JP2012078179A - 温度測定方法、記憶媒体、プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第1の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第2の干渉波を測定する工程と、第1の干渉波から第2の干渉波までの光路長を算出する工程と、第2の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第1の干渉波から第2の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
算出した光路差に基づいて算出した第1の干渉波から第2の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備えたことを特徴とする。
図1は、本実施形態にかかる温度測定装置100の構成図である。実施形態にかかる温度測定装置100は、光源110と、光源110からの光を温度測定用の光(測定光)と参照光とに分岐するスプリッタ120と、測定光を測定対象物である薄膜(SiO2膜)Tが形成された半導体ウエハ(基板)Wの測定ポイントPへ伝送するコリメートファイバF1と、スプリッタ120からの参照光を反射するための参照光反射手段130と、スプリッタ120で分岐された参照光を、参照光反射手段130まで伝送するコリメートファイバF2と、参照光反射手段130から反射する参照光の光路長を変化させるための光路長変化手段140と、測定光及び参照光の反射光による干渉波形に基づいて、測定ポイントPの温度を測定する信号処理装置150とを備える。信号処理装置150は、受光手段151及び温度算出手段152を備える。
ここでは、温度測定装置100の受光手段151により得られる干渉波形の具体例及び温度測定方法について説明する。なお、説明は、半導体ウエハWに薄膜Tが形成されていない場合について説明した後、半導体ウエハWに薄膜Tが形成されている場合とその問題点について説明する。
図3は、温度測定装置100の受光手段151により得られる干渉波形の具体例を示す。図3は、測定光が、半導体ウエハWに照射されるようにした場合における測定光と参照光との干渉波形を示したものである。図3(a)は温度変化前の干渉波形を示したものであり、図3(b)は温度変化後の干渉波形を示したものである。図3において縦軸は干渉強度、横軸は参照光反射手段130(例えば参照ミラー)の移動距離をとっている。
次に、図3を参照して、測定光と参照光との干渉波に基づいて温度を測定する方法について説明する。干渉波に基づく温度測定方法としては、例えば温度変化に基づく光路長変化を用いる温度換算方法がある。ここでは、上記干渉波の位置の変化を利用した温度換算方法について説明する。
上記数式(1)に示すように、温度変化によって測定ポイントPを透過する測定光の光路長が変化する。光路長は一般に、厚さdと屈折率nとの積で表される。従って、温度変化前の測定ポイントPを透過する測定光の光路長をLとし、測定ポイントにおける温度がΔTだけ変化した後の光路長をL′とすると、L、L′は夫々下記の数式(2)に示すようになる。
従って、測定ポイントにおける測定光の光路長の温度変化前後の差(L′−L)は、上記数式(1)、(2)により計算して整理すると、下記数式(3)に示すようになる。なお、下記数式(3)では、α・β≪α、α・β≪βを考慮して微小項を省略している。
=L・(α+β)・ΔT …(3)
図4は、測定光が、半導体ウエハWに照射されるようにした場合における測定光と参照光との干渉波形を示したものである。なお、図4において縦軸は干渉強度、横軸は参照光反射手段130(例えば参照ミラー)の移動距離をとっている。
以上のように、半導体ウエハWに薄膜Tが形成されている場合、図4を参照して説明したように、干渉波Fのピーク位置がΔLだけシフトする。このため、測定された光路長からシフト量ΔLの補正を行う必要がある。
1.図4で説明した干渉波Fの干渉強度又は干渉波Cと干渉波Fの干渉強度比から薄膜Tの膜厚を求める。
2.求めた薄膜Tの膜厚から光路長のずれ量ΔL(以下、シフト量ΔLと称する)を求める。
3.求めたシフト量ΔLに基づいて光路長L1を補正し、実光路長L2を求める。
ρ1=(n1−n0)/(n1+n0)…(5)
上記数式(4)のρ2は、半導体ウエハWから薄膜Tへ入射したときの反射光のフレネル係数(振幅反射係数)であり下記数式(6)で表わされる。
ρ2=(n2−n1)/(n2+n1)…(6)
R:反射率
k:測定光の波数
d:薄膜Tの膜厚
δ:kn1d
n0:空気の屈折率
n1:薄膜Tの屈折率
n2:半導体ウエハWの屈折率
E1:参照側の電界
E2:半導体ウエハ側の電界
図6は、半導体ウエハWに薄膜TとしてSiO2膜が形成されている場合における薄膜Tの膜厚と干渉強度の関係とを示す図である。図6において縦軸は干渉強度、横軸は薄膜の膜厚をとっている。なお、図6は、上記数式(7)を用いて計算したものである。
