部若しくは切欠部を用いて、前記ガラス基板の端部を前記蒸着源からの輻射熱に曝すことを特徴とする。
A vapor deposition method according to an eighteenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to any one of the thirteenth to seventeenth inventions,
The end of the glass substrate is exposed to radiant heat from the vapor deposition source using an opening or a notch provided in the frame member or the mask member of the holding member.
上記課題を解決する第19の発明に係る蒸着方法は、
上記第13〜第18のいずれかの発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部の温度を、前記蒸着源の他の部分より高くすることを特徴とする。
A vapor deposition method according to a nineteenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to any one of the thirteenth to eighteenth inventions,
The temperature at both end portions of the vapor deposition source is set higher than other portions of the vapor deposition source.
上記課題を解決する第20の発明に係る蒸着方法は、
上記第13〜第18のいずれかの発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部の近傍に設けた2つの第4加熱手段を用いて、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱することを特徴とする。
A vapor deposition method according to a twentieth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition method according to any one of the thirteenth to eighteenth inventions,
Two end portions in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate are heated using two fourth heating means provided in the vicinity of both end portions of the vapor deposition source.
上記課題を解決する第21の発明に係る蒸着方法は、
上記第13〜第18のいずれかの発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部における前記ガラス基板への輻射熱が発生する面積を、前記蒸着源の他の部分より大きくすることを特徴とする。
A vapor deposition method according to a twenty-first aspect of the present invention for solving the above problem is as follows:
In the vapor deposition method according to any one of the thirteenth to eighteenth inventions,
An area where radiant heat to the glass substrate is generated at both end portions of the vapor deposition source is made larger than other portions of the vapor deposition source.
上記課題を解決する第22の発明に係る蒸着方法は、
上記第21の発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする。
A vapor deposition method according to a twenty-second aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the twenty-first invention,
An area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in the conveying direction of the glass substrate.
上記課題を解決する第23の発明に係る蒸着方法は、
上記第21の発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部の開口面積を他の部分より大きくすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする。
A vapor deposition method according to a twenty-third aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the twenty-first invention,
It is characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by making an opening area of both end portions of the vapor deposition source larger than other portions.
上記課題を解決する第24の発明に係る蒸着方法は、
上記第21の発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする。
A vapor deposition method according to a twenty-fourth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the twenty-first invention,
An area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate.
第1、第13の発明によれば、蒸着源からの輻射熱が保持部材により遮断されるガラス基板の両側端部を、2つの第1加熱手段によりガラス基板の蒸着面の反対側から加熱するので、蒸着の際に蒸着源に曝されるガラス基板の温度を均一にして、その温度差を小さくすることができ、その結果、熱応力を低減させて、ガラス基板の割れや破損を防止することができる。又、割れや破損により使用できなくなるガラス基板の面積も低減されて、ガラス基板の面積を有効に使用することができる。 According to the first and thirteenth inventions, both end portions of the glass substrate where the radiant heat from the vapor deposition source is blocked by the holding member are heated from the opposite side of the vapor deposition surface of the glass substrate by the two first heating means. The temperature of the glass substrate exposed to the vapor deposition source during vapor deposition can be made uniform, and the temperature difference can be reduced, thereby reducing the thermal stress and preventing the glass substrate from cracking or breaking. Can do. Further, the area of the glass substrate that cannot be used due to cracking or breakage is reduced, and the area of the glass substrate can be used effectively.
第2、第14の発明によれば、第1加熱手段と蒸着源との間にガラス基板が存在しないときには、つまり、搬送されるガラス基板同士の隙間部分が蒸着源の上方にきたときには、蒸着源の蒸着領域から第1加熱手段を分割して退避させるので、第1加熱手段に蒸着材料が付着することはなく、加熱性やメンテナンス性に悪影響を与えることはない。 According to the second and fourteenth inventions, when there is no glass substrate between the first heating means and the vapor deposition source, that is, when the gap between the glass substrates being conveyed comes above the vapor deposition source, vapor deposition is performed. Since the first heating means is divided and retracted from the vapor deposition region of the source, the vapor deposition material does not adhere to the first heating means, and the heatability and maintenance performance are not adversely affected.
第3、第4、第15、第16の発明によれば、搬送されるガラス基板を追尾して、その前端部及び後端部を、第2加熱手段、第3加熱手段によりガラス基板の蒸着面の反対側から加熱するので、蒸着の際にガラス基板面内の温度を均一にして、ガラス基板面内の温度差を小さくすることができ、その結果、熱応力を低減させて、ガラス基板の割れや破損を防止することができる。 According to the third, fourth, fifteenth and sixteenth inventions, the glass substrate to be transported is tracked, and the front and rear end portions thereof are vapor-deposited by the second heating means and the third heating means. Since heating is performed from the opposite side of the surface, the temperature in the glass substrate surface can be made uniform during vapor deposition, and the temperature difference in the glass substrate surface can be reduced. As a result, the thermal stress is reduced and the glass substrate is reduced. Can be prevented from cracking or breaking.
第5、第17の発明によれば、第2加熱手段、第3加熱手段を基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、つまり、第2加熱手段、第3加熱手段がガラス基板の後端部、前端部の上方にないときには、加熱を停止するので、ガラス基板の後端部、前端部以外を加熱することはなく、ガラス基板面内の温度の均一性に悪影響を与えることはない。 According to the fifth and seventeenth inventions, when the second heating means and the third heating means are moved in the direction opposite to the substrate transport direction, that is, the second heating means and the third heating means are glass substrates. When it is not above the rear end or front end of the glass, heating is stopped, so that the other than the rear end and front end of the glass substrate are not heated, and the temperature uniformity within the glass substrate surface is adversely affected. There is no.
第6、第18の発明によれば、保持部材側の端部に開口部若しくは切欠部を設け、ガラス基板の端部を蒸着源からの熱輻射に曝すので、蒸着の際にガラス基板面内の温度を均一にして、ガラス基板面内の温度差を小さくすることができ、その結果、熱応力を低減させて、ガラス基板の割れや破損を防止することができる。 According to the sixth and eighteenth inventions, the opening or notch is provided at the end on the holding member side, and the end of the glass substrate is exposed to heat radiation from the vapor deposition source. Thus, the temperature difference in the glass substrate surface can be reduced, and as a result, the thermal stress can be reduced and the glass substrate can be prevented from being broken or broken.
