JP2008101254A - Vapor deposition apparatus and vapor deposition method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor deposition apparatus which prevents the cracking and damage of the glass substrate by reducing a temperature difference among positions within the plane of a glass substrate, and to provide a vapor deposition method. <P>SOLUTION: When mounting a glass substrate 4 on a holder 60 which holds a mask member for masking a face to be vapor-deposited of the glass substrate 4 and has a framing member for mounting a peripheral area of the glass substrate 4 thereon; transporting the holder 60 having the glass substrate 4 mounted thereon with a transportation belt 3; and vapor-depositing the surface to be vapor-deposited of the glass substrate 4 with a vapor deposition material through the mask member while supplying the vapor of the vapor deposition material in an evaporation source 55 to the surface to be vapor-deposited of the transported glass substrate 4, in a direction perpendicular to a transportation direction of the glass substrate 4 from a long opening 57 and transporting the glass substrate 4, this vapor deposition method includes heating both ends in the direction perpendicular to the direction of transportation of the glass substrate 4 on the surface opposite to the surface to be vapor-deposited of the glass substrate 4, with a heater 7. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板上に蒸着を行う蒸着装置及び蒸着方法に関する。   The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method for performing vapor deposition on a substrate.

蒸着窓を有する蒸着マスク上にガラス基板を載置し、蒸着マスクの蒸着窓を通して、蒸着材料の蒸気をガラス基板に付着して、ガラス基板上に成膜を行う方法が知られている（特許文献１）。   A method is known in which a glass substrate is placed on a vapor deposition mask having a vapor deposition window, vapor of a vapor deposition material is attached to the glass substrate through the vapor deposition window of the vapor deposition mask, and a film is formed on the glass substrate (patent). Reference 1).

図７、図８に、従来の蒸着装置として、インライン式の真空蒸着装置を示して、その構成を説明する。
なお、図７（ａ）は、従来のインライン式の真空蒸着装置の一部を示す概略側面図であり、図７（ｂ）は、従来のインライン式の真空蒸着装置で用いられる蒸着マスクの平面図であり、図７（ｃ）は、蒸着マスクの断面図（図７（ｂ）のＣ−Ｃ’線矢視断面図）である。又、図８（ａ）は、従来のインライン式の真空蒸着装置で用いられる蒸着源の斜視図であり、図８（ｂ）は、蒸着源からの輻射熱により加熱されるガラス基板の温度プロファイルを説明する図である。 FIG. 7 and FIG. 8 show an in-line vacuum vapor deposition apparatus as a conventional vapor deposition apparatus, and the configuration thereof will be described.
FIG. 7A is a schematic side view showing a part of a conventional in-line type vacuum deposition apparatus, and FIG. 7B is a plan view of a deposition mask used in the conventional in-line type vacuum deposition apparatus. FIG. 7C is a cross-sectional view of the vapor deposition mask (a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 7B). FIG. 8A is a perspective view of a vapor deposition source used in a conventional in-line type vacuum vapor deposition apparatus, and FIG. 8B shows a temperature profile of a glass substrate heated by radiant heat from the vapor deposition source. It is a figure explaining.

図７（ａ）に示すように、従来のインライン式の真空蒸着装置は、複数の成膜チャンバ５１、５２が一直線上に配置されて構成されるものである。成膜チャンバ５１、５２の内部には、各々搬送ベルト５３が設けられており、ガラス基板５４が蒸着マスクを支持するホルダ６０上に載置されて、搬送ベルト５３により矢印方向へ順次搬送される構成である。又、成膜チャンバ５１、５２には、各々真空ポンプ、ガス供給系（図示省略）が設けられ、内部を所望の雰囲気、圧力に制御可能な構成である。   As shown in FIG. 7A, a conventional in-line vacuum deposition apparatus is configured by arranging a plurality of film forming chambers 51 and 52 in a straight line. Each of the film forming chambers 51 and 52 is provided with a transport belt 53, and the glass substrate 54 is placed on the holder 60 that supports the vapor deposition mask and is sequentially transported in the direction of the arrow by the transport belt 53. It is a configuration. The film forming chambers 51 and 52 are each provided with a vacuum pump and a gas supply system (not shown) so that the inside can be controlled to a desired atmosphere and pressure.

又、成膜チャンバ５１、５２の下方側には、搬送ベルト５３に搬送されるガラス基板５４の蒸着面に対向して、ガラス基板５４を下方から臨む蒸着源５５、５６が設けられている。蒸着源５５、５６の上方には、ガラス基板５４の搬送方向に垂直な方向に長い開口部５７が設けられており（後述の図８参照）、この開口部５７から蒸着材料の蒸気をガラス基板５４へ供給し、ホルダ６０の蒸着マスクを通してガラス基板５４に所望の成膜を行う構成である。従って、搬送ベルト５３によりとホルダ６０共にガラス基板５４を矢印方向へ順次搬送しながら、各々の成膜チャンバ５１、５２において、所望の雰囲気、圧力下で、所望の成膜することが可能である。   Further, on the lower side of the film forming chambers 51 and 52, vapor deposition sources 55 and 56 facing the glass substrate 54 from below are provided so as to face the vapor deposition surface of the glass substrate 54 conveyed on the conveyance belt 53. Above the vapor deposition sources 55 and 56, an opening 57 that is long in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate 54 is provided (see FIG. 8 to be described later). 54, and a desired film is formed on the glass substrate 54 through the vapor deposition mask of the holder 60. Therefore, it is possible to form a desired film under a desired atmosphere and pressure in each of the film forming chambers 51 and 52 while sequentially transferring the glass substrate 54 in the direction of the arrow together with the transfer belt 53 and the holder 60. .

又、図７（ｂ）、（ｃ）に示すように、ホルダ６０は、互いに格子状に交差して配置された複数の横格子部材６０ａ及び縦格子部材６０ｂと、４辺に配置されて、内側に横格子部材６０ａ及び縦格子部材６０ｂを支持すると共にＬ字断面形状を有する横枠部材６０ｃ及び縦枠部材６０ｄとから構成されている。ガラス基板５４は、Ｌ字断面形状の横枠部材６０ｃ及び縦枠部材６０ｄの内側に載置されており、横格子部材６０ａ、縦格子部材６０ｂ、横枠部材６０ｃ、縦枠部材６０ｄによって形成される窓部分の蒸着マスクを通して、ガラス基板５４に蒸着材料の蒸気を付着させて、所望の成膜を行う構成である。   Also, as shown in FIGS. 7B and 7C, the holder 60 is arranged on four sides, with a plurality of horizontal lattice members 60a and vertical lattice members 60b arranged so as to cross each other in a lattice shape. The horizontal frame member 60a and the vertical lattice member 60b are supported on the inner side, and the horizontal frame member 60c and the vertical frame member 60d having an L-shaped cross-sectional shape are configured. The glass substrate 54 is placed inside the horizontal frame member 60c and the vertical frame member 60d having an L-shaped cross section, and is formed by the horizontal grid member 60a, the vertical grid member 60b, the horizontal frame member 60c, and the vertical frame member 60d. The vapor deposition material vapor is attached to the glass substrate 54 through the vapor deposition mask of the window portion to perform desired film formation.

又、図８（ａ）に示すように、蒸着源５５、５６は、その内部の下方側がるつぼ部分となっており、そのるつぼ部分に蒸着材料が収容されて、蒸着材料の蒸気が生成される構成である。生成された蒸気は、蒸着源５５、５６の上方に形成された開口部５７からガラス基板５４側へ供給される。この開口部５７は、ガラス基板５４の搬送方向の長さが短い短辺部５７ａと、ガラス基板５４の搬送方向に垂直な方向の長さが長い長辺部５７ｂとからなる矩形状となっており、図８（ｂ）にも示すように、ガラス基板５４から所定距離ｈ離れて、ガラス基板５４に平行に配置されている。上記構成により、ガラス基板５４を搬送させながら、ガラス基板５４の搬送方向に垂直な方向に均一に蒸気を供給して、均一な成膜が行えるようにしている。   Further, as shown in FIG. 8A, the vapor deposition sources 55 and 56 have a crucible portion on the lower side of the inside, and the vapor deposition material is accommodated in the crucible portion, and vapor of the vapor deposition material is generated. It is a configuration. The produced | generated vapor | steam is supplied to the glass substrate 54 side from the opening part 57 formed above the vapor deposition sources 55 and 56. FIG. The opening 57 has a rectangular shape including a short side portion 57 a having a short length in the transport direction of the glass substrate 54 and a long side portion 57 b having a long length in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate 54. As shown in FIG. 8B, the glass substrate 54 is disposed in parallel with the glass substrate 54 at a predetermined distance h. With the above configuration, vapor is uniformly supplied in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate 54 while the glass substrate 54 is conveyed, so that uniform film formation can be performed.

特公昭６３−１５７１４号公報Japanese Patent Publication No. 63-15714

蒸着源５５、５６は、ガラス基板５４の搬送方向に垂直な方向に均一に蒸気を供給して、均一な成膜が行えるように、図８（ｂ）に示したように、蒸着源５５、５６の開口部５７が、ガラス基板５４から所定距離ｈ離れた位置に配置されている。しかしながら、このような構成において、蒸着源５５、５６からガラス基板５４への輻射熱による熱流束は、ガラス基板５４の搬送方向に垂直な方向に均一ではないため、図８（ｂ）に示すように、ガラス基板５４の中央部で基板温度が高く、ガラス基板５４の端部で基板温度が低くなり、ガラス基板５４の面内で温度差ΔＴｂを生じさせていた。従来は、ガラス基板５４の大きさが大きくなく、温度差ΔＴｂも大きなものではなかったが、ガラス基板５４のサイズが大きくなってきている近年においては、その温度差ΔＴｂも益々大きくなり、その温度差による熱変形、熱応力が無視できない状況となっている。   As shown in FIG. 8B, the vapor deposition sources 55 and 56 supply vapor uniformly in the direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate 54 to perform uniform film formation. 56 openings 57 are arranged at positions separated from the glass substrate 54 by a predetermined distance h. However, in such a configuration, the heat flux due to the radiant heat from the vapor deposition sources 55 and 56 to the glass substrate 54 is not uniform in the direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate 54, and as shown in FIG. The substrate temperature is high at the center of the glass substrate 54, the substrate temperature is low at the end of the glass substrate 54, and a temperature difference ΔTb is generated in the plane of the glass substrate 54. Conventionally, the size of the glass substrate 54 is not large and the temperature difference ΔTb is not large. However, in recent years when the size of the glass substrate 54 is increasing, the temperature difference ΔTb is also increasing. Thermal deformation and thermal stress due to the difference cannot be ignored.

更に、上記成膜においては、蒸着マスクを支持するホルダや蒸着マスク自身の陰になる部分のガラス基板の温度も低くなるため、ホルダや蒸着マスクによっても、ガラス基板の面内に温度差を生じさせることになり、その結果、ガラス基板の熱変形、熱応力を大きくさせていた。例えば、図９（ａ）に示すように、ガラス基板の面内温度分布は、ガラス基板の中央部が高く、周辺部が低いという傾向があるが、ホルダや蒸着マスクの陰になる部分（図９（ａ）中の格子形状の部分）は更に温度が低くなっていた。又、図９（ｂ）に示すように、ガラス基板の面内温度分布に応じて、ガラス基板の中央部が鉛直下方へ下がり、周辺部が鉛直上方へ上がるという熱変形を生じていた。そして、ガラス基板の面内温度差が大きくなると、その熱変形、熱応力も大きくなり、熱応力が甚だしい場合には、ガラス基板の割れ（クラック等）や破損が生じるという問題が生じていた。   In addition, in the above film formation, the temperature of the glass substrate in the area behind the holder that supports the vapor deposition mask and the vapor deposition mask itself is also lowered. As a result, the thermal deformation and thermal stress of the glass substrate were increased. For example, as shown in FIG. 9A, the in-plane temperature distribution of the glass substrate tends to be high in the central portion and low in the peripheral portion of the glass substrate. The temperature of the lattice-shaped portion in 9 (a) was even lower. Further, as shown in FIG. 9B, thermal deformation has occurred in which the central portion of the glass substrate falls vertically downward and the peripheral portion rises vertically upward according to the in-plane temperature distribution of the glass substrate. When the in-plane temperature difference of the glass substrate is increased, the thermal deformation and thermal stress are also increased. When the thermal stress is excessive, there is a problem that the glass substrate is cracked (cracked) or broken.

本発明は上記課題に鑑みなされたもので、ガラス基板面内の温度差を小さくして、ガラス基板の割れや破損を防止する蒸着装置及び蒸着方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the said subject, and it aims at providing the vapor deposition apparatus and the vapor deposition method which make the temperature difference in a glass substrate surface small, and prevent a glass substrate from a crack and breakage.

上記課題を解決する第１の発明に係る蒸着装置は、
ガラス基板の蒸着面をマスクするマスク部材を保持すると共に前記ガラス基板の周辺部を載置する枠部材を有する保持部材と、
前記ガラス基板が載置された前記保持部材を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段に搬送される前記ガラス基板の蒸着面に対向して設けられ、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に長い開口部から蒸着材料の蒸気を前記ガラス基板へ供給する蒸着源、又は、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に列状に並べた複数のるつぼの短い開口部から蒸着材料の蒸気を前記ガラス基板へ供給する蒸着源とを備え、
前記ガラス基板を搬送しながら、前記マスク部材を通して前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う蒸着装置において、
前記ガラス基板を挟んだ前記蒸着源の反対側であり、前記蒸着源の両側端部に対向する位置に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱する２組の第１加熱手段を設け、
前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記両側端部を、前記第１加熱手段により加熱するようにしたことを特徴とする。 The vapor deposition apparatus according to the first invention for solving the above-described problems is as follows.
A holding member having a frame member for holding the mask member for masking the vapor deposition surface of the glass substrate and mounting the peripheral portion of the glass substrate;
Conveying means for conveying the holding member on which the glass substrate is placed;
A vapor deposition source that is provided facing the vapor deposition surface of the glass substrate conveyed to the conveying means and supplies vapor of the vapor deposition material to the glass substrate from an opening that is long in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate; or A vapor deposition source for supplying vapor of vapor deposition material to the glass substrate from short openings of a plurality of crucibles arranged in a row in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate,
In the vapor deposition apparatus for performing vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate through the mask member while conveying the glass substrate,
Two sets of first sets that heat opposite side ends in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate at positions opposite to both side ends of the vapor deposition source on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate. Heating means,
When vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, the both end portions on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are heated by the first heating means.

