JP2012119376A - Ｌｅｄパッケージ - Google Patents

Ｌｅｄパッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP2012119376A
JP2012119376A JP2010265310A JP2010265310A JP2012119376A JP 2012119376 A JP2012119376 A JP 2012119376A JP 2010265310 A JP2010265310 A JP 2010265310A JP 2010265310 A JP2010265310 A JP 2010265310A JP 2012119376 A JP2012119376 A JP 2012119376A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
led package
led
chip
resin body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010265310A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Komatsu
哲郎 小松
Satoshi Shimizu
聡 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2010265310A priority Critical patent/JP2012119376A/ja
Priority to US13/052,255 priority patent/US20120132938A1/en
Publication of JP2012119376A publication Critical patent/JP2012119376A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/48479—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】小型化が容易なＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ１は、第１〜第３のリードフレームと、前記第１のリードフレーム１２に搭載され、一方の端子が前記第２のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第３のリードフレームに接続された上面端子型のＬＥＤチップ２１Ｂ、２１Ｇと、前記第１のリードフレームに搭載され、一方の端子が前記第２のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第３のリードフレームに接続された上面端子型の保護チップ２２Ａ、２２Ｂと、樹脂体と、を備える。そして、前記樹脂体の外形がＬＥＤパッケージの外形をなしている。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）パッケージに関する。
従来、ＬＥＤチップを搭載するＬＥＤパッケージにおいては、配光性を制御し、ＬＥＤパッケージからの光の取出効率を高めることを目的として、白色樹脂からなる椀状の外囲器を設け、外囲器の底面上にＬＥＤチップを搭載し、外囲器の内部に透明樹脂を封入してＬＥＤチップを埋め込んでいた。そして、外囲器は、ポリアミド系の熱可塑性樹脂によって形成されることが多かった。しかしながら、近年、ＬＥＤパッケージの適用範囲の拡大に伴い、ＬＥＤパッケージに対して、より一層の小型化が要求されている。
特開２００４−２７４０２７号公報
本発明の実施形態の目的は、小型化が容易なＬＥＤパッケージを提供することである。
実施形態に係るＬＥＤパッケージは、相互に離隔した第１、第２及び第３のリードフレームと、前記第１のリードフレームに搭載され、一方の端子が前記第２のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第３のリードフレームに接続された上面端子型のＬＥＤチップと、前記第１のリードフレームに搭載され、一方の端子が前記第２のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第３のリードフレームに接続された上面端子型の保護チップと、前記第１〜第３のリードフレームのそれぞれの一部、前記ＬＥＤチップ及び前記保護チップを覆う樹脂体と、を備える。そして、前記樹脂体の外形がＬＥＤパッケージの外形をなしている。
第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 （ａ）は第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。 第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を例示するフローチャート図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を例示する工程断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を例示する工程断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を例示する工程断面図である。 （ａ）は、第１の実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、（ｂ）は、このリードフレームシートの素子領域を例示する一部拡大平面図である。 （ａ）〜（ｈ）は、第１の実施形態の変形例におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。 第２の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図である。 第３の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 第３の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する側面図である。 （ａ）は第４の実施形態に係るＬＥＤパッケージのリードフレーム、ＬＥＤチップ及びワイヤを例示する平面図であり、（ｂ）はＬＥＤパッケージを例示する下面図であり、（ｃ）はＬＥＤパッケージを例示する断面図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図であり、
図２（ａ）は本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
なお、図示の便宜上、図１においては、ベース部と吊ピンとの境界及びベース部内の矩形部分間の境界は二点鎖線によって示している。また、図２（ａ）においては、薄板部分は斜線を付して示している。後述する図７（ｂ）、図９及び図１２（ａ）においても同様である。更に、図２（ａ）において、リードフレームが存在しない領域はドットを付して示している。後述する図９においても同様である。
図１並びに図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ１においては、６枚のリードフレーム１１〜１６が設けられている。リードフレーム１１〜１６の形状は平板状であり、同一平面上に配置されており、相互に離隔している。リードフレーム１１〜１６は同じ導電性材料からなり、例えば、銅板の上面及び下面に銀めっき層が形成されて構成されている。なお、リードフレーム１１〜１６の端面上には銀めっき層は形成されておらず、銅板が露出している。
リードフレーム１２上には、３個のＬＥＤチップ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂと、２個の保護チップ２２Ａ及び２２Ｂが搭載されている。ＬＥＤチップ２１Ｒは赤色の光を出射する上下導通型のチップであり、ＬＥＤチップ２１Ｇは緑色の光を出射する上面端子型のチップであり、ＬＥＤチップ２１Ｂは青色の光を出射する上面端子型のチップである。また、保護チップ２２Ａ及び２２Ｂは、上面端子型の静電気保護チップであり、内部にツェナーダイオード（Zener diode：ＺＤ）が形成されている。上下導通型のチップにおいては、その上面及び下面に端子が１つずつ設けられている。上面端子型のチップにおいては、その上面に２つの端子が設けられている。
また、ＬＥＤパッケージ１においては、リードフレーム１１〜１６のそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、ＬＥＤチップ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂを覆い、保護チップ２２Ａ及び２２Ｂを覆い、リードフレーム１１〜１６のそれぞれの下面の残部及び端面の残部を露出させた透明樹脂体２０が設けられている。透明樹脂体２０は透明な樹脂、例えば、シリコーン樹脂によって形成されている。なお、「透明」には半透明も含まれる。透明樹脂体２０の外形は直方体であり、従って、Ｚ方向から見て、透明樹脂体２０の形状は矩形である。そして、透明樹脂体２０の外形がＬＥＤパッケージ１の外形をなしている。