第7〜第12、第19〜第24の発明によれば、蒸着源の両側端部からの熱輻射を大きくして、温度の落ち込みやすいガラス基板の両側端部をより多く加熱するので、蒸着の際にガラス基板の温度を均一にして、ガラス基板の温度差を小さくすることができ、その結果、熱応力を低減させて、ガラス基板の割れや破損を防止することができる。 According to the seventh to twelfth and nineteenth to twenty-fourth inventions, the heat radiation from the both end portions of the vapor deposition source is increased and the both end portions of the glass substrate where the temperature is likely to drop is heated more. In this case, the temperature of the glass substrate can be made uniform, and the temperature difference between the glass substrates can be reduced. As a result, the thermal stress can be reduced and the glass substrate can be prevented from being broken or broken.
以下、図1〜図5を用いて本発明に係る蒸着装置の実施形態のいくつかを説明する。 Hereinafter, some of the embodiments of the vapor deposition apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.
図1は、本発明に係る蒸着装置の実施形態の一例を示す図であり、図1(a)は、その概略側面図であり、図1(b)は、その概略平面図である。 FIG. 1 is a view showing an example of an embodiment of a vapor deposition apparatus according to the present invention, FIG. 1 (a) is a schematic side view thereof, and FIG. 1 (b) is a schematic plan view thereof.
図1(a)、(b)に示すように、本実施例の蒸着装置は、インライン式の真空蒸着装置を構成するものであり、複数の成膜チャンバ1、2が一直線上に配置されて構成されるものである。成膜チャンバ1、2の内部には、各々搬送ベルト3(搬送手段)が設けられており、矩形状の平板のガラス基板4が、ガラス基板4の蒸着面をマスクする蒸着マスク(マスク部材)を保持するホルダ60(保持部材)上に載置されて、搬送ベルト3により矢印方向へ順次搬送される構成である。又、成膜チャンバ1、2には、各々真空ポンプ、ガス供給系(図示省略)が設けられており、内部を所望の雰囲気、圧力に制御可能な構成である。なお、ここでは、一部の成膜チャンバのみを例示しているが、ガラス基板4を搬入、搬出するロードロックチャンバ等も有するものである。又、製造する目的に合わせて、成膜チャンバを更に増やした構成としてもよい。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the vapor deposition apparatus of this embodiment constitutes an in-line type vacuum vapor deposition apparatus, and a plurality of
又、成膜チャンバ1、2の下方側には、搬送ベルト3に搬送されるガラス基板4の蒸着面に対向して、ガラス基板4を下方から臨む蒸着源55、56が設けられている。蒸着源55、56の上方には、ガラス基板4の搬送方向に垂直な方向に長い開口部57が設けられており、この開口部57から蒸着材料の蒸気をガラス基板4へ供給し、ホルダ60の蒸着マスクを通してガラス基板4に所望の成膜を行う構成である。つまり、本実施例の蒸着装置は、搬送ベルト3によりホルダ60と共にガラス基板4を矢印方向へ順次搬送しながら、各々の成膜チャンバ1、2において、所望の雰囲気、圧力下で、所望の成膜を行う構成である。なお、本実施例においては、図7(b)、(c)に示した従来の蒸着源55、56及びホルダ60を使用しており、蒸着源55、56及びホルダ60の構成については、その詳細な説明を省略する。又、本発明においては、長い1つの開口部57を有する蒸着源55、56を使用しているが、蒸着源55、56に替えて、短い開口部を有する小型のるつぼを列状に複数個並べた蒸着源も適用可能である。
Further, on the lower side of the
本実施例の蒸着装置において、成膜チャンバ1、2の上方側には、成膜チャンバ1、2毎に複数の加熱ヒータ7、8、9が設けられており、加熱ヒータ7、8、9により、特に基板温度の落ち込みが大きいガラス基板4の4辺の端部を加熱できるように構成されている。
In the vapor deposition apparatus of the present embodiment, a plurality of
具体的には、加熱ヒータ7(第1加熱手段)は、ガラス基板4の搬送方向に垂直な方向の両側の端部(以降、ガラス基板の両側端部と呼ぶ。)をガラス基板4の上方側から加熱できるように、ガラス基板4を挟んだ蒸着源55、56の反対側であり、蒸着源55、56の開口部57の両側端部に対向した位置に1組ずつ、計2組配置されて、固定されている。つまり、加熱ヒータ7は、ガラス基板4の蒸着面に蒸着を行う際、ホルダ60の裏面側から、蒸着源55、56の開口部57上に位置するガラス基板4の両側端部の一部分のみを加熱できるように配置されたものである。このように、加熱ヒータ7を用いることにより、ガラス基板4の両側端部の温度の落ち込みを防止することができる。なお、加熱ヒータ7としては、必要な部分のみ加熱可能なように、集光性のあるスポットヒータ等を用いている。
Specifically, the heater 7 (first heating means) has upper ends on both sides in the direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate 4 (hereinafter referred to as both side ends of the glass substrate) above the
又、加熱ヒータ8(第2加熱手段)は、ガラス基板4の搬送方向の後方側の端部(以降、ガラス基板の後端部と呼ぶ。)をガラス基板4の蒸着面の反対側の方から加熱できるように、ガラス基板4を挟んで、蒸着源55、56と反対側の方に配置されると共に、ガラス基板4の搬送と同期して同じ速度で移動可能に設けられている。又、この加熱ヒータ8は、ガラス基板4の搬送方向に垂直な方向(以降、ガラス基板の幅方向と呼ぶ。)に長く、ガラス基板4の後端部の幅方向全てを均一に加熱するものである。