上記課題を解決する第２の発明に係る蒸着装置は、
上記第１の発明に記載の蒸着装置において、
前記第１加熱手段は、複数に分割されて、分割部分が各々独立して前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に移動可能なものであり、
前記第１加熱手段と前記蒸着源との間に前記ガラス基板が存在しないときには、前記蒸着源の蒸着領域から前記第１加熱手段の各分割部分を逐次退避させるようにしたことを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to the second invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the first invention,
The first heating means is divided into a plurality of parts, and each of the divided parts is independently movable in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate,
When the glass substrate does not exist between the first heating unit and the vapor deposition source, each divided portion of the first heating unit is sequentially retracted from the vapor deposition region of the vapor deposition source.

上記課題を解決する第３の発明に係る蒸着装置は、
上記第１又は第２の発明に記載の蒸着装置において、
更に、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に、前記ガラス基板の搬送方向の後端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第２加熱手段と、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第３加熱手段と、
前記ガラス基板の搬送方向の後端部を追尾して、該後端部と共に前記第２加熱手段を移動させると共に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部を追尾して、該前端部と共に前記第３加熱手段を移動させる移動手段とを設け、
前記移動手段は、前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の搬送と共に前記第２加熱手段、第３加熱手段を移動させて、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面の前記後端部、前記前端部を、前記第２加熱手段、前記第３加熱手段により加熱することを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to a third invention for solving the above-described problem is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the first or second invention,
Furthermore,
A second heating means of a length capable of heating all or most or part of the rear end portion in the transport direction of the glass substrate on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate;
Third heating means of a length capable of heating all or most or part of the front end portion in the transport direction of the glass substrate on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate;
Tracking the rear end of the glass substrate in the transport direction, moving the second heating means together with the rear end, tracking the front end of the glass substrate in the transport direction, and moving the second end together with the front end. 3 moving means for moving the heating means,
The moving means moves the second heating means and the third heating means together with the conveyance of the glass substrate when vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, so that the surface of the glass substrate opposite to the vapor deposition surface is moved. The rear end portion and the front end portion are heated by the second heating means and the third heating means.

上記課題を解決する第４の発明に係る蒸着装置は、
上記第３の発明に記載の蒸着装置において、
前記移動手段は、
前記第２加熱手段を、前記第１加熱手段の近傍までの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第１加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させると共に、
前記第３加熱手段を、前記第１加熱手段の近傍からの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第１加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させることを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to a fourth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the third invention,
The moving means is
Reciprocating the second heating means within a predetermined range up to the vicinity of the first heating means, or reciprocating within a predetermined range before and after the position of the first heating means,
The third heating unit is reciprocated within a predetermined range from the vicinity of the first heating unit, or is reciprocated within a predetermined range before and after the position of the first heating unit. And

上記課題を解決する第５の発明に係る蒸着装置は、
上記第４の発明に記載の蒸着装置において、
前記第２加熱手段、前記第３加熱手段は、前記ガラス基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、加熱を停止することを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to a fifth invention for solving the above-mentioned problem is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the fourth invention,
The second heating unit and the third heating unit stop heating when moving in the direction opposite to the conveying direction of the glass substrate.

上記課題を解決する第６の発明に係る蒸着装置は、
上記第１〜第５のいずれかの発明に記載の蒸着装置において、
前記保持部材の前記枠部材又は前記マスク部材に、前記ガラス基板の端部を前記蒸着源からの輻射熱に曝す開口部若しくは切欠部を設けたことを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to a sixth invention for solving the above-described problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to any one of the first to fifth inventions,
The frame member or the mask member of the holding member is provided with an opening or a notch for exposing an end of the glass substrate to radiant heat from the vapor deposition source.

上記課題を解決する第７の発明に係る蒸着装置は、
上記第１〜第６のいずれかの発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源の両側端部の温度を、前記蒸着源の他の部分より高くしたことを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to a seventh invention for solving the above-described problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to any one of the first to sixth inventions,
The temperature at both end portions of the vapor deposition source is higher than the other portions of the vapor deposition source.

上記課題を解決する第８の発明に係る蒸着装置は、
上記第１〜第６のいずれかの発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源の両側端部の近傍に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱する２つの第４加熱手段を設けたことを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to an eighth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to any one of the first to sixth inventions,
Two fourth heating means for heating both side end portions in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate are provided in the vicinity of both side end portions of the vapor deposition source.

上記課題を解決する第９の発明に係る蒸着装置は、
上記第１〜第６のいずれかの発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源の両側端部における前記ガラス基板への輻射熱が発生する面積を、前記蒸着源の他の部分より大きくしたことを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to a ninth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to any one of the first to sixth inventions,
An area where radiant heat to the glass substrate is generated at both end portions of the vapor deposition source is made larger than other portions of the vapor deposition source.

上記課題を解決する第１０の発明に係る蒸着装置は、
上記第９の発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to a tenth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition apparatus according to the ninth aspect,
The vapor deposition source is characterized in that the area at which radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in the transport direction of the glass substrate.

上記課題を解決する第１１の発明に係る蒸着装置は、
上記第９の発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部の開口面積を他の部分より大きくすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする。 An evaporation apparatus according to an eleventh invention for solving the above-described problem is
In the vapor deposition apparatus according to the ninth aspect,
The vapor deposition source is characterized in that an area in which radiant heat is generated is increased by making an opening area of both end portions of the vapor deposition source larger than that of other portions.

上記課題を解決する第１２の発明に係る蒸着装置は、
上記第９の発明に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする。 A vapor deposition apparatus according to a twelfth invention for solving the above-mentioned problems is
In the vapor deposition apparatus according to the ninth aspect,
The vapor deposition source is characterized in that the area at which the radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate.

上記課題を解決する第１３の発明に係る蒸着方法は、
ガラス基板の蒸着面をマスクするマスク部材を保持すると共に前記ガラス基板の周辺部を載置する枠部材を有する保持部材に、前記ガラス基板を載置し、
前記ガラス基板が載置された前記保持部材を搬送手段により搬送し、
前記搬送手段に搬送される前記ガラス基板の蒸着面に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に長い開口部から、又は、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に列状に並べた複数の短い開口部から蒸着源の蒸着材料の蒸気を供給し、
前記ガラス基板を搬送しながら、前記マスク部材を通して前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う蒸着方法において、
前記ガラス基板を挟んだ前記蒸着源の反対側であり、前記蒸着源の両側端部に対向する位置に設けた２組の第１加熱手段を用いて、前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱することを特徴とする。 A vapor deposition method according to a thirteenth invention for solving the above-mentioned problems is
Holding the mask member that masks the vapor deposition surface of the glass substrate and placing the glass substrate on a holding member having a frame member for placing the peripheral portion of the glass substrate;
The holding member on which the glass substrate is placed is conveyed by a conveying means,
Plural arranged in a row on the vapor deposition surface of the glass substrate conveyed to the conveying means from an opening long in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate or in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate Supply vapor of the vapor deposition material of the vapor deposition source through a short opening of
In the vapor deposition method of performing vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate through the mask member while conveying the glass substrate,
Vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate by using two sets of first heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and facing the both side ends of the vapor deposition source. In this case, both end portions in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are heated.

上記課題を解決する第１４の発明に係る蒸着方法は、
上記第１３の発明に記載の蒸着方法において、
前記第１加熱手段として、複数に分割されて、分割部分が各々独立して前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に移動可能なものを用いて、
前記第１加熱手段と前記蒸着源との間に前記ガラス基板が存在しないときには、前記蒸着源の蒸着領域から前記第１加熱手段の各分割部分を逐次退避させることを特徴とする。 A vapor deposition method according to a fourteenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the thirteenth invention,
The first heating means is divided into a plurality of parts, and each of the divided parts is independently movable in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate,
When the glass substrate is not present between the first heating unit and the vapor deposition source, each divided portion of the first heating unit is sequentially retracted from the vapor deposition region of the vapor deposition source.

上記課題を解決する第１５の発明に係る蒸着方法は、
上記第１３又は第１４の発明に記載の蒸着方法において、
更に、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に設けた、前記ガラス基板の搬送方向の後端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第２加熱手段と、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に設けた、前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第３加熱手段と、
前記ガラス基板の搬送方向の後端部を追尾して、該後端部と共に前記第２加熱手段を移動させると共に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部を追尾して、該前端部と共に前記第３加熱手段を移動させる移動手段とを用いて、
前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て及び後端部の全てを、前記ガラス基板を搬送させながら加熱することを特徴とする。 A vapor deposition method according to a fifteenth aspect of the present invention for solving the above-described problem is
In the vapor deposition method according to the thirteenth or fourteenth aspect,
Furthermore,
A second heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and having a length capable of heating all or most or part of the rear end portion in the transport direction of the glass substrate;
A third heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and having a length capable of heating all or most or part of the front end in the transport direction of the glass substrate;
Tracking the rear end of the glass substrate in the transport direction, moving the second heating means together with the rear end, tracking the front end of the glass substrate in the transport direction, and moving the second end together with the front end. 3 Using the moving means for moving the heating means,
When vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, all the front end portion and all the rear end portions in the conveyance direction of the glass substrate on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are conveyed with the glass substrate. It is characterized by heating.

上記課題を解決する第１６の発明に係る蒸着方法は、
上記第１５の発明に記載の蒸着方法において、
前記第２加熱手段を、前記第１加熱手段の近傍までの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第１加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させると共に、
前記第３加熱手段を、前記第１加熱手段の近傍からの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第１加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させることを特徴とする。 A vapor deposition method according to a sixteenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the fifteenth aspect,
Reciprocating the second heating means within a predetermined range up to the vicinity of the first heating means, or reciprocating within a predetermined range before and after the position of the first heating means,
The third heating unit is reciprocated within a predetermined range from the vicinity of the first heating unit, or is reciprocated within a predetermined range before and after the position of the first heating unit. And

上記課題を解決する第１７の発明に係る蒸着方法は、
上記第１６の発明に記載の蒸着方法において、
前記第２加熱手段、前記第３加熱手段が前記ガラス基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、前記第２加熱手段、前記第３加熱手段による加熱を停止することを特徴とする。 The vapor deposition method according to the seventeenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the sixteenth aspect,
When the second heating unit and the third heating unit move in the direction opposite to the conveyance direction of the glass substrate, heating by the second heating unit and the third heating unit is stopped. .

上記課題を解決する第１８の発明に係る蒸着方法は、
上記第１３〜第１７のいずれかの発明に記載の蒸着方法において、
前記保持部材の前記枠部材又は前記マスク部材に設けた開口部若しくは切欠部を用いて、前記ガラス基板の端部を前記蒸着源からの輻射熱に曝すことを特徴とする。 A vapor deposition method according to an eighteenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to any one of the thirteenth to seventeenth inventions,
The end of the glass substrate is exposed to radiant heat from the vapor deposition source using an opening or a notch provided in the frame member or the mask member of the holding member.

上記課題を解決する第１９の発明に係る蒸着方法は、
上記第１３〜第１８のいずれかの発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部の温度を、前記蒸着源の他の部分より高くすることを特徴とする。 A vapor deposition method according to a nineteenth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to any one of the thirteenth to eighteenth inventions,
The temperature at both end portions of the vapor deposition source is set higher than other portions of the vapor deposition source.

上記課題を解決する第２０の発明に係る蒸着方法は、
上記第１３〜第１８のいずれかの発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部の近傍に設けた２つの第４加熱手段を用いて、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱することを特徴とする。 A vapor deposition method according to a twentieth invention for solving the above-mentioned problems is as follows.
In the vapor deposition method according to any one of the thirteenth to eighteenth inventions,
Two end portions in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate are heated using two fourth heating means provided in the vicinity of both end portions of the vapor deposition source.

上記課題を解決する第２１の発明に係る蒸着方法は、
上記第１３〜第１８のいずれかの発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部における前記ガラス基板への輻射熱が発生する面積を、前記蒸着源の他の部分より大きくすることを特徴とする。 A vapor deposition method according to a twenty-first aspect of the present invention for solving the above problem is as follows:
In the vapor deposition method according to any one of the thirteenth to eighteenth inventions,
An area where radiant heat to the glass substrate is generated at both end portions of the vapor deposition source is made larger than other portions of the vapor deposition source.

上記課題を解決する第２２の発明に係る蒸着方法は、
上記第２１の発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする。 A vapor deposition method according to a twenty-second aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the twenty-first invention,
An area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in the conveying direction of the glass substrate.

上記課題を解決する第２３の発明に係る蒸着方法は、
上記第２１の発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部の開口面積を他の部分より大きくすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする。 A vapor deposition method according to a twenty-third aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the twenty-first invention,
It is characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by making an opening area of both end portions of the vapor deposition source larger than other portions.

上記課題を解決する第２４の発明に係る蒸着方法は、
上記第２１の発明に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする。 A vapor deposition method according to a twenty-fourth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
In the vapor deposition method according to the twenty-first invention,
An area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate.