以下、本明細書においては、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を導入する。リードフレーム１１〜１６の上面に対して平行な方向のうち、リードフレーム１１からリードフレーム１２に向かう方向を＋Ｘ方向とし、リードフレーム１１〜１６の上面に対して垂直な方向のうち、上方、すなわち、リードフレームからＬＥＤチップに向かう方向を＋Ｚ方向とし、＋Ｘ方向及び＋Ｚ方向の双方に対して直交する方向のうちの一方を＋Ｙ方向とする。なお、＋Ｘ方向、＋Ｙ方向及び＋Ｚ方向の反対方向を、それぞれ、−Ｘ方向、−Ｙ方向及び−Ｚ方向とする。また、例えば、「＋Ｘ方向」及び「−Ｘ方向」を総称して、単に「Ｘ方向」ともいう。
リードフレーム１１〜１６においては、それぞれ、１つのベース部と、このベース部からＸ方向又はＹ方向に延出した複数本の吊ピンが設けられている。各リードフレームにおいて、ベース部及び吊ピンは一体的に形成されている。各ベース部は透明樹脂体２０の側面２０ａ〜２０ｄから離隔しており、各吊ピンの先端面は透明樹脂体２０の側面２０ａ〜２０ｄにおいて露出している。また、各ベース部の下面には凸部が形成されており、各ベース部における凸部が形成されていない部分は薄板部となっている。
リードフレーム１１〜１６の上面は、同一のＸＹ平面の一部を構成している。また、リードフレーム１１〜１６の吊ピン及び薄板部の下面も他の同一のＸＹ平面の一部を構成している。更に、リードフレーム１１〜１６の凸部の下面も更に他の同一のＸＹ平面の一部を構成している。すなわち、全ての吊ピン及び薄板部はその上面及び下面がＸＹ平面に平行な同一の層内に配置されており、吊ピンの厚さと薄板部の厚さは、相互に同一である。従って、各リードフレームは２水準の板厚を持つ。Ｚ方向から見て、各ベース部における凸部が形成された領域は、板厚が相対的に厚い厚板部分となっており、ベース部の薄板部及び吊ピンが形成された領域は、板厚が相対的に薄い薄板部分となっている。
そして、各リードフレームの下面のうち、厚板部分の下面、すなわち、凸部の下面のみが透明樹脂体２０の下面において露出しており、各リードフレームの下面におけるそれ以外の領域は透明樹脂体２０によって覆われている。すなわち、薄板部及び吊ピンの下面は透明樹脂体２０によって覆われている。また、各リードフレームの端面のうち、吊ピンの先端面のみが透明樹脂体２０の側面において露出しており、それ以外の領域は透明樹脂体２０によって覆われている。すなわち、ベース部の端面、凸部の側面及び吊ピンの側面は、透明樹脂体２０によって覆われている。更に、リードフレーム１１〜１６の上面は、その全領域が透明樹脂体２０によって覆われている。そして、各リードフレームの凸部の下面が、ＬＥＤパッケージ１の外部電極パッドになっている。なお、本明細書において、「覆う」とは、覆うものが覆われるものに接触している場合と接触していない場合の双方を含む概念である。
以下、リードフレーム１１〜１６の平面レイアウトについて説明する。
図１並びに図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、リードフレーム１１〜１６のレイアウトは、ＬＥＤパッケージ１の中心を通過するＸＺ平面に関して対称である。リードフレーム１１は、ＬＥＤパッケージ１の−Ｘ方向側端部におけるＹ方向中央部に配置されており、リードフレーム１２は、ＬＥＤパッケージ１のＸ方向中央部におけるＹ方向全長及び＋Ｘ方向側端部におけるＹ方向中央部に配置されている。リードフレーム１３、１４、１５、１６は、それぞれ、ＬＥＤパッケージ１の−Ｘ＋Ｙ方向側の角部、＋Ｘ＋Ｙ方向側の角部、−Ｘ−Ｙ方向側の角部、＋Ｘ−Ｙ方向側の角部に配置されている。
リードフレーム１１においては、Ｚ方向から見て矩形のベース部１１ａが設けられており、このベース部１１ａから５本の吊ピン１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆが延出している。吊ピン１１ｂ、１１ｃ、１１ｄは、それぞれ、ベース部１１ａの−Ｘ方向に向いた端縁の＋Ｙ方向側の端部、Ｙ方向中央部及び−Ｙ方向側の端部から−Ｘ方向に向けて延出しており、それらの先端面は、透明樹脂体２０の−Ｘ方向に向いた側面２０ａにおいて露出している。吊ピン１１ｅは、ベース部１１ａの＋Ｙ方向に向いた端縁の＋Ｘ方向側の端部から＋Ｙ方向に向けて延出し、リードフレーム１３とリードフレーム１２との間を通過し、その先端面は透明樹脂体２０における＋Ｙ方向に向いた側面２０ｂにおいて露出している。吊ピン１１ｆは、ベース部１１ａの−Ｙ方向に向いた端縁の＋Ｘ方向側の端部から−Ｙ方向に向けて延出し、リードフレーム１５とリードフレーム１２との間を通過し、その先端面は透明樹脂体２０における−Ｙ方向に向いた側面２０ｃにおいて露出している。このため、リードフレーム１１における＋Ｘ方向に向いた端縁は、透明樹脂体２０のＹ方向全長にわたって直線状に延びている。また、ベース部１１ａの下面には凸部１１ｋが形成されており、ベース部１１ａにおける凸部１１ｋが形成されていない部分は薄板部１１ｔとなっている。Ｚ方向から見て、凸部１１ｋの形状は矩形であり、薄板部１１ｔの形状は−Ｘ方向に開いたコ字状である。
リードフレーム１２においては、Ｚ方向から見て、＋Ｘ方向に向いた凸字形のベース部１２ａが設けられている。すなわち、ベース部１２ａにおいては、Ｚ方向から見てＬＥＤパッケージ１の中心を含む領域に配置され、透明樹脂体２０のＹ方向全長にわたって延びる矩形部分１２ｂと、矩形部分１２ｂの＋Ｘ方向側に配置され、矩形部分１２ｂと連続し、Ｙ方向における長さが矩形部分１２ｂよりも短く、リードフレーム１１のベース部１１ａと等しい矩形部分１２ｃとが設けられている。
ベース部１２ａからは、７本の吊ピン１２ｄ〜１２ｊが延出している。吊ピン１２ｄ及び１２ｅは、矩形部分１２ｂの＋Ｙ方向に向いた端縁におけるＸ方向中央部及び＋Ｘ方向側の端部から＋Ｙ方向に向けて延出し、それらの先端面は透明樹脂体２０の＋Ｙ方向に向いた側面２０ｂにおいて露出している。吊ピン１２ｆ及び１２ｇは、矩形部分１２ｂの−Ｙ方向に向いた端縁におけるＸ方向中央部及び＋Ｘ方向側の端部から−Ｙ方向に向けて延出し、それらの先端面は透明樹脂体２０の−Ｙ方向に向いた側面２０ｃにおいて露出している。吊ピン１２ｈ、１２ｉ、１２ｊは、矩形部分１２ｃの＋Ｘ方向に向いた端縁における＋Ｙ方向側の端部、Ｙ方向中央部及び−Ｙ方向側の端部から＋Ｘ方向に向けて延出しており、それらの先端面は、透明樹脂体２０の＋Ｘ方向に向いた側面２０ｄにおいて露出している。このため、リードフレーム１２における−Ｘ方向に向いた端縁は、透明樹脂体２０のＹ方向全長にわたって直線状に延びている。
また、矩形部分１２ｂ及び１２ｃの下面には、それぞれ、凸部１２ｋ及び１２ｌが相互に離隔して形成されている。Ｚ方向から見て、凸部１２ｋ及び１２ｌの形状はそれぞれ矩形である。ベース部１２ａにおける凸部１２ｋ及び１２ｌが形成されていない部分は薄板部１２ｔとなっている。薄板部１２ｔは、凸部１２ｋの−Ｘ方向側及び＋Ｘ方向側、凸部１２ｋと凸部１２ｌとの間、凸部１２ｌの＋Ｙ方向側及び−Ｙ方向側に設けられている。従って、凸部１２ｋは、リードフレーム１２の下面におけるリードフレーム１３に対向した端縁及びリードフレーム１４に対向した端縁の双方から離隔した領域に形成されている。
リードフレーム１３においては、１つのベース部１３ａが設けられており、このベース部１３ａから２本の吊ピン１３ｂ及び１３ｃが延出している。Ｚ方向から見て、ベース部１３ａの形状は、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。吊ピン１３ｂは、ベース部１３ａの−Ｘ方向に向いた端縁におけるＹ方向中央部から−Ｘ方向に向けて延出しており、その先端面は透明樹脂体２０の側面２０ａにおいて露出している。吊ピン１３ｃは、ベース部１３ａの＋Ｙ方向に向いた端縁におけるＸ方向中央部から＋Ｙ方向に向けて延出しており、その先端面は透明樹脂体２０の側面２０ｂにおいて露出している。ベース部１３ａにおける−Ｙ方向側の端部を除く部分の下面には、凸部１３ｋが形成されており、ベース部１３ａにおける凸部１３ｋが形成されていない部分、すなわち、−Ｙ方向側の端部は薄板部１３ｔとなっている。Ｚ方向から見て、凸部１３ｋ及び薄板部１３ｌの形状はそれぞれ矩形である。
リードフレーム１４の形状は、ＬＥＤパッケージ１の中心を通過するＹＺ平面に関して、リードフレーム１３の鏡像となっている。すなわち、リードフレーム１４においては、１つのベース部１４ａ及び２本の吊ピン１４ｂ及び１４ｃが設けられており、凸部１４ｋ及び薄板部１４ｔが形成されている。
リードフレーム１５及び１６の形状は、それぞれ、ＬＥＤパッケージ１の中心を通過するＸＺ平面に関して、リードフレーム１３及び１４の鏡像となっている。なお、リードフレーム１４の形状はリードフレーム１３の鏡像には限定されず、リードフレーム１５及び１６の形状はリードフレーム１３及び１４の鏡像には限定されない。