Further, the heater 8 (second heating means) has an end on the rear side in the conveyance direction of the glass substrate 4 (hereinafter referred to as a rear end of the glass substrate) on the side opposite to the vapor deposition surface of the
又、加熱ヒータ9(第3加熱手段)は、ガラス基板4の搬送方向の前方側の端部(以降、ガラス基板の前端部と呼ぶ。)をガラス基板4の蒸着面の反対側の方から加熱できるように、ガラス基板4を挟んで、蒸着源55、56と反対側の方に配置されると共に、ガラス基板4の搬送と同期して同じ速度で移動可能に設けられている。又、この加熱ヒータ9は、ガラス基板4の幅方向に長く、ガラス基板4の前端部の幅方向全てを均一に加熱するものである。
Further, the heater 9 (third heating means) has an end portion on the front side in the conveying direction of the glass substrate 4 (hereinafter referred to as a front end portion of the glass substrate) from the opposite side of the vapor deposition surface of the
なお、加熱ヒータ8、9は、ガラス基板4の幅方向に長い線状の形状のものであるが、例えば、スポットヒータを複数一列に配置したもので代替してもよい。
The
上記加熱ヒータ8には、ガラス基板4の後端部を検知して追尾可能とする追尾センサ(図示せず)が設けられており、この追尾センサ及び移動装置(移動手段;図示せず)により、ガラス基板4の搬送に同期して加熱ヒータ8を移動させて、ガラス基板4を搬送しながら、その後端部を加熱可能としている。具体的な移動動作を説明すると、1つ前の成膜チャンバ(例えば、図1中の成膜チャンバ1)の加熱ヒータ7をガラス基板4の後端部が通過した後、加熱ヒータ8は、ガラス基板4の後端部の追尾を開始し、ガラス基板4の搬送に同期して移動する。そして、次の成膜チャンバ(例えば、図1中の成膜チャンバ2)の加熱ヒータ7の手前まで、ガラス基板4の搬送に同期して、ガラス基板4と共に移動していく。その後、次に搬送されてくるガラス基板4に対応するために、1つ前の成膜チャンバ(例えば、図1中の成膜チャンバ1)の加熱ヒータ7の近傍まで速やかに戻り、同様の移動動作で、次に搬送されてくるガラス基板4の追尾を開始する。つまり、加熱ヒータ8は、任意の蒸着装置の加熱ヒータ7の近傍から次の蒸着装置の加熱ヒータ7の近傍までの所定範囲内を往復運動する構成である。
The
上記加熱ヒータ9にも、同様に、ガラス基板4の前端部を検知して追尾可能とする追尾センサ(図示せず)が設けられており、この追尾センサ及び移動装置(移動手段;図示せず)により、ガラス基板4の搬送に同期して加熱ヒータ9を移動させて、ガラス基板4を搬送しながら、その前端部を加熱可能としている。具体的な移動動作を説明すると、成膜チャンバ(例えば、図1中の成膜チャンバ1)の加熱ヒータ7をガラス基板4の前端部が通過した後、加熱ヒータ9は、ガラス基板4の前端部の追尾を開始し、ガラス基板4の搬送に同期して移動する。そして、次の成膜チャンバ(例えば、図1中の成膜チャンバ2)の加熱ヒータ7の手前まで、ガラス基板4の搬送に同期して、ガラス基板4と共に移動していく。その後、次に搬送されてくるガラス基板4に対応するために、1つ前の成膜チャンバ(例えば、図1中の成膜チャンバ1)の加熱ヒータ7の近傍まで速やかに戻り、同様の移動動作で、次に搬送されてくるガラス基板4の追尾を開始する。つまり、加熱ヒータ9も、任意の蒸着装置の加熱ヒータ7の近傍から次の蒸着装置の加熱ヒータ7の近傍までの所定範囲内を往復運動する構成である。
Similarly, the
なお、上記追尾センサに替えて、加熱ヒータ7をガラス基板4の前端部及び後端部が通過したことを検知する位置センサ(例えば、リミットセンサ、リミットスイッチ等)を設け、位置センサでの検知により、ガラス基板4の搬送と加熱ヒータ8、9の移動を機械的に連動させて、ガラス基板4を搬送しながら、その前端部及び後端部を加熱するようにしてもよい。
Instead of the tracking sensor, a position sensor (for example, a limit sensor, a limit switch, etc.) for detecting that the front end portion and the rear end portion of the
このように、搬送方向に移動可能な加熱ヒータ8、9を用いることにより、ガラス基板4を搬送しながら、ガラス基板4の前端部及び後端部の温度の落ち込みも防止することができる。
As described above, by using the
従って、ガラス基板4の温度が落ち込む端部を、上記構成の加熱ヒータ7、8、9を用いて、ガラス基板4の蒸着面の反対側の方から局所的に加熱することにより、ガラス基板4の面内温度差を従来と比較して小さくすることができる。その結果、ガラス基板4の熱応力を低減して、ガラス基板4の割れを防止することができる。特に、本実施例のように、ホルダ60の陰になることにより、蒸発源5、6からの輻射熱が遮断されて、温度が落ち込みやすく、又、割れの起点にもなりうるガラス基板4の端部を局部的に加熱することにより、割れの発生を効率的に防止することが可能となる。
Therefore, the
なお、本実施例においては、加熱ヒータ7、8、9を全て備える構成例を示したが、成膜チャンバにおけるプロセス条件によっては、少なくとも加熱ヒータ7を有する構成であればよく、プロセス条件に応じて、加熱ヒータ8、9を追加すればよい。又、搬送ベルト3を備えず、ガラス基板4の位置を固定して蒸着を行う蒸着装置の場合には、位置が固定されたガラス基板4の4辺の端部に対応する位置に、ガラス基板4を挟んで、蒸着源と反対側の方に加熱ヒータを配置すればよい。
In the present embodiment, the configuration example including all the
又、本実施例では、ホルダとして従来のホルダ60を用い、蒸着源としては従来の蒸着源55、56を用いているが、後述する実施例2の蒸着マスク、後述する実施例3の蒸着源を用いることにより、より効果的にガラス基板4の端部での温度の落ち込みを低減することが可能である。
In this embodiment, the
(実施例1の変形例)
図6は、実施例1の蒸着装置の変形例を示す図であり、図6(a)は、その概略側面図であり、図6(b)は、その概略平面図である。
(Modification of Example 1)
FIG. 6 is a view showing a modification of the vapor deposition apparatus of Example 1, FIG. 6 (a) is a schematic side view thereof, and FIG. 6 (b) is a schematic plan view thereof.
図6(a)、(b)に示すように、本変形例の蒸着装置は、その基本的構成が図1に示す蒸着装置と同等のものである。従って、同等の構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。本変形例の蒸着装置は、図1に示す蒸着装置に設けた加熱ヒータ7、8、9に替わり、加熱ヒータ41、42、43を設けることにより、特に基板温度の落ち込みが大きいガラス基板4の4辺の端部を加熱できるように構成されている。
As shown in FIGS. 6A and 6B, the vapor deposition apparatus of the present modification has the same basic configuration as the vapor deposition apparatus shown in FIG. Accordingly, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. The vapor deposition apparatus of this modification is provided with the
具体的には、加熱ヒータ41(第1加熱手段)は、ガラス基板4の両側端部をガラス基板4の上方側から加熱できるように、ガラス基板4を挟んだ蒸着源55、56の反対側であり、蒸着源55、56の開口部57の両側端部に対向した位置に1組ずつ、計2組配置されている。つまり、加熱ヒータ41は、ガラス基板4の蒸着面に蒸着を行う際、ホルダ60の裏面側から、蒸着源55、56の開口部57上に位置するガラス基板4の両側端部の一部分のみを加熱できるように配置されたものである。このように、加熱ヒータ41を用いることにより、ガラス基板4の両側端部の温度の落ち込みを防止することができる。なお、加熱ヒータ41としては、必要な部分のみ加熱可能なように、集光性のあるスポットヒータ等を用いている。
Specifically, the heater 41 (first heating means) is opposite to the
更に、加熱ヒータ41は、ガラス基板4の搬送方向において2つ以上に分割されて(図6では、一例として3分割)、分割された部分が各々独立してガラス基板4の幅方向に移動可能に構成されている。図1に示す加熱ヒータ7のように、その位置が固定されたものは、順次搬送されるガラス基板4同士の間に形成される隙間を通って、蒸着源55、56からの蒸着材料が付着して、加熱ヒータ7の加熱性、メンテナンス性に影響を与える可能性がある。そこで、本変形例では、加熱ヒータ41を複数に分割すると共に、各々独立してガラス基板4の幅方向に移動可能とすることにより、ガラス基板4間の隙間部分が蒸着源55、56の開口部57を通過するときには、つまり、加熱ヒータ41と蒸着源55、56の間にガラス基板4が存在しないときには、蒸着領域となる開口部57の領域から退避するように、分割された加熱ヒータ41をガラス基板4の幅方向に逐次移動させて、蒸着源55、56からの蒸着材料の加熱ヒータ41への付着を防止している。なお、加熱ヒータ41は、複数に分割されるので、ガラス基板4の搬送方向に所定の長さを有することが望ましい。
Furthermore, the
又、加熱ヒータ42(第2加熱手段)は、ガラス基板4の後端部をガラス基板4の蒸着面の反対側の方から加熱できるように、ガラス基板4を挟んで、蒸着源55、56と反対側の方に配置されると共に、ガラス基板4の搬送と同期して同じ速度で移動可能に設けられている。又、この加熱ヒータ42は、ガラス基板4の幅方向に長いものであるが、ガラス基板4の両側端部に配置された加熱ヒータ41の間を通過できるように、ガラス基板4の後端部の幅方向の大部分又は一部を均一に加熱する長さに設定されている。
Further, the heater 42 (second heating means) is provided with
又、加熱ヒータ43(第3加熱手段)は、ガラス基板4の前端部をガラス基板4の蒸着面の反対側の方から加熱できるように、ガラス基板4を挟んで、蒸着源55、56と反対側の方に配置されると共に、ガラス基板4の搬送と同期して同じ速度で移動可能に設けられている。又、この加熱ヒータ43は、ガラス基板4の幅方向に長いものであるが、ガラス基板4の両側端部に配置された加熱ヒータ41の間を通過できるように、ガラス基板4の前端部の幅方向の大部分又は一部を均一に加熱する長さに設定されている。
In addition, the heater 43 (third heating means) has the
なお、加熱ヒータ42、43は、ガラス基板4の幅方向に長い線状の形状のものであるが、例えば、スポットヒータを複数一列に配置したもので代替してもよい。
In addition, although the
上記加熱ヒータ42には、ガラス基板4の後端部を検知して追尾可能とする追尾センサ(図示せず)が設けられており、この追尾センサ及び移動装置(移動手段;図示せず)により、ガラス基板4の搬送に同期して加熱ヒータ42を移動させて、ガラス基板4を搬送しながら、その後端部を加熱可能としている。具体的な移動動作を説明すると、ガラス基板4の後端部が、加熱ヒータ41や蒸着源55、56の開口部57から手前に所定の距離離れた追尾開始位置に接近してくると、加熱ヒータ42は、ガラス基板4の後端部の追尾を開始し、ガラス基板4の搬送に同期して移動する。そして、ガラス基板4の後端部と共に加熱ヒータ42が、蒸着源55、56の開口部57の上方を通過し、即ち、加熱ヒータ42が両側端部に配置された加熱ヒータ41の間を通過し、加熱ヒータ41や蒸着源55、56の開口部57から搬送方向に所定の距離離れた追尾終了位置まで、ガラス基板4の搬送に同期して、ガラス基板4と共に移動していく。その後、次に近接してくるガラス基板4の後端部に対応するために、追尾開始位置まで速やかに戻り、同様の移動動作で、次に近接してくるガラス基板4の後端部の追尾を開始する。つまり、加熱ヒータ42は、加熱ヒータ41、蒸着源55、56の開口部57の位置を中心に、その前後を直線的に(図6(a)の符号S参照)、又は、その周囲を楕円的に(図6(a)の符号O参照)、所定範囲内を往復運動する構成である。
The
上記加熱ヒータ43にも、同様に、ガラス基板4の前端部を検知して追尾可能とする追尾センサ(図示せず)が設けられており、この追尾センサ及び移動装置(移動手段;図示せず)により、ガラス基板4の搬送に同期して加熱ヒータ43を移動させて、ガラス基板4を搬送しながら、その前端部を加熱可能としている。具体的な移動動作を説明すると、ガラス基板4の前端部が、加熱ヒータ41や蒸着源55、56の開口部57から手前に所定の距離離れた追尾開始位置に接近してくると、加熱ヒータ43は、ガラス基板4の前端部の追尾を開始し、ガラス基板4の搬送に同期して移動する。そして、ガラス基板4の前端部と共に加熱ヒータ43が、蒸着源55、56の開口部57の上方を通過し、即ち、加熱ヒータ43が両側端部に配置された加熱ヒータ41の間を通過し、加熱ヒータ41や蒸着源55、56の開口部57から搬送方向に所定の距離離れた追尾終了位置まで、ガラス基板4の搬送に同期して、ガラス基板4と共に移動していく。その後、次に近接してくるガラス基板4の前端部に対応するために、追尾開始位置まで速やかに戻り、同様の移動動作で、次に近接してくるガラス基板4の前端部の追尾を開始する。つまり、加熱ヒータ43は、加熱ヒータ41、蒸着源55、56の開口部57の位置を中心に、その前後を直線的に(図6(a)の符号S参照)、又は、その周囲を楕円的に(図6(a)の符号O参照)、所定範囲内を往復運動する構成である。
Similarly, the
なお、加熱ヒータ42、43が追尾開始位置まで戻る際には、つまり、加熱ヒータ42、43がガラス基板4の後端部、前端部の真上でないときには、ヒータオフ状態とし、追尾開始時に、再び、ヒータオン状態としている。又、ガラス基板4間の隙間部分が蒸着源55、56の開口部57を通過するときには、追尾開始位置まで戻る時の加熱ヒータ42、43の移動速度を高くして、蒸着源55、56からの蒸着材料の加熱ヒータ42、43への付着を防止している。
When the
このように、搬送方向に移動可能な加熱ヒータ42、43を用いることにより、ガラス基板4を搬送しながら、ガラス基板4の前端部及び後端部の温度の落ち込みも防止することができる。又、加熱ヒータ42、43が追尾開始位置まで戻る際には、ヒータオフ状態とするので、ガラス基板の後端部、前端部以外を加熱することはなく、ガラス基板面内の温度の均一性に悪影響を与えることはない。
As described above, by using the
従って、ガラス基板4の温度が落ち込む端部を、上記構成の加熱ヒータ41、42、43を用いて、ガラス基板4の蒸着面の反対側の方から局所的に加熱することにより、ガラス基板4の面内温度差を従来と比較して小さくすることができる。その結果、ガラス基板4の熱応力を低減して、ガラス基板4の割れを防止することができる。本変形例のように、ホルダ60の陰になることにより、蒸発源5、6からの輻射熱が遮断されて、温度が落ち込みやすく、又、割れの起点にもなりうるガラス基板4の端部を局部的に加熱することにより、割れの発生を効率的に防止することが可能となる。
Therefore, the
なお、本変形例においても、加熱ヒータ41、42、43を全て備える構成例を示したが、成膜チャンバにおけるプロセス条件によっては、少なくとも加熱ヒータ41を有する構成であればよく、プロセス条件に応じて、加熱ヒータ42、43を追加すればよい。又、搬送ベルト3を備えず、ガラス基板4の位置を固定して蒸着を行う蒸着装置の場合には、位置が固定されたガラス基板4の4辺の端部に対応する位置に、ガラス基板4を挟んで、蒸着源と反対側の方に加熱ヒータを配置すればよい。
In this modified example, the configuration example including all of the
又、本変形例でも、ホルダとして従来のホルダ60を用い、蒸着源としては従来の蒸着源55、56を用いているが、後述する実施例2の蒸着マスク、後述する実施例3の蒸着源を用いることにより、より効果的にガラス基板4の端部での温度の落ち込みを低減することが可能である。
In this modified example, the
図2は、本発明に係る蒸着装置の実施形態の他の一例を示す図であり、図1に示す蒸着装置において、従来のホルダ60に換えて、図2にしめすホルダ11、12を用いるようにしたものである。なお、図2(a)は、本実施例のホルダの平面図であり、図2(b)は、その断面図(図2(a)のA−A’線矢視断面図)である。又、図2(c)は、本実施例の変形例のホルダの平面図であり、図2(d)は、その断面図(図2(c)のB−B’線矢視断面図)である。
FIG. 2 is a view showing another example of the embodiment of the vapor deposition apparatus according to the present invention. In the vapor deposition apparatus shown in FIG. 1, the
図2(a)、(b)に示すように、ホルダ11は、互いに格子状に交差して配置された複数の横格子部材11a及び縦格子部材11bと、4辺に配置されて、内側に横格子部材11a及び縦格子部材11bを支持する横枠部材11c及び縦枠部材11dとから構成されている。更に、横枠部材11c及び縦枠部材11dは、厚さ方向に段差がある2本の横枠副部材11e、11f及び縦枠副部材11g、11hからなり、2本の枠副部材の間に開口部11i、11j、11kが形成された構成である。つまり、図7(b)、(c)に示した従来のホルダ60の横枠部材60c及び縦枠部材60dに開口部を設けた構成である。ガラス基板4は、横枠副部材11e及び縦枠副部材11gの内側に載置されると共に、ガラス基板4の端部から少し内側を、横枠副部材11f及び縦枠副部材11hにより支持されている。そして、横格子部材11a、縦格子部材11b、横枠副部材11f、縦枠副部材11hによって形成される窓部分の蒸着マスクを通して、ガラス基板4に蒸着材料の蒸気を付着させて、所望の成膜を行う構成である。
As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), the
上記構成のホルダ11においては、従来のホルダ60と異なり、矩形状のガラス基板4の4辺の端部部分に対応する位置に、開口部11i、11j、11kを形成しているため、ガラス基板4の端部において、ホルダ11の陰になる部分を著しく減少させる一方、開口部11i、11j、11kを通して、ガラス基板4の端部を蒸着源55、56からの輻射熱に曝すことにより、ガラス基板4の端部を積極的に加熱して、ガラス基板4の端部における温度の落ち込みを防止することができる。その結果、ガラス基板4の面内温度差を従来と比較して小さくして、熱応力を低減することができ、ガラス基板4の割れを防止することができる。
In the
又、ホルダ11の変形例として、図2(c)、(d)に示すようなホルダ12を用いても同様な効果を得ることができる。
Further, as a modified example of the
具体的には、ホルダ12は、図2(c)、(d)に示すように、互いに格子状に交差して配置された複数の横格子部材12a及び縦格子部材12bと、ガラス基板4の端部から少し内側の4辺に配置されて、横格子部材12a及び縦格子部材12bを支持する横枠部材12c及び縦枠部材12dとから構成されている。つまり、図2(a)、(b)に示したホルダ11の横枠副部材11e及び縦枠副部材11gを取り除いた構成であり、横枠部材12c及び縦枠部材12dの外側となる突起部12e、12f同士の間に、上記ホルダ11の開口部11i、11j、11kと同等の機能を有する切欠部12g、12hが形成されている。ガラス基板4は、突起部12e、12fの内側に載置されると共に、ガラス基板4の端部から少し内側を、横枠部材12c及び縦枠部材12dにより支持されている。そして、格子部材12a、縦格子部材12b、横枠部材12c、縦枠部材12dによって形成される窓部分の蒸着マスクを通して、ガラス基板4に蒸着材料の蒸気を付着させて、所望の成膜を行う構成である。
Specifically, as shown in FIGS. 2 (c) and 2 (d), the
上記構成のホルダ12においても、ホルダ11と同様に、ガラス基板4の4辺の端部部分に対応する位置に、切欠部12g、12hを形成しているため、ガラス基板4の端部において、ホルダ11の陰になる部分を著しく減少させる一方、切欠部12g、12hを通して、ガラス基板4の端部を蒸着源55、56からの輻射熱に曝すことにより、ガラス基板4の端部を積極的に加熱して、ガラス基板4の端部における温度の落ち込みを防止することができる。その結果、ガラス基板4の面内温度差を従来と比較して小さくして、熱応力を低減することができ、ガラス基板4の割れを防止することができる。
Even in the
本実施例においては、ホルダの枠部分の形状を工夫して、ガラス基板4の端部の温度の落ち込みを防止しているが、例えば、従来のホルダ60において(図7(b)等参照)、ガラス基板4の端部に対応する蒸着マスクの位置に、図2に示すような開口部や切欠部を設けて、ガラス基板4の端部の温度の落ち込みを防止するようにしてもよい。
In the present embodiment, the shape of the frame portion of the holder is devised to prevent the temperature drop at the end of the
図3〜図5は、本発明に係る蒸着装置の実施形態の他の一例を示す図であり、図3は、本実施例を概念的に説明する図であり、図4(a)、(b)、(c)、図5(a)、(b)は、本実施例を実現する蒸着源の具体的な構成例のいくつかを示す斜視図である。 3-5 is a figure which shows another example of embodiment of the vapor deposition apparatus which concerns on this invention, FIG. 3 is a figure which illustrates a present Example notionally, FIG. FIGS. 5B, 5C and 5B are perspective views showing some specific examples of the configuration of the vapor deposition source for realizing the present embodiment.
図8(b)に示したように、従来の蒸着源55、56では、開口部57がガラス基板54と平行であり、又、制御温度も蒸着源55、56全体が均一に制御されているため、蒸着源55、56からガラス基板54への熱流束が均一ではなく、ガラス基板54の中央部で基板温度が高く、ガラス基板54の端部で基板温度が低くなり、ガラス基板54の面内で温度差ΔTbが生じるという問題があった。
As shown in FIG. 8B, in the conventional
そこで、本実施例においては、実施例1(図1)に示す蒸着源55、56に替えて、熱流束を制御して、ガラス基板4端部での温度の落ち込みを低減可能な構成の蒸着源を使用するようにしている。
Therefore, in the present embodiment, instead of the
図3を参照して、その概念的な構成を説明すると、本実施例の蒸着源は、その温度分布20を、ガラス基板4の中央部で相対的に小さく、ガラス基板4の端部側で相対的に大きくすることにより、ガラス基板4が配置された位置における熱流束を、その幅方向に均一に制御して、ガラス基板4の面内の温度差ΔTaをできるだけ小さくするようにしたものである。又、ホルダ60による輻射熱の遮断が大きい場合には、蒸着源の温度分布20を、ガラス基板4の端部側で更に大きくすることにより、ガラス基板4が配置された位置における熱流束を、その幅方向に均一にするのではなく、ガラス基板4の端部側で強くして、ガラス基板4の面内の温度差ΔTaをできるだけ小さくするようにしてもよい。なお、ここでは、ホルダとして、従来のホルダ60を用いるが、前述した実施例2のホルダ11、12を用いると、より効果的にガラス基板4の端部での温度の落ち込みを低減することが可能である。
Referring to FIG. 3, the conceptual configuration will be described. In the vapor deposition source of the present embodiment, the
次に、図3に示すような温度分布20を実現可能な蒸着源として、その具体的な構成例のいくつかを図4(a)、(b)、(c)、図5(a)、(b)に示して、その詳細を説明する。なお、図4(a)、(b)、(c)、図5(a)、(b)における蒸着源は、いずれも、その内部の下方側にるつぼ部分を有すると共に、その上方側に開口部を有し、その周囲に配置された複数のヒータ(図示せず)により、所望の温度に制御可能な構成である。従って、るつぼ部分に収容された蒸着材料は、複数のヒータによる蒸着源の加熱により、その蒸気が生成されて、生成された蒸気が、蒸着源の開口部から、ガラス基板4側へ供給されるようになっている。
Next, as a vapor deposition source capable of realizing the
このような構成の蒸着源において、本実施例では、その開口部の構成を工夫することにより、図3に示すような温度分布20を実現している。
In the vapor deposition source having such a configuration, in this embodiment, the
具体的には、図4(a)に示す本実施例の蒸着源21は、形状としては、図8(a)に示した蒸着源55、56と同等のものであり、蒸着源21の上方側に配置された開口部22は、ガラス基板4の搬送方向となる長さが短い短辺部22aと、ガラス基板4の幅方向となる長さが長い長辺部22bとからなる矩形状であり、又、開口部22の上面が、ガラス基板4から所定距離離れて、ガラス基板4に平行に配置されるものである。しかしながら、本実施例の蒸着源21においては、図8(a)に示した蒸着源55、56と相違して、短辺部22aの温度を他の部分より比較的高い温度に設定しており、このことにより、図3に示すような温度分布20を実現している。
Specifically, the
又、図4(b)に示す本実施例の蒸着源23は、その上方側に配置された開口部24が、ガラス基板4の搬送方向となる長さが短い短辺部24aと、ガラス基板4の幅方向となる長さが長い長辺部24bとからなる矩形状であり、又、開口部24の上面が、ガラス基板4から所定距離離れて、ガラス基板4に平行に配置されるものである。本実施例の蒸着源23においては、更に、長辺部24bの両端部を、蒸着源23の長手方向に垂直な方向に肉厚に形成することにより、その上面の面積を大きくした大面積部24cを設けており、この大面積部24cからの輻射熱により、図3に示すような温度分布20を実現している。
Moreover, the
又、図4(c)に示す本実施例の蒸着源25は、その上方側に配置された開口部26が、ガラス基板4の両側端部に対応して設けられ、2つの円形部26aにより形成された2つの円形状開口部と、2つの円形状開口部の間を連通するように設けられ、ガラス基板4の幅方向となる長さが長い長辺部24bにより形成された矩形状開口部とからなり、開口部26の上面が、ガラス基板4から所定距離離れて、ガラス基板4に平行に配置されるものである。円形状開口部は、矩形状開口部より大きい開口面積に形成されており、この大きい円形状開口部からの輻射熱により、図3に示すような温度分布20を実現している。
Further, in the
又、図5(a)に示す本実施例の蒸着源27は、その上方側に配置された開口部28が、ガラス基板4の搬送方向となる長さが短い短辺部28aと、ガラス基板4の幅方向となる長さが長い長辺部28bとからなる矩形状であり、又、開口部28の上面が、ガラス基板4から所定距離離れて、ガラス基板4に平行に配置されるものである。本実施例の蒸着源27においては、更に、短辺部28bを、蒸着源23の長手方向に肉厚に形成することにより、その上面の面積を大きくしており、この肉厚の短辺部28bからの輻射熱により、図3に示すような温度分布20を実現している。
In addition, the
又、図5(b)に示す本実施例の蒸着源29は、図8(a)に示した蒸着源55、56と全く同等のものであり、蒸着源29の上方側に配置された開口部30が、ガラス基板4の搬送方向となる長さが短い短辺部30aと、ガラス基板4の幅方向となる長さが長い長辺部30bとからなる矩形状であり、その上面が、ガラス基板4から所定距離離れて、ガラス基板4に平行に配置されるものである。しかしながら、本実施例の蒸着源29においては、図8(a)に示した蒸着源55、56と相違して、蒸着源29の開口部30の両側端部の近傍に、換言すると、短辺部30a上方であり、ガラス基板4との間の空間に、2つの加熱ヒータ31(第4加熱手段)を設け、加熱ヒータ31の温度を蒸着源29より比較的高い温度としており、加熱ヒータ31からの輻射熱により、図3に示すような温度分布20を実現している。
Further, the
上述したような蒸着源21、23、25、27、29を、実施例1(図1)に示した蒸着装置で用いることにより、ガラス基板4の面内の温度差ΔTaをできるだけ小さくして、ガラス基板4の熱応力を低減することができ、ガラス基板4の割れを防止することができる。なお、長い1つの開口部を有する蒸着源21、23、25、27、29だけでなく、短い開口部を有する小型のるつぼを列状に複数個並べた蒸着源に対しても、図4(a)〜図5(b)と同じことが適用可能であり、蒸着源21、23、25、27、29と同様な効果を得ることができる。
By using the
更に、本実施例と実施例1、2とを組み合わせ、実施例1(図1)に示した蒸着装置において、実施例2に示した蒸着マスク11、12、本実施例の蒸着源21、23、25、27、29を用いることにより、より効果的にガラス基板4の端部での温度の落ち込みを低減することが可能である。
Furthermore, in the vapor deposition apparatus shown in Example 1 (FIG. 1) by combining this example with Examples 1 and 2, the vapor deposition masks 11 and 12 shown in Example 2 and the
本発明は、ガラス基板を搬送しながら、ガラス基板に蒸着を行う蒸着装置、蒸着方法に好適なものである。 The present invention is suitable for a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method for performing vapor deposition on a glass substrate while conveying the glass substrate.
1、2 成膜チャンバ
3 搬送ベルト
4 ガラス基板
21、23、25、27、29、55、56 蒸着源
7、8、9、31 加熱ヒータ
11、12、60 ホルダ
DESCRIPTION OF
Claims (24)
前記ガラス基板が載置された前記保持部材を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段に搬送される前記ガラス基板の蒸着面に対向して設けられ、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に長い開口部から蒸着材料の蒸気を前記ガラス基板へ供給する蒸着源、又は、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に列状に並べた複数のるつぼの短い開口部から蒸着材料の蒸気を前記ガラス基板へ供給する蒸着源とを備え、
前記ガラス基板を搬送しながら、前記マスク部材を通して前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う蒸着装置において、
前記ガラス基板を挟んだ前記蒸着源の反対側であり、前記蒸着源の両側端部に対向する位置に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱する2組の第1加熱手段を設け、
前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記両側端部を、前記第1加熱手段により加熱するようにしたことを特徴とする蒸着装置。 A holding member having a frame member for holding the mask member for masking the vapor deposition surface of the glass substrate and mounting the peripheral portion of the glass substrate;
Conveying means for conveying the holding member on which the glass substrate is placed;
A vapor deposition source that is provided opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate conveyed to the conveyance means and supplies vapor of the vapor deposition material to the glass substrate from an opening that is long in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate, or A vapor deposition source for supplying vapor of vapor deposition material to the glass substrate from short openings of a plurality of crucibles arranged in a row in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate,
In the vapor deposition apparatus for performing vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate through the mask member while conveying the glass substrate,
Two sets of first sets that heat opposite side ends in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate at positions opposite to both side ends of the vapor deposition source on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate. Heating means,
The vapor deposition apparatus characterized in that when vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, the both end portions on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are heated by the first heating means.
前記第1加熱手段は、複数に分割されて、分割部分が各々独立して前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に移動可能なものであり、
前記第1加熱手段と前記蒸着源との間に前記ガラス基板が存在しないときには、前記蒸着源の蒸着領域から前記第1加熱手段の各分割部分を逐次退避させるようにしたことを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1,
The first heating means is divided into a plurality of parts, and each of the divided parts is independently movable in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate,
Vapor deposition characterized in that when the glass substrate is not present between the first heating means and the vapor deposition source, each divided portion of the first heating means is sequentially retracted from the vapor deposition region of the vapor deposition source. apparatus.
更に、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に、前記ガラス基板の搬送方向の後端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第2加熱手段と、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第3加熱手段と、
前記ガラス基板の搬送方向の後端部を追尾して、該後端部と共に前記第2加熱手段を移動させると共に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部を追尾して、該前端部と共に前記第3加熱手段を移動させる移動手段とを設け、
前記移動手段は、前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の搬送と共に前記第2加熱手段、第3加熱手段を移動させて、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面の前記後端部、前記前端部を、前記第2加熱手段、前記第3加熱手段により加熱することを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus of Claim 1 or Claim 2,
Furthermore,
A second heating means of a length capable of heating all or most or part of the rear end portion in the transport direction of the glass substrate on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate;
Third heating means of a length capable of heating all or most or part of the front end portion in the transport direction of the glass substrate on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate;
Tracking the rear end of the glass substrate in the transport direction, moving the second heating means together with the rear end, tracking the front end of the glass substrate in the transport direction, and moving the second end together with the front end. 3 moving means for moving the heating means,
The moving means moves the second heating means and the third heating means together with the conveyance of the glass substrate when vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, so that the surface of the glass substrate opposite to the vapor deposition surface is moved. The vapor deposition apparatus, wherein the rear end portion and the front end portion are heated by the second heating means and the third heating means.
前記移動手段は、
前記第2加熱手段を、前記第1加熱手段の近傍までの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第1加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させると共に、
前記第3加熱手段を、前記第1加熱手段の近傍からの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第1加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させることを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus of Claim 3,
The moving means is
Reciprocating the second heating means within a predetermined range up to the vicinity of the first heating means, or reciprocating within a predetermined range before and after the position of the first heating means,
The third heating unit is reciprocated within a predetermined range from the vicinity of the first heating unit, or is reciprocated within a predetermined range before and after the position of the first heating unit. Vapor deposition equipment.
前記第2加熱手段、前記第3加熱手段は、前記ガラス基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、加熱を停止することを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 4.
The second heating unit and the third heating unit stop heating when moving in the direction opposite to the transport direction of the glass substrate.
前記保持部材の前記枠部材又は前記マスク部材に、前記ガラス基板の端部を前記蒸着源からの輻射熱に曝す開口部若しくは切欠部を設けたことを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus in any one of Claims 1 thru | or 5,
The vapor deposition apparatus, wherein the frame member or the mask member of the holding member is provided with an opening or a notch for exposing an end of the glass substrate to radiant heat from the vapor deposition source.