第１、第１３の発明によれば、蒸着源からの輻射熱が保持部材により遮断されるガラス基板の両側端部を、２つの第１加熱手段によりガラス基板の蒸着面の反対側から加熱するので、蒸着の際に蒸着源に曝されるガラス基板の温度を均一にして、その温度差を小さくすることができ、その結果、熱応力を低減させて、ガラス基板の割れや破損を防止することができる。又、割れや破損により使用できなくなるガラス基板の面積も低減されて、ガラス基板の面積を有効に使用することができる。   According to the first and thirteenth inventions, both end portions of the glass substrate where the radiant heat from the vapor deposition source is blocked by the holding member are heated from the opposite side of the vapor deposition surface of the glass substrate by the two first heating means. The temperature of the glass substrate exposed to the vapor deposition source during vapor deposition can be made uniform, and the temperature difference can be reduced, thereby reducing the thermal stress and preventing the glass substrate from cracking or breaking. Can do. Further, the area of the glass substrate that cannot be used due to cracking or breakage is reduced, and the area of the glass substrate can be used effectively.

第２、第１４の発明によれば、第１加熱手段と蒸着源との間にガラス基板が存在しないときには、つまり、搬送されるガラス基板同士の隙間部分が蒸着源の上方にきたときには、蒸着源の蒸着領域から第１加熱手段を分割して退避させるので、第１加熱手段に蒸着材料が付着することはなく、加熱性やメンテナンス性に悪影響を与えることはない。   According to the second and fourteenth inventions, when there is no glass substrate between the first heating means and the vapor deposition source, that is, when the gap between the glass substrates being conveyed comes above the vapor deposition source, vapor deposition is performed. Since the first heating means is divided and retracted from the vapor deposition region of the source, the vapor deposition material does not adhere to the first heating means, and the heatability and maintenance performance are not adversely affected.

第３、第４、第１５、第１６の発明によれば、搬送されるガラス基板を追尾して、その前端部及び後端部を、第２加熱手段、第３加熱手段によりガラス基板の蒸着面の反対側から加熱するので、蒸着の際にガラス基板面内の温度を均一にして、ガラス基板面内の温度差を小さくすることができ、その結果、熱応力を低減させて、ガラス基板の割れや破損を防止することができる。   According to the third, fourth, fifteenth and sixteenth inventions, the glass substrate to be transported is tracked, and the front and rear end portions thereof are vapor-deposited by the second heating means and the third heating means. Since heating is performed from the opposite side of the surface, the temperature in the glass substrate surface can be made uniform during vapor deposition, and the temperature difference in the glass substrate surface can be reduced. As a result, the thermal stress is reduced and the glass substrate is reduced. Can be prevented from cracking or breaking.

第５、第１７の発明によれば、第２加熱手段、第３加熱手段を基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、つまり、第２加熱手段、第３加熱手段がガラス基板の後端部、前端部の上方にないときには、加熱を停止するので、ガラス基板の後端部、前端部以外を加熱することはなく、ガラス基板面内の温度の均一性に悪影響を与えることはない。   According to the fifth and seventeenth inventions, when the second heating means and the third heating means are moved in the direction opposite to the substrate transport direction, that is, the second heating means and the third heating means are glass substrates. When it is not above the rear end or front end of the glass, heating is stopped, so that the other than the rear end and front end of the glass substrate are not heated, and the temperature uniformity within the glass substrate surface is adversely affected. There is no.

第６、第１８の発明によれば、保持部材側の端部に開口部若しくは切欠部を設け、ガラス基板の端部を蒸着源からの熱輻射に曝すので、蒸着の際にガラス基板面内の温度を均一にして、ガラス基板面内の温度差を小さくすることができ、その結果、熱応力を低減させて、ガラス基板の割れや破損を防止することができる。   According to the sixth and eighteenth inventions, the opening or notch is provided at the end on the holding member side, and the end of the glass substrate is exposed to heat radiation from the vapor deposition source. Thus, the temperature difference in the glass substrate surface can be reduced, and as a result, the thermal stress can be reduced and the glass substrate can be prevented from being broken or broken.

第７〜第１２、第１９〜第２４の発明によれば、蒸着源の両側端部からの熱輻射を大きくして、温度の落ち込みやすいガラス基板の両側端部をより多く加熱するので、蒸着の際にガラス基板の温度を均一にして、ガラス基板の温度差を小さくすることができ、その結果、熱応力を低減させて、ガラス基板の割れや破損を防止することができる。   According to the seventh to twelfth and nineteenth to twenty-fourth inventions, the heat radiation from the both end portions of the vapor deposition source is increased and the both end portions of the glass substrate where the temperature is likely to drop is heated more. In this case, the temperature of the glass substrate can be made uniform, and the temperature difference between the glass substrates can be reduced. As a result, the thermal stress can be reduced and the glass substrate can be prevented from being broken or broken.

以下、図１〜図５を用いて本発明に係る蒸着装置の実施形態のいくつかを説明する。   Hereinafter, some of the embodiments of the vapor deposition apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.

図１は、本発明に係る蒸着装置の実施形態の一例を示す図であり、図１（ａ）は、その概略側面図であり、図１（ｂ）は、その概略平面図である。   FIG. 1 is a view showing an example of an embodiment of a vapor deposition apparatus according to the present invention, FIG. 1 (a) is a schematic side view thereof, and FIG. 1 (b) is a schematic plan view thereof.

図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施例の蒸着装置は、インライン式の真空蒸着装置を構成するものであり、複数の成膜チャンバ１、２が一直線上に配置されて構成されるものである。成膜チャンバ１、２の内部には、各々搬送ベルト３（搬送手段）が設けられており、矩形状の平板のガラス基板４が、ガラス基板４の蒸着面をマスクする蒸着マスク（マスク部材）を保持するホルダ６０（保持部材）上に載置されて、搬送ベルト３により矢印方向へ順次搬送される構成である。又、成膜チャンバ１、２には、各々真空ポンプ、ガス供給系（図示省略）が設けられており、内部を所望の雰囲気、圧力に制御可能な構成である。なお、ここでは、一部の成膜チャンバのみを例示しているが、ガラス基板４を搬入、搬出するロードロックチャンバ等も有するものである。又、製造する目的に合わせて、成膜チャンバを更に増やした構成としてもよい。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the vapor deposition apparatus of this embodiment constitutes an in-line type vacuum vapor deposition apparatus, and a plurality of film forming chambers 1 and 2 are arranged in a straight line. It is composed. Each of the film forming chambers 1 and 2 is provided with a transport belt 3 (transport means), and a rectangular flat glass substrate 4 masks the deposition surface of the glass substrate 4 (mask member). Is placed on a holder 60 (holding member) that holds the toner and is sequentially transported in the direction of the arrow by the transport belt 3. The film forming chambers 1 and 2 are each provided with a vacuum pump and a gas supply system (not shown) so that the inside can be controlled to a desired atmosphere and pressure. Here, only a part of the film forming chambers is illustrated, but a load lock chamber or the like for loading and unloading the glass substrate 4 is also provided. Further, the film forming chamber may be further increased in accordance with the purpose of manufacturing.

又、成膜チャンバ１、２の下方側には、搬送ベルト３に搬送されるガラス基板４の蒸着面に対向して、ガラス基板４を下方から臨む蒸着源５５、５６が設けられている。蒸着源５５、５６の上方には、ガラス基板４の搬送方向に垂直な方向に長い開口部５７が設けられており、この開口部５７から蒸着材料の蒸気をガラス基板４へ供給し、ホルダ６０の蒸着マスクを通してガラス基板４に所望の成膜を行う構成である。つまり、本実施例の蒸着装置は、搬送ベルト３によりホルダ６０と共にガラス基板４を矢印方向へ順次搬送しながら、各々の成膜チャンバ１、２において、所望の雰囲気、圧力下で、所望の成膜を行う構成である。なお、本実施例においては、図７（ｂ）、（ｃ）に示した従来の蒸着源５５、５６及びホルダ６０を使用しており、蒸着源５５、５６及びホルダ６０の構成については、その詳細な説明を省略する。又、本発明においては、長い１つの開口部５７を有する蒸着源５５、５６を使用しているが、蒸着源５５、５６に替えて、短い開口部を有する小型のるつぼを列状に複数個並べた蒸着源も適用可能である。   Further, on the lower side of the film forming chambers 1 and 2, vapor deposition sources 55 and 56 that face the glass substrate 4 from below are provided facing the vapor deposition surface of the glass substrate 4 that is conveyed to the conveyance belt 3. Above the vapor deposition sources 55, 56, an opening 57 that is long in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate 4 is provided. Vapor of the vapor deposition material is supplied from the opening 57 to the glass substrate 4, and the holder 60 The desired film is formed on the glass substrate 4 through the vapor deposition mask. In other words, the vapor deposition apparatus of the present example performs the desired growth under the desired atmosphere and pressure in each of the film forming chambers 1 and 2 while sequentially transporting the glass substrate 4 together with the holder 60 by the transport belt 3 in the direction of the arrow. It is the structure which performs a film | membrane. In this embodiment, the conventional vapor deposition sources 55 and 56 and the holder 60 shown in FIGS. 7B and 7C are used, and the configurations of the vapor deposition sources 55 and 56 and the holder 60 are as follows. Detailed description is omitted. In the present invention, the vapor deposition sources 55 and 56 having one long opening 57 are used. Instead of the vapor deposition sources 55 and 56, a plurality of small crucibles having short openings are arranged in a line. A side-by-side vapor deposition source is also applicable.

本実施例の蒸着装置において、成膜チャンバ１、２の上方側には、成膜チャンバ１、２毎に複数の加熱ヒータ７、８、９が設けられており、加熱ヒータ７、８、９により、特に基板温度の落ち込みが大きいガラス基板４の４辺の端部を加熱できるように構成されている。   In the vapor deposition apparatus of the present embodiment, a plurality of heaters 7, 8, 9 are provided for each film forming chamber 1, 2 above the film forming chambers 1, 2, and the heaters 7, 8, 9 are provided. Thus, the end portions of the four sides of the glass substrate 4 having a large substrate temperature drop can be heated.

具体的には、加熱ヒータ７（第１加熱手段）は、ガラス基板４の搬送方向に垂直な方向の両側の端部（以降、ガラス基板の両側端部と呼ぶ。）をガラス基板４の上方側から加熱できるように、ガラス基板４を挟んだ蒸着源５５、５６の反対側であり、蒸着源５５、５６の開口部５７の両側端部に対向した位置に１組ずつ、計２組配置されて、固定されている。つまり、加熱ヒータ７は、ガラス基板４の蒸着面に蒸着を行う際、ホルダ６０の裏面側から、蒸着源５５、５６の開口部５７上に位置するガラス基板４の両側端部の一部分のみを加熱できるように配置されたものである。このように、加熱ヒータ７を用いることにより、ガラス基板４の両側端部の温度の落ち込みを防止することができる。なお、加熱ヒータ７としては、必要な部分のみ加熱可能なように、集光性のあるスポットヒータ等を用いている。   Specifically, the heater 7 (first heating means) has upper ends on both sides in the direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate 4 (hereinafter referred to as both side ends of the glass substrate) above the glass substrate 4. Two sets are arranged, one set at a position opposite to the both end portions of the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56 on the opposite side of the vapor deposition sources 55 and 56 with the glass substrate 4 sandwiched between them. Has been fixed. That is, when the heater 7 performs vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate 4, only a part of both side end portions of the glass substrate 4 located on the openings 57 of the vapor deposition sources 55, 56 from the back surface side of the holder 60. It is arranged so that it can be heated. Thus, by using the heater 7, it is possible to prevent a temperature drop at both end portions of the glass substrate 4. In addition, as the heater 7, the spot heater etc. with a condensing property are used so that only a required part can be heated.

又、加熱ヒータ８（第２加熱手段）は、ガラス基板４の搬送方向の後方側の端部（以降、ガラス基板の後端部と呼ぶ。）をガラス基板４の蒸着面の反対側の方から加熱できるように、ガラス基板４を挟んで、蒸着源５５、５６と反対側の方に配置されると共に、ガラス基板４の搬送と同期して同じ速度で移動可能に設けられている。又、この加熱ヒータ８は、ガラス基板４の搬送方向に垂直な方向（以降、ガラス基板の幅方向と呼ぶ。）に長く、ガラス基板４の後端部の幅方向全てを均一に加熱するものである。   Further, the heater 8 (second heating means) has an end on the rear side in the conveyance direction of the glass substrate 4 (hereinafter referred to as a rear end of the glass substrate) on the side opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate 4. The glass substrate 4 is disposed on the opposite side of the vapor deposition sources 55 and 56 so that the glass substrate 4 can be heated, and can be moved at the same speed in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4. The heater 8 is long in the direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate 4 (hereinafter referred to as the width direction of the glass substrate) and uniformly heats all the width directions of the rear end portion of the glass substrate 4. It is.

又、加熱ヒータ９（第３加熱手段）は、ガラス基板４の搬送方向の前方側の端部（以降、ガラス基板の前端部と呼ぶ。）をガラス基板４の蒸着面の反対側の方から加熱できるように、ガラス基板４を挟んで、蒸着源５５、５６と反対側の方に配置されると共に、ガラス基板４の搬送と同期して同じ速度で移動可能に設けられている。又、この加熱ヒータ９は、ガラス基板４の幅方向に長く、ガラス基板４の前端部の幅方向全てを均一に加熱するものである。   Further, the heater 9 (third heating means) has an end portion on the front side in the conveying direction of the glass substrate 4 (hereinafter referred to as a front end portion of the glass substrate) from the opposite side of the vapor deposition surface of the glass substrate 4. The glass substrate 4 is disposed on the opposite side of the vapor deposition sources 55 and 56 so that the glass substrate 4 can be heated, and is provided so as to be movable at the same speed in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4. The heater 9 is long in the width direction of the glass substrate 4 and uniformly heats the entire width direction of the front end portion of the glass substrate 4.