上述のＬＥＤチップ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ及び保護チップ２２Ａ及び２２Ｂは、ダイマウント材２３を介して、リードフレーム１２のベース部１２ａの矩形部分１２ｂ上に搭載されており、凸部１２ｋの直上域に配置されている。矩形部分１２ｂの＋Ｙ方向側の端部から−Ｙ方向側の端部に向かって、保護チップ２２Ａ、ＬＥＤチップ２１Ｂ、ＬＥＤチップ２１Ｒ、ＬＥＤチップ２１Ｇ及び保護チップ２１Ｂが、この順に一列に相互に離隔して配列されている。Ｚ方向から見て、ＬＥＤチップ２１ＲはＬＥＤパッケージ１の中心を含む領域に配置されている。また、上面端子型の各チップ、すなわち、ＬＥＤチップ２１Ｂ及び２１Ｇ並びに保護チップ２２Ａ及び２２Ｂは、その長手方向がＸ方向になるように配列されており、各チップの上面に設けられた一対の端子は、Ｘ方向に沿って配列されている。
ＬＥＤチップ２１Ｒの上面端子２１Ｒａはワイヤ２４ａを介してリードフレーム１１に接続されており、下面端子（図示せず）は導電性のダイマウント材２３を介してリードフレーム１２に接続されている。ＬＥＤチップ２１Ｂの上面に設けられた一方の端子２１Ｂａはワイヤ２４ｂを介してリードフレーム１３に接続されており、他方の端子２１Ｂｂはワイヤ２４ｃを介してリードフレーム１４に接続されている。ＬＥＤチップ２１Ｇの上面に設けられた一方の端子２１Ｇａはワイヤ２４ｄを介してリードフレーム１５に接続されており、他方の端子２１Ｇｂはワイヤ２４ｅを介してリードフレーム１６に接続されている。
保護チップ２２Ａの一方の端子２２Ａａはワイヤ２４ｆを介してリードフレーム１３に接続されており、他方の端子２２Ａｂはワイヤ２４ｇを介してリードフレーム１４に接続されている。すなわち、保護チップ２２ＡはＬＥＤチップ２１Ｂに対して並列に接続されている。また、保護チップ２２Ｂの一方の端子２２Ｂａはワイヤ２４ｈを介してリードフレーム１５に接続されており、他方の端子２２Ｂｂはワイヤ２４ｉを介してリードフレーム１６に接続されている。すなわち、保護チップ２２ＢはＬＥＤチップ２１Ｇに対して並列に接続されている。ダイマウント材２３は例えば銀ペースト又は半田によって形成されており、ワイヤ２４ａ〜２４ｉは例えば金又はアルミニウムによって形成されている。
ワイヤ２４ａ〜２４ｉ（以下、総称して「ワイヤ２４」ともいう）については、各チップの端子に接合された端部からワイヤ２４が引き出される方向とＸＹ平面とのなす角度（以下、「チップ側引出角度」という）が、リードフレームに接合された端部からワイヤ２４が引き出される方向とＸＹ平面とのなす角度（以下、「フレーム側引出角度」という）よりも小さい。例えば、チップ側引出角度は０〜５°であり、フレーム側引出角度は８５〜９０°である。また、ワイヤ２４における両端部以外の部分は、これらの両端部を結ぶ直線の直上域から見て、ＬＥＤパッケージ１の中心に向けて変位している。
具体的には、保護チップ２２Ａに接続されたワイヤ２４ｆ及び２４ｇの両端部以外の部分は、これらの両端部を結ぶ直線から見て、−Ｙ方向側に位置している。ＬＥＤチップ２１Ｂに接続されたワイヤ２４ｂ及び２４ｃの両端部以外の部分も、これらの両端部を結ぶ直線から見て、−Ｙ方向側に位置している。一方、保護チップ２２Ｂに接続されたワイヤ２４ｈ及び２４ｉの両端部以外の部分は、これらの両端部を結ぶ直線から見て、＋Ｙ方向側に位置している。ＬＥＤチップ２１Ｇに接続されたワイヤ２４ｄ及び２４ｅの両端部以外の部分も、これらの両端部を結ぶ直線から見て、＋Ｙ方向側に位置している。
上述の如く、６枚のリードフレーム１１〜１６のそれぞれには、Ｙ方向に延び、その先端面が透明樹脂体２０の側面２０ｂ又は２０ｃにおいて露出した吊ピンが１本以上設けられている。また、Ｘ方向に延び、その先端面が透明樹脂体２０の側面２０ａ又は２０ｄにおいて露出した吊ピンも１本以上設けられている。このため、これらのリードフレームにおいては、その先端面が透明樹脂体２０における相互に直交する２つの側面において露出した複数本の吊ピンが設けられている。特に、ＬＥＤチップ２１Ｒ、２１Ｂ、２１Ｇ及び保護チップ２２Ａ及び２２Ｂが搭載されたリードフレーム１２の吊ピン１２ｄ〜１２ｊの先端面は、透明樹脂体２０の相互に異なる３つの側面２０ｂ、２０ｃ、２０ｄにおいて露出している。
次に、本実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法について説明する。
図３は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図４（ａ）〜（ｄ）、図５（ａ）〜（ｃ）、図６（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を例示する工程断面図であり、
図７（ａ）は、本実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、（ｂ）は、このリードフレームシートの素子領域を例示する一部拡大平面図である。
なお、図４〜図７においては、図示の便宜上、各ＬＥＤパッケージの構造は簡略化して描いている。例えば、ＬＥＤチップは総称してＬＥＤチップ２１とし、ワイヤは総称してワイヤ２４とし、保護チップ２２Ａ及び２２Ｂ（以下、総称して「保護チップ２２」ともいう）は図示を省略している。また、図７（ｂ）においては、薄板部分に斜線を付して示している。
先ず、図４（ａ）に示すように、導電性材料からなる導電シート３１を用意する。この導電シート３１は、例えば、短冊状の銅板３１ａの上下面に銀めっき層３１ｂが施されたものである。次に、この導電シート３１の上下面上に、マスク３２ａ及び３２ｂを形成する。マスク３２ａ及び３２ｂには、選択的に開口部３２ｃが形成されている。マスク３２ａ及び３２ｂは、例えば印刷法によって形成することができる。
次に、マスク３２ａ及び３２ｂが被着された導電シート３１をエッチング液に浸漬することにより、導電シート３１をウェットエッチングする。これにより、導電シート３１のうち、開口部３２ｃ内に位置する部分がエッチングされて選択的に除去される。このとき、例えば浸漬時間を調整することによってエッチング量を制御し、導電シート３１の上面側及び下面側からのエッチングがそれぞれ単独で導電シート３１を貫通する前に、エッチングを停止させる。これにより、上下面側からハーフエッチングを施す。但し、上面側及び下面側の双方からエッチングされた部分は、導電シート３１を貫通するようにする。その後、マスク３２ａ及び３２ｂを除去する。
これにより、図３及び図４（ｂ）に示すように、導電シート３１から銅板３１ａ及び銀めっき層３１ｂが選択的に除去されて、リードフレームシート３３が形成される。なお、図示の便宜上、図４（ｂ）以降の図においては、銅板３１ａ及び銀めっき層３１ｂを区別せずに、リードフレームシート３３として一体的に図示する。
図７（ａ）に示すように、リードフレームシート３３においては、例えば３つのブロックＢが設定されており、各ブロックＢには例えば１０００個程度の素子領域Ｐが設定されている。また、リードフレームシート３３には、後の工程において位置合わせに使用するターゲットマーク（図示せず）が形成されている。
図７（ｂ）に示すように、素子領域Ｐはマトリクス状に配列されており、素子領域Ｐ間は格子状のダイシング領域Ｄとなっている。リードフレームシート３３における上面側及び下面側の双方からエッチングされた領域は、導電シート３１を形成していた導電性材料が完全に除去されて、貫通領域となる。また、リードフレームシート３３における下面側のみからエッチングされた領域は、導電シート３１の下部のみが除去され、薄板部分となる。更に、リードフレームシート３３における上面側からも下面側からもエッチングされていない領域は、導電シート３１が完全に残留し、厚板部分となる。このようにして、各素子領域Ｐにおいては、相互に離隔した６枚のリードフレーム１１〜１６を含む基本パターンが形成される。また、ダイシング領域Ｄにおいては、格子状の支持部材３０が形成される。
各リードフレームには、素子領域Ｐの外縁から離隔したベース部と、ベース部から延出し、素子領域Ｐの外縁に到達し、支持部材３０に連結された複数本の連結部分３５が設けられている。各リードフレームに設けられた連結部分３５のうち、一部の連結部分３５はＸ方向に延びて素子領域Ｐの外縁におけるＹ方向に延びる辺に到達しており、残りの連結部分３５はＹ方向に延びて素子領域Ｐの外縁におけるＸ方向に延びる辺に到達している。すなわち、ＬＥＤチップに接続される６枚のリードフレームに設けられた複数本の連結部分３５は、素子領域Ｐの外縁における相互に直交する２辺に到達している。