図9は、薄膜Tの膜厚と干渉波Fのシフト量ΔLとの関係を示す図である。図9において縦軸は干渉波Fのシフト量ΔL、横軸は薄膜Tの膜厚をとっている。なお、図9は、上記説明(段落0051参照)では、酸化膜厚毎に干渉波形を求めているが、酸化膜厚毎に求めた干渉波形の重心を算出し、波形の重心を光路差方向のシフト量としてプロットした。具体的には、干渉波形のDC強度より大きい値を使って重心を求める。さらには干渉波形のDC成分より小さい側はDC強度で折り返した波形を使う、また正側の波形も加えてから重心を求めても良い。重心以外には多項式やガウス分布で近似してその最大値などを求めても良い。
最後に、求めたシフト量ΔLに基づいて、受光手段151で観察された干渉波のピーク間の光路長を補正する(具体的には、算出した光路長からシフト量ΔLを補正する)。
図10は、温度測定装置100の動作を示すフローチャートである。
以下、図1、8及び9を参照して、温度測定装置100の動作について説明する。
(ステップS101)
初めに、信号取得手段201は、半導体ウエハWの線膨張率αや屈折率変化の温度係数β、数式(3)〜(9)や各種パラメータ、薄膜Tの膜厚、任意の温度における半導体ウエハWの光路長等、半導体ウエハWの温度の算出に必要なデータを上位コントローラ(例えば、温度測定装置100に接続されたホストやIM(Integrated Metrology))から取得する。
光源110からの光は、スプリッタ120に入射され、スプリッタ120により2分岐される。このうち、一方(測定光)は、コリメートファイバF1を介して半導体ウエハWに照射される。
半導体ウエハWに照射された測定光は、半導体ウエハWの表面S1や薄膜Tとの界面S2等で反射される。また、スプリッタ120で分岐された他方(参照光)は、コリメートファイバF2から出射され、参照光反射手段130によって反射される。そして、反射光はスプリッタ120へ入射し、測定光の反射光と再び合波されて受光手段151で受光され、波形信号として信号取得手段201に取り込まれる。
光路長算出手段202は、信号取得手段201で取り込まれた波形信号及び駆動距離信号に基づいて、図4(b)で説明した干渉波C,Fのピーク間の光路長L1を算出する。
膜厚算出手段203は、図6を参照して説明した薄膜Tの膜厚とピーク干渉比との関係(具体的には、数式(7))から薄膜Tの膜厚を算出する。
シフト量算出手段204は、図9を参照して説明した薄膜Tの膜厚と干渉波Fのシフト量ΔLとの関係(具体的には、数式(7))に基づき、膜厚算出手段203で算出される薄膜Tの膜厚に対応するシフト量ΔLを算出する。
光路長補正手段205は、光路長算出手段202が算出した光路長L1からシフト量算出手段204が算出したシフト量ΔLより光路長を補正し、実光路長L2を算出する。
温度演算手段206は、光路長補正手段205により補正された光路長に基づいて、半導体ウエハWの温度を算出する。具体的には、予め記憶しておいた半導体ウエハWの線膨張率α、屈折率変化の温度係数β及び補正後の光路長(実光路長L2)を上述した数式(3)へ代入して半導体ウエハWの温度を算出する。
図11は、実施例1に係る光路長の測定結果を示す図である。図11において、縦軸は算出された光路長、横軸はエッチング時間(エッチング開始時を0としている)をとっている。図11には、膜厚約2μm(正確には、1993nm)の薄膜(SiO2膜)が形成された直径300mmの半導体ウエハをエッチングしながら測定した光路長を示した。測定ポイントは、半導体ウエハの中心(センタ)とした。なお、図11には、光路長を補正した場合(補正有)と、補正しなかった場合(補正無)を示した。
図12は、光路長の補正を行った場合の温度測定結果を示している。図12に示すように、光路長の補正を行った場合、エッチング中の半導体ウエハの測定温度の変動が小さいことがわかる。また、ベアSiウエハをエッチングした場合の温度測定の結果と比較した場合でも、その温度変化がベアSiウエハの温度変化と略同じであることから半導体ウエハの温度を精度よく測定できていることが理解できる。
図13には、光路長の補正を行わなかった場合の温度測定結果を示している。図13に示すように、光路長の補正を行わなかった場合、エッチング中の半導体ウエハの測定温度が周期的に大きく変動することがわかる。これは、上述したように、薄膜の膜厚に応じて、薄膜での反射による干渉強度が周期的に変化するためである。また、ベアSiウエハをエッチングした場合の温度測定の結果と比較した場合、その温度変化が大きく異なることから、半導体ウエハの温度を正確に測定できていないことがわかる。