なお、加熱ヒータ８、９は、ガラス基板４の幅方向に長い線状の形状のものであるが、例えば、スポットヒータを複数一列に配置したもので代替してもよい。   The heaters 8 and 9 have a linear shape that is long in the width direction of the glass substrate 4, but may be replaced with a plurality of spot heaters arranged in a row, for example.

上記加熱ヒータ８には、ガラス基板４の後端部を検知して追尾可能とする追尾センサ（図示せず）が設けられており、この追尾センサ及び移動装置（移動手段；図示せず）により、ガラス基板４の搬送に同期して加熱ヒータ８を移動させて、ガラス基板４を搬送しながら、その後端部を加熱可能としている。具体的な移動動作を説明すると、１つ前の成膜チャンバ（例えば、図１中の成膜チャンバ１）の加熱ヒータ７をガラス基板４の後端部が通過した後、加熱ヒータ８は、ガラス基板４の後端部の追尾を開始し、ガラス基板４の搬送に同期して移動する。そして、次の成膜チャンバ（例えば、図１中の成膜チャンバ２）の加熱ヒータ７の手前まで、ガラス基板４の搬送に同期して、ガラス基板４と共に移動していく。その後、次に搬送されてくるガラス基板４に対応するために、１つ前の成膜チャンバ（例えば、図１中の成膜チャンバ１）の加熱ヒータ７の近傍まで速やかに戻り、同様の移動動作で、次に搬送されてくるガラス基板４の追尾を開始する。つまり、加熱ヒータ８は、任意の蒸着装置の加熱ヒータ７の近傍から次の蒸着装置の加熱ヒータ７の近傍までの所定範囲内を往復運動する構成である。   The heater 8 is provided with a tracking sensor (not shown) that can detect and track the rear end of the glass substrate 4, and the tracking sensor and a moving device (moving means; not shown). The heater 8 is moved in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4 so that the rear end portion can be heated while conveying the glass substrate 4. A specific moving operation will be described. After the rear end portion of the glass substrate 4 passes through the heater 7 of the previous film formation chamber (for example, the film formation chamber 1 in FIG. 1), the heater 8 Tracking of the rear end of the glass substrate 4 is started, and the glass substrate 4 moves in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4. Then, it moves with the glass substrate 4 in synchronism with the conveyance of the glass substrate 4 to the front of the heater 7 in the next film formation chamber (for example, the film formation chamber 2 in FIG. 1). After that, in order to correspond to the next glass substrate 4 to be transported, it quickly returns to the vicinity of the heater 7 in the previous film formation chamber (for example, the film formation chamber 1 in FIG. 1), and moves in the same manner. In operation, tracking of the glass substrate 4 that is transported next is started. That is, the heater 8 is configured to reciprocate within a predetermined range from the vicinity of the heater 7 of any vapor deposition apparatus to the vicinity of the heater 7 of the next vapor deposition apparatus.

上記加熱ヒータ９にも、同様に、ガラス基板４の前端部を検知して追尾可能とする追尾センサ（図示せず）が設けられており、この追尾センサ及び移動装置（移動手段；図示せず）により、ガラス基板４の搬送に同期して加熱ヒータ９を移動させて、ガラス基板４を搬送しながら、その前端部を加熱可能としている。具体的な移動動作を説明すると、成膜チャンバ（例えば、図１中の成膜チャンバ１）の加熱ヒータ７をガラス基板４の前端部が通過した後、加熱ヒータ９は、ガラス基板４の前端部の追尾を開始し、ガラス基板４の搬送に同期して移動する。そして、次の成膜チャンバ（例えば、図１中の成膜チャンバ２）の加熱ヒータ７の手前まで、ガラス基板４の搬送に同期して、ガラス基板４と共に移動していく。その後、次に搬送されてくるガラス基板４に対応するために、１つ前の成膜チャンバ（例えば、図１中の成膜チャンバ１）の加熱ヒータ７の近傍まで速やかに戻り、同様の移動動作で、次に搬送されてくるガラス基板４の追尾を開始する。つまり、加熱ヒータ９も、任意の蒸着装置の加熱ヒータ７の近傍から次の蒸着装置の加熱ヒータ７の近傍までの所定範囲内を往復運動する構成である。   Similarly, the heater 9 is also provided with a tracking sensor (not shown) that can detect and track the front end of the glass substrate 4, and this tracking sensor and moving device (moving means; not shown). ), The heater 9 is moved in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4, and the front end portion of the glass substrate 4 can be heated while the glass substrate 4 is conveyed. A specific moving operation will be described. After the front end of the glass substrate 4 passes through the heater 7 of the film forming chamber (for example, the film forming chamber 1 in FIG. 1), the heater 9 is moved to the front end of the glass substrate 4. The tracking of the part starts and moves in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4. Then, it moves with the glass substrate 4 in synchronism with the conveyance of the glass substrate 4 to the front of the heater 7 in the next film formation chamber (for example, the film formation chamber 2 in FIG. 1). After that, in order to correspond to the next glass substrate 4 to be transported, it quickly returns to the vicinity of the heater 7 in the previous film formation chamber (for example, the film formation chamber 1 in FIG. 1), and moves in the same manner. In operation, tracking of the glass substrate 4 that is transported next is started. That is, the heater 9 is also configured to reciprocate within a predetermined range from the vicinity of the heater 7 of any vapor deposition apparatus to the vicinity of the heater 7 of the next vapor deposition apparatus.

なお、上記追尾センサに替えて、加熱ヒータ７をガラス基板４の前端部及び後端部が通過したことを検知する位置センサ（例えば、リミットセンサ、リミットスイッチ等）を設け、位置センサでの検知により、ガラス基板４の搬送と加熱ヒータ８、９の移動を機械的に連動させて、ガラス基板４を搬送しながら、その前端部及び後端部を加熱するようにしてもよい。   Instead of the tracking sensor, a position sensor (for example, a limit sensor, a limit switch, etc.) for detecting that the front end portion and the rear end portion of the glass substrate 4 have passed through the heater 7 is provided. Thus, the conveyance of the glass substrate 4 and the movement of the heaters 8 and 9 may be mechanically interlocked to heat the front end portion and the rear end portion while conveying the glass substrate 4.

このように、搬送方向に移動可能な加熱ヒータ８、９を用いることにより、ガラス基板４を搬送しながら、ガラス基板４の前端部及び後端部の温度の落ち込みも防止することができる。   As described above, by using the heaters 8 and 9 that can move in the transport direction, it is possible to prevent the temperature drop at the front end portion and the rear end portion of the glass substrate 4 while transporting the glass substrate 4.

従って、ガラス基板４の温度が落ち込む端部を、上記構成の加熱ヒータ７、８、９を用いて、ガラス基板４の蒸着面の反対側の方から局所的に加熱することにより、ガラス基板４の面内温度差を従来と比較して小さくすることができる。その結果、ガラス基板４の熱応力を低減して、ガラス基板４の割れを防止することができる。特に、本実施例のように、ホルダ６０の陰になることにより、蒸発源５、６からの輻射熱が遮断されて、温度が落ち込みやすく、又、割れの起点にもなりうるガラス基板４の端部を局部的に加熱することにより、割れの発生を効率的に防止することが可能となる。   Therefore, the glass substrate 4 is heated locally at the end where the temperature of the glass substrate 4 drops by using the heaters 7, 8, 9 having the above-described configuration from the opposite side of the vapor deposition surface of the glass substrate 4. The in-plane temperature difference can be reduced as compared with the prior art. As a result, the thermal stress of the glass substrate 4 can be reduced and the glass substrate 4 can be prevented from cracking. In particular, as in the present embodiment, the shadow of the holder 60 blocks the radiant heat from the evaporation sources 5 and 6 so that the temperature is likely to drop, and the edge of the glass substrate 4 can also be a starting point of cracking. By locally heating the part, it is possible to efficiently prevent the occurrence of cracks.

なお、本実施例においては、加熱ヒータ７、８、９を全て備える構成例を示したが、成膜チャンバにおけるプロセス条件によっては、少なくとも加熱ヒータ７を有する構成であればよく、プロセス条件に応じて、加熱ヒータ８、９を追加すればよい。又、搬送ベルト３を備えず、ガラス基板４の位置を固定して蒸着を行う蒸着装置の場合には、位置が固定されたガラス基板４の４辺の端部に対応する位置に、ガラス基板４を挟んで、蒸着源と反対側の方に加熱ヒータを配置すればよい。   In the present embodiment, the configuration example including all the heaters 7, 8, and 9 is shown. However, depending on the process conditions in the film forming chamber, the configuration may include at least the heater 7, and depending on the process conditions. Then, the heaters 8 and 9 may be added. In the case of a vapor deposition apparatus that does not include the conveyor belt 3 and performs vapor deposition while fixing the position of the glass substrate 4, the glass substrate is positioned at positions corresponding to the end portions of the four sides of the glass substrate 4 with the fixed position. What is necessary is just to arrange | position a heater in the direction on the opposite side to a vapor deposition source on the other hand.

又、本実施例では、ホルダとして従来のホルダ６０を用い、蒸着源としては従来の蒸着源５５、５６を用いているが、後述する実施例２の蒸着マスク、後述する実施例３の蒸着源を用いることにより、より効果的にガラス基板４の端部での温度の落ち込みを低減することが可能である。   In this embodiment, the conventional holder 60 is used as the holder, and the conventional vapor deposition sources 55 and 56 are used as the vapor deposition source. However, the vapor deposition mask of the second embodiment described later and the vapor deposition source of the third embodiment described later. By using, it is possible to more effectively reduce the temperature drop at the end of the glass substrate 4.

（実施例１の変形例）
図６は、実施例１の蒸着装置の変形例を示す図であり、図６（ａ）は、その概略側面図であり、図６（ｂ）は、その概略平面図である。 (Modification of Example 1)
FIG. 6 is a view showing a modification of the vapor deposition apparatus of Example 1, FIG. 6 (a) is a schematic side view thereof, and FIG. 6 (b) is a schematic plan view thereof.

図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例の蒸着装置は、その基本的構成が図１に示す蒸着装置と同等のものである。従って、同等の構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。本変形例の蒸着装置は、図１に示す蒸着装置に設けた加熱ヒータ７、８、９に替わり、加熱ヒータ４１、４２、４３を設けることにより、特に基板温度の落ち込みが大きいガラス基板４の４辺の端部を加熱できるように構成されている。   As shown in FIGS. 6A and 6B, the vapor deposition apparatus of the present modification has the same basic configuration as the vapor deposition apparatus shown in FIG. Accordingly, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. The vapor deposition apparatus of this modification is provided with the heaters 41, 42, 43 instead of the heaters 7, 8, 9 provided in the vapor deposition apparatus shown in FIG. It is comprised so that the edge part of 4 sides can be heated.

具体的には、加熱ヒータ４１（第１加熱手段）は、ガラス基板４の両側端部をガラス基板４の上方側から加熱できるように、ガラス基板４を挟んだ蒸着源５５、５６の反対側であり、蒸着源５５、５６の開口部５７の両側端部に対向した位置に１組ずつ、計２組配置されている。つまり、加熱ヒータ４１は、ガラス基板４の蒸着面に蒸着を行う際、ホルダ６０の裏面側から、蒸着源５５、５６の開口部５７上に位置するガラス基板４の両側端部の一部分のみを加熱できるように配置されたものである。このように、加熱ヒータ４１を用いることにより、ガラス基板４の両側端部の温度の落ち込みを防止することができる。なお、加熱ヒータ４１としては、必要な部分のみ加熱可能なように、集光性のあるスポットヒータ等を用いている。   Specifically, the heater 41 (first heating means) is opposite to the vapor deposition sources 55 and 56 sandwiching the glass substrate 4 so that both side ends of the glass substrate 4 can be heated from above the glass substrate 4. A total of two sets are arranged, one set at a position facing both end portions of the opening 57 of the vapor deposition sources 55 and 56. That is, when the heater 41 performs vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate 4, only a part of both side end portions of the glass substrate 4 located on the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56 from the back surface side of the holder 60. It is arranged so that it can be heated. In this way, by using the heater 41, it is possible to prevent a temperature drop at both end portions of the glass substrate 4. In addition, as the heater 41, the spot heater etc. with a condensing property are used so that only a required part can be heated.

更に、加熱ヒータ４１は、ガラス基板４の搬送方向において２つ以上に分割されて（図６では、一例として３分割）、分割された部分が各々独立してガラス基板４の幅方向に移動可能に構成されている。図１に示す加熱ヒータ７のように、その位置が固定されたものは、順次搬送されるガラス基板４同士の間に形成される隙間を通って、蒸着源５５、５６からの蒸着材料が付着して、加熱ヒータ７の加熱性、メンテナンス性に影響を与える可能性がある。そこで、本変形例では、加熱ヒータ４１を複数に分割すると共に、各々独立してガラス基板４の幅方向に移動可能とすることにより、ガラス基板４間の隙間部分が蒸着源５５、５６の開口部５７を通過するときには、つまり、加熱ヒータ４１と蒸着源５５、５６の間にガラス基板４が存在しないときには、蒸着領域となる開口部５７の領域から退避するように、分割された加熱ヒータ４１をガラス基板４の幅方向に逐次移動させて、蒸着源５５、５６からの蒸着材料の加熱ヒータ４１への付着を防止している。なお、加熱ヒータ４１は、複数に分割されるので、ガラス基板４の搬送方向に所定の長さを有することが望ましい。   Furthermore, the heater 41 is divided into two or more in the conveyance direction of the glass substrate 4 (in FIG. 6, as an example, three divisions), and the divided portions can move independently in the width direction of the glass substrate 4. It is configured. In the case of the heater 7 shown in FIG. 1 whose position is fixed, the vapor deposition material from the vapor deposition sources 55 and 56 adheres through the gap formed between the glass substrates 4 that are sequentially conveyed. Thus, there is a possibility of affecting the heatability and maintainability of the heater 7. Therefore, in this modification, the heater 41 is divided into a plurality of parts and each of the heaters 41 can be independently moved in the width direction of the glass substrate 4, so that the gap between the glass substrates 4 is opened by the evaporation sources 55 and 56. When passing through the section 57, that is, when the glass substrate 4 is not present between the heater 41 and the vapor deposition sources 55 and 56, the heater 41 is divided so as to retreat from the area of the opening 57 serving as the vapor deposition area. Are sequentially moved in the width direction of the glass substrate 4 to prevent the deposition material from the deposition sources 55 and 56 from adhering to the heater 41. In addition, since the heater 41 is divided | segmented into plurality, it is desirable to have predetermined length in the conveyance direction of the glass substrate 4. FIG.

又、加熱ヒータ４２（第２加熱手段）は、ガラス基板４の後端部をガラス基板４の蒸着面の反対側の方から加熱できるように、ガラス基板４を挟んで、蒸着源５５、５６と反対側の方に配置されると共に、ガラス基板４の搬送と同期して同じ速度で移動可能に設けられている。又、この加熱ヒータ４２は、ガラス基板４の幅方向に長いものであるが、ガラス基板４の両側端部に配置された加熱ヒータ４１の間を通過できるように、ガラス基板４の後端部の幅方向の大部分又は一部を均一に加熱する長さに設定されている。   Further, the heater 42 (second heating means) is provided with vapor deposition sources 55 and 56 with the glass substrate 4 interposed therebetween so that the rear end portion of the glass substrate 4 can be heated from the opposite side of the vapor deposition surface of the glass substrate 4. Are arranged so as to be movable at the same speed in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4. Further, the heater 42 is long in the width direction of the glass substrate 4, but the rear end portion of the glass substrate 4 can be passed between the heaters 41 arranged at both end portions of the glass substrate 4. The length is set to uniformly heat most or part of the width direction.

又、加熱ヒータ４３（第３加熱手段）は、ガラス基板４の前端部をガラス基板４の蒸着面の反対側の方から加熱できるように、ガラス基板４を挟んで、蒸着源５５、５６と反対側の方に配置されると共に、ガラス基板４の搬送と同期して同じ速度で移動可能に設けられている。又、この加熱ヒータ４３は、ガラス基板４の幅方向に長いものであるが、ガラス基板４の両側端部に配置された加熱ヒータ４１の間を通過できるように、ガラス基板４の前端部の幅方向の大部分又は一部を均一に加熱する長さに設定されている。   In addition, the heater 43 (third heating means) has the glass substrate 4 sandwiched between the vapor deposition sources 55 and 56 so that the front end of the glass substrate 4 can be heated from the opposite side of the vapor deposition surface of the glass substrate 4. It is arranged on the opposite side and is movably provided at the same speed in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4. Further, the heater 43 is long in the width direction of the glass substrate 4, but the width of the front end portion of the glass substrate 4 is such that it can pass between the heaters 41 arranged on both side ends of the glass substrate 4. The length is set to uniformly heat most or part of the direction.

なお、加熱ヒータ４２、４３は、ガラス基板４の幅方向に長い線状の形状のものであるが、例えば、スポットヒータを複数一列に配置したもので代替してもよい。   In addition, although the heaters 42 and 43 are linear shapes long in the width direction of the glass substrate 4, for example, a plurality of spot heaters arranged in a row may be substituted.

上記加熱ヒータ４２には、ガラス基板４の後端部を検知して追尾可能とする追尾センサ（図示せず）が設けられており、この追尾センサ及び移動装置（移動手段；図示せず）により、ガラス基板４の搬送に同期して加熱ヒータ４２を移動させて、ガラス基板４を搬送しながら、その後端部を加熱可能としている。具体的な移動動作を説明すると、ガラス基板４の後端部が、加熱ヒータ４１や蒸着源５５、５６の開口部５７から手前に所定の距離離れた追尾開始位置に接近してくると、加熱ヒータ４２は、ガラス基板４の後端部の追尾を開始し、ガラス基板４の搬送に同期して移動する。そして、ガラス基板４の後端部と共に加熱ヒータ４２が、蒸着源５５、５６の開口部５７の上方を通過し、即ち、加熱ヒータ４２が両側端部に配置された加熱ヒータ４１の間を通過し、加熱ヒータ４１や蒸着源５５、５６の開口部５７から搬送方向に所定の距離離れた追尾終了位置まで、ガラス基板４の搬送に同期して、ガラス基板４と共に移動していく。その後、次に近接してくるガラス基板４の後端部に対応するために、追尾開始位置まで速やかに戻り、同様の移動動作で、次に近接してくるガラス基板４の後端部の追尾を開始する。つまり、加熱ヒータ４２は、加熱ヒータ４１、蒸着源５５、５６の開口部５７の位置を中心に、その前後を直線的に（図６（ａ）の符号Ｓ参照）、又は、その周囲を楕円的に（図６（ａ）の符号Ｏ参照）、所定範囲内を往復運動する構成である。   The heater 42 is provided with a tracking sensor (not shown) that can detect and track the rear end of the glass substrate 4, and the tracking sensor and a moving device (moving means; not shown). The heater 42 is moved in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4 so that the rear end can be heated while the glass substrate 4 is conveyed. Explaining the specific moving operation, when the rear end portion of the glass substrate 4 approaches a tracking start position that is a predetermined distance away from the heaters 41 and the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56, The heater 42 starts tracking the rear end of the glass substrate 4 and moves in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4. Then, the heater 42 together with the rear end of the glass substrate 4 passes above the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56, that is, the heater 42 passes between the heaters 41 arranged at both ends. Then, the glass substrate 4 moves with the glass substrate 4 in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4 from the heaters 41 and the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56 to the tracking end position separated by a predetermined distance in the conveyance direction. Thereafter, in order to correspond to the rear end portion of the next glass substrate 4 that comes next, it quickly returns to the tracking start position, and the tracking of the rear end portion of the next glass substrate 4 that comes next in the similar movement operation. To start. In other words, the heater 42 is linear in the front and back of the heater 41 and the positions of the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56 (refer to reference sign S in FIG. 6A) or in the vicinity of the ellipse. In particular, it is configured to reciprocate within a predetermined range (see symbol O in FIG. 6A).

上記加熱ヒータ４３にも、同様に、ガラス基板４の前端部を検知して追尾可能とする追尾センサ（図示せず）が設けられており、この追尾センサ及び移動装置（移動手段；図示せず）により、ガラス基板４の搬送に同期して加熱ヒータ４３を移動させて、ガラス基板４を搬送しながら、その前端部を加熱可能としている。具体的な移動動作を説明すると、ガラス基板４の前端部が、加熱ヒータ４１や蒸着源５５、５６の開口部５７から手前に所定の距離離れた追尾開始位置に接近してくると、加熱ヒータ４３は、ガラス基板４の前端部の追尾を開始し、ガラス基板４の搬送に同期して移動する。そして、ガラス基板４の前端部と共に加熱ヒータ４３が、蒸着源５５、５６の開口部５７の上方を通過し、即ち、加熱ヒータ４３が両側端部に配置された加熱ヒータ４１の間を通過し、加熱ヒータ４１や蒸着源５５、５６の開口部５７から搬送方向に所定の距離離れた追尾終了位置まで、ガラス基板４の搬送に同期して、ガラス基板４と共に移動していく。その後、次に近接してくるガラス基板４の前端部に対応するために、追尾開始位置まで速やかに戻り、同様の移動動作で、次に近接してくるガラス基板４の前端部の追尾を開始する。つまり、加熱ヒータ４３は、加熱ヒータ４１、蒸着源５５、５６の開口部５７の位置を中心に、その前後を直線的に（図６（ａ）の符号Ｓ参照）、又は、その周囲を楕円的に（図６（ａ）の符号Ｏ参照）、所定範囲内を往復運動する構成である。   Similarly, the heater 43 is provided with a tracking sensor (not shown) that can detect and track the front end of the glass substrate 4, and this tracking sensor and moving device (moving means; not shown). ), The heater 43 is moved in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4 so that the front end portion of the glass substrate 4 can be heated while the glass substrate 4 is conveyed. A specific moving operation will be described. When the front end portion of the glass substrate 4 approaches a tracking start position that is a predetermined distance away from the heaters 41 and the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56, the heater is heated. 43 starts tracking the front end of the glass substrate 4 and moves in synchronization with the conveyance of the glass substrate 4. Then, the heater 43 passes above the opening 57 of the vapor deposition sources 55 and 56 together with the front end portion of the glass substrate 4, that is, the heater 43 passes between the heaters 41 arranged at both end portions. The glass substrate 4 moves together with the glass substrate 4 in synchronism with the conveyance of the glass substrate 4 from the heaters 41 and the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56 to the tracking end position separated by a predetermined distance in the conveyance direction. After that, in order to correspond to the front end portion of the next glass substrate 4 that comes next, it quickly returns to the tracking start position and starts tracking the front end portion of the glass substrate 4 that comes next next by the same movement operation. To do. In other words, the heater 43 is linear in the front and back of the heater 41 and the positions of the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56 (refer to the symbol S in FIG. 6A) or in the vicinity of the ellipse. In particular, it is configured to reciprocate within a predetermined range (see symbol O in FIG. 6A).

なお、加熱ヒータ４２、４３が追尾開始位置まで戻る際には、つまり、加熱ヒータ４２、４３がガラス基板４の後端部、前端部の真上でないときには、ヒータオフ状態とし、追尾開始時に、再び、ヒータオン状態としている。又、ガラス基板４間の隙間部分が蒸着源５５、５６の開口部５７を通過するときには、追尾開始位置まで戻る時の加熱ヒータ４２、４３の移動速度を高くして、蒸着源５５、５６からの蒸着材料の加熱ヒータ４２、４３への付着を防止している。   When the heaters 42 and 43 return to the tracking start position, that is, when the heaters 42 and 43 are not directly above the rear end portion and the front end portion of the glass substrate 4, the heater is turned off. The heater is on. When the gap between the glass substrates 4 passes through the openings 57 of the vapor deposition sources 55 and 56, the moving speed of the heaters 42 and 43 when returning to the tracking start position is increased, and the vapor deposition sources 55 and 56 The deposition material is prevented from adhering to the heaters 42 and 43.

このように、搬送方向に移動可能な加熱ヒータ４２、４３を用いることにより、ガラス基板４を搬送しながら、ガラス基板４の前端部及び後端部の温度の落ち込みも防止することができる。又、加熱ヒータ４２、４３が追尾開始位置まで戻る際には、ヒータオフ状態とするので、ガラス基板の後端部、前端部以外を加熱することはなく、ガラス基板面内の温度の均一性に悪影響を与えることはない。   As described above, by using the heaters 42 and 43 that are movable in the transport direction, it is possible to prevent the temperature drop of the front end portion and the rear end portion of the glass substrate 4 while transporting the glass substrate 4. Further, when the heaters 42 and 43 return to the tracking start position, the heater is turned off, so that the portions other than the rear end portion and the front end portion of the glass substrate are not heated, and the temperature in the glass substrate surface is uniform. There is no adverse effect.

従って、ガラス基板４の温度が落ち込む端部を、上記構成の加熱ヒータ４１、４２、４３を用いて、ガラス基板４の蒸着面の反対側の方から局所的に加熱することにより、ガラス基板４の面内温度差を従来と比較して小さくすることができる。その結果、ガラス基板４の熱応力を低減して、ガラス基板４の割れを防止することができる。本変形例のように、ホルダ６０の陰になることにより、蒸発源５、６からの輻射熱が遮断されて、温度が落ち込みやすく、又、割れの起点にもなりうるガラス基板４の端部を局部的に加熱することにより、割れの発生を効率的に防止することが可能となる。   Therefore, the glass substrate 4 is heated locally at the end where the temperature of the glass substrate 4 drops by using the heaters 41, 42, and 43 having the above-described configuration, from the opposite side of the vapor deposition surface of the glass substrate 4. The in-plane temperature difference can be reduced as compared with the prior art. As a result, the thermal stress of the glass substrate 4 can be reduced and the glass substrate 4 can be prevented from cracking. As in this modification, the shadow of the holder 60 blocks the radiant heat from the evaporation sources 5 and 6, and the temperature of the glass substrate 4, which can easily drop, is also reduced. By locally heating, it becomes possible to efficiently prevent the occurrence of cracks.

なお、本変形例においても、加熱ヒータ４１、４２、４３を全て備える構成例を示したが、成膜チャンバにおけるプロセス条件によっては、少なくとも加熱ヒータ４１を有する構成であればよく、プロセス条件に応じて、加熱ヒータ４２、４３を追加すればよい。又、搬送ベルト３を備えず、ガラス基板４の位置を固定して蒸着を行う蒸着装置の場合には、位置が固定されたガラス基板４の４辺の端部に対応する位置に、ガラス基板４を挟んで、蒸着源と反対側の方に加熱ヒータを配置すればよい。   In this modified example, the configuration example including all of the heaters 41, 42, and 43 has been described. However, depending on the process conditions in the film forming chamber, the configuration may include at least the heater 41, and depending on the process conditions. Then, the heaters 42 and 43 may be added. In the case of a vapor deposition apparatus that does not include the conveyor belt 3 and performs vapor deposition while fixing the position of the glass substrate 4, the glass substrate is positioned at positions corresponding to the end portions of the four sides of the glass substrate 4 with the fixed position. What is necessary is just to arrange | position a heater in the direction on the opposite side to a vapor deposition source on the other hand.

又、本変形例でも、ホルダとして従来のホルダ６０を用い、蒸着源としては従来の蒸着源５５、５６を用いているが、後述する実施例２の蒸着マスク、後述する実施例３の蒸着源を用いることにより、より効果的にガラス基板４の端部での温度の落ち込みを低減することが可能である。   In this modified example, the conventional holder 60 is used as the holder and the conventional vapor deposition sources 55 and 56 are used as the vapor deposition source. However, the vapor deposition mask of Example 2 described later and the vapor deposition source of Example 3 described later are used. By using, it is possible to more effectively reduce the temperature drop at the end of the glass substrate 4.