次に、図３及び図４（ｃ）に示すように、リードフレームシート３３の下面に、例えばポリイミドからなる補強テープ３４を貼付する。そして、リードフレームシート３３の各素子領域Ｐに属するリードフレーム１２上にダイマウント材２３を被着させる。次に、ダイマウント材２３上にＬＥＤチップ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ及び保護チップ２２Ａ及び２２Ｂをマウントする。次に、ダイマウント材２３を焼結するための熱処理（マウントキュア）を行う。これにより、リードフレームシート３３の各素子領域Ｐにおいて、リードフレーム１２上にダイマウント材２３を介してＬＥＤチップ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ及び保護チップ２２Ａ及び２２Ｂが搭載される。
次に、図３及び図４（ｄ）に示すように、例えば超音波接合により、ワイヤ２４の一端を各リードフレームの上面に接合する。次いで、ワイヤ２４をこの接合部分から略上方（＋Ｚ方向）に引き出し、略直角に屈曲させて、略水平に各ＬＥＤチップ２１又は保護チップ２２の上方まで引き出す。そして、ワイヤ２４の他端を各ＬＥＤチップ又は保護チップの端子に接合する。これらの超音波接合において、超音波の振動方向は例えばＹ方向とする。これにより、各ＬＥＤチップの上面に設けられた各端子が、ワイヤ２４を介して各リードフレームに接続される。
次に、図３及び図５（ａ）に示すように、下金型１０１を用意する。下金型１０１は後述する上金型１０２と共に一組の金型を構成するものであり、下金型１０１の上面には、直方体形状の凹部１０１ａが形成されている。一方、シリコーン等の透明樹脂により、液状又は半液状の樹脂材料３６を調製する。なお、このとき、樹脂材料３６に拡散剤を添加してもよい。そして、ディスペンサ１０３により、下金型１０１の凹部１０１ａ内に、樹脂材料３６を供給する。
次に、図３及び図５（ｂ）に示すように、上述のＬＥＤチップ２１を搭載したリードフレームシート３３を、ＬＥＤチップ２１が下方に向くように、上金型１０２の下面に装着する。そして、図５（ｃ）に示すように、上金型１０２を下金型１０１に押し付け、金型を型締めする。これにより、リードフレームシート３３が樹脂材料３６に押し付けられる。このとき、樹脂材料３６はＬＥＤチップ２１、保護チップ２２、ダイマウント材２３及びワイヤ２４を覆い、リードフレームシート３３におけるエッチングによって除去された部分内にも回り込む。このようにして、樹脂材料３６がモールドされる。このモールド工程は真空雰囲気中で実施されることが好ましい。これにより、樹脂材料３６内で発生した気泡がリードフレームシート３３におけるハーフエッチングされた部分に付着することを防止できる。次に、樹脂材料３６にリードフレームシート３３の上面を押し付けた状態で熱処理（モールドキュア）を行い、樹脂材料３６を硬化させる。
次に、図６（ａ）に示すように、上金型１０２を下金型１０１から引き離す。これにより、少なくとも、ＬＥＤチップ２１、リードフレームシート３３の上面、連結部分３５の下面を覆う透明樹脂板３９が形成される。その後、リードフレームシート３３から補強テープ３４を引き剥がす。これにより、透明樹脂板３９の表面においてリードフレームの凸部の下面が露出する。
次に、図３及び図６（ｂ）に示すように、ブレード１０４により、リードフレームシート３３及び透明樹脂板３９からなる結合体を、リードフレームシート３３側からダイシングする。すなわち、＋Ｚ方向に向けてダイシングする。これにより、リードフレームシート３３及び透明樹脂板３９におけるダイシング領域Ｄに配置された部分が除去される。この結果、リードフレームシート３３及び透明樹脂板３９における素子領域Ｐに配置された部分が個片化され、ＬＥＤパッケージが製造される。なお、リードフレームシート３３及び透明樹脂板３９からなる結合体は、透明樹脂板３９側からダイシングしてもよい。また、本実施形態においては、ブレード１０４にはストレート形状のブレードを用いているが、先端に向かって徐々に細くなるテーパー形状のブレードを用いてもよい。テーパー形状のブレードを用いることにより、分断後の透明樹脂体２０の形状を四角錐台形とすることができ、光の取出効率を向上させることができる。
ダイシング後の各ＬＥＤパッケージにおいては、リードフレームシート３３から各リードフレーム１１〜１６が相互に分離される。また、透明樹脂板３９が分断されて、透明樹脂体２０となる。このとき、支持部材３０及び各連結部分３５における支持部材３０側の部分が除去されて、連結部分３５の残部が吊ピンとなる。そして、連結部分３５の切断面、すなわち、各吊ピンの先端面は、透明樹脂体２０の側面において露出する。
次に、図３に示すように、ＬＥＤパッケージについて、各種のテストを行う。このとき、吊ピンの先端面をテスト用の端子として使用することも可能である。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、全てのチップ、すなわち、３個のＬＥＤチップ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｒ及び２個の保護チップ２２Ａ及び２２Ｂを、１枚のリードフレーム１２上に搭載している。このため、ＬＥＤパッケージ１の小型化を図ることができる。また、ＬＥＤパッケージ１には外囲器が設けられていないため、これによっても小型化を図ることができる。
また、本実施形態においては、保護チップ２２Ａ及び２２Ｂに上面端子型のチップを用いている。これにより、保護チップ２２Ａ及び２２ＢをＬＥＤチップ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂと同じリードフレーム１２に搭載すると共に、保護チップ２２Ａ及び２２Ｂをリードフレーム１２以外のリードフレームに接続することができる。この結果、保護チップ２２Ａ及び２２Ｂに接続されたワイヤ２４を短くすることができ、ＬＥＤパッケージ１の信頼性が向上する。
更に、本実施形態においては、ＬＥＤチップ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂがリードフレーム１２の凸部１２ｋの直上域に配置されている。凸部１２ｋの下面は透明樹脂体２０の下面から露出し、外部の配線等に接続されるため、各ＬＥＤチップ２１において発生した熱は、リードフレーム１２を直下方向（−Ｚ方向）に流れ、外部に放出される。また、上述の如く、全てのＬＥＤチップ及び保護チップは、比較的大きな１枚のリードフレーム１２上に搭載されており、これらのチップの直下域には比較的大きな凸部１２ｋが形成されており、その下面が透明樹脂体２０の下面から露出している。これにより、ＬＥＤパッケージ１が実装される実装基板との接触面積を大きくすることができる。このため、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ１は、放熱性が良好である。また、ＬＥＤチップ２１Ｒの下面端子の電位を接地電位とすれば、リードフレーム１２の下面にヒートシンクを接続することができる。これにより、放熱性がより一層向上する。
更にまた、本実施形態においては、リードフレーム１１とリードフレーム１２との間にＬＥＤチップ２１Ｒが接続され、リードフレーム１３とリードフレーム１４との間にＬＥＤチップ２１Ｂが接続され、リードフレーム１５とリードフレーム１６との間にＬＥＤチップ２１Ｇが接続されている。これにより、リードフレーム２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂを相互に独立して制御することができ、ＬＥＤパッケージ１から出射される光の色調を任意に選択することができる。また、保護チップ２２Ａ及び２２ＢをそれぞれＬＥＤチップ２１Ｂ及び２１Ｇに対して並列に接続することにより、ＬＥＤチップ２１Ｂ及び２１Ｇを保護することができる。
更にまた、本実施形態においては、図４（ｄ）に示すワイヤボンディング工程において、各リードフレームにＸ方向に延びる連結部分３５とＹ方向に延びる連結部分３５の双方が設けられている。これにより、リードフレームが支持部材３０によってＸ方向及びＹ方向の双方から支持されるため、超音波の振動方向がＸＹ平面内のいずれの方向であっても、リードフレームの振動を効果的に抑制し、超音波を効率的に印加することができる。このため、ワイヤボンディングに際して、超音波の振動方向を管理する必要がない。この結果、ＬＥＤパッケージ１の製造コストを低減することができる。
更にまた、本実施形態においては、全てのチップが搭載されるリードフレーム１２には、３方向に延びる連結部分３５が形成されている。これにより、図４（ｃ）に示すチップのマウント工程及び図４（ｄ）に示すワイヤボンディング工程において、リードフレーム１２が支持部材３０によって３方向から強固に支持される。この結果、ＬＥＤパッケージ１は、チップのマウント性及びワイヤのボンディング性が高い。
更にまた、本実施形態においては、透明樹脂体２０がリードフレーム１１〜１６の薄板部分、すなわち、薄板部及び吊ピンの下面を覆うことにより、リードフレームの周辺部を保持している。このため、リードフレームの凸部の下面を透明樹脂体２０から露出させて外部電極パッドを実現しつつ、リードフレームの保持性を高めることができる。これにより、ダイシングの際に、リードフレーム１１〜１６が透明樹脂体２０から剥離しにくくなり、ＬＥＤパッケージ１の歩留まりを向上させることができる。また、ＬＥＤパッケージ１の使用時において、温度ストレスによりリードフレーム１１〜１６が透明樹脂体２０から剥離することを防止できる。
更にまた、本実施形態においては、各リードフレームのベース部からそれぞれ吊ピンが延出している。これにより、ベース部自体が透明樹脂体２０の側面において露出することがなく、リードフレームの露出面積を低減することができる。また、リードフレーム１１〜１６と透明樹脂体２０との接触面積を増加させることができる。この結果、リードフレームが透明樹脂体２０から剥離することを防止できる。また、リードフレームの腐食も抑制できる。
更にまた、本実施形態においては、ワイヤ２４のチップ側引出角度がフレーム側引出角度よりも小さい。これにより、ワイヤ２４のループを低く形成することができ、透明樹脂体２０の高さを低減することができる。この結果、透明樹脂体２０の熱膨張量及び熱応力を低減することができ、透明樹脂体２０から受ける熱応力によるワイヤ２４の接合部の破断を防止することができる。
更にまた、透明樹脂体２０が熱膨張すると、ワイヤ２４には透明樹脂体２０の周辺上部に向かう熱応力が作用し、透明樹脂体２０が熱収縮すると、ワイヤ２４には透明樹脂体２０の中央下部に向かう熱応力が作用する。本実施形態においては、ワイヤ２４における両端部以外の部分が、これらの両端部を結ぶ直線の直上域から見て、ＬＥＤパッケージ１の中心に向けて変位している。このため、透明樹脂体２０の熱膨張及び熱収縮が生じたときに、ワイヤ２４の変形はワイヤ２４の両端部を軸とした回動運動に近い変形となり、破断しにくい。これに対して、仮に、ワイヤ２４の両端部以外の部分がＬＥＤパッケージ１の中心から遠ざかる方向に変位していると、透明樹脂体２０の熱膨張及び熱収縮が生じたときに、ワイヤ２４の変形はワイヤ２４のループを潰したり引き抜いたりする運動に近くなり、ワイヤが破断しやすくなる。
更にまた、本実施形態においては、１枚の導電性シート３１から、多数、例えば、数千個程度のＬＥＤパッケージを一括して製造することができる。これにより、ＬＥＤパッケージ１個当たりの製造コストを低減することができる。また、外囲器が設けられていないため、部品点数及び工程数が少なく、コストが低い。
また、本実施形態においては、リードフレームシート３３をウェットエッチングによって形成している。このため、新たなレイアウトのＬＥＤパッケージを製造する際には、マスクの原版のみを用意すればよく、金型によるプレス等の方法によってリードフレームシート３３を形成する場合と比較して、初期コストを低く抑えることができる。
次に、本実施形態の変形例について説明する。
本変形例は、リードフレームシートの形成方法の変形例である。
すなわち、本変形例においては、図７（ａ）及び（ｂ）に示すリードフレームシートの形成方法が、前述の第１の実施形態と異なっている。
図８（ａ）〜（ｈ）は、本変形例におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。
先ず、図８（ａ）に示すように、銅板３１ａを用意し、これを洗浄する。次に、図８（ｂ）に示すように、銅板３１ａの両面に対してレジストコーティングを施し、その後乾燥させて、レジスト膜１１１を形成する。次に、図８（ｃ）に示すように、レジスト膜１１１上にマスクパターン１１２を配置し、紫外線を照射して露光する。これにより、レジスト膜１１１の露光部分が硬化し、レジストマスク１１１ａが形成される。次に、図８（ｄ）に示すように、現像を行い、レジスト膜１１１における硬化していない部分を洗い流す。これにより、銅板３１ａの上下面上にレジストパターン１１１ａが残留する。次に、図８（ｅ）に示すように、レジストパターン１１１ａをマスクとしてエッチングを施し、銅板３１ａにおける露出部分を両面から除去する。このとき、エッチング深さは、銅板３１ａの板厚の半分程度とする。これにより、片面側からのみエッチングされた領域はハーフエッチングされ、両面側からエッチングされた領域は貫通する。次に、図８（ｆ）に示すように、レジストパターン１１１ａを除去する。次に、図８（ｇ）に示すように、銅板３１ａの端部をマスク１１３によって覆い、めっきを施す。これにより、銅板３１ａの端部以外の部分の表面上に、銀めっき層３１ｂが形成される。次に、図８（ｈ）に示すように、洗浄してマスク１１３を除去する。その後、検査を行う。このようにして、リードフレームシート３３が作製される。本変形例における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第２の実施形態について説明する。
図９は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図である。
図９に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ２においては、第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージ１における上下導通型のＬＥＤチップ２１Ｒ（図２（ａ）参照）の替わりに、上面端子型のＬＥＤチップ２６Ｒが設けられている。ＬＥＤチップ２６Ｒは赤色の光を出射するチップであり、上面に２つの端子２６Ｒａ及び２６Ｒｂが設けられている。ＬＥＤチップ２６Ｒの長手方向及び端子２６Ｒａ及び２６Ｒｂの配列方向はＸ方向である。
また、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ２においては、第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージ１のリードフレーム１２（図２（ａ）参照）が、２枚のリードフレーム１８及び１９に分割されている。ＬＥＤパッケージ２において、リードフレーム１８はＸ方向中央部に配置され、リードフレーム１９は＋Ｘ方向側端部に配置されている。リードフレーム１９の形状は、ＬＥＤパッケージ２の中心を通過するＹＺ平面に関して、リードフレーム１１の鏡像となっている。
すなわち、ＬＥＤパッケージ１におけるリードフレーム１２の矩形部分１２ｂはＬＥＤパッケージ２におけるリードフレーム１８のベース部１８ａに相当し、リードフレーム１２の吊ピン１２ｄ及び１２ｆはリードフレーム１８の吊ピン１８ｄ及び１８ｆに相当し、リードフレーム１２の凸部１２ｋはリードフレーム１８の凸部１８ｋに相当する。ベース部１８ａにおける凸部１８ｋが形成されている部分のＸ方向両側は、薄板部１８ｔとなっている。また、ＬＥＤパッケージ１におけるリードフレーム１２の矩形部分１２ｃは、ＬＥＤパッケージ２におけるリードフレーム１９のベース部１９ａに相当し、リードフレーム１２の吊ピン１２ｈ、１２ｉ、１２ｊはリードフレーム１９の吊ピン１９ｂ、１９ｃ、１９ｄに相当し、リードフレーム１２の吊ピン１２ｅ及び１２ｇは、リードフレーム１９の吊ピン１９ｅ及び１９ｆに相当し、リードフレーム１２の凸部１２ｌはリードフレーム１９の凸部１９ｌに相当する。ベース部１９ａにおける凸部１９ｋが形成されている部分の−Ｘ方向側は、薄板部１９ｔとなっている。
そして、ＬＥＤチップ２１Ｇ、２１Ｂ及び２６Ｒ、並びに保護チップ２２Ａ及び２２Ｂは、リードフレーム１８の凸部１８ｋの直上域に搭載されている。また、ＬＥＤチップ２６Ｒの端子２６Ｒａはワイヤ２４ａを介してリードフレーム１１に接続されており、端子２６Ｒｂはワイヤ２４ｊを介してリードフレーム１９に接続されている。
本実施形態によれば、全てのチップが搭載されたリードフレーム１８が電気的に浮遊状態となるため、リードフレーム１８にヒートシンクを接続することができる。これにより、ＬＥＤチップにおいて発生した熱をより効率的に排出することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第３の実施形態について説明する。
図１０は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図であり、
図１１は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する側面図である。
図１０及び図１１に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ３においては、３枚のリードフレーム４１、４２、４３と、１個のＬＥＤチップ４４と、１個の保護チップ４５が設けられている。そして、前述の第１の実施形態と同様に、これらは透明樹脂体２０によって覆われている。ＬＥＤチップ４４が出射する光の色調は、例えば青色であるが、特に限定されない。
リードフレーム４１、４２、４３は、同一平面上に相互に離隔して配置されており、＋Ｘ方向に向かってこの順に配列されている。そして、前述の第１の実施形態と同様に、各リードフレームには、１個のベース部及び複数本の吊ピンが設けられており、吊ピンの先端面は透明樹脂体２０の側面において露出している。また、各リードフレームの各ベース部の下面には凸部が形成されており、ベース部における凸部が形成されていない部分は薄板部となっている。凸部の下面は透明樹脂体２０の下面において露出しており、薄板部及び吊ピンの下面は透明樹脂体２０によって覆われている。
より具体的に説明すると、リードフレーム４１においては、Ｚ方向から見て矩形状のベース部４１ａと、４本の吊ピン４１ｂ〜４１ｅが設けられている。吊ピン４１ｂ及び４１ｃは、ベース部４１ａにおける−Ｘ方向に向いた端縁のそれぞれ＋Ｙ方向側の端部及び−Ｙ方向側の端部から−Ｘ方向に延び、これらの先端面は透明樹脂体２０の側面２０ａにおいて露出している。吊ピン４１ｄはベース部４１ａの＋Ｙ方向に向いた端縁の＋Ｘ方向側の端部から＋Ｙ方向に延び、その先端面は透明樹脂体２０の側面２０ｂにおいて露出している。吊ピン４１ｅはベース部４１ａの−Ｙ方向に向いた端縁の＋Ｘ方向側の端部から−Ｙ方向に延び、その先端面は透明樹脂体２０の側面２０ｃにおいて露出している。また、ベース部４１ａの下面における＋Ｘ方向側の端部を除く領域には凸部４１ｋが形成されており、ベース部４１ａにおける＋Ｘ方向側の端部は薄板部４１ｔとなっている。
また、リードフレーム４２においては、Ｚ方向から見て矩形状のベース部４２ａと、２本の吊ピン４２ｂ及び４２ｃが設けられている。吊ピン４２ｂは、ベース部４２ａの＋Ｙ方向に向いた端縁の−Ｘ方向側の部分から＋Ｙ方向に延び、その先端面は透明樹脂体２０の側面２０ｂにおいて露出している。吊ピン４２ｃは、ベース部４２ａの−Ｙ方向に向いた端縁の−Ｘ方向側の部分から−Ｙ方向に延び、その先端面は透明樹脂体２０の側面２０ｃにおいて露出している。また、ベース部４２ａの下面におけるＸ方向両端部を除く領域には凸部４２ｋが形成されており、それ以外の領域、すなわち、ベース部４２ａにおけるＸ方向両端部は薄板部４２ｔとなっている。換言すれば、凸部４２ｋは、リードフレーム４２の下面におけるリードフレーム４１に対向した端縁及びリードフレーム４３に対向した端縁の双方から離隔した領域に形成されている。
更に、リードフレーム４３においては、Ｚ方向から見て矩形状のベース部４３ａと、４本の吊ピン４３ｂ〜４３ｅが設けられている。吊ピン４３ｂ及び４３ｃは、ベース部４３ａにおける＋Ｘ方向に向いた端縁のそれぞれ＋Ｙ方向側の端部及び−Ｙ方向側の端部から＋Ｘ方向に延び、これらの先端面は透明樹脂体２０の側面２０ｄにおいて露出している。吊ピン４３ｄはベース部４１ａの＋Ｙ方向に向いた端縁の−Ｘ方向側の端部から＋Ｙ方向に延び、その先端面は透明樹脂体２０の側面２０ｂにおいて露出している。吊ピン４３ｅはベース部４３ａの−Ｙ方向に向いた端縁の−Ｘ方向側の端部から−Ｙ方向に延び、その先端面は透明樹脂体２０の側面２０ｃにおいて露出している。また、ベース部４３ａの下面における−Ｘ方向側の端部を除く領域には凸部４３ｋが形成されており、ベース部４３ａにおける−Ｘ方向側の端部は薄板部４３ｔとなっている。
ＬＥＤチップ４４及び保護チップ４５はリードフレーム４２上に搭載されており、凸部４２ｋの直上域に配置されている。ＬＥＤチップ４４はＬＥＤパッケージ３の中心よりも−Ｙ方向側に配置されており、保護チップ４５はＬＥＤパッケージ３の中心よりも＋Ｙ方向側に配置されている。ＬＥＤチップ４４及び保護チップ４５はいずれも上面端子型のチップであり、その上面にはそれぞれ２つの端子が設けられている。各チップにおける端子の配列方向はＸ方向である。ＬＥＤチップ４４の一方の端子４４ａはワイヤ４６ａを介してリードフレーム４１における−Ｙ方向側の部分に接続されており、他方の端子４４ｂはワイヤ４６ｂを介してリードフレーム４３における−Ｙ方向側の部分に接続されている。保護チップ４５の一方の端子４５ａはワイヤ４６ｃを介してリードフレーム４１における＋Ｙ方向側の部分に接続されており、他方の端子４５ｂはワイヤ４６ｄを介してリードフレーム４３における＋Ｙ方向側の部分に接続されている。このように、保護チップ４５はＬＥＤチップ４４に対して並列に接続されている。
本実施形態によれば、前述の第２の実施形態と同様に、ＬＥＤチップ４４及び保護チップ４５が搭載されたリードフレーム４２が電気的に浮遊状態となるため、リードフレーム４２にヒートシンクを接続することができる。これにより、ＬＥＤチップ４４において発生した熱を効率的に排出することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、各ワイヤ４６のチップ側引出角度がフレーム側引出角度よりも大きい例を示しているが、これには限定されず、前述の第１の実施形態のように、チップ側引出角度をフレーム側引出角度よりも小さくしてもよい。
次に、第４の実施形態について説明する。
図１２（ａ）は本実施形態に係るＬＥＤパッケージのリードフレーム、ＬＥＤチップ及びワイヤを例示する平面図であり、（ｂ）はＬＥＤパッケージを例示する下面図であり、（ｃ）はＬＥＤパッケージを例示する断面図である。
図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態は、３枚のリードフレームが設けられたＬＥＤパッケージにおいて、４個のＬＥＤチップと１個の保護チップを相互に並列に接続した例である。
すなわち、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ４においては、３枚のリードフレーム６１、６２及び６３が相互に離隔して設けられている。リードフレーム６１においては、長手方向をＹ方向とする短冊状のベース部６１ａから、＋Ｙ方向に吊ピン６１ｂが延出し、−Ｙ方向に吊ピン６１ｃが延出し、−Ｘ方向に２本の吊ピン６１ｄ及び６１ｅが延出している。リードフレーム６２においては、長手方向をＹ方向とする短冊状のベース部６２ａから、＋Ｙ方向に２本の吊ピン６２ｂ及び６２ｃが延出し、−Ｙ方向に２本の吊ピン６２ｄ及び６２ｅが延出している。リードフレーム６３の形状は、ほぼリードフレーム６１をＸ方向において反転させた形状であるが、吊ピン６３ｄ及び６３ｅは吊ピン６１ｄ及び６１ｅよりも細い。
ベース部６１ａの下面における＋Ｘ方向側の端部を除く領域には凸部６１ｋが形成されており、ベース部６１ａの＋Ｘ方向側の端部は薄板部６１ｔとなっている。同様に、ベース部６３ａの下面における−Ｘ方向側の端部を除く領域には凸部６３ｋが形成されており、ベース部６３ａの−Ｘ方向側の端部は薄板部６３ｔとなっている。一方、ベース部６２ａの下面におけるＸ方向両端部を除く領域には凸部６２ｋが形成されており、ベース部６２のＸ方向両端部は薄板部６２ｔとなっている。すなわち、チップが搭載されている凸部６２ｋは、リードフレーム６２の下面におけるリードフレーム６１に対向した端縁及びリードフレーム６３に対向した端縁の双方から離隔した領域に形成されている。
また、ＬＥＤパッケージ４においては、ＬＥＤチップ６７が４個、保護チップ６８が１個設けられている。４個のＬＥＤチップ６７は相互に同じ規格のチップであり、相互に同色の光、例えば、白色の光を出射する。また、保護チップ６８には、ツェナーダイオードが形成されている。４個のＬＥＤチップ６７及び１個の保護チップ６８は、ダイマウント材（図示せず）を介してリードフレーム６２のＸ方向中央部に搭載されており、凸部６２ｋの直上域において、Ｙ方向に沿って一列に配列されている。保護チップ６８は最も＋Ｙ方向側に配列されている。各チップの一方の端子はワイヤ６５ａを介してリードフレーム６１に接続されており、他方の端子はワイヤ６５ｂを介してリードフレーム６３に接続されている。
本実施形態によれば、１つのＬＥＤパッケージに４個のＬＥＤチップ６７を設けているため、大きな光量を得ることができる。また、前述の第２及び第３の実施形態と同様に、全てのチップをリードフレーム６２上に搭載し、リードフレーム６１とリードフレーム６３との間に接続することにより、リードフレーム６２を電気的に浮遊状態とすることができる。これにより、電気的に独立したヒートシンクを得ることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
以上説明した実施形態によれば、小型化が容易なＬＥＤパッケージを実現することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。
例えば、ＬＥＤチップが搭載されるリードフレームの上面において、ＬＥＤチップ間の領域に溝を形成してもよい。これにより、ダイマウント材の回り込みを防止できると共に、ＬＥＤチップの搭載位置のばらつきを低減することができる。
１、２、３、４：ＬＥＤパッケージ、１１：リードフレーム、１１ａ：ベース部、１１ｂ〜１１ｆ：吊ピン、１１ｋ：凸部、１１ｔ：薄板部、１２：リードフレーム、１２ａ：ベース部、１２ｂ、１２ｃ：矩形部分、１２ｄ〜１２ｊ：吊ピン、１２ｋ、１２ｌ：凸部、１２ｔ：薄板部、１３：リードフレーム、１３ａ：ベース部、１３ｂ、１３ｃ：吊ピン、１３ｋ：凸部、１３ｔ：薄板部、１４：リードフレーム、１４ａ：ベース部、１４ｂ、１４ｃ：吊ピン、１４ｋ：凸部、１４ｔ：薄板部、１５：リードフレーム、１５ａ：ベース部、１５ｂ、１５ｃ：吊ピン、１５ｋ：凸部、１５ｔ：薄板部、１６：リードフレーム、１６ａ：ベース部、１６ｂ、１６ｃ：吊ピン、１６ｋ：凸部、１６ｔ：薄板部、１８：リードフレーム、１８ａ：ベース部、１８ｄ、１８ｆ：吊ピン、１８ｋ：凸部、１８ｔ：薄板部、１９：リードフレーム、１９ａ：ベース部、１９ｂ〜１９ｆ：吊ピン、１９ｋ：凸部、１９ｔ：薄板部、２０：透明樹脂体、２０ａ〜２０ｄ：側面、２１、２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ：ＬＥＤチップ、２１Ｒａ、２１Ｇａ、２１Ｇｂ、２１Ｂａ、２１Ｂｂ：端子、２２Ａ、２２Ｂ：保護チップ、２２Ａａ、２２Ａｂ、２２Ｂａ、２２Ｂｂ：端子、２３：ダイマウント材、２４ａ〜２４ｊ：ワイヤ、２６Ｒ：ＬＥＤチップ、２６Ｒａ、２６Ｒｂ：端子、３０：支持部材、３１：導電シート、３１ａ：銅板、３１ｂ：銀めっき層、３２ａ、３２ｂ：マスク、３２ｃ：開口部、３３：リードフレームシート、３４：補強テープ、３５：連結部分、３６：樹脂材料、３９：透明樹脂板、４１：リードフレーム、４１ａ：ベース部、４１ｂ〜４１ｅ：吊ピン、４１ｋ：凸部、４１ｔ：薄板部、４２：リードフレーム、４２ａ：ベース部、４２ｂ、４２ｃ：吊ピン、４２ｋ：凸部、４２ｔ：薄板部、４３：リードフレーム、４３ａ：ベース部、４３ｂ〜４３ｅ：吊ピン、４３ｋ：凸部、４３ｔ：薄板部、４４：ＬＥＤチップ、４４ａ、４４ｂ：端子、４５：保護チップ、４５ａ、４５ｂ：端子、４６ａ〜４６ｄ：ワイヤ、６１：リードフレーム、６１ａ：ベース部、６１ｂ〜６１ｅ：吊ピン、６１ｋ：凸部、６１ｔ：薄板部、６２：リードフレーム、６２ａ：ベース部、６２ｂ〜６２ｅ：吊ピン、６２ｋ：凸部、６２ｔ：薄板部、６３：リードフレーム、６３ａ：ベース部、６３ｂ〜６３ｅ：吊ピン、６３ｋ：凸部、６３ｔ：薄板部、６５ａ、６５ｂ：ワイヤ、６７：ＬＥＤチップ、６８：保護チップ、１０１：下金型、１０１ａ：凹部、１０２：上金型、１０３：ディスペンサ、１０４：ブレード、１１１：レジスト膜、１１１ａ：レジストマスク、１１２：マスクパターン、１１３：マスク、Ｂ：ブロック、Ｄ：ダイシング領域、Ｐ：素子領域

Claims (12)

  1. 相互に離隔した第１、第２及び第３のリードフレームと、
    前記第１のリードフレームに搭載され、一方の端子が前記第２のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第３のリードフレームに接続された上面端子型のＬＥＤチップと、
    前記第１のリードフレームに搭載され、一方の端子が前記第２のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第３のリードフレームに接続された上面端子型の保護チップと、
    前記第１〜第３のリードフレームのそれぞれの一部、前記ＬＥＤチップ及び前記保護チップを覆う樹脂体と、
    を備え、
    前記樹脂体の外形がその外形をなしていることを特徴とするＬＥＤパッケージ。
  2. 前記第１、第２及び第３のリードフレームから離隔し、相互に離隔した第４及び第５のリードフレームと、
    前記第１のリードフレームに搭載され、一方の端子が前記第４のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第５のリードフレームに接続された上面端子型の他のＬＥＤチップと、
    前記第１のリードフレームに搭載され、一方の端子が前記第４のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第５のリードフレームに接続された上面端子型の他の保護チップと、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
  3. 前記第１、第２、第３、第４及び第５のリードフレームから離隔した第６のリードフレームと、
    前記第１のリードフレームに搭載され、下面端子が前記第１のリードフレームに接続され、上面端子が前記第６のリードフレームに接続された上下導通型のさらに他のＬＥＤチップと、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項２記載のＬＥＤパッケージ。
  4. 前記第１、第２、第３、第４及び第５のリードフレームから離隔し、相互に離隔した第６及び第７のリードフレームと、
    前記第１のリードフレームに搭載され、一方の端子が前記第６のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第７のリードフレームに接続された上面端子型のさらに他のＬＥＤチップと、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項２記載のＬＥＤパッケージ。
  5. 前記ＬＥＤチップは青色の光を出射する青色ＬＥＤチップであり、前記他のＬＥＤチップは緑色の光を出射する緑色ＬＥＤチップであり、前記さらに他のＬＥＤチップは赤色の光を出射する赤色ＬＥＤチップであることを特徴とする請求項３または４に記載のＬＥＤパッケージ。
  6. 前記第１のリードフレームに搭載され、一方の端子が前記第２のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第３のリードフレームに接続された上面端子型の他のＬＥＤチップと、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のＬＥＤパッケージ。
  7. 前記他のＬＥＤチップが出射する光の色は、前記ＬＥＤチップが出射する光の色と同じであることを特徴とする請求項６記載のＬＥＤパッケージ。
  8. 前記保護チップにはツェナーダイオードが形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載のＬＥＤパッケージ。
  9. 前記第１のリードフレームの下面には凸部が形成されており、前記凸部の下面は前記樹脂体の下面において露出しており、前記ＬＥＤチップ及び前記保護チップは前記凸部の直上域に配置されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のＬＥＤパッケージ。
  10. 前記凸部は、前記第１のリードフレームの下面における前記第２のリードフレームに対向する端縁及び前記第３のリードフレームに対向する端縁の双方から離隔した領域に形成されていることを特徴とする請求項９記載のＬＥＤパッケージ。
  11. 前記第１、第２及び第３のリードフレームは、それぞれ、
    上面及び端面が前記樹脂体によって覆われたベース部と、
    前記ベース部から延出し、上面、下面及び側面が前記樹脂体によって覆われ、先端面が前記樹脂体の側面において露出した複数本の吊ピンと、
    を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載のＬＥＤパッケージ。
  12. 前記第１、第２及び第３のリードフレームは同一平面上に配置されており、
    前記第２及び第３のリードフレームに設けられた前記複数本の吊ピンは、前記ベース部から相互に異なる方向に延出した３本の吊ピンを含み、
    前記第２及び第３のリードフレームの下面には凸部が形成されており、前記凸部の下面は前記樹脂体の下面において露出し、前記凸部の側面は前記樹脂体によって覆われていることを特徴とする請求項１１記載のＬＥＤパッケージ。
JP2010265310A 2010-11-29 2010-11-29 Ｌｅｄパッケージ Pending JP2012119376A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010265310A JP2012119376A (ja) 2010-11-29 2010-11-29 Ｌｅｄパッケージ
US13/052,255 US20120132938A1 (en) 2010-11-29 2011-03-21 Led package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010265310A JP2012119376A (ja) 2010-11-29 2010-11-29 Ｌｅｄパッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012119376A true JP2012119376A (ja) 2012-06-21

Family

ID=46126026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010265310A Pending JP2012119376A (ja) 2010-11-29 2010-11-29 Ｌｅｄパッケージ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20120132938A1 (ja)
JP (1) JP2012119376A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10020291B2 (en) 2014-06-16 2018-07-10 Citizen Electronics Co., Ltd. LED light emitting device
JP2020155431A (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 ローム株式会社 半導体発光装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5122172B2 (ja) * 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
US8525312B2 (en) * 2011-08-12 2013-09-03 Tessera, Inc. Area array quad flat no-lead (QFN) package
TWI518955B (zh) * 2013-08-30 2016-01-21 柏友照明科技股份有限公司 多晶片封裝結構
TW201543720A (zh) * 2014-05-06 2015-11-16 Genesis Photonics Inc 封裝結構及其製備方法
JP6952945B2 (ja) * 2016-03-25 2021-10-27 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び照明装置
WO2018082629A1 (zh) * 2016-11-03 2018-05-11 佛山市国星光电股份有限公司 Led器件、led灯及加工led器件焊线的方法
CN106783817B (zh) * 2016-11-25 2019-02-05 杭州美卡乐光电有限公司 Led封装组件、led模组及其制造方法
DE102018101813A1 (de) * 2018-01-26 2019-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
EP4160679B1 (en) * 2020-04-28 2024-01-31 Nichia Corporation Light-emitting device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017753A (ja) * 2001-07-03 2003-01-17 Koha Co Ltd 発光装置
WO2008153043A1 (ja) * 2007-06-14 2008-12-18 Rohm Co., Ltd. 半導体発光装置
JP2010021426A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP2010040791A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Nichia Corp 光半導体装置
JP2010098276A (ja) * 2008-03-11 2010-04-30 Rohm Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
JP2010129985A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Nichia Corp 半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017753A (ja) * 2001-07-03 2003-01-17 Koha Co Ltd 発光装置
WO2008153043A1 (ja) * 2007-06-14 2008-12-18 Rohm Co., Ltd. 半導体発光装置
JP2010098276A (ja) * 2008-03-11 2010-04-30 Rohm Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
JP2010021426A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP2010040791A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Nichia Corp 光半導体装置
JP2010129985A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Nichia Corp 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10020291B2 (en) 2014-06-16 2018-07-10 Citizen Electronics Co., Ltd. LED light emitting device
JP2020155431A (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 ローム株式会社 半導体発光装置
JP7231450B2 (ja) 2019-03-18 2023-03-01 ローム株式会社 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120132938A1 (en) 2012-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012119376A (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP5010716B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP5383611B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP2012124249A (ja) Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP5010693B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
TWI337387B (en) Leadframe for leadless package, package structure and manufacturing method using the same
JP2003124421A (ja) リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JP4601128B2 (ja) Ｌｅｄ光源およびその製造方法
JP2012084810A (ja) Ｌｅｄ素子用リードフレーム基板及び発光素子
JP5378568B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
US20070077732A1 (en) Semiconductor device and a manufacturing method of the same
JP6468600B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
KR101674537B1 (ko) 리드프레임 제조방법과 그에 따른 리드프레임 및 반도체 패키지 제조방법과 그에 따른 반도체 패키지
JP2011091145A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2006140208A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びダイパッド付きリードフレーム並びにダイパッド付きリードフレームの製造方法
JP2017157643A (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6593841B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ並びに多列型ｌｅｄ用リードフレーム及びその製造方法
JP3734225B1 (ja) 面実装タイプ樹脂製中空パッケージ及びこれを用いた半導体装置
JP2002033345A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2013219104A (ja) Ｌｅｄ用リードフレームおよびその製造方法
JP2017017256A (ja) 多列型ｌｅｄ用リードフレーム及びｌｅｄパッケージ、並びにそれらの製造方法
JP3916352B2 (ja) ターミナルランドフレーム及びその製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP4033969B2 (ja) 半導体パッケージ、その製造方法及びウェハキャリア
JP2011077048A (ja) 照明装置
JP4705614B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131002

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140213