JP2012099810A - リソグラフィ装置および方法 - Google Patents
リソグラフィ装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012099810A JP2012099810A JP2011229408A JP2011229408A JP2012099810A JP 2012099810 A JP2012099810 A JP 2012099810A JP 2011229408 A JP2011229408 A JP 2011229408A JP 2011229408 A JP2011229408 A JP 2011229408A JP 2012099810 A JP2012099810 A JP 2012099810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lithographic apparatus
- hole
- radiation beam
- radiation
- masking blade
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームを提供する照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与するよう機能するパターニングデバイスを支持する支持構造と、基板を支持する基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系とを備える。リソグラフィ装置は、穴部と、穴部に位置する拡散部材とが設けられたパターニングデバイスマスキングブレードをさらに備える。
【選択図】図1
Description
−放射ビームPB(例えば、UV放射またはEUV放射)を調整する照明系(照明器)IL。
−パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持し、要素PLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするよう第1位置決め装置PMに接続される支持構造(例えば、支持構造)MT。
−基板(例えば、レジストコートされたウェハ)Wを保持するための基板テーブル(例えば、ウェハテーブル)WT。基板テーブルWTは、PLに対して基板を正確に位置決めするために第2位置決め装置PWに接続される。
−基板Wの目標部分C(例えば、一つまたは複数のダイからなる)に、パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに与えられたパターンをイメージングするように構成された投影系(例えば、屈折投影レンズ)PL。
Claims (15)
- 放射ビームを提供する照明系と、
放射ビームの断面にパターンを付与するよう機能するパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系と、
を備えるリソグラフィ装置であって、
穴部と、前記穴部に位置する拡散部材とが設けられたパターニングデバイスマスキングブレードをさらに備えることを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記拡散部材が前記穴部内に位置することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記拡散部材が前記穴部から突出していないことを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記穴部がテーパ状エッジを有することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームが前記テーパ状エッジに入射する前に前記拡散部材を通過するよう、前記拡散部材が前記テーパ状エッジの上流に位置していることを特徴とする請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記穴部は、前記マスキングブレードが移動不可能な方向よりも、前記マスキングブレードが移動可能な方向の方が短いことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記マスキングブレードは、当該リソグラフィ装置の動作中に放射ビームが前記投影系を通過する開口部を閉じることができる寸法を有することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記マスキングブレードが第1の位置にあるときに放射が前記開口部を通過して前記投影系に入射せず、前記マスキングブレードが第2の位置にあるときに放射が前記穴部および前記開口部を通過して前記投影系に入射するよう、前記穴部が前記マスキングブレードにおいて位置付けられることを特徴とする請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記穴部が複数の穴部の一つであることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記マスキングブレードが一対のマスキングブレードの一方であり、該一対のマスキングブレードは、異なるサイズおよび/または異なる数の穴部が設けられていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 一方のマスキングブレードは、アライメント測定用に拡散放射を提供するために用いられる一つ以上の穴部が備えており、他方のマスキングブレードは、放射ビームの特性測定用の拡散放射を提供するために用いられる一つ以上の穴部を備えていることを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 少なくとも一つの穴部と、前記穴部に位置する拡散部材とを備えることを特徴とするパターニングデバイスマスキングブレード。
- リソグラフィ装置のパターニングデバイスマスキングブレードを、パターニング手段からのパターンを基板上に投影するために用いられる、前記マスキングブレードがエッジを放射ビームに当てる第1の位置から、前記マスキングブレードが放射ビームの大部分を遮断するが、放射ビームの一部が拡散部材を備える穴部を通過することを可能とする第2の位置に移動するステップと、それから前記リソグラフィ装置の投影系を超えて位置するセンサを用いて放射ビームを測定するステップとを備えることを特徴とする方法。
- 前記センサは、放射ビームの特性を測定するため、または、基板テーブルに対する前記パターニング手段のアライメントを測定するために用いられることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記リソグラフィ装置を用いて前記パターニング手段からのパターンを基板上に投影するステップをさらに備えることを特徴とする請求項13または14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US40883610P | 2010-11-01 | 2010-11-01 | |
US61/408,836 | 2010-11-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012099810A true JP2012099810A (ja) | 2012-05-24 |
JP5390577B2 JP5390577B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=46197780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011229408A Active JP5390577B2 (ja) | 2010-11-01 | 2011-10-19 | リソグラフィ装置および方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9116446B2 (ja) |
JP (1) | JP5390577B2 (ja) |
NL (1) | NL2007367A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107450271B (zh) * | 2016-05-31 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法 |
CN109196420B (zh) * | 2016-06-03 | 2022-11-15 | Asml荷兰有限公司 | 图案形成装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223406A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法 |
JP2001196287A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2003088329A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle and optical characteristic measuring method |
JP2005158829A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 波面収差計測方法及び装置、並びに露光装置 |
WO2005106593A2 (en) * | 2004-04-14 | 2005-11-10 | Litel Instruments | Method and apparatus for measurement of exit pupil transmittance |
JP2006108465A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Nikon Corp | 光学特性計測装置及び露光装置 |