前記蒸着源の両側端部の温度を、前記蒸着源の他の部分より高くしたことを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus in any one of Claims 1 thru | or 6,
The vapor deposition apparatus characterized in that the temperature at both end portions of the vapor deposition source is higher than that of other portions of the vapor deposition source.
前記蒸着源の両側端部の近傍に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱する2つの第4加熱手段を設けたことを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus in any one of Claims 1 thru | or 6,
2. A vapor deposition apparatus comprising two fourth heating means for heating both side edges in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate in the vicinity of both side edges of the vapor deposition source.
前記蒸着源の両側端部における前記ガラス基板への輻射熱が発生する面積を、前記蒸着源の他の部分より大きくしたことを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus in any one of Claims 1 thru | or 6,
The vapor deposition apparatus characterized in that an area where radiant heat to the glass substrate is generated at both end portions of the vapor deposition source is made larger than other portions of the vapor deposition source.
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 9, wherein
The vapor deposition apparatus is characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in the conveying direction of the glass substrate.
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部の開口面積を他の部分より大きくすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 9, wherein
The vapor deposition source is characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by making an opening area of both side end portions of the vapor deposition source larger than other portions.
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 9, wherein
The vapor deposition source is a vapor deposition apparatus characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate. .
前記ガラス基板が載置された前記保持部材を搬送手段により搬送し、
前記搬送手段に搬送される前記ガラス基板の蒸着面に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に長い開口部から、又は、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に列状に並べた複数の短い開口部から蒸着源の蒸着材料の蒸気を供給し、
前記ガラス基板を搬送しながら、前記マスク部材を通して前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う蒸着方法において、
前記ガラス基板を挟んだ前記蒸着源の反対側であり、前記蒸着源の両側端部に対向する位置に設けた2組の第1加熱手段を用いて、前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱することを特徴とする蒸着方法。 Holding the mask member that masks the vapor deposition surface of the glass substrate and placing the glass substrate on a holding member having a frame member for placing the peripheral portion of the glass substrate;
The holding member on which the glass substrate is placed is conveyed by a conveying means,
Plural arranged in a row on the vapor deposition surface of the glass substrate conveyed to the conveying means from an opening long in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate or in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate Supply vapor of the vapor deposition material of the vapor deposition source through a short opening of
In the vapor deposition method of performing vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate through the mask member while conveying the glass substrate,
Vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate by using two sets of first heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and facing the both side ends of the vapor deposition source. In this case, the vapor deposition method is characterized in that both end portions in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are heated.
前記第1加熱手段として、複数に分割されて、分割部分が各々独立して前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に移動可能なものを用いて、
前記第1加熱手段と前記蒸着源との間に前記ガラス基板が存在しないときには、前記蒸着源の蒸着領域から前記第1加熱手段の各分割部分を逐次退避させることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 13,
The first heating means is divided into a plurality of parts, and each of the divided parts is independently movable in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate,
A vapor deposition method, wherein when the glass substrate is not present between the first heating means and the vapor deposition source, each divided portion of the first heating means is sequentially retracted from the vapor deposition region of the vapor deposition source.
更に、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に設けた、前記ガラス基板の搬送方向の後端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第2加熱手段と、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に設けた、前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第3加熱手段と、
前記ガラス基板の搬送方向の後端部を追尾して、該後端部と共に前記第2加熱手段を移動させると共に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部を追尾して、該前端部と共に前記第3加熱手段を移動させる移動手段とを用いて、
前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て及び後端部の全てを、前記ガラス基板を搬送させながら加熱することを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 13 or 14,
Furthermore,
A second heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and having a length capable of heating all or most or part of the rear end portion in the transport direction of the glass substrate;
A third heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and having a length capable of heating all or most or part of the front end in the transport direction of the glass substrate;
Tracking the rear end of the glass substrate in the transport direction, moving the second heating means together with the rear end, tracking the front end of the glass substrate in the transport direction, and moving the second end together with the front end. 3 Using the moving means for moving the heating means,
When vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, all the front end portion and all the rear end portions in the transport direction of the glass substrate on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are transported with the glass substrate. A vapor deposition method characterized by heating.
前記第2加熱手段を、前記第1加熱手段の近傍までの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第1加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させると共に、
前記第3加熱手段を、前記第1加熱手段の近傍からの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第1加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 15,
Reciprocating the second heating means within a predetermined range up to the vicinity of the first heating means, or reciprocating within a predetermined range before and after the position of the first heating means,
The third heating unit is reciprocated within a predetermined range from the vicinity of the first heating unit, or is reciprocated within a predetermined range before and after the position of the first heating unit. Vapor deposition method.
前記第2加熱手段、前記第3加熱手段が前記ガラス基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、前記第2加熱手段、前記第3加熱手段による加熱を停止することを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 16.
When the second heating unit and the third heating unit move in the direction opposite to the conveyance direction of the glass substrate, heating by the second heating unit and the third heating unit is stopped. Deposition method.
前記保持部材の前記枠部材又は前記マスク部材に設けた開口部若しくは切欠部を用いて、前記ガラス基板の端部を前記蒸着源からの輻射熱に曝すことを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to any one of claims 13 to 17,
A vapor deposition method comprising exposing an end portion of the glass substrate to radiant heat from the vapor deposition source using an opening or a notch provided in the frame member or the mask member of the holding member.
前記蒸着源の両側端部の温度を、前記蒸着源の他の部分より高くすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to any one of claims 13 to 18,
The vapor deposition method characterized in that the temperature at both end portions of the vapor deposition source is higher than that of the other portions of the vapor deposition source.
前記蒸着源の両側端部の近傍に設けた2つの第4加熱手段を用いて、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱することを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to any one of claims 13 to 18,
A vapor deposition method comprising heating both side edges in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate using two fourth heating means provided in the vicinity of both side edges of the vapor deposition source.
前記蒸着源の両側端部における前記ガラス基板への輻射熱が発生する面積を、前記蒸着源の他の部分より大きくすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to any one of claims 13 to 18,
An evaporation method, wherein an area where radiant heat to the glass substrate is generated at both end portions of the evaporation source is made larger than other portions of the evaporation source.
前記蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 21, wherein
An evaporation method characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the evaporation source in the conveying direction of the glass substrate.
前記蒸着源の両側端部の開口面積を他の部分より大きくすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 21, wherein
A vapor deposition method characterized in that an area in which radiant heat is generated is increased by increasing an opening area at both end portions of the vapor deposition source as compared with other portions.
前記蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 21, wherein
A vapor deposition method characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate.
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