上記実施形態では、測定対象物である半導体ウエハWの測定ポイントPで反射された測定光と、参照光反射手段130で反射された参照光を干渉させる時間ドメイン法で測定した光路長の補正について説明したが、上記実施形態で説明した補正方法は、半導体ウエハWの表面及び裏面の光路長から温度を算出する方法であれば適用可能である。この実施形態の変形例では、参照光を使用しない形態について説明する。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、上記実施形態では、測定対象物である半導体ウエハWに形成された薄膜をエッチングする場合の光路長の補正について説明したが半導体ウエハWに膜を形成(堆積)する場合にも適用することができる。この場合は、堆積する膜の屈折率を予め取得しておき、図6に示した薄膜Tの膜厚と干渉強度の関係とから膜厚を算出する。なお、エッチングの場合と異なり、膜厚を換算する方向が逆、つまり膜厚が増える方向に換算する点に留意する。
Claims (7)
- 光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、
前記基板の表面での反射光による第1の干渉波と、前記基板と前記薄膜との界面及び前記薄膜の裏面での反射光による第2の干渉波を測定する工程と、
前記第1の干渉波から前記第2の干渉波までの光路長を算出する工程と、
前記第2の干渉波の強度に基づいて、前記薄膜の膜厚を算出する工程と、
前記算出した前記薄膜の膜厚に基づいて、前記基板の光路長と前記算出した光路長との光路差を算出する工程と、
前記算出した光路差に基づいて前記算出した前記第1の干渉波から前記第2の干渉波までの光路長を補正する工程と、
前記補正された光路長から前記測定ポイントにおける前記測定対象物の温度を算出する工程と、
を備えたことを特徴とする温度測定方法。 - 前記薄膜の膜厚と前記第2の干渉波の強度との関係に基づいて前記薄膜の膜厚を算出することを特徴とする請求項1に記載の温度測定方法。
- 前記第1の干渉波の強度と前記第2の干渉波の強度との比に基づいて前記薄膜の膜厚を算出することを特徴とする請求項1又は2に記載の温度測定方法。
- 前記光源は、波長が1000nm以上の光を発生し、
前記基板は、シリコン(Si)基板であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の温度測定方法。 - 前記薄膜は、シリコン酸化膜(SiO2)、シリコン窒化膜(Si3N4)、レジスト膜、樹脂系膜又は金属膜のいずれかであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の温度測定方法。
- 光源と、前記光源からの光を基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する伝送手段と、前記測定対象物で反射した反射光を受光する受光手段とを備える温度測定装置において、前記受光手段で受光された前記反射光の干渉波に基づいて、前記測定ポイントにおける前記測定対象物の温度を測定する温度測定方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記コンピュータを、
前記受光手段で受光された基板の表面での反射光による第1の干渉波と、前記基板と前記基板上に形成された薄膜との界面及び前記薄膜の裏面での反射光による第2の干渉波とを測定する測定手段、
前記第1の干渉波から前記第2の干渉波までの光路長を算出する第1の算出手段、
前記第2の干渉波の強度に基づいて、前記薄膜の膜厚を算出する第2の算出手段、
前記算出した前記薄膜の膜厚に基づいて、前記基板の光路長と前記算出した光路長との光路差を算出する第3の算出手段、
前記算出した光路差に基づいて前記算出した前記第1の干渉波から前記第2の干渉波までの光路長を補正する補正手段、
前記補正された光路長から前記測定ポイントにおける前記測定対象物の温度を算出する第4の算出手段、
として動作させることを特徴とする記憶媒体。 - 光源と、前記光源からの光を基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する伝送手段と、前記測定対象物で反射した反射光を受光する受光手段とを備える温度測定装置において、前記受光手段で受光された前記反射光の干渉波に基づいて、前記測定ポイントにおける前記測定対象物の温度を測定する温度測定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記プログラムは、前記コンピュータを、
前記受光手段で受光された基板の表面での反射光による第1の干渉波と、前記基板と前記基板上に形成された薄膜との界面及び前記薄膜の裏面での反射光による第2の干渉波とを測定する測定手段、
前記第1の干渉波から前記第2の干渉波までの光路長を算出する第1の算出手段、
前記第2の干渉波の強度に基づいて、前記薄膜の膜厚を算出する第2の算出手段、
前記算出した前記薄膜の膜厚に基づいて、前記基板の光路長と前記算出した光路長との光路差を算出する第3の算出手段、
前記算出した光路差に基づいて前記算出した前記第1の干渉波から前記第2の干渉波までの光路長を補正する補正手段、
前記補正された光路長から前記測定ポイントにおける前記測定対象物の温度を算出する第4の算出手段、
として動作させることを特徴とするプログラム。
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