JP5023465B2 - 薄膜トランジスタパネル - Google Patents
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Description
前記薄膜トランジスタが、前記半導体薄膜上に設けられたチャネル保護膜と、前記チャネル保護膜上及び前記半導体薄膜上に設けられたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層上に設けられた前記ソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、前記チャネル長方向に平行な方向に延伸する2つの辺を有している薄膜トランジスタパネルであって、
前記画素電極と同一の層として形成されるとともに、前記画素電極とは電気的に絶縁された導電性被覆膜を有し、
前記導電性被覆膜は、少なくとも一部が前記2つの辺に重なるように、前記ドレイン電極上に前記ドレイン電極よりも幅広に形成され、
前記オーミックコンタクト層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一のマスクに基づいてパターニングされていて、
前記半導体薄膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一のマスク及び前記チャネル保護膜に基づいてパターニングされていて、
前記チャネル保護膜のドレイン電極側の外側であって且つ前記ゲート電極上における、前記半導体薄膜、前記オーミックコンタクト層及び前記ドレイン電極のチャネル幅方向の両端面が、当該両端面に接触して設けられた前記導電性被覆膜によって覆われており、前記チャネル保護膜の前記ソース電極側の外側であって且つ前記ゲート電極上における、前記半導体薄膜、前記オーミックコンタクト層及び前記ソース電極のチャネル幅方向の両端面が、当該両端面に接触して設けられた前記画素電極によって覆われていることを特徴とするものである。
図1はこの発明の第1実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図2(A)は図1のIIA−IIAに沿う断面図を示し、図2(B)は図1のIIB−IIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルはガラス基板1を備えている。ガラス基板1の上面には、マトリックス状に配置された複数の画素電極2と、これらの画素電極2に接続された薄膜トランジスタ3と、行方向に配置され、各薄膜トランジスタ3に走査信号(ゲート電圧)を供給する走査ライン4と、列方向に配置され、各薄膜トランジスタ3にデータ信号を供給するデータライン5とが設けられている。
図9はこの発明の第2実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図10(A)は図9のXA−XAに沿う断面図を示し、図10(B)は図9のXB−XBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図1及び図2(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、画素電極2及び一方の導電性被覆膜14をオーバーコート膜18の上面に該オーバーコート膜18に設けられたコンタクトホール19を介してソース電極12に接続させて設け、且つ、他方の導電性被覆膜15をオーバーコート膜18の上面に該オーバーコート膜18に設けられたコンタクトホール20を介してドレイン電極13に接続させて設けた点である。
図11はこの発明の第3実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図12(A)は図10のXIIA−XIIAに沿う断面図を示し、図12(B)は図11のXIIB−XIIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図1及び図2(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、薄膜トランジスタ3をチャネルエッチ型とした点である。
図13はこの発明の第4実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図14(A)は図13のXIVA−XIVAに沿う断面図を示し、図14(B)は図13のXIVB−XIVBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図11及び図12(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、画素電極2及び一方の導電性被覆膜14をオーバーコート膜18の上面に該オーバーコート膜18に設けられたコンタクトホール19を介してソース電極12に接続させて設け、且つ、他方の導電性被覆膜15をオーバーコート膜18の上面に該オーバーコート膜18に設けられたコンタクトホール20を介してドレイン電極13に接続させて設けた点である。
図15はこの発明の第5実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図16(A)は図15のXVIA−XVIAに沿う断面図を示し、図16(B)は図15のXVIB−XVIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図1及び図2(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、一方の導電性被覆膜14を省略した点である。
図17はこの発明の第6実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図18(A)は図17のXVIIIA−XVIIIAに沿う断面図を示し、図18(B)は図17のXVIIIB−XVIIIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図9及び図10(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、一方の導電性被覆膜14を省略し、他方の導電性被覆膜15をドレイン電極13に接続させずにオーバーコート膜18の上面に島状に設けた点である。すなわち、ドレイン電極13上におけるオーバーコート膜18にコンタクトホール20を形成することがレイアウト的に困難な場合には、他方の導電性被覆膜15をドレイン電極13に電気的に接続させずにオーバーコート膜18の上面に島状に設けるようにしてもよい。
2 画素電極
3 薄膜トランジスタ
4 走査ライン
5 データライン
6 ゲート電極
7 ゲート絶縁膜
8 半導体薄膜
9 チャネル保護膜
10、11 オーミックコンタクト層
12 ソース電極
13 ドレイン電極
14、15 導電性被覆膜
16、17 オーミックコンタクト領域
18 オーバーコート膜
Claims (2)
- ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜が設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された画素電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタが、前記半導体薄膜上に設けられたチャネル保護膜と、前記チャネル保護膜上及び前記半導体薄膜上に設けられたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層上に設けられた前記ソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、前記チャネル長方向に平行な方向に延伸する2つの辺を有している薄膜トランジスタパネルであって、
前記画素電極と同一の層として形成されるとともに、前記画素電極とは電気的に絶縁された導電性被覆膜を有し、
前記導電性被覆膜は、少なくとも一部が前記2つの辺に重なるように、前記ドレイン電極上に前記ドレイン電極よりも幅広に形成され、
前記オーミックコンタクト層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一のマスクに基づいてパターニングされていて、
前記半導体薄膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一のマスク及び前記チャネル保護膜に基づいてパターニングされていて、
前記チャネル保護膜のドレイン電極側の外側であって且つ前記ゲート電極上における、前記半導体薄膜、前記オーミックコンタクト層及び前記ドレイン電極のチャネル幅方向の両端面が、当該両端面に接触して設けられた前記導電性被覆膜によって覆われており、前記チャネル保護膜の前記ソース電極側の外側であって且つ前記ゲート電極上における、前記半導体薄膜、前記オーミックコンタクト層及び前記ソース電極のチャネル幅方向の両端面が、当該両端面に接触して設けられた前記画素電極によって覆われていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。 - 前記ソース電極は、前記チャネル長方向に平行な方向に延伸する2つの辺を有し、
前記画素電極は、少なくとも一部がソース側導電性被覆膜として前記ソース電極における前記2つの辺に重なるように、前記ソース電極上に前記ソース電極よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタパネル。
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