JP2012160717A5 - トランジスタ - Google Patents

Claims (4)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
   前記ソース電極の外縁から、前記ドレイン電極の外縁に達する前記酸化物半導体層の外縁の長さが、前記トランジスタのチャネル長の３倍以上であることを特徴とするトランジスタ。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
   前記酸化物半導体層の外縁は、前記ソース電極の外縁と重なる第１の部分と、前記ドレイン電極の外縁と重なる第２の部分と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれの外縁とも重ならない第３の部分とを有し、
   前記第３の部分の長さは、前記トランジスタのチャネル長の３倍以上であることを特徴とするトランジスタ。
3. 請求項１または請求項２のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層の側面は、酸素を含む絶縁層と接することを特徴とするトランジスタ。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層は、非単結晶であることを特徴とするトランジスタ。