図２は、本発明に係る蒸着装置の実施形態の他の一例を示す図であり、図１に示す蒸着装置において、従来のホルダ６０に換えて、図２にしめすホルダ１１、１２を用いるようにしたものである。なお、図２（ａ）は、本実施例のホルダの平面図であり、図２（ｂ）は、その断面図（図２（ａ）のＡ−Ａ’線矢視断面図）である。又、図２（ｃ）は、本実施例の変形例のホルダの平面図であり、図２（ｄ）は、その断面図（図２（ｃ）のＢ−Ｂ’線矢視断面図）である。   FIG. 2 is a view showing another example of the embodiment of the vapor deposition apparatus according to the present invention. In the vapor deposition apparatus shown in FIG. 1, the holders 11 and 12 shown in FIG. It is a thing. 2A is a plan view of the holder of the present embodiment, and FIG. 2B is a cross-sectional view thereof (a cross-sectional view taken along the line A-A ′ in FIG. 2A). 2 (c) is a plan view of a holder according to a modification of the present embodiment, and FIG. 2 (d) is a cross-sectional view thereof (a cross-sectional view taken along the line BB 'in FIG. 2 (c)). It is.

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ホルダ１１は、互いに格子状に交差して配置された複数の横格子部材１１ａ及び縦格子部材１１ｂと、４辺に配置されて、内側に横格子部材１１ａ及び縦格子部材１１ｂを支持する横枠部材１１ｃ及び縦枠部材１１ｄとから構成されている。更に、横枠部材１１ｃ及び縦枠部材１１ｄは、厚さ方向に段差がある２本の横枠副部材１１ｅ、１１ｆ及び縦枠副部材１１ｇ、１１ｈからなり、２本の枠副部材の間に開口部１１ｉ、１１ｊ、１１ｋが形成された構成である。つまり、図７（ｂ）、（ｃ）に示した従来のホルダ６０の横枠部材６０ｃ及び縦枠部材６０ｄに開口部を設けた構成である。ガラス基板４は、横枠副部材１１ｅ及び縦枠副部材１１ｇの内側に載置されると共に、ガラス基板４の端部から少し内側を、横枠副部材１１ｆ及び縦枠副部材１１ｈにより支持されている。そして、横格子部材１１ａ、縦格子部材１１ｂ、横枠副部材１１ｆ、縦枠副部材１１ｈによって形成される窓部分の蒸着マスクを通して、ガラス基板４に蒸着材料の蒸気を付着させて、所望の成膜を行う構成である。   As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), the holder 11 is arranged on four sides with a plurality of horizontal lattice members 11a and vertical lattice members 11b arranged so as to cross each other in a lattice shape, and on the inside. It is comprised from the horizontal frame member 11c and the vertical frame member 11d which support the horizontal lattice member 11a and the vertical lattice member 11b. Further, the horizontal frame member 11c and the vertical frame member 11d are composed of two horizontal frame sub-members 11e and 11f and vertical frame sub-members 11g and 11h having a step in the thickness direction, and between the two frame sub-members. In this configuration, openings 11i, 11j, and 11k are formed. That is, it is the structure which provided the opening part in the horizontal frame member 60c and the vertical frame member 60d of the conventional holder 60 shown to FIG.7 (b), (c). The glass substrate 4 is placed inside the horizontal frame sub member 11e and the vertical frame sub member 11g, and is supported a little inside from the end of the glass substrate 4 by the horizontal frame sub member 11f and the vertical frame sub member 11h. ing. Then, the vapor of the vapor deposition material is attached to the glass substrate 4 through the vapor deposition mask of the window portion formed by the horizontal lattice member 11a, the vertical lattice member 11b, the horizontal frame auxiliary member 11f, and the vertical frame auxiliary member 11h. It is the structure which performs a film | membrane.

上記構成のホルダ１１においては、従来のホルダ６０と異なり、矩形状のガラス基板４の４辺の端部部分に対応する位置に、開口部１１ｉ、１１ｊ、１１ｋを形成しているため、ガラス基板４の端部において、ホルダ１１の陰になる部分を著しく減少させる一方、開口部１１ｉ、１１ｊ、１１ｋを通して、ガラス基板４の端部を蒸着源５５、５６からの輻射熱に曝すことにより、ガラス基板４の端部を積極的に加熱して、ガラス基板４の端部における温度の落ち込みを防止することができる。その結果、ガラス基板４の面内温度差を従来と比較して小さくして、熱応力を低減することができ、ガラス基板４の割れを防止することができる。   In the holder 11 having the above configuration, unlike the conventional holder 60, the openings 11 i, 11 j, and 11 k are formed at positions corresponding to the end portions of the four sides of the rectangular glass substrate 4. 4 while significantly reducing the shadowed portion of the holder 11 at the end of 4, while exposing the end of the glass substrate 4 to radiant heat from the vapor deposition sources 55, 56 through the openings 11 i, 11 j, 11 k. 4 can be positively heated to prevent a temperature drop at the end of the glass substrate 4. As a result, the in-plane temperature difference of the glass substrate 4 can be reduced as compared with the conventional case, thermal stress can be reduced, and cracking of the glass substrate 4 can be prevented.

又、ホルダ１１の変形例として、図２（ｃ）、（ｄ）に示すようなホルダ１２を用いても同様な効果を得ることができる。   Further, as a modified example of the holder 11, a similar effect can be obtained by using a holder 12 as shown in FIGS. 2 (c) and 2 (d).

具体的には、ホルダ１２は、図２（ｃ）、（ｄ）に示すように、互いに格子状に交差して配置された複数の横格子部材１２ａ及び縦格子部材１２ｂと、ガラス基板４の端部から少し内側の４辺に配置されて、横格子部材１２ａ及び縦格子部材１２ｂを支持する横枠部材１２ｃ及び縦枠部材１２ｄとから構成されている。つまり、図２（ａ）、（ｂ）に示したホルダ１１の横枠副部材１１ｅ及び縦枠副部材１１ｇを取り除いた構成であり、横枠部材１２ｃ及び縦枠部材１２ｄの外側となる突起部１２ｅ、１２ｆ同士の間に、上記ホルダ１１の開口部１１ｉ、１１ｊ、１１ｋと同等の機能を有する切欠部１２ｇ、１２ｈが形成されている。ガラス基板４は、突起部１２ｅ、１２ｆの内側に載置されると共に、ガラス基板４の端部から少し内側を、横枠部材１２ｃ及び縦枠部材１２ｄにより支持されている。そして、格子部材１２ａ、縦格子部材１２ｂ、横枠部材１２ｃ、縦枠部材１２ｄによって形成される窓部分の蒸着マスクを通して、ガラス基板４に蒸着材料の蒸気を付着させて、所望の成膜を行う構成である。   Specifically, as shown in FIGS. 2 (c) and 2 (d), the holder 12 includes a plurality of horizontal lattice members 12 a and vertical lattice members 12 b arranged so as to intersect with each other in a lattice shape, and the glass substrate 4. The horizontal frame member 12c and the vertical frame member 12d are arranged on four sides slightly inside from the end portion and support the horizontal lattice member 12a and the vertical lattice member 12b. That is, it is the structure which removed the horizontal frame submember 11e and the vertical frame submember 11g of the holder 11 shown to Fig.2 (a), (b), and the projection part used as the outer side of the horizontal frame member 12c and the vertical frame member 12d Notches 12g and 12h having functions equivalent to the openings 11i, 11j, and 11k of the holder 11 are formed between 12e and 12f. The glass substrate 4 is placed inside the protrusions 12e and 12f, and a little inside from the end of the glass substrate 4 is supported by the horizontal frame member 12c and the vertical frame member 12d. Then, vapor of a vapor deposition material is attached to the glass substrate 4 through a vapor deposition mask in a window portion formed by the grid member 12a, the vertical grid member 12b, the horizontal frame member 12c, and the vertical frame member 12d, thereby performing a desired film formation. It is a configuration.

上記構成のホルダ１２においても、ホルダ１１と同様に、ガラス基板４の４辺の端部部分に対応する位置に、切欠部１２ｇ、１２ｈを形成しているため、ガラス基板４の端部において、ホルダ１１の陰になる部分を著しく減少させる一方、切欠部１２ｇ、１２ｈを通して、ガラス基板４の端部を蒸着源５５、５６からの輻射熱に曝すことにより、ガラス基板４の端部を積極的に加熱して、ガラス基板４の端部における温度の落ち込みを防止することができる。その結果、ガラス基板４の面内温度差を従来と比較して小さくして、熱応力を低減することができ、ガラス基板４の割れを防止することができる。   Even in the holder 12 having the above-described configuration, the notches 12g and 12h are formed at positions corresponding to the end portions of the four sides of the glass substrate 4 in the same manner as the holder 11, While significantly reducing the shadowed portion of the holder 11, the end of the glass substrate 4 is positively exposed by exposing the end of the glass substrate 4 to radiant heat from the vapor deposition sources 55 and 56 through the notches 12g and 12h. By heating, the temperature drop at the end of the glass substrate 4 can be prevented. As a result, the in-plane temperature difference of the glass substrate 4 can be reduced as compared with the conventional case, thermal stress can be reduced, and cracking of the glass substrate 4 can be prevented.

本実施例においては、ホルダの枠部分の形状を工夫して、ガラス基板４の端部の温度の落ち込みを防止しているが、例えば、従来のホルダ６０において（図７（ｂ）等参照）、ガラス基板４の端部に対応する蒸着マスクの位置に、図２に示すような開口部や切欠部を設けて、ガラス基板４の端部の温度の落ち込みを防止するようにしてもよい。   In the present embodiment, the shape of the frame portion of the holder is devised to prevent the temperature drop at the end of the glass substrate 4. For example, in the conventional holder 60 (see FIG. 7B). Further, an opening or notch as shown in FIG. 2 may be provided at the position of the vapor deposition mask corresponding to the edge of the glass substrate 4 to prevent the temperature drop at the edge of the glass substrate 4.

図３〜図５は、本発明に係る蒸着装置の実施形態の他の一例を示す図であり、図３は、本実施例を概念的に説明する図であり、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図５（ａ）、（ｂ）は、本実施例を実現する蒸着源の具体的な構成例のいくつかを示す斜視図である。   3-5 is a figure which shows another example of embodiment of the vapor deposition apparatus which concerns on this invention, FIG. 3 is a figure which illustrates a present Example notionally, FIG. FIGS. 5B, 5C and 5B are perspective views showing some specific examples of the configuration of the vapor deposition source for realizing the present embodiment.

図８（ｂ）に示したように、従来の蒸着源５５、５６では、開口部５７がガラス基板５４と平行であり、又、制御温度も蒸着源５５、５６全体が均一に制御されているため、蒸着源５５、５６からガラス基板５４への熱流束が均一ではなく、ガラス基板５４の中央部で基板温度が高く、ガラス基板５４の端部で基板温度が低くなり、ガラス基板５４の面内で温度差ΔＴｂが生じるという問題があった。   As shown in FIG. 8B, in the conventional vapor deposition sources 55 and 56, the opening 57 is parallel to the glass substrate 54, and the control temperature is also uniformly controlled throughout the vapor deposition sources 55 and 56. Therefore, the heat flux from the vapor deposition sources 55 and 56 to the glass substrate 54 is not uniform, the substrate temperature is high at the center of the glass substrate 54, the substrate temperature is low at the end of the glass substrate 54, and the surface of the glass substrate 54 There is a problem that a temperature difference ΔTb occurs.

そこで、本実施例においては、実施例１（図１）に示す蒸着源５５、５６に替えて、熱流束を制御して、ガラス基板４端部での温度の落ち込みを低減可能な構成の蒸着源を使用するようにしている。   Therefore, in the present embodiment, instead of the vapor deposition sources 55 and 56 shown in the first embodiment (FIG. 1), the vapor flux having a configuration capable of reducing the temperature drop at the end of the glass substrate 4 by controlling the heat flux. I try to use the source.

図３を参照して、その概念的な構成を説明すると、本実施例の蒸着源は、その温度分布２０を、ガラス基板４の中央部で相対的に小さく、ガラス基板４の端部側で相対的に大きくすることにより、ガラス基板４が配置された位置における熱流束を、その幅方向に均一に制御して、ガラス基板４の面内の温度差ΔＴａをできるだけ小さくするようにしたものである。又、ホルダ６０による輻射熱の遮断が大きい場合には、蒸着源の温度分布２０を、ガラス基板４の端部側で更に大きくすることにより、ガラス基板４が配置された位置における熱流束を、その幅方向に均一にするのではなく、ガラス基板４の端部側で強くして、ガラス基板４の面内の温度差ΔＴａをできるだけ小さくするようにしてもよい。なお、ここでは、ホルダとして、従来のホルダ６０を用いるが、前述した実施例２のホルダ１１、１２を用いると、より効果的にガラス基板４の端部での温度の落ち込みを低減することが可能である。   Referring to FIG. 3, the conceptual configuration will be described. In the vapor deposition source of the present embodiment, the temperature distribution 20 is relatively small at the center of the glass substrate 4, and on the end side of the glass substrate 4. By making it relatively large, the heat flux at the position where the glass substrate 4 is arranged is uniformly controlled in the width direction so that the in-plane temperature difference ΔTa is made as small as possible. is there. In addition, when the radiant heat is largely blocked by the holder 60, the temperature distribution 20 of the vapor deposition source is further increased on the end portion side of the glass substrate 4, so that the heat flux at the position where the glass substrate 4 is disposed is The temperature difference ΔTa in the surface of the glass substrate 4 may be made as small as possible by making it stronger on the end side of the glass substrate 4 instead of making it uniform in the width direction. Here, the conventional holder 60 is used as the holder, but the use of the holders 11 and 12 of Example 2 described above can more effectively reduce the temperature drop at the end of the glass substrate 4. Is possible.

次に、図３に示すような温度分布２０を実現可能な蒸着源として、その具体的な構成例のいくつかを図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図５（ａ）、（ｂ）に示して、その詳細を説明する。なお、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図５（ａ）、（ｂ）における蒸着源は、いずれも、その内部の下方側にるつぼ部分を有すると共に、その上方側に開口部を有し、その周囲に配置された複数のヒータ（図示せず）により、所望の温度に制御可能な構成である。従って、るつぼ部分に収容された蒸着材料は、複数のヒータによる蒸着源の加熱により、その蒸気が生成されて、生成された蒸気が、蒸着源の開口部から、ガラス基板４側へ供給されるようになっている。   Next, as a vapor deposition source capable of realizing the temperature distribution 20 as shown in FIG. 3, some specific examples of the configuration are shown in FIGS. 4 (a), (b), (c), FIG. 5 (a), The details will be described with reference to FIG. 4 (a), (b), (c), and FIGS. 5 (a) and 5 (b) all have a crucible portion on the lower side and an opening on the upper side. It has a configuration that can be controlled to a desired temperature by a plurality of heaters (not shown) arranged around it. Therefore, the vapor deposition material accommodated in the crucible part is generated by heating the vapor deposition source with a plurality of heaters, and the generated vapor is supplied to the glass substrate 4 side from the opening of the vapor deposition source. It is like that.

このような構成の蒸着源において、本実施例では、その開口部の構成を工夫することにより、図３に示すような温度分布２０を実現している。   In the vapor deposition source having such a configuration, in this embodiment, the temperature distribution 20 as shown in FIG. 3 is realized by devising the configuration of the opening.

具体的には、図４（ａ）に示す本実施例の蒸着源２１は、形状としては、図８（ａ）に示した蒸着源５５、５６と同等のものであり、蒸着源２１の上方側に配置された開口部２２は、ガラス基板４の搬送方向となる長さが短い短辺部２２ａと、ガラス基板４の幅方向となる長さが長い長辺部２２ｂとからなる矩形状であり、又、開口部２２の上面が、ガラス基板４から所定距離離れて、ガラス基板４に平行に配置されるものである。しかしながら、本実施例の蒸着源２１においては、図８（ａ）に示した蒸着源５５、５６と相違して、短辺部２２ａの温度を他の部分より比較的高い温度に設定しており、このことにより、図３に示すような温度分布２０を実現している。   Specifically, the vapor deposition source 21 of this embodiment shown in FIG. 4A is equivalent in shape to the vapor deposition sources 55 and 56 shown in FIG. The opening 22 arranged on the side has a rectangular shape including a short side portion 22a having a short length in the conveyance direction of the glass substrate 4 and a long side portion 22b having a long length in the width direction of the glass substrate 4. In addition, the upper surface of the opening 22 is arranged in parallel to the glass substrate 4 at a predetermined distance from the glass substrate 4. However, in the vapor deposition source 21 of the present embodiment, unlike the vapor deposition sources 55 and 56 shown in FIG. 8A, the temperature of the short side portion 22a is set to a relatively higher temperature than other portions. Thus, a temperature distribution 20 as shown in FIG. 3 is realized.

又、図４（ｂ）に示す本実施例の蒸着源２３は、その上方側に配置された開口部２４が、ガラス基板４の搬送方向となる長さが短い短辺部２４ａと、ガラス基板４の幅方向となる長さが長い長辺部２４ｂとからなる矩形状であり、又、開口部２４の上面が、ガラス基板４から所定距離離れて、ガラス基板４に平行に配置されるものである。本実施例の蒸着源２３においては、更に、長辺部２４ｂの両端部を、蒸着源２３の長手方向に垂直な方向に肉厚に形成することにより、その上面の面積を大きくした大面積部２４ｃを設けており、この大面積部２４ｃからの輻射熱により、図３に示すような温度分布２０を実現している。   Moreover, the vapor deposition source 23 of the present embodiment shown in FIG. 4B has a short side portion 24a having a short length in the transport direction of the glass substrate 4 and an opening portion 24 arranged on the upper side thereof, and a glass substrate. 4 having a long side portion 24b having a long length in the width direction, and the upper surface of the opening portion 24 being arranged at a predetermined distance from the glass substrate 4 and parallel to the glass substrate 4. It is. In the vapor deposition source 23 of the present embodiment, the both end portions of the long side portion 24b are formed thick in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the vapor deposition source 23, thereby increasing the area of the upper surface. A temperature distribution 20 as shown in FIG. 3 is realized by radiant heat from the large area portion 24c.

又、図４（ｃ）に示す本実施例の蒸着源２５は、その上方側に配置された開口部２６が、ガラス基板４の両側端部に対応して設けられ、２つの円形部２６ａにより形成された２つの円形状開口部と、２つの円形状開口部の間を連通するように設けられ、ガラス基板４の幅方向となる長さが長い長辺部２４ｂにより形成された矩形状開口部とからなり、開口部２６の上面が、ガラス基板４から所定距離離れて、ガラス基板４に平行に配置されるものである。円形状開口部は、矩形状開口部より大きい開口面積に形成されており、この大きい円形状開口部からの輻射熱により、図３に示すような温度分布２０を実現している。   Further, in the vapor deposition source 25 of the present embodiment shown in FIG. 4C, an opening 26 disposed on the upper side thereof is provided corresponding to both end portions of the glass substrate 4, and two circular portions 26a are used. The rectangular opening formed by the long side part 24b which is provided so as to communicate between the two formed circular openings and the two circular openings and has a long length in the width direction of the glass substrate 4 The upper surface of the opening 26 is disposed at a predetermined distance from the glass substrate 4 in parallel with the glass substrate 4. The circular opening is formed with an opening area larger than the rectangular opening, and a temperature distribution 20 as shown in FIG. 3 is realized by radiant heat from the large circular opening.

又、図５（ａ）に示す本実施例の蒸着源２７は、その上方側に配置された開口部２８が、ガラス基板４の搬送方向となる長さが短い短辺部２８ａと、ガラス基板４の幅方向となる長さが長い長辺部２８ｂとからなる矩形状であり、又、開口部２８の上面が、ガラス基板４から所定距離離れて、ガラス基板４に平行に配置されるものである。本実施例の蒸着源２７においては、更に、短辺部２８ｂを、蒸着源２３の長手方向に肉厚に形成することにより、その上面の面積を大きくしており、この肉厚の短辺部２８ｂからの輻射熱により、図３に示すような温度分布２０を実現している。   In addition, the vapor deposition source 27 of the present embodiment shown in FIG. 5A includes a short side portion 28a having a short length in which the opening 28 disposed on the upper side in the conveying direction of the glass substrate 4 and a glass substrate. 4 having a long side portion 28b having a long length in the width direction, and the upper surface of the opening portion 28 is arranged in parallel to the glass substrate 4 at a predetermined distance from the glass substrate 4. It is. In the vapor deposition source 27 of the present embodiment, the short side portion 28b is formed thick in the longitudinal direction of the vapor deposition source 23 to increase the area of the upper surface thereof. A temperature distribution 20 as shown in FIG. 3 is realized by the radiant heat from 28b.

又、図５（ｂ）に示す本実施例の蒸着源２９は、図８（ａ）に示した蒸着源５５、５６と全く同等のものであり、蒸着源２９の上方側に配置された開口部３０が、ガラス基板４の搬送方向となる長さが短い短辺部３０ａと、ガラス基板４の幅方向となる長さが長い長辺部３０ｂとからなる矩形状であり、その上面が、ガラス基板４から所定距離離れて、ガラス基板４に平行に配置されるものである。しかしながら、本実施例の蒸着源２９においては、図８（ａ）に示した蒸着源５５、５６と相違して、蒸着源２９の開口部３０の両側端部の近傍に、換言すると、短辺部３０ａ上方であり、ガラス基板４との間の空間に、２つの加熱ヒータ３１（第４加熱手段）を設け、加熱ヒータ３１の温度を蒸着源２９より比較的高い温度としており、加熱ヒータ３１からの輻射熱により、図３に示すような温度分布２０を実現している。   Further, the vapor deposition source 29 of the present embodiment shown in FIG. 5B is exactly the same as the vapor deposition sources 55 and 56 shown in FIG. 8A, and an opening disposed above the vapor deposition source 29. The portion 30 is a rectangular shape composed of a short side portion 30a having a short length in the conveyance direction of the glass substrate 4 and a long side portion 30b having a long length in the width direction of the glass substrate 4, and the upper surface thereof is The glass substrate 4 is disposed in parallel with the glass substrate 4 at a predetermined distance. However, in the vapor deposition source 29 of the present embodiment, unlike the vapor deposition sources 55 and 56 shown in FIG. 8A, in other words, in the vicinity of both side ends of the opening 30 of the vapor deposition source 29, in other words, the short side Two heaters 31 (fourth heating means) are provided in the space above the portion 30 a and between the glass substrate 4, and the temperature of the heater 31 is relatively higher than the vapor deposition source 29. A temperature distribution 20 as shown in FIG. 3 is realized by the radiant heat from.

上述したような蒸着源２１、２３、２５、２７、２９を、実施例１（図１）に示した蒸着装置で用いることにより、ガラス基板４の面内の温度差ΔＴａをできるだけ小さくして、ガラス基板４の熱応力を低減することができ、ガラス基板４の割れを防止することができる。なお、長い１つの開口部を有する蒸着源２１、２３、２５、２７、２９だけでなく、短い開口部を有する小型のるつぼを列状に複数個並べた蒸着源に対しても、図４（ａ）〜図５（ｂ）と同じことが適用可能であり、蒸着源２１、２３、２５、２７、２９と同様な効果を得ることができる。   By using the vapor deposition sources 21, 23, 25, 27, and 29 as described above in the vapor deposition apparatus shown in Example 1 (FIG. 1), the in-plane temperature difference ΔTa is made as small as possible, The thermal stress of the glass substrate 4 can be reduced, and the glass substrate 4 can be prevented from cracking. In addition to the vapor deposition sources 21, 23, 25, 27, and 29 having one long opening, not only the vapor deposition source in which a plurality of small crucibles having short openings are arranged in a row as shown in FIG. The same thing as a)-FIG.5 (b) is applicable, and the effect similar to the vapor deposition sources 21, 23, 25, 27, and 29 can be acquired.

更に、本実施例と実施例１、２とを組み合わせ、実施例１（図１）に示した蒸着装置において、実施例２に示した蒸着マスク１１、１２、本実施例の蒸着源２１、２３、２５、２７、２９を用いることにより、より効果的にガラス基板４の端部での温度の落ち込みを低減することが可能である。   Furthermore, in the vapor deposition apparatus shown in Example 1 (FIG. 1) by combining this example with Examples 1 and 2, the vapor deposition masks 11 and 12 shown in Example 2 and the vapor deposition sources 21 and 23 of this example. , 25, 27, and 29, it is possible to more effectively reduce the temperature drop at the end of the glass substrate 4.

本発明は、ガラス基板を搬送しながら、ガラス基板に蒸着を行う蒸着装置、蒸着方法に好適なものである。   The present invention is suitable for a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method for performing vapor deposition on a glass substrate while conveying the glass substrate.

本発明に係る蒸着装置の実施形態の一例を示す図であり、（ａ）は、その概略側面図であり、（ｂ）は、その平概略面図である。It is a figure which shows an example of embodiment of the vapor deposition apparatus which concerns on this invention, (a) is the schematic side view, (b) is the plane schematic plane view. 本発明に係る蒸着装置の実施形態の他の一例を示す図であり、（ａ）は、ホルダの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線矢視断面図である。又、（ｃ）は、変形例のホルダの平面図であり、（ｄ）は、図２（ｃ）のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。It is a figure which shows another example of embodiment of the vapor deposition apparatus which concerns on this invention, (a) is a top view of a holder, (b) is AA 'arrow sectional drawing of (a). is there. Further, (c) is a plan view of the holder of the modified example, and (d) is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ of FIG. 2 (c). 本発明に係る蒸着装置の実施形態の更なる他の一例を概念的に説明する図である。It is a figure which illustrates notionally further another example of embodiment of the vapor deposition apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る蒸着装置の実施形態の更なる他の一例を実現する蒸着源の具体的な構成例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific structural example of the vapor deposition source which implement | achieves another example of embodiment of the vapor deposition apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る蒸着装置の実施形態の更なる他の一例を実現する蒸着源の具体的な構成例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific structural example of the vapor deposition source which implement | achieves another example of embodiment of the vapor deposition apparatus which concerns on this invention. 図１に示す蒸着装置の変形例を示す図であり、（ａ）は、その概略側面図であり、（ｂ）は、その平概略面図である。It is a figure which shows the modification of the vapor deposition apparatus shown in FIG. 1, (a) is the schematic side view, (b) is the plane schematic plane view. （ａ）は、従来の蒸着装置を示す概略側面図であり、（ｂ）は、従来の蒸着装置で用いられる蒸着マスクの平面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＣ−Ｃ’線矢視断面図である。(A) is a schematic side view which shows the conventional vapor deposition apparatus, (b) is a top view of the vapor deposition mask used with the conventional vapor deposition apparatus, (c) is CC 'of (b). FIG. （ａ）は、従来の蒸着装置で用いられる蒸着源の斜視図であり、（ｂ）は、蒸着源からの輻射熱により加熱されるガラス基板の温度プロファイルを説明する図である。(A) is a perspective view of the vapor deposition source used with the conventional vapor deposition apparatus, (b) is a figure explaining the temperature profile of the glass substrate heated by the radiant heat from a vapor deposition source. （ａ）は、ガラス基板の面内温度分布を示す図であり、（ｂ）は、ガラス基板の熱変形を示す図である。(A) is a figure which shows the in-plane temperature distribution of a glass substrate, (b) is a figure which shows the thermal deformation of a glass substrate.

符号の説明Explanation of symbols

１、２ 成膜チャンバ
３ 搬送ベルト
４ ガラス基板
２１、２３、２５、２７、２９、５５、５６ 蒸着源
７、８、９、３１ 加熱ヒータ
１１、１２、６０ ホルダ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 Film forming chamber 3 Conveyor belt 4 Glass substrate 21, 23, 25, 27, 29, 55, 56 Deposition source 7, 8, 9, 31 Heater 11, 12, 60 Holder

Claims (24)

ガラス基板の蒸着面をマスクするマスク部材を保持すると共に前記ガラス基板の周辺部を載置する枠部材を有する保持部材と、
前記ガラス基板が載置された前記保持部材を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段に搬送される前記ガラス基板の蒸着面に対向して設けられ、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に長い開口部から蒸着材料の蒸気を前記ガラス基板へ供給する蒸着源、又は、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に列状に並べた複数のるつぼの短い開口部から蒸着材料の蒸気を前記ガラス基板へ供給する蒸着源とを備え、
前記ガラス基板を搬送しながら、前記マスク部材を通して前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う蒸着装置において、
前記ガラス基板を挟んだ前記蒸着源の反対側であり、前記蒸着源の両側端部に対向する位置に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱する２組の第１加熱手段を設け、
前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記両側端部を、前記第１加熱手段により加熱するようにしたことを特徴とする蒸着装置。 A holding member having a frame member for holding the mask member for masking the vapor deposition surface of the glass substrate and mounting the peripheral portion of the glass substrate;
Conveying means for conveying the holding member on which the glass substrate is placed;
A vapor deposition source that is provided opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate conveyed to the conveyance means and supplies vapor of the vapor deposition material to the glass substrate from an opening that is long in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate, or A vapor deposition source for supplying vapor of vapor deposition material to the glass substrate from short openings of a plurality of crucibles arranged in a row in a direction perpendicular to the conveyance direction of the glass substrate,
In the vapor deposition apparatus for performing vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate through the mask member while conveying the glass substrate,
Two sets of first sets that heat opposite side ends in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate at positions opposite to both side ends of the vapor deposition source on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate. Heating means,
The vapor deposition apparatus characterized in that when vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, the both end portions on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are heated by the first heating means. 請求項１に記載の蒸着装置において、
前記第１加熱手段は、複数に分割されて、分割部分が各々独立して前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に移動可能なものであり、
前記第１加熱手段と前記蒸着源との間に前記ガラス基板が存在しないときには、前記蒸着源の蒸着領域から前記第１加熱手段の各分割部分を逐次退避させるようにしたことを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1,
The first heating means is divided into a plurality of parts, and each of the divided parts is independently movable in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate,
Vapor deposition characterized in that when the glass substrate is not present between the first heating means and the vapor deposition source, each divided portion of the first heating means is sequentially retracted from the vapor deposition region of the vapor deposition source. apparatus. 請求項１又は請求項２に記載の蒸着装置において、
更に、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に、前記ガラス基板の搬送方向の後端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第２加熱手段と、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第３加熱手段と、
前記ガラス基板の搬送方向の後端部を追尾して、該後端部と共に前記第２加熱手段を移動させると共に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部を追尾して、該前端部と共に前記第３加熱手段を移動させる移動手段とを設け、
前記移動手段は、前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の搬送と共に前記第２加熱手段、第３加熱手段を移動させて、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面の前記後端部、前記前端部を、前記第２加熱手段、前記第３加熱手段により加熱することを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus of Claim 1 or Claim 2,
Furthermore,
A second heating means of a length capable of heating all or most or part of the rear end portion in the transport direction of the glass substrate on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate;
Third heating means of a length capable of heating all or most or part of the front end portion in the transport direction of the glass substrate on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate;
Tracking the rear end of the glass substrate in the transport direction, moving the second heating means together with the rear end, tracking the front end of the glass substrate in the transport direction, and moving the second end together with the front end. 3 moving means for moving the heating means,
The moving means moves the second heating means and the third heating means together with the conveyance of the glass substrate when vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, so that the surface of the glass substrate opposite to the vapor deposition surface is moved. The vapor deposition apparatus, wherein the rear end portion and the front end portion are heated by the second heating means and the third heating means. 請求項３に記載の蒸着装置において、
前記移動手段は、
前記第２加熱手段を、前記第１加熱手段の近傍までの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第１加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させると共に、
前記第３加熱手段を、前記第１加熱手段の近傍からの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第１加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させることを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus of Claim 3,
The moving means is
Reciprocating the second heating means within a predetermined range up to the vicinity of the first heating means, or reciprocating within a predetermined range before and after the position of the first heating means,
The third heating unit is reciprocated within a predetermined range from the vicinity of the first heating unit, or is reciprocated within a predetermined range before and after the position of the first heating unit. Vapor deposition equipment. 請求項４に記載の蒸着装置において、
前記第２加熱手段、前記第３加熱手段は、前記ガラス基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、加熱を停止することを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 4.
The second heating unit and the third heating unit stop heating when moving in the direction opposite to the transport direction of the glass substrate. 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の蒸着装置において、
前記保持部材の前記枠部材又は前記マスク部材に、前記ガラス基板の端部を前記蒸着源からの輻射熱に曝す開口部若しくは切欠部を設けたことを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus in any one of Claims 1 thru | or 5,
The vapor deposition apparatus, wherein the frame member or the mask member of the holding member is provided with an opening or a notch for exposing an end of the glass substrate to radiant heat from the vapor deposition source. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の蒸着装置において、
前記蒸着源の両側端部の温度を、前記蒸着源の他の部分より高くしたことを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus in any one of Claims 1 thru | or 6,
The vapor deposition apparatus characterized in that the temperature at both end portions of the vapor deposition source is higher than that of other portions of the vapor deposition source. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の蒸着装置において、
前記蒸着源の両側端部の近傍に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱する２つの第４加熱手段を設けたことを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus in any one of Claims 1 thru | or 6,
2. A vapor deposition apparatus comprising two fourth heating means for heating both side edges in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate in the vicinity of both side edges of the vapor deposition source. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の蒸着装置において、
前記蒸着源の両側端部における前記ガラス基板への輻射熱が発生する面積を、前記蒸着源の他の部分より大きくしたことを特徴とする蒸着装置。 In the vapor deposition apparatus in any one of Claims 1 thru | or 6,
The vapor deposition apparatus characterized in that an area where radiant heat to the glass substrate is generated at both end portions of the vapor deposition source is made larger than other portions of the vapor deposition source. 請求項９に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 9, wherein
The vapor deposition apparatus is characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in the conveying direction of the glass substrate. 請求項９に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部の開口面積を他の部分より大きくすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 9, wherein
The vapor deposition source is characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by making an opening area of both side end portions of the vapor deposition source larger than other portions. 請求項９に記載の蒸着装置において、
前記蒸着源は、該蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくしたものであることを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 9, wherein
The vapor deposition source is a vapor deposition apparatus characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate. . ガラス基板の蒸着面をマスクするマスク部材を保持すると共に前記ガラス基板の周辺部を載置する枠部材を有する保持部材に、前記ガラス基板を載置し、
前記ガラス基板が載置された前記保持部材を搬送手段により搬送し、
前記搬送手段に搬送される前記ガラス基板の蒸着面に、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に長い開口部から、又は、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に列状に並べた複数の短い開口部から蒸着源の蒸着材料の蒸気を供給し、
前記ガラス基板を搬送しながら、前記マスク部材を通して前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う蒸着方法において、
前記ガラス基板を挟んだ前記蒸着源の反対側であり、前記蒸着源の両側端部に対向する位置に設けた２組の第１加熱手段を用いて、前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱することを特徴とする蒸着方法。 Holding the mask member that masks the vapor deposition surface of the glass substrate and placing the glass substrate on a holding member having a frame member for placing the peripheral portion of the glass substrate;
The holding member on which the glass substrate is placed is conveyed by a conveying means,
Plural arranged in a row on the vapor deposition surface of the glass substrate conveyed to the conveying means from an opening long in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate or in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate Supply vapor of the vapor deposition material of the vapor deposition source through a short opening of
In the vapor deposition method of performing vapor deposition on the vapor deposition surface of the glass substrate through the mask member while conveying the glass substrate,
Vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate by using two sets of first heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and facing the both side ends of the vapor deposition source. In this case, the vapor deposition method is characterized in that both end portions in a direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are heated. 請求項１３に記載の蒸着方法において、
前記第１加熱手段として、複数に分割されて、分割部分が各々独立して前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に移動可能なものを用いて、
前記第１加熱手段と前記蒸着源との間に前記ガラス基板が存在しないときには、前記蒸着源の蒸着領域から前記第１加熱手段の各分割部分を逐次退避させることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 13,
The first heating means is divided into a plurality of parts, and each of the divided parts is independently movable in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate,
A vapor deposition method, wherein when the glass substrate is not present between the first heating means and the vapor deposition source, each divided portion of the first heating means is sequentially retracted from the vapor deposition region of the vapor deposition source. 請求項１３又は請求項１４に記載の蒸着方法において、
更に、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に設けた、前記ガラス基板の搬送方向の後端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第２加熱手段と、
前記ガラス基板を挟んで前記蒸着源の反対側に設けた、前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て又は大部分又は一部分を加熱可能な長さの第３加熱手段と、
前記ガラス基板の搬送方向の後端部を追尾して、該後端部と共に前記第２加熱手段を移動させると共に、前記ガラス基板の搬送方向の前端部を追尾して、該前端部と共に前記第３加熱手段を移動させる移動手段とを用いて、
前記ガラス基板の蒸着面に蒸着を行う際、前記ガラス基板の蒸着面の反対側の面における前記ガラス基板の搬送方向の前端部の全て及び後端部の全てを、前記ガラス基板を搬送させながら加熱することを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 13 or 14,
Furthermore,
A second heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and having a length capable of heating all or most or part of the rear end portion in the transport direction of the glass substrate;
A third heating means provided on the opposite side of the vapor deposition source across the glass substrate and having a length capable of heating all or most or part of the front end in the transport direction of the glass substrate;
Tracking the rear end of the glass substrate in the transport direction, moving the second heating means together with the rear end, tracking the front end of the glass substrate in the transport direction, and moving the second end together with the front end. 3 Using the moving means for moving the heating means,
When vapor deposition is performed on the vapor deposition surface of the glass substrate, all the front end portion and all the rear end portions in the transport direction of the glass substrate on the surface opposite to the vapor deposition surface of the glass substrate are transported with the glass substrate. A vapor deposition method characterized by heating. 請求項１５に記載の蒸着方法において、
前記第２加熱手段を、前記第１加熱手段の近傍までの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第１加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させると共に、
前記第３加熱手段を、前記第１加熱手段の近傍からの所定範囲内を往復移動させるか、又は、前記第１加熱手段の位置を中心にその前後の所定範囲内を往復移動させることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 15,
Reciprocating the second heating means within a predetermined range up to the vicinity of the first heating means, or reciprocating within a predetermined range before and after the position of the first heating means,
The third heating unit is reciprocated within a predetermined range from the vicinity of the first heating unit, or is reciprocated within a predetermined range before and after the position of the first heating unit. Vapor deposition method. 請求項１６に記載の蒸着方法において、
前記第２加熱手段、前記第３加熱手段が前記ガラス基板の搬送方向と逆の方向に移動する際には、前記第２加熱手段、前記第３加熱手段による加熱を停止することを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 16.
When the second heating unit and the third heating unit move in the direction opposite to the conveyance direction of the glass substrate, heating by the second heating unit and the third heating unit is stopped. Deposition method. 請求項１３乃至請求項１７のいずれかに記載の蒸着方法において、
前記保持部材の前記枠部材又は前記マスク部材に設けた開口部若しくは切欠部を用いて、前記ガラス基板の端部を前記蒸着源からの輻射熱に曝すことを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to any one of claims 13 to 17,
A vapor deposition method comprising exposing an end portion of the glass substrate to radiant heat from the vapor deposition source using an opening or a notch provided in the frame member or the mask member of the holding member. 請求項１３乃至請求項１８のいずれかに記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部の温度を、前記蒸着源の他の部分より高くすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to any one of claims 13 to 18,
The vapor deposition method characterized in that the temperature at both end portions of the vapor deposition source is higher than that of the other portions of the vapor deposition source. 請求項１３乃至請求項１８のいずれかに記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部の近傍に設けた２つの第４加熱手段を用いて、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向の両側端部を加熱することを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to any one of claims 13 to 18,
A vapor deposition method comprising heating both side edges in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate using two fourth heating means provided in the vicinity of both side edges of the vapor deposition source. 請求項１３乃至請求項１８のいずれかに記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部における前記ガラス基板への輻射熱が発生する面積を、前記蒸着源の他の部分より大きくすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to any one of claims 13 to 18,
An evaporation method, wherein an area where radiant heat to the glass substrate is generated at both end portions of the evaporation source is made larger than other portions of the evaporation source. 請求項２１に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 21, wherein
An evaporation method characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the evaporation source in the conveying direction of the glass substrate. 請求項２１に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部の開口面積を他の部分より大きくすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 21, wherein
A vapor deposition method characterized in that an area in which radiant heat is generated is increased by increasing an opening area at both end portions of the vapor deposition source as compared with other portions. 請求項２１に記載の蒸着方法において、
前記蒸着源の両側端部における肉厚を、前記ガラス基板の搬送方向に垂直な方向に厚くすることにより輻射熱が発生する面積を大きくすることを特徴とする蒸着方法。 The vapor deposition method according to claim 21, wherein
A vapor deposition method characterized in that an area where radiant heat is generated is increased by increasing the thickness at both end portions of the vapor deposition source in a direction perpendicular to the conveying direction of the glass substrate.

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