JP2007110116A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、およびデバイス製造方法で使用するマスク |
JP2007194537A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、並びに露光装置 |
JP2008078478A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Canon Inc | 拡散板、拡散板の製造方法、液浸露光装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5473410A (en) * | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5486896A (en) * | 1993-02-19 | 1996-01-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
EP1039509A4 (en) * | 1997-04-18 | 2005-01-12 | Nikon Corp | ALIGNER, EXPOSURE METHOD USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING CIRCUIT DEVICE |
JP3387809B2 (ja) * | 1998-02-18 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
AU3754800A (en) * | 1999-03-17 | 2000-10-04 | Rochester Institute Of Technology | Mofification of a projection imaging system with a non-circular aperture and a method thereof |
JP2001060546A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2001358062A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-12-26 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
KR100893516B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2009-04-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상특성 계측방법, 결상특성 조정방법, 노광방법 및노광장치, 프로그램 및 기록매체, 그리고 디바이스 제조방법 |
JP4458329B2 (ja) | 2003-12-26 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN102460302B (zh) * | 2009-06-09 | 2015-06-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和用于减小杂散辐射的方法 |
-
2011
- 2011-09-07 NL NL2007367A patent/NL2007367A/en not_active Application Discontinuation
- 2011-09-23 US US13/243,528 patent/US9116446B2/en active Active
- 2011-10-19 JP JP2011229408A patent/JP5390577B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223406A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法 |
JP2001196287A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2003088329A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle and optical characteristic measuring method |
JP2005158829A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 波面収差計測方法及び装置、並びに露光装置 |
WO2005106593A2 (en) * | 2004-04-14 | 2005-11-10 | Litel Instruments | Method and apparatus for measurement of exit pupil transmittance |
JP2006108465A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Nikon Corp | 光学特性計測装置及び露光装置 |
JP2007110116A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、およびデバイス製造方法で使用するマスク |
JP2007194537A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、並びに露光装置 |
JP2008078478A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Canon Inc | 拡散板、拡散板の製造方法、液浸露光装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5390577B2 (ja) | 2014-01-15 |
US9116446B2 (en) | 2015-08-25 |
NL2007367A (en) | 2012-05-02 |
US20120242967A1 (en) | 2012-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100583693B1 (ko) | 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판,상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스 제조방법 및 그디바이스 | |
JP4880635B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
KR100650946B1 (ko) | 방사선 시스템, 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및그에 의해 제조된 디바이스 | |
JP4394628B2 (ja) | リソグラフィ装置のアポディゼーション測定 | |
KR101938723B1 (ko) | 조명 시스템 | |
KR20090125010A (ko) | 기판 내의 결함들을 결정하는 방법 및 리소그래피 프로세스에서 기판을 노광하기 위한 장치 | |
JP2005354066A (ja) | 整列マーカ、リソグラフィ装置およびそれを使うデバイス製造方法 | |
JP5059916B2 (ja) | リソグラフィ装置および監視方法 | |
TWI490660B (zh) | 微影裝置及方法 | |
JP5060464B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
KR100609109B1 (ko) | 디바이스 제조방법, 상기 방법에 사용되는 마스크 세트,프로그램가능한 패터닝 디바이스를 제어하는 데이터 세트,마스크 패턴을 생성하는 방법 및 컴퓨터 프로그램 | |
JP4090449B2 (ja) | リソグラフィック投影装置及びデバイス製造方法 | |
JP4303192B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
TWI663480B (zh) | 微影裝置及及使用該微影裝置而在基板上曝光一曝光區之方法 | |
JP4459176B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5559284B2 (ja) | レチクルアセンブリ、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセスにおけるその使用、およびリソグラフィプロセスの単一スキャン移動において2つ以上のイメージフィールドを投影する方法 | |
NL2005548A (en) | Homogenizer. | |
JP3986492B2 (ja) | リソグラフィ装置並びにビームサイズおよび発散性を決めるための方法 | |
US10156791B2 (en) | Lithographic apparatus and method | |
JP5390577B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
KR20080059625A (ko) | 리소그래피 장치 및 제어 방법 | |
JP2007158313A (ja) | 光学システム、リソグラフィ装置および投影方法 | |
TW202125127A (zh) | 具有遠心轉換器的恆定放大多級光學器件 | |
JP2008051812A (ja) | 粒子検出システムおよびこのような粒子検出システムを備えたリソグラフィ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5390577